DE69721115T2 - Verfahren zum Orientieren von mehreren Einkristallbarren auf einem Träger für das gleichzeitige Aufschneiden der Barren in einer Schneidmaschine - Google Patents

Verfahren zum Orientieren von mehreren Einkristallbarren auf einem Träger für das gleichzeitige Aufschneiden der Barren in einer Schneidmaschine

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DE69721115T2
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    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0088Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being angularly adjustable

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren für die Ausrichtung von Einkristallen im Hinblick darauf, sie in einer Schneidmaschine entlang einer vorbestimmten Schnittebene zu zerschneiden, sowie eine Vorrichtung für die Umsetzung des Verfahrens. Die allgemein für optische oder Halbleiteranwendungen dienenden Einkristalle müssen nach bezüglich der Achsen des Kristallgitters sehr genauen Ausrichtungen geschnitten werden. Des Weiteren ermöglicht ihre Herstellung keine vollkommene Kontrolle der Ausrichtung der Achsen des Kristallgitters bezüglich der geometrischen Achsen. Für ein korrektes Schneiden muss man daher die Herstellungsfehler korrigieren und die zwischen der Schnittebene und der gewählten oder durch nachfolgenden Einsatz oder nachfolgende Verfahren verlangten Kristallebene gebildeten Winkel berücksichtigen. Da das Schneiden an geometrischen Einkristallen erfolgt, müssen diese so positioniert und und im Raum gehalten werden, dass die Bewegung des Schneidsystems parallel zur gewünschten Schnittebene jedes der Einkristalle verläuft. Es existiert eine unendlich grosse Zahl von möglichen Positionen, aber es existieren nur vier je Einkristall, in denen dieser auch noch in eine Ebene senkrecht zur Schnittebene der Maschine gebracht wird. Die Positionierung jedes der Einkristalle gemäss einer dieser vier Positionen ermöglicht daher nicht nur einen Schnitt in der gewünschten Ausrichtung, sondern gleichzeitig auch eine Minimierung der Schneidzeit und eine optimale Beladung der Schneidmaschine, daher eine Verbesserung der Produktivität der Schneidvorrichtung.
  • Vorrichtungen zur Ausrichtung von Einkristallen sind in der Halbleiterindustrie schon bekannt und werden auf Innentrennschleifscheiben und Drahtsägen eingesetzt. Die Positionierung erfolgt mit Hilfe eines direkt auf die Maschine montierten, nach y''', z''' ausrichtbaren Tisches. Die Justierung erfolgt nach optischen oder Röntgenmessungen. Die Korrektur wird dann gemäss y''', z''' angebracht. Diese Vorgehensweise hat den Nachteil, einerseits eine Stellung des Einkristalls zu haben, die bezüglich der Vorschubrichtung des Schneidelements geneigt ist, was im Falle einer Drahtsäge, bei der die Drahtschicht parallel zum geometrischen Einkristall sein muss, sehr ungünstig ist, und andererseits nicht die Schnittlänge auf ein Minimum zu reduzieren, was dann bei Innentrennsägen ungünstig ist, indem es ihre Produktivität verringert. Ausserdem verlangt diese Vorgehensweise, dass der Maschinentisch vor jedem Schnitt sehr präzise eingestellt wird, und dies in einer oft schmutzigen, daher für diese Art von Arbeitsgang wenig günstigen industriellen Umgebung. Die für die Einstellung der Maschine erforderliche Zeit trägt ebenfalls zur niedrigeren Produktivität bei. Auch erlaubt diese Vorgehensweise nicht das gleichzeitige Schneiden von mehreren Einkristallen mit voneinander verschiedenen Orientierungen.
  • Die Schneidmaschine hat eine feste Tischlänge, während die Einkristalle selbst wegen der Herstellungs- oder Qualitätszwänge verschiedene Längen aufweisen können. In einer Drahtsäge ist die Schneidzeit von der zu schneidenden Länge unabhängig, daher ist es erforderlich, eine maximale Füllung der Säge zu haben, wenn man eine maximale Produktivität erzielen will.
  • Aus dem Dokument WO 89/10825 ist eine Vorrichtung zum Zersägen von Werkstücken in feine Scheiben durch ein Feld von parallelen Drähten bekannt, die mit einer Aufschlämmung beschichtet sind, wobei die Vorrichtung ein oder mehrere Ausgleichstücke aufweist, die so in der Nähe des zu sägenden Objekts angebracht sind, dass sie durch ihre Gegenwart einen Ausgleich des Druckes und der Menge der Aufschlämmung nahe dem Eintrittspunkt des Drahtes in das zu sägende Stück bewirken. Nach einer besonderen Ausführungsform dieser Vorrichtung werden zwei zu sägende Stücke auf einem gemeinsamen Träger angeordnet und gleichzeitig gesägt. Bei dieser Vorrichtung werden diese zu sägenden Werkstücke nicht ausserhalb der Maschine ausgerichtet oder auf ihrem Träger befestigt.
  • Das Dokument DE 27 52 925 A1 beschreibt eine Vorrichtung zur Ausrichtung eines Einkristalls, die einen Rahmen umfasst, auf den ein Winkelmesskopf montiert ist, der Drehbewegungen um drei zueinander senkrechte Achsen des auf diesem Winkelmesskopf befestigten Einkristalls sowie die Annäherung des Einkristalls an einen Schneidträger zulassen, auf dem dieser Einkristall befestigt werden soll. Die in diesem Dokument beschriebene Vorrichtung erlaubt die Ausrichtung eines Einkristalls ausserhalb der Schneidmaschine, das Dokument offenbart aber nicht, auf welche Weise die Ausrichtung erfolgen muss, um eine geneigte Lage des Einkristalls bezüglich der Vorschubrichtung der Schneidelemente der Maschine zu vermeiden. Ausserdem ist diese Vorrichtung so ausgelegt, dass nur ein einzelner ausgerichteter Einkristall auf dem Schneidträger befestigt wird.
