DE69931995T2

DE69931995T2 - Verfahren und Vorrichtung zum Abfasen einer Halbleiterplatte

Info

Publication number: DE69931995T2
Application number: DE69931995T
Authority: DE
Inventors: Ichiro Mitaka-shi Katayama; Masatami Mitaka-shi Iwaki; Kazumi Mitaka-shi Ikeda
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 1998-05-18
Filing date: 1999-05-17
Publication date: 2006-11-16
Anticipated expiration: 2019-05-18
Also published as: DE69931995D1; EP1618989A3; TW415879B; JPH11320363A; EP0958889B1; EP1618988A3; EP0958889A2; EP0958889A3; US6267648B1; EP1618988A2; EP1618989A2; US6431961B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Vorrichtung zum Abfasen eines Wafers, und genauer gesagt eine Vorrichtung zum Abfasen eines Umfangs eines Wafers.
Ein Siliziumblock wird durch eine Abstechmaschine in Wafer in Scheiben geschnitten, welche Wafer für Halbleitervorrichtungen verwendet werden. Dann wird der Umfang jedes Wafers abgefast, um zu verhindern, dass der Wafer springt, splittert usw. Der Wafer wird durch Drücken eines sich drehenden Schleifsteins gegen den Umfang des sich drehenden Wafers abgefast. Eine herkömmliche Abfasvorrichtung bewegt den Schleifstein vorwärts und rückwärts oder in vertikaler und horizontaler Richtung in Bezug auf den Wafer, um den Umfang des Wafers abzufasen.
Die herkömmliche Abfasvorrichtung hat jedoch keine ausreichende Steifigkeit, weil sich der Schleifstein während des Abfasens mit hoher Geschwindigkeit dreht und er auf einfache Weise vibriert. Daher hat die bearbeitete Oberfläche des Wafers scharfkantige Markierungen, Sprünge oder ähnliches.
Die herkömmliche Abfasvorrichtung bewegt den Wafer relativ näher zu dem Schleifstein, der sich mit der hohen Geschwindigkeit dreht (mit einer Umfangsgeschwindigkeit von 1000-3000 [m/min]). Nach einem Schleifen des Wafers um ein vorbestimmtes Ausmaß dreht die Abfasvorrichtung den Wafer langsam (mit einer Umfangsgeschwindigkeit von 0,6-3 [m/min]), um den gesamten Umfang des Wafers abzufasen. Um die Bearbeitungszeit für einen Wafer zu reduzieren, ist es nötig, die Umfangsgeschwindigkeit des Wafers zu erhöhen. Um die Umfangsgeschwindigkeit des Wafers zu erhöhen, muss die Drehzahl des Schleifsteins erhöht werden oder muss der Schleifstein ein relativ grobes Gitter haben. In dem Fall, in welchem die Drehzahl des Schleifsteins erhöht wird, vibriert der Schleifstein während eines Drehens mit hoher Geschwindigkeit, wenn ein neu angebrachter Schleifstein nicht gut ausgewuchtet ist. Dies führt zu Defekten an der bearbeiteten Oberfläche des Wafers (scharfkantige Markierungen, Sprüngen, Rissen oder ähnlichem). Andererseits schleift in dem Fall, in welchem der Schleifstein das relativ grobe Gitter hat, der Schleifstein den Wafer um ein großes Ausmaß, und somit kann der Wafer böse beschädigt werden. In Bezug auf diese Probleme wird der Durchmesser des Wafers durch Ätzen reduziert oder wird der Durchmesser durch schrittweises Abfasen des Wafers reduziert. Diese Verfahren erfordern jedoch eine lange Zeit.
US-A-5 609 514, welches Dokument als das relevanteste Dokument nach dem Stand der Technik angesehen wird, betrifft ein Wafer-Abfasverfahren, wobei ein Wafer durch einen Schleifstein abgefast wird. Zusätzlich zu dem normalen Schleifstein ist ein Kerbenbearbeitungsschleifstein vorgesehen, der kleiner als der normale Schleifstein ist.
US-A-5 185 965 betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Schleifen von Kerben von Wafern, wobei die Drehachse des Schleifsteins senkrecht zu der Drehachse des Wafers ist.
DE 87 03 250 U betrifft eine Vorrichtung zum Schleifen von Rändern. Es sind mehrere Schleifscheiben vorgesehen, um zum Schleifen von beispielsweise Glas verwendet zu werden. Dieses Dokument betrifft nicht den Prozess zum Abfasen von Wafern.
US-A-5 658 189 betrifft eine Schleifvorrichtung für einen Waferrand, wobei ein Wafer auf einem Tisch und ein Schleifstein gedreht werden, um den Wafer abzufasen, der für den Abfasprozess zum Schleifstein bewegt wird. Weiterhin gibt es eine Offenbarung eines groben und feinen Abfasens des Wafers dadurch, dass Schleifsteine unterschiedliche Korngrößen haben.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Wafer-Abfasvorrichtung zur Verfügung zu stellen, durch welche ein Wafer mit verbesserter Genauigkeit abgefast werden kann.
Diese Aufgabe wird durch eine Wafer-Abfasvorrichtung nach Anspruch 1 gelöst. Insbesondere zeigt die Wafer-Abfasvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung das Vorsehen von mehreren Schleifsteinen mit unterschiedlichen Korngrößen für einen Kerbenbearbeitungsschleifstein, wobei die mehreren Schleifsteine koaxial miteinander verbunden sind.
Die Ansprüche 2 und 3 zeigen vorteilhafte Weiterentwicklungen der Wafer-Abfasvorrichtung gemäß Anspruch 1. Insbesondere besteht der Hauptschleifstein aus mehreren Schleifsteinen mit unterschiedlichen Korngrößen, wobei die mehreren Schleifsteine koaxial miteinander verbunden sind. Weiterhin ist eine Bewegungseinrichtung zum Bewegen des Wafertischs vorgesehen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die Erfindung sowie andere Aufgaben und Vorteile von ihr werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erklärt werden, wobei gleiche Bezugszeichen dieselben oder ähnliche Teile in allen Figuren bezeichnen und wobei:
1 eine perspektivische Ansicht ist, die die gesamte Struktur einer Wafer-Abfasvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
2 eine Seitenansicht ist, die die Struktur eines ersten Bearbeitungsteils 20A in 1 zeigt;
3 eine Draufsicht ist, die die Struktur des ersten Bearbeitungsteils 20A zeigt;
4 eine Vorderansicht ist, die die Struktur einer Umfangsbearbeitungseinheit und einer Kerbenbearbeitungseinheit zeigt;
5 eine Schnittansicht entlang einer Linie 5-5 der 2 ist;
6 eine Schnittansicht entlang einer Linie 6-6 der 2 ist;
7(a) und 7(b) erklärende Zeichnungen sind, die ein Wafer-Abfasverfahren zeigen;
8(a) – 8(f) erklärende Zeichnungen sind, die ein Verfahren zum Abfasen eines Wafers mit einer Orientierungsflachstelle zeigen;
9(a) – 9(e) erklärende Zeichnungen sind, die ein Verfahren zum Abfasen eines Wafers mit einer Kerbe zeigen;
10 eine Seitenansicht ist, die einen Schleifstein zeigt;
11(a) – 11(d) erklärende Zeichnungen sind, die ein Verfahren zum Abfasen eines kreisförmigen Teils des Wafers mit der Kerbe zeigen;
12(a) – 12(d) erklärende Zeichnungen sind, die ein Verfahren zum Abfasen der Kerbe und der Kerbenecken des Wafers mit der Kerbe zeigen;
13(a) – 13(F) erklärende Zeichnungen sind, die ein Wafer-Abfasverfahren zeigen;
14 eine Kurve zur Hilfe beim Erklären eines Betriebs ist;
15 eine Kurve zur Hilfe beim Erklären eines weiteren Betriebs ist;
16 eine Vorderansicht ist, die die Struktur einer Wafer-Abfasvorrichtung zeigt;
17 eine Seitenansicht ist, die die Struktur der Wafer-Abfasvorrichtung zeigt;
18 eine Draufsicht ist, die die Struktur der Wafer-Abfasvorrichtung zeigt;
19(a) und 19(b) erklärende Zeichnungen sind, die ein Wafer-Abfasverfahren zeigen;
20 eine erklärende Zeichnung ist, die ein Wafer-Abfasverfahren zeigt;
21 eine erklärende Zeichnung ist, die ein Wafer-Abfasverfahren zeigt;
22 eine erklärende Zeichnung ist, die ein Wafer-Abfasverfahren zeigt;
23 eine erklärende Zeichnung ist, die eine Abnutzung bzw. Schleifwirkung eines Schleifsteins zeigt;
24 eine erklärende Zeichnung ist, die ein Wafer-Abfasverfahren zeigt; und
25(a) und 25(b) Schnittansichten sind, die abgefasten Wafer zeigen.
Die Erfindung wird in weiterem Detail anhand eines Beispiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden.
1 ist eine perspektivische Ansicht, die die gesamte Struktur einer Wafer-Abfasvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Wie es in 1 gezeigt ist, weist die Wafer-Abfasvorrichtung 10 Zufuhrkassettenteile 12, einen Zufuhrtransferteil 14, einen Voreinstellteil 16, einen Transferteil 18, einen ersten Bearbeitungsteil 20A, einen zweiten Bearbeitungsteil 20B, einen Reinigungsteil 22, Sammelkassettenteile 24 und einen Sammeltransferteil 26 auf.
Die Zufuhrkassettenteile 12 sind an zwei Positionen angeordnet und Zufuhrkassetten 28, die abzufasende Wafer W lagern, sind in den Zufuhrkassettenteilen 12 angeordnet.
Der Zufuhrtransferteil 14 hat einen Transferarm 30, der sich in vertikaler und horizontaler Richtung bewegen und drehen kann. Der Transferarm 30 transferiert den Wafer W von den Zufuhrkassetten 28 zu dem Voreinstellteil 16. Der Transferarm 30 transferiert auch den Wafer W nach der Voreinstellung zum Transferteil 18.
Der Voreinstellteil 16 hat einen dicken Messteil 31, der die Dicke des Wafers W misst. Gleichzeitig erfasst der Voreinstellteil 16 eine Orientierungsflachstelle bzw. Ausrichtungsebene oder eine Kerbe, die auf dem Wafer W ausgebildet ist, und richtet die Orientierungsflachstelle oder die Kerbe in einer vorbestimmten Richtung aus. Kurz gesagt führt der Voreinstellteil 16 eine Vorausrichtung durch.
Der Transferteil 18 hat einen ersten Transferarm 32A und einen zweiten Transferarm 32B, die sich in vertikaler und horizontaler Richtung bewegen können. Der erste Transferarm 32A nimmt den Wafer W von dem Transferarm 30 auf und transferiert den Wafer W zum ersten Bearbeitungsteil 20A oder zum zweiten Bearbeitungsteil 20B. Nachdem der erste Bearbeitungsteil 20A oder der zweite Bearbeitungsteil 20B ein Abfasen des Wafers W beendet, transferiert der zweite Transferarm 32B den Wafer W zum Reinigungsteil 22.
Der erste Bearbeitungsteil 20A und der zweite Bearbeitungsteil 20B fasen den Wafer W durch Drücken des Umfangs des Wafers W gegen sich drehende Schleifsteine ab. Die Struktur des ersten Bearbeitungsteils 20A und des zweiten Bearbeitungsteils 20B wird später in weiterem Detail beschrieben werden.
Der Reinigungsteil 22 ist ein Schleuderreiniger, der den abgefasten Wafer W durch Drehen des Wafers W reinigt, während Reinigungsflüssigkeit zum Wafer W zugeführt wird. Nach dem Reinigen dreht der Reinigungsteil 22 den Wafer W mit hoher Geschwindigkeit, um den Wafer W durch eine Zentrifugalkraft zu trocknen.
Die Sammelkassettenteile 24 sind bei zwei Positionen angeordnet, und die abgefasten Wafer W werden in Sammelkassetten 34 gelagert, die in den Sammelkassettenteilen 24 angeordnet sind.
Der Sammeltransferteil 26 hat einen Transferarm 36, der sich in vertikaler und horizontaler Richtung bewegen und drehen kann. Der Transferarm 36 transferiert den gereinigten Wafer W zu den Sammelkassetten 34 und lagert den Wafer W in den Sammelkassetten 34.
Die 2 und 3 sind eine Seitenansicht und eine Draufsicht, die die Struktur des ersten Bearbeitungsteils 20A zeigen. Wie es in den 2 und 3 gezeigt ist, weist der erste Bearbeitungsteil 20A eine Wafer-Zufuhreinheit 42, eine Umfangsbearbeitungseinheit 44, eine Kerbenbearbeitungseinheit 46 und eine Waferzentriereinheit 48 in 1 auf.
Die Struktur der Wafer-Zufuhreinheit 42 wird beschrieben werden.
Wie es in den 2, 3 und 5 gezeigt ist, ist ein Paar von Y-Achsen-Führungsschienen 52 unter einem vorbestimmten Abstand auf einer horizontalen Grundplatte 50 angeordnet. Ein Y-Achsen-Tisch 56 ist verschiebbar auf dem Paar von Y-Achsen-Führungsschienen 52 über lineare Y-Achsen-Führungen 54 gelagert.
Ein Mutterelement 58 ist am Boden des Y-Achsen-Tischs 56 befestigt und das Mutterelement 58 ist mit einer Y-Achsen-Kugelumlaufspindel l60 verbunden, die zwischen den Y-Achsen-Führungsschienen 52 angeordnet ist. Beide Enden der Y-Achsen-Kugelumlaufspindel 60 sind durch Lagerelemente 62 drehbar gelagert, die auf der Grundplatte 50 platziert sind. Ein Ende der Y-Achsen-Kugelumlaufspindel 60 ist mit einer Ausgangswelle eines Y-Achsen-Motors 64 verbunden, der an einem der Lagerelemente 62 angebracht ist. Ein Laufenlassen des Y-Achsen-Motors 64 dreht die Y-Achsen-Kugelumlaufspindel 60, und die Drehung der Y-Achsen-Kugelumlaufspindel 60 verschiebt den Y-Achsen-Tisch 56 entlang den Y-Achsen-Führungsschienen 52 in horizontaler Richtung. Der Y-Achsen-Tisch 56 verschiebt sich entlang der Y-Achse.
Wie es in den 2, 3 und 6 gezeigt ist, ist ein Paar von X-Achsen-Führungsschienen 66 rechtwinklig zu dem Paar von Y-Achsen-Führungsschienen 52 auf dem Y-Achsen-Tisch 56 angeordnet. Ein X-Achsen-Tisch 70 ist verschiebbar auf dem Paar von X-Führungsschienen 66 über lineare X-Achsen-Führungen 68 gelagert.
Ein Mutterelement 72 ist am Boden des X-Achsen-Tischs 70 befestigt und das Mutterelement 72 ist mit einer X-Achsen-Kugelumlaufspindel 74 verbunden, die zwischen den X-Achsen-Führungsschienen 66 angeordnet ist. Beide Enden der X-Achsen-Kugelumlaufspindel 74 sind durch ein Paar von Lagerelementen 76 drehbar gelagert, die auf dem X-Achsen-Tisch 70 platziert sind. Ein Ende der X-Achsen-Kugelumlaufspindel 74 ist mit einer Ausgangswelle eines X-Achsen-Motors 78 verbunden, der an einem der Lagerelemente 76 angebracht ist. Ein Laufenlassen des X-Achsen-Motors 78 dreht die X-Achsen-Kugelumlaufspindel 74, und die Drehung der X-Achsen-Kugelumlaufspindel 74 verschiebt den X-Achsen-Tisch 70 entlang den X-Achsen-Führungsschienen 66 in horizontaler Richtung. Der X-Achsen-Tisch 70 verschiebt sich entlang der X-Achse.
Wie es in den 2 und 3 gezeigt ist, steht eine Z-Achsen-Basis 80 in vertikaler Richtung auf dem X-Achsen-Tisch 70. Ein Paar von Z-Achsen-Führungsschienen 82 ist unter einem vorbestimmten Abstand auf der Z-Achsen-Basis 80 angeordnet ist. Ein Z-Achsen-Tisch 86 ist durch das Paar von Z-Achsen-Führungsschienen 82 über lineare Z-Achsen-Führungen 84 verschiebbar gelagert.
Ein Mutterelement 88 ist an der Seite des Z-Achsen-Tischs 86 befestigt und das Mutterelement 88 ist mit einer Z-Achsen-Kugelumlaufspindel 90 verbunden, die zwischen den Z-Achsen-Führungsschienen 82 angeordnet ist. Beide Enden der Z-Achsen-Kugelumlaufspindel 90 sind durch ein Paar von Lagerelementen 82 drehbar gelagert, die auf der Z-Achsen-Basis 80 platziert sind. Das Bodenende der Z-Achsen-Kugelumlaufspindel 90 ist mit einer Ausgangswelle eines Z-Achsen-Motors 94 verbunden, der an dem unteren Lagerelement 92 angebracht ist. Ein Laufenlassen des Z-Achsen-Motors 94 dreht die Z-Achsen-Kugelumlaufspindel 90, und die Drehung der Z-Achsen-Kugelumlaufspindel 90 verschiebt den Z-Achsen-Tisch 86 entlang den Z-Achsen-Führungsschienen 82 in vertikaler Richtung. Der Z-Achsen-Tisch 86 verschiebt sich entlang der Z-Achse.
Ein θ-Achsen-Motor 96 ist in vertikaler Richtung auf dem Z-Achsen-Tisch 86 platziert. Eine θ-Achsen-Welle 98 ist mit einer Ausgangswelle des θ-Achsen-Motors 96 verbunden und ein Wafertisch 100 ist in horizontaler Richtung am obersten Ende der θ-Achsen-Welle 98 befestigt. Der abzufasende Wafer W ist auf dem Wafertisch 100 positioniert und wird durch Saugen darauf gehalten. Ein Laufenlassen des θ-Achsen-Motors 96 dreht den Wafer W um die θ-Achse.
In der Wafer-Zufuhreinheit 42 verschiebt ein Laufenlassen des Y-Achsen-Motors 64 den Wafertisch 100, der den Wafer W hält, in horizontaler Richtung entlang der Y-Achse. Und ein Laufenlassen des X-Achsen-Motors 78 verschiebt den Wafertisch 100 in horizontaler Richtung entlang der X-Achse. Ein Laufenlassen des Z-Achsen-Motors 94 verschiebt den Wafertisch 100 in vertikaler Richtung entlang der Z-Achse und ein Laufenlassen des θ-Achsen-Motors 96 dreht den Wafertisch 100 um die θ-Achse.
Eine Beschreibung der Struktur der Umfangsbearbeitungseinheit 44 wird angegeben werden. Wie es in den 2 – 4 gezeigt ist, ist eine Basis 102 in vertikaler Richtung auf der Grundplatte 50 platziert. Ein Umfangsmotor 104 ist in vertikaler Richtung auf der Basis 102 platziert und eine Umfangsspindel 106 ist mit einer Ausgangswelle des Umfangsmotors 104 verbunden. Ein Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zum Abfasen des Umfangs des Wafers W ist an der Umfangsspindel 106 montiert. Ein Laufenlassen des Umfangsmotors 104 dreht den Umfangsbearbeitungsschleifstein 108.
Der Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 besteht aus einem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung eines Umfangs und einem Schleifstein 108B zur Feinbearbeitung eines Umfangs, die koaxial verbunden sind, um dadurch aufeinander folgend die Grobbearbeitung und die Feinbearbeitung durchzuführen. Die Schleifsteine 108A & 108B sind die so genannten "ausgebildeten Schleifsteine", und Nuten 108a & 108b sind jeweils an den Umfängen der Schleifsteine 108A & 108B ausgebildet. Die Nuten 108a & 108b sind in einer erwünschten abgefasten Form des Wafers W ausgebildet. Somit wird der Umfang des Wafers W nur gegen die Nuten 108a & 108b gedrückt, um abgefast zu werden.
Eine gerade Linie, die durch ein Drehzentrum O des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 verläuft und parallel zu den Y-Achsen-Führungsschienen 52 ist, ist als "die Y-Achse" definiert; und eine gerade Linie, die durch das Drehzentrum O des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 verläuft und parallel zu den X-Achsen-Führungsschienen 66 ist, ist als "die X-Achse" definiert. Die Drehachse des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 ist als "die Z-Achse" definiert.
Eine Beschreibung der Struktur der Kerbenbearbeitungseinheit 46 wird angegeben werden. Wie es in den 2 – 4 gezeigt ist, ist eine Stütze 110 in vertikaler Richtung auf der Seite der Basis 102 entlang der Drehwelle des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 angeordnet. Das Bodenende der Stütze 110 ist auf der Seite der Basis 102 gelagert. Ein horizontaler Balken 110A ist integriert am obersten Ende der Stütze 110 ausgebildet. Ein Paar von Lagerelementen 112 ist am Ende des Balkens 110A angeordnet. Ein Arm 116 ist durch das Paar von Lagerelementen 112 durch einen Stift 114 schwenkbar gelagert.
Ein Kerbenmotor 118 ist am Ende des schwenkbaren Arms 116 gelagert und eine Kerbenspindel 120 ist mit einer Ausgangswelle des Kerbenmotors 118 verbunden. Ein Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 zum Abfasen der am Wafer W ausgebildeten Kerbe ist an der Kerbenspindel 120 angebracht. Ein Laufenlassen des Kerbenmotors 118 dreht den Kerbenbearbeitungsschleifstein 122.
Eine Verriegelungseinrichtung (nicht gezeigt) verriegelt den Arm 116. Wenn der Arm 116 von der Verriegelung entlastet wird, wird der Arm 116 schwenkbar. Im verriegelten Zustand wird der Arm 116 in horizontaler Richtung gehalten, wie es in den 3 & 4 gezeigt ist und der Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 ist auf der Y-Achse positioniert, wie es in 3 gezeigt ist.
Obwohl es nicht detailliert gezeigt ist, besteht der Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 aus einem Schleifstein 122A zur Grobbearbeitung von Kerben und einem Schleifstein 122B zur Feinbearbeitung von Kerben, die koaxial verbunden sind. Nuten mit einer erwünschten Abfasform des Wafers W sind an den Umfängen der Schleifsteine 122A & 122B ausgebildet (nicht gezeigt).
Nun wird eine Beschreibung der Struktur der Wafer-Zentriereinheit 48 angegeben werden. Wie es in 1 gezeigt ist, ist die Wafer-Zentriereinheit 48 über dem Wafertisch 100 angeordnet, und ein Hebemechanismus (nicht gezeigt) bewegt die Wafer-Zentriereinheit 48 in vertikaler Richtung. Es gibt zwei Arten der Wafer- Zentriereinheit 48 für einen Wafer W mit einer Kerbe und einen Wafer W mit einer Orientierungsflachstelle. Sie werden gemäß der Art des Wafers W ausgetauscht.
