CN102490278B - 线切割晶体激光仪定向切割方法 - Google Patents

线切割晶体激光仪定向切割方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102490278B
CN102490278B CN201110389565.XA CN201110389565A CN102490278B CN 102490278 B CN102490278 B CN 102490278B CN 201110389565 A CN201110389565 A CN 201110389565A CN 102490278 B CN102490278 B CN 102490278B
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
cutting
axis
laser locator
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110389565.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102490278A (zh
Inventor
陈屹立
荆旭华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Emei Semiconductor Material Institute
Original Assignee
EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL INSTITUTE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL INSTITUTE filed Critical EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL INSTITUTE
Priority to CN201110389565.XA priority Critical patent/CN102490278B/zh
Publication of CN102490278A publication Critical patent/CN102490278A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102490278B publication Critical patent/CN102490278B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种线切割晶体激光仪定向切割方法，属于晶体加工领域，步骤依次包括：A）将激光定向仪Y轴方向调节为0°；B)旋转晶体，使晶体花瓣中心点坐落在X轴上；C)在晶体端面画一过中心的竖直线，以其为粘接轴Z；D)从激光仪上读取需调整的偏离度α，标记该偏离度α及其左右偏离方向；E)保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α，固定晶体并上机切割。本发明是一种利用现有激光定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。

Description

线切割晶体激光仪定向切割方法
技术领域
本发明属于晶体加工领域，尤其涉及定向切割方法。
背景技术
线切割定向与内圆切割定向不同，内圆切割定向可在垂直、水平两个方向进行两维调节，而线切割定向则只能在水平方进行调节，且不可切下头片之后复测，尤其是对晶向要求比较高的晶体，极易产生错误和偏差，而晶向偏离超出要求将导致整根晶体报废。为此，线切割机厂家为每台线切割机配备了专用的定向及调节设备（价格高达30万美元左右），在晶体上机时对晶体晶向偏离度进行测量及调整。由于此配套定向切割装置费用极高，能否用现有的独立定向设备来实现晶体在线切割机上的定向切割，而且可以达到多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备，就成了急待解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：针对现有技术存在的问题，提出一种利用现有激光定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。
本发明目的通过下述技术方案来实现：一种线切割晶体激光仪定向切割方法,步骤依次包括：
A）将激光定向仪Y轴方向调节为0°；
B) 将晶体端面经碱腐蚀处理的晶体旋转，使晶体端面光反射图像的花瓣中心点坐落在激光定向仪光屏的X轴上；
C) 在晶体端面画一过中心的垂线，以其为粘接轴Z；
D) 从激光定向仪上读取需调整的晶向偏离度α，标记该偏离度α及其左右偏离方向；
E) 设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α，固定晶体并按标准线方向上机切割。
作为优选方式，所述D步具体为：从激光定向仪上读取需调整的晶向偏离度α，在晶体端面中心处作一水平半径线，按照左右偏离方向将其画在粘接轴Z左侧或右侧，并写上偏离度α。
作为优选方式，所述E步具体为：首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上，晶体中轴线与切透层长边平行，然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度α，画一直线标记，再将粘接好的晶体其切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上，之后即可上机切割。
本发明的有益效果：利用现有激光定向仪即可实现多台线切割机及内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用，同时方法简单易操作，提高了工作效率。
附图说明
图1是实施例1的晶体与切透层粘接结构示意图；
图2是实施例1的金属托板结构示意图；
图3是实施例1的使用状态示意图；
图4是实施例2的使用状态示意图；
其中1为晶体、11为晶体端面、2为水平半径线、3为切透层、31为切透层长边、4为托板、41为托板长边、5为直线标记。
具体实施方式
下列非限制性实施例用于说明本发明：
实施例1一种线切割晶体激光仪定向切割方法,步骤依次包括：
A）将激光定向仪Y轴方向调节为0°；
B) 旋转晶体1（晶体端面经碱腐蚀处理），使晶体端面光反射图像的花瓣中心点坐落在激光定向仪光屏的X轴上；
C) 在晶体端面11画一过中心的垂线，以其为粘接轴Z；
D) 从激光定向仪上读取需调整的晶向偏离度α，得其偏离度α=3°，且偏离方向为向右；在晶体端面11中心处作一水平半径线2，按照左右偏离方向将其画在粘接轴Z右侧，并写上偏离度3°，如图1所示。
E) 如图1所示，首先将晶体1按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层3上，切透层3可以是树脂、陶瓷、石墨等制成，晶体1中轴线与切透层3长边31平行，然后在长方体金属托板4顶端以其长边41为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度3°，画一直线标记5，即以左长边向右偏离3°画直线，再将粘接好的晶体1其切透层3长边31沿此直线标记5粘接在金属托板4上，如图2所示，此时晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线右侧并偏离角度3°，固定晶体1并按长边41方向上机切割，如图3所示。
实施例2 如图4所示，一种线切割晶体激光仪定向切割方法,步骤依次包括：
A）将激光定向仪Y轴方向调节为0°；
B) 旋转晶体1（晶体端面经碱腐蚀处理），使晶体端面光反射图像的花瓣中心点坐落在激光定向仪光屏的X轴上；
C) 在晶体端面11画一过中心的垂线，以其为粘接轴Z；
D) 从激光定向仪上读取需调整的晶向偏离度α，得其偏离度α=3°，且偏离方向为向左；在晶体端面11中心处作一水平半径线2，按照左右偏离方向将其画在粘接轴Z左侧，并写上偏离度3°。
E)首先将晶体1按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层3上，切透层3可以是树脂、陶瓷、石墨等制成，晶体1中轴线与切透层3长边31平行，然后在长方体金属托板4顶端以其长边41为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度3°，画一直线标记5，即以右长边向左偏离3°画直线，再将粘接好的晶体1其切透层3长边31沿此直线标记5粘接在金属托板4上，此时晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左侧并偏离角度3°，固定晶体1并按长边41方向上机切割。