  • Die Patentanmeldung EP 0 738 572 A1 gehört dem Inhaber des vorliegenden Patents und ist an einem Datum eingereicht worden, das vor dem Prioritätsdatum des vorliegenden Patents liegt, aber sie ist nach diesem Prioritätsdatum veröffentlicht worden.
  • Sie stellt daher ein Dokument dar, wie es in Artikel 54(3) EPUe definiert ist. Dieses Dokument offenbart ein Verfahren zur Positionierung eines Einkristalls im Hinblick auf ein Schneiden in wohldefinierten Richtungen, das ohne eine Regelung auf der Maschine auskommt und die Schneiddauer auf ein Minimum reduziert, indem eine Positionierung ausserhalb der Maschine nach Drehwinkeln erfolgt, die mathematisch aus gemessenen und/oder spezifizierten Daten erhalten werden und die den geometrischen Einkristall in einer Ebene senkrecht zur Schneidrichtung positionieren, dabei aber die Schneidebene des Einkristalls parallel zur Schneidrichtung der Maschine bringen. Die Vorrichtung zur Realisierung des dort beschriebenen Verfahrens umfasst ein Gestell, zwei Zylinder, die drehbar auf dem Gestell montiert sind und den Einkristall tragen, sowie eine Drehscheibe, die dafür bestimmt ist, den Schneidträger zu halten, der zugleich zur Positioniervorrichtung und zur Schneidmaschine gehört. Durch eine Hebemechanik werden der Träger und der Einkristall miteinander in Berührung gebracht und miteinander fest verbunden, nachdem zuvor durch Drehung um zwei Achsen ihre vorherbestimmte, gegenseitige Ausrichtung erreicht wurde. Das Verfahren und die Vorrichtung erlauben es, eine genaue Positionierung des Einkristalls unter günstigen Bedingungen ausserhalb der Maschine zu erreichen, aber je Träger kann nur ein einziger Einkristall ausgerichtet und befestigt werden.
  • Die vorliegende Erfindung hat das Ziel, die vorgenannten Nachteile abzustellen und eine genaue Einstellung der Lage von mehreren Einkristallen zu ermöglichen, die in einer sauberen Umgebung auf einen gemeinsamen Schneidträger montiert werden, somit die Schneidproduktivität zu erhöhen.
  • Das erfindungsgemässe Verfahren ist daher durch die Merkmale gekennzeichnet, die in Anspruch 1 genannt werden, nämlich dadurch, dass mehrere Einkristalle für ein gleichzeitiges Schneiden vorbereitet werden, dass nacheinander jeder der Einkristalle ausserhalb der Schneidmaschine mittels einer Positioniervorrichtung in einer vorbestimmten Ausrichtung bezüglich eines Schneidträgers, die für jeden Einkristall unterschiedlich ist, ausgerichtet wird, dass nacheinander jeder der Einkristalle in Übereinstimmung mit der benannten, vorbestimmten Ausrichtung, die für jeden Einkristall unterschiedlich ist, auf dem Schneidträger befestigt wird, dessen räumliche Anordnung in der Schneidmaschine bezüglich der Schneidebene der Maschine geometrisch definiert ist, dass der Schneidträger nach Befestigung dieser Einkristalle gemäss der benannten, geometrisch definierten räumlichen Anordnung in der Schneidmaschine angeordnet wird, um die benannte, vorbestimmte Ausrichtung jedes Einkristalls in der Schneidmaschine zu erhalten, und dass alle auf den Schneidträger montierten Einkristalle gleichzeitig geschnitten werden.
  • Durch diese Merkmale ist es möglich, eine Positionierung und genaue Ausrichtung jedes der Einkristalle, die die Schneidladung darstellen, in einer günstigen Messumgebung zu erreichen, ohne dass es erforderlich wäre, eine Einstellung der Lage auf der Schneidmaschine vorzunehmen. Die Totzeiten dieser Maschine können daher beträchtlich verringert werden, und da die Menge der pro Schneidladung erzeugten Scheiben maximal ist, erhöht sich die Produktivität der Schneidmaschine ebenso stark.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die benannte, vorbestimmte Ausrichtung erhalten wird, indem jeder Einkristall so auf der Positioniervorrichtung angebracht wird, dass eine seiner geometrischen Achsen aus der geometrischen Gestalt jedes Einkristalls in einer Bezugsebene enthalten ist, die der zur Schneidebene senkrechten Arbeitsebene der Schneidmaschine entspricht, indem eine Drehung jedes Einkristalls um einen ersten vorbestimmten, für jeden Einkristall eigenen Winkel um die benannte geometrische Achse ausgeführt wird, um die Normale zur Schnittebene des Einkristalls in die benannte Bezugsebene zu bringen, und indem eine relative Drehung zwischen dem Schneidträger und jedem Einkristall um einen zweiten vorbestimmten, für jeden Einkristall eigenen Winkel um eine zu der benannten Bezugsebene senkrechten Achse ausgeführt wird, damit die Normale zur Schnittebene einer Bezugsrichtung folgend ausgerichtet wird, die der Normalen zur Schneidebene der Maschine entspricht, wobei die benannte geometrische Achse und die Normale zur Schnittebene jedes Einkristalls in der benannten Bezugsebene enthalten sind.
  • Man hilft somit auf genaue und bequeme Art und Weise dem Nachteil ab, eine gegenüber der Vorschubrichtung der Schneidelemente der Maschine geneigte Lage der Einkristalle zu haben, was bei Drahtsägen besonders ungünstig ist. Die geometrische Hauptachse jedes Einkristalls kann daher vollkommen parallel zur Arbeitsebene und zur Drahtschicht ausgerichtet werden, somit erhält man einen optimalen Schnitt, verringert dabei aber die Schnittlänge auf ein Minimum und erhöht die Schneidladung auf ein Maximum.
  • Günstigerweise ist das durch die vorliegende Erfindung eingesetzte Verfahren dadurch gekennzeichnet, dass die Ausrichtung der Schnittebene jedes Einkristalls bezüglich des Kristallgitters definiert wird, dass die Ausrichtung des Kristallgitters bezüglich der geometrischen Gestalt jedes Einkristalls gemessen wird und dass der erste und zweite Drehwinkel berechnet wird, indem die Ausrichtung der Schnittebene bezüglich des Kristallgitters und bezüglich der geometrischen Gestalt jedes Einkristalls berücksichtigt wird.
