JPH1137958A - 結晶軸の傾き角度測定方法 - Google Patents

結晶軸の傾き角度測定方法

Info

Publication number
JPH1137958A
JPH1137958A JP9197463A JP19746397A JPH1137958A JP H1137958 A JPH1137958 A JP H1137958A JP 9197463 A JP9197463 A JP 9197463A JP 19746397 A JP19746397 A JP 19746397A JP H1137958 A JPH1137958 A JP H1137958A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ingot
crystal axis
axis
angle
respect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9197463A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3709664B2 (ja
Inventor
Hiroshi Iwata
宏 岩田
Masashi Nagatsuka
真史 永塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP19746397A priority Critical patent/JP3709664B2/ja
Publication of JPH1137958A publication Critical patent/JPH1137958A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3709664B2 publication Critical patent/JP3709664B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】結晶方位の測定を簡易、迅速に行うことができ
る結晶方位測定方法の提供。 【解決手段】オリフラを下に向けた時と、上に向けた時
のインゴット軸の結晶軸に対するX方向の傾き角度
0 、X180 を測定する。そして、その測定結果X0
180 とインゴットの結晶軸に対応するブラッグ角θか
ら、インゴット軸の結晶軸に対するX方向の傾き角度α
とY方向の傾き角度βとを次式 で算出して、インゴット軸の結晶軸に対する傾き角度を
取得する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶軸の傾き角度
測定方法に係り、特に、シリコン等の単結晶材料の結晶
軸の傾き角度を測定する結晶軸の傾き角度測定方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】IC等の半導体素子の原料となるシリコ
ン等のウェーハをインゴットからウェーハにスライスす
る場合、そのスライスされたウェーハが所定の結晶方位
となるように、インゴット軸を所定角度傾けてスライス
している。しかし、図1(a)〜(c)に示すように、
インゴットのインゴット軸は、必ずしも結晶軸とは一致
していない。そこで、ウェーハのスライスに先立って、
インゴット軸に対する結晶軸の方位を知る必要がある。
【0003】このインゴット軸に対する結晶軸の方位
は、インゴット軸に対する結晶軸の最大傾き角度ZM
傾き方向θM で表されるが、一般には、インゴットに形
成されたオリフラに平行なX方向の傾き角度αと、オリ
フラに垂直なY方向の傾き角度βをX線方位測定器で測
定し、そのα、βから最大傾き角度ZM と傾き方向θM
を計算する。
【0004】まず、このインゴット軸に対する結晶軸の
傾き角度を測定するX線方位測定器の構成について説明
する。図2は、X線方位測定器の構成をダイヤグラムで
示したものである。同図に示すように、X線発生器Tか
ら出たX線はスリットSを通り、点Pで試料Qに当た
り、反射してX線検出器Gに入りメータMを振らせる。
図3に示すように、試料Qの測定すべき結晶軸に対応す
るブラッグ角θは、あらかじめ分かっているので、X線
検出器Gは2θの位置に固定しておく。試料Qは、図示
しない支持台B上に載置されており、該支持台Bは、前
記試料Qの表面に含まれる縦軸Pを軸として回転するこ
とができるように構成されている。
【0005】いま、試料Qを回転していくと、ある位置
でブラッグ反射が生じたことがメータMの振れで分か
る。メータMの振れが最大になったとき、結晶面は2θ
の2等分線、つまり、θの方向に平行となる。図4に示
すように、切断面が測定すべき結晶面に完全に一致して
いる試料(標準サンプル)Qがブラッグ反射をおこし、
メータMの振れが最大のときの目盛板Dの位置を0度と
しておけば、試料Qのインゴット軸に対する結晶軸の傾
きδは目盛上で直読できる。
【0006】このX線方位測定器を用いた従来のインゴ
ット軸に対する結晶軸の傾き角度の測定方法は、次の通
りである。 1.X方向の傾き角度αの測定 まず、図5(a)、(b)に示すように、X線方位測定
器のθ、2θを測定するインゴットInの結晶軸に対応
するブラッグ角に合わせる。 (1-1) 次に、入射X線がシードエンド面に照射され、X線検出
器が反射X線を検知するようにインゴットInを支持台
Bに載置する。そして、図6(a)に示すように、イン
ゴットInのオリフラ面OFを支持台Bの底面に密着さ
せるとともに、インゴットInの外周を支持台Bの側面
に密着するようにしてインゴットInを支持台B上にセ
ットする(図5(a)参照)。なお、この際、支持台B
の底面は入射X線と反射X線がつくる平面に平行に、ま
た、側面は角度目盛が0度のとき図5(a)のAA' に
直角になるようにセットする。 (1-2) 次に、X線方位測定器に備えられた図示しない手動ハン
ドルを回し、インゴットInを反時計回り又は時計回り
に回転する。そして、正しい結晶面が、図5(a)のA
A' に平行になり、メータMの指針が最大に振れた位置
で回転を止める。 (1-3) 回転を止めたときの角度目盛の角度をX0 とする。そし
て、このとき、角度目盛が+ならば+X0 、−ならば−
0 とする。 (1-4) 次に、図6(b)に示すように、インゴットInのオリ
フラ面OFを上にして、そのオリフラ面OFを支持台B
の側面に対して直角にするとともに、インゴットInの
外周を側面に密着してインゴットInを支持台B上にセ
ットする(図5(b)参照)。 (1-5) 上記 (1-3)の操作を繰り返し、インゴットInの回転を
止めたときの角度目盛の角度をX180 とする。なお、X
180 の+、−の付け方は上記 (1-4)と同じである。 (1-
6) 測定した、X0 、X180 から、次式
【0007】
【数1】α=(X0 −X180 )/2 を用いて、X方向の傾き角度αを求める。(1-7) 2.Y方向の傾き角度βの測定 図6(c)に示すように、オリフラ面OFを支持台Bの
右側側面に、外周を底面に密着してインゴットInをセ
ットする。(2-1) 上記 (1-3)の操作を行い、インゴットInの回転を止め
たときの角度目盛の角度をY90とする。なお、Y90
+、−の付け方は上記 (1-4)と同じである。(2-2) 次に、図6(d)に示すように、オリフラ面OFを左側
側面に、外周を底面に密着してインゴットInをセット
する。 (2-3) 上記 (1-3)の操作を繰り返し、インゴットInの回転を
止めたときの角度目盛の角度をY270 とする。なお、Y
270 の+、−の付け方は上記 (1-3)と同じである。(2-
4) 測定した、Y90、Y270 から、次式
【0008】
【数2】β=(Y90−Y270 )/2 を用いて、Y方向の傾き角度βを求める。 (2-5)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の測定方法では、X方向の傾き角度αとY方向の傾き
角度βを得るために、各方向で2回ずつ計4回の測定を
行っている。これは、オリフラOFを下(右)にしたと
きの測定値X0 (Y90)と、オリフラOFを上(左)に
したときの測定値X180 (Y270 )が一致しないためで
あり、この差を消去するために、各方向で2回の測定を
行い、平均値を求めることによって、正しい値を得てい
る。
【0010】しかしながら、上記のように計4回の測定
を行うことは、きわめて手間のかかる作業である。特
に、長いインゴットや直径の大きいインゴットにおいて
は、インゴットの回転等に多大な労力を要し、時間のか
かる作業であった。本発明は、このような事情に鑑みて
なされたもので、結晶軸の傾き角度を簡単に測定するこ
とができる結晶軸の傾き角度測定方法を提供することを
目的とする。
【0011】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、インゴットに形成されたオリフラに平行な
方向をX方向、オリフラに垂直な方向をY方向としたと
きの、インゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度
αと、Y方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角
度測定方法において、X線方位測定器を用いて、前記オ
リフラを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に対
する前記結晶軸のX方向の傾き角度X 0 と、オリフラを
前記一方向とは180度反対方向に向けた状態における
インゴット軸に対する前記結晶軸のX方向の傾き角度X
180 を測定し、その測定結果X 0 、X180 と前記結晶軸
