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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Poliergerät und ein
Polierverfahren.
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Einhergehend
mit der höheren
Integration und der Mehrfachlagenverbindung von Halbleitereinrichtungen
wurde das Abflachen (Einebnen) von unterschiedlichen Zwischenschicht-Isolationsfilmen oder
anderen Filmen beim Herstellungsprozeß einer Halbleitereinrichtung
wichtig.
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Es
wurde mehrere Verfahren als Abflachungsverfahren vorgeschlagen.
In den vergangenen Jahren wurde dem chemisch-mechanischen Polieren
(CMP) Beachtung geschenkt, wobei die Spiegelpoliertechnologie von
Siliziumwafern verwendet wird. Es wurden Abflachungsverfahren, bei
denen diese verwendet wird, entwickelt.
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Ein
Beispiel eines Poliergeräts,
bei dem ein CMP-Prozeß verwendet
wird, wird als Hintergrund der vorliegenden Erfindung mit Hilfe
von 1 beschrieben.
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Ein
Poliergerät 301,
welches in 1 gezeigt ist, besitzt eine
Hauptwellenspindel 303, um ein Polierwerkzeug 302 zu
drehen, und einen Tisch 304, um einen Wafer W zu halten.
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Der
Tisch 304 ist auf einem Schlitten 306 drehbar
befestigt, der so vorgesehen ist, daß er sich in einer X-Achsenrichtung
längs einer
Schiene 305 verschieben kann. Er wird so angetrieben, daß er durch
eine Drehantriebseinrichtung dreht, die beispielsweise aus einem
Motor, einer Riemenscheibe, einem Riemen, usw. besteht.
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Die
Hauptwellenspindel 303 ist so befestigt, daß sie in
einer Z-Achsenrichtung verschiebbar ist, und sie ist bei einer Zielposition
in einer Z-Achsenrichtung durch einen nicht gezeigten Antriebsmechanismus
positioniert.
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Bei
dem Poliergerät 301,
welches den obigen Aufbau hat, wird zunächst der Wafer W mit einer vorher
bestimmten Geschwindigkeit gedreht. Schlamm (Schleifschlamm), der
durch Mischen eines Polierschleifmittels, beispielsweise Siliziumoxid,
mit einer Flüssigkeit,
beispielsweise einer wäßrigen Lösung aus
Kaliumhydroxid erhalten wird, wird als Schleifmittel von einem nicht
gezeigten Schlammzuführgerät dem Wafer
W zugeführt.
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Danach
wird das Polierwerkzeug 302 mit einer vorher-festgelegten
Geschwindigkeit gedreht, und der Wafer W und das Polierwerkzeug 302 werden
in der X-Achsenrichtung und der Z-Achsenrichtung so positioniert, daß ein äußerer Umfangsrand des
Polierwerkzeugs 302 die äußere Umfangsrandfläche des
Wafers W überlappt
und kontaktiert.
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Das
Polierwerkzeug 302 ist so in der Z-Achsenrichtung positioniert,
daß eine
vorher-festgelegte Schnittiefe
zum Wafer W erhalten wird. Aufgrund dieser Tatsache wird ein vorher-festgelegter Polierdruck zwischen
dem Polierwerkzeug 302 und dem Wafer W erzeugt. Dabei wird
der Wafer W in der X-Achsenrichtung mit einer vorher-festgelegten
Geschwindigkeit verschoben. Der Wafer W wird poliert, wobei das
Polierwerkzeug 302 in Kontakt mit dem Wafer W gebracht
wird, wodurch der Wafer W abgeflacht wird.
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Wenn
man die Nachteile zusammenfaßt,
befindet sich bei dem Poliergerät 301 mit
dem obigen Aufbau die Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 parallel zur Haltefläche des
Drehtisches 304, und die Überlappungsbereiche der Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 und
eine zu polierende Fläche des
Wafers W kontaktieren einander über
ihre Gesamtflächen
gemäß der Relativbewegung
des Polierwerkzeugs zum Wafer W in der X-Achsenrichtung. Aus diesem
Grund wird die Fläche
des effektiven Arbeitsbereichs der Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 zur
polierenden Fläche
des Wafers W zu einem Bereich, wo die Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 und
die zu polierende Fläche
des Wafers W einander überlappen.
Dieser Bereich ist relativ groß und
variiert gemäß der Relativbewegung
des Polierwerkzeugs 302 in der X-Achsenrichtung.
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Wenn
die Fläche
des effektiven Arbeitsbereichs der Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 zur
polierenden Fläche
des Wafers W groß ist, neigt
der Poliergrad im effektiven Arbeitsbereich dazu, aufgrund der Unregelmäßigkeiten
der zu polierenden Fläche
des Wafers W ungleichmäßig zu werden.
Wenn die Fläche
des effektiven Arbeitsbereichs variiert, variiert der Poliergrad
pro Zeiteinheit, d. h., die Polierrate, so daß es schwierig ist, die zu
polierende Fläche
des Wafers W gleichförmig
zu polieren. Wenn weiter die Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 und
die zu polierende Fläche
des Wafers W parallel sind, kann der Schlamm nicht leicht zwischen
die Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 und die zu polierende Fläche des
Wafers W eindringen, so daß wiederum
der Poliergrad manchmal nicht stabil wird.
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Aus
diesem Grund wurde beispielsweise beim Stand der Technik, wie in
2 gezeigt
ist, das Polieren dadurch durchgeführt, daß eine Welle K1 des Polierwerkzeugs
302 in
Vorschubrichtung des Polierwerkzeugs
302 um einen Neigungswinkel α geneigt
wurde. Entsprechende Polierverfahren bzw. vergleichbare Poliergeräte werden
in den Schriften
EP-0-894-569-A1 ,
US-5-489-198-A und
JP-02-139-163-AA erwähnt.
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3 ist
eine Ansicht der Verteilung des Drucks, der zwischen der Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 und der zu polierenden Fläche des Wafers
W erzeugt wird, wenn die Welle K1 des Polierwerkzeugs 302 in
der Vorschubrichtung der Verschiebung des Polierwerkzeugs 302 geneigt
ist. Es sei angemerkt, daß 3 die
Verteilung des virtuellen Drucks zeigt, wenn die zu polierende Fläche des Wafers
W poliert wird, indem das Polierwerkzeug 302 ohne Drehung
des Wafers W gedreht wird.
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Wie
in 3 gezeigt ist, wird die Verteilung des Drucks,
der zwischen der Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 und
der zu polierenden Fläche des
Wafers W erzeugt wird, zu einem ungefähr halbmondförmigen Bereich
PR. In diesem halbmondförmigen
Bereich PR wird eine Fläche
PH, wo der Druck relativ hoch ist, innerhalb dieser erzeugt, und
ein Bereich PL, wo der Druck, der darum herum existiert, relativ
niedrig ist, wird erzeugt. Die Fläche PH, wo der Druck relativ
hoch ist, zeigt eine ungefähr
symmetrische Form um die X-Achse.
Diese Fläche
PH wird zu einem Bereich, der effektiv auf die zu polierende Fläche des
Wafers W einwirkt. Die Fläche
PH ist ausreichend kleiner als die Überlappungsfläche des
Wafers W und der Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 ausgeführt. Sogar wenn das Polierwerkzeug 302 sich
relativ in der X-Achsenrichtung bewegt, wird die Oberflächenfläche der
Fläche
PH ungefähr
konstant. Aus diesem Grund kann der Poliergrad im wirksamen Arbeitsbereich
gleichförmig
ausgeführt
werden, und die Polierrate kann konstant gemacht werden.
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Das
Polierwerkzeug 302 besteht beispielsweise jedoch aus einem
elastischen Teil, welches beispielsweise aus einem plattenförmigen Teil
hergestellt ist und durch Polyurethan-Schaum oder einem anderen Kunststoff
gebildet ist. Es wird gegen die Fläche des Wafers W mit einem
Polierdruck F gedrückt,
wie in 2 gezeigt ist. Aus diesem Grund verformt sich
das Polierwerkzeug 302, welches gegen den Wafer W gedrückt wird,
elastisch.
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Wenn
außerdem
die Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 zur
Fläche
des Wafers W mit einem Neigungswinkel α geneigt ist, verformt sich
die Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 in einem Aufsetzbereich 190 und
einem Auslaufbereich 191, der in 3 gezeigt
ist, wie beispielsweise in 4A und 4B gezeigt
ist, wenn diese auf den Wafer W aufläuft. Im Aufsetzbereich 190 läuft, wie
in 4A gezeigt ist, die Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 auf
die Fläche
des Wafers W von einem äußeren Umfangsrand
EG des Wafers W, so daß sich
die Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 federnd deformiert und die Polierfläche 302a unmittelbar
bevor sie auf die Fläche
des Wafers W läuft, der
in der Nähe
des äußeren Umfangsrands
EG angeordnet ist, sich nach unten von der Fläche des Wafers W erstreckt.
Im Auslaufbereich 191 läuft,
wie in 4B gezeigt ist, die Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 über
den äußeren Umfangsrand
EG vom Kopf der Fläche
des Wafers W und trennt sich dann von ihm, so daß die federnd deformierte Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 sich vom äußeren Umfangsrand EG des Wafers
W trennt und die Deformation wieder einsetzt, wenn die Beanspruchung
nachläßt.
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Wenn
die Polierfläche 302a des
Polierwerkzeugs 302 sich federnd deformiert, kontaktiert
der Bereich der Polierfläche 302a,
der nach unten von der Fläche
des Wafers W ragt, stark den äußeren Umfangsrand
EG des Wafers W, der größte Teil
der Arbeitsenergie wird für
die Arbeit des herausragenden Bereichs der Polierfläche 302a wird
verbraucht, die auf den äußeren Umfangsrand
EG des Wafers W läuft,
und, wie in 3 gezeigt ist, wird der äußere Umfangsrand
des Wafers W an der Stelle DM beschädigt.
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Wenn
sich der Schaden bezüglich
des äußeren Umfangsrands
EG des Wafers W aufgrund des hervortretenden Bereichs der Polierfläche 302a anhäuft, wird,
da der Wafer W sich dreht, beispielsweise, wie in 5 gezeigt
ist, ein übermäßig polierter Bereich 402a an
der Gesamtfläche
des äußeren Umfangsbereichs
des Wafers W gebildet. Wenn der übermäßig polierte
Bereich 402 gebildet wird, besteht der Nachteil, daß die Anzahl
von Halbleiterchips, die auf einem Wafer W gebildet sind und die hergenommen
werden können,
klein wird, so daß die Ausbeute
verringert wird.