Die Zentriereinheit 48 für den Wafer W mit der Kerbe (die Zentriereinheit 48, die bei dem ersten Bearbeitungsteil 20A in 1 angebracht ist) hat zwei Andruckrollen 124A und ein Positionierstück 126A. Eine Bewegungseinrichtung (nicht gezeigt) bewegt die Andruckrollen 124A und das Positionierstück 126A, so dass sie sich näher zueinander oder weiter weg voneinander bewegen können. Die Andruckrollen 124A und das Positionierstück 126A drücken an den Wafer W, um den Wafer W zu zentrieren. Das Positionierstück 126A ist in der Kerbe eingepasst, die im Wafer W ausgebildet ist, um die Kerbe bei einer vorbestimmten Position zu positionieren.
Andererseits hat die Zentriereinheit 48 für den Wafer mit der Orientierungsflachstelle (die Zentriereinheit 48, die bei dem zweiten Bearbeitungsteil 20B in 1 angebracht ist) zwei Andruckrollen 124B und zwei Positionierstücke 126B. Eine Bewegungseinrichtung (nicht gezeigt) bewegt die zwei Andruckrollen 124B und die zwei Positionierstücke 126B, so dass sie sich näher zueinander oder weiter weg voneinander bewegen können. Die Andruckrollen 124B und die Positionierstücke 126B drücken den Wafer W, um den Wafer W zu zentrieren. Die Positionierstücke 126B gelangen in Kontakt mit der Orientierungsflachstelle des Wafers W, um die Orientierungsflachstelle bei einer vorbestimmten Position zu positionieren.
Wenn die Wafer-Zentriereinheit 48 den Wafer W vom ersten Transferarm 32A aufnimmt, entspricht die Position der Kerbe oder der Orientierungsflachstelle der Position des (der) Positionierstücks(e) 126A oder 126B, da der Wafer W bei dem Voreinstellteil 16 bereits vorausgerichtet worden ist. Somit gelangt durch Drücken des Wafers W, der durch den ersten Transferarm 32A transferiert ist, wie er ist, das Positionierstück 126A in die Kerbe des Wafers W oder gelangen die Positionierstücke 126B in Kontakt mit der Orientierungsflachstelle des Wafers W, so dass der Wafer W automatisch positioniert werden kann.
In 1 ist der Annehmlichkeit halber die Zentriereinheit 48 für den Wafer W mit der Kerbe bei dem ersten Bearbeitungsteil 20A angebracht und ist die Zentriereinheit 48 für den Wafer W mit der Orientierungsflachstelle bei dem zweiten Bearbeitungsteil 20B angebracht. Tatsächlich jedoch können die Zentriereinheiten 48 vom selben Typ gemäß dem Typ des Wafers W an sowohl dem ersten Bearbeitungsteil 20A als auch dem z weiten Bearbeitungsteil 20B angebracht sein.
Der zweite Bearbeitungsteil 20B ist auf dieselbe Weise wie der erste Bearbeitungsteil 20A aufgebaut und wird somit nicht erklärt werden.
Nun wird eine Beschreibung des Betriebs des Ausführungsbeispiels der Wafer-Abfasvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Erfindung angegeben werden.
Eine Beschreibung des Ablaufs der Verarbeitung für den Wafer W wird angegeben werden. Ein Bediener legt die Zufuhrkassetten 28, die eine Anzahl von abzufasenden Wafern W lagern, bei den Zufuhrkassettenteilen 12 ein. Dann legt der Bediener die Sammelkassetten 34 zum Sammeln der abgefasten Wafer W bei den Sammelkassettenteilen 24 ein. Nach einem Einlegen der Kassetten 28 & 34 beginnt der Bediener ein Bedienen der Vorrichtung.
Der Transferarm 30 nimmt den ersten Wafer W aus der Zufuhrkassette 28 auf, die bei einem der Zufuhrkassettenteile 12 eingelegt ist. Der Transferarm 30 transferiert den Wafer W zum Voreinstellteil 16. Der Voreinstellteil 16 misst die Dicke des transferierten Wafers W und führt die Vorausrichtung für den Wafer W durch.
Nach der Vorausrichtung transferiert der Transferarm 30 den Wafer W vom Voreinstellteil 16 zu einer vorbestimmten Ausgabeposition. Der Wafer W wird zu dem ersten Transferarm 32A des Transferteils 18 geliefert bzw. ausgegeben, der bei der Ausgabeposition angeordnet ist. Der erste Transferarm 32A transferiert den Wafer W zum ersten Bearbeitungsteil 20A oder zum zweiten Bearbeitungsteil 20B. Der erste Transferarm 32A wählt einen Bearbeitungsteil aus, der keinen Wafer bearbeitet, und transferiert den Wafer W zu dem ausgewählten Bearbeitungsteil. Dann fast der erste Bearbeitungsteil 20A oder der zweite Bearbeitungsteil 20B den Umfang des transferierten Wafers W ab.
Nach dem Abfasen transferiert der zweite Transferarm 32B den Wafer W zum Reinigungsteil 22. Der Reinigungsteil 22 eliminiert die Schmutzablagerung, die während der Bearbeitung an den Wafer W geklebt wird.
Nach der Reinigung nimmt der Transferarm 36 des Sammeltransferteils 26 den Wafer W von dem Reinigungsteil 22 auf und lagert den Wafer W in einer der Sammelkassetten 34 der Sammelkassettenteile 24.
Die Wafer W werden einzeln in den Sammelkassetten 34 gelagert, und dann, wenn alle Wafer W in den Sammelkassetten 34 gelagert sind, ist eine Ablauffolge von Abfasschritten beendet.
Nun wird eine Beschreibung des Verfahrens zum Abfasen des Wafers W bei dem ersten Bearbeitungsteil 20A (oder dem zweiten Bearbeitungsteil 20B) angegeben werden.
Der erste Bearbeitungsteil 20A kann sowohl den Wafer W mit der Orientierungsflachstelle als auch den Wafer W mit der Kerbe bearbeiten.
Eine Beschreibung des Verfahrens zum Abfasen des Wafers W mit der Orientierungsflachstelle wird angegeben werden.
Nachdem der erste Transferarm 32A des Transferteils 18 den Wafer W zum ersten Bearbeitungsteil 20A transferiert, wird der Wafer W zuerst zu der Wafer-Zentriereinheit 48 (für den Wafer W mit der Orientierungsflachstelle) geliefert. Die Wafer-Zentriereinheit 48 drückt den Wafer W mit den zwei Andruckrollen 124B und den zwei Positionierstücken 126B, um den Wafer W vom ersten Transferarm 32A aufzunehmen. Dann zentriert und positioniert die Wafer-Zentriereinheit 48 den aufgenommenen Wafer W.
Die Wafer-Zentriereinheit 48 bewegt sich um ein vorbestimmtes Maß nach unten und platziert den Wafer W auf dem Wafertisch 100, der bei einer vorbestimmten Wafer-Aufnahmeposition angeordnet ist. Dann gibt die Wafer-Zentriereinheit 48 den Wafer W frei und bewegt sich um ein vorbestimmtes Maß zu der Position nach oben, wo sie den Wafer W von dem Transferarm 32 aufnahm.
Der Wafertisch 100 hält den Wafer W durch Saugen darauf. Dann bewegt sich der Wafertisch 100 um ein vorbestimmtes Maß nach unten.
Wie es in 7(a) gezeigt ist, wird der Wafer W auf dem Wafertisch 100 auf eine solche Weise gehalten, dass das Zentrum O_w des Wafers W auf der Drehachse θ des Wafertischs 100 ist und die Orientierungsflachstelle OF des Wafers W parallel zu der X-Achse ist. Wie es in 7(b) gezeigt ist, bewegt sich der Wafertisch 100 um ein vorbestimmtes Maß von der Wafer-Aufnahmeposition nach unten, so dass der Wafer W auf derselben Höhe wie die Nut 108a des Schleifsteins 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs positioniert werden kann. Die Position des Wafers W zu diesem Zeitpunkt wird hierin nachfolgend "Referenzposition für ein grobes Abfasen" bezeichnet werden.
Wenn der auf dem Wafertisch 100 gehaltene Wafer W die Referenzposition für ein grobes Abfasen erreicht, wird das Abfasen begonnen. Zuerst wird das grobe Abfasen durchgeführt.
Die 8(a) – 8(f) zeigen die Prozedur zum Abfasen des Wafers W mit der Orientierungsflachstelle bzw. Ausrichtungsebene. Hierin nachfolgend wird eine Beschreibung des Verfahrens zum Abfasen des Wafers W mit der Orientierungsflachstelle unter Bezugnahme auf die 8(a) – 8(f) angegeben werden.
Der Umfangsmotor 104 wird betrieben, um den Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zu drehen. Gleichzeitig wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W in Richtung zu dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt, und ein kreisförmiger Teil C des Wafers W in Kontakt mit der Nut 108a des Schleifsteins 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs gelangt. Dann wird der θ-Achsen-Motor 96 betrieben, um ein Drehen des Wafers W um die θ-Achse zu beginnen. Somit wird der kreisförmige Teil C des Wafers W grob abgefast, wie es in 8(a) gezeigt ist.
Aufgrund der Drehung des Wafers W gelangt eine erste Orientierungsflachstellenecke OR₁ des Wafers W in Kontakt mit dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs, wie es in 8(b) gezeigt ist. Zu dieser Zeit werden der θ-Achsen-Motor 96, der X-Achsen-Motor 78 und der Y-Achsen-Motor 64 gleichzeitig betrieben, um den Wafer W um die θ-Achse zu drehen und um den Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse zu bewegen, wie es in 8(c) gezeigt ist. Demgemäß bewegt sich der Wafer W auf eine derartige Weise, dass die erste Orientierungsflachstellenecke OR₁ immer in Knotakt mit dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs ist. Somit fast der Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs die erste Orientierungsflachstellenecke OR₁ grob ab.
Nach dem Abfasen der ersten Orientierungsflachstellenecke OR₁ wird die Orientierungsflachstelle OF des Wafers W parallel zu der X-Achse, wie es in 8(c) durch eine durchgezogene Linie angezeigt ist. Dann wird der X-Achsen-Motor 78 betrieben, um den Wafer W entlang der X-Achse zuzuführen, wie es in 8(d) gezeigt ist. Somit wird die Orientierungsflachstelle OF des Wafers W grob abgefast.
Wenn das Abfasen der Orientierungsflachstelle OF beendet ist, gelangt eine zweite Orientierungsflachstellenecke OR₂ des Wafers W in Kontakt mit dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs, wie es in 8(e) gezeigt ist. Zu diesem Zeitpunkt werden der θ-Achsen-Motor 96, der X-Achsen-Motor 78 und der Y-Achsen-Motor 64 gleichzeitig betrieben, um den Wafer W um die θ-Achse zu drehen und um den Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse zu bewegen. Der Wafer W bewegt sich auf eine derartige Weise, dass die zweite Orientierungsflachstellenecke OR₂ immer in Kontakt mit dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs ist. Somit fast der Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs die zweite Orientierungsflachstellenecke OR₂ grob ab.