Claims (3)

1.一种线切割晶体激光定向仪定向切割方法,其特征在于步骤依次包括：
A）将激光定向仪Y轴方向调节为0°；
B) 将晶体端面经碱腐蚀处理的晶体旋转，使晶体端面光反射图像的花瓣中心点坐落在激光定向仪光屏的X轴上；
C) 在晶体端面画一过中心的垂线，以其为粘接轴Z；
D) 从激光定向仪上读取需调整的晶向偏离度α，标记该偏离度α及其左右偏离方向；
E) 设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α，固定晶体并按标准线方向上机切割。
2.如权利要求1所述的线切割晶体激光定向仪定向切割方法,其特征在于：所述D步具体为：从激光定向仪上读取需调整的晶向偏离度α，在晶体端面中心处作一水平半径线，按照左右偏离方向将其画在粘接轴Z左侧或右侧，并写上偏离度α。
3.如权利要求1或2所述的线切割晶体激光定向仪定向切割方法,其特征在于：所述E步具体为：首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上，晶体中轴线与切透层长边平行，然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度α，画一直线标记，再将切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上，之后即可上机切割。
CN201110389565.XA 2011-11-30 2011-11-30 线切割晶体激光仪定向切割方法 Active CN102490278B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110389565.XA CN102490278B (zh) 2011-11-30 2011-11-30 线切割晶体激光仪定向切割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110389565.XA CN102490278B (zh) 2011-11-30 2011-11-30 线切割晶体激光仪定向切割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102490278A CN102490278A (zh) 2012-06-13
CN102490278B true CN102490278B (zh) 2014-07-16

Family

ID=46182160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110389565.XA Active CN102490278B (zh) 2011-11-30 2011-11-30 线切割晶体激光仪定向切割方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102490278B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103101121B (zh) * 2013-01-06 2014-12-10 河北同光晶体有限公司 一种碳化硅单晶切割线定位的方法
CN104908167A (zh) * 2015-05-28 2015-09-16 洛阳鸿泰半导体有限公司 一种硅棒晶向调节装置
CN105127883B (zh) * 2015-06-26 2017-10-03 中国科学技术大学 用于制备表面为特定晶面的单晶空间取向调控方法和装置
CN112026030A (zh) * 2020-08-05 2020-12-04 山西烁科晶体有限公司 一种晶体单线调向切割方法
CN114030095B (zh) * 2021-06-01 2024-04-19 中国电子科技集团公司第十一研究所 激光辅助定向粘接装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5839424A (en) * 1996-04-16 1998-11-24 Hct Shaping System Sa Process for the orientation of several single crystals disposed side by side on a cutting support for their simultaneous cutting in a cutting machine and device for practicing this process
US6055293A (en) * 1998-06-30 2000-04-25 Seh America, Inc. Method for identifying desired features in a crystal
CN1439495A (zh) * 2003-04-02 2003-09-03 南开大学 准确定向切割晶体的方法
CN1441459A (zh) * 2002-02-25 2003-09-10 中国科学院福建物质结构研究所 一种晶体的激光定向方法
CN1529647A (zh) * 2001-06-13 2004-09-15 用于确定晶面相对于晶体表面定向的设备和方法以及用于在切割机内切割单晶体的设备和方法
JP4188983B2 (ja) * 2006-06-19 2008-12-03 東芝Ｉｔコントロールシステム株式会社 結晶方位決定装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004306536A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Sumitomo Electric Ind Ltd ワイヤソー切断方法とそのための設備