  • Durch diese Merkmale erhält man eine hohe Präzision der Positionierung und eine beträchtliche Geschwindigkeit der Montage.
  • Das erfindungsgemässe Verfahren wird besonders vorteilhaft bei Einkristallen angewendet, deren geometrische Gestalt im Wesentlichen kreiszylindrisch ist, wobei die benannte geometrische Achse der Hauptachse des Einkristalls entspricht.
  • Die Erfindung bezieht sich ebenfalls auf eine Vorrichtung zur Umsetzung des Verfahrens, die gemäss Anspruch 7 eine Positioniervorrichtung umfasst, die dafür bestimmt ist, einen Einkristall ausserhalb der Schneidmaschine in Übereinstimmung mit einer vorbestimmten Ausrichtung bezüglich eines Schneidträgers auszurichten, auf dem der Einkristall befestigt werden soll und dessen räumliche Anordnung in der Schneidmaschine geometrisch definiert ist, und dessen Hauptachsen zu den Achsen der Schneidmaschine parallel sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung dafür ausgelegt ist, um zumindest zwei Einkristalle ausserhalb der Schneidmaschine in einer vorbestimmten, für jeden Einkristall unterschiedlichen Ausrichtung auf einem Schneidträger zu befestigen und um ein gleichzeitiges Schneiden der Einkristalle auszuführen, wobei die Positioniervorrichtung erste Mittel umfasst, um jeden der Einkristalle in einer solchen Ausrichtung zu halten, dass eine der geometrischen Achsen der geometrischen Gestalt jedes Einkristalls in einer der Arbeitsebene der Schneidmaschine entsprechenden Bezugsebene enthalten ist, und um eine Drehung des Einkristalls um einen ersten vorbestimmten Winkel um die benannte geometrische Achse zu bewirken, damit die Normale zur Schnittebene des Einkristalls in die benannte Bezugsebene gebracht wird, zweite Mittel, um eine relative Drehung zwischen dem Schneidträger und jedem Einkristall um einen zweiten vorbestimmten Winkel um eine zu der benannten Bezugsebene senkrechten Achse zu bewirken, damit die Normale zur Schnittebene in einer Bezugsrichtung ausgerichtet wird, die der Normalen zur Schneidebene der Maschine entspricht, wobei dritte Mittel eine Relativbewegung entlang der geometrischen Achse der Einkristalle gestatten, um die kompakteste Gruppierung der verschiedenen Einkristalle auf dem Schneidträger zu ermöglichen, sowie vierte Mittel, um eine relative Translationsbewegung zwischen jedem Einkristall und dem Schneidträger zu bewirken, die dazu bestimmt sind, den Schneidträger und den Einkristall im Hinblick darauf einander zu nähern, dass letzterer in der benannten vorbestimmten, für jeden Einkristall unterschiedlichen Ausrichtung auf dem Schneidträger befestigt wird, und dadurch, dass die ersten Mittel einen Greifmechanismus, der um eine Drehachse drehbar auf einen oberen Abschnitt eines Gestells der Positioniervorrichtung montiert und so ausgelegt ist, den Einkristall zu halten, sowie ein erstes Winkelmessorgan umfassen, mit dem der erste vorbestimmte Drehwinkel bestimmt werden kann, wobei die zweiten Mittel eine bezüglich des benannten Gestells drehbar montierte Drehscheibe umfassen, deren Hauptebene parallel zu der benannten Bezugsebene und zur Drehachse des Greifmechanismus ist, wobei diese Drehscheibe so ausgelegt ist, dass sie den Schneidträger in einer geometrisch definierten Lage hält, und ein zweites Winkelmessorgan vorgesehen ist, um, den benannten zweiten, vorbestimmten Drehwinkel zu bestimmen, wobei die dritten Mittel einen Mechanismus der Parallelverschiebung bezüglich der benannten Drehachse umfassen, der es gestattet, den Einkristall in der kompaktesten Weise mit den anderen, vor oder nach ihm auf den Schneidträger montierten Einkristallen zu positionieren, und die vierten Mittel einen Mechanismus der Verschiebung in einer zu der benannten Bezugsebene senkrechten Richtung umfassen, der die gegenseitige Annäherung des Schneidträgers und des Einkristalls ermöglicht, wobei der Schneidträger so gestaltet ist, dass seine Positionierung in der Schneidmaschine gemäss einer geometrischen Lage erfolgt, die der auf der benannten Drehscheibe definierten geometrischen Lage entspricht, so dass die Bezugsebene und die Bezugsrichtung der Arbeitsebene und der Normalen zur Schneidebene der Maschine entsprechen.
  • Durch diese Merkmale erhält man eine rasche, genaue und den Schneidmaschinen angepasste Positionierung, die ein exaktes Zerschneiden jedes Einkristalls in einer minimalen Zeit ermöglicht, und zwar unabhängig von der Zahl der Einkristalle, die die Schneidladung darstellen. Weiter wird die Schneidgenauigkeit von der eingesetzten Schneidmaschine oder bei der Bandfertigung vom Bedienungspersonal unabhängig,
  • Die Positionierung mehrerer Einkristalle auf dem gleichen Schneidträger ist besonders einfach, schnell und preisgünstig, gewährleistet aber zugleich eine hohe Schneidpräzision der Gruppe von Einkristallen.
  • Weitere Vorteile gehen aus den in den abhängigen Ansprüchen ausgedrückten Merkmalen und der Beschreibung hervor, die hiernach die Erfindung eingehender mit Hilfe von Zeichnungen darlegt, die schematisch und beispielhaft eine Ausführungsform vorstellen.
  • Fig. 1 veranschaulicht perspektivisch ein Beispiel eines Einkristalls mit seinen geometrischen und kristallographischen Achsen und die gewählte Schneidebene.