に対応するブラッグ角θから、インゴット軸に対する前
記結晶軸のX方向の傾き角度αとY方向の傾き角度βと
を次式
【0012】
【数3】α=(X0 −X180 )/2 で算出して取得することを特徴とする。
【0013】本発明によれば、オリフラを一方向に向け
た状態におけるインゴット軸に対する結晶軸のX方向の
傾き角度X0 と、オリフラを前記一方向とは180度反
対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する結晶
軸のX方向の傾き角度X180を測定すれば、インゴット
軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度αとY方向の傾き
角度βとを計算によって取得することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る結晶軸の傾き角度測定方法の好ましい実施の形態につ
いて詳説する。まず、上述した従来技術において、イン
ゴットInのオリフラOFを下にしたときの測定値X0
と、オリフラOFを上にしたときの測定値X180 が一致
しない原因について考察する。
【0015】図7の実線は、Y方向の傾き角度β=0の
場合、X方向の傾き角度を測定するときの入射X線
0 、反射X線XR0及びブラッグ角θの関係を示してい
る。このときの結晶面をP0 とすれば、入射X線X0
び反射X線XR0は結晶面P0 に垂直な回析平面S0 上に
ある。そして、入射X線X0 が結晶面P0 上のBに入射
し、入射X線X0 の結晶面P0 への入射角∠ABC(入
射X線X0 上のAからの結晶面P0 への垂線をACとす
る。)がブラッグ角θに等しいときブラッグ反射が起き
る。
【0016】図7の破線は、Y方向の傾き角度β≠0の
場合、X方向の傾き角度を測定するときの入射X線
0 、反射X線XR1及びブラッグ角θの関係を示してい
る。このときの結晶面をP1 とすれば、入射X線X0
び反射X線XR1は結晶面P1 に垂直な回析平面S1 上に
ある。そして、入射X線X0 が結晶面P1 上のBに入射
し、入射X線X0 の結晶面P1 への入射角∠ABD(入
射X線X0 上のAからの結晶面P1 への垂線をADとす
る。)がブラッグ角θに等しいときブラッグ反射が起き
る。
【0017】いま、Y方向の傾き角度β≠0の場合(図
7の破線)において、ブラッグ反射が生じたときの入射
X線X0 と結晶面P0 とのなす角∠ABCをθ0 とす
る。このθ0 は、前述したβ=0のときの入射X線X0
と結晶面P0 とのなす角∠ABC=θとは異なり、それ
よりも大きい値若しくは小さい値となる。そして、この
θ0 とθとの相違が、インゴットInのオリフラOFを
下にしたときの測定値X 0 と、上にしたときの測定値X
180 が相違する原因となる。
【0018】すなわち、Y方向の傾き角度がゼロである
ならば、正しいブラッグ角θでブラッグ反射が起こると
ころ、Y方向に傾き角度βがあることにより、見掛けの
ブラッグ角度θ0 でブラッグ反射が起きる。この結果、
インゴットInのオリフラOFを下にしたときの測定値
0 と、上にしたときの測定値X180 が相違する。い
ま、θ0 とθとの差をΔθ(Δθ=θ0 −θ)とすれ
ば、この差Δθが、インゴットInのオリフラOFを下
にしたときの測定値X0 と、上にしたときの測定値X
180 に反映されてくる。すなわち、正しいX方向の傾き
角度をXとすれば、測定値X0 、X180 は、それぞれ、
0 =α+Δθ、X180 =−(α−Δθ)(又は、X0
=α−Δθ、X180 =−(α+Δθ))となり、結果的
に、二つの測定値X0 、X180 の平均値α=(X0 −X
180 )/2を求めれば、正しい値αが得られる。
【0019】ここで、θとθ0 、及び、X0 とX180
の関係を求めると、
【0020】
【数4】 Δθ=θ0 −θ=(X0 +X180 )/2 … (1) となる。一方、結晶面P1 で入射X線X0 がブラッグ反
射を起こしたときの入射X線X 0 と結晶面P0 とのなす
角θ0 (θ0 =∠ABC)は、次のようにして求めるこ
とができる。
【0021】図7に示すように、反射X線XR1上の点
A' から結晶面P0 への垂線をA' C' 、結晶面P1
の垂線をA' D' とすれば、反射X線XR1の結晶面P1
からの反射角∠A' BD' =θ、結晶面P0 とのなす角
∠A' BC' =θ0 である。
【0022】
【数5】△ADCにおいて、 cosβ=AD/AC ∴ AD=ACcosβ … (2) △ABDにおいて、 sinθ=AD/AB であり、上式(2) から
【0023】
【数6】 sinθ=(ACcosβ)/AB ∴ sinθ=(AC/AB)・cosβ … (3) となる。△ABCにおいて、 sinθ0 =AC/AB であるから、上式(3) より、
【0024】
【数7】 sinθ=sinθ0 ・cosβ ∴ sinθ0 =sinθ/cosβ … (4) となる。 公式
【0025】
【数8】cosβ=1/(1+tan2 β)1/2 を上式(4) に代入すると、
【0026】
【数9】 sinθ0 =sinθ・(1+tan2 β)1/2 ∴ θ0 =sin-1{sinθ・(1+tan2 β)1/2 } … (5) となる。上記のようにして算出したθ0 を式(1) に代入
すると、
【0027】
【数10】Δθ=θ0 −θ … (1) であるから、
【0028】
【数11】θ0 −θ=sin-1{sinθ・(1+ta
2 β)1/2 }−θ となる。一方、上式(1) から、
【0029】
【数12】θ0 −θ=(X0 +X180 )/2 … (1) であるから、
【0030】
【数13】sin -1{sin θ・(1+ tan 2 β)1/2 }−
θ=(X0 +X180 )/2 となる。この式を展開すると、
【0031】
【数14】 となる。
【0032】求められた式(6) より分かることは、X方
向の傾き角度がゼロ(α=0)のとき、Y方向の傾き角
度βは、インゴットInのオリフラOFを下にしたとき
の測定値X0 と、上にしたときの測定値X180 が求まれ
ば、式(6) により計算で求めることができるということ
である。したがって、Y方向の測定を行わなくても、X
方向の測定のみ、すなわち、インゴットInのオリフラ
OFを下にしたときと、上にしたときの測定のみを行え
ば、α、βを取得することができる。
【0033】これにより、従来行われていた、計4回の
測定を2回の測定のみで済ませることができ、インゴッ
ト軸に対する結晶軸の傾き角度を簡易、迅速に求めるこ
とができる。ところで、上述した方法は、結晶面のX方
向の傾き角度がゼロ(α=0)の場合における、Y方向
の傾き角度βの取得方法であるが、結晶面がX方向にも
Y方向にも傾いている場合(α≠0、β≠0)は、次の
ようにしてα、βを取得する。
【0034】図8において、面OABCを結晶の切断面
C とする。Y方向の結晶面の傾き角度β=0°で、X
方向の傾き角度αの結晶面をP0 とする。入射X線X0
と反射X線XR0は、共に結晶面P0 に垂直な回折平面S
0 上にある。そして、結晶面P0 上の点Rに入射した入
射X線X0 は、その入射角が結晶軸P0 に対応するX線
方位測定器に設定したブラッグ角θに等しいときにブラ
ッグ反射が起こる。
【0035】しかし、結晶面P0 のY方向の傾き角度β
≠0°の場合は、図9に示すように、入射X線X0 は、
結晶軸に対応するX線方位測定器に設定したブラッグ角
θと異なる見掛けのブラッグ角θ0 に等しいときにブラ
ッグ反射が起こる。図9において、面OABCを結晶の
切断面PC とし、面ODECをY方向の傾き角度βの結
晶面とする。そして、面ODFGをX方向の傾き角度
α、Y方向の傾き角度βの反射面P0 とする。このと
き、入射X線X0 は、結晶面P0 上の点Rに入射する。
【0036】入射X線X0 上の点Pから切断面PC への
垂線をPO、結晶面P0 上の直線ORへの垂線をPQ、
結晶面P0 への垂線をPVとする。入射X線X0 と反射
X線XR1は、共に結晶面P0 に垂直な回折平面S1 (面
PVV' P' )上にあり、入射X線X0 の入射角∠PR
Vが結晶軸に対応するブラッグ角に等しいときにブラッ
グ反射が起こる。
【0037】このときの見掛けのブラッグ角θ0 (∠P
RO)と、正しいブラッグ角θとの関係は、次の通りで
ある。
【0038】
【数15】△PVR(∠PVR=90°)において、 PV=PRsinθ … (7) △PQR(∠PQR=90°)において、 PQ=PRsinθ0 … (8) △PQO(∠PQO=90°)において、∠OPQ=∠
GOC=αから、 PQ=POcosα … (9) であり、上式(8) 、(9) から、
【0039】
【数16】 PQ=PRsinθ0 =POcosα ∴ PO=PRsinθ0 /cosα … (10) である。△POVにおいて、∠OPVは、切断面PC
法線POと反射面P0 の法線PVとのなす角であるか
ら、切断面PC と反射面P0 とのなす最大傾き角度∠F
OB=ZM に等しい。したがって、
【0040】
【数17】PO=PV/cosZM … (11) である。上式(10)、(11)から、
【0041】
【数18】 PO=PRsinθ0 /cosα=PV/cosZM ∴ PV=PRsinθ0 ・cosZM /cosα … (12) であり、上式(7) 、(12)から、
【0042】
【数19】 PV=PRsinθ=PRsinθ0 ・cosZM /cosα ∴ sinθ0 =sinθ・cosα/cosZM … (13) である。ここで、公式
【0043】
【数20】cosZM =1/(1+tan2 M 1/2 に、
【0044】
【数21】tan2 M =tan2 α+tan2 β を代入すれば、
【0045】
【数22】 cosZM =1/(1+tan2 α+tan2 β)1/2 … (14) となり、上式(13)、(14)から、
【0046】
【数23】 sin θ0 = sinθ・cos α(1+tan2α+tan2β)1/2 … (15) となる。一方、
【0047】
【数24】θ0 −θ=(X0 +X180 )/2 であるから、
【0048】
【数25】 θ0 −θ=sin -1{sin θ・cos α(1+ tan2α+ tan2β)1/2}−θ ∴ sin -1{sin θ・cos α(1+ tan2α+ tan2β)1/2}−θ= (X0+X180)/2 となる。この式を展開すると、
【0049】
【数26】 となる。
【0050】求められた式(16)より、インゴット軸が結
晶軸に対してX、Y方向に傾きを有している場合(α≠
0、β≠0の場合)であっても、Y方向の傾き角度β
は、インゴットInのオリフラOFを下にしたときの測
定値X0 と、上にしたときの測定値X180 が求まれば、
式(16)により計算で求めることができる。したがって、
前記同様に、Y方向の測定を行わなくても、X方向の測
定のみを行えば、インゴット軸に対する結晶軸の傾き角
度を求めることができる。
【0051】なお、上式(16)において、α=0とすれ
ば、
【0052】
【数27】 となり、上式(6) と一致する。
【0053】また、上式(16)において、(X0
180 )/2=0のとき、すなわち、X0=X180 のと
きは、
【0054】
【数28】 となる。
【0055】上式(17)に、公式 cosα=1/(1+tan2
α)1/2 を代入すれば、
【0056】
【数29】β=±tan -1{(1+tan2α)−(1+tan2
α)}1/2 =0 となり、β=0となる。このように、本実施の形態によ
れば、X方向の測定のみを行えば、Y方向の測定を行わ
ずしてα、βを取得することができる。
【0057】なお、X方向の傾き角度αの取得方法は、
前記従来技術の欄で説明した測定方法と同じである。す
なわち、インゴットInのオリフラOFを下にしたとき
と、上にしたときのX方向の傾き角度X0 、X180 をX
線方位測定器を用いて測定し、その測定結果X0 、X
180 から、次式
【0058】
【数30】α=(X0 −X180 )/2 … (6) を用いて算出する。すなわち、前記従来技術の欄で説明
した工程(1-1) から工程(2-5) までを行えばよい。な
お、本実施の形態では、インゴット(棒状結晶)のイン
ゴット軸に対する結晶軸の傾き角度を測定する場合につ
いて説明したが、ウェーハ(板状結晶)のウェーハ法線
に対する結晶軸の傾き角度を測定する場合についても同
様に適用することができる。
【0059】また、本実施の形態では、X方向の傾き角
度X0 、X180 を測定することにより、X、Y方向の傾
き角度α、βを取得する例で説明したが、Y方向の傾き
角度Y90、Y270 を測定することにより、α、βを取得
することもできる。この場合のα、βの算出式は、イン
ゴットInのオリフラOFを右側にしたときのY方向の
傾き角度をY90、インゴットInのオリフラOFを左側
にしたときのY方向の傾き角度をY270 とすれば、
【0060】
【数31】β=(Y90−Y270 )/2 で算出して取得することができる。
【0061】さらに、本実施の形態では、オリフラ付き
インゴットの結晶軸の傾き角度を測定する場合について
説明したが、ノッチ付きインゴットの結晶軸の傾き角度
を測定する場合についても同様に適用することができ
る。この場合、X方向とY方向は、次のように設定す
る。すなわち、図20に示すように、インゴットInの
中心OINと、ノッチNの中心ON (ノッチNの谷部)を
通る直線yに平行な方向をY方向とし、その直線yに直
交する直線xと平行な方向をX方向とする。
【0062】測定方法は、上述したオリフラ付きインゴ
ットの場合と同様で、X線方位測定器を用いて、ノッチ
Nを上側にしたとき(図10の状態)のX方向の傾き角
度X 0 と、ノッチNを下側にしたときのX方向の傾き角
度X180 を測定し、その測定結果X0 、X180 から、次
【0063】
【数32】α=(X0 −X180 )/2 で算出してα、βを取得する。
【0064】なお、上記例は、ノッチ付きインゴットの
場合の適用例であるが、ノッチ付きウェーハの結晶軸の
傾き角度を測定する場合についても同様に適用すること
ができる。この場合、X方向及びY方向の設定は、ノッ
チ付きインゴットInの場合と同様である。すなわち、
ウェーハの中心と、ノッチNの中心を通る直線に平行な
方向をY方向とし、その直線に直交する直線と平行な方
向をX方向とする。
【0065】また、前記オリフラ付きインゴットの場合
と同様に、ノッチ付きインゴット又はノッチ付きウェー
ハの場合も、Y方向の傾き角度Y90、Y270 を測定する
ことにより、α、βを取得することができる。また、本
実施の形態では、X方向傾き角度X0 、X180 を測定す
るにあたって、まず、インゴットInのオリフラOFを
下にしたときの傾き角度X0 を測定し、次いで、インゴ
ットInを180度回転させて、インゴットInのオリ
フラOFを上にしたときの傾き角度X180 を測定してい
るが、次の方法によれば、ウェーハを180度回転させ
るという作業を省くことができる。
【0066】すなわち、本実施の形態では、図5(a)
及び図5(b)に示すように、X線は、X線発生器Tか
ら出て、インゴットInのシードエンドに当たり、反射
してX線検出器Gに入るように構成されているが、X線
発生側とX線検出側を切り換えることができるように構
成する。より具体的には、図11に示すように、X線発
生器とX線検出器とが一体となった装置C1 、C2 を用
いて、装置C1 のX線発生器から照射されたX線を装置
2 のX線検出器で検出し、装置C2 のX線発生器から
照射されたX線を装置C 1 のX線検出器で検出するよう
に構成する。そして、測定は、まず、装置C1 をX線発
生側、装置C2 をX線検出側として利用して測定し、次
いで、装置C2 をX線発生側、装置C1 をX線検出側と
して利用して測定する。
【0067】このように、X線の発生側と検出側とを切
り換えることにより、実質的に、インゴットのオリフラ
の位置を180度反転したときと同じ測定ができる。す
なわち、インゴットのオリフラを下に向けたままの状態
で、オリフラを上に向けたときの測定を行うことができ
る。この結果、インゴットを180度回転させるという
作業が一切不要となり、より簡易、迅速に結晶軸の傾き
角度の測定を行うことができる。このことは、インゴッ
トが長く、直径の大きいインゴットに対して特に有効で
ある。
【0068】
【実施例】上述した本実施の形態に係る結晶軸の傾き角
度測定方法を用いて、インゴット軸に対する結晶軸の傾
き角度を測定すると、次のようになる。測定対象とする
インゴットはシリコンの〈100〉インゴット、すなわ
ち、インゴット軸が結晶軸〈100〉と略一致している
インゴットとする。そして、その外周にはオリフラが形
成されているものとする。
【0069】このシリコンインゴットのインゴット軸に
対する結晶軸〈100〉の傾き角度を測定する。なお、
本測定に用いるX線は、CuKα線(λ=1.5418
Å)である。まず、X線方位測定器を用いてインゴット
InのオリフラOFを下に向けたときと、上に向けたと
きのX方向の傾き角度X0 、X180 を測定する。
【0070】この測定結果が、X0 =3.024°、X
180 =−2.976°であったとする。ここで、シリコ
ンの結晶軸〈100〉に対応するブラッグ角θは、3
4.600°であるから、上記測定結果X0 、X180
ら、X方向の傾き角度αは、
【0071】
【数33】 α=(X0 −X180 )/2 =3° となる。一方、Y方向の傾き角度βは、式(16)から、
【0072】
【数34】 となる。
【0073】このように、本発明によれば、X方向の2
回の測定だけで、インゴット軸に対する結晶軸の傾き角
度α、βを測定することができる。求められた傾き角度
α、βから、インゴット軸に対する結晶軸の最大傾き角
度ZM は、次式より、
【0074】
【数35】 ZM =(α2 +β2 1/2 =3.606° となる。しかし、傾き方向θM は、βの正負の判別がで
きないため、求めることができない。
【0075】そこで、実際に本発明を利用してインゴッ
トの結晶方位の調整を行う場合は、次のようにして行
う。ここでは、まず、インゴットInのインゴット軸と
結晶軸とのなす最大傾き角度のみを規定し、最大傾き角
度の傾き方向は規定しないという規格について考える。
【0076】上記のシリコンの〈100〉インゴットを
用いて最大傾き角度ZM を4°と規定した場合、次のよ
うに、インゴットInの結晶方位の調整を行う。まず、
X線方位測定器を用いて測定したインゴットInのオリ
フラOFを下に向けたときと、上に向けたときのX方向
の傾き角度X0 、X180 から、Y方向の傾き角度βの絶
対値を求める。この場合、上記の算出結果から、β=
1.999°となる。
【0077】次に、βが1.999°の場合における最
大傾き角度ZM が4°となるときのαの値を求める。
【0078】
【数36】α、β、ZM は、 ZM =(α2 +β2 1/2 の関係を有することから、
【0079】
【数37】 α=(ZM 2 −β2 1/2 =(42 −1.9992 1/2 =3.465° となる。
【0080】X0 、X180 の測定結果から、X0 が正の