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5839424A (en) * 1996-04-16 1998-11-24 Hct Shaping System Sa Process for the orientation of several single crystals disposed side by side on a cutting support for their simultaneous cutting in a cutting machine and device for practicing this process
US6055293A (en) * 1998-06-30 2000-04-25 Seh America, Inc. Method for identifying desired features in a crystal
CN1529647A (zh) * 2001-06-13 2004-09-15 用于确定晶面相对于晶体表面定向的设备和方法以及用于在切割机内切割单晶体的设备和方法
CN1441459A (zh) * 2002-02-25 2003-09-10 中国科学院福建物质结构研究所 一种晶体的激光定向方法
CN1439495A (zh) * 2003-04-02 2003-09-03 南开大学 准确定向切割晶体的方法
JP4188983B2 (ja) * 2006-06-19 2008-12-03 東芝Ｉｔコントロールシステム株式会社 結晶方位決定装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
红宝石晶体的激光定向;蓝国祥;《硅酸盐学报》;19860930;第十四卷(第三期);全文 *
蓝国祥.红宝石晶体的激光定向.《硅酸盐学报》.1986,第十四卷(第三期),

Also Published As

Publication number Publication date
CN102490278A (zh) 2012-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102490278B (zh) 线切割晶体激光仪定向切割方法
CN205438085U (zh) 板材的周缘加工装置
CN102490279B (zh) 线切割晶体x射线衍射定向切割方法
CN103148865B (zh) 一种摄像机模型标定方法及标定装置
CN102490277B (zh) 线切割晶体作图定向切割法
CN105345599A (zh) 一种车削刀具后刀面磨损的在位检测设备
CN103234991B (zh) 一种晶体材料晶向的测量方法
KR102186214B1 (ko) 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법
CN103791836A (zh) 基于激光扫描共聚焦技术的数控刀具刃口测量方法
CN107727006A (zh) 一种轴承对中装置
CN207043571U (zh) 激光划线设备
CN203605907U (zh) 一种零件检测系统
CN101852604A (zh) 轴承套圈测量工装
JP2010023233A (ja) 単結晶材料の面方位合わせ装置および面方位合わせ方法
CN103438803B (zh) 计算机视觉技术跨视场精确测量矩形零件尺寸的方法
CN104269365A (zh) 晶圆移除量的测量装置以及测量方法
JP2007017276A (ja) 刃先の検査方法および検査装置
CN101504266A (zh) 硅片检测工具及检测方法
CN110823103A (zh) 一种激光线长测量仪的校准控制方法、装置及系统
CN203811150U (zh) 一种细圆柱工件表面粗糙度的快速检测装置
CN103398678B (zh) 用于航摄飞机内部测量gps偏心分量的装置及测量方法
CN102129183A (zh) 调焦调平测量装置
CN206740071U (zh) 飞秒激光加工视觉系统的图像标定模板
CN207095485U (zh) 一种轧机辊系平行度测量装置
CN2935081Y (zh) 双镜头三角定位深度测量仪

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ERMEI INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Free format text: FORMER OWNER: DONGFANG ELECTRIC EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL CO., LTD.

Effective date: 20131115

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20131115

Address after: 614200 No. 88 Fu Bei Road, Mount Emei, Sichuan, Leshan

Applicant after: Emei Semiconductor Material Institute

Address before: 614200 No. 88 Fu Bei Road, Mount Emei, Sichuan, Leshan

Applicant before: Dongfang Electric EMEI Semiconductor Material Co.,Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant