CH693137A5 - Verfahren zur scheibchenweisen Zertrennung eines Halbleiterbarrens mit Hilfe einer Drahtsäge sowie Drahtsäge zur Durchführung des Verfahrens. - Google Patents

Description

  



  Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur scheibchenweisen Zertrennung eines Halbleiterbarrens mithilfe einer Drahtsäge nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie auf eine Drahtsäge zur Durchführung des Verfahrens nach dem Oberbegriff des Anspruchs 4. 



  Wenn eine Drahtsäge verwendet wird, um einen Halbleiterbarren, z.B. aus Silicium bestehend, zu zertrennen, muss der Halbleiterbarren in einem bestimmten Winkel bezüglich einer Drahtsägen-Reihe geneigt werden, mit dem Ziel, dass der Halbleiterbarren genau entsprechend einer vorbestimmten Kristall-Ausrichtungsfläche geschnitten werden kann. 



  Bei einer Drahtsäge herkömmlicher Art ist eine Neigevorrichtung vorgesehen, die einen Bestandteil eines Zuführtisches bildet, um die kristalline Orientierung des Halbleiterbarrens einzustellen. Die Neigevorrichtung nimmt den Halbleiterbarren derart auf, dass der Halbleiterbarren mit Bezug auf die Ausrichtung der Drahtsägenreihe in vertikaler und horizontaler Richtung eingestellt werden kann. Der Benutzer der Vorrichtung muss die Kristallorientierung manuell auf Grund von Daten justieren, die er zuvor durch Ausmessung der Kristallorientierung gefunden hat. 



  Ein Nachteil konventioneller Apparate ist darin zu sehen, dass für die Einstellung der Drahtsäge nur ein beschränkter Raum zur Verfügung steht, sodass deren Betrieb sich ausgesprochen schwierig gestalten kann. Dazu kommt, dass die Bedienung viel Zeit benötigt, mit dem Resultat, dass das Zertrennen eines Halbleiterbarrens in Scheibchen nicht mit der erwünschten Leistungsfähigkeit vorgenommen werden kann. 



  Ausserdem ist zu erwähnen, dass der Halbleiterbarren in vertikaler Richtung mit Bezug auf die Drahtreihe verschwenkt wird, damit er scheibchenweise zertrennt werden kann; das eine Ende des Rohbarrens wird demzufolge, wie in Fig. 14 gezeigt, zuerst zerschnitten. Damit ergibt sich der Nachteil, dass die durch den Zertrennvorgang auftretende Hitze auf einer Seite der mit Nuten versehenen Rollen, welche zur Bildung der Drahtreihe erforderlich sind, auftritt. Das Resultat ist, dass die Genauigkeit des scheibchenweisen Zertrennens beeinträchtigt wird. 



  Der Grundgedanke bei der Entwicklung der vorliegenden Erfindung, unter Berücksichtigung der vorstehend erwähnten Tatsachen und Probleme, wurde erkannt, und es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren sowie eine Drahtsäge zum scheibchenweisen Zertrennen eines Halbleiterbarrens zu schaffen, welches bzw. welche eine effizientere und genauere Vorgehensweise ermöglicht. 



  Um die vorerwähnten Ziele zu erreichen, ist ein Verfahren zur scheibchenweisen Zertrennung eines Halbleiterbarrens vorgesehen, das sich dadurch auszeichnet, dass der Halbleiterbarren vorgängig des Zertrennens ausserhalb der Drahtsäge in horizontaler und vertikaler Richtung und/oder in Umfangsrichtung justiert und fixiert wird und der Halbleiterbarren am Zuführtisch befestigt wird, um den Halbleiterbarren in scheibchenförmige Wafer zertrennen zu können. 



  Ausserdem ist zur Erreichung des zuvor erwähnten erfindungsgemässen Zieles ein Verfahren zur scheibchenweisen Zertrennung eines Halbleiterbarrens in eine Anzahl von Wafern vorgesehen, bei welchem der Halbleiterbarren am Zuführtisch in einer solchen Position fixiert wird, dass der Halbleiterbarren parallel zur Drahtreihe ausgerichtet ist und der Halbleiterbarren um einen vorbestimmten Winkel um eine Achse, die senkrecht zur Achse des Halbleiterbarrens verläuft, verdreht wird, und zwar mithilfe einer Neigevorrichtung, die auf dem Zuführtisch angeordnet ist, um eine kristalline Orientierung des Halbleiterbarrens zu finden, sodass der Halbleiterbarren scheibchenweise zertrennt werden kann. 



  Gemäss Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung wird der Halbleiterbarren ausserhalb der Drahtsäge in horizontaler und vertikaler Richtung und/oder in Umfangsrichtung justiert und fixiert, und zwar ausserhalb der Drahtsäge. Danach wird der Halbleiterbarren am Zuführtisch befestigt und in scheibchenförmige Wafer zertrennt. 



  Gemäss Anspruch 4 der vorliegenden Erfindung ist der Montageblock, an welchem der Halbleiterbarren befestigt ist, mit einer horizontalen Neigevorrichtung und einer vertikalen Neigevorrichtung versehen, sodass die Kristallorientierung des Halbleiterbarrens ausgerichtet werden kann. Damit kann erreicht werden, dass die die Kristallorientierung des Halbleiterbarrens ausgerichtet werden kann, bevor der Halbleiterbarren auf dem Zuführtisch der Drahtsäge befestigt ist. Aus diesem Grund kann der Halbleiterbarren sehr schnell ausgewechselt werden, wenn der Montageblock am Zuführtisch der Drahtsäge befestigt wird. Dazu kommt, dass der Vorgang der Neigungsausrichtung ausserhalb der Drahtsäge durchgeführt werden kann, sodass dieser Vorgang sicherer und einfacher, selbst auf einem hohen Arbeitsniveau durchgeführt werden kann. 



  Der Halbleiterbarren wird in einem derartigen Zustand in Scheibchen geschnitten, indem er parallel zur Drahtreihe ausgerichtet ist. Aus diesem Grund konzentriert sich die Hitze nicht auf einer Seite der mit Nuten versehenen Rollen, welche die Drahtreihe bilden. Daher kann der Vorgang des scheibchenweisen Zertrennens exakter erfolgen als gemäss dem herkömmlichen Verfahren, bei welchem der Halbleiterbarren in Bezug auf die Drahtreihe geneigt wird, um den Halbleiterbarren zu zertrennen. 