Nach dem Abfasen der zweiten Orientierungsflachstellenecke OR₂ wird die Achse des Wafers W auf der Y-Achse positioniert, wie es in 8(f) durch eine gestrichelte Linie angezeigt ist. Dann wird der θ-Achsen-Motor 6 betrieben, um den Wafer W um die θ-Achse zu drehen. Somit wird der kreisförmige Teil C des Wafers W abgefast.
Die Drehung des Wafers W um die θ-Achse bringt den Wafer W nach einer Drehung zu der Abfas-Startposition (der Position, wo der Wafer W zum ersten Mal in Kontakt mit dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs gelangt) zurück. Die oben beschriebene Ablauffolge von Abfasschritten wird wiederholt, um den gesamten Umfang des Wafers W grob abzufasen.
Wenn das grobe Abfasen nach einem Wiederholen der Ablauffolge für eine Vielzahl von Malen beendet ist, stoppt der Wafer W bei der Abfas-Startposition ein Drehen. Darauf folgend bewegt sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß weg von dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs, um zur Referenzposition für ein grobes Abfasen zurückzukehren.
Wenn der Wafer W zu der Referenzposition für ein grobes Abfasen zurückkehrt, wird der Z-Achsen-Motor 94 betrieben, um den Wafertisch 100 um ein vorbestimmtes Maß nach oben zu bewegen, so dass der auf dem Wafertisch 100 gehaltene Wafer W auf derselben Höhe wie die Nut 108b des Schleifsteins 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs positioniert wird. Die Position des Wafers W zu dieser Zeit wird hierin nachfolgend als die "Referenzposition für eine Endabfasung" bezeichnet werden.
Dann wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W entlang der Y-Achse in Richtung zu dem Schleifstein 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt, und der kreisförmige Teil C des Wafers W in Kontakt mit der Nut 108b des Schleifsteins 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs gelangt. Dann wird der θ-Achsen-Motor 96 betrieben, um ein Drehen des Wafers W um die θ-Achse zu beginnen.
Darauf folgend werden der kreisförmige Teil C, die Orientierungsflachstellenecken OR und die Orientierungsflachstelle OF des Wafers W durch Steuern der Drehung des Wafers W um die θ-Achse und der Bewegung des Wafers W entlang der X-Achse und der Y-Achse auf dieselbe Weise wie bei der groben Abfasung fein abgefast.
Nach der Endabfasung stoppt der Wafer W ein Drehen bei der Startposition für eine Endabfasung (der Position, wo der Wafer W zum ersten Mal in Kontakt mit dem Schleifstein 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs gelangt). Dann bewegt sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß weg von dem Schleifstein 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs, um zu der Referenzposition für eine Endabfasung zurückzukehren, und wird der Umfangsmotor 104 gestoppt, um die Drehung des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 zu stoppen.
Wenn der Wafer W zu der Referenzposition zur Endabfasung zurückkehrt, bewegt sich der Wafertisch 100 um ein vorbestimmtes Maß entlang der Z-Achse nach oben, bis er die Waferaufnahmeposition erreicht. Dann bewegt sich der zweite Transferarm 32B des Transferteils 18 über dem Wafertisch 100 um ein vorbestimmtes Maß nach unten. Nachdem der Wafertisch 100 den Wafer W von dem Saugen entlastet, nimmt der Transferarm 32B den Wafer W vom Wafertisch 100 auf und transferiert den Wafer W zum Reinigungsteil 22.
Somit werden die grobe Abfasung und die Endabfasung für einen Wafer W beendet.
Nun wird eine Beschreibung des Verfahrens zum Abfasen des Wafers W mit der Kerbe angegeben werden. Die Schritte vor dem Beginn eines Abfasens, anders ausgedrückt die Schritte, bevor der Wafer W auf dem Wafertisch 100 durch Saugen positioniert und gehalten wird und bei der vorbestimmten Referenzposition für ein grobes Abfasen positioniert wird, sind dieselben wie die Schritte in dem Fall des Wafers W mit der Orientierungsflachstelle. Somit wird eine Beschreibung der Schritte ab dem Start eines Abfasens angegeben werden.
Die 9(a) – 9(e) zeigen die Prozedur zum Abfasen des Wafers W mit der Kerbe. Der kreisförmige Teil C des Wafers W wird zuerst grob abgefast. Wenn der Wafer W die vorbestimmte Referenzposition für ein grobes Abfasen erreicht, wird der Umfangsmotor 104 betrieben, um den Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zu drehen. Gleichzeitig wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W entlang der Y-Achse in Richtung zu dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um den vorbestimmten Abstand bewegt und der kreisförmige Teil C des Wafers W in Kontakt mit der Nut 108a des Schleifsteins 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs gelangt. Dann wird der θ-Achsen-Motor 96 betrieben, um den Wafer W um die θ-Achse zu drehen. Somit wird der kreisförmige Teil C des Wafers W grob abgefast, wie es in den 9(a) und 9(b) gezeigt ist.
Der Wafer W wird eine vorbestimmte Anzahl von Malen um die θ-Achse gedreht. Nach den Drehungen wird der θ-Achsen-Motor 96 gestoppt und ist die grobe Abfasung für den kreisförmigen Teil C des Wafers W beendet. Der Wafer W stoppt bei der Abfas-Startposition (der Position, wo der Wafer W zum ersten Mal in Kontakt mit dem Schleifstein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs gelangt). Dann bewegt sich der Wafer W um das vorbestimmte Maß weg von dem Schleif stein 108A zur Grobbearbeitung des Umfangs, um zu der Referenzposition zur groben Abfasung zurückzukehren.
Somit ist das grobe Abfasen für den kreisförmigen Teil C des Wafers W beendet. Dann wird das Endabfasen für den kreisförmigen Teil C des Wafers W begonnen.
Wenn der Wafer W zu der Referenzposition für ein grobes Abfasen zurückkehrt, wird der Z-Achsen-Motor 94 betrieben, um den Wafer W um das vorbestimmte Maß nach oben zu bewegen, so dass der auf dem Wafertisch 100 gehaltene Wafer W auf derselben Höhe wie die Nut 108b des Schleifsteins 108B für eine Feinbearbeitung des Umfangs positioniert wird (der Referenzposition für eine Endabfasung).
Dann wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W entlang der Y-Achse in Richtung zu dem Schleifstein 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt und der kreisförmige Teil C des Wafers W in Kontakt mit der Nut 108b des Schleifsteins 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs gelangt. Dann wird der θ-Achsen-Motor 96 betrieben, um den Wafer W um die θ-Achse zu drehen. Somit wird der kreisförmige Teil C des Wafers W durch das Drehen des Schleifsteins 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs fein abgefast, wie es in den 9(a) und 9(b) gezeigt ist.
Der Wafer W wird für eine vorbestimmte Anzahl von Malen gedreht, und dann wird der θ-Achsen-Motor 96 gestoppt, um die Endabfasung für den kreisförmigen Teil C des Wafers W zu beenden. Der Wafer W stoppt ein Drehen bei der Startposition für eine Endabfasung (der Position, wo der Wafer W zum ersten Mal in Kontakt mit dem Schleifstein 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs gelangt). Dann bewegt sich der Wafer W entlang der Y-Achse um das vorbestimmte Maß weg von dem Schleifstein 108B zur Feinbearbeitung des Umfangs, um zu der Referenzposition zur Endabfasung zurückzukehren und wird der Umfangsmotor 104 gestoppt, um die Drehung des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 zu stoppen.
Somit ist die Endabfasung für den kreisförmigen Teil C des Wafers W beendet. Dann wird das grobe Abfasen für die Kerbe NO des Wafers W begonnen.
Der Z-Achsen-Motor 94 wird betrieben, um den Wafertisch 100 um ein vorbestimmtes Maß nach oben zu bewegen, so dass der auf dem Wafertisch 100 gehaltene Wafer W auf derselben Höhe wie die Nut des Kerben-Grobbearbeitungsschleifsteins 122A positioniert. Dann wird der θ-Achsen-Motor 96 betrieben, um den Wafer W um 180° zu drehen. Daher wird die Kerbe NO gegenüber dem Kerben-Bearbeitungsschleifstein 122 positioniert. Dann wird der X-Achsen-Motor 78 betrieben, um den Wafer W entlang der X-Achse um ein vorbestimmtes Maß zu bewegen. Dies führt dazu, dass sich die Kerbe NO entlang der X-Achse um ein vorbestimmtes Maß in Richtung zu dem Kerben-Grobbearbeitungsschleifstein 122A verschiebt. Die Position des Wafers W zu dieser Zeit wird hierin nachfolgend "Referenzposition für ein grobes Abfasen einer Kerbe" genannt werden.
Dann wird der Kerbenmotor 118 betrieben, um ein Drehen des Kerben-Bearbeitungsschleifsteins 122 zu beginnen. Gleichzeitig wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W entlang der Y-Achse in Richtung zu dem Kerben-Grobbearbeitungsschleifstein 122A zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß bewegt wird und eine erste Kerbenecke NR₁ des Wafers W in Kontakt mit einer Nut (nicht gezeigt) des Kerben-Grobbearbeitungsschleifsteins 122A gelangt, wie es in 9(c) gezeigt ist. Dann wird der Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse bewegt, so dass die erste Kerbenecke NR₁ abgefast werden kann. Spezifischer wird der Wafer W auf derartige Weise bewegt, dass die erste Kerbenecke NR₁ immer in Kontakt mit dem Kerben-Bearbeitungsschleifstein 122 ist. Somit wird die erste Kerbenecke NR₁ des Wafers W durch den Kerben-Grobbearbeitungsschleifstein 122A grob abgefast.
Nach dem groben Abfasen für die erste Kerbenecke NR₁ wird der Wafer W kontinuierlich entlang der X-Achse und der Y-Achse bewegt, so dass die Kerbe NO abgefast werden kann. Spezifischer wird der Wafer W so bewegt, dass die Kerbe NO immer in Kontakt mit dem Kerben-Grobbearbeitungsschleifstein 122A sein kann, wie es in 9(d) gezeigt ist. In 9(d) bewegt sich der Wafer W auf eine solche Weise, wie zum Beschreiben des Buchstabens V, da die Kerbe NO V-förmig ist.
Nach dem Abfasen für die Kerbe NO gelangt eine zweite Kerbenecke NR₂ des Wafers W in Kontakt mit dem Kerben-Grobbearbeitungsschleifstein 122A, wie es in 9(e) gezeigt ist. Dann wird die zweite Kerbenecke NR₂ kontinuierlich abgefast. Spezifischer wird der Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse so bewegt, dass die zweite Kerbenecke NR₂ immer in Kontakt mit dem Kerben-Grobbearbeitungsschleifstein 122A sein kann. Somit wird die zweite Kerbenecke NR₂ des Wafers W grob abgefast.
Nach dem Abfasen der zweiten Kerbenecke NR₂ stoppt der Wafer W temporär ein Bewegen. Dann wird das Abfasen in umgekehrter Richtung für die zweite Kerbenecke NR₂, die Kerbe NO und die erste Kerbenecke NR₁ durchgeführt.
Die oben beschriebenen Schritte werden mehrere Male wiederholt und das grobe Abfasen der Kerbe NO und der Kerbenecken NR wird beendet.
Nach dem groben Abfasen für die Kerbe NO stoppt der Wafer W bei der Startposition für ein Abfasen einer Kerbe, wie es in 9(c) angezeigt ist. Dann bewegt sich der Wafer W entlang der Y-Achse weg von dem Kerben-Bearbeitungsschleifstein 122, um zu der Referenzposition für ein grobes Abfasen einer Kerbe zurückzukehren.