  • Fig. 2A und 2B veranschaulichen in zwei orthogonalen Ansichten die nach einem bekannten und derzeit eingesetzten Verfahren erhaltene Lage des Einkristalls, die das gleichzeitige Schneiden von mehreren Einkristallen nicht zulässt.
  • Fig. 3A und 3B stellen in zwei orthogonalen Ansichten die Lagen von zwei Einkristallen dar, die in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung erhalten wurden.
  • Fig. 4 stellt ein Vektorschema der verschiedenen eingesetzten Bezugssysteme dar.
  • Fig. 5A, 5B und 5C veranschaulichen die von jedem der Einkristalle eingenommenen Lage in der Abfolge des der vorliegenden Erfindung eingesetzten Ausrichtungsverfahrens.
  • Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform der Vorrichtung für die Umsetzung des Verfahrens.
  • Fig. 7A und 7B veranschaulichen in zwei Ansichten die Positionierung von drei auf einem Schneidträger ausgerichteten Einkristallen.
  • Allgemein eröffnet die Erfindung die Möglichkeit, auf der Schneidmaschine Einkristalle anzuordnen, die im Voraus ausgerichtet und auf den gleichen Schneidträger montiert wurden und deren Schnittebene parallel zur Schneidebene der Maschine ausgerichtet ist, um so die Schnittlänge auf ein Minimum zu reduzieren und gleichzeitig die Füllung des Schneidträgers auf ein Maximum zu erhöhen. Diese Festlegung der Ausrichtung erfolgt mathematisch für jeden Einkristall, und zwar ausgehend von Messungen, die ausgeführt werden, um die Abweichung jedes geometrischen Einkristalls vom Kristallgitter zu bestimmen, wobei die Anforderungen des nachfolgenden Prozesses bezüglich der Kristallachsen einbezogen werden. Die Montage der Einkristalle auf einen Schneidträger kann dann mit Hilfe einer Positioniervorrichtung erfolgen, die eine genaue Messung der Drehwinkel der geometrischen Einkristalle zulässt und es gestattet, sie so, wie sie sind, auf einen gemeinsamen Schneidträger zu montieren, der ein Teil mit Markierungen für die Ausrichtung ist, das zur Schneidmaschine gehört. Die Einkristalle können auf dem Schneidträger angeflanscht oder vorzugsweise aufgeklebt werden, wobei dieser Träger nach seiner Überführung in die Schneidmaschine die Einkristalle in vollkommener, schon vorhandener Ausrichtung darbietet, bereit, ohne nochmalige Justierung gesägt zu werden. Darüber hinaus ist die Schnittgenauigkeit unabhängig von der eingesetzten Maschine oder, im Falle einer Bandfertigung, vom Bedienungspersonal.
  • Die Positioniervorrichtung stellt sich als ein Tisch oder Gestell mit einer Drehscheibe dar, deren Drehachse z''' senkrecht ist und auf die der Schneidträger gelegt wird, auf dem die Einkristalle letztlich fixiert werden sollen. Dieser Träger hat ein Markierungssystem, das mit dem der Schneidmaschine identisch ist. Der Einkristallträger ist ein Schnittstellenteil zwischen der Positioniervorrichtung und der Schneidmaschine. Er hat daher die gleiche Lage auf der Positioniervorrichtung und auf der Schneidmaschine. Über der Drehscheibe, aber ortsfest bezüglich des Tisches findet man einen Mechanismus, der den Einkristall hält und ihn um seine waagerechte x-Achse dreht, wobei weiter eine Möglichkeit zur Verschiebung entlang dieser gleichen x-Achse besteht. Im Falle von zylindrischen Einkristallen besteht dieses System aus einem Greifmechanismus, der es gestattet, den Einkristall an seinem Ende zu fassen. Der Einkristall kann sich dann parallel zu seiner Längenausdehnung um seine x-Achse drehen. Die Bewegung der Scheibe und die Drehung des Einkristalls ermöglichen es, ihn in jeder beliebigen Ausrichtung zu positionieren. Die Werte der beiden Drehwinkel werden durch die Anforderungen des fertigen Erzeugnisses bestimmt und mathematisch berechnet. Der Mechanismus für eine Verschiebung in der x-Richtung erlaubt es, den Einkristall an jeder beliebigen Stelle auf dem Schneidträger anzuordnen, um eine maximale Füllung zu gewährleisten. Nachdem die beiden Drehungen und die Translation in der x-Richtung ausgeführt worden sind, bringt ein Mechanismus den Träger und den Einkristall selbst zusammen, wobei aber ihre relative Lage erhalten bleibt. Das kann entweder durch Anheben der Drehscheibe oder durch Absenken des Einkristalls erfolgen. Nachdem der Kontakt hergestellt ist, wird der Einkristall an der richtigen Stelle angeflanscht oder angeklebt. Der Schritt wird mit anderen Einkristallen wiederholt, bis der Schneidträger ganz gefüllt ist. Der Schneidträger kann dann in die Schneidmaschine überführt werden. Die Einkristalle sind somit ausgerichtet und bereit, gleichzeitig zerschnitten zu werden. Die Drehwinkel um x und z''' werden durch integrierte elektronische Vorrichtungen wie Kodierer oder durch mechanische Vorrichtungen wie Nonien zum Beispiel gemessen.
  • Fig. 1 stellt ein Beispiel eines zu zerschneidenden Einkristalls 2 dar, der eine zylindrische geometrische Gestalt mit den geometrischen Achsen x, y, z hat, wobei die x- Achse die Hauptachse ist. Die Achsen x', y', z' des Kristallgitters dieses Einkristalls sind zu den geometrischen Achsen nicht parallel. Die Winkel a und f zwischen den Achsen y' und y bzw. z' und z werden durch optische oder Röntgenmessungen bestimmt und definieren allgemein den Fabrikationsfehler des Einkristalls. Fig. 1 zeigt weiter die gewählte oder geforderte Schnittebene 12 des Einkristalls mit ihren Achsen y" und z", die um Winkelwerte p und t bezüglich der Achsen y' und z' des Kristallgitters geneigt sind, sowie die Normale x" zur Schnittebene. Die Winkelwerte p und t werden allgemein in Abhängigkeit von den Erfordernissen der weiteren Verwendung des abgeschnittenen Einkristalls definiert. Es versteht sich, dass diese Winkel p und t auch zum Beispiel null sein könnten, nämlich wenn Siliciumwafer gewonnen werden sollen, die parallel zur (100)- Ebene geschnitten sind.