  Gemäss Anspruch 3 der vorliegenden Erfindung wird der Halbleiterbarren um einen vorbestimmten Winkel um eine Achse, die senkrecht zur Achse des Halbleiterbarrens verläuft, verdreht und zwar mithilfe einer Neigevorrichtung, die auf dem Zuführtisch angeordnet ist, um eine kristalline Orientierung des Halbleiterbarrens zu finden, sodass der Halbleiterbarren scheibchenweise zertrennt werden kann. Das Resultat davon ist, dass der Halbleiterbarren in einem solchen Zustand in Scheibchen geschnitten wird, in dem er parallel zur Drahtreihe ausgerichtet ist. Deshalb wird die Hitze nicht an der einen Seite der mit Nuten versehenen Rollen konzentriert, welche die Drahtreihe bilden.

   Auf diese Weise kann das scheibchenweise Zertrennen auf exaktere Weise erfolgen als mit einer herkömmlichen Methode, bei der der Halbleiterbarren mit Bezug auf die Drahtreihe geneigt wird und danach das scheibchenweise Zertrennen erfolgt. 



  Das Wesen der Erfindung sowie andere Zielsetzungen und Vorteile derselben werden im Folgenden erläutert, mit Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen, in welchen gleiche Bezugszeichen in allen Figuren gleiche oder ähnliche Teile bezeichnen und in welchen: 
 
   Fig. 1 eine Ansicht ist, die die gesamte Struktur einer Drahtsäge veranschaulicht; 
   Fig. 2 eine Seitenansicht ist, die einen Montageblock für einen Halbleiterbarren gemäss einer ersten Ausführungsform veranschaulicht; 
   Fig. 3 eine Ansicht von oben ist, die einen Montageblock für einen Halbleiterbarren gemäss einer ersten Ausführungsform veranschaulicht; 
   Fig. 4 eine Vorderansicht ist, die einen Montageblock für einen Halbleiterbarren gemäss einer ersten Ausführungsform veranschaulicht; 
   Fig. 5 eine Schnittdarstellung entlang der Linie X-X in Fig. 3 ist;

   
   Fig. 6 eine Schnittdarstellung entlang der Linie Y-Y in Fig. 3 ist; 
   Fig. 7 eine Seitenansicht ist, die einen Montageblock für einen Halbleiterbarren gemäss einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht; 
   Fig. 8 eine Vorderansicht ist, die einen Montageblock für einen Halbleiterbarren gemäss einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht; 
   Fig. 9 eine Ansicht darstellt, die veranschaulicht, dass ein Halbleiterbarren mit Bezug auf eine Reihe von Sägedrähten geneigt ist; 
   Fig. 10a und 10b Ansichten sind, die ein Verfahren zur scheibchenweisen Zertrennung eines Halbleiterbarrens gemäss einem dritten Ausführungsbeispiel veranschaulichen; 
   Fig. 11a und 11b Ansichten sind, die ein Verfahren zur scheibchenweisen Zertrennung eines Halbleiterbarrens gemäss einem dritten Ausführungsbeispiel veranschaulichen; 
   Fig. 12 eine Seitenansicht eines Spannfutters ist;

   
   Fig. 13 eine Vorderansicht eines Spannfutters ist; und 
   Fig. 14 eine Ansicht ist, die ein herkömmliches Verfahren zur scheibchenweisen Zertrennung eines Halbleiterbarrens veranschaulicht. 
 



  Fig. 1 zeigt eine Ansicht, die die gesamte Struktur einer Drahtsäge 10 veranschaulicht. Wie aus der Figur ersichtlich ist, wird ein Draht 14 von der einen Drahtrolle 12 abgespult. Danach wird der Draht 14 entlang eines durch Führungsrollen 16 definierten Drahterstreckungspfads um drei mit Nuten versehene Rollen 18A, 18B und 18C gewunden. Um die äussere Umfangsfläche der drei mit Nuten versehenen Rollen 18A, 18B und 18C ist eine Vielzahl von Nuten mit konstanter Steigung angebracht. Der Draht 14 ist sequenziell um die mit Nuten versehenen Rollen 18A, 18B und 18C gewunden, sodass eine horizontale Drahtreihe 20 gebildet ist. 



  Der Draht 14, der die Drahtreihe 20 bildet, wird von einer anderen Drahtrolle 12 aufgewickelt, und zwar über einen Drahterstreckungs pfad, der symmetrisch ist zum zuvor erwähnten Drahterstreckungspfad auf der anderen Seite der drei mit Nuten versehenen Rollen 18A, 18B und 18C. 



  Innerhalb eines jeden der Drahterstreckungspfade sind Drahtführungsvorrichtungen 22, Spannrollen 24 und Drahtreinigungsvorrichtungen 26 vorgesehen, die auf beiden Seiten des Drahterstreckungspfads ausgebildet sind. Die Drahtführungsvorrichtungen 22 führen den Draht 14 von den Drahtrollen 12 mit einer konstanten Steigung. Die Spannrollen 24 bewirken, dass der sich bewegende Draht 14 unter einer konstanten Spannung gehalten wird. Die Drahtreinigungsvorrichtungen 26 sorgen dafür, dass dem sich bewegenden Draht 14 kein Suspensionsmaterial anhaftet. 



  Motoren 30 und 32, die in einer Vorwärtsrichtung rotieren können, sind verbunden mit einem Paar von Drahtrollen 12 sowie mit der mit Nuten versehenen Rolle 18A. Der Draht 14 bewirkt, dass die Motoren 30 und 32 synchronisiert laufen und dass somit der Draht 14 derart angetrieben ist, dass er mit hoher Geschwindigkeit zwischen den beiden Drahtrollen 12 hin- und herläuft. 



  Der Zuführtisch 38 ist unterhalb der Drahtreihe 20 mittels eines Spindelmechanismus, der von einem Motor 34 angetrieben ist, angeordnet. Der Zuführtisch 38 bewegt sich mit Be zug auf die Drahtreihe 20 vorwärts und rückwärts. Ein Halbleiterbarren 40 ist mittels eines Aufnahmemittels 42 und eines Montageblocks 44 auf dem Zuführtische 38 gehalten. 