Somit ist das grobe Abfasen für die Kerbe NO und die Kerbenecken NR des Wafers W beendet. Dann wird das Endabfasen für die Kerbe NO und die Kerbenecken NR des Wafers W begonnen.
Der Z-Achsen-Motor 94 wird betrieben, um den Wafertisch 100 um ein vorbestimmtes Maß nach oben zu bewegen, so dass der Wafer W auf dem Wafertisch auf derselben Höhe wie die Nut des Kerben-Feinbearbeitungsschleifsteins 122B positioniert ist. Die Position des Wafers W zu dieser Zeit wird hierin nachfolgend die "Referenzposition für eine Endabfasung einer Kerbe" genannt werden.
Dann wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W entlang der Y-Achse in Richtung zu dem Kerben-Feinbearbeitungsschleifstein 122B zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß bewegt und die Kerbenecke NR des Wafers W in Kontakt mit der Nut (nicht gezeigt) des Kerben-Feinbearbeitungsschleifsteins 122B gelangt, wie es in 9(c) gezeigt ist. Darauf folgend werden die Kerbe NO und die Kerbenecken NR durch Steuern der Bewegung des Wafers W entlang der X-Achse und der Y-Achse auf dieselbe Weise wie bei der groben Abfasung fein abgefast.
Nach der Endabfasung des Wafers W stoppt der Wafer W ein Drehen bei der Startposition für ein Abfasen einer Kerbe, die in 9(c) angezeigt ist. Dann bewegt sich der Wafer W entlang der Y-Achse um ein vorbestimmtes Maß weg von dem Kerben-Feinbearbeitungsschleifstein 122B um zu der Referenzposition für eine Endabfasung einer Kerbe zurückzukehren, und wird der Kerbenmotor 118 gestoppt, um die Drehung des Kerben-Bearbeitungsschleifsteins 122 zu stoppen.
Wenn der Wafer W zu der Referenzposition für eine Endabfasung einer Kerbe zurückkehrt, bewegt sich der Wafertisch 100 auf der X-Achse um ein vorbestimmtes Maß und bewegt sich entlang der Z-Achse um ein vorbestimmtes Maß nach oben, so dass er bei der Waferaufnahmeposition positioniert werden kann. Dann bewegt sich der zweite Transferarm 32B des Transferteils 18 über dem Wafertisch 100 um das vorbestimmte Maß nach unten. Nachdem der Wafertisch 100 den Wafer W von dem Saugen entlastet, nimmt der zweite Transferarm 32B den Wafer W von dem Wafertisch 100 auf. Der zweite Transferarm 32B transferiert den Wafer W zum Reinigungsteil 22.
Somit sind das grobe Abfasen und die Endabfasung für den kreisförmigen Teil C, die Kerbe NO und die Kerbenecken NR beendet.
Gemäß der Wafer-Abfasvorrichtung 10 wird der Wafer um die θ-Achse gedreht und entlang der drei Achsen X, Y und Z bewegt, so dass der Umfang des Wafers W abgefast werden kann. Andererseits wird nur der Schleifstein gedreht. Es ist daher möglich, die Steifigkeit der Umfangsbearbeitungseinheit 44 und der Kerbenbearbeitungseinheit 46 sicherzustellen und die Vibrationen zu verhindern, selbst dann, wenn der Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 oder der Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 mit hoher Geschwindigkeit gedreht wird. Folglich kann der Wafer W genau abgefast werden.
Darüber hinaus können der Wafer W und die Schleifsteine mit hohen Geschwindigkeiten gedreht werden, ohne die Genauigkeit des Abfasens zu erniedrigen, und dies verbessert die Schleifeffizienz.
Zusätzlich ist es im Vergleich mit der herkömmlichen Vorrichtung, die den schwergewichtigen Schleifstein bewegt, einfacher, die relativen Positionen des Wafers W und des Schleifsteins einzustellen, da der Wafer W bewegt werden kann. Dies verbessert die Positioniergenauigkeit des Wafers W und der Nuten jedes Schleifsteins und verbessert die Bearbeitungsgenauigkeit.
Weiterhin wird dann, wenn die Orientierungsflachstelle OF oder die Kerbe NO des Wafers W abgefast wird, der Wafer W in gerader Richtung bewegt, so dass die Orientierungsflachstelle OF oder die Kerbe NO immer in Kontakt mit dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 sein kann. Daher kann der Wafer W mit hoher Geradlinigkeit abgefast werden. Gleichermaßen wird dann, wenn die Orientierungsflachstellenecken OR oder die Kerbenecken NR abgefast werden, der Wafer W so bewegt, dass die Orientierungsflachstellenecken OR oder die Kerbenecken NR immer in Kontakt mit dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 sein können. Somit ist es einfach, den Wafer W mit hoher Geradlinigkeit abzufasen.
Hier wird der gesamte Umfang des Wafers W mit der Orientierungsflachstelle kontinuierlich abgefast; aber es ist auch möglich, den Teil des Wafers W separat abzufasen. Beispielsweise wird zuerst nur der kreisförmige Teil C des Wafers W abgefast, wird dann die Orientierungsflachstelle OF abgefast und werden schließlich die Orientierungsflachstellenecken OR abgefast.
Die Bearbeitungsreihenfolge ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann die Orientierungsflachstelle OF zuerst abgefast werden, können dann die Orientierungsflachstellenecken OR abgefast werden und kann schließlich der kreisförmige Teil C abgefast werden. In dem Fall des Wafers mit der Kerbe können die Kerbe NO und die Kerbenecken NR zuerst abgefast werden und kann dann der kreisförmige Teil C abgefast werden.
Bei der Wafer-Abfasvorrichtung 10 werden die Grobbearbeitungsschleifsteine und die Feinbearbeitungsschleifsteine, die koaxial verbunden sind, zum Durchführen des groben Abfasens und der Endabfasung in einer Abfasoperation verwendet. Jedoch ist es auch möglich, nur den Grobbearbeitungsschleifstein oder nur den Feinbearbeitungsschleifstein zu verwenden. In diesem Fall wird die Vorrichtung nur für die grobe Bearbeitung oder die feine Bearbeitung verwendet.
Zwei Typen von Schleifsteinen werden verwendet, aber es ist auch möglich, eine Vielzahl von Schleifsteinen anzuschließen, die bezüglich der Korngröße unterschiedlich sind, um dadurch den Wafer Schritt für Schritt abzufasen. Hier hat jeder Schleifstein nur eine Nut, aber es auch möglich, Schleifsteine mit einer Vielzahl von Nuten zu verwenden.
Ausgebildete bzw. geformte Schleifsteine werden verwendet, aber es ist auch möglich, einen Schleifstein 130 mit trapezförmigen Nuten 130A an seinem Umfang zu verwenden, wie es in 10 gezeigt ist. In 10 wird einer des oberen und des unteren Rands des Wafers W gegen eine sich neigende Oberfläche 130a der Nuten 130A gedrückt, so dass der Wafer W auf einer Rand-für-Rand-Basis abgefast wird.
Eine Beschreibung eines Wafer-Abfasverfahrens wird angegeben werden. Die Wafer-Abfasvorrichtung 10 wird bei diesem Verfahren verwendet. Der Annehmlichkeit halber wird nur der Schritt zum Abfasen des Wafers W bei dem ersten Bearbeitungsteil 20A erklärt werden, wohingegen Erklärungen des Zufuhrschritts, des Reinigungsschritts, etc. weggelassen werden.
Bei einem Anfangszustand vor dem Beginn einer Bearbeitung wird der Wafertisch 100 bei einem vorbestimmten Abstand von dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 positioniert und ist die Drehachse θ auf der Y-Achse. Der Wafertisch 100 wird auch auf einer vorbestimmten Höhe in Bezug auf den Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 positioniert.
Eine Transfervorrichtung (nicht gezeigt) platziert den Wafer W auf dem Wafertisch 100, so dass das Zentrum O_w des Wafers W der Drehachse θ des Wafertischs 100 entsprechen kann und die Kerbe NO des Wafers W auf der Y-Achse positioniert werden kann. Das Zentrum O_w des Wafers W, der auf dem Wafertisch 100 platziert ist, wird auf der Y-Achse positioniert, und der Wafer W ist bei einem vorbestimmten Abstand von dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108. Der auf dem Wafertisch 100 platzierte Wafer W ist auf derselben Höhe wie die untere Nut 108a des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108. Die Position des Wafers W vor dem Abfasen wird hierin "Referenzposition" genannt werden.
Dann wird der auf dem Wafertisch 100 platzierte Wafer W durch Saugen gehalten und wird das Abfasen begonnen. Der Umfang des Wafers W (der kreisförmige Teil C des Wafers W) wird zuerst abgefast. Die 11(a) – 11(d) zeigen die Prozedur zum Abfasen des kreisförmigen Teils C des Wafers W.
Der Umfangsmotor 104 und der θ-Motor 96 werden betrieben. Dies veranlasst, dass sich der Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 und der Wafertisch 100 mit hohen Geschwindigkeiten in derselben Richtung drehen.
Die Umfangsgeschwindigkeit des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 wird gemäß gemessenen Vibrationen bestimmt, die dann erzeugt werden, wenn sich der Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 mit hoher Geschwindigkeit dreht. Die exzessiv niedrige Geschwindigkeit erreicht nicht den erwünschten Effekt der vorliegenden Erfindung, und die exzessiv hohe Geschwindigkeit führt zu den Vibrationen, um die bearbeitete Oberfläche des Wafers W zu beeinträchtigen. Somit ist die Umfangsgeschwindigkeit des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 1.000 [m/min] oder darüber und bevorzugter zwischen 1500 und 3000 [m/min].
Die Umfangsgeschwindigkeit des auf dem Wafertisch 100 gehaltenen Wafers W wird gemäß dem Ausmaß an Material bestimmt, das von dem Wafer W entfernt ist, welches aus der Korngröße und der Umfangsgeschwindigkeit des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 berechnet wird. Da die exzessiv niedrige Geschwindigkeit den erwünschten Effekt der vorliegenden Erfindung nicht erreichen kann, wird der Wafertisch 100 so gedreht, dass die Umfangsgeschwindigkeit des Wafers W 30 [m/min] oder darüber sein kann, und bevorzugter zwischen 100 und 1.000 [m/min].
Wenn die Drehungen des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 und des Wafertischs 100 stabilisiert sind, wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W entlang der Y-Achse in Richtung zum Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zu bewegen. Die Bewegungsgeschwindigkeit des Wafers W wird reduziert, genau bevor der Wafer W in Kontakt mit dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 gelangt, und dann wird der Wafer W langsam zu dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zugeführt.
Die Zufuhrgeschwindigkeit des Wafers W wird gemäß der Beschädigung der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W bestimmt, welche in einem Experiment berechnet wird. Die Zufuhrgeschwindigkeit des Wafers W ist vorzugsweise zwischen 0,01 und 0,05 [mm/min]. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird der Wafer W mit einer Geschwindigkeit von im Wesentlichen 0,02 [mm/sek] zugeführt.
Der Umfang des Wafers W gelangt mit der Nut 108a des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 in Kontakt, wie es in 11(b) gezeigt ist. Darauf folgend wird der Wafer W mit der vorbestimmten Zufuhrgeschwindigkeit (im Wesentlichen 0,02 [mm/sek]) zum Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zugeführt. Somit wird der kreisförmige C des Wafers W durch den Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 nach und nach abgefast.