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Der
Grad der Waferfläche
W, die pro Zeiteinheit wegpoliert wird, d. h., die Polierrate wird
um den Grad der Arbeitsenergie abgesenkt, die für übermäßiges Polieren des äußeren Umfangsrands
EG des Wafers W verbraucht wird, die Anzahl von Wafern W, die pro
Zeiteinheit poliert werden, wird verringert, und daher wird die
Produktivität
abgesenkt.
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In
dem Bereich, wo die Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 auf
den äußeren Umfangsrand EG
des Wafers W läuft,
kann der Schlamm nicht leicht zwischen die Polierfläche 302a und
die Fläche des
Wafers W eindringen, so daß der
Schlamm, der zwischen die Polierfläche 302a und den Wafer
W eingeführt
wird, unzureichend wird und daher die Polierrate abgesenkt wird.
Um eine Verringerung von Schlamm zu vermeiden, muß eine große Menge
von teueren Schlamm zugeführt
werden, so daß die
Produktivität
abgesenkt wird.
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In
dem Bereich, wo die Polierfläche 302a des Polierwerkzeugs 302 auf
den äußeren Umfangsrand EG
des Wafers W läuft,
ist der Schaden in bezug auf die Polierfläche 302a ebenfalls
groß,
die Qualität
der Polierfläche 302a neigt
dazu, abrupt verschlechtert zu werden, und daher tritt leicht eine
Schwankung der Polierzustände
auf. Um die Schwankung der Polierzustände zu verhindern, ist es notwendig,
die Polierfläche 302a mittels
einer Nachbearbeitung beispielsweise in den gewünschten Zustand zu bringen. Wenn
die Häufigkeit
der Nachprüfung
zum Erzielen eines geeigneten Zustands der Polierfläche 302a ansteigt,
wird die Produktivität
des Poliergeräts
abgesenkt.
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Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Poliergerät und ein
Polierverfahren bereitzustellen, mit dem übermäßiges Polieren des äußeren Umfangsrands
einer zu polierenden Fläche
eines polierten Objekts aufgrund elastischer Deformation des Polierwerkzeugs
unterdrückt
werden kann, und wobei die Polierrate stabilisiert werden kann.
Diese Aufgabe wird gelöst
durch die Verfahren nach den Patentansprüchen 1, 12 und 26, sowie dem
Poliergerät nach
Patentanspruch 19.
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Gemäß einem
ersten Merkmal der vorliegenden Erfindung wird ein Polierverfahren
zum Drehen eines Polierwerkzeugs bereitgestellt, welches durch ein
elastisches Teil gebildet ist, das eine Polierfläche besitzt, längs einer
Ebene senkrecht zu einer Drehwelle, zum Drehen der Polierfläche auf
einer zu polierenden Fläche
eines zu polierenden ebenen scheibenförmigen Objektes, welches auf
einem Haltetisch gehalten ist, und zum relativen Verschieben des
zu polierenden ebenen scheibenförmigen
Objektes und des Polierwerkzeugs längs einer Haltefläche des Haltetisches,
um die Fläche
des zu polierenden ebenen scheibenförmigen Objekts zu polieren,
wobei das Verfahren folgende Schritte umfaßt:
Neigen der Drehwelle
des Polierwerkzeugs um einen vorher-festgelegten Winkel bezüglich der
Normalen der Haltefläche
des Haltetisches in Richtung auf eine Vorschubrichtung der Verschiebung
des Polierwerkzeugs; und
Neigen der Welle des Polierwerkzeugs
bezüglich
der Normalen der Haltefläche
des Haltetisches in einer Richtung, die sich von der vorgenannten
Vorschubrichtung der Verschiebung des Polierwerkzeugs unterscheidet,
um elastische Deformation der Polierfläche in einem Bereich zu reduzieren,
wo die Polierfläche
auf einen Rand der Fläche
aufsetzt.
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Das
Polieren wird durch Einbringen eines Schleifmittels zwischen der
Polierfläche
und der zu polierenden Fläche
durchgeführt.
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Vorzugsweise
ist die Welle längs
einer Ebene senkrecht zur Vorschubrichtung der Bewegung des Polierwerkzeugs
geneigt, um die elastische Deformation der Polierfläche zu reduzieren.
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Außerdem ist
vorzugsweise die Welle in einer Richtung geneigt, wo die Höhe der Polierfläche in bezug
auf die zu polierende Fläche
im Bereich der Polierfläche,
die auf den äußeren Umfangsrand
der zu polierenden Fläche
aufsetzt, höher
wird als die Höhe
der Polierfläche
in einem Bereich der Fläche, die
zu polieren ist, abseits von der zu polierenden Fläche.
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Vorzugsweise
wird das Polieren dadurch ausgeführt,
daß ein
Polierwerkzeug verwendet wird, welches eine ringförmige Polierfläche hat.
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Es
wird von einem Polierwerkzeug Gebrauch gemacht, bei dem eine Polierfläche, die
durch Drehen des Polierwerkzeugs planbearbeitet wurde, welches in
einem Zustand dreht, bei dem die Welle in unterschiedlichen Richtungen
geneigt ist, sich längs
einer Korrekturfläche
eines Korrekturwerkzeugs parallel zur Haltefläche dreht.
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Gemäß einem
zweiten Merkmal der vorliegenden Erfindung wird ein Polierverfahren
zum Drehen eines Polierwerkzeugs bereitgestellt, welches durch ein
elastisches Teil gebildet wird, welches eine Polierfläche längs einer
Ebene senkrecht zu einer Drehwelle besitzt, zum Drücken der
Polierfläche
auf eine zu polierende Fläche
eines zu polierenden ebenen scheibenförmigen Objektes, welches auf
einem Haltetisch gehalten ist, und zum relativen Verschieben des
zu polierenden ebenen scheibenförmigen Objektes
und des Polierwerkzeugs längs
einer Haltefläche
des Haltetisches, um die Fläche
des polierenden ebenen scheibenförmigen
Objekts zu polieren, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
Neigen
der Welle des Polierwerkzeugs bezüglich der Normalen der Haltefläche des
Haltetisches in einer Richtung, um eine elastische Deformation der
Polierfläche
in einem Bereich zu reduzieren, wo die Polierfläche auf einen Rand der polierten
Fläche
aufsetzt.
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Gemäß einem
dritten Merkmal der vorliegenden Erfindung wird ein Poliergerät bereitgestellt,
welches umfaßt:
einen
Haltetisch, um ein zu polierendes ebenes scheibenförmiges Objekt
zu halten, ein Polierwerkzeug, welches eine Polierfläche senkrecht
zu einer Drehwelle besitzt,
eine Polierwerkzeug-Halteeinrichtung,
um das Polierwerkzeug drehbar um die Welle zu halten,
eine
Verschiebe- und Positionierungseinrichtung, um die Polierwerkzeug-Halteeinrichtung
in einer Richtung zu halten, wo die Polierfläche des Polierwerkzeugs der
Fläche
des Objekts gegenüberliegt
und um eine Relativposition der Polierfläche zur Fläche in der gegenüberliegenden
Richtung festzulegen, und
eine Relativverschiebeeinrichtung,
um das Polierwerkzeug und das Objekt auf dem Haltetisch längs der
Haltefläche
des Haltetisches relativ zu verschieben, wobei,
die Drehwelle
des Polierwerkzeugs um einen vorher-festgelegten Winkel bezüglich der
Normalen der Haltefläche
des Haltetisches in Richtung auf die Vorschubrichtung der Verschiebung
des Polierwerkzeugs geneigt ist, und um einen vorher-festgelegten Winkel
in einer Richtung geneigt ist, die sich von dieser Neigungsrichtung
unterscheidet und die elastische Deformation der Polierfläche in dem
Bereich reduziert, wo die Polierfläche auf den äußeren Umfangsrand
der zu polierenden Fläche
aufsetzt.
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Da
bei der vorliegenden Erfindung das Polieren dadurch ausgeführt wird,
daß das
Polierwerkzeug in einer Richtung geneigt wird, wo die elastische Deformation
der Polierfläche
in dem Bereich reduziert wird, wo die Polierfläche auf den äußeren Umfangsrand
der zu polierenden Fläche
des zu polierenden ebenen scheibenförmigen Objektes aufsetzt, wird
der Schaden, der auf den äuße ren Umfangsrand der
zu polierenden Fläche
aufgrund der elastischen Deformation durch die Polierfläche, die
auf den äußeren Umfangsrand
der zu polierenden Fläche
aufsetzt, unterdrückt,
so daß die
Konzentration der Arbeitsenergie der Polierfläche am äußeren Umfangsrand der zu polierenden
Fläche
unterdrückt
wird. Als Folge davon wird die Verminderung der Polierrate unterdrückt.
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Weiter
wird durch Neigen der Polierfläche
in Richtung auf die zu polierende Fläche die Höhe der Polierfläche zur
Fläche,
die zu polieren ist, im Aufsetzbereich relativ hoch, wodurch, wenn
das Schleifmittel, welches zwischen die Polierfläche und die zu polierende Fläche eingeführt wird,
das Schleifmittel leicht zwischen die Polierfläche und die zu polierende Fläche im Aufsetzbereich
in Richtung auf die Drehrichtung der Polierfläche eindringen kann, so daß eine ausreichende
Menge an Schleifmittel stabil zwischen die Polierfläche und
die zu polierende Fläche eingeführt wird.
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Durch
Neigen der Welle des Polierwerkzeugs bezüglich der Normalen der Haltefläche des Haltetisches
um einen vorherbestimmten Winkel in Richtung auf die Vorschubrichtung
des Polierwerkzeugs wird der effektive Kontaktbereich der Polierfläche und
der zu polierenden Fläche
enger gemacht. Aufgrund dieses Umstandes wird die Unebenheit der Verteilung
des Poliergrades der Fläche,
die zu polieren ist, im Kontaktbereich unterdrückt, und die Variation des
Poliergrads in der zu polierenden Fläche wird unterdrückt. Wenn
dagegen die Drehwelle des Polierwerkzeugs um einen vorherbestimmten
Winkel bezüglich
der Normalen der Haltefläche
des Haltetisches in Richtung auf die Vorschubrichtung der Bewegung
des Polierwerkzeugs geneigt ist, tritt am vorderen Bereich der Polierfläche in der
Vorschubrichtung der Bewegung des Polierwerkzeugs eine größere elastische
Deformation in dem Bereich auf, der auf die zu polierende Fläche aufsetzt,
als in einem Fall, wo keine Neigung besteht, und der Schaden, der
auf den äußeren Umfangsrand
der zu polierenden Fläche
ausgeübt
wird, wird ansteigen. Bei der vorliegenden Erfindung ist jedoch
die Welle des Polierwerkzeugs in einer Richtung geneigt, die sich
von der vorgenannten Vorschubrichtung der Verschiebung des Polierwerkzeugs
unterscheidet, um die elastische Deformation im Aufsetzbereich der
Polierfläche
zu reduzieren, so daß der
Schaden, der auf den äußeren Umfangsrand
der zu polierenden Fläche
ausgeübt
wird, unterdrückt
werden kann.