  • Fig. 2A und 2B zeigen in einer seitlichen Ansicht und in Draufsicht die Lage des Einkristalls 2, die durch das bekannte und vor der vorliegenden Erfindung üblicherweise eingesetzte Verfahren erreicht wird, indem eine Ausrichtung des Einkristalls durch Drehung um die geometrischen Achsen y und z ausgeführt wird. Der Einkristall 2 ist dann nicht parallel zur Ebene des Drahtfeldes 4, wenn eine Drahtsäge als Schneidorgan eingesetzt wird. Die Maschinenebene x''', y''' der Schneidmaschine ist nicht parallel zur geometrischen x-Achse des Einkristalls 1. Die Vorschubrichtung des Drahtfeldes 4 entlang z''' ist nicht senkrecht zum Einkristall, was für die Schnittqualität nachteilig ist, ausserdem verhindert dies die Montage mehrerer Einkristalle mit verschiedenen Ausrichtungen.
  • Fig. 3A und 3B veranschaulichen die Ausrichtung von Einkristallen, wie sie durch das Verfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung erreicht wird, indem eine Ausrichtung der Einkristalle durch Drehung um die Achsen x&sub1;, x&sub2; und z''' erfolgt. Das Drahfeld 4 der als Schneidmaschine eingesetzten Drahtsäge befindet sich in der Ebene x''', y''', während die geometrische Achse x&sub1;, x&sub2; der Einkristalle parallel zu dieser Ebene x''', y''' ist. Jeder Einkristall befindet sich daher in einer optimalen Lage bezüglich der Schneidorgane, so dass ein sehr präzises Schneiden erreicht wird.
  • Das Vektorschema der verschiedenen, für die Positionierung eingesetzten Bezugssysteme ist in Fig. 4 dargestellt und umfasst das Bezugssystem x, y, z, das an die geometrische Gestalt des Einkristalls gebunden ist, das Bezugssystem x', y', z', das an das Kristallgitter des Einkristalls gebunden ist, das Bezugssystem x", y", z", das der Schnittebene des Einkristalls entspricht, sowie das Bezugssystem x''', y''', z''', das für die Positioniervorrichtung und die Schneidmaschine verwendet wird.
  • Die Schnittebene entspricht der Ebene y", z", ihre Normale entspricht der Richtung von x". Der Fluchtungsfehler der geometrischen Gestalt des Einkristalls 2 gegenüber dem Kristallgitter wird durch die Winkel a und f bestimmt, die den Winkeln y'y und z'z entsprechen. Die den Winkeln y"y und z"z entsprechenden Winkel p und t bestimmen die Ausrichtung der gewählten Schnittebenen gegenüber dem Bezugssystem des Kristallgitters. Die Normale x" zur Schnittebene y", z" definiert einen Vektor X" (x, y, z), der einen Winkel g mit der geometrischen x-Achse bildet, während die Projektion des Vektors X"(x, y, z) auf die Ebene y, z einen Winkel d mit y bildet.
  • Der Winkel d entspricht daher dem Drehwinkel um die geometrische x-Achse, der erforderlich ist, um die Normale x" zur Schnittebene y", z" in eine Bezugsebene zu bringen, die der Arbeitsebene x''', y''' der Maschine entspricht.
  • Der Winkel g entspricht dem Drehwinkel um die senkrechte Achse z''', bei dem die Normale x" zur Schnittebene einer Bezugsrichtung folgend ausgerichtet ist, die der Normalen x''' zur Schneidebene y''', z''' der Maschine entspricht, damit die gewünschte Schnittebene mit der Schneidebene der Schneidmaschine zusammenfällt.
  • Die Winkel d und g können für jeden Einkristall berechnet werden, und die mathematische Lösung bietet sich wie folgt dar:
  • X' = M(a, f)X,
  • wo M(a, f) die Rotationsmatrix für die Winkel a und f ist, und
  • X" = M(t, p)X',
  • wo M(t, p) die Rotationsmatrix für die Winkel p und t ist.
  • Daraus folgt, dass die beiden Winkel d und g, die jeder der geometrischen Einkristalle um x und z''' überstreicht, durch die Komponenten X"x, X"y, X"z von X" (x, y, z) im Bezugspunkt x''', y''', z''' erhalten werden, wobei X" der zur Ebene y", z" im Maschinen-Bezugssystem senkrechte Vektor ist;
  • d = arctan(X"z/X"y),
  • g = arctan(X"y² + X"z²)1/2/X"x.
  • Das Positionierverfahren zur Erlangung der optimalen Ausrichtung, die in den Fig. 3A und 3B dargestellt ist, wird genauer unter Bezugnahme auf die Fig. 5A, 5B und 5C beschrieben, die drei aufeinanderfolgende Positionen veranschaulichen. In Fig. 5A ist der Einkristall auf die Positioniervorrichtung gebracht worden, und seine geometrischen Achsen x, y, z sind mit den Achsen x''', y''', z''' der Ausfluchtungsvorrichtung und der Schneidmaschine ausgefluchtet.