Wie es in 11(c) gezeigt ist, wird der Wafer W zugeführt, bis der Abstand zwischen den Zentren des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 und des Wafertischs 100 einen vorbestimmten Abstand L erreicht. Wenn der Abstand den vorbestimmten Abstand L erreicht, wird der Y-Achsen-Motor 64 gestoppt und wird dann in der Gegenrichtung betrieben, so dass sich der Wafer W entlang der Y-Achse weg von dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 bewegt, wie es in 11(d) gezeigt ist, um zur Referenzposition zurückzukehren. Wenn der Wafer W zur Referenzposition zurückkehrt, werden der θ-Achsen-Motor 96 und der Umfangsmotor 104 gestoppt, um die Drehungen des Wafertischs 100 und des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 zu stoppen.
Somit ist der kreisförmige Teil C des Wafers W beendet. Dann wird die Kerbe NO des Wafers abgefast.
Die Kerbe NO des Wafers W bei der Referenzposition wird auf der Y-Achse positioniert, wie es in 11(d) gezeigt ist. In diesem Zustand wird der Z-Achsen-Motor 94 betrieben, um den Wafertisch 100 um ein vorbestimmtes Maß anzuheben, so dass der Wafer W auf derselben Höhe die untere Nut des Kerbenbearbeitungsschleifsteins 122 positioniert ist. Dann wird der X-Achsen-Motor 78 betrieben, um den Wafer W entlang der X-Achse um ein vorbestimmtes Maß zu bewegen, so dass die Kerbenecke NR₁ des Wafers W auf der Y-Achse positioniert wird, wie es in 12(a) gezeigt ist. Die Position des Wafers W zu dieser Zeit wird hierin nachfolgend "Kerbenbearbeitungs-Referenzposition" genannt werden.
Dann wird der Kerbenmotor 118 betrieben, um den Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 mit hoher Geschwindigkeit zu drehen. Gleichzeitig wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W in Richtung zum Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 zu bewegen.
Nachdem sich der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt, gelangt die Kerbenecke NR₁ des Wafers W in Kontakt mit der Nut des Kerbenbearbeitungsschleifsteins 122 wie es in 12(b) gezeigt ist. Dann werden der X-Achsen-Motor 78 und der Y-Achsen-Motor 64 gleichzeitig betrieben, um den Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse zuzuführen. Der Wafer W wird so zugeführt, dass die Kerbenecke NR₁ immer in Kontakt mit dem Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 sein kann. Somit kann die Kerbenecke NR₁ abgefast werden.
Nach dem Abfasen für die Kerbenecke NR wird der Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse kontinuierlich zugeführt, um die Kerbe NO abzufasen. Spezifischer wird der Wafer W auf derartige Weise zugeführt, dass die Kerbe NO immer in Kontakt mit dem Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 ist, wie es in 12(c) gezeigt ist. In 12(c) wird der Wafer W auf derartige Weise zugeführt, wie um den Buchstaben V zu beschreiben, da die Kerbe NO V-förmig ist. Somit wird die V-förmige Kerbe NO abgefast.
Nach dem Abfasen für die Kerbe NO gelangt die Kerbenecke NR₂ des Wafers W in Kontakt mit dem Kerbenbearbeitungsschleifstein 122. Dann wird die Kerbenecke NR₂ kontinuierlich abgefast. Spezifischer wird der Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse so zugeführt, dass die Kerbenecke NR₂ immer in Kontakt mit dem Kerbenbearbeitungsschleifstein 122 ist. So wird die Kerbenecke NR₂ des Wafers W abgefast.
Nach dem Abfasen für die Kerbenecke NR₂ wird der Wafer W temporär gestoppt. Dann wird der Wafer W in der umgekehrte Prozedur zugeführt, so dass die Kerbe NO und die Kerbenecken NR in umgekehrter Reihenfolge abgefast werden können.
Die oben beschriebene Operation wird mehrere Male wiederholt, um die Kerbe NO und die Kerbenecken NR abzufasen.
Nach dem Abfasen für die Kerbe NO und die Kerbenecken NR stoppt der Wafer W bei der in 12(b) angezeigten Kerbenabfas-Startposition. Dann bewegt sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß weg von dem Kerbenbearbeitungsschleifstein 122, um zu der in 12(a) angezeigten Kerbearbeitungs-Referenzposition zurückzukehren. Dann bewegt sich der Wafer W entlang der X-Achse um ein vorbestimmtes Maß und bewegt sich auch entlang der Z-Achse um ein vorbestimmtes Maß nach unten, um zu der Referenzposition zurückzukehren, und der Kerbenmotor 118 wird gestoppt, um ein Drehen des Kerbenbearbeitungsschleifsteins 122 zu stoppen.
Dies beendet das Abfasen für den kreisförmigen Teil C, die Kerbe NO und die Kerbenecken NR des Wafers W. Wenn der Wafer W zur Referenzposition zurückkehrt, entlastet der Wafertisch 100 den Wafer aus dem Saugen. Dann nimmt die Transfervorrichtung (nicht gezeigt) den Wafer von dem Wafertisch 100 auf und transferiert ihn zur nächsten Stufe.
Bei dem Wafer-Abfasverfahren dieses Ausführungsbeispiels werden der Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 und der Wafer W mit hohen Geschwindigkeiten in derselben Richtung gedreht und wird der Wafer W langsam zu dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zugeführt, um dadurch den Umfang des Wafers W abzufasen. Dies erhöht die relative Umfangsgeschwindigkeit des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108 in Bezug auf den Wafer W (die Summe aus der Umfangsgeschwindigkeit des Wafers W und der Umfangsgeschwindigkeit des Umfangsbearbeitungsschleifsteins 108), um dadurch die Bearbeitungsgeschwindigkeit zu erhöhen und die Bearbeitungsperiode zu reduzieren.
Der sich drehende Wafer W wird langsam zu dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zugeführt, so dass der Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 den Wafer W langsam schleifen kann. Da der Umfang des Wafers W langsam geschliffen wird, wird der Wafer W nur ein wenig beschädigt. Daher kann die bearbeitete Oberfläche des Wafers W genau sein.
Die Kerbe NO wird abgefast, nachdem der kreisförmige Teil C des Wafers W abgefast ist, aber das Abfasen kann auch in umgekehrter Reihenfolge durchgeführt werden.
Der Wafer W wird nur entlang der Y-Achse bewegt, um in Kontakt mit dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108. zu gelangen, aber der Wafer W kann auch entlang der X-Achse und der Y-Achse bewegt werden, um in Kontakt mit dem Umfangsbearbeitungsschleifstein 108 zu gelangen.
Eine Beschreibung der Struktur eines Bearbeitungsteils einer Wafer-Abfasvorrichtung gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel des Wafer-Abfasverfahrens der vorliegenden Erfindung wird angegeben werden.
Die 16 – 18 sind jeweils eine Vorderansicht, eine Seitenansicht und eine Draufsicht, die die Struktur eines Bearbeitungsteils 200 der Wafer-Abfasvorrichtung gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel des Wafer-Abfasverfahrens zeigen.
Wie es in den 16 – 18 gezeigt ist, ist der Bearbeitungsteil 200 der Wafer-Abfasvorrichtung unterschiedlich von demjenigen der Wafer-Abfasvorrichtung 10 bei der Struktur einer Umfangsbearbeitungseinheit 202 und einer Kerbenbearbeitungseinheit 204. Somit wird nur die Struktur der Umfangsbearbeitungseinheit 202 und der Kerbenbearbeitungseinheit 204 beschrieben werden. Die anderen Komponenten sind mit denselben Bezugszeichen wie bei der Wafer-Abfasvorrichtung 10 bezeichnet und sie werden hier nicht erklärt werden.
Die Umfangsbearbeitungseinheit 202 besteht aus einer Vorrichtung 202R zur groben Bearbeitung eines Umfangs und einer Vorrichtung 202F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs.
Eine Beschreibung der Struktur der Vorrichtung 202R zur groben Bearbeitung eines Umfangs wird angegeben werden. Ein Motor 104R zur groben Bearbeitung eines Umfangs ist in vertikaler Richtung auf der Basis 102 auf der Grundplatte 50 angeordnet. Eine Spindel 106R zur groben Bearbeitung eines Umfangs ist mit einer Ausgangswelle des Motors 104R zur groben Bearbeitung eines Umfangs verbunden. Ein Schleifstein 108R zur groben Bearbeitung eines Umfangs zum groben Abfasen des Umfangs des Wafers W ist an der Spindel 106R zur groben Bearbeitung eines Umfangs angebracht. Eine Nut 108R mit einem trapezförmigen Schnitt ist am Umfang des Schleifsteins 108R zur groben Bearbeitung eines Umfangs ausgebildet. Der Umfang des Wafers W wird abgefast, während er gegen die Nut 108r gedrückt wird (ein solcher Schleifstein mit Nut wird "T-förmiger Schleifstein" genannt).
Eine Beschreibung der Struktur der Vorrichtung 202F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs wird angegeben werden (welche äquivalent zu der Umfangsbearbeitungseinheit 44 der Wafer-Abfasvorrichtung 10 ist). Ein Paar von Stützen 109A & 109B ist in vertikaler Richtung auf beiden Seiten der Basis 102 angeordnet. Die Bodenenden der Stützen 109A & 109B sind auf beiden Seiten der Basis 102 fixiert. Horizontale Balken 111A & 111B sind mit den obersten Enden der Stützen 109A & 109B integriert. Lagerelemente 112A & 112B sind an den Enden der Balken 111A & 111B angeordnet. Die Lagerelemente 112A & 112B stützen Arme 116A & 116B, die über Stifte 114A & 114B schwenkbar sind. Eine Verriegelungseinrichtung (nicht gezeigt) kann den Arm 116A verriegeln, und der Arm 116A kann in horizontaler Richtung durch die Verriegelungseinrichtung fixiert sein, wie es in 16 gezeigt ist. Eine Verriegelungseinrichtung (nicht gezeigt) kann den Arm 116B verriegeln und der Arm 116B kann durch die Verriegelungseinrichtung in horizontaler Richtung fixiert werden, wie es in 16 gezeigt ist.
Ein Motor 104F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs ist an dem Arm 116B angeordnet. Eine Spindel 106F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs ist mit einer Ausgangswelle des Motors 104F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs verbunden. Ein Schleifstein 108F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs zum feinen Abfasen des Umfangs des Wafers W ist an der Spindel 106F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs angebracht. Die gemeinsame Drehachse des Motors 104F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs, der Spindel 106F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs und des Schleifsteins 108F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs ist entlang der X-Z-Ebene unter einem vorbestimmten Winkel in Bezug auf die Z-Achse geneigt.
Wie es in 16 gezeigt ist, hat der Schleifstein 108F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs einen kleineren Durchmesser als der Schleifstein 108R zur groben Bearbeitung eines Umfangs (der Schleifstein 108R zur groben Bearbeitung eines Umfangs hat einen Durchmesser von 100 – 300 mm, wohingegen der Schleifstein 108F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs einen Durchmesser von 2-50 mm hat). Eine Nut 108F mit einem trapezförmigen Abschnitt ist am Umfang des Schleifsteins 108F zur feinen Bearbeitung eines Umfangs ausgebildet und der Umfang des Wafers W wird abgefast, während er gegen die Nut 108f gedrückt wird.