ときは、α=3.465°になるようにインゴットIn
を水平方向(X方向)に振り、X0 が負のときは、α=
−3.465°になるようにインゴットInを水平方向
(X方向)に振る。本測定では、X0 が正であったの
で、α=3.465°になるようにインゴットInを水
平方向(X方向)に振る。
【0081】このとき、見掛けのブラッグ角θO は、式
(15)から、
【0082】
【数38】 sin θ0 = sinθ・cos α(1+tan2α+tan2β)1/2 ∴ θ0 = sin-1{ sinθ・cos α(1+tan2α+tan2β)1/2 } θ0 = sin-1{ sin34.6・cos3.465(1+tan23.465 +tan21.999 )1/2 } =34.624° となる。
【0083】また、X0 、X180 は、それぞれ
【0084】
【数39】X0 =θ0 +α−θ X180 =θ0 −α−θ であるから、
【0085】
【数40】X0 =3.489° X180 =−3.441° となる。次に、X0 、X180 の測定結果から、インゴッ
ト軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度αを求める。
【0086】ここで、X0 =3.024°、X180 =−
2.976°であるから、
【0087】
【数41】 α=(X0 −X180 )/2 =(3.024°+2.976°) =3° となる。
【0088】次に、インゴットInをインゴット軸を回
転軸としてX0 =3°(X180 =−3°)又はX0 =−
3°(X180 =3°)となるように回転する。この結
果、インゴット軸に対する結晶軸のY方向の傾き角度β
は0になる。次に、X0 が正の時は、α=4°になるよ
うにインゴットInを水平方向に振り、負の時は、α=
−4°になるようにインゴットInを水平方向に振る。
【0089】本測定においては、X0 が正であったの
で、α=4°になるようにインゴットInを水平方向に
傾斜させる。以上の操作により、インゴットInは規格
通り、すなわち、最大傾き角度ZMが4°となるように
結晶方位調整がなされる。次に、インゴットInのイン
ゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度と傾き方向を規
定する規格について考える。
【0090】上記のシリコンの〈100〉インゴットを
用いて最大傾き角度ZM を4°、傾き方向をX方向と規
定した場合、次のように、インゴットInの結晶方位の
調整を行う。まず、X線方位測定器を用いて測定したイ
ンゴットInのオリフラOFを下に向けたときと、上に
向けたときのX方向の傾き角度X0 、X180 から、Y方
向の傾き角度βの絶対値を求める。この場合、上記の算
出結果から、β=1.999°となる。
【0091】次に、X0 、X180 の測定結果から、X方
向の傾き角度αを求める。この場合、上記の算出結果か
ら、α=3°となる。次に、X0 =3°(X180 =−3
°)又はX0 =−3°(X180 =3°)となるようにイ
ンゴットInを垂直方向(Y方向)に傾斜させる。この
結果、βは0°になる。
【0092】次に、X0 の測定結果が正の時は、α=4
°(X0 =4°、X180 =−4°)になるようにインゴ
ットInを水平方向に振り、負の時は、α=−4°(X
0 =−4°、X180 =4°)になるようにインゴットI
nを水平方向(X方向)に傾斜させる。以上の操作によ
り、インゴットInは規格通り、すなわち、最大傾き角
度ZMが4°、傾き方向がX方向になるように結晶方位
調整がなされる。
【0093】以下に、上述した実施例を具体的に実施す
る場合の実施例について説明する。なお、ここでは、イ
ンゴットをワイヤソーで切断する場合の実施例について
説明する。まず、第1の実施例として、前述したインゴ
ット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度のみを規定し、傾
き方向は規定しない規格について考える。
【0094】この場合、図12に示す結晶方位調整装置
を用いてインゴットの結晶方位合わせを行う。この結晶
方位装置は、ワイヤソーにインゴットを装着する前に、
あらかじめワイヤソーの装置外でインゴットの結晶方位
調整をするための装置である。まず、この結晶方位調整
装置の構成について説明する。図12に示すように、前
記結晶方位調整装置10は、方位調整装置60とX線方
位測定装置20とから構成されている。
【0095】前記X線方位測定装置20と同一機上に
は、スライドテーブル70がガイド22、22とレール
24を介してスライド自在に設けられている。このスラ
イドテーブル70は、モータ26に連結されたねじ軸2
8を回動することにより左右方向に移動する。前記方位
調整装置60は、このスライドテーブル70上に載置さ
れる。
【0096】前記X線方位測定装置20は、X線照射部
30とX線受光部32とを有している。X線照射部30
はアーム34の一端部に、また、X線受光部32はアー
ム34の他端部に所定角度傾斜して支持されている。こ
のアーム34は、扇形のプレート36に円弧状レール3
8を介して揺動自在に支持されており、図示しない送り
ネジ機構に駆動されることにより揺動する。
【0097】前記扇形のプレート36には、軸受42に
回動自在に支持された回転軸40が固定されている。こ
の回転軸40にはモータ44のスピンドル46が連結さ
れており、このモータ44を駆動することにより、前記
扇形のプレート36が回転する。図13は、前記方位調
整装置60の正面図であり、図14はその側面図であ
る。図13及び図14に示すように、方位調整装置60
は、主としてワーク受け部62、ガイド部64、昇降部
66及び位置決め部68とから構成されている。
【0098】前記ワーク受け部62は、スライドテーブ
ル70上に設けられた回転盤71と、その回転盤71上
にブラケット72、72、…を介して円弧状に配設され
たワーク受けローラ74、74、…とから構成されてい
る。前記スライドテーブル70は矩形状に形成されてお
り、水平基準と垂直基準とを有している。
【0099】前記回転盤71は、前記スライドテーブル
70上を回動し、ワーク受けローラ74、74、…で支
持したインゴットInをスライドテーブル70に介して
平行に回動させる。また、その時の回転角度は、回転盤
71に設けられた針73でスライドテーブル70上に形
成された回転目盛(図示せず)を読み取ることにより設
定する。
【0100】前記ワーク受けローラ74、74、…は、
ベースプレート68に沿って配設されており、インゴッ
トInは、このワーク受けローラ74、74、…上に載
置される。また、このワーク受けローラ74、74、…
に載置されたインゴットInは、スライドテーブル70
に対して平行に載置される。前記ガイド部64は、スラ
イドテーブル70に垂直に設けられた支持プレート76
と、その支持プレート76の両側部に形成されたガイド
レール78、78とから構成されている。
【0101】前記昇降部66は、前記支持プレート76
に形成されたガイドレール78、78上をスライド移動
する昇降ブロック80と、前記支持プレート76に設け
られ、昇降ブロック80を昇降移動させる昇降機構84
とから構成されている。前記昇降ブロック80は、水平
部80Aと垂直部80Bとからなる断面L字状に形成さ
れており、その両側部にワークブロック56を支持する
支持アーム82、82が設けられている。
【0102】また、この昇降ブロック80と支持アーム
82には、それぞれ水平基準と垂直基準が設けられてお
り、支持したワークブロック56の側面と下面をそれぞ
れ基準駒86、86と支持アーム82の基準面に当接さ
せることにより、位置決めされて支持される。また、前
記昇降ブロック80の背面部には、ナット部88が形成
されており、ナット部88は、支持プレート76に沿っ
て設置されたボールネジ90に螺合されている。このボ
ールネジ90は、上端部に連結された昇降ハンドル92
を回動させることにより回動し、その回動分だけ昇降ブ
ロック80をガイドレール78、78に沿って昇降移動
させる。
【0103】前記位置決め部68は、支持台94に基準
盤96が固定されるとともに、その基準盤96と同軸上
に回転目盛盤98が回動自在に支持されて構成される。
前記支持台94は、前記ワーク受けローラ74、74上
に載置され、前記基準盤96とインゴットInが同軸上
に位置するように設置される。前記基準盤96は、円盤
状に形成され、その周縁部に後述する回転目盛盤98の
目盛102を読み取るための基準目盛104が形成され
ている。
【0104】前記回転目盛盤98は、円盤状に形成さ
れ、その周縁部の4箇所に後述するインゴットInの端
面に引いたケガキ線(インゴットInの結晶方位合わせ
基準を示す)を合わせるためのケガキ合わせ目盛100
V、100Hが所定の間隔で形成されるている。また、
前記回転目盛盤98には、インゴットInの回転角度を
設定するための回転目盛102が形成されている。この
回転目盛102は、中央位置を基準点としてその両側に
角度が目盛られており、回転目盛盤98は、前記基準目
盛104でこの回転目盛102を読み取りながら回転さ
せることで、回転角の設定を行う。
【0105】また、前記ケガキ合わせ目盛100V、1
00Hは、前記回転目盛102の基準点の延長線上に垂
直基準となるケガキ合わせ目盛100Vが形成され、こ
の垂直基準となるケガキ合わせ目盛100Vと直交する
ように水平基準となるケガキ合わせ目盛100Hが形成
される。すなわち、基準盤96の基準目盛104が回転
目盛102の基準点を指している場合は、垂直基準とな
るケガキ合わせ目盛100Vは、前記スライドテーブル