  Quer über dem Halbleiterbarren 40 und oberhalb der Drahtreihe 20 ist ein Paar von Suspensionsspritzdüsen 50 angeordnet. Das Paar von Suspensionsspritzdüsen 50 spritzt eine Suspension 54, die in einem Suspensionsvorratstank 52 enthalten ist, gegen die Drahtreihe 20. 



  Bei der Drahtsäge 10, die gemäss der oben erwähnten Art konstruiert ist, wird der Zuführtisch 38 gegen die Drahtreihe 20 angehoben, und der Halbleiterbarren 40 gelangt gegen die sich bewegende Drahtreihe 20 in Anlage, sodass der Halbleiterbarren 40 in Scheiben geschnitten wird. In diesem Fall wird die Suspension 54 über die Suspensionsspritzdüsen 50 und 50 der Drahtreihe 20 zugeführt. Der Halbleiterbarren 40 wird in Scheiben - sog. Wafer - geschnitten durch die Einwirkung einer Art von Schleifoperation, bewirkt durch ein Schleifmittel, das in der Suspension enthalten ist. 



  Die Fig. 2, 3 und 4 zeigen eine Seitenansicht, eine Ansicht von oben und eine Vorderansicht eines Montageblocks für einen Halbleiterbarren. Fig. 5 und 6 zeigen eine Schnittdarstellung entlang der Linie X-X in Fig. 3 bzw. eine Schnittdarstellung entlang der Linie Y-Y in Fig. 3. 



  Wie in den Fig. 2, 3, 4, 5 und 6 zu sehen ist, sind die Hauptkonstruktionselemente des Montageblocks 44 ein Befestigungsblock 60, ein horizontaler Schwenkblock 62 und ein vertikaler Schwenkblock 64. Die Elemente 56-64 sind miteinander zusammengefasst mittels eines Befestigungsbolzens 66. 



  Der Befestigungsblock 60 ist von rechteckiger Gestalt und ist am Zuführtisch 38 befestigt, der mit horizontalen und vertikalen Referenzen bezüglich der Drahtreihe 20 ausgerüstet ist. 



  Der Befestigungsblock 60 ist lösbar befestigt. 



  Eine in vertikaler Richtung verlaufende Befestigungsreferenzebene A ist auf der Oberseite des Befestigungsblocks 60 ausgebildet, und eine in horizontaler Richtung verlaufende Befestigungsreferenzebene B ist an der Seite des Befestigungsblocks 60 ausgebildet, wenn der Befestigungsblock 60 mit dem Zuführtisch 38 verbunden ist. 



  Wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, sind im Befestigungsblock 60 konzentrisch um den Befestigungsbolzen 66 herum verlaufende, bogenförmige Führungsöffnungen 68 ausgebildet. Führungsbolzen 70 sind in die Führungsöffnungen 68 eingesetzt. Die eingesetzten Führungsbolzen 70 stehen in Eingriff mit Bolzenlöchern 72 im Unterteil des horizontalen Schwenkblocks 62. 



  Der horizontale Schwenkblock 62, der in der oben erwähnten Weise konstruiert ist, gleitet auf einer oberen Fläche des Befestigungsblocks 60. Darauf spannt der horizontale Schwenkblock 62 die Führungsbolzen 70, sodass der horizontale Schwenkblock 62 am Befestigungsblock 60 fixiert werden kann. Wenn die Führungsbolzen 70 gelöst werden, kann der horizontale Schwenkblock 62 in horizontaler Richtung um die Befestigungsbolzen 66 geschwenkt werden. 



  Auf der Oberseite des horizontalen Schwenkblocks 62 ist eine spährisch-konkave Fläche 74 ausgebildet. Andererseits ist auf der Unterseite des vertikalen Schwenkblocks 64 eine sphärisch-konvexe Fläche 76 ausgebildet, die hinsichtlich ihrer Formgebung der spährisch-konkaven Fläche 74 entspricht. Auf der Unterseite des vertikalen Schwenkblocks 64 ist eine bogenförmige Führungsnut 78 ausgebildet, die hinsichtlich ihrer Formgebung der sphärisch-konvexen Fläche 76 entspricht. Im Zentrum der Führungsnut 78 ist ein Loch 80 ausgebildet. Der Befestigungsbolzen 66 ist in das Loch 80 eingesetzt. Ein Endstück 82 ist am oberen Ende des Befestigungsbolzens 66 angebracht, und das Endstück 82 steht im Eingriff mit der Führungsnut 78. 



  Der vertikale Schwenkblock 64, der in der oben erwähnten Weise konstruiert ist, gleitet auf einer vertikalen Referenzfläche V, die an der sphärisch-konkaven Fläche 74 des horizontalen Schwenk- blocks 62 ausgebildet ist. Darauf spannt der vertikale Schwenkblock 64 eine Mutter 84, die in Eingriff steht mit dem unteren Ende des Befestigungsbolzens 66, sodass der vertikale Schwenkblock 64 am Befestigungsblock 60 fixiert ist. Durch Lösen der Mutter 84 kann der vertikale Schwenkblock 64 vertikal mit Bezug auf den Befestigungsblock 60 verschwenkt werden. 



  Der Halbleiterbarren 40 ist mittels des Aufnahmemittels 42 auf der Oberfläche des vertikalen Schwenkblocks 64 befestigt. In diesem Fall ist der Halbleiterbarren 40 mit dem vertikalen Schwenkblock 64 verbunden, sodass eine Endfläche des Halbleiter-Rohbarrens 40 parallel sein kann mit einer in horizontaler Richtung verlaufenden Befestigungsreferenzebene A des Befestigungsblocks 60 und sodass eine Achse des Halbleiter-Rohbarrens 40 parallel sein kann mit einer in vertikaler Richtung verlaufenden Befestigungsreferenzebene B des Befestigungsblocks 60. 



  Wenn der horizontale Schwenkblock 62 mit Bezug auf den Befestigungsblock 60 horizontal verschwenkt wird, wird der daran befestigte Halbleiterbarren 40 horizontal geneigt mit Bezug auf den Befestigungsblock 60. Wenn der vertikale Schwenkblock 64 mit Bezug auf den Befestigungsblock 60 vertikal verschwenkt wird, wird der daran befestigte Halbleiterbarren 40 vertikal geneigt mit Bezug auf den Befestigungsblock 60. 



