JPH0689887A - 結晶方位決定方法 - Google Patents
結晶方位決定方法Info
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- JPH0689887A JPH0689887A JP24016392A JP24016392A JPH0689887A JP H0689887 A JPH0689887 A JP H0689887A JP 24016392 A JP24016392 A JP 24016392A JP 24016392 A JP24016392 A JP 24016392A JP H0689887 A JPH0689887 A JP H0689887A
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- crystal
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、装置構成が簡単で作業性がよく確
実かつ信頼性の高い結晶方位決定方法を提供することを
目的とする。 【構成】 本発明では、Ｘ線発生部５およびＸ線検出部
６とを備えた結晶方位決定装置２のインゴット３外周上
のＸ線照射位置に相当する点でこの面に直交する線の延
長線上に回転軸を有する回転機構部を設け、結晶方位決
定装置を回転可能にしたことを特徴とする。
実かつ信頼性の高い結晶方位決定方法を提供することを
目的とする。 【構成】 本発明では、Ｘ線発生部５およびＸ線検出部
６とを備えた結晶方位決定装置２のインゴット３外周上
のＸ線照射位置に相当する点でこの面に直交する線の延
長線上に回転軸を有する回転機構部を設け、結晶方位決
定装置を回転可能にしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶方位決定方法に係
り、特にＸ線回折原理を利用した結晶方位決定装置とそ
の加工機において要求される結晶の面方位を効率よく短
時間高精度でかつ１台のＸ線回折装置で決定する方法に
関する。
り、特にＸ線回折原理を利用した結晶方位決定装置とそ
の加工機において要求される結晶の面方位を効率よく短
時間高精度でかつ１台のＸ線回折装置で決定する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハは、通常、チョクラルスキ
ー引上げ法などで形成された単結晶インゴットを円筒状
に加工した後、薄板状に切断して形成されるが、半導体
ウェハは結晶方向によって大きく特性が異なるため、結
晶方向を考慮して切断がなされなければならない。
ー引上げ法などで形成された単結晶インゴットを円筒状
に加工した後、薄板状に切断して形成されるが、半導体
ウェハは結晶方向によって大きく特性が異なるため、結
晶方向を考慮して切断がなされなければならない。
【０００３】従来単結晶インゴットからウェハを形成す
るには、インゴットのオリフラ面カットのためのオリフ
ラ面検出用のＸ線回折装置と、スライシングのため切断
面決定のためのＸ線回折装置との２つのＸ線回折装置を
用いて、次のような方法が取られていた。
るには、インゴットのオリフラ面カットのためのオリフ
ラ面検出用のＸ線回折装置と、スライシングのため切断
面決定のためのＸ線回折装置との２つのＸ線回折装置を
用いて、次のような方法が取られていた。
【０００４】まず、引上げによって得られた単結晶イン
ゴットを円筒研削盤にチャッキングし、インゴットを回
転させながら、カッターで円筒加工を行い、円筒加工終
了後、インゴットを回転させ外周面の一部にＸ線を照射
しつつオリフラ面位置すなわち、Ｘ線回折強度最高位置
を決定する。例えば、単結晶シリコン（１００）面の＜
１００＞軸を測定すると、円周上で９０度毎に、回折強
度の強い面であるオリフラ面が現れる。そこでこのオリ
フラ面決定位置で、インゴットの回転を停止させ円筒研
削盤のカッターでオリフラ面カットを行う。
ゴットを円筒研削盤にチャッキングし、インゴットを回
転させながら、カッターで円筒加工を行い、円筒加工終
了後、インゴットを回転させ外周面の一部にＸ線を照射
しつつオリフラ面位置すなわち、Ｘ線回折強度最高位置
を決定する。例えば、単結晶シリコン（１００）面の＜
１００＞軸を測定すると、円周上で９０度毎に、回折強
度の強い面であるオリフラ面が現れる。そこでこのオリ
フラ面決定位置で、インゴットの回転を停止させ円筒研
削盤のカッターでオリフラ面カットを行う。
【０００５】そしてさらにこの後インゴットを円筒研削
盤から取り外し、スライシングマシンのヘッドにインゴ
ットを取り付け、インゴットの一部を試断し、別置きの
Ｘ線回折装置で試断面におけるＸ線方向およびＹ方向の
２方向の回折強度を測定し、最大回折強度に対する角度
誤差を読取り、この値をスライシングマシンのヘッド部
の補正を行った後、再度試断し、前記別置きのＸ線回折
装置で再度測定し、理想的方位面２４に近付けた後、イ
ンゴットをスライスしウェハを得るという方法がとられ
ている。
盤から取り外し、スライシングマシンのヘッドにインゴ
ットを取り付け、インゴットの一部を試断し、別置きの
Ｘ線回折装置で試断面におけるＸ線方向およびＹ方向の