70に対して垂直状態となり、水平基準となるケガキ合
わせ目盛100Hは、ベースプレートに対して平行とな
っている。
【0106】したがって、この状態で、インゴットIn
の端面に引いた水平ケガキ線104H及び垂直ケガキ線
104Vをそれぞれケガキ合わせ目盛の水平基準100
H及び垂直基準100Vに合わせることにより、インゴ
ットInは、その垂直、水平基準がスライドテーブル7
0の垂直、水平と一致する。次に、前記のごとく構成さ
れた結晶方位調整装置10を用いて、上述したインゴッ
ト軸と結晶軸とのなす最大傾き角度のみを規定し、傾き
方向は規定しない規格についての結晶方位の調整方法に
ついて説明する。
【0107】なお、測定対象とするインゴットは、上述
した実施例と同じシリコンの〈100〉インゴットとす
る。まず、X線方位測定装置20でインゴットInのイ
ンゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度X0 、X
180 を測定する。この場合には、まず、インゴットIn
を方位調整装置60にセットする。この際、インゴット
Inのオリフラは下側に向ける。
【0108】次に、インゴットInがセットされた方位
調整装置60をスライドテーブル70上に固定する。そ
して、固定したのち、スライドテーブル70を図12上
で右方向に移動させ、インゴットInを図12中二点鎖
線で示す検出位置に位置させる。次に、X線照射部30
からインゴットInの端面に向けてX線を照射し、この
反射X線をX線受光部32で受光して、インゴット軸に
対する結晶軸のX方向の傾き角度XO を測定する。
【0109】次に、モータ44を駆動し、扇形のプレー
ト36を180°回転させ、X線照射部30とX線受光
部32の位置を逆転させる(この結果、インゴットIn
を180°回転させ、オリフラの上下を逆転させるのと
同様の効果を得ることができる。)。そして、前記同様
に、X線照射部30からインゴットInの端面に向けて
X線を照射し、この反射X線をX線受光部32で受光し
て、インゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度X
180 を測定する。
【0110】以上でインゴット軸に対する結晶軸のX方
向の傾き角度X0 、X180 の測定が終了する。ここで、
測定結果はX0 =3.024°、X180 =−2.976
°であったとする。なお、この測定結果は、モニタ48
上に表示される。次に、スライドテーブル70を元の位
置に戻し、インゴットInの姿勢を方位調整装置60に
よって調整する。
【0111】まず、インゴットInの端面にインゴット
Inの水平、垂直基準となるケガキ線104H、104
Vを予め引く。この際、ケガキ線104Hは、インゴッ
トInの軸心を通り、オリフラ面と平行になるように引
き、また、ケガキ線104Vは、前記ケガキ線104H
と直交し、かつインゴットInの軸芯を通るように引
く。
【0112】次に、ワークブロック56を昇降ブロック
80の支持アーム82、82に支持させる。一方、イン
ゴットInをワーク受けローラ74、74、…上に載置
するとともに、回転目盛104を基準位置にセットす
る。そして、インゴットInを円周方向に回転させて、
その端面に引いたケガキ線104H、104Vが、ケガ
キ合わせ目盛100H、100Vに一致するように合わ
せる。
【0113】この結果、インゴットInの水平、垂直基
準がスライドテーブル70の水平、垂直基準と一致する
(インゴットInのオリフラがスライドテーブル70と
平行になる。)。そして、この状態から、前記測定結果
を基にインゴットInの結晶方位を調整する。ここで、
最大傾き角度ZM を4°と規定した場合は、次のよう
に、インゴットInの結晶方位を調整する。
【0114】まず、X0 、X180 の測定結果から、式(1
6)を用いてインゴット軸に対する結晶軸のY方向の傾き
角度β(絶対値)を求める。ここで、X0 =3.024
°、X180 =−2.976°であるから、
【0115】
【数42】 次に、β=1.999°の場合における、最大傾き角度
M =4となるαを求める。α、β、ZM は、次式
【0116】
【数43】ZM 2 =α2 +β2 の関係を有することから、
【0117】
【数44】 α=(ZM 2 −β2 1/2 =(42 −1.9992 1/2 =3.465° となる。
【0118】次に、X0 が正の時は、α=3.465°
になるようにインゴットInを水平方向に振り、負の時
は、α=−3.465°になるようにインゴットInを
水平方向に振る。本測定においては、X0 が正であった
ので、α=3.465°になるようにインゴットInを
水平方向に振る。なお、このインゴットInを水平方向
に振る操作は、回転盤71を回転させことにより行う。
【0119】このとき、見掛けのブラッグ角θ0 は、式
(15)から、
【0120】
【数45】 sin θ0 = sinθ・cos α(1+tan2α+tan2β)1/2 ∴ θ0 = sin-1{ sinθ・cos α(1+tan2α+tan2β)1/2 } θ0 = sin-1{ sin34.6・cos3.465(1+tan23.465 +tan21.999 )1/2 } =34.624° となる。
【0121】また、X0 、X180 は、それぞれ
【0122】
【数46】X0 =θ0 +α−θ X180 =θ0 −α−θ であるから、
【0123】
【数47】X0 =3.489° X180 =−3.441° となる。次に、X0 、X180 の測定結果から、インゴッ
ト軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度αを求める。
【0124】ここで、X0 =3.024°、X180 =−
2.976°であるから、
【0125】
【数48】 α=(X0 −X180 )/2 =(3.024°+2.976°) =3° となる。
【0126】次に、インゴットInをインゴット軸を回
転軸としてX0 =3°(X180 =−3°)となるように
回転する。なお、このインゴットInを回転させる操作
は、次のように行う。すなわち、まず、回転目盛盤98
を+3°回転させる。そして、その回転により変更した
ケガキ合わせ目盛100H、100Vの位置にケガキ線
104H、104Vが一致するようにインゴットInを
円周方向に回転させる。これにより、インゴットIn
は、インゴット軸を回転軸として+3°だけ回転する。
【0127】この結果、インゴット軸に対する結晶軸の
Y方向の傾き角度βは0になる。次に、X0 が正の時
は、α=4°になるようにインゴットInを水平方向に
振り、負の時は、α=−4°になるようにインゴットI
nを水平方向に振る。本測定においては、X0 が正であ
ったので、α=4°になるようにインゴットInを水平
方向に振る。なお、このインゴットInを水平方向に振
る操作は、上述したように、回転盤71を回転させこと
により行う。
【0128】以上の操作により、インゴットInは、規
格通りに結晶方位調整がなされる。調整終了後、ワーク
ブロック56を降ろし、そのワークブロック56をスラ
イスベース58を介してインゴットInに接着する。そ
して、そのインゴットInが取り付けられたワークブロ
ック56をワイヤソーのワークフィードテーブルに取り
付ければ、規格通りのウェーハが切断される。
【0129】次に、第2の実施例として、前述したイン
ゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度と傾き方向を規
定する規格について考える。この場合、図15に示す結
晶方位調整装置が備えられているワイヤソーを使用す
る。このワイヤソーは、前記第1の実施例とは異なり、
ワイヤソーに備えられたチルチング装置によりインゴッ
トの結晶方位調整を行う。まず、このワイヤソーの構成
について説明する。
【0130】図15に示すように、前記ワイヤソー20
0は、インゴットInを切断する加工空間Sと、インゴ
ットInを切断するワイヤ111を有するワイヤソー本
体110と、インゴットInを支持して加工空間Sに配
置させるワーク支持機構130とを備えている。ワイヤ
ソー本体110は、加工空間S内に配置されたワイヤ巻
掛け躯体112と、ワイヤ111を往復走行させるワイ
ヤリール120、120と、ワイヤ111にスラリーを
供給するスラリー供給機構125とを有している。
【0131】ワイヤ巻掛け躯体112は、3本の溝付ロ
ーラ113、114、115を有している。この3本溝
付ローラ113、114、115に前記ワイヤ111が
巻き掛けられることにより、上部の溝付ローラ113、
114間に一定ピッチのワイヤ列117が形成される。
ワーク支持機構130は、ワークブロック131、ワー
ク支持部132、結晶軸方位調整部140、ワーク送り
機構160、方位検出手段170、X線ユニット18
0、及び制御装置210を備えている。
【0132】図16に示すように、ワークブロック13
1は、インゴットInをワーク支持部132に取り付け
るものであり、インゴットInは、このワークブロック
131にスライスベース5を介して接着される。そし
て、インゴットInが、前記ワーク支持部132に取り
付けられると、その取り付けられたインゴットInは加
工空間Sに設置される。
【0133】結晶軸方位調整部140は、インゴットI
nの結晶方位を調整するものであり、以下の構成を有す
る。すなわち、図15のワークテーブル141と、図1
6の揺動台142と、揺動台142を揺動駆動する揺動
駆動機構144と、回転台150と、回転台150を回
転駆動する回転駆動機構152とを有している。