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Außerdem wird
bei der vorliegenden Erfindung durch Polieren, wobei das Polierwerkzeug
verwendet wird, bei die Polierfläche
zur Ebene senkrecht zur Welle in ungefähr dem gleichen Winkel wie mit
dem Neigungswinkel in Richtung auf die Vorschubrichtung der Bewegung
des Polierwerkzeugs geneigt ist, die Polierfläche zu einer gekrümmten Fläche, der
effektive Kontaktbereich der Polierfläche und der zu polierenden
Fläche
wird enger, und die Höhe
der Polierfläche
zur polierenden Fläche
im Bereich, bei dem auf die zu polierende Flä che aufgesetzt wird, wird hoch,
der Grad der elastischen Deformation der Polierfläche wird
weiter reduziert und der Schaden, der auf den äußeren Umfangsrand der zu polierenden
Fläche
aufgrund der elastischen Deformation der Polierfläche ausgeübt wird,
kann weiter unterdrückt
werden.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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Diese
und weitere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden
aus der folgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen,
die mit Hilfe der beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird, deutlicher,
in denen:
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1 eine
perspektivische Ansicht eines Beispiels eines Poliergeräts nach
dem Stand der Technik ist;
-
2 eine
Ansicht ist, um ein Beispiel eines Polierverfahrens nach dem Stand
der Technik zu erläutern;
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3 eine
Ansicht eines Beispiels einer Verteilung des Drucks ist, der zwischen
einem Wafer und dem Polierwerkzeug bei dem Polierverfahren, welches
in 2 gezeigt ist, erzeugt wird;
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4A und 4B Querschnittsansichten einer
elastischen Deformation bei einem äußeren Umfangsrand eines Wafers
sind, die aufgrund des Drucks der Polierfläche des Polierwerkzeugs gegen den
Wafer erzeugt wird;
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5 eine
Draufsicht beim Zustand eines übermäßigen Polierens
des äußeren Umfangsrands des
Wafers W ist, der aufgrund der elastischen Deformation der Polierfläche des
Polierwerkzeugs auftritt;
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6 eine
Ansicht des Aufbaus eines Poliergeräts gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist;
-
7 eine
Ansicht ist, um den Wellenneigungsmechanismus gemäß einer
Wellenneigungseinrichtung der vorliegenden Erfindung zu erläutern;
-
8 eine
Querschnittsansicht des Aufbaus eines Wellenneigungsmechanismus
ist;
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9A und 9B Ansichten
des Aufbaus eines Winkeleinstellungsblocks sind;
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10A und 10B Ansichten
des Aufbaus eines anderen Winkeleinstellungsblocks sind;
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11 eine
Ansicht ist, um ein Polierverfahren der vorliegenden Erfindung zu
erläutern,
die eine Neigung einer Welle eines Polierwerkzeugs in einer Vorschubrichtung
zeigt;
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12A und 12B Ansichten
sind, um ein Polierverfahren der vorliegenden Erfindung zu erläutern, die
die Neigung der Welle des Polierwerkzeugs in einer Richtung zeigen,
um eine elastische Deformation einer Polierfläche in einem Auflaufbereich
zu reduzieren;
-
13 eine
Ansicht ist, um ein Polierverfahren der vorliegenden Erfindung zu
erläutern,
die eine Relativposition zwischen einem Wafer W und einem Polierwerkzeug
zeigt;
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14A eine Ansicht eines Beispiels einer Verteilung
eines Drucks ist, der zwischen einer Polierfläche des Polierwerkzeugs und
einer zu polierenden Fläche
des Wafers erzeugt wird, und 14B eine
Querschnittsansicht längs
einer Linie A-A von 14A ist;
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15A und 15B Ansichten
eines Zustands der Polierfläche
des Polierwerkzeugs sind, wobei 15A eine
Querschnittsansicht des Zustands in einem Aufsetzbereich 90 ist,
und 15B eine Querschnittsansicht
des Zustands in einem Auslaufbereich ist;
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16A und 16B Ansichten
des Zustands der Polierfläche
des Polierwerkzeugs sind, wo ein Neigungswinkel β relativ größer ist als in dem Fall, der
in 15A und 15B gezeigt
ist;
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17A und 17B Ansichten
sind, um ein Polierverfahren gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zu erläutern;
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18A bis 18C Ansichten
sind, um die Polierroutine des Polierverfahrens gemäß der zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zu erläutern;
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19A und 19B Ansichten
sind, um ein Polierverfahren gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zu erläutern;
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20A bis 20C Ansichten
sind, um ein Verfahren zum Planbearbeiten der Polierfläche des Polierwerkzeugs
zu erläutern;
und
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21 eine
Ansicht der Form eines effektiven Arbeitsbereichs S des Wafers und
der Polierfläche
ist.
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Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
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Anschließend werden
Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung ausführlich
mit Hilfe der Zeichnungen erläutert
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Erste Ausführungsform
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6 ist
eine Ansicht des Aufbaus eines Poliergeräts gemäß einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Das
in 6 gezeigte Poliergerät 1 ist mit einem
Polierwerkzeug 8, einer Hauptwellenspindel 21 zum
drehbaren Halten des Polierwerkzeugs 8, einem Z-Achsenver schiebemechanismus 11,
um die Hauptwellenspindel 21 in der Z-Achsenrichtung zu
verschieben und zu positionieren, einem Drehtisch 41, um
den Wafer W zu halten und zu drehen, und einem X-Achsenverschiebemechanismus 51,
um den Drehtisch 41 in der X-Achsenrichtung zu bewegen,
versehen.
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Die
Hauptwellenspindel 21 hält
das Polierwerkzeug 8 und dreht dieses Polierwerkzeug 8 um die
Welle K1. In dieser Hauptwellenspindel 21 ist eine Hauptwelle 23,
ein statisches Drucklager, um diese Hauptwelle 23 drehbar
zu halten, und ein Servomotor, um die Hauptwelle 23 zu
drehen, untergebracht. Außerdem
ist die Hauptwellenspindel 21 an einem Spindelhalter 20 befestigt.
Der Spindelhalter 20 ist an einer Säule 3 befestigt, der
längs der
Z-Achsenrichtung über eine
nicht gezeigte Führung
verschiebbar ist.
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Außerdem ist
an einer vorher-festgelegten Position auf dem äußeren Umfang der Hauptwellenspindel 21 eine
Schlamm/Reinwasser-Zuführdüse 81 vorgesehen,
um den Schlamm, der als Schleifmittel dient, und reines Wasser dem
Wafer W zuzuführen.
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Der
Z-Achsen-Verschiebemechanismus 11 ist längs der Z-Achsenrichtung (Vertikalrichtung)
in der Torsäule 3 vorgesehen,
die vertikal auf einer Basis 2 steht, und hält die Hauptwellenspindel 21,
die in der Z-Achsenrichtung verschiebbar ist. Der Z-Achsen-Verschiebemechanismus 11 bildet
eine Verschiebe- und Positionseinrichtung, um das Polierwerkzeug
in einer Richtung zu halten, wo die Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 der
zu polierenden Fläche
des Wafers W gegenüberlegt,
und um die Relativposition der Polierfläche 8a zur polierenden
Flache des Wafers W in der Planbearbeitungsrichtung festzulegen.
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Insbesondere
ist der Z-Achsen-Verschiebemechanismus 11 mit einem Servomotor 12,
der an der Säule 3 befestigt
ist, einer Schraubenwelle 13, die mit dem Servomotor 12 verbunden
ist und die mit einer Gewindestange versehen ist, und einem Z-Achsenschlitten 14 versehen,
der mit einem Schraubenteil versehen ist, das in die Schraubenwelle 13 eingreift
und mit dem Spindelhalter 20 verbunden ist.
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Beim
Ansteuern des Servomotors 12, so daß dieser sich dreht, verschiebt
sich der Z-Achsenschlitten 14 nach oben oder nach unten
längs der
Z-Achsenrichtung, und der Spindelhalter 20, der mit dem Z-Achsenschlitten 14 verbunden
ist, verschiebt sich längs
der Z-Achsenrichtung
nach oben oder nach unten. Durch Steuern des Maßes der Drehung des Servomotors 12 kann
daher das Polierwerkzeug 8 in der Z-Achsenrichtung positioniert
werden.
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Der
Drehtisch 41 ist mit einer Haltefläche 41a versehen,
die parallel zur Horizontalrichtung vorgesehen ist, um den Wafer
W zu halten, der als Polierobjekt dient, und spannt den Wafer W
an der Haltefläche 41a über eine
Einspanneinrichtung beispielsweise durch Saugen ein. Der Drehtisch 41 ist
mit einer Ansteuereinrichtung versehen, beispielsweise ei nem Motor,
der den Wafer W dreht. Es sei angemerkt, daß der Drehtisch 41 einem
konkreten Beispiel des Haltetisches nach der vorliegenden Erfindung
entspricht. Am Umfang des Drehtisches 41 ist ein Zurückgewinnungsbecken 82 vorgesehen,
um den Schlamm zurückzugewinnen,
der dem Wafer W von der Schlamm/Reinwasser-Zuführungsdüse 81 zugeführt wurde.
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Der
X-Achsen-Verschiebemechanismus 51 ist mit einem Servomotor 55,
einer Schraubenwelle 54, die mit dem Servomotor 55 verbunden
ist und die mit einer Gewindestange ausgebildet ist, einem X-Achsenschlitten 53,
der mit einem Schraubenbereich ausgebildet ist, der in die Schraubenwelle 54 eingreift,
und einem X-Achsentisch 52 versehen, der mit dem X-Achsenschlitten 53 verbunden
ist, die durch die nicht gezeigte Führung gehalten sind, die in der
X-Achsenrichtung verschiebbar ist, auf dem der Drehtisch 41 angeordnet
ist.
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Dieser
X-Achsen-Verschiebemechanismus 51 hält den Drehtisch 41 und
dient als Relativ-Verschiebeeinrichtung nach der vorliegenden Erfindung, um
das Polierwerkzeug 8 in bezug auf den Wafer W längs der
Haltefläche 41a des
Drehtisches 41 zu verschieben.
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Durch
Drehen des Servomotors 55 verschiebt sich der X-Achsenschlitten 53 in
beiden X-Achsenrichtungen, der X-Achsentisch 52 verschiebt
sich in beiden X-Achsenrichtungen, und die Haltefläche 41a des
Drehtisches 41 verschiebt sich in beiden X-Achsenrichtungen
längs der
Horizontalfläche,
wodurch der Wafer W und das Polierwerkzeug 8 sich relativ
zueinander längs
der Haltefläche 41a des Drehtisches 41 verschieben.