  Der Vollständigkeit halber sei bemerkt, dass ein Neigungswinkel des horizontalen Schwenkblocks 62 bestimmt werden kann, wenn eine horizontale Winkeleinteilung 88, die am Unterteil des horizontalen Schwenkblocks 62 angebracht ist, durch ein Fenster an der Oberseite des horizontalen Schwenkblocks 62 gegenüber einer horizontalen Verdrehungsanzeige 90 abgelesen wird. Entsprechend gilt, dass ein Neigungswinkel des vertikalen Schwenkblocks 64 bestimmt werden kann, wenn eine vertikale Winkeleinteilung 92, die an der Seite des horizontalen Schwenkblocks 62 angebracht ist, gegenüber einer vertikalen Verschwenkungsanzeige 94 abgelesen wird. 



  Im Folgenden wird eine Erklärung über die Betriebsweise einer ersten Ausführungsform der Drahtsäge gemäss der vorliegenden Erfindung, die in der oben beschriebenen Weise konstruiert ist, wiedergegeben. 



  Die Kristallausrichtung des Halbleiterbarrens 40 wird vorgängig durch eine Untersuchung mit einer Röntgenstrahlungs-Durchleuchtungsapparatur bestimmt. Der Montageblock 44 legt den Neigungswinkel des Halbleiterbarrens 40 in horizontaler und vertikaler Richtung mit Bezug auf die Drahtreihe 20 fest, sodass der Halbleiterbarren 40 in seiner Kristallausrichtung in Scheibchen geschnitten werden kann. 



  Zunächst werden der Befestigungsbolzen 66 und die Mutter 84 gelöst, sodass der horizontale Schwenkblock 62 und der vertikale Schwenkblock 64 verschwenkt werden können. 



  Danach wird der horizontale Schwenkblock 62 verschwenkt, und die horizontale Verdrehungsanzeige 90 wird so justiert, dass sie eine Referenzposition (NULL) der horizontalen Winkeleinteilung 88 anzeigt. Nun wird der vertikale Schwenkblock 64 verschwenkt, und die vertikale Verdrehungsanzeige 94 wird so justiert, dass sie eine Referenzposition (NULL) der vertikalen Winkeleinteilung 94 anzeigt. In diesem Zustand werden die Befestigungsbolzen 66 und die Mutter 84 wieder angezogen, sodass der horizontale Schwenkblock 62 und der vertikale Schwenkblock 64 am Befestigungsblock 60 fixiert werden können. 



  Nun wird der Halbleiterbarren 40 mittels des Aufnahmemittels 42 am vertikalen Schwenkblock 64 befestigt. Das Resultat ist, dass eine horizontale Referenzebene (flache Orientierungsebene) und eine vertikale Referenzebene (Endebene) parallel ausgerichtet sind zu der invertikaler Richtung verlaufenden horizontalen Referenzebene A bzw. der in horizontaler Richtung verlaufenden vertikalen Referenzebene B des Befestigungsblocks 60. 



  Danach werden der Befestigungsbolzen 66 und die Mutter 84 wieder gelöst, sodass der horizontale Schwenkblock 62 und der vertikale Schwenkblock 64 mit Bezug auf den Befestigungsblock 60 verschwenkt werden können. Nun wird der Befestigungsblock 60 in horizontaler Richtung verschwenkt. Wenn die Kristallorientierung des Halbleiterbarrens 40 mit der horizontalen Drahtreihe 20 übereinstimmt, werden die Führungsbolzen 70 festgezogen und der vertikale Schwenkblock 64 ist am Befestigungsblock 60 fixiert. In diesem Fall wird der Neigungswinkel in der vertikalen Richtung mit Bezug auf die vertikale Winkeleinteilung 92 und die vertikale Verdrehungsanzeige 94 justiert. 



  Die vorstehend erläuterte, sequenzielle Vorgehensweise beendet die Positionierung des Halbleiterbarrens 40. In diesem Zustand ist der Befestigungsblock 60 mit dem Zuführtisch 38 verbunden. Daher ist der Halbleiterbarren 40 auf dem Zuführtisch 38 so angeordnet, dass die Schneidebene einer vorbestimmten Kristallfläche entspricht. 



  Wie vorstehend beschrieben, in Übereinstimmung mit dem Montageblock der Drahtsäge gemäss dem ersten Ausführungsbeispiel, wird die Kristallausrichtung des Montageblocks 44 eingestellt, bevor der Halbleiterbarren 40 in der Drahtsäge 10 montiert wird. Die Folge davon ist, dass der Halbleiterbarren 40 schnell ersetzt werden kann. 



  Ausserdem, weil die Kristallorientierung ausserhalb der Hauptstruktur der Drahtsäge 10 ausgerichtet werden kann, ist die gesamte Vorgehensweise sicherer und einfacher als die konventielle Vorgehensweise an einem hoch liegenden Arbeitsplatz. 



  Ferner ist zu erwähnen, dass der strukturelle Aufbau der Drahtsäge vereinfacht werden kann, weil es nicht notwendig ist, eine Schwenkvorrichtung für den Halbleiterbarren 40 mit Bezug auf die Hauptstruktur der Drahtsäge 10 vorzusehen. 



  Nun soll ein zweites Ausführungsbeispiel erklärt werden. Die Fig. 7 und 8 zeigen eine Seitenansicht bzw. eine Vorderansicht des Montageblocks gemäss dem zweiten Ausführungsbeispiel. Es soll darauf hingewiesen werden, dass die gleichen Zahlen für gleiche Elemente verwendet werden wie diejenigen beim Montageblock gemäss dem ersten Ausführungsbeispiel, sodass keine weiteren Erklärungen dafür gegeben werden. 



  Der Montageblock 96 gemäss dem zweiten Ausführungsbeispiel ist derart konstruiert, dass eine Aufnahmeplatte 98 an der Oberseite des Montageblocks 44 des ersten Ausführungsbeispiels vorgesehen ist. Die Aufnahmeplatte kann lösbar befestigt werden. 



  Die Aufnahmeplatte 98 ist an der Oberseite des vertikalen Schwenkblocks 64 mittels Bolzen 100 und 100 fixiert. Das heisst, wenn die Bolzen 100 entfernt werden, kann die Aufnahmeplatte 98 vom vertikalen Schwenkblock 64 gelöst werden. 



  Eine horizontale Referenzebene E ist an der Seite der Aufnahmeplatte 98 gebildet, und eine vertikale Referenzebene F ist an der Unterseite der Aufnahmeplatte 98 gebildet. Wenn die Aufnahmeplatte 98 am vertikalen Schwenkblock 64 befestigt wird, richten sich die horizontalen und vertikalen Referenzebenen E und F parallel zu den horizontalen und vertikalen Referenzebenen C und D des vertikalen Schwenkblocks 64 aus. 