Eine Beschreibung der Struktur der Kerbenbearbeitungseinheit 204 wird angegeben werden. Ein Motor 118R zur Grobbearbeitung einer Kerbe und ein Motor 118F zur Feinbearbeitung einer Kerbe sind am Ende des Arms 116A angeordnet. Eine Spindel 120R zur Grobbearbeitung einer Kerbe und eine Spindel 120F zur Feinbearbeitung einer Kerbe sind an Ausgangswellen von jeweils dem Motor 118R zur Grobbearbeitung einer Kerbe und dem Motor 118F zur Feinbearbeitung einer Kerbe verbunden. Ein Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe zum groben Abfasen der Kerbe ist an der Spindel 120R zur Grobbearbeitung einer Kerbe angebracht. Andererseits ist ein Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe zum feinen Abfasen der Kerbe an der Spindel 120F zur Feinbearbeitung einer Kerbe angebracht. Obwohl es nicht detailliert gezeigt ist, sind Nuten mit trapezförmigen Abschnitten an den Umfängen des Schleifsteins 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe und des Schleifsteins 122F zur Feinbearbeitung eine Kerbe ausgebildet.
Eine Beschreibung der Effekte wird angegeben werden, die durch grobes Abfasen des Umfangs des Wafers W durch den Schleifstein 108R zur Grobbearbeitung eines Umfangs mit dem großen Durchmesser zuerst und durch darauf folgendes feines Abfasen des Umfangs des Wafers W durch den geneigten Schleifstein 108F zur Feinbearbeitung eines Umfangs mit dem kleinen Durchmesser erreicht werden können.
Die Genauigkeit der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W kann durch Abfasen des Wafers W mit dem Schleifstein verbessert werden, der unter dem vorbestimmten Winkel entlang der Tangentiallinie des Wafers W geneigt ist. Dies ist deshalb so, weil die Bewegungsrichtung der abschleifenden Körner am Schleifstein in Bezug auf die Drehrichtung des Wafers W durch Neigen des Schleifsteins geneigt ist, wie es in 22 gezeigt ist. Folglich schneiden sich die Markierungen auf der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W, die durch die Drehung hoher Geschwindigkeit des Schleifsteins verursacht sind, und die Markierungen auf der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W, die durch die Drehung hoher Geschwindigkeit des Wafers W verursacht sind, und sind zueinander versetzt, um dadurch die Genau igkeit der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W zu verbessern. Da der Schleifstein mit dem kleinen Durchmesser nur ein wenig vibriert, kann die Genauigkeit der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W weiter verbessert werden.
Die an dem geneigten Schleifstein ausgebildete Nut ist breiter als die an dem Schleifstein ausgebildete Nut, der nicht geneigt ist. Wenn die Schleifsteine unter demselben Winkel geneigt sind, ist die Nut um so breiter, je größer der Durchmesser ist. Wenn der Schleifstein einen großen Durchmesser hat, schneiden die Markierungen einander nicht ausreichend, und der erwünschte Effekt kann nicht erreicht werden. Somit ist es nötig, den Durchmesser des Schleifsteins zu reduzieren, um den erwünschten Effekt durch Neigen des Schleifsteins zu erreichen.
Wenn andererseits der Schleifstein einen kleinen Durchmesser hat, wird der Schleifstein schnell abgeschliffen. In dem Fall eines Siliziumwafers ist der Durchmesser des Wafers genau nach dem Schneiden in Scheiben beträchtlich größer (etwa +1 [mm]) als der Durchmesser des abgefasten Wafers, da die Teile, die durch das Schneiden in Scheiben an dem Wafer gesprungen sind, entfernt werden müssen. Wenn der Schleifstein mit einem kleinen Durchmesser den Siliziumwafer genau nach dem Schneiden in Scheiben abfast, wird der Schleifstein schnell abgeschliffen. Daher ist er nicht effizient.
Zum Adressieren dieses Problems wird der Wafer W bei der vorliegenden Erfindung mit dem Schleifstein mit dem großen Durchmesser grob abgefast, welcher nicht auf einfache Weise abgeschliffen bzw. abgenutzt wird, bis der Wafer W bis zu dem vorbestimmten Durchmesser geschliffen ist. Dann wird der Wafer durch den geneigten Schleifstein mit dem kleinen Durchmesser fein abgefast. Dies verhindert die Abnutzung des geneigten Schleifsteins mit dem kleinen Durchmesser und macht es möglich, die Genauigkeit der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W zu verbessern.
Nach der Endabfasung für den Umfang des Wafers W wird die Kerbe NO des Wafers W abgefast.
Wenn der Wafer W zu der Position zur Feinbearbeitung eines Umfangs zurückkehrt, wird die Kerbe NO des Wafers W auf der Y-Achse positioniert. In diesem Zustand wird der X-Achsen-Motor 78 betrieben, um den Wafer W entlang der X- Achse um ein vorbestimmtes Maß zu bewegen, so dass eine der Kerbenecken NR der Kerbe NO auf einer geraden Linie positioniert wird, die durch den Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe verläuft und parallel zu der Y-Achse ist. Dann wird der Z-Achsen-Motor 94 betrieben, um den Wafer W entlang der Z-Achse um ein vorbestimmtes Maß zu bewegen, so dass der Wafer W auf derselben Höhe wie die niedrigere sich neigende Oberfläche der Nut des Schleifsteins 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe positioniert wird. Die Position des Wafers W zu dieser Zeit wird hierin nachfolgend "Position zur Grobbearbeitung eines unteren Rands einer Kerbe" genannt werden.
Dann wird der Motor 118R zur Grobbearbeitung einer Kerbe betrieben, um den Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe mit hoher Geschwindigkeit zu drehen, und wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W in Richtung zu dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe zu bewegen.
Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt und der untere Rand der Kerbenecke NR in Kontakt mit der unteren sich neigenden Oberfläche der Nut des Schleifsteins 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe gelangt. Dann werden der X-Achsen-Motor 78 und der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um dem Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse zuzuführen, so dass der untere Rand der Kerbenecke NR immer in Kontakt mit dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe sein kann. Somit wird der untere Rand der Kerbenecke NR grob abgefast.
Dann wird der Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse kontinuierlich zugeführt, so dass der untere Rand der Kerbe NO abgefast werden kann. Spezifischer wird der Wafer W zugeführt, so dass der untere Rand der Kerbe NO immer in Kontakt mit der unteren sich neigenden Oberfläche der Nut des Schleifsteins 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe sein kann. In einem Fall, in welchem die Kerbe V-förmig ist, bewegt sich der Wafer W auf eine derartige Weise, wie zum Beschreiben des Buchstabens V.
Nachdem der untere Rand der Kerbe NO grob abgefast ist, gelangt die andere Kerbenecke NR in Kontakt mit dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe. Dann wird der untere Rand der Kerbenecke NR kontinuierlich abgefast. Spezifischer wird der Wafer W entlang der X-Achse und der Y-Achse zugeführt, so dass der untere Rand der Kerbenecke NR immer in Kontakt mit der unteren geneigten Oberfläche der Nut des Schleifsteins 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe sein kann. Somit wird der untere Rand der anderen Kerbenecke NR grob abgefast.
Nachdem der untere Rand der anderen Kerbenecke NR abgefast ist, wird der Wafer W temporär gestoppt und wird dann in der Umkehroperation zugeführt, so dass die Kerbenecken NR und die Kerbe NO sequentiell grob abgefast werden können.
Die oben angegebene Operation wird mehrere Male wiederholt, um die unteren Ränder der Kerbe NR und der Kerbenecken NR grob abzufasen.
Nach der Abfasung für die unteren Ränder der Kerbe NO und der Kerbenecken NR stoppt der Wafer W bei der Position, wo der Wafer W zum ersten Mal in Kontakt mit dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe gelangt. Dann bewegt sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß weg von dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe, um zu der Position zur Grobbearbeitung eines unteren Rands einer Kerbe zurückzukehren. Wenn der Wafer W zu der Position zur Grobbearbeitung eines unteren Rands einer Kerbe zurückkehrt, wird der Z-Achsen-Motor 94 betrieben, um den Wafer W entlang der Z-Achse um ein vorbestimmtes Maß zu bewegen, so dass der Wafer W auf derselben Höhe wie die obere sich neigende Oberfläche der Nut positioniert wird, die in dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe ausgebildet ist. Die Position des Wafers W zu dieser Zeit wird hierin nachfolgend "Position zur Grobbearbeitung eines oberen Rands einer Kerbe" genannt werden.
Dann wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W in Richtung zu dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt und der obere Rand von einer Kerbenecke NR in Kontakt mit der oberen sich neigenden Oberfläche der Nut gelangt, die in dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe ausgebildet ist. Darauf folgend werden die oberen Ränder der Kerbe NO und der Kerbenecken NR in derselben Prozedur wie bei der groben Abfasung für den unteren Rand der Kerbe abgefast.
Nach dem groben Abfasen für die oberen Ränder der Kerbe NO und der Kerbenecken NR stoppt der Wafer W bei der Position, wo er zum ersten Mal in Kontakt mit dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe gelangt. Dann bewegt sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß weg von dem Kerbenbearbeitungsschleifstein 122R, um zu der Position zur Grobbearbeitung eines oberen Rands einer Kerbe zurückzukehren. Wenn der Wafer W zu der Position zur Grobbearbeitung eines oberen Rands einer Kerbe zurückkehrt, wird der Motor 118B zur Grobbearbeitung einer Kerbe stoppt, um die Drehung des Schleifsteins 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe zu stoppen. Dies beendet das grobe Abfasen für die Kerbe NO des Wafers W.
Dann wird die Kerbe NO des Wafers W fein abgefast. Wenn der Wafer W zu der Position zur Grobbearbeitung eines oberen Rands einer Kerbe zurückkehrt, wird der X-Achsen-Motor 78 betrieben, um den Wafer W entlang der X-Achse um ein vorbestimmtes Maß zu bewegen, so dass eine der Kerbenecken NR der Kerbe NO, die im Wafer W ausgebildet ist, auf der geraden Linie positioniert wird, die durch das Zentrum des Feinbearbeitungsschleifsteins 122F verläuft und parallel zu der Y-Achse ist. Dann wird der Z-Achsen-Motor 94 betrieben, um den Wafer W entlang der Z-Achse um ein vorbestimmtes Maß zu bewegen, so dass der Wafer W auf derselben Höhe wie die untere sich neigende Oberfläche der Nut positioniert ist, die in dem Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe ausgebildet ist. Die Position des Wafers W zu dieser Zeit wird hierin nachfolgend "Position zur Feinbearbeitung eines unteren Rands einer Kerbe" genannt werden.
Dann wird der Motor 118F zur Feinbearbeitung einer Kerbe betrieben, um den Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe mit hoher Geschwindigkeit zu drehen, und wird der Y-Achsen-Motor 64 getrieben, um den Wafer W in Richtung zu dem Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerb zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um einen vorbestimmten Abstand bewegt und der untere Rand von einer Kerbenecke NR des Wafers W in Kontakt mit der unteren sich neigenden Oberfläche der Nut gelangt, die in dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe ausgebildet ist. Darauf folgend werden die unteren Ränder der Kerbe NO und der Kerbenecken NR in derselben Prozedur wie bei dem groben Abfasen für den unteren Rand der Kerbe NO fein abgefast.
Nachdem die unteren Ränder der Kerbe NO und die Kerbenecken NR fein abgefast sind, stoppt der Wafer W bei der Position, wo er zum ersten Mal in Kontakt mit dem Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe gelangt. Dann bewegt sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß weg von dem Kerbenbearbeitungsschleifstein 122F, um zu der Position zur Feinbearbeitung eines unteren Rands einer Kerbe zurückzukehren. Darauf folgend wird der Z-Achsen-Motor 94 betrieben, um den Wafer W entlang der Z-Achse um ein vorbestimmtes Maß zu bewegen, so dass der Wafer W auf derselben Höhe wie die obere sich neigende Oberfläche der Nut positioniert ist, die in dem Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe ausgebildet ist. Die Position des Wafers W zu dieser Zeit wird hierin nachfolgend "Position zur Feinbearbeitung eines oberen Rands einer Kerbe" genannt werden.