  • Dann wird eine Drehung um die geometrische Achse x''' oder x um einen Winkelwert d ausgeführt, um den Vektor X" in die Ebene x''', y''' zu bringen (Fig. 5B). Eine Drehung des geometrischen Einkristalls um einen Winkel g um die Achse z''' bringt den Vektor X" in eine Position, in der er mit der Achse x''' kolinear ist (Fig. 5C). Nach diesen beiden Drehungen ist der geometrische Einkristall x, y, z parallel zur Ebene x''', y''' ausgerichtet, und zwar unter einem Winkel g bezüglich der Normalen X''' zur Schneidebene, der den Erfordernissen des danach eingesetzten Verfahrens entspricht. Das daraus folgende Sägen erfolgt mit Winkeln t und p bezüglich der kristallographischen Achsen y' und z'. Es versteht sich, dass die zweite Drehung auch ausgeführt werden könnte, indem der Schneidträger um einen Winkel -g gedreht wird, während der Einkristall unbewegt bleibt, wie dies in der in Fig. 6 veranschaulichten Ausführungsform realisiert wird.
  • Letztere besteht aus einer Positioniervorrichtung 1, die es gestattet, jeden Einkristall 2 ausserhalb der Schneidmaschine in Übereinstimmung mit einer vorbestimmten Ausrichtung bezüglich eines Schneidträgers auszurichten, der in der Gestalt eines Trägers 3 vorliegt, auf dem die Einkristalle nach angemessener Ausrichtung befestigt werden. Daher enthält die Positioniervorrichtung 1 einen Tisch oder ein Gestell 5 mit einem Oberteil 6 und einem Unterteil 7.
  • Der auszurichtende Einkristall 2 wird durch eine drehbare Greifvorrichtung 8 mit seiner Hauptachse parallel zur x-Achse ausgerichtet. Ein Winkelmessorgan in Gestalt eines Kodierers 10 erlaubt es, den Drehwinkel d des Einkristalls um die x-Achse zu messen. Dank eines Translationsmechanismus 13 kann sich die Greifvorrichtung 8 linear entlang x verschieben.
  • Eine Drehscheibe 11 ist um die z'''-Achse drehbar auf das Unterteil 7 des Gestells 1 montiert. Ein in die Drehscheibe 11 integriertes Winkelmesssystem erlaubt es, den Drehwinkel g um die z'''-Achse zu messen. Der Träger 3 wird auf der Drehscheibe 11 in einer genauen, im Voraus bestimmten Ausrichtung gehalten.
  • Die Drehscheibe 11 ist ferner entlang der Richtung z''' gleitend auf das Unterteil 7 des Gestells montiert, um den Träger 3 mittels eines Hebemechanismus 9 dem Einkristall 2 zu nähern und den Einkristall 2 auf dem Träger 3 zu befestigen. Nach einer aufeinanderfolgenden Befestigung mehrerer Einkristalle können der Träger 3 und die Einkristalle 2 gemäss einer im Voraus bestimmten geometrischen Lage in die Schneidmaschine gebracht werden, und zwar so, dass die Bezugsebene x'''s, y'''s des Trägers 3 der Arbeitsebene x''', y''' der Schneidmaschine entspricht und dass die Senkrechte x''' zur Schneidebene der Maschine parallel zur Bezugsrichtung x'''s des Trägers ist.
  • Somit gestattet es die beschriebene Vorrichtung, die das im Einzelnen beschriebene Verfahren einsetzt, die vorliegende Erfindung zu realisieren, nämlich mehrere Einkristalle ausserhalb der Schneidmaschine auf einem Schneidträger zu positionieren, und zwar so, dass die Einkristalle, wenn sie auf ihren Träger montiert und in eine Schneidmaschine eingeführt worden sind, mit einer gegebenen Ausrichtung der Kristallachsen bezüglich der Sägeebene gleichzeitig zerschnitten werden. Des Weiteren ist die Position der zylindrischen Einkristalle derart, dass die Mantellinien dieser Zylinder bei Benutzung einer Drahtsäge parallel zum Drahtfeld 4 liegen, bzw. parallel zur Richtung der Bewegung, die die Dicke der Wafer definiert, wenn es sich um ein Schneiden mit Sägeblatt handelt. Zu diesem Zweck wird die Ausrichtung des Kristallgitters bezüglich der geometrischen Gestalt des Einkristalls optisch oder mit Röntgenstrahlen gemessen. Die Positioniervorrichtung 1 oder der Schneidträger 3 können deshalb vorteilhafterweise so ausgelegt sein, dass sie auf einen Röntgenstrahlgenerator montiert werden können und die Positionierung der Einkristalle gleichzeitig ausgeführt und kontrolliert werden kann. Da die Ausrichtung der Schnittebene y", z" gegenüber dem Kristallgitter x', y, z' durch die nachfolgende Anwendung festgelegt wird, werden die Werte des Drehwinkels der Einkristalle d um die x-Achse und der Positioniervorrichtung g um die z'''-Achse mathematisch bestimmt. Wenn die beiden Drehungen für jeden Einkristall gemäss den berechneten Werten ausgeführt worden sind, befinden sich die Einkristalle in der für die Schneidmaschine erwünschten Stellung, nämlich senkrecht zum Vorschub (z''') des Schnitts, und sie haben darüber hinaus ihre Schnittebenen (y&sub1;"z&sub1;", y&sub2;"z&sub2;", y&sub3;"z&sub3;") parallel zur Schneidebene (y'''z''') der Maschine, wie in Fig. 7A und 7B für drei Einkristalle Z veranschaulicht, deren kristallographische Achsen x1, x2, x3 parallel zur Ebene x'''z''' der Schneidmaschine und des Trägers 3 sind. Die Positioniervorrichtung erlaubt eine Befestigung der Einkristalle entweder durch Anflanschen oder durch Ankleben auf den Träger 3, der bezüglich der Schneidmaschine in seiner Stellung vormarkiert ist. Ausserdem wird durch die durch das Verfahren gegebene Ausrichtung bei zylindrischen Einkristallen die Sägelänge auf ein Minimum reduziert. Die Schneidmaschine braucht daher nach der Überführung der Einkristalle auf den Schneidträger und der Überführung dieses Trägers in die Schneidmaschine keinerlei Regelvorrichtung, um ein Schneiden gemäss winkelmässigen Spezifikationen zu gewährleisten. Das Drahtfeld einer Drahtsäge bleibt während des ganzen Schneidvorgangs parallel zu den geometrischen Einkristallen, gewährleistet aber eine passende Orientierung der so hergestellten Wafer. Desgleichen bleibt das Sägeblatt einer Blattsäge senkrecht zu den Einkristallen.