２方向の回折強度を測定し、最大回折強度に対する角度
誤差を読取り、この値をスライシングマシンのヘッド部
の補正を行った後、再度試断し、前記別置きのＸ線回折
装置で再度測定し、理想的方位面２４に近付けた後、イ
ンゴットをスライスしウェハを得るという方法がとられ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この方法では、インゴ
ットの加工からウェハ形成までの工程では、結晶方位決
定装置も含めて高価な２台のＸ線回折装置が必要であっ
た。
ットの加工からウェハ形成までの工程では、結晶方位決
定装置も含めて高価な２台のＸ線回折装置が必要であっ
た。
【０００７】また別に設置したＸ線回折装置を用いて高
精度な面方位を決定するためにはインゴットを２回以上
試断する必要があり、材料の歩留まりを低下させる原因
となっていた。また近年のウェハ大口径化に伴い試断に
要する時間も無視できなかった。
精度な面方位を決定するためにはインゴットを２回以上
試断する必要があり、材料の歩留まりを低下させる原因
となっていた。また近年のウェハ大口径化に伴い試断に
要する時間も無視できなかった。
【０００８】Ｘ線回折装置を使用して、試断後の試断面
の面方位を測定し、９０度回転させて同様に面方位を測
定し、それぞれの面方位の誤差を読取り、その誤差をス
ライシングマシンで補正し、再度試断し再び同様に試断
面のＸ線測定を行うことにより確認している。この方法
によれば最強角度読取り誤差およびスライシングマシン
の補正誤差等が入り込む上、通常２回以上の繰返し作業
が必要であり、作業効率が悪いという問題があった。
の面方位を測定し、９０度回転させて同様に面方位を測
定し、それぞれの面方位の誤差を読取り、その誤差をス
ライシングマシンで補正し、再度試断し再び同様に試断
面のＸ線測定を行うことにより確認している。この方法
によれば最強角度読取り誤差およびスライシングマシン
の補正誤差等が入り込む上、通常２回以上の繰返し作業
が必要であり、作業効率が悪いという問題があった。
【０００９】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、正確な結晶方位の決定を簡単な装置構成で作業性よ
く行なえるようにした結晶方位決定方法を提供すること
を目的とする。
で、正確な結晶方位の決定を簡単な装置構成で作業性よ
く行なえるようにした結晶方位決定方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、Ｘ線
発生部およびＸ線検出部とを備えた結晶方位決定装置の
インゴット外周上のＸ線照射位置に相当する点でこの面
に直交する線の延長線上に回転軸を有する回転機構部を
設け、結晶方位決定装置を回転可能にしたことを特徴と
する。
発生部およびＸ線検出部とを備えた結晶方位決定装置の
インゴット外周上のＸ線照射位置に相当する点でこの面
に直交する線の延長線上に回転軸を有する回転機構部を
設け、結晶方位決定装置を回転可能にしたことを特徴と
する。
【００１１】すなわち本発明の第１では、単結晶等のイ
ンゴットを円筒研削盤に設置して円筒研削加工を行い、
この円筒研削盤に設置されたインゴットをそのままの状
態で回転しつつ、Ｘ線発生部とＸ線検出部とを備えた結
晶方位検出手段によって、インゴット外周面上の測定点
にＸ線を照射し測定点からの反射光の強度を検出するこ
とによりインゴットの外周面上のＸ線回折強度が最高と
なるオリフラ面を検出し、こののちインゴットの外周面
に前記測定点で直交する線の延長線を軸として、前記結
晶方位検出手段を回転させ、この位置でも結晶方位を検
出するようにしている。
ンゴットを円筒研削盤に設置して円筒研削加工を行い、
この円筒研削盤に設置されたインゴットをそのままの状
態で回転しつつ、Ｘ線発生部とＸ線検出部とを備えた結
晶方位検出手段によって、インゴット外周面上の測定点
にＸ線を照射し測定点からの反射光の強度を検出するこ
とによりインゴットの外周面上のＸ線回折強度が最高と
なるオリフラ面を検出し、こののちインゴットの外周面
に前記測定点で直交する線の延長線を軸として、前記結
晶方位検出手段を回転させ、この位置でも結晶方位を検
出するようにしている。
【００１２】また本発明の第２では、上記第１の構成に
加え、オリフラ面検出工程後、カットすべき結晶面に対
応してオリフラ面決定位置より所定の角度分インゴット
を回転させた後、結晶方位検出手段を回転させ、オリフ
ラ面加工を行うオリフラ面加工を行うようにしている。
加え、オリフラ面検出工程後、カットすべき結晶面に対
応してオリフラ面決定位置より所定の角度分インゴット
を回転させた後、結晶方位検出手段を回転させ、オリフ
ラ面加工を行うオリフラ面加工を行うようにしている。
【００１３】本発明の第３では、さらに前記オリフラ面
検出工程後、カットすべき結晶面に対応してオリフラ面
決定位置より所定の角度分インゴットを回転させた後、
結晶方位検出手段を回転させ、再び前記インゴットをそ
のままの状態で回転しつつ、前記結晶方位検出手段によ
って、前記インゴット外周面上の測定点にＸ線を照射し
測定点からの反射光の強度を検出し、インゴットの外周