【0134】ワークテーブル141は、ワーク送り機構
160に取り付けられ昇降移動する。揺動台142は、
ワークテーブル141に設けられており、インゴットI
nの中心が配置される設置中心CP回りに、図15のワ
イヤ列117のワイヤ延在方向に対して直角な方向(図
中矢印A、B方向)に揺動する。
【0135】回転台150は、揺動台142の中心と設
置中心CPとを結ぶ揺動軸線CT2回りに回転し、下部
に前記ワーク支持部132が設けられている。揺動駆動
機構144と回転駆動機構152とは、インゴットIn
の結晶方位を調整する方位調整駆動部であり、揺動駆動
機構144は、揺動台142に設けられたラック145
と、ラック145にかみ合う小歯車146と、ワークテ
ーブル141に設けられ、小歯車146を回転駆動する
揺動台駆動用ステッピングモータ147とを有してい
る。
【0136】回転駆動機構152は、回転台150の上
端に揺動軸線CT2を中心として固設された大歯車15
3と、大歯車153にかみ合うウォームInと、揺動台
142に設けられ、ウォームInを回転駆動する回転台
駆動用ステッピングモータ155とを有している。図1
5のワーク送り機構160は、結晶軸方位調整部140
を昇降させものであり、その結晶軸方位調整部140に
支持されたインゴットInをワイヤ列117に押し付け
るものである。
【0137】方位検出手段170は、加工空間Sに配置
されたインゴットInの結晶方位を検出するものであ
り、以下の構成を有している。すなわち、方位検出手段
170は、垂直回転角度検出器171と、水平回転角度
検出器172とを備えている。垂直回転角度検出器17
1は、図16の揺動台駆動用ステッピングモータ147
の回転角度位置を検出して、インゴットInの垂直回転
中心軸線CT3回りの回転角度を検出する。
【0138】水平回転角度検出器172は、回転台駆動
用ステッピングモータ155の回転角度位置を検出し
て、揺動軸線CT2回りのインゴットInの回転角度を
検出する。尚、図16の垂直回転中心軸線CT3は、イ
ンゴットInのインゴット軸CT1と揺動軸線CT2と
に直交している。
【0139】図15のX線ユニット180は、X線Lを
インゴットInの端面2に照射し、その反射波(X線
L)を受光するものであり、以下の構成を有している。
すなわち、X線ユニット180は、垂れ板181、X線
ユニット設置板182、X線照射器185、X線受光器
186、X線照射角度変更用ステッピングモータ18
8、図18の防塵カバー190とを備えている。
【0140】垂れ板181は、ワークテーブル141の
側端に垂れ設けられている。X線ユニット設置板182
は、前記垂れ板181の下端部に設けられており、前記
設置中心CPに向かう回転軸線CT4回りに回転自在に
設けられている。X線照射器185は、X線ユニット設
置板182の一端に設けられ、インゴットInの端面2
に向けてX線Lを照射する。
【0141】X線受光器186は、X線ユニット設置板
182の他端に設けられ、インゴットInで反射した前
記X線Lを受光する。なお、このX線受光器186の位
置及び姿勢は、図15に示すようにインゴットInのイ
ンゴット軸CT1が、既定の方位、すなわち、ワイヤ1
1に直角な方向である図中矢印X1、X2方向に向いて
いるときに、受光されたX線Lの強度が最大の強度とな
るように設定されている。
【0142】X線照射角度変更用ステッピングモータ1
88は、前記垂れ板181の下端部に設けられ、X線ユ
ニット設置板182を90度毎に回転駆動する。防塵カ
バー190は、X線照射器185及びX線受光器186
を包囲する。この防塵カバー190は、図18に示すよ
うに、加工空間SとX線照射器185及びX線受光器1
86との間に設けられ、X線Lが出入りする窓191a
を有する隔壁191と、窓191aを開閉する開閉扉1
92と、開閉扉192を駆動する扉駆動機構193とを
有している。
【0143】図19の制御装置210は、結晶軸方位調
整部140の方位調整駆動部(図16中符号144、1
52)を駆動して図15のインゴットInを傾けると共
に、X線照射器185から照射され、インゴットInで
反射されX線受光器186で受光されたX線Lの強度情
報と、その際、方位検出手段170で検出されていたイ
ンゴットInの結晶方位とに基づいて、X線Lの強度が
最大となるときのインゴットInの結晶方位を検出し、
所定の方位にインゴットInの結晶軸が向くように方位
調整駆動部(図16中符号144、152)を制御する
ものであり、以下の構成を有している。
【0144】すなわち、図19の制御装置210は、結
晶方位検出部212と、X線駆動制御部214と、方位
調整駆動制御部216と、入力部218と、出力部22
0と、主制御部225とを備えている。結晶方位検出部
212は、垂直回転角度検出器171からの垂直回転角
度情報Bvと、水平回転角度検出器172からの水平回
転角度情報Bhと、X線受光器86からの前記X線Lの
強度情報Dxとを入力する。そして、垂直回転角度情報
BvとX線Lの強度情報Dxとに基づいて、インゴット
軸に対する結晶軸の垂直方位Bv1(インゴット軸の結
晶軸のY方向の傾き角度Y90、Y270 )を検出し、水平
回転角度情報BhとX線Lの強度情報Dxに基づいて、
インゴット軸に対する結晶軸の水平方位Bh1(インゴ
ット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度X0
180 )を検出する。
【0145】X線駆動制御部214は、X線受光器18
6、X線照射器185、X線照射角度変更用ステッピン
グモータ188、及び扉駆動機構193を駆動制御す
る。方位調整駆動制御部216は、揺動台駆動用ステッ
ピングモータ147と回転台駆動用ステッピングモータ
155を駆動制御する。入力部218は、開始信号S1
などを入力する。
【0146】出力部220は、ディスプレイ或いはプリ
ンタなどから構成されている。主制御部225は、結晶
方位検出部212、X線駆動制御部214、方位調整駆
動制御部216、入力部218、及び出力部220にバ
ス線222を介して接続され、それらを予め記憶された
プログラムに基づいて後述するように制御する。
【0147】本発明が適用される第2の実施例のワイヤ
ソー200は、以上のように構成される。次に、前記の
ごとく構成されたワイヤソー200を用いて、上述した
インゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度と傾き方向
を規定する規格についての結晶方位の調整方法について
説明する。
【0148】なお、測定対象とするインゴットは、上述
した第1の実施例と同じシリコンの〈100〉インゴッ
トとする。まず、インゴットInをワーク支持機構13
0に取付ける。即ち、図16に示すワーク支持機構13
0のワークブロック131をワーク支持部132から外
しておき、そのワークブロック131にスライスベース
5を介してインゴットInを接着する。このとき、イン
ゴットInのオリフラOFが上側に向くように固定す
る。
【0149】そして、インゴット131の接着後、再び
ワークブロック131をワーク支持部132に再び装着
する。次に、インゴットInの結晶軸の水平方向(X方
向)の傾き角度X0 、X180を測定する。すなわち、ま
ず、図19の制御装置210の入力部218から開始信
号S1を入力する。この開始信号S1に基づいて、主制
御部225は、以下のような制御を行う。
【0150】まず、X線駆動制御部214に駆動開始信
号S2を、方位調整駆動制御部216に揺動駆動開始信
号S3を、結晶方位検出部212に水平方位検出開始信
号Shを出力する。X線駆動制御部214は、駆動開始
信号S2に基づいて、扉駆動機構193を開方向に駆動
制御して、図18の開閉扉192を開く。そして、X線
照射器185を駆動し、X線照射器185からインゴッ
トInの端面2にX線Lが照射する。
【0151】照射されたX線Lは、インゴットInの端
面2で反射され、その反射X線LがX線受光器186で
受光される。X線受光器186は、図19の結晶方位検
出部212にその前記X線Lの強度情報Dxを出力す
る。一方、方位調整駆動制御部216は、揺動駆動開始
信号S3に基づいて、回転台駆動用ステッピングモータ
155を低速で所定回転角度範囲だけ往復駆動する。こ
の結果、図15のインゴットInは、回転台150と共
に揺動軸線CT2回りに所定回転角度範囲だけ図中矢印
C、D方向に往復回転される。
【0152】また、このインゴットInの揺動軸線CT
2回り回転角度である水平回転角度は、図19の水平回
転角度検出器172で検出され、結晶方位検出部212
に入力される。結晶方位検出部212は、水平方位検出
開始信号Sh、水平回転角度情報Bh及びX線Lの強度
情報Dxに基づいて、X線Lの強度が最大となるときの
インゴットInの水平回転角度Bhを検出し、インゴッ
ト軸に対する結晶軸の水平方位Bh1(インゴット軸の
結晶軸のX方向の傾き角度X180 )を検出する。そし
て、その検出結果、主制御部225に出力する。
【0153】主制御部225は、入力された水平方位B
h1(X180 )を出力部220に出力する。これによ
り、インゴットInのインゴット軸に対する結晶軸の水
平方位(オリフラを上にしたときのインゴットのインゴ
ット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度X180 )が測
定される。
【0154】次に、主制御部225は、再び、X線駆動
制御部214に駆動開始信号S2を、方位調整駆動制御
部216に揺動駆動開始信号S3を、結晶方位検出部2
12に水平方位検出開始信号Shを出力する。X線駆動