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Das
Polierwerkzeug 8 ist ein zylindrisches Teil, welches aus
einem elastischen Teil hergestellt ist, welches an einer Bodenendfläche der
Hauptwelle 22 befestigt ist und welches sich federnd deformiert, wenn
es gegen den Wafer W gedrückt
wird. Als Material zum Bilden des Polierwerkzeugs 8 kann
von einem Kunststoff Gebrauch gemacht werden, beispielsweise Polyurethan-Schaum,
oder von einem befestigten Schleifmittel, welches beispielsweise
aus Cer-Oxid (CeO2) hergestellt ist, welches
durch einen weichen Bindestoff angeheftet ist. Als weichen Bindestoff
kann beispielsweise von einem Melamin-Kunststoff, einem Urethan-Kunststoff
oder einem Phenol-Kunststoff Gebrauch gemacht werden.
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Das
Polierwerkzeug 8 besitzt eine ringförmige Endfläche parallel zu einer Ebene
senkrecht zur Welle K1 an der Bodenendfläche des zylindrischen Teils.
Dies bildet die Polierfläche 8a,
um die zu polierende Fläche
des Wafers W zu polieren.
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Als
Polierwerkzeug 8 kann ein Werkzeug verwendet werden, welches
beispielsweise einen Durchmesser von 200 mm, eine Breite von 20
mm und eine Dicke von 20 mm hat, wenn ein Wafer, der einen Durchmesser
von 8 Zoll hat, poliert wird. Der Durchmesser des Wafers W und der
Außendurchmesser
des Polierwerkzeugs 8 sind ungefähr gleich.
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Neigungsmechanismus der Welle
K1
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7 ist
eine Ansicht, um den Wellenneigungsmechanismus zu erläutern, der
zwischen der Hauptwellenspindel 21 und dem Spindelhalter 20 des Poliergeräts 1 vorgesehen
ist, welches den obigen Aufbau hat, um den Neigungsgrad der Welle
K1 der Hauptwellenspindel 21 (Polierwerkzeug 8)
zu einer Welle K2, die vertikal zur Haltefläche 41a des Drehtisches 41 ist,
einzustellen.
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Gemäß 7 ist
ein Flansch 24 auf dem äußeren Umfang
der Hauptwellenspindel 21 gebildet. Eine Einführungswelle 27 der
Hauptwellenspindel 21 über
dem Flansch 24 besitzt einen parallelen Abschnitt an einer
Position in der Nähe
des Flansches 24 und einen abgeschrägten Abschnitt, der nach oben
schmaler wird. Ein Eingriffsloch 20b des Spindelhalters 20 ist über dieser
Einführungswelle 27 angeordnet.
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Die
Wellenneigungsmechanismen 61 sind zwischen einer Kopfendfläche 24a des
Flansches 24, der auf dem äußeren Umfang der Hauptwellenspindel 21 vorgesehen
ist, und einer Bodenendfläche 20a des
Spindelhalters 20 vorgesehen. Die Wellenneigungsmechanismen 21 sind
beispielsweise bei drei Positionen vorgesehen, die in gleichen Intervallen
in einer Umfangsrichtung des Flansches 24 angeordnet sind.
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Es
sei darauf hingewiesen, daß die
Kopfendfläche 24a des
Flansches 24 eine Fläche
parallel zur Ebene senkrecht zur Welle K1 der Hauptwellenspindel 21 ist
(Polierwerkzeug 8).
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An
den Positionen des Flansches 24 der Hauptwellenspindel 21,
wo der Wellenneigungsmechanismus 61 vorgesehen ist, sind
Durchgangslöcher,
um Fixierbolzen 65 einzuführen, gebildet. In der Bodenendfläche 20a des
Spindelhalters 20 sind Schraubenlöcher, in die die Fixierbolzen 65 eingreifen,
an Positionen gebildet, die diesen Durchgangslöchern entsprechen. Der Flansch 24 der
Hauptwellenspindel 21 und die Bodenendfläche 20a des
Spindelhalters 20 sind durch die Fixierbolzen 65 fixiert, wobei
die Wellenneigungsmechanismen 61 dazwischen angeordnet
sind.
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Jeder
Wellenneigungsmechanismus 61 ist mit zwei Neigungseinstellblöcken 62 und 63 versehen,
wie in 8 gezeigt ist.
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Der
Neigungseinstellblock 62 besitzt einen L-förmigen Querschnitt.
Eine Fläche 62a,
die gegen die Bodenendfläche 20a des
Spindelhalters 20 anliegt, dient als Referenzfläche, während die
andere Fläche 62b gegenüber dieser
Referenzfläche 62a eine
geneigte Fläche
ist, die in bezug auf die Referenzfläche 62a geneigt ist.
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Wie
außerdem
in 9A und 9B gezeigt
ist, ist die Referenzfläche 62a des
Neigungseinstellblocks 62 mit einem Einführungsloch 62c ausgebildet,
um einen Fixierbolzen 65 einzuführen.
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Im
Mittelteil auf der Seitenfläche
des Neigungseinstellblocks 62 sind ein Schraubenloch 62e, in
welches ein Bolzen 67 eingreift, und zwei Durchgangslöcher 66,
in die Fixierbolzen 66 eingeführt werden, vorgesehen, die
auf beiden Seiten dieses Schraubenlochs 62e positioniert
sind.
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Der
Neigungseinstellblock 63 besitzt einen L-förmigen Querschnitt.
Die Fläche
der Hauptwellenspindel 21, die gegen die Kopfendfläche 24a des Flansches 24 stößt, dient
als Referenzfläche,
während
die Fläche 63b gegenüber dieser
Referenzfläche 63a eine
geneigte Fläche
ist, die in bezug auf die Referenzfläche 63a geneigt ist.
Diese geneigte Fläche 63b stößt gegen
die geneigte Fläche 62b des Neigungseinstellblocks 62 und
ist mit dem gleichen Winkel und der entgegengesetzten Richtung zur
geneigten Fläche 62b geneigt.
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Wie
in 10A und 10B gezeigt
ist, ist die Referenzfläche 63a des
Neigungseinstellblocks 63 mit einem Einführungsloch 63c ausgebildet,
um einen Fixierbolzen 65 einzuführen.
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An
Positionen entsprechend den beiden Durchgangslöchern 66 des Neigungseinstellblocks 62 auf
der Seitenfläche
des Neigungseinstellblocks 63 sind zwei Schraubenlöcher 63d gebildet,
in die die Fixierbolzen 66 eingreifen.
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In
dem Zustand, wo die geneigte Fläche 62b des
Neigungseinstellblocks 62 und die geneigte Fläche 63b des
Neigungseinstellblocks 63 in Kontakt gebracht sind, sind
die Referenzfläche 62a des
Neigungseinstellblocks 62 und die Referenzfläche 63a des
Neigungseinstellblocks 63 parallel. Gemäß der Relativposition zwischen
der geneigten Fläche 62b des
Neigungseinstellblocks 62 und der geneigten Fläche 63b des
Neigungseinstellblocks 63 ändert sich der Abstand TH zwischen
der Referenzfläche 62a des
Neigungseinstellblocks 62 und der Referenzfläche 63a des
Neigungseinstellblocks 63.
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Somit
kann durch Einstellen der Relativpositionen der Referenzfläche 62a des
Neigungseinstellblocks 62 und der Referenzfläche 63a des
Neigungseinstellblocks 63 der Abstand TH eingestellt werden, und
daher kann der Abstand zwischen der Kopfendfläche 24a des Flansches 24 der
Hauptwellenspindel 21 und der Bodenendfläche 20a des
Spindelhalters 20 eingestellt werden.
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Durch
das Anordnen der Neigungseinstellblöcke 62 und 63 an
drei Positionen zwischen der Kopfendfläche 24a des Flansches 24 der
Hauptwellenspindel 21 und der Bodenendfläche 20a des
Spindelhalters 20 und durch Einstellen des Abstandes TH zwischen
den Referenzflächen 62a und 63a kann
der Neigungswinkel der Welle K1 der Hauptwellenspindel 21 (Polierwerkzeug 8)
in bezug auf die Welle K2 senkrecht zur Haltefläche 41a des Drehtisches 41 frei eingestellt
werden, und es kann die Welle in einer beliebigen Richtung geneigt
werden.
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Um
den Neigungswinkel der Welle K1 der Hauptwellenspindel 21 (Polierwerkzeug 8)
einzustellen, werden zunächst
die Fixierbolzen 65 zum Fixieren der Hauptwellenspindel 21 und
des Spindelhalters 20 gelöst, und es wird der Bolzen 67 in
einer beliebigen Richtung gedreht. Die Spitze des Bolzens 67 stößt dann
gegen die Seitenfläche 63e des
Neigungseinstellblocks 63, wodurch die Relativpositionen
zwischen den Neigungseinstellblöcken 62 und 63 festgelegt
werden kann, und es kann der Abstand TH zwischen den Referenzflächen 62a und 63a der Neigungseinstellblöcke 62 und 63 gemäß diesen
Relativpositionen geändert
werden. Durch geeignetes Einstellen des Abstandes TH zwischen den
Referenzflächen 62a und 63a der
Neigungseinstellblöcke 62 und 63 werden
die Neigungsrichtung und die Neigungshöhe der Welle K1 der Hauptwellenspindel 21 (Polierwerkzeug 8)
eingestellt.
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Wenn
der Abstand TH zwischen den Referenzflächen 62a und 63a der
Neigungseinstellblöcke 62 und 63 auf
einen beabsichtigten Wert eingestellt ist, werden die Fixierblöcke 66 angezogen,
die Relativpositionen zwischen den Neigungseinstellblöcken 62 und 63 fixiert,
und es werden weiter die Fixierbolzen 65 angezogen, wodurch
die Einstellung der Neigungsrichtung und der Höhe der Neigung der Welle K1
der Hauptwellenspindel 21 (Polierwerkzeug 8) abgeschlossen
ist.
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Anschließend wird
das Polierverfahren der vorliegenden Erfindung erläutert, bei
dem das Poliergerät 1 mit
dem obigen Aufbau verwendet wird.
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Wellenneigung (Winkel α)
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Zunächst wird
der Wellenneigungsmechanismus 61 des Poliergeräts 1 eingestellt
und es wird die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 mit einem
vorher-festgelegten Winkel in bezug auf die Richtung senkrecht zur
Ebene parallel zur Haltefläche 41a des Drehtisches 41 in
Richtung auf die Vorschubrichtung der Verschiebung des Polierwerkzeugs 8 geneigt.