面上のＸ線回折強度が最高となるオリフラ面までの回転
角を読取り、この角度を補正値として、スライシングマ
シンの設定位置を補正するようにしている。
検出工程後、カットすべき結晶面に対応してオリフラ面
決定位置より所定の角度分インゴットを回転させた後、
結晶方位検出手段を回転させ、再び前記インゴットをそ
のままの状態で回転しつつ、前記結晶方位検出手段によ
って、前記インゴット外周面上の測定点にＸ線を照射し
測定点からの反射光の強度を検出し、インゴットの外周
面上のＸ線回折強度が最高となるオリフラ面までの回転
角を読取り、この角度を補正値として、スライシングマ
シンの設定位置を補正するようにしている。
【００１４】本発明の第４では、前記インゴットの外周
面に前記測定点で直交する線の延長線を軸として、前記
結晶方位検出手段を９０度回転させしてオリフラ面決定
位置より所定の角度分インゴットを回転させた後、結晶
方位検出手段を９０度回転させ、前記インゴットをその
ままの状態で、前記結晶方位検出手段を回転させ、前記
インゴット外周面上の測定点にＸ線を照射し測定点から
の反射光の強度を検出し、インゴットの外周面上のＸ線
回折強度が最高となるオリフラ面までの回転角を読取る
ようにしている。
面に前記測定点で直交する線の延長線を軸として、前記
結晶方位検出手段を９０度回転させしてオリフラ面決定
位置より所定の角度分インゴットを回転させた後、結晶
方位検出手段を９０度回転させ、前記インゴットをその
ままの状態で、前記結晶方位検出手段を回転させ、前記
インゴット外周面上の測定点にＸ線を照射し測定点から
の反射光の強度を検出し、インゴットの外周面上のＸ線
回折強度が最高となるオリフラ面までの回転角を読取る
ようにしている。
【００１５】
【作用】上記構成によれば、結晶方位検出手段を、イン
ゴットに対して回転可能であるようにするとともにこの
回転軸をインゴットに対して回転可能なようにし、１つ
のＸ線方位検出手段で、オリフラ面のカットおよびスラ
イス面の決定を行うようにしている。
ゴットに対して回転可能であるようにするとともにこの
回転軸をインゴットに対して回転可能なようにし、１つ
のＸ線方位検出手段で、オリフラ面のカットおよびスラ
イス面の決定を行うようにしている。
【００１６】すなわち、本発明の第１では、結晶方位決
定装置でインゴット円周上のＸ線回折強度最高位置（オ
リフラ面）決定後、インゴットをその位置で停止させた
ままの状態にしておき、結晶方位決定装置をインゴット
外周にＸ線照射位置で直交する線の延長線上に回転軸を
もつようにして回転させることにより、さらにＸ線回折
強度の強くなる点を捜しその回転角度を読み取り、この
ままの状態でインゴットに対してオリフラ面加工を行
う。本発明の第２では、カットすべき結晶面に応じて所
定の角度だけインゴットを回転し、所望のカットを行
う。
定装置でインゴット円周上のＸ線回折強度最高位置（オ
リフラ面）決定後、インゴットをその位置で停止させた
ままの状態にしておき、結晶方位決定装置をインゴット
外周にＸ線照射位置で直交する線の延長線上に回転軸を
もつようにして回転させることにより、さらにＸ線回折
強度の強くなる点を捜しその回転角度を読み取り、この
ままの状態でインゴットに対してオリフラ面加工を行
う。本発明の第２では、カットすべき結晶面に応じて所
定の角度だけインゴットを回転し、所望のカットを行
う。
【００１７】本発明の第３では、さらに、オリフラ面加
工後このインゴットをスライシングマシンのヘッドに取
り付け読み取った回転角度の値をスライシングマシンに
与えウェハを形成する。
工後このインゴットをスライシングマシンのヘッドに取
り付け読み取った回転角度の値をスライシングマシンに
与えウェハを形成する。
【００１８】本発明の第４では、初めに検出したオリフ
ラ面から９０度離れたオリフラ面を検出し、読取り角度
を補正値としてスライシングマシンに伝えることにより
高精度に結晶面方位の制御されたウェハを得ることがで
きる。
ラ面から９０度離れたオリフラ面を検出し、読取り角度
を補正値としてスライシングマシンに伝えることにより
高精度に結晶面方位の制御されたウェハを得ることがで
きる。
【００１９】望ましくはインゴット円周上のオリフラ面
決定位置で、結晶方位決定装置の軸を回転させた状態
で、最大強度になる回転角の測定を少なくとも複数のオ
リフラ面についても行うようにしている。さらに望まし
くは各オリフラ面について複数の回転角を読取りこれを
スライシングマシンへの取り付け時に、切断角度の設定
に用いる。
決定位置で、結晶方位決定装置の軸を回転させた状態
で、最大強度になる回転角の測定を少なくとも複数のオ
リフラ面についても行うようにしている。さらに望まし
くは各オリフラ面について複数の回転角を読取りこれを
スライシングマシンへの取り付け時に、切断角度の設定
に用いる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
【００２１】本発明の実施例に係る装置は、図１乃至図
５に示すように、円筒研削盤１と、円筒研削盤１に組み
込まれた結晶方位決定装置２と、スライシングマシン２
５とから構成されており、円筒研削盤１にチャッキング
されたインゴット３を、円筒研削するとともにオリフラ
面加工を行いさらにスライシングマシン２５を用いてス
ライシングを行うようにしたもので、結晶方位決定装置
２の回転軸がインゴット３に対して回転可能なように構
成され、１つでオリフラカット加工位置およびスライシ
ングマシンの切断方位の決定が可能なように回転駆動部
Ｋを具備したことを特徴とする。
５に示すように、円筒研削盤１と、円筒研削盤１に組み
込まれた結晶方位決定装置２と、スライシングマシン２
５とから構成されており、円筒研削盤１にチャッキング
されたインゴット３を、円筒研削するとともにオリフラ
面加工を行いさらにスライシングマシン２５を用いてス
ライシングを行うようにしたもので、結晶方位決定装置
２の回転軸がインゴット３に対して回転可能なように構
成され、１つでオリフラカット加工位置およびスライシ
ングマシンの切断方位の決定が可能なように回転駆動部
Ｋを具備したことを特徴とする。
【００２２】すなわち、円筒研削盤１は図１および図２
（図２は図１のＡ−Ａ断面図）に示すように、インゴッ
ト３に対して平行移動可能なカッター４を備え、インゴ
ット３を回転しつつカッター４で研削するようになって
おり、また、結晶方位決定装置２の回転軸自体を回転で
きるように構成されている。
（図２は図１のＡ−Ａ断面図）に示すように、インゴッ
ト３に対して平行移動可能なカッター４を備え、インゴ
ット３を回転しつつカッター４で研削するようになって
おり、また、結晶方位決定装置２の回転軸自体を回転で
きるように構成されている。
【００２３】この結晶方位決定装置２は、図３に示すよ
うに、Ｘ線発生部５から発せられるＸ線を、スリット７
を介してインゴット３の所要の位置に照射し、受光スリ
ット８を介してＸ線検出部６で検出するもので、この回
転軸自体が、回転駆動機構Ｋで回転できるようになって
いる。またこの回転駆動機構Ｋは、回転駆動軸１０に取
り付けられた角度読取り部１１によって回転角が読み取
れるようになっている。さらにスライシングマシン２５
は図５に示すように、ヘッド２６をＸ軸およびＹ軸方向
に移動できるように構成されている。次に、本実施例の
作用について説明する。まず、円筒研削盤１にチャッキ
ングされたインゴット３を、低速回転させると共に、円
筒研削盤１のカッター４を高速回転させて円筒研削を行
う。
うに、Ｘ線発生部５から発せられるＸ線を、スリット７
を介してインゴット３の所要の位置に照射し、受光スリ
ット８を介してＸ線検出部６で検出するもので、この回
転軸自体が、回転駆動機構Ｋで回転できるようになって
いる。またこの回転駆動機構Ｋは、回転駆動軸１０に取
り付けられた角度読取り部１１によって回転角が読み取
れるようになっている。さらにスライシングマシン２５
は図５に示すように、ヘッド２６をＸ軸およびＹ軸方向
に移動できるように構成されている。次に、本実施例の
作用について説明する。まず、円筒研削盤１にチャッキ
ングされたインゴット３を、低速回転させると共に、円
筒研削盤１のカッター４を高速回転させて円筒研削を行
う。
【００２４】そして円筒研削終了後、結晶方位決定装置
２をインゴット３の外周面に対して所定の位置まで接近
させたのち、結晶方位決定装置２に取り付けられている
Ｘ線発生部５によりＸ線を発生させ、スリット（コリメ
ータ）７を介してインゴット３の外周測定面にＸ線を照
射させつつインゴット３を回転させる。
２をインゴット３の外周面に対して所定の位置まで接近
させたのち、結晶方位決定装置２に取り付けられている
Ｘ線発生部５によりＸ線を発生させ、スリット（コリメ
ータ）７を介してインゴット３の外周測定面にＸ線を照
射させつつインゴット３を回転させる。
【００２５】そしてインゴット３の外周面からの回折Ｘ
線を受光スリット８を介してＸ線検出器６で検出し、イ
ンゴット３外周面からの回折強度の強い位置（オリフ
ラ）面を探し、その位置でインゴット３の回転を停止す
る。
線を受光スリット８を介してＸ線検出器６で検出し、イ
ンゴット３外周面からの回折強度の強い位置（オリフ
ラ）面を探し、その位置でインゴット３の回転を停止す
る。
【００２６】次にＸ線を照射したままの状態でインゴッ
ト３の外周面（Ｘ線照射面）に直交する延長線上に設け
た回転軸９を中心にして回転するように回転駆動軸１０
に回転を与え、結晶方位決定装置２を左右に回転させ、
さらに回折強度の強い位置の角度（結晶方位決定装置２
の回転前に対して、回転中にさらに強い回折強度の現れ
る角度）を角度読取り部１１で検出する。
ト３の外周面（Ｘ線照射面）に直交する延長線上に設け
た回転軸９を中心にして回転するように回転駆動軸１０
に回転を与え、結晶方位決定装置２を左右に回転させ、
さらに回折強度の強い位置の角度（結晶方位決定装置２
の回転前に対して、回転中にさらに強い回折強度の現れ
る角度）を角度読取り部１１で検出する。
【００２７】インゴットのオリフラ面位置からのずれの
測定は次のようにして行われる。まず図３に示したよう
にＸ線発生部５とＸ線検出部６とはインゴット面からそ
れぞれθだけ離間して固定されているとする。そしてイ
ンゴット面がオリフラ面であれば、Ｘ線はインゴット面
に対しても入射角と同様角度θをなすように反射されて