制御部214は、駆動開始信号S2に基づいて、X線照
射角度変更用ステッピングモータ188を駆動制御し
て、X線ユニット設置板182を180度回転させる。
そして、X線照射器185を駆動し、X線照射器185
からインゴットInの端面2にX線Lが照射する。照射
されたX線Lは、インゴットInの端面2で反射され、
その反射X線LがX線受光器186で受光される。X線
受光器186は、図19の結晶方位検出部212にその
前記X線Lの強度情報Dxを出力する。
【0155】一方、方位調整駆動制御部216は、揺動
駆動開始信号S3に基づいて、回転台駆動用ステッピン
グモータ155を低速で所定回転角度範囲だけ往復駆動
する。この結果、図15のインゴットInは、回転台1
50と共に揺動軸線CT2回りに所定回転角度範囲だけ
図中矢印C、D方向に往復回転される。また、このイン
ゴットInの揺動軸線CT2回り回転角度である水平回
転角度は、図19の水平回転角度検出器72で検出さ
れ、結晶方位検出部212に入力される。
【0156】結晶方位検出部212は、水平方位検出開
始信号Sh、水平回転角度情報Bh及びX線Lの強度情
報Dxに基づいて、X線Lの強度が最大となるときのイ
ンゴットInの水平回転角度Bhを検出し、インゴット
軸に対する結晶軸の水平方位Bh1(インゴット軸の結
晶軸のX方向の傾き角度X0 )を検出する。そして、そ
の検出結果、主制御部225に出力する。
【0157】主制御部225は、入力された水平方位B
h1(X0 )を出力部220に出力する。これにより、
インゴットInのインゴット軸に対する結晶軸の水平方
位(オリフラを下にしたときのインゴットのインゴット
軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度X0 )が測定され
る。
【0158】そして、以上の操作により、インゴットI
nのインゴット軸に対する結晶軸の水平方位(インゴッ
トのインゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度X
0 、X180 )が測定され、この測定結果から、主制御部
225は、インゴットInのインゴット軸に対する結晶
軸の水平方位(X方向の傾き角度)αと、垂直方位(Y
方向の傾き角度β)を算出する。
【0159】ここで、この測定結果が、X0 =3.02
4°、X180 =−2.976°であったとする。シリコ
ンの結晶軸〈200〉に対応するブラッグ角θは、3
4.600°であるから、上記測定結果X0 、X180
ら、水平方位(X方向の傾き角度)αは、
【0160】
【数49】 α=(X0 −X180 )/2 =3° となる。一方、垂直方位(Y方向の傾き角度)βは、式
(16)から、
【0161】
【数50】 となる。
【0162】この算出結果は、出力部220に表示され
る。そして、主制御部225は、この算出されたα、β
に基づいて、方位調整駆動制御部216に駆動信号S5
を出力し、インゴットInの結晶方位調整を行う。な
お、ここでは、最大傾き角度ZM を4°と規定し、傾き
方向を水平方向(X方向)と規定した場合について説明
する。
【0163】方位調整駆動制御部216は、入力した駆
動信号S5に基づいて、揺動台駆動用ステッピングモー
タ147を駆動し、結晶軸のX方向の傾き角度X0 が3
°になるようにインゴットInを垂直方向(Y方向)に
傾斜させる。この結果、インゴット軸に対する結晶軸の
垂直方向(Y方向)の傾き角度βは0となる。
【0164】次に、方位調整駆動制御部216は、入力
した駆動信号S5に基づいて、回転台駆動用ステッピン
グモータ155を駆動し、インゴットInを水平方向
(X方向)に揺動させる。このとき、前記水平方位の測
定の結果、X0 が正の時は、α=4°(X0 =4°、X
180 =−4°)になるようにインゴットInを水平方向
に振り、負の時は、α=−4°(X0 =−4°、X180
=4°)になるようにインゴットInを水平方向(X方
向)に傾斜させる。
【0165】以上の操作により、インゴットInは、規
格通りに結晶方位調整がなされる。調整終了後、ワイヤ
ソー200を駆動してインゴットInの切断を開始す
る。以上説明したように、インゴットのインゴット軸と
結晶軸とのなす最大傾き角度のみを規定する規格につい
ては、第1の実施例のように、また、インゴットのイン
ゴット軸と結晶軸とのなす最大傾き角度と傾き角度を規
定する規格については、第2の実施例のように実施する
ことにより、本発明を用いてインゴットの結晶方位調整
を行うことができる。
【0166】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
オリフラを一方向に向けた状態におけるインゴット軸に
対する結晶軸のX方向の傾き角度X0 と、オリフラを前
記一方向とは180度反対方向に向けた状態におけるイ
ンゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度X180
測定するだけで、インゴット軸に対する結晶軸のX方向
の傾き角度αとY方向の傾き角度βを取得することがで
きる。したがって、結晶軸の傾き角度の測定を簡易迅速
に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】インゴット軸と結晶軸との関係の説明図
【図2】X線結晶方位測定器のダイヤグラム
【図3】X線結晶方位測定器の作用の説明図
【図4】X線結晶方位測定器の作用の説明図
【図5】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図
【図6】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図
【図7】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図(α=0、
β≠0の場合)
【図8】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図(α≠0、
β=0の場合)
【図9】結晶軸の傾き角度測定方法の説明図(α≠0、
β≠0の場合)
【図10】ノッチ付きインゴットの構成を示す正面図
【図11】X線結晶方位測定器の構成を示す平面図
【図12】結晶方位調整装置の全体図
【図13】方位調整装置の正面図
【図14】方位調整装置の側面図
【図15】ワイヤソーの構成を示す斜視図
【図16】図15のワイヤソーの結晶軸方位調整部の構
成を示す側面断面図
【図17】図16の結晶軸方位調整部の構成を示す平面
断面図
【図18】図15のワイヤソーの加工空間とX線照射器
及びX線受光器との間に設けられた隔壁付近を示す正面
断面図
【図19】図15のワイヤソーの制御装置を示す図
【符号の説明】
In…インゴット OF…オリフラ N…ノッチ B…支持台 D…目盛板 G…X線検出器 M…メータ T…X線発生器

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 インゴットに形成されたオリフラに平行
    な方向をX方向、オリフラに垂直な方向をY方向とした
    ときの、インゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角
    度αと、Y方向の傾き角度βを測定する結晶軸の傾き角
    度測定方法において、 X線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向け
    た状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のX方
    向の傾き角度X0 と、オリフラを前記一方向とは180
    度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する
    前記結晶軸のX方向の傾き角度X180 を測定し、 その測定結果X0 、X180 と前記結晶軸に対応するブラ
    ッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のX方
    向の傾き角度αとY方向の傾き角度βとを次式 α=(X0 −X180 )/2 で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度
    測定方法。
  2. 【請求項2】 インゴットに形成されたオリフラに平行
    な方向をX方向、オリフラに垂直な方向をY方向とした
    ときの、インゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角
    度αと、Y方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き
    角度測定方法において、 X線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向け
    た状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のY方
    向の傾き角度Y90と、オリフラを前記一方向とは180
    度反対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する
    前記結晶軸のY方向の傾き角度Y270 を測定し、 その測定結果Y90、Y270 及び前記結晶軸に対応するブ
    ラッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のY