  • Es versteht sich, dass die oben beschriebene Ausführungsform keinerlei einschränkenden Charakter besitzt und dass sie innerhalb des Rahmens, der durch Anspruch 1 definiert wird, alle wünschenswerten Abwandlungen erfahren kann. Insbesondere könnten die beiden Drehwinkel um die Achsen x und z''' durch Winkel ersetzt werden, die bezüglich anderer geometrischer und kristallographischer Bezugssysteme definiert und berechnet werden, aber zu dem gleichen Ergebnis führen, nämlich dass die Normale zur Schnittebene jedes Einkristalls in einer Bezugsrichtung ausgerichtet ist, die der Normalen zur Schneidebene der Maschine entspricht, und dass eine im Voraus bestimmte geometrische Achse jedes Einkristalls und die Normale zur Schnittebene in einer Bezugsebene liegen, die der Arbeitsebene der Maschine entspricht. Desgleichen könnte die Schnittebene durch andere Winkel als p und t bezüglich des Kristallgitters definiert werden, und die Abweichung des Kristallgitters von der geometrischen Gestalt jedes Einkristalls könnte durch andere gemessene Winkel als a und f angegeben werden.
  • Die Winkelmessorgane könnten elektronische, optische oder mechanische Organe sein.
  • Die Annäherung bzw. die Kontaktierung von Einkristall und Träger könnte von unten oder von oben her erfolgen, und indem entweder der Schneidträger oder der benannte Einkristall bewegt wird.
  • Die Drehungen um die beiden Achsen, die waagerechte x-Achse und die senkrechte z'''-Achse, könnten zeitlich umgekehrt erfolgen, indem zuerst die Drehung um die z'''- Achse und danach die Drehung um die waagerechte x-Achse ausgeführt wird.
  • Die Translation parallel zu x könnte erfolgen, indem nicht der Einkristall, sondern der Schneidträger bewegt wird.
  • Die Vorrichtung könnte ebenfalls für das ausgerichtete Schneiden von Einkristallen jeder anderen geometrischen Gestalt oder von anderen Materialien als Einkristallen eingesetzt werden, zum Beispiel von polykristallinen Aggregaten mit einer vorbestimmten Kristallorientierung, von einfachen oder polysynthetischen Zwillingskristallen, orientierten Kristallanhäufungen, Legierungen, orientierten kristallinen Substanzen in einer amorphen Matrix, zum Beispiel polarisierenden Materialien, oder einfach zu dem Zweck, den gewonnenen Scheiben oder Wafern eine besondere Gestalt zu erteilen.

Claims (8)

1. Verfahren für die Ausrichtung von Einkristallen (2) im Hinblick darauf, sie in einer Schneidmaschine entlang einer vorbestimmten Schnittebene (y", z") zu schneiden, sowie für das gleichzeitige Schneiden dieser Einkristalle (2), dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Einkristalle für ein gleichzeitiges Schneiden vorbereitet werden, dass nacheinander jeder der Einkristalle (2) ausserhalb der Schneidmaschine mittels einer Positioniervorrichtung (1) in einer vorbestimmten Ausrichtung, die für jeden Einkristall (2) bezüglich zumindest einer geometrischen Achse (x) jedes Einkristalls (2) unterschiedlich ist, bezüglich eines Schneidträgers (3) ausgerichtet wird, dass nacheinander jeder der Einkristalle (2) in Übereinstimmung mit der benannten, vorbestimmten Ausrichtung, die für jeden Einkristall (2) bezüglich zumindest einer geometrischen Achse (x) jedes Einkristalls (2) unterschiedlich ist, auf dem Schneidträger (3) befestigt wird, dessen räumliche Anordnung in der Schneidmaschine bezüglich der Schneidebene (y''', z''') der Maschine geometrisch definiert ist, und dass der Schneidträger (3) nach Befestigung dieser Einkristalle (2) gemäss der benannten, geometrisch definierten räumlichen Anordnung in der Schneidmaschine angebracht wird, um die benannte, vorbestimmte Ausrichtung jedes Einkristalls (2) in der Schneidmaschine zu erhalten, und dass alle auf den Schneidträger (3) montierten Einkristalle (2) gleichzeitig geschnitten werden.
Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die benannte, vorbestimmte Ausrichtung erhalten wird, indem jeder Einkristall (2) so auf der Positioniervorrichtung (1) angebracht wird, dass eine seiner geometrischen Achsen (x) aus der geometrischen Gestalt (x, y, z) jedes Einkristalls in einer Bezugsebene (x'''s, y'''s) enthalten ist, die der zur Schneidebene (y''', z''') senkrechten Arbeitsebene (x''', y''') der Schneidmaschine entspricht, indem eine Drehung jedes Einkristalls um einen ersten vorbestimmten, für jeden Einkristall eigenen Winkel (d) um die benannte geometrische Achse (x) ausgeführt wird, um die Normale (x") zur Schnittebene (y", z") des Einkristalls in die benannte Bezugsebene zu bringen, und indem eine relative Drehung zwischen dem Schneidträger (3) und jedem Einkristall um einen zweiten vorbestimmten, für jeden Einkristall eigenen Winkel (g) um eine zu der benannten Bezugsebene senkrechten Achse (z''') ausgeführt wird, damit die Normale (x") zur Schnittebene (y", z") einer Bezugsrichtung folgend ausgerichtet wird, die der Normalen zur Schneidebene (y''', z''') der Maschine entspricht, wobei die benannte geometrische Achse (x) und die Normale (x") zur Schnittebene jedes Einkristalls (2) in der benannten Bezugsebene enthalten sind.
3. Verfahren gemäss Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und zweite Drehwinkel (d, g) mathematisch bestimmt werden.