  Im Folgenden wird eine Erklärung gegeben werden bezüglich der Betriebsweise des Montageblocks 96 gemäss dem zweiten Ausführungsbeispiel, das in der oben erwähnten Weise konstruiert ist. 



  Zunächst wird der Halbleiterbarren 40 an der Aufnahmeplatte 98 befestigt, und zwar mithilfe des Montageträgers 42. In diesem Fall sind die horizontalen und vertikalen Referenzen des Halbleiterbarrens 40 parallel zu den horizontalen und vertikalen Referenzebenen E und F der Aufnahmeplatte 98. 



  Danach wird die Aufnahmeplatte 98, an welcher der Halbleiterbarren 40 befestigt ist, am Montageblock 96 befestigt, bei welchem die Orientierung der Halbleiter-Kristallebene zuvor justiert wurde. 



  Wie vorstehend beschrieben, gemäss dem zweiten Ausführungsbeispiel, kann der Halbleiterbarren 40 befestigt werden, nachdem die Kristallorientierung ausgerichtet worden ist. Es folgt daraus, dass die Neigung auf einfache Art und Weise durchgeführt werden kann, und der Halbleiterbarren 40 kann schneller ersetzt werden. 



  Als nächstes wird das dritte Ausführungsbeispiel erklärt. Es sei dabei darauf hingewiesen, dass die gleichen Zahlen verwendet werden für die gleichen Elemente und Einrichtungen wie beim ersten und zweiten Ausführungsbeispiel, sodass auf weitere Erklärungen verzichtet werden kann. 



  Auf konventielle Art, wenn die Kristallausrichtung des Halbleiterbarrens 40 mit Bezug auf die horizontale Drahtreihe 20 ausgerichtet wird, wird zunächst der Halbleiterbarren 40 in einer derartigen Weise am Zuführtisch 38 fixiert, dass er mit den vertikalen und horizontalen Referenzen der Drahtreihe übereinstimmt. Danach wird die Neigevorrichtung, die am Zuführtisch 38 vorgesehen ist, so betätigt, dass sie den Halbleiterbarren 40 in vertikaler und horizontaler Richtung um einen vorbestimmten Winkel neigt. In diesem Fall, wie es in Fig. 9 gezeigt ist, verläuft die X-Achse des Halbleiterbarrens 40 in einem rechten Winkel zur Drahtreihe 20A, oder die Y-Achse des Halbleiterbarrens 40 in einem rechten Winkel zur Drahtreihe 20B. 



  Beim dritten Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterbarren 40 in einem solchen Zustand scheibchenweise zerschnitten, dass die X- und Y-Achsen des Halbleiterbarrens 40 parallel zur Drahtreihe 20C verlaufen. Vorgängig wird der Halbleiterbarren 40 auf dem Montageblock 44 so positioniert und auf diesem so fixiert, dass die Schneidebene des in Scheibchen zu schneidenden Wafers in eine vorbestimmte Kristallfläche zu liegen kommt. Der so positionierte Halbleiterbarren 40 ist mittels des Montageblocks 44 am Zuführtisch 48 befestigt. 



  In diesem Fall wird der Halbleiterbarren 40 am Montageblock 44 auf die folgende Weise befestigt: 



  Als erstes muss der Halbleiterbarren 40 ausserhalb der Drahtsäge 10 in horizontaler und vertikaler Richtung und/oder in Umfangsrichtung justiert und fixiert und am Zuführtisch 38 befestigt werden, damit der Halbleiterbarren 40 in einer parallel zur horizontalen Drahtreihe 20 ausgerichteten Weise in scheibchenförmige Wafer zertrennt werden kann. Ausserdem, um sicherzustellen, dass die Schnittebene des scheibchenweise geschnittenen Wafers mit einer vorbestimmten Kristallfläche zusammenfällt, wird der Halbleiterbarren 40 um einen vorbestimmten Winkel um eine Achse, die senkrecht zur Achse des Halbleiterbarrens 40 verläuft, gedreht, und ausserdem wird der Halbleiterbarren gegenüber der Drahtreihe 20 um einem vorbestimmten Winkel verschwenkt. 



  Es wird nun angenommen, dass die horizontalen und vertikalen Referenzen des Halbleiterbarrens 40 parallel verlaufen zu den horizontalen und vertikalen Referenzen der horizontalen Drahtreihe 20. 



  In diesem Fall ist  theta  ein Winkel, um welchen der Halbleiterbarren 40 in Umfangsrichtung um seine Achse rotiert.  lambda  ist ein Winkel, um welchen der Halbleiterbarren 40 horizontal um sein Zentrum ro tiert. 



  Andererseits, wenn die horizontalen und vertikalen Verschwenkwinkel des Halbleiterbarrens 40 mit  alpha  und  beta  bezeichnet werden, besteht bei der konventionellen Methode des Ausrichtens der Kristallorientierung die folgende Beziehung zwischen  theta und  alpha  und  beta :  theta  = tan<-><1> (tan beta /tan alpha ) 



  Ausserdem existiert die folgende Beziehung zwischen  lambda und  alpha  und  beta :  lambda tan<-><1> (tan alpha /cos beta ) 



  Es folgt daraus, dass der Halbleiterbarren 40 um den Betrag theta  in Umfangsrichtung um seine Achse rotiert und ausserdem um den Betrag  lambda  horizontal rotiert, um am Montageblock 44 befestigt zu werden, und der positionierte und fixierte Halbleiterbarren 40 wird am Zuführtisch 38 befestigt. Das Resultat ist, dass der Halbleiterbarren parallel zur horizontalen Drahtreihe 20 in Scheibchen geschnitten werden kann, und dass die Schnittebene der geschnittenen Wafer eine vorbestimmte Kristalloberfläche sein kann. 



  Die Fig. 10(a) und 10(b) zeigen den Zustand, in welchem der Halbleiterbarren 40, der in Umfangsrichtung um den Winkel theta  um seine Achse rotiert worden ist und der horizontal um den Winkel  lambda  um sein Zentrum rotiert worden ist, am Montageblock 44 fixiert und am nicht dargestellten Zuführtisch befestigt ist. 