検出部６に至る。しかしながら、インゴット３のオリフ
ラ面にずれがあると、Ｘ線の回折角は検出部からずれ
る。そこで、結晶方位決定装置２を回転させることによ
って最大検出値までの回転角、すなわちずれを求める。
なお、この角度検出に用いられる角度検出装置として
は、バーニャ（副尺）付きの角度目盛り盤またはエンコ
ーダなど角度の読取りができるものであればよい。
測定は次のようにして行われる。まず図３に示したよう
にＸ線発生部５とＸ線検出部６とはインゴット面からそ
れぞれθだけ離間して固定されているとする。そしてイ
ンゴット面がオリフラ面であれば、Ｘ線はインゴット面
に対しても入射角と同様角度θをなすように反射されて
検出部６に至る。しかしながら、インゴット３のオリフ
ラ面にずれがあると、Ｘ線の回折角は検出部からずれ
る。そこで、結晶方位決定装置２を回転させることによ
って最大検出値までの回転角、すなわちずれを求める。
なお、この角度検出に用いられる角度検出装置として
は、バーニャ（副尺）付きの角度目盛り盤またはエンコ
ーダなど角度の読取りができるものであればよい。
【００２８】この後、結晶方位決定装置２のＸ線発生部
５をオフにし、結晶方位決定装置２を所定の位置まで後
退させた後、インゴット３をそのままの状態に保持し、
カッター４を回転させて図６(a) および(b) に示すよう
にウェハ２０のオリフラ面２１の加工を行う。
５をオフにし、結晶方位決定装置２を所定の位置まで後
退させた後、インゴット３をそのままの状態に保持し、
カッター４を回転させて図６(a) および(b) に示すよう
にウェハ２０のオリフラ面２１の加工を行う。
【００２９】このようにしてオリフラ面加工の完了した
インゴット３を円筒研削盤１より取り出し、スライシン
グマシン２５のヘッド２６に取り付ける。そしてインゴ
ット３をスライスするに先立ち、Ｘ線方位決定装置２を
回転させたときの最強回折角度をスライス時の補正値
（Ｘ方向補正２２，Ｙ方向補正２３）とし（図７参
照）、図５に示すようにスライシングマシン２５のヘッ
ド部２６をこの値の分を傾けて順次スライスし、ウェハ
２０を形成する。このようにして容易に、高精度に結晶
方位の決定されたウェハを得ることが可能となる。
インゴット３を円筒研削盤１より取り出し、スライシン
グマシン２５のヘッド２６に取り付ける。そしてインゴ
ット３をスライスするに先立ち、Ｘ線方位決定装置２を
回転させたときの最強回折角度をスライス時の補正値
（Ｘ方向補正２２，Ｙ方向補正２３）とし（図７参
照）、図５に示すようにスライシングマシン２５のヘッ
ド部２６をこの値の分を傾けて順次スライスし、ウェハ
２０を形成する。このようにして容易に、高精度に結晶
方位の決定されたウェハを得ることが可能となる。
【００３０】なお、インゴット３をスライスすることに
よって得られるウェハのカット面での面方位をさらに高
品質にするためには、インゴット３の円周上で初め測定
したオリフラ面から次に現れるオリフラ面、すなわち初
め測定したオリフラ面から９０度程度離れたオリフラ面
を測定した後、前記と同様にその位置で結晶方位決定装
置２を回転させ、その角度を読取りスライシングマシン
２５のヘッド部２６の補正値とする。
よって得られるウェハのカット面での面方位をさらに高
品質にするためには、インゴット３の円周上で初め測定
したオリフラ面から次に現れるオリフラ面、すなわち初
め測定したオリフラ面から９０度程度離れたオリフラ面
を測定した後、前記と同様にその位置で結晶方位決定装
置２を回転させ、その角度を読取りスライシングマシン
２５のヘッド部２６の補正値とする。
【００３１】また、補正値に関しては、初め測定したオ
リフラ面と１８０度反対側のオリフラ面位置でも結晶方
位決定装置２を回転させ補正値を読取りこの補正値と
し、また初め測定したオリフラ面から９０度に近いオリ
フラ面を測定したときも、同様にこの面の１８０度反対
側の面でも結晶方位決定装置２を回転させ、これらの平
均値を補正値としてこれをスライシングマシン２５に与
えるようにしてもよい。さらに、結晶方位決定装置２の
回転に際しては、インゴット３が立方晶であるような単
結晶では、結晶方位決定装置２の回転に代えて、インゴ
ット３を所定の角度だけ回転させるようにしてもよい。
リフラ面と１８０度反対側のオリフラ面位置でも結晶方
位決定装置２を回転させ補正値を読取りこの補正値と
し、また初め測定したオリフラ面から９０度に近いオリ
フラ面を測定したときも、同様にこの面の１８０度反対
側の面でも結晶方位決定装置２を回転させ、これらの平
均値を補正値としてこれをスライシングマシン２５に与
えるようにしてもよい。さらに、結晶方位決定装置２の
回転に際しては、インゴット３が立方晶であるような単
結晶では、結晶方位決定装置２の回転に代えて、インゴ
ット３を所定の角度だけ回転させるようにしてもよい。
【００３２】例えば、Ｓｉのオリフラ面が（１１０）面
でカット面が（１００）面であるときは４５度の回転が
必要であるが、シリコンインゴット自体を回転するよう
にしてもよい。このとき結晶方位決定装置２は微調回転
できる範囲の回転角で十分である。次に本発明の第２の
実施例について説明する。
でカット面が（１００）面であるときは４５度の回転が