4. Verfahren gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausrichtung der Schnittebene (y", z") jedes Einkristalls bezüglich des Kristallgitters (x', y', z') definiert wird, dass die Ausrichtung des Kristallgitters (x', y', z') bezüglich der geometrischen Gestalt (x, y, z) jedes Einkristalls gemessen wird und dass der erste und zweite Drehwinkel (d, g) berechnet wird, indem die Ausrichtung der Schnittebene (y", z") bezüglich des Kristallgitters (x', y', z') und bezüglich der geometrischen Gestalt (x, y, z) jedes Einkristalls berücksichtigt wird, wobei dies für jeden Einkristall getrennt ausgeführt wird.
5. Verfahren gemäss Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausrichtung des Kristallgitters (x', y', z') bezüglich der geometrischen Gestalt (x, y, z) optisch oder mittels Röntgenstrahlen bestimmt wird.
6. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass Einkristalle (2) verwendet werden, deren geometrische Gestalt im Wesentlichen kreiszylindrisch ist, wobei die benannte geometrische Achse (x) jedes Einkristalls (2) ihrer Hauptkristallachse entspricht, und dass die Einkristalle (2) einer nach dem anderen zu ihrer Befestigung und Ausrichtung durch einen Greifmechanismus (8) der Positioniervorrichtung (1) gehalten werden, wobei die Drehachse des Greifmechanismus (8) zu der benannten Bezugsebene (x'''s, y'''s) parallel ist.
7. Vorrichtung zur Realisierung des Verfahrens gemäss einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Positioniervorrichtung (1), die dafür bestimmt ist, einen Einkristall (2) ausserhalb der Schneidmaschine in Übereinstimmung mit einer vorbestimmten Ausrichtung bezüglich eines Schneidträgers (3) auszurichten, auf dem der Einkristall (2) befestigt werden soll und dessen räumliche Anordnung in der Schneidmaschine geometrisch definiert ist, und dessen Hauptachsen (x'''s, y'''s) zu den Achsen (x''', y''') der Schneidmaschine parallel sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung dafür ausgelegt ist, um zumindest zwei Einkristalle (2) ausserhalb der Schneidmaschine in einer vorbestimmten, für jeden Einkristall unterschiedlichen Ausrichtung auf einem Schneidträger (3) zu befestigen und um ein gleichzeitiges Schneiden der Einkristalle auszuführen, wobei die Positioniervorrichtung (1) erste Mittel (8) umfasst, um jeden der Einkristalle (2) in einer solchen Ausrichtung zu halten, dass eine der geometrischen Achsen (x) der geometrischen Gestalt (x, y, z) jedes Einkristalls in einer der Arbeitsebene (x''', y''') der Schneidmaschine entsprechenden Bezugsebene enthalten ist, und um eine Drehung des Einkristalls (2) um einen ersten vorbestimmten Winkel (d) um die benannte geometrische Achse (x) zu bewirken, damit die Normale (x") zur Schnittebene (x", z") des Einkristalls in die benannte Bezugsebene gebracht wird, zweite Mittel (11), um eine relative Drehung zwischen dem Schneidträger (3) und jedem Einkristall (2) um einen zweiten vorbestimmten Winkel (g) um eine zu der benannten Bezugsebene senkrechten Achse (z''') zu bewirken, damit die Normale (x") zur Schnittebene (y", z") in einer Bezugsrichtung ausgerichtet wird, die der Normalen zur Schneidebene (y''', z''') der Maschine entspricht, wobei dritte Mittel (13) eine Relativbewegung entlang der geometrischen Achse (x) der Einkristalle (2) gestatten, um die kompakteste Gruppierung der verschiedenen Einkristalle (2) auf dem Schneidträger zu gestatten, sowie vierte Mittel (9), um eine relative Translationsbewegung zwischen jedem Einkristall (2) und dem Schneidträger (3) zu bewirken, die dazu bestimmt sind, den Schneidträger (3) und den Einkristall (2) im Hinblick darauf einander zu nähern, dass letzterer in der benannten vorbestimmten, für jeden Einkristall unterschiedlichen Ausrichtung auf dem Schneidträger befestigt wird, und dadurch, dass die ersten Mittel einen Greifmechanismus (8), der um eine Drehachse drehbar auf einen oberen Abschnitt (6) eines Gestells (5) der Positioniervorrichtung (1) montiert und so ausgelegt ist, den Einkristall (2) zu halten, sowie ein erstes Winkelmessorgan (10) umfassen, mit dem der erste vorbestimmte Drehwinkel (d) bestimmt werden kann, wobei die zweiten Mittel eine bezüglich des benannten Gestells (5) drehbar montierte Drehscheibe (11) umfassen, deren Hauptebene parallel zu der benannten Bezugsebene und zur Drehachse des Greifmechanismus (8) ist, wobei diese Drehscheibe (11) so ausgelegt ist, dass sie den Schneidträger (3) in einer geometrisch definierten Lage hält, und ein zweites Winkelmessorgan vorgesehen ist, um den benannten zweiten, vorbestimmten Drehwinkel (g) zu bestimmen, wobei die dritten Mittel einen Mechanismus der Parallelverschiebung (13) bezüglich der benannten Drehachse (x) umfassen, der es gestattet, den Einkristall (2) in der kompaktesten Weise mit den anderen, vor oder nach ihm auf den Schneidträger (3) montierten Einkristallen zu positionieren, und die vierten Mittel einen Mechanismus (9) der Verschiebung in einer zu der benannten Bezugsebene senkrechten Richtung (z''') umfassen, der eine Annäherung des Schneidträgers (3) und des Einkristalls (2) erlaubt, wobei der Schneidträger (3) so gestaltet ist, dass seine Positionierung in der Schneidmaschine gemäss einer geometrischen Lage erfolgt, die der auf der benannten Drehscheibe definierten geometrischen Lage entspricht, so dass die Bezugsebene und die Bezugsrichtung der Arbeitsebene (x''', y''') und der Normalen (x''') zur Schneidebene der Maschine entsprechen.
8. Vorrichtung gemäss Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Schneidtrager (3) und/oder die Positioniervorrichtung (1) so ausgelegt sind, dass sie auf einen Röntgenstrahlengenerator montiert werden können.
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