  In diesem Zustand wird der Halbleiterbarren 40  in Scheibchen geschnitten, und zwar derart, dass der Halbleiterbarren 40 parallel zur horizontalen Drahtreihe 20 in Scheibchen geschnitten wird und weiter so, dass die Schnittfläche eine vorbestimmte Kristalloberfläche ist. Aus diesem Grund ist die Hitze nicht an der einen Seite der mit Nuten versehenen Rollen 18A, 18B und 18C, die die horizontale Drahtreihe 20 bilden, konzentriert. Auf diese Weise kann das scheibchenweise Zertrennen exakter ausgeführt werden als bei der konventionellen Methode, bei der der Halbleiterbarren 40 in vertikaler Richtung mit Bezug auf die horizontale Drahtreihe 20 geneigt wird. 



  Der Halbleiterbarren 40 wird nach vorgängiger Fixierung positioniert und wird dann am Zuführtisch 38 befestigt. Daher besteht keine Veranlassung, den Zuführtisch 38 mit einer Neigevorrichtung zu versehen. Das Resultat ist, dass die Drahtsäge 10 einfacher ausgebildet werden kann. 



  Die Fig. 11(a) und 11(b) zeigen den Zustand, in welchem der Halbleiterbarren 40, der in Umfangsrichtung um den Winkel theta  um seine Achse rotiert worden ist, am Montageblock 44 fixiert und am nicht dargestellten Zuführtisch befestigt ist. Der Halbleiterbarren 40 ist mittels einer Neigevorrichtung um den Winkel  lambda  in horizontaler Richtung verdreht, wobei die Neigevorrichtung auf dem Zuführtisch 38 vorgesehen ist und lediglich in horizontaler Richtung rotiert. 



  Der Halbleiterbarren 40 wird in diesem Zustand in Scheibchen geschnitten, sodass der Halbleiterbarren 40 parallel zu der horizontalen Drahtreihe 20 in Scheibchen geschnitten werden kann und weiter so, dass die Schnittebene eine vorbestimmte Kristalloberfläche sein kann. 



  Die Fig. 12 ist eine Seitenansicht eines Spannfutters, um den Halbleiterbarren 40 am Montageblock 44 zu befestigen, und Fig. 13 ist eine Vorderansicht davon. 



  Wie in den Fig. 12 und 13 gezeigt, umfasst das Spannfutter 160 hauptsächlich ein Aufnahmeteil 162, ein Führungsteil 164, ein Hebeteil 166 und ein Positionierteil 168. 



  Der Aufnahmeteil 162 umfasst im Wesentlichen eine Grundplatte 170, eine Drehscheibe 171 und Aufnahmerollen 174. 



  Die Drehscheibe 171 ist drehbar auf der Grundplatte 170 gelagert. Eine Verdrehungsanzeige (nicht dargestellt) an der Grundplatte 170 kann durch eine Nadel 173 abgelesen werden; die Nadel 173 ist an der Drehscheibe 171 vorgesehen, sodass der Verdrehungswinkel der Drehscheibe 171 bestimmt werden kann. 



  Die Aufnahmerollen 174 sind entlang der Grundplatte 170 angeordnet, und die beiden Enden der Aufnahmerollen 174 sind mittels Lagerböcken 172 gelagert, die an der Drehscheibe 171 angeordnet sind. Der Halbleiterbarren 40 wird auf den Aufnahmerollen 174 angeordnet. Es wird davon ausgegangen, dass der Halbleiterbarren 40 so angeordnet ist, dass er parallel zur Grundplatte 170 ausgerichtet ist. 



  Das Führungsteil 164 setzt sich zusammen aus einer Halterstützplatte 176 und aus Führungsschienen 178 und 178, die an den beiden Seiten der Halterstützplatte 176 angeordnet sind. 



  Der Hebeteil 166 umfasst einen Hebeblock, der auf den Führungsschiene 178 und Führungsschiene 178 gleitet und einen Hebemechanismus 184, der den Hebeblock 180 antreibt. 



  Der Querschnitt des Hebeblocks 180 ist L-förmig. Stützarme 182 zur Abstützung des Montageblocks 44 sind an beiden Seiten des Hebeblocks 180 angeformt. Ein jeder der Hebeblöcke 180 und der Stützarme 182 besitzt eine horizontale Referenz und eine vertikale Referenz. Die Seiten des Montageblocks 44 befinden sich auf Referenzteilen 186, oder der Unterteil davon befindet sich auf dem Stützarm 182, damit der Montageblock 44 positioniert werden kann. 



  Ein mutterartiger Teil 188 ist an der Rückseite des Hebeblocks 180 ausgebildet. Der mutterartige Teil 188 steht in Eingriff mit einer Stellschraube 190 die entlang der Halterstützplatte 176 angeordnet ist. Die Stellschraube 190 rotiert, wenn das Betätigungsorgan 192, das am oberen Ende der Stellschraube 190 angeordnet ist, betätigt wird. 



  Der Positionierteil 168 umfasst eine Stützgrundplatte 194, eine an der Stützgrundplatte 194 befestigte Referenzscheibe 196 und eine Verdrehungsanzeigescheibe 198, die mittels der Stützgrundplatte 194 drehbar gelagert ist. 



  Die Stützgrundplatte 194 stützt sich auf der Drehscheibe 171 ab. 



  Die Referenzscheibe 196 ist ein scheibenförmiges Bauteil, und eine Referenz-Anzeigeskala 204 ist entlang einer umfangsseitigen Kante der Referenzscheibe 196 ausgebildet. Die Referenz-Anzeigeskala 204 zeigt eine Verdrehungsanzeige 202 an, die auf einer nachfolgend beschriebenen Verdrehungsanzeigescheibe 198 ausgebildet ist. Die Referenzscheibe 196 ist derart angeordnet, dass ihr Zentrum koaxial mit dem Zentrum der Achse des Montageblocks 44 ist, der auf den Aufnahmerollen 174 liegt. 



  Die Verdrehungsanzeigescheibe 198 hat scheibenförmige Gestalt, und ist rotierbar gehalten in einem solchen Zustand, dass sie mit der Referenzscheibe 196 koaxial ist. 



  Die Verdrehungsanzeige 202, die den Verdrehungswinkel des Halbleiterbarrens 40 bestimmt, ist an der Verdrehungsanzeigescheibe 198 ausgebildet. Die Verdrehungsanzeigescheibe 198 wird abgelesen durch eine Referenz-Anzeigeskala 204, die auf der Referenzscheibe 196 ausgebildet ist. Winkelwerte sind beidseitig der zentralen Position angegeben, welche der Referenzpunkt der Verdrehungsanzeige 202 ist. 