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Insbesondere
wird, wie in 11 gezeigt ist, die Welle K1
des Polierwerkzeugs 8 um einen Winkel α in bezug auf den Wafer W des
Polierwerkzeugs 8 in Richtung auf eine relative Vorschubrichtung
D (Richtung, wo das Polieren weiterschreitet) in bezug auf eine
Achse 0 senkrecht zu einer Ebene (X-Y-Ebene) parallel zur
Haltefläche 41a des
Drehtisches 41 geneigt.
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Der
Neigungswinkel α der
Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 wird beispielsweise auf
einen Wert festgelegt, wo die Höhendifferenz
H des vorderen und hinteren Endes in der Z-Achsenrichtung, die die X-Achsenrichtung
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 betrifft, die in 11 gezeigt
ist, ungefähr
15 bis 50 μm
beträgt.
Der Neigungswinkel beträgt
nämlich
ungefähr
15 bis 50 μm
in bezug auf eine Länge
von 8 Zoll.
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Wellenneigung (Winkel β)
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Die
Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 wird in einer Richtung geneigt,
mit der die elastische Deformation der Polierfläche 8a in dem Bereich
reduziert wird, wo die Polierfläche 8a auf
den äußeren Umfangsrand
der Fläche,
die zu polieren ist, des Wafers W läuft, in bezug auf eine Richtung
senkrecht zur Haltefläche 41a des
Drehtisches.
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Diese
Neigung in der Richtung, in welcher die elastische Deformation reduziert
wird, ist nicht auf eine Richtung beschränkt, sondern, wie in 12A gezeigt ist, ist die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 mit einem
Winkel β von
der Achse 0 längs
einer Ebene (X-Z-Ebene)
senkrecht zur relativen Vorschubrichtung D des Polierwerkzeugs 8 in
bezug auf den Wafer W geneigt. Es sei angemerkt, daß 12A die Beziehung zwischen dem Polierwerkzeug 8 und
dem Wafer W gesehen von der Vorschubrichtung D des Polierwerkzeugs 8 zeigt,
während 12B die Beziehung zwischen dem Polierwerkzeug 8 und
dem Wafer W von der Z-Achsenrichtung gesehen aus zeigt.
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Die
Richtung der Neigung der Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 ist
eine Richtung, wo die Höhe
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in bezug auf den Wafer W in den Aufsetzbereich 90 höher wird
als die im Auslaufbereich 91 im Bereich 90 des
Polierwerkzeugs 8, welcher auf den äußeren Umfangsrand des Wafers
W läuft,
wie in 12B gezeigt ist, und in dem
Auslaufbereich 91 des Polierwerkzeugs 8 vom äußeren Umfangsrand
des Wafers W.
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Der
Neigungswinkel β der
Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 wird auf einen Wert eingestellt,
wodurch eine Höhendifferenz
Hβ des vorderen
und hinteren Randes der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in der Z-Achsenrichtung, wie in 12A gezeigt ist, die die Y-Achsenrichtung betrifft, beispielsweise
ungefähr
15 bis 30 μm
wird. Der Neigungswinkel beträgt
ungefähr
15 bis 30 μm
in bezug auf eine Länge
von 8 Zoll. Wie außerdem
später
erläutert wird,
wird vorzugsweise der Neigungswinkel α der Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 auf
einen größeren Wert
als den des Neigungswinkels β eingestellt.
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Anschließend wird
bei dem Poliergerät 1 in dem
Zustand, wo die Welle K1 um die Neigungswinkel α und β in zwei verschiedenen Richtungen
geneigt ist, der Zustand, wo die hintere Fläche des Wafers W auf der Haltefläche 41a des
Drehtisches 41 befestigt ist, und wo der Drehtisch 41 und
das Polierwerkzeug 8 gedreht werden, gezeigt.
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Wie
in 13 gezeigt ist, sind die Drehrichtung R1 des Polierwerkzeugs 8 und
Drehrichtung R2 des Wafers W umgekehrt zueinander eingestellt.
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Wie
außerdem
in 13 gezeigt ist, wird eine konstante Menge an Schlamm
SL auf den Wafer W von der Schlamm/Reinwasser-Zuführdüse 81 aufgebracht.
Es sei angemerkt, daß der
Schlamm SL konstant exakt in der erforderlichen Menge im Zeitpunkt
des Polierens gleichfalls ergänzt
wird. Der Schlamm ist nicht besonderen Einschränkungen unterworfen, sondern
es kann Gebrauch gemacht werden von beispielsweise einem Schlamm,
der durch Aufschwemmen eines Siliziums auf der Basis von verdampften
Silizium und hochgenauem Cer in einer wässerigen Lösung, die Kalium-Hydroxid als
Basis für
einen Oxidfilm enthält,
oder einem, der durch Mischen einer Lösung erhalten wird, die eine
Oxidierungskraft hat, in eine Polierflüssigkeit, die Aluminium als
Polierschleifmittel für
ein Zwischenverbindungsmetall enthält, erhalten wird.
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Danach
wird das Polierwerkzeug 8 nach unten in der Z-Achsenrichtung
verschoben. Wie in 13 gezeigt ist, wird ein Zustand
aufgezeigt, wo der äußere Umfangsrand
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8, welches außerhalb des Wafers W angeordnet
ist, am äußeren Umfangsrand
angeordnet ist, und wo ein Polierstartpunkt P1 des äußeren Umfangsrands
des Wafers W und der äußere Umfangsrand
des Polierwerkzeugs 8 sich überlappen. Es sei angemerkt,
daß in
diesem Zustand jeweils die Mitte der Drehung des Polierwerkzeugs 8 und
des Wafers W auf der gleichen Linie längs der X-Achse angeordnet
sind.
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Danach
wird das Polierwerkzeug 8 gegen den Wafer W gedrückt, und
der Wafer W und die Polierfläche
des Polierwerkzeugs 8 werden in Kontakt miteinander gebracht,
während
sie drehen, wobei der Polierdruck F in einer Richtung senkrecht
zur polierenden Fläche
des Wafers W angelegt wird.
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Aus
diesem Zustand heraus wird der X-Achsentisch 52 angetrieben,
um den Wafer W vom Polierstartpunkt P1 mit einer vorher-festgelegten
Geschwindigkeit in der Richtung des Pfeils C zu verschieben, der
den relativen Anstieg des Überlappungsbereichs
des Wafers W und des Polierwerkzeugs 8 zeigt. Aufgrund
dieser Tatsache wird das Polierwerkzeug 8 relativ in Richtung
auf eine Radialrichtung des Wafers W vorgeschoben.
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Es
sei angemerkt, daß im
Zeitpunkt des Beginns des Polierens, wenn das Polierwerkzeug 8 in bezug
auf den Wafer W verschoben wird, nachdem die Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in Kontakt mit dem Polierstartpunkt P1
des Wafers W gebracht wurde, der Polierdruck F entsprechend der
Relativ-Verschiebung des Polierwerkzeugs 8 allmählich er höht wird.
Wenn das Polierwerkzeug 8 eine vorher-festgelegte Position
in bezug auf den Wafer W erreicht, wird das Polieren durchgeführt, wobei
der Polierdruck F auf einem konstanten Wert gehalten wird.
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Die
Fläche
des halbmondförmigen
Bereichs, was später
erwähnt
wird, wird allmählich
größer vom Polierstartpunkt
P1 gemeinsam mit dem Anstieg des Polierdrucks F. Wenn das Polierwerkzeug 8 eine
vorher-festgelegte Position in bezug auf den Wafer W erreicht, wird
die Fläche
dieses halbmondförmigen
Bereichs zu einem ungefähr
konstanten Bereich. Aufgrund dieser Tatsache wird eine Gleichförmigkeit
des Poliergrads durch das Polierwerkzeug 8 erhalten. Außerdem wird
die Geschwindigkeit des Polierwerkzeugs 8 in der X-Achsenrichtung
vorher eingestellt, so daß der
Poliergrad in der Fläche
des Wafers W gleichförmig
wird.
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14A ist eine Ansicht eines Beispiels der Verteilung
des Drucks, der zwischen. der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 und
der zu polierenden Fläche
des Wafers W erzeugt wird, während 14B eine Querschnittsansicht längs eine Linie A-A von 14A ist. Es sei angemerkt, daß 14A die
Verteilung des virtuellen Drucks zeigt, wenn durch das Polierwerkzeug 8 ohne
den Wafer W zu drehen poliert wird.
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Die
Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 ist um einen Winkel α in Richtung
auf die relative Vorschubrichtung D des Polierwerkzeugs 8 in
bezug auf den Wafer W in bezug auf die Achse 0 geneigt,
wie in 11 gezeigt wurde. Aus diesem
Grund wird, wie in 14A gezeigt ist, die Verteilung
des Drucks, der zwischen der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 und
der zu polierenden Fläche
des Wafers W erzeugt wird, grundsätzlich zu einem ungefähr halbmondförmigen Bereich
PR.
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In
diesem halbmondförmigen
Bereich PR wird eine Fläche
PH, wo der Druck relativ hoch ist, erzeugt, und eine Fläche PL,
wo der Druck, der darum herum existiert, relativ niedrig ist, erzeugt.
Die Fläche PH,
wo der Druck relativ hoch ist, wird zu einem Bereich, der effektiv
auf die zu polierende Fläche
des Wafers W wirkt. Die Fläche
PH ist ausreichend kleiner als die Überlappungsfläche des
Wafers W und die Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8. Sogar wenn das Polierwerkzeug 8 sich
relativ in der Vorschubrichtung D verschiebt, wird die Fläche der
Fläche
PH ungefähr
konstant. Aus diesem Grund kann der Poliergrad im effektiven Arbeitsbereich
gleichförmig
gemacht werden, und es kann die Polierrate konstant ausgeführt werden.
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Dagegen
ist, wie in 14B gezeigt ist, die Welle K1
des Polierwerkzeugs 8 mit dem Winkel β in einer Richtung geneigt,
wo die Höhe
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in bezug auf die Fläche des Wafers W im Bereich 90 des
Polierwerkzeugs 8, der auf den äußeren Umfangsrand des Wafers
W läuft,
höher wird
als die Höhe
der Polierfläche 8a in bezug
auf die Fläche
des Wafers W in dem Bereich 91 des Auslaufbereichs des
Polierwerkzeugs 8 vom äußeren Umfangsrand
des Wafers W.
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Aus
diesem Grund wird die elastische Deformation der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 im Aufsetzbereich 90 reduziert,
und der Schaden, der im äußeren Umfangsrand
des Wafers W auftritt, kann ausgeschaltet werden.
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Die
Zustande der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 im Aufsetzbereich 90 und im
Auslaufbereich 91 sind in 15A und 15B gezeigt.