Dann wird der Y-Achsen-Motor 64 betrieben, um den Wafer W in Richtung zu dem Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe zu bewegen. Der Y-Achsen-Motor 64 wird gestoppt, wenn sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß bewegt und der obere Rand von einer Kerbenecke NR des Wafers W in Kontakt mit der oberen sich neigenden Oberfläche der Nut gelangt, die in dem Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe ausgebildet ist. Darauf folgend werden die oberen Ränder der Kerbe NO und der Kerbenecken NR in derselben Prozedur wie bei dem groben Abfasen für den unteren Rand der Kerbe NO fein abgefast.
Nach der Endabfasung für die oberen Ränder der Kerbe NO und der Kerbenecken NR stoppt der Wafer W bei der Position, wo er zum ersten Mal in Kontakt mit dem Schleifstein 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe gelangt. Dann bewegt sich der Wafer W um ein vorbestimmtes Maß weg von dem Schleifstein 122R zur Grobbearbeitung einer Kerbe, um zu der Position zur Feinbearbeitung eines oberen Rands einer Kerbe zurückzukehren. Wenn der Wafer W zu der Position zur Feinbearbeitung eines oberen Rands einer Kerbe zurückkehrt, wird der Motor 118F zur Feinbearbeitung einer Kerbe gestoppt, um die Drehung des Schleifsteins 122F zur Feinbearbeitung einer Kerbe zu stoppen, und werden der X-Achsen-Motor 78 und der Z-Achsen-Motor 94 betrieben, um den Wafertisch 100 zur ursprünglichen Position zu bewegen.
Dies beendet das grobe Abfasen und das Endabfasen für den Umfang und die Kerbe des Wafers W. Wenn der Wafertisch 100 zu der ursprünglichen Position zurückkehrt, entlastet der Wafertisch 100 den Wafer W von dem Saugen. Die Transfervorrichtung (nicht gezeigt) nimmt den Wafer W von dem Wafertisch auf und transferiert den Wafer W zur nächsten Stufe wie er ist.
Wie es oben angegeben ist, wird bei dem siebten Ausführungsbeispiel des Wafer-Abfasverfahrens der Umfang des Wafers W grob zu einem vorbestimmten Durchmesser durch den Schleifstein mit dem großen Durchmesser abgefast, welcher nur ein wenig abgenutzt wird. Dann wird der Umfang des Wafers W durch den geneigten Schleifstein mit dem kleinen Durchmesser fein abgefast. Dies verhindert die Abnutzung der Schleifsteine und verbessert die Genauigkeit der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W. Die Verwendung des Schleifsteins mit dem kleinen Durchmesser verbessert die Genauigkeit der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W, da der Schleifstein mit dem kleinen Durchmesser kaum vibriert.
Bei der obigen Erklärung wird der Umfang des Wafers W abgefast, während der Wafer W mit hoher Geschwindigkeit gedreht wird. Jedoch kann der Wafer W auch mit niedriger Geschwindigkeit gedreht werden.
Der Typ des Schleifsteins ist nicht besonders beschränkt, sondern es ist erwünscht, einen Schleifstein mit Metallkleber als den Schleifstein 108R zur Grobbearbeitung eines Umfangs mit dem großen Durchmesser zu verwenden und einen Schleifstein mit Harzkleber als den geneigten Schleifstein 108F zur Feinbearbeitung eines Umfangs mit dem kleinen Durchmesser zu verwenden, und zwar aus den nachfolgend angegebenen Gründen.
Der Schleifstein mit Metallkleber hat eine lange Lebensdauer, da er steif ist und Abschleifkörner für eine lange Zeitdauer halten kann. Der Schleifstein mit Metallkleber kann jedoch die bearbeitete Oberfläche des Wafers W nicht fein schleifen. Andererseits ist der Schleifstein mit Harzkleber elastisch und stößt die bearbeitete Oberfläche des Wafers W kaum heftig, wodurch die Genauigkeit der bearbeiteten Oberfläche des Wafers W verbessert wird. Somit ist es vorzuziehen, dass der Schleifstein mit Metallkleber, der wenig abgeschliffen bzw. abgenutzt wird und eine lange Lebensdauer hat, den Wafer W zuerst grob abfast, und dann der Schleifstein mit Harzkleber den Wafer W fein abfast. Dies verhindert die Abnutzung des Feinbearbeitungsschleifsteins und macht es möglich, den Wafer W effizient und genau abzufasen. Aus diesen Gründen wird der Schleifstein mit Metallkleber als der Schleifstein 108R zur Grobbearbeitung einer Peripherie verwendet und wird der Schleifstein mit Harzkleber als der Schleifstein 108F zur Feinbearbeitung eines Umfangs verwendet.
Obwohl der Schleifstein mit Harzkleber auf einfache Weise abgenutzt bzw. abgeschliffen wird, eliminiert ein Verwenden Schleifsteins mit Harzkleber als der geneigte Schleifstein zur Feinbearbeitung eines Umfangs mit kleinem Durchmesser die Notwendigkeit eines genauen Einstellens des Schleifsteins aus den nachfolgend angegebenen Gründen. Der Schleifstein mit kleinem Durchmesser wird einfach und einheitlich abgenutzt, da er einen kurzen Umfang hat. Darüber hinaus erhöht die Neigung des Schleifsteins den Bereich, in welchem der Schleifstein in Kontakt mit dem Wafer W ist. Dies reduziert die Abschnittsbelastung und erreicht die einheitliche Abnutzung. Zusätzlich wird der Feinbearbeitungsschleifstein zum Abfasen des Wafers W verwendet, der bereits bei dem groben Abfasen in die Gegenform des Feinbearbeitungsschleifsteins geformt worden ist und somit dient der Wafer W selbst als Einheit zur genauen Einstellung für den Feinbearbeitungsschleifstein. Daher ist es möglich, die Form des Schleifsteins mit Harzkleber als der geneigte Schleifstein zur Feinbearbeitung eines Umfangs beizubehalten, ohne den Schleifstein ausdrücklich genau einzustellen.
Es ist möglich, das Beibehalten der Form des Feinbearbeitungsschleifsteins durch feines Abfasen des Wafers W in einem nachfolgend beschriebenen Verfahren zu verbessern. Bei dem siebten Ausführungsbeispiel wird (1) die periphere Oberfläche des Wafers W fein abgefast; wird (2) der Wafer W nach oben zugeführt, so dass die obere abgefaste Oberfläche davon fein abgefast werden kann; und wird (3) der Wafer W nach unten zugeführt, so dass die untere abgefaste Oberfläche davon fein abgefast werden kann, wie es in den 20 und 21 gezeigt ist. Um den nächsten oder den zweiten Wafer W abzufasen werden die Schritte (2) und (3) umgekehrt (d.h. die Reihenfolge von (1)→(3)→(2)). Der dritte Wafer W wird in der Reihenfolge von (1)→(2)→(3) wie der erste Wafer W abgefast. Dadurch wird die abgefaste Oberfläche, die zuerst fein abzufasen ist, geändert, so dass die obere sich neigende Oberfläche und die untere sich neigende Oberfläche der Nut, die im Schleifstein ausgebildet ist, einheitlich abgenutzt werden. Somit kann die Form des Schleifsteins beibehalten werden.
Die Wiederholung des Bearbeitungsprozesses nutzt den Schleifstein nach und nach ab, wie es in 23 gezeigt ist. Somit wird die Abfasposition gemäß der Abnutzung der Nut verschoben. Spezifischer werden die Abfas-Startposition für die periphere Oberfläche des Wafers W und die Abfas-Endposition für die obere abgefaste Oberfläche und die untere abgefaste Oberfläche des Wafers W während der Wiederholung nach und nach verschoben. Es ist daher möglich, die Wafer W zu bearbeiten, während die hohe Genauigkeit der bearbeiteten Oberflächen der Wafer W beibehalten wird.
Das Abnutzungsausmaß der Nut kann durch Messen der Dicke des Wafers W vor der Bearbeitung und durch Messen des Durchmessers des abgefasten Wafers W und der Breite der abgefasten Oberflächen gefunden werden. Anders ausgedrückt wird das Abnutzungsmaß der Nut gemäß dem Unterschied zwischen der aktuellen Größe des abgefasten Wafers W und einer erwünschten Größe für den abgefasten Wafer W gefunden. Die Bearbeitungsposition wird gemäß dem Abnutzungsmaß der Nut korrigiert.

Claims

Wafer-Abfasvorrichtung zum Abfasen eines Umfangs eines Wafers (W), die folgendes aufweist: einen Hauptschleifstein (108, 108R) eine Hauptschleifstein-Dreheinrichtung (104, 104R) zum Drehen des Hauptschleifsteins (108, 108R); einen Wafertisch (100) zum Halten des Wafers (W) parallel zu dem Hauptschleifstein (108, 108B); eine Wafertisch-Dreheinrichtung (96) zum Drehen des Wafertischs (100); eine Wafertisch-Bewegungseinrichtung (64, 78, 94) zum Bewegen des Wafertischs (100) entlang einer Achse des Wafers (W) und zum Bewegen des Wafertischs (100) entlang einer Seitenfläche des Wafers (W); einen Kerbenbearbeitungsschleifstein (122, 122F, 122R) zum Abfasen einer in dem Wafer (W) ausgebildeten Kerbe (NR), wobei der Kerbenbearbeitungsschleifstein (122, 122F, 122R) in einer Nähe zu dem Hauptschleifstein (108, 108R) angeordnet ist; und eine Kerbenbearbeitungsschleifstein-Dreheinrichtung (118, 118F, 118R) zum Drehen des Kerbenbearbeitungsschleifsteins (122, 122F, 122R), wobei der Wafer (W) gedreht wird, während er zu dem Hauptschleifstein (108, 108R) bewegt wird, der gedreht wird, und der Umfang des Wafers (W) in Kontakt mit dem Hauptschleifstein (108, 108R) gebracht wird, um abgefast zu werden, dadurch gekennzeichnet, dass der Kerbenbearbeitungsschleifstein (122, 122F, 122R) aus mehreren Schleifsteinen (122A, 122B) mit unterschiedlichen Korngrößen besteht, wobei die mehreren Schleifsteine (122A, 122B) koaxial miteinander verbunden sind.
Wafer-Abfasvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Hauptschleifstein (108) aus mehreren Schleifsteinen (108A, 108B) mit unterschiedlichen Korngrößen besteht, wobei die mehreren Schleifsteine (108A, 108B) koaxial miteinander verbunden sind.
Wafer-Abfasvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Wafertisch-Bewegungseinrichtung folgendes aufweist: eine erste Bewegungseinrichtung (64) zum Bewegen des Wafertischs (100) in Richtung zu dem Hauptschleifstein (108, 108R); eine zweite Bewegungseinrichtung (78) zum Bewegen des Wafertischs (100) in einer Richtung senkrecht zu der Bewegungsrichtung der ersten Bewegungseinrichtung (64); und eine dritte Bewegungseinrichtung (94) zum Bewegen des Wafertischs (100) entlang einer Drehachse (θ) des Wafertischs (100).