  Entlang der umfangsseitigen Kante der Verdrehungsanzeigescheibe 198 sind in regelmässigen Abständen Gravurlinien 200V und 200A angebracht. Die Gravurlinien 200V und 200A dienen dazu, die nachfolgend noch zu erläuternden Gravurlinien, welche die Ausrichtung des Halbleiterbarrens 40 veranschaulichen, mit der Schnittfläche des Halbleiterbarren auszurichten. 



  Im Grunde genommen ist die Gravurlinie 200V (vertikale Referenz) eine Verlängerung der Referenzachse der Verdrehungsanzeige 202. Die Gravurlinie 200H (horizontale Referenz) ist derart angebracht, dass sie rechtwinklig zur Gravurlinie 200V verläuft. 



  Das Resultat ist, dass die Verdrehungsanzeigescheibe 198 derart ausgerichtet ist, dass die Referenzskala 204 den Referenzpunkt der Verdrehungsanzeige 202 anzeigt. Die Gravurlinien 200V (d.h. die vertikale Referenz) verlaufen vertikal zur Grundplatte 170, und die Gravurlinien 200H (d.h. die horizontale Referenz) verlau fen horizontal zur Grundplatte 170. 



  In diesem Zustand stimmen eine horizontale Gravurlinie 204H und eine vertikale Gravurlinie 204V auf der Schnittfläche des Halbleiterbarrens 40 überein mit der horizontalen Referenz 200H und der vertikalen Referenz 200V der Gravurlinien-Anordnung. Die Folge davon ist, dass die horizontalen und vertikalen Referenzen des Halbleiterbarrens 40 mit den horizontalen und vertikalen Referenzen der Grundplatte 170 übereinstimmen. 



  Im Folgenden wird erklärt werden, auf welche Art und Weise der Halbleiterbarren 40 mittels des Spannfutters 160, das auf die zuvor erklärte Art und Weise konstruiert ist, eingespannt wird. 



  Zunächst werden die Gravurlinien-Nummern 204H und 204V mit einer Schnittfläche des Halbleiterbarrens 40 ausgerichtet. Dabei bilden sie horizontale und vertikale Referenzen des Halbleiterbarrens 40. 



  In diesem Fall stellt die Gravurlinie 204V (d.h. die vertikale Referenz) eine gerade Linie durch die flache Orientierungsoberfläche des Halbleiterbarrens 40 und der Achse des letzteren dar. Die Gravurlinie 204H (d.h. die horizontale Referenz) hingegen stellt eine gerade Linie zur Gravurlinie 204V dar, die dazu rechtwinklig verläuft. 



  Danach werden die Stützarme 182 des Hebeblocks 180 derart betätigt, dass sie den Montageblock 44 abstützen. Nun wird der Halbleiterbarren 40 auf den Aufnahmerollen 174 angeordnet, und die Referenz-Anzeigeskala 204 wird auf eine Referenzposition gesetzt. 



  Des Weiteren wird der Halbleiterbarren 40 in Umfangsrichtung verdreht. Die Gravurlinien 204H und 204V auf der Schnittfläche werden dann in Übereinstimmung gebracht mit den Gravurlinien 200H und 200V. Die Folge davon ist, dass die vertikalen und horizontalen Referenzen mit den vertikalen und horizontalen Referenzen der Grundplatte 170 übereinstimmen. Auf entsprechende Weise stimmen die vertikalen und horizontalen Referenzen des Halbleiterbarrens 40 mit den vertikalen und horizontalen Referenzen der Drahtreihe 20 überein. 



  Als nächstes wird die Verdrehungsanzeigescheibe (198) um einen vorausberechneten Winkel  theta  um die Achse des Halbleiterbarrens 40 verdreht. Die Folge davon ist, dass die Positionen der Gravurlinien 200H und 200V um den Winkel  theta  verschoben werden, sodass der Halbleiterbarren in Umfangsrichtung verdreht wird, mit dem Resultat, dass die Gravurlinien 204H und 204V den verschobenen Gravurlinien 200H und 200V entsprechen. Der Halbleiterbarren 40 wird damit um den Winkel  theta  in Umfangsrichtung verdreht, und zwar von einer Position, in der seine vertikale Referenz der jenigen der Drahtreihe 20 entspricht. 



  Als nächstes wird eine Drehscheibe 171 um einen vorausberechneten Winkel  lambda  des Halbleiterbarrens 40 in horizontaler Richtung verdreht. Die Folge davon ist, dass der Halbleiterbarren 40 um den erwähnten Winkel  lambda  aus einer Position herausverdreht wird, in der die horizontale Referenz des Halbleiterbarrens 40 mit derjenigen der Drahtreihe 20 übereinstimmt; damit ist die Drahtreihe 20 in horizontaler Richtung um den Winkel lambda  geneigt. 



  Der Montageblock 44 wird nun abgesenkt und beide Seiten des Waferbasis-Montagebalkens, an dem der Klebstoff angeordnet ist, wird mit dem Halbleiterbarren 40 und dem Montageblock 44 verbunden, sodass der Vorgang des Befestigens abgeschlossen ist. 



  Nun ist der Halbleiterbarren am Montageblock derart befestigt, dass der Rohbarren 40 parallel zur Drahtreihe 20 ausgerichtet ist und weiter derart, dass die Schnittebene einer vorherbestimmten Kristall-Ausrichtungsebene entspricht. 



  Wie vorstehend erwähnt, unter der Voraussetzung, dass das Spannfutter 160 verwendet wird, kann der Halbleiterbarren 40 auf einfache Weise mit dem Montageträger 42 und dem Montageblock 44 verbunden werden. 



  Nebenbei erwähnt sei, dass das Spannfutter 160 auch dazu verwendet werden kann, wenn der Halbleiterbarren 40 um einen Winkel  theta  um seine Achse rotiert wird, und zwar in Umfangsrichtung, und danach mit dem Montageblock 44 verbunden wird. 