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15A und 15B sind
Ansichten von Zuständen
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8, wobei 15A den
Zustand im Aufsetzbereich 90 zeigt und 15B den Zustand im Auslaufbereich 91 zeigt.
Es sei angemerkt, daß 15A und 15B Querschnittsansichten
in den Bereichen 90 und 91 längs der Radialrichtung des
Wafers W sind.
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Wenn
der Neigungswinkel β relativ
klein ist, wie in 15A und 15B gezeigt
ist, tritt die elastische Deformation der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 im Aufsetzbereich 90 ein, wobei
jedoch der Grad an elastischer Deformation relativ kleiner wird
als der Grad an elastischer Deformation im Auslaufbereich 91.
Aus diesem Grund wird im Aufsetzbereich 90 der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 der Kontaktdruck der federnd deformierten
Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in bezug auf den äußeren Umfangsrand des Wafers
W gegenüber
dem Fall reduziert, wo die Welle K1 nicht geneigt ist und das übermäßige Polieren,
welches im äußeren Umfangsrand
des Wafers W auftritt, unterdrückt
werden kann.
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Die
Arbeitsenergie, die aufgrund der Verminderung der elastischen Deformation
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 im Aufsetzbereich 90 nicht länger verbraucht
wird, konzentriert sich auf die Fläche PH, wo der Druck, der effektiv
auf die zu polierende Fläche
des Wafers W wirkt, relativ hoch ist, und daher die Polierrate verbessert
wird.
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Wegen
der Reduzierung des Kontaktdrucks der federnd deformierten Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in bezug auf den äußeren Umfangsrand des Wafers
W dringt der Schlamm SL, der auf der drehenden Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 lagert, leicht in den Spalt zwischen
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 und der Fläche des äußeren Umfangsrands des Wafers
W im Aufsetzbereich 90 ein. Aus diesem Grund wird der Schlamm
stabil und günstig
in den effektiven Arbeitsbereich zwischen der Polierfläche 8a und
der zu polierenden Fläche
des Wafers W eingeführt,
wodurch die Polierrate verbessert und stabilisiert wird.
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Dagegen
hat man im Auslaufbereich 91 der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in Betracht gezogen, daß der Polierdruck
vergrößert wird
und daß der
Grad an elastischer De formation gemäß der Reduktion der elastischen
Deformation der Polierfläche 8a im
Aufsetzbereich 90 vergrößert wird.
Wenn der Grad an elastischer Deformation der Polierfläche 8a sich
im Auslaufbereich 91 vergrößert, vergrößert sich die Wirkung in bezug
auf den äußeren Umfangsrand des
Wafers W, wobei jedoch die federnd deformierte Polierfläche 8a sich
nicht um den äußeren Umfangsrand
des Wafers W im Auslaufbereich 91 wickelt, und die Wirkung
davon ausreichend klein im Vergleich mit der Wirkung im Aufsetzbereich 90 ist.
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16A und 16B zeigen
Zustände,
wo der Neigungswinkel β relativ
größer ist
als in dem Fall, der in 15A und 15B gezeigt ist.
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Wenn
der Neigungswinkel β vergrößert wird, wie
in 16A gezeigt ist, kann der Zustand erhalten werden,
wo das Auftreten einer elastischen Deformation der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 vollständig im Aufsetzbereich 90 beseitigt
ist, und wo eine Lücke
zwischen der Polierfläche 8a und
der Fläche
des Wafers W gebildet ist.
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Wenn
ein solcher Zustand auftritt, wird fast keine Arbeitsenergie im
Aufsetzbereich 90 verbraucht, die Arbeitsenergie wird im
Bereich PH konzentriert, wo der Druck effektiv auf der zu polierenden Fläche des
Wafers W relativ hoch ist, und somit kann die Polierrate weiter
verbessert werden. Da außerdem
eine Lücke
zwischen der Polierfläche 8a und
der Fläche
des Wafers W gebildet wird, dringt der Schlamm SL leichter zwischen
die Polierfläche 8a und
die zu polierende Fläche
des Wafers W ein, wodurch somit der Schlamm SL stabiler und wirksamer in
den effektiven Arbeitsbereich geführt werden kann.
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Wenn
der Neigungswinkel β,
wie in 16B gezeigt ist, vergrößert wird,
kann man in Betracht ziehen, daß der
Grad an elastischer Deformation der Polierfläche 8a im Auslaufbereich 91 ansteigt.
Wie oben beschrieben ist im Auslaufbereich 91 die federnd
deformierte Polierfläche 8a nicht
um den äußeren Umfangsrand
des Wafers W geschlungen, so daß der
Effekt relativ klein ist, jedoch, wenn der Einfluß der elastischen
Deformation der Polierfläche 8a im
Auslaufbereich 91 beispielsweise nicht vernachlässigbar
ist, wird der Polierdruck F des Polierwerkzeugs 8 in bezug
auf den Wafer W eingestellt (klein gemacht), und der Grad an elastischer
Deformation der Polierfläche 8a im
Auslaufbereich 91 wird klein gemacht. Aufgrund davon kann
der Effekt der elastischen Deformation der Polierfläche 8a im
Auslaufbereich 91 reduziert werden. Sogar, wenn der Polierdruck
F reduziert wird, wird die Arbeitsenergie auf die Fläche PH konzentriert,
so daß die
Verminderung der Polierrate minimiert werden kann.
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Wie
in 14A gezeigt ist, verschiebt sich, wenn die Welle
K1 um den Winkel β geneigt
ist, der gesamte halbmondförmige
Bereich PR in Richtung auf den Auslaufbereich 91 der Polierfläche 8a vom äußeren Umfangsrand
der Wafers W gemäß der Neigung
des Win kels β.
Auch der effektive Arbeitsbereich, d. h., die Fläche PH, wo der Druck hoch ist,
verschiebt sich in Richtung auf den Auslaufbereich 91 der
Polierfläche 8a vom äußeren Umfangsrand
des Wafers W. Aus diesem Grund hat der effektive Arbeitsbereich,
d. h., die Fläche
PH, wo der Druck hoch ist, nicht mehr die symmetrische Form um die
X-Achse, die durch die Mitte des Wafers W läuft. Es gilt, daß, um so
größer der
Winkel β ist,
desto weiter man von der X-Achse ist, die durch die Mitte des Wafers W
läuft.
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Wenn
somit der Neigungswinkel β der
Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 zu groß festgelegt wird, trennt sich
der wirksame Arbeitsbereich, d. h., die Fläche PH, die den hohen Druck
hat, vollständig
von X-Achse, die durch die Drehmitte des Wafers W läuft. Wenn
daher das Polierwerkzeug 8 und der Wafer W gedreht werden
und der Wafer W poliert wird, kann der Mittelbereich des Wafers
W nicht weiter ausreichend poliert werden.
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Um
dies zu vermeiden, wird vorzugsweise der Neigungswinkel β der Welle
K1 des Polierwerkzeugs 8 auf einen Winkel festgelegt, der
kleiner ist als der Neigungswinkel, und außerdem wird der Neigungswinkel β vorzugsweise
so festgelegt, daß die Fläche PH,
die den hohen Druck als wirksame Arbeitsfläche hat, die X-Achse durchschneidet,
die durch die Drehmitte des Wafers W läuft.
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Wie
oben erwähnt
wird das Polieren durch das Polierwerkzeug 8 längs der
Vorschubrichtung D durchgeführt,
wobei das übermäßige Polieren
des äußeren Umfangsrands
des Wafers W unterdrückt wird
und der äußere Umfangsrand
des Polierwerkzeugs 8 einen Polierendpunkt P2 des Wafers
W erreicht, wie in 13 gezeigt ist.
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Wenn
sich der äußere Umfangsrand
des Polierwerkzeugs 8 bis zum Polierendpunkt P2 des Wafers
W verschiebt, wird das Polieren der zu polierenden Fläche des
Wafers W beendet. Das Polieren wird dadurch beendet, daß das Polierwerkzeug 8 nach oben
in der Z-Achsenrichtung
verschoben wird.
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Durch
Beendigung des Polierens an einer Position, wo der äußere Umfangsrand
des Wafers W und das Polierwerkzeug 8 sich in dieser Weise
schematisch überlappen,
tritt fast nie ein Schaden in bezug auf den äußeren Umfangsrand des Wafers
W auf.
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Wenn
außerdem
sogar das Polieren an einer Position beendet wird, wo der äußere Umfangsrand des
Polierwerkzeugs 8 leicht vom Polierendpunkt P2 ragt, sind
der Außendurchmesser
des Polierwerkzeugs 8 und der Durchmesser des Wafers W
ungefähr
gleich, wodurch es daher fast keine Geschwindigkeitskomponente der
Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 gibt, die in Richtung auf die Mitte des Wafers
W geht, so daß fast
kein Schaden des äußeren Umfangsrands
des Wafers W auftritt, der aufgrund des Aufsetzens der Polierfläche 8a auftritt.
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Wie
oben beschrieben wird gemäß dem Polierverfahren
gemäß der vorliegenden
Ausführungsform
durch Neigen der Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 in einer
Richtung, wo die elastische Deformation reduziert wird, die in der
sich drehenden Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in dem Bereich 90 erzeugt wird,
der auf den äußeren Umfangsrand
des Wafers W läuft,
die elastische Deformation der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 gelindert,
und der Polierdruck des wirksamen Arbeitsbereichs, d. h., der Fläche PH,
die den hohen Druck hat, zwischen dem Wafer W und der Polierfläche 8a steigt
um diesen Betrag an.
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Aufgrund
dieser Tatsache wird die Arbeitsenergie auf den effektiven Arbeitsbereich
zwischen dem Wafer W und der Polierfläche 8a konzentriert,
so daß die
Polierwirksamkeit verbessert wird.
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Außerdem wird
gemäß der vorliegenden Ausführungsform
die Höhe
der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 im
Bereich 90, der auf den äußeren Umfangsrand des Wafers
W läuft,
relativ hoch, wodurch eine Lücke
zwischen diesen gebildet wird, so daß der Schlamm leicht zwischen
die Polierfläche 8a und
die zu polierende Fläche
des Wafers W dringen kann. Der Schlamm, der auf der sich drehenden Polierfläche 8a aufgebracht
wird, wird in den Spalt zwischen der Polierfläche 8a und der zu
polierenden Fläche
des Wafers W befördert.
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Als
Folge davon wird der Schlamm stabil und wirksam dem wirksamen Arbeitsbereich
zwischen der Polierfläche 8a und
der zu polierenden Fläche des
Wafers W zugeführt,
so daß die
Polierrate verbessert und stabilisiert wird.