必要であるが、シリコンインゴット自体を回転するよう
にしてもよい。このとき結晶方位決定装置２は微調回転
できる範囲の回転角で十分である。次に本発明の第２の
実施例について説明する。
【００３３】この例ではさらに高精度の面方位を得るた
め、図８および図９に示すように、インゴット３の円筒
研削終了後の結晶方位面決定完了後、結晶方位決定装置
２を回転部１２により９０度回転させてインゴット３に
対するＸ線の入射方向と検出方向を９０度変更させ、こ
ののち回転駆動軸１０に回転を与えて結晶方位決定装置
２を左右に回転させ、最も回折強度の強いところの角度
を読取りこの角度をスライシングマシン２５のヘッド部
２６の補正値とする。ここで結晶方位決定装置２を９０
度回転させることにより、入射Ｘ線はａ1 からｂ1 へ、
検出方向はａ2 からｂ2 へ回転する。
め、図８および図９に示すように、インゴット３の円筒
研削終了後の結晶方位面決定完了後、結晶方位決定装置
２を回転部１２により９０度回転させてインゴット３に
対するＸ線の入射方向と検出方向を９０度変更させ、こ
ののち回転駆動軸１０に回転を与えて結晶方位決定装置
２を左右に回転させ、最も回折強度の強いところの角度
を読取りこの角度をスライシングマシン２５のヘッド部
２６の補正値とする。ここで結晶方位決定装置２を９０
度回転させることにより、入射Ｘ線はａ1 からｂ1 へ、
検出方向はａ2 からｂ2 へ回転する。
【００３４】これにより前記実施例のＹ方向の補正に合
わせてＸ方向の補正も可能となり、インゴット３を円筒
研削盤１にチャッキングしたままの状態で切断面の方位
およびオリフラ面の方位を測定することが可能となる。
わせてＸ方向の補正も可能となり、インゴット３を円筒
研削盤１にチャッキングしたままの状態で切断面の方位
およびオリフラ面の方位を測定することが可能となる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ばインゴットのオリフラ面決定位置で、Ｘ線を照射しな
がら結晶方位決定装置を回転させるだけで、円筒研削後
のインゴットの軸中心に対して単結晶引上げ時の軸と結
晶軸との誤差を円筒研削板にインゴットを装着したまま
での状態で測定することができるだけでなく、オリフラ
面加工後インゴットをスライシングマシンに取り付ける
際にオリフラ面決定位置で測定した角度誤差をスライシ
ングマシンに与え補償するだけで、結晶方位が高精度に
優れたウェハを提供することができ、もって従来に比べ
て、正確な結晶方位の決定を簡単な装置構成で作業性よ
く行うことができる。
ばインゴットのオリフラ面決定位置で、Ｘ線を照射しな
がら結晶方位決定装置を回転させるだけで、円筒研削後
のインゴットの軸中心に対して単結晶引上げ時の軸と結
晶軸との誤差を円筒研削板にインゴットを装着したまま
での状態で測定することができるだけでなく、オリフラ
面加工後インゴットをスライシングマシンに取り付ける
際にオリフラ面決定位置で測定した角度誤差をスライシ
ングマシンに与え補償するだけで、結晶方位が高精度に
優れたウェハを提供することができ、もって従来に比べ
て、正確な結晶方位の決定を簡単な装置構成で作業性よ
く行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施例の円筒研削盤の平面図
【図２】同装置の側面図
【図３】同装置の回転機構部を示す図
【図４】同装置の回転機構部を示す図
【図５】当該第１の実施例のスライシングマシンを示す
図
図
【図６】インゴットより試断した試断面の面方向の誤差
を示す図
を示す図
【図７】インゴットより試断した試断面の面方向の誤差
を示す図
を示す図
【図８】本発明の第２の実施例の円筒研削盤の概要図
【図９】同装置の動作説明図
１ 円筒研削盤 ２ 結晶方位決定装置 ３ インゴット ４ カッター部 ５ Ｘ線発生部 ６ Ｘ線検出部 １１ 角度読取り部 ２０ ウェハ ２１ オリフラ面 ２５ スライシングマシン ２６ ヘッド
Claims (4)
- 【請求項１】 単結晶等のインゴットを円筒研削盤に設
置して円筒研削加工を行う研削加工工程と、 前記円筒研削盤に設置された前記インゴットをそのまま
の状態で回転しつつ、Ｘ線発生部とＸ線検出部とを備え
た結晶方位検出手段によって、前記インゴット外周面上
の測定点にＸ線を照射し測定点からの反射光の強度を検
出することによりインゴットの外周面上のＸ線回折強度
が最高となるオリフラ面を検出するオリフラ面検出工程
と、 前記インゴットの外周面に、前記測定点で直交する線の
延長線を軸として、前記結晶方位検出手段を回転させる
結晶方位検出手段回転工程とを含むことを特徴とする結
晶方位決定方法。 - 【請求項２】 前記オリフラ面検出工程後、カットすべ
き結晶面に対応してオリフラ面決定位置より所定の角度
分インゴットを回転させた後、結晶方位検出手段を回転
させ、オリフラ面加工を行うオリフラ面加工工程を含む
ようにしたことを特徴とする請求項１に記載の結晶方位
決定方法。 - 【請求項３】 前記オリフラ面検出工程後、カットすべ
き結晶面に対応してオリフラ面決定位置より所定の角度
分インゴットを回転させた後、結晶方位検出手段を回転