  Wie vorstehend beschrieben worden ist, wird eine Neigevorrichtung in horizontaler und vertikaler Richtung zur Verfügung gestellt, die zur Ausrichtung des Montageblocks geeignet ist. Deshalb kann das Werkstück im Voraus in die korrekt geneigte Position gebracht werden, und zwar unter Berücksichtigung eines vorbestimmten Winkels, bevor es in die Drahtsäge eingesetzt wird. Daraus folgt, dass der Montageblock sehr einfach in die Drahtsäge eingesetzt werden kann und dass der zu bearbeitende Halbleiterbarren schnell ausgetauscht werden kann. 



  Dazu kommt, dass die Ausrichtung bezüglich der Neigung des Halbleiterbarrens ausserhalb der Schneidapparatur erfolgen kann, sodass diese Operation sicherer und einfacher durchgeführt werden kann, als wie dies auf konventionelle Weise auf erhöhter Ebene geschieht. 



  Im Weiteren kann, entsprechend den Ansprüchen 4 bis 8 der vorliegenden Erfindung, der Halbleiterbarren durch die Drahtsäge in scheibchenförmige Wafer zertrennt werden. Die Folge davon ist, dass keine Hitzekonzentration auf der einen Seite der mit Nuten versehenen Rollen stattfindet; die Halbleiterbarren können somit genauer in Scheiben geschnitten werden. 



  Es versteht sich, dass es nicht die Absicht der vorliegenden Erfindung sein kann, diese auf die zuvor beschriebenen Ausführungsformen zu beschränken. Im Gegenteil soll die Erfindung sämtliche Modifikationen, abweichende Ausführungsformen und Äquivalente umfassen, die unter den Schutzumfang der in den nachfolgenden Ansprüchen umschriebenen Erfindung fallen.

Claims (8)

1. Verfahren zur scheibchenweisen Zertrennung eines Halbleiterbarrens (40) mithilfe einer Drahtsäge (10), bei welcher ein bewegter Draht (14) um eine Mehrzahl von mit Nuten versehenen Rollen (18A, 18B, 18C) gewunden ist, um eine Drahtreihe (20) zu bilden, wobei der Halbleiterbarren (40) mittels eines Montageblocks (44) an einem Zuführtisch (38) befestigt ist, wobei der Zuführtisch (38) den Halbleiterbarren (40) derart in Richtung auf die Drahtreihe (20) hin fördert, dass der Halbleiterbarren (40) gegen die Drahtreihe (20) zur Anlage kommt, sodass der Halbleiterbarren (40) in eine Anzahl von scheibchenförmigen Wafern zertrennt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:

Vorgängig des Zertrennens wird der Halbleiterbarren (40) ausserhalb der Drahtsäge (10) in horizontaler und vertikaler Richtung und/oder in Umfangsrichtung justiert und fixiert; und der Halbleiterbarren (40) wird am Zuführtisch (38) befestigt, um den Halbleiterbarren (40) in scheibchenförmige Wafer zu zertrennen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Fixieren des Halbleiterbarrens (40) derart, dass der Halbleiterbarren (40) unter einem vorbestimmten Winkel horizontal und vertikal mit Bezug auf die Drahtreihe (20) geneigt werden kann; und Justieren des horizontalen Winkels und des vertikalen Winkels des Halbleiterbarrens (40) mithilfe des Montageblocks (44) der an dem Zuführtisch (38) befestigt ist und von diesem entfernt werden kann.

3.

Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Fixieren des Halbleiterbarrens (40) am Zuführtisch (38) in einer solchen Position, dass der Halbleiterbarren (40) parallel zur Drahtreihe (20) ausgerichtet ist und Verdrehen des Halbleiterbarrens (40) um einen vorbestimmten Winkel um eine Achse, die senkrecht zur Achse des Halbleiterbarrens (40) verläuft, und zwar mithilfe einer Neigevorrichtung, die auf dem Zuführtisch (38) angeordnet ist, um eine kristalline Orientierung des Halbleiterbarrens (40) zu finden, sodass der Halbleiterbarren (40) scheibchenweise zertrennt werden kann.

4.

Drahtsäge (10) zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bei welcher der durchlaufende Draht (14) um die mit Nuten versehenen Rollen (18A, 18B, 18C) gewunden ist, um eine Drahtreihe (20) zu bilden und bei welcher der Halbleiterbarren (40) mittels des Montageblocks (44) am Zuführtisch (38) befestigt ist, wobei der Zuführtisch (38) den Halbleiterbarren (40) gegen die Drahtreihe (20) fördert, sodass der Halbleiterbarren (40) gegen die Drahtreihe (20) zur Anlage kommt und wobei der Halbleiterbarren (40) in eine Anzahl von scheibchenförmigen Wafern zertrennt wird, dadurch gekennzeich net, dass der Montageblock (44) mit einer horizontalen Neigevorrichtung und einer vertikalen Neigevorrichtung versehen ist, um den Halbleiterbarren (40) gegenüber der Drahtreihe (20) um einen vorbestimmten Winkel zu verschwenken.

5.

Drahtsäge nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Montageblock (44) einen Befestigungsblock (60) umfasst, welcher lösbar am Zuführtisch (38) befestigt ist, dass des Weiteren ein horizontaler Schwenkblock (62) als horizontale Neigevorrichtung am Montageblock (44) derart vorgesehen ist, dass er mit Bezug auf die Drahtreihe (20) horizontal verschwenkbar ist und dass ein vertikaler Schwenkblock (64) als vertikale Neigevorrichtung derart am horizontalen Schwenkblock (62) befestigt ist, dass er mit Bezug auf die Drahtreihe (20) in vertikaler Richtung verschwenkbar ist.

6. Drahtsäge nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der vertikale Schwenkblock (64) auf einer horizontalen Oberfläche verschiebbar ist, die auf dem Befestigungsblock (60) derart ausgebildet ist, dass der vertikale Schwenkblock (64) mit Bezug auf die Drahtreihe (20) horizontal verschiebbar ist.

7.

Drahtsäge nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der vertikale Schwenkblock (64) derart auf einer bogenförmigen Oberfläche (V) des horizontalen Schwenkblocks (62) angeordnet ist, dass er mit Bezug auf die Drahtreihe (20) vertikal verschwenkbar ist.

8. Drahtsäge nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Aufnahmemittel (42) am Montageblock (44) vorgesehen ist, um den Halbleiterbarren (40) auf eine derartige Weise zu halten, dass er lösbar befestigt ist, wobei der Halbleiterbarren (40) an einer Aufnahmeplatte (98) und damit am Montageblock (44) einstellbar befestigt ist.