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Außerdem kann
bei der vorliegenden Ausführungsform
der Verbrauch an Arbeitsenergie aufgrund des Auflaufens auf den äußeren Umfangsrand des
Wafers W unterdrückt
werden, wodurch, wenn die zu polierende Fläche des Wafers W durch einen Teil
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 teilweise poliert wird, d. h., die Fläche PH,
die den hohen Druck des halbmondförmigen Bereichs PR, der oben beschrieben
wurde, hat, die Arbeitsenergie auf den eingeengten effektiven Arbeitsbereich
konzentriert wird, d. h., die Fläche
PH, wodurch die Fähigkeit
der Fläche
PH, dem Krümmen
oder der Welligkeit der Waferfläche
W zu folgen, verbessert wird.
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Die
Verformung oder dgl., die bis zum vorherigen Schritt auftritt, übt einen
Einfluß auf
die Form des Wafers W aus, so daß es manchmal ein Krümmen oder
eine Welligkeit von mehreren μm
bis 10 μm in
der zu polierenden Fläche
des Wafers W gibt. Wenn jedoch die polierende Fläche 8a des Polierwerkzeugs 8 stark
auf den äußeren Umfangsrand des
Wafers W drückt,
wird die Fähigkeit
des Folgens des effektiven Arbeitsbereichs, d. h., der Fläche PH, die
den hohen Druck des halbmondförmigen
Bereichs PR hat, um zu polieren, dem Krümmen oder der Welligkeit zu
folgen, abgesenkt, wobei bei der vorliegenden Erfindung diese Verminderung
der Fähigkeit
des Folgens vermieden werden kann, so daß die Poliergleichförmigkeit
verbessert werden kann.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird die elastische Deformation der Polierfläche 8a im
Bereich 90 der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8, der auf den äußeren Umfangsrand des Wafers
W läuft,
reduziert, wodurch die Verschlechterung der Qualität der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 klein ist und die Häufigkeit der Bearbeitung der
Polierfläche 8a eingeschränkt werden
kann.
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Es
sei angemerkt, daß,
wie oben beschrieben, wenn der Mittelbereich des Wafers W nicht
ausreichend aufgrund des effektiven Arbeitsbereichs poliert werden
kann, d. h., der Bereich PH, der den hohen Druck des halbmondförmigen Bereichs
PR hat, der von der Linie in der X-Achsenrichtung getrennt ist,
die durch die Mitte des Wafers W läuft, aufgrund der Neigung der
Welle K1 mit dem großen
Neigungswinkel β,
es möglich
ist, den effektiven Arbeitsbereich, d. h., die Fläche PH,
die den hohen Druck des halbmondförmigen Bereich PR hat, über die
Drehmitte des Wafers W laufen zu lassen, indem der Drehtisch 41 in
der X-Achse und
der Y-Achse verschoben wird, wobei der Drehtisch 41 auf
dem X-Y-Tisch gehalten wird, um den Drehtisch 41 in der
X-Achsenrichtung und der Y-Achsenrichtung anstelle des X-Achsentisches 52 verschiebbar
zu halten, um den Drehtisch 41 zu halten.
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Zweite Ausführungsform
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Anschließend wird
ein weiteres Polierverfahren erläutert,
wobei das Poliergerät 1 als
zweite Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
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17A und 17B sind
Ansichten, um das Polierverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zu erläutern, wobei 17A eine Ansicht des Neigungszustands des Polierwerkzeugs 8 im
Poliergerät 1 ist
und 17B eine Ansicht der gegenseitigen
Position des Wafers W und des Polierwerkzeugs 8 in einer
relativen Verschieberichtung ist.
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Bei
der vorliegenden Ausführungsform
werden das Polierwerkzeug 8 und der Wafer W relativ zueinander
verschoben, wie in 17B gezeigt ist. Das Polierwerkzeug 8 wird
nämlich
in der Richtung der Vorschubrichtung D längs einer Linie X2 parallel zu
einer Linie X1, die durch die Drehmitte des Wafers W läuft, längs der
X-Achsenrichtung getrennt von der Linie X1 um einen vorher-festgelegten
Abstand d verschoben.
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Wie
in 17A gezeigt ist, ist die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um
den Winkel β von
der Achse 0 senkrecht zur Haltefläche 41 des Drehtisches 41 längs der
Y-Z-Ebene senkrecht zur relativen Vorschubrichtung D des Polierwerkzeugs 8 in
bezug auf den Wafer W geneigt. Die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 ist
um den Winkel β längs der
Y-Z-Ebene in bezug auf die Achse 0 senkrecht zur Haltefläche 41a des
Drehtisches 41 geneigt.
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Die
Neigungsrichtung des Winkels β ist
eine Richtung, wo die Höhe
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8, welches auf einer Linie angeordnet ist, die
durch die Mitte des Wafers W in bezug auf den Wafer W läuft, relativ
niedrig ist, wie in 17A gezeigt ist.
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Der
Neigungswinkel β der
Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 ist auf einen Wert festgelegt,
wo die Höhendifferenz
Hβ des vorderen
und hinteren Endes der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8, wie in 17A gezeigt
ist, in der Z-Achsenrichtung in bezug auf die Y-Achsenrichtung zu
beispielsweise 15 bis 30 μm
wird. Der Neigungswinkel beträgt
nämlich ungefähr 15 bis
30 μm in
bezug auf eine Länge
von 8 Zoll.
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Wenn
die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um den Winkel β geneigt
ist, wird der wirksame Arbeitsbereich S der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in bezug auf den Wafer W halbmondförmig, wie
beispielsweise in 17B gezeigt ist.
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Der
Abstand d zwischen den Linie X1 und X2 ist auf einen Abstand festgelegt,
wo der effektive Arbeitsbereich S der Polierfläche 8a, die in 17B gezeigt ist, auf der Linie X1 liegt, die durch
die Mitte des Wafers W läuft.
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Die
Drehrichtung R1 des Polierwerkzeugs 8 und die Drehrichtung
R2 des Wafers W sind so festgelegt, daß sie umgekehrt zueinander
sind, wie in 17B gezeigt ist.
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18A bis 18C sind
Ansichten, um die Polierroutine des Polierverfahrens gemäß der vorliegenden
Erfindung zu erläutern.
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Das
Polieren des Wafers W beginnt beispielsweise an der Polierstartposition
P1, wie in 18A gezeigt ist.
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Das
Polierwerkzeug 8 wird nämlich
gegen den Wafer W gedrückt,
so daß der
wirksame Arbeitsbereich S der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 bei
der Polierstartposition P1 des Wafers W liegt.
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In
diesem Zeitpunkt wird der Bereich, der mit dem Kreis A angedeutet
ist, zum Aufsetzbereich, wo die Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 auf
den äußeren Umfangsrand
des Wafers W läuft,
während der
Bereich, der mit dem Kreis B angedeutet ist, zum Auslaufbereich
des Auslaufens der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 vom äußeren Umfangsrand des
Wafers W wird.
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In
diesem Aufsetzbereich ist die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um
den Winkel β geneigt,
wodurch die elastische Deformation der Polierfläche 8a reduziert und
der Schaden in bezug auf den äußeren Umfangsrand
des Wafers W unterdrückt
wird.
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Wenn
das Polierwerkzeug 8 aus der Position, die in 18A gezeigt ist, in der relativen Vorschubrichtung
D verschoben wird, verschiebt sich der effektive Arbeitsbereich
S längs
der Radialrichtung des sich drehenden Wafers W. Aus diesem Grund
läuft,
wie in 18B gezeigt ist, der effektive Arbeitsbereich
S durch die Drehmitte des Wafers W, so daß ein unzureichendes Polieren
in der Mitte des Wafers W nicht auftritt.
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Gemeinsam
mit der Verschiebung des Polierwerkzeugs 8 in der relativen
Vorschubrichtung D nähert
sich der Aufsetzbereich, der durch den Kreis A angedeutet ist, der
Linie X1. Aus diesem Grund schließt sich der Abstand zwischen
der Polierfläche 8a und
der zu polierenden Fläche
des Wafers W im Aufsetzbereich, und es tritt eine elastische Deformation
der Polierfläche 8a im
Aufsetzbereich auf. Alternativ steigt die elastische Deformation,
die reduziert wurde, an.
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Aus
diesem Grund wird, wie in 18C gezeigt
ist, das Polieren um die Position beendet, wo der Anfang des effektiven
Arbeitsbereichs S in der Vorschubrichtung D die Polierendposition
P2 des äußeren Umfangsrands
des Wafers W erreicht.
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Daher
kann das übermäßige Polieren
des äußeren Umfangsrands
des Wafers W aufgrund des Aufsetzens auf die Polierfläche 8a verhindert
werden.
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Wie
oben beschrieben kann gemäß der vorliegenden
Ausführungsform
durch geeignetes Auswählen
der Anordnung und der Richtung der relativen Verschiebung des Wafers
W und des Polierwerkzeugs 8, sogar dann, wenn die Welle
K1 in lediglich nur einer Richtung geneigt ist, das übermäßige Polieren
des äußeren Umfangsrands
des Wafers W vermieden werden, und im gleichen Zeitpunkt kann das Auftreten
eines unzureichenden Polierens in der Mitte des Wafers W vermieden
werden.
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Dritte Ausführungsform
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Anschließend wird
ein weiteres Polierverfahren erläutert,
wobei das Poliergerät
verwendet wird, gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Bei
der oben erläuterten
ersten Ausführungsform
wurde das Polieren dadurch ausgeführt, daß die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um
den Neigungswinkel α in
Richtung auf die Vorschubrichtung des Polierwerkzeugs 8 in
bezug auf die Richtung senkrecht zu einer Ebene parallel zur Haltefläche 41a des
Drehtisches 41 geneigt wird, und dann die Welle K1 des
Polierwerkzeugs 8 um den Neigungswinkel β in der Richtung,
um die elastische Deformation der Polierfläche 8a in dem Bereich
zu reduzieren, wo die Polierfläche 8a auf
den äußeren Umfangsrand
der zu polierenden Fläche
des Wafers W läuft,
in bezug auf die Richtung senkrecht zur Haltefläche 41 des Drehtisches 41 geneigt
wird.
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Bei
der vorliegenden Ausführungsform
wird in der gleichen Weise wie bei der ersten Ausführungsform
das Polieren durch Neigen in unterschiedlichen zwei Richtungen um
die Neigungswinkel α und β ausgeführt, wobei
jedoch außerdem
Gebrauch gemacht wird vom Polierwerkzeug 8, dessen Polierfläche 8a der
Korrekturfläche
des Korrekturwerkzeugs parallel zur Haltefläche 41a des Haltetisches 41 gegenüberliegt.