させ、再び前記インゴットをそのままの状態で回転しつ
つ、前記結晶方位検出手段によって、前記インゴット外
周面上の測定点にＸ線を照射し測定点からの反射光の強
度を検出し、インゴットの外周面上のＸ線回折強度が最
高となるオリフラ面までの回転角を読取り、この角度を
補正値として、スライシングマシンの設定位置を補正す
るようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載
の結晶方位決定方法。 - 【請求項４】 前記インゴットの外周面に前記測定点で
直交する線の延長線を軸として、前記結晶方位検出手段
を９０度回転させしてオリフラ面決定位置より所定の角
度分インゴットを回転させた後、結晶方位検出手段を９
０度回転させ、前記インゴットをそのままの状態で、前
記結晶方位検出手段を回転させ、前記インゴット外周面
上の測定点にＸ線を照射し測定点からの反射光の強度を
検出し、インゴットの外周面上のＸ線回折強度が最高と
なるオリフラ面までの回転角を読取る工程を含むことを
特徴とする請求項１，２または３に記載の結晶方位決定
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24016392A JP3205402B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 結晶方位決定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24016392A JP3205402B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 結晶方位決定方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689887A true JPH0689887A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3205402B2 JP3205402B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=17055436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24016392A Expired - Fee Related JP3205402B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 結晶方位決定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3205402B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5720271A (en) * | 1995-04-22 | 1998-02-24 | Hauser; Charles | Process for the orientation of single crystals for cutting in a cutting machine and device for practicing this process |
| CN110341060A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-18 | 河北远东通信系统工程有限公司 | 一种高精密双转角石英晶片的切割工艺 |
| TWI701102B (zh) * | 2019-08-30 | 2020-08-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 治具模組 |
| CN113702409A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-11-26 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种晶体定向方法 |
| CN113733376A (zh) * | 2021-09-03 | 2021-12-03 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种半导体晶圆集成加工装置及其方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6514983B1 (en) | 1997-09-03 | 2003-02-04 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Compounds, methods and pharmaceutical compositions for treating neural or cardiovascular tissue damage |
| US6635642B1 (en) | 1997-09-03 | 2003-10-21 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | PARP inhibitors, pharmaceutical compositions comprising same, and methods of using same |
| US6346536B1 (en) | 1997-09-03 | 2002-02-12 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Poly(ADP-ribose) polymerase inhibitors and method for treating neural or cardiovascular tissue damage using the same |
| US6291425B1 (en) | 1999-09-01 | 2001-09-18 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Compounds, methods and pharmaceutical compositions for treating cellular damage, such as neural or cardiovascular tissue damage |
| US6426415B1 (en) | 1997-09-03 | 2002-07-30 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Alkoxy-substituted compounds, methods and compositions for inhibiting parp activity |
| US6395749B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-05-28 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Carboxamide compounds, methods, and compositions for inhibiting PARP activity |
| US6387902B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-05-14 | Guilford Pharmaceuticals, Inc. | Phenazine compounds, methods and pharmaceutical compositions for inhibiting PARP |
| WO2001090077A1 (en) | 2000-05-19 | 2001-11-29 | Guilford Pharmaceuticals, Inc. | Sulfonamide and carbamide derivatives of 6(5h)phenanthridinones and their uses |
| WO2001091796A2 (en) | 2000-06-01 | 2001-12-06 | Guilford Pharmaceuticals Inc. | Methods, compounds and compositions for treating gout |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP24016392A patent/JP3205402B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5720271A (en) * | 1995-04-22 | 1998-02-24 | Hauser; Charles | Process for the orientation of single crystals for cutting in a cutting machine and device for practicing this process |
| CN110341060A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-18 | 河北远东通信系统工程有限公司 | 一种高精密双转角石英晶片的切割工艺 |
| TWI701102B (zh) * | 2019-08-30 | 2020-08-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 治具模組 |
| CN113702409A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-11-26 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种晶体定向方法 |
| CN113733376A (zh) * | 2021-09-03 | 2021-12-03 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种半导体晶圆集成加工装置及其方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3205402B2 (ja) | 2001-09-04 |
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