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Insbesondere
ist, wie in 19A und 19B gezeigt
ist, die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um den Neigungswinkel α in Richtung
auf die Vorschubrichtung D des Polierwerkzeugs in bezug auf die
Achse 0 senkrecht zu einer Ebene parallel zur Haltefläche 41a des
Haltetisches 41 geneigt, und dann um den Neigungswinkel β längs einer
Ebene senkrecht zur Vorschubrichtung D in bezug auf die Achse 0 geneigt.
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Außerdem ist
die Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 um einen Winkel γ geneigt, der den Winkel α und den
Winkel β kombiniert.
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Bei
dem Verfahren zur Bildung der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8,
wie oben beschrieben, wird beispielsweise, wie in 20A gezeigt ist, das Polierwerkzeug 8 in
einem Zustand gedreht, wo die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um
den Winkel α in
Richtung auf die Vorschubrichtung D des Polierwerkzeugs 8 geneigt
ist, und außerdem,
obwohl nicht gezeigt, die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um
den Neigungswinkel β längs der
Ebene senkrecht zur Vorschubrichtung in bezug auf die Achse 0 geneigt ist.
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Wie
weiter in 20B gezeigt ist, ist ein Korrekturwerkzeug 56 auf
dem X-Achsentisch 52 angeordnet.
Das Korrekturwerkzeug 56 besitzt eine Korrekturfläche 56a senkrecht
in bezug auf die Achse 0, d. h., senkrecht zur nicht geneigten
Welle K1. Diese Korrekturfläche 56a ist
eine Ebene parallel zur Haltefläche 41a des
Haltetisches 41 zum Halten des Wafers W. An dieser Korrekturfläche 56a ist
ein Polierschleifmittel befestigt, beispielsweise ein Diamantschleifmittel.
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Dann
wird, wie in 20C gezeigt ist, die Polierfläche 8a durch
Planbearbeiten gebildet, wobei die Spitze des Korrekturwerkzeugs 56 in
Kontakt mit der Polierfläche 8a gebracht
wird, während
der X-Achsentisch 52 in bezug auf das Polierwerkzeug 8 relativ
verschoben wird, so daß die
Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 die Korrekturfläche 56a des
Korrekturwerkzeugs 56 durchläuft.
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Die
Polierfläche 8a,
die durch dieses Planbearbeiten gebildet wird, wird zu einer konischen
Fläche.
Der Neigungswinkel der Erzeugungslinie dieser konischen Fläche wird
zu dem Winkel γ,
der durch Kombinieren des Winkels α und des Winkels β erhalten
wird, wie in 19A und 19B gezeigt
ist, und es wird die Polierfläche 8a,
die um den Winkel γ geneigt
ist, erhalten.
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Wenn
die Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8, die um den Winkel γ geneigt ist, gegen den Wafer
W gedrückt
wird, kontaktiert die Polierfläche 8a die
Fläche
des Wafers W ungefähr
parallel. Wie weiter in 21 gezeigt
ist, wird die Form des effektiven Arbeitsbereichs S des Wafers W
und der Polierfläche 8a zu
einer linearen Form, die sich in der radialen Richtung des Polierwerkzeugs 8 erstreckt.
Außerdem ändert sich
die Form dieses Funktionsbereichs S gemäß dem Polierdruck des Polierwerkzeugs 8 in
bezug auf den Wafer W, und ändert
sich von der linearen Form zu einer Sektorform, wenn der Polierdruck
groß wird.
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Da
außerdem
die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um den Neigungswinkel β in der Richtung, um
die elastische Deformation zu reduzieren, geneigt ist, verschiebt
sich die Position des Funktionsbereichs S leicht von der Linie in
der X-Achsenrichtung, die durch die Mitte des Wafers W läuft, zum
Auslaufbereich 91 der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 vom äußeren Umfangsrand
des Wafers W gemäß diesem
Neigungswinkel β.
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In
diesem Zeitpunkt wird in dem Bereich 90 des Polierwerkzeugs 8,
der auf den äußeren Umfangsrand
des Wafers W aufläuft,
und im Auslaufbereich 91 des Polierwerkzeugs 8 vom äußeren Umfangsrand
des Wafers W die Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 zu einer gekrümmten Fläche ausgebildet, wodurch die
Höhe der
Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in bezug auf die Fläche des Wafers W hoch wird
im Vergleich zur Höhe
der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 in bezug auf die Fläche des Wafers W im Arbeitsbereich
S.
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Aus
diesem Grund wird, sogar, wenn das Polierwerkzeug 8 gegen
den Wafer W gedrückt
wird, der Grad an elastischer Deformation der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 im Aufsetzbereich 90 kleiner als
in dem Fall der oben erwähnten
Ausführungsform,
d. h., in dem Fall, wo die Polierfläche 8a eine Ebene
ist.
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Somit
kann der Neigungswinkel β der
Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 in der Richtung, wo die elastische
Deformation reduziert wird, um den Grad der Reduktion des Grads
an elastischer Deformation der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 kleiner ausgeführt werden.
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Als
Folge davon kann der Grad der Verschiebung der Position des Arbeitsbereichs
S von der Linie in der X-Achsenrichtung, die durch die Mitte des
Wafers W zum Auslaufbereich 91 der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 vom äußeren Umfangsrand des
Wafers W läuft,
soviel wie möglich
unterdrückt werden.
Aus diesem Grund läuft
aufgrund der relativen Verschiebung des Wafers W und des Polierwerkzeugs 8 in
der X-Achsenrichtung der Arbeitsbereich S weiter in der Radialrichtung
des sich drehenden Wafers W und läuft durch die Drehmitte des
Wafers W, wodurch das Auftreten eines unzureichenden Polierens in
der Drehmitte des Wafers W verhindert werden kann.
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Gemäß der vorliegenden
Ausführungsform wird
durch Neigen der Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 um den Winkel γ, der durch Kombination des
Winkels α und
des Winkels β erhalten
wird, der effektive Arbeitsbereich S der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 und
der zu polierenden Fläche des
Wafers W weiter schmaler gemacht, und die Form des Arbeitsbereichs
S wird durch die Form der Polierfläche 8a des Polierwerkzeugs 8 gebildet,
wodurch die Schwankung der Oberflächenfläche des Arbeitsbereichs S klein
wird, die Stabilisierung der Polierrate einfacher wird, und das
Folgevermögen des
Arbeitsbereichs S auf Krümmen
und auf Welligkeit in der Fläche
des Wafers W wird weiter verbessert, und die Gleichförmigkeit
des Polierens in der zu polierenden Fläche des Wafers W kann verbessert werden.
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Die
vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt. Bei
den Ausführungsformen
wurde der Fall erläutert,
wo die gesamte zu polierende Fläche
des Wafers W in dem Zustand poliert wurde, wo die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 in
zwei unterschiedlichen Richtungen um die Neigungswinkel α und β durch den
Wellenneigungsmechanismus des Poliergeräts 1 geneigt wurde.
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Bei
den obigen Ausführungsformen
wurde außerdem
die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 um den Neigungswinkel α in Richtung
auf die Vorschubrichtung D des Polierwerkzeugs 8 geneigt,
wodurch, wenn das Polierwerkzeug 8 relativ nach oben bis
zu einer bestimmten Position in bezug auf den Wafer W verschoben
wurde, die elastische Deformation aufgrund der Polierfläche 8a,
die auf den äußeren Umfangsrand
des Wafers W läuft,
nicht auftritt oder einen sehr kleinen Wert annimmt. Es sei darauf
hingewiesen, daß die
Position dieses Polierwerkzeugs 8 in bezug auf den Wafer
W gemäß der Größe des Neigungswinkels α, der Größe des Arbeitsdrucks
des Polierwerkzeugs 8 in bezug auf den Wafer W oder des
Neigungswinkels des Polierfläche 8a verschieden
ist.
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Aus
diesem Grund ist es auch möglich,
daß das
Polierwerkzeug 8 in bezug auf den Wafer W bis zu der Position
verschoben werden kann, wo die elastische Deformation aufgrund der
Polierfläche 8a, die
auf den äußeren Umfangsrand
des Wafers W läuft,
nicht auftritt oder sehr klein wird, und dann die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 in
einer Richtung senkrecht zur Haltefläche 41a des Drehtisches 41 in bezug
auf die Richtung zurückkehrt,
wo die elastische Deformation reduziert wird.
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Durch
Beseitigen der Neigung der Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 in
der Richtung, wo die elastische Deformation auf diese Weise reduziert
wird, verschiebt sich der effektive Arbeitsbereich zwischen der
Polierfläche 8a des
Polierwerkzeugs 8 und der zu polierenden Fläche des
Wafers W, die sich durch die relative Verschiebung des Polierwerkzeugs 8 und des
Wafers W in der X-Achsenrichtung verschiebt, längs einer Linie in der X-Achsen richtung,
die durch die Drehmitte des Wafers verläuft. Daher tritt ein unzureichendes
Polieren des Mittelbereichs des Wafers W nicht auf.
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Es
sei darauf hingewiesen, daß,
um die Welle K1 des Polierwerkzeugs 8 auf eine Richtung
senkrecht zur Haltefläche 41a des
Drehtisches 41 von der Richtung zurückzubringen, bei der die elastische
Deformation in der Mitte der relativen Verschiebung des Polierwerkzeugs
und des Wafers W in der X-Achsenrichtung reduziert wird, es möglich ist,
die Relativpositionen der beiden Neigungseinstellblöcke 62 und 63 des
Wellenneigungsmechanismus 61 des Poliergeräts 1 nicht
manuell einzustellen, sondern beispielsweise durch einen Servomotor
oder eine Zylindereinrichtung, und um diese anzusteuern, wenn die Relativposition
des Polierwerkzeugs 8 und des Wafers W in der X-Axialrichtung
vorher-festgelegte Positionen erreichen.
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Wenn
man die Wirkung der vorliegenden Erfindung zusammenfaßt, kann
ein übermäßiges Polieren
des äußeren Umfangsrands
des polierten Objektes aufgrund elastischer Deformation im Bereich
der polierenden Fläche
des Polierwerkzeugs, welches auf den äußeren Umfangsrand des polierten
Objekts läuft,
unterdrückt
werden.
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Außerdem kann
durch Neigen der Polierfläche
des Polierwerkzeugs in zwei unterschiedlichen Richtungen der effektive
Arbeitsbereich schmaler gemacht werden, der Vorschub des Schleifmittels
zwischen der Polierfläche
und der zu polierenden Fläche kann
stabilisiert werden, und die Gleichförmigkeit des Polierens an der
zu polierenden Fläche
kann verbessert werden.
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Obwohl
die Erfindung mit Hilfe spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde,
die für
Illustrationszwecke gewählt
wurden, ist es klar, daß zahlreiche
Modifikationen durch den Fachmann gewählt werden können, ohne
das Grundkonzept und den Rahmen der Erfindung zu verlassen.