    方向の傾き角度βとX方向の傾き角度αとを次式 β=(Y90−Y270 )/2 で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度
    測定方法。
  3. 【請求項3】 ウェーハに形成されたオリフラに平行な
    方向をX方向、オリフラに垂直な方向をY方向としたと
    きの、ウェーハ法線に対する結晶軸のX方向の傾き角度
    αと、Y方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角
    度測定方法において、 X線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向け
    た状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のX方
    向の傾き角度X0 と、オリフラを前記一方向とは180
    度反対方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する
    前記結晶軸のX方向の傾き角度X180 を測定し、 その測定結果X0 、X180 及び前記結晶軸に対応するブ
    ラッグ角θから、ウェーハ法線に対する前記結晶軸のX
    方向の傾き角度αと前記ウェーハ法線に対する前記結晶
    軸のY方向の傾き角度βを次式 α=(X0 −X180 )/2 で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度
    測定方法。
  4. 【請求項4】 ウェーハに形成されたオリフラに平行な
    方向をX方向、オリフラに垂直な方向をY方向としたと
    きの、ウェーハ法線に対する結晶軸のX方向の傾き角度
    αと、Y方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角
    度測定方法において、 X線方位測定器を用いて、前記オリフラを一方向に向け
    た状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のY方
    向の傾き角度Y90と、オリフラを前記一方向とは180
    度反対方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する
    前記結晶軸のY方向の傾き角度Y270 を測定し、 その測定結果Y90、Y270 及び前記結晶軸に対応するブ
    ラッグ角θから、ウェーハ法線に対する前記結晶軸のY
    方向の傾き角度βとX方向の傾き角度αとを次式 β=(Y90−Y270 )/2 で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度
    測定方法。
  5. 【請求項5】 インゴットの中心と該インゴットに形成
    されたノッチの中心を通る直線に平行な方向をY方向、
    その直線に直交する直線と平行な方向をX方向としたと
    きの、インゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度
    αと、Y方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角
    度測定方法において、 X線方位測定器を用いて、前記ノッチを一方向に向けた
    状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のX方向
    の傾き角度X0 と、ノッチを前記一方向とは180度反
    対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記
    結晶軸のX方向の傾き角度X180 を測定し、 その測定結果X0 、X180 と前記結晶軸に対応するブラ
    ッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のX方
    向の傾き角度αとY方向の傾き角度βとを次式 α=(X0 −X180 )/2 で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度
    測定方法。
  6. 【請求項6】 インゴットの中心と該インゴットに形成
    されたノッチの中心を通る直線に平行な方向をY方向、
    その直線に直交する直線と平行な方向をX方向としたと
    きの、インゴット軸に対する結晶軸のX方向の傾き角度
    αと、Y方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角
    度測定方法において、 X線方位測定器を用いて、前記ノッチを一方向に向けた
    状態におけるインゴット軸に対する前記結晶軸のY方向
    の傾き角度Y90と、ノッチを前記一方向とは180度反
    対方向に向けた状態におけるインゴット軸に対する前記
    結晶軸のY方向の傾き角度Y270 を測定し、 その測定結果Y90、Y270 及び前記結晶軸に対応するブ
    ラッグ角θから、インゴット軸に対する前記結晶軸のY
    方向の傾き角度βとX方向の傾き角度αとを次式 β=(Y90−Y270 )/2 で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度
    測定方法。
  7. 【請求項7】 ウェーハの中心と該ウェーハに形成され
    たノッチの中心を通る直線に平行な方向をY方向、その
    直線に直交する直線と平行な方向をX方向としたとき
    の、ウェーハ法線に対する結晶軸のX方向の傾き角度α
    と、Y方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度
    測定方法において、 X線方位測定器を用いて、前記ノッチを一方向に向けた
    状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のX方向
    の傾き角度X0 と、ノッチを前記一方向とは180度反
    対方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記
    結晶軸のX方向の傾き角度X180 を測定し、 その測定結果X0 、X180 及び前記結晶軸に対応するブ
    ラッグ角θから、ウェーハ法線に対する結晶軸のX方向
    の傾き角度αと前記ウェーハ法線に対する前記結晶軸の
    Y方向の傾き角度βを次式 α=(X0 −X180 )/2 で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度
    測定方法。
  8. 【請求項8】 ウェーハの中心と該ウェーハに形成され
    たノッチの中心を通る直線に平行な方向をY方向、その
    直線に直交する直線と平行な方向をX方向としたとき
    の、ウェーハ法線に対する結晶軸のX方向の傾き角度α
    と、Y方向の傾き角度βとを測定する結晶軸の傾き角度
    測定方法において、 X線方位測定器を用いて、前記ノッチを一方向に向けた
    状態におけるウェーハ法線に対する前記結晶軸のY方向
    の傾き角度Y90と、ノッチを前記一方向とは180度反
    対方向に向けた状態におけるウェーハ法線に対する前記
    結晶軸のY方向の傾き角度Y270 を測定し、 その測定結果Y90、Y270 及び前記結晶軸に対応するブ
    ラッグ角θから、ウェーハ法線に対する前記結晶軸のY
    方向の傾き角度βとX方向の傾き角度αとを次式 β=(Y90−Y270 )/2 で算出して取得することを特徴とする結晶軸の傾き角度
    測定方法。
JP19746397A 1997-07-23 1997-07-23 結晶軸の傾き角度測定方法 Expired - Fee Related JP3709664B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19746397A JP3709664B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 結晶軸の傾き角度測定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19746397A JP3709664B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 結晶軸の傾き角度測定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1137958A true JPH1137958A (ja) 1999-02-12
JP3709664B2 JP3709664B2 (ja) 2005-10-26

Family

ID=16374925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19746397A Expired - Fee Related JP3709664B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 結晶軸の傾き角度測定方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3709664B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003076699A1 (en) * 2002-03-05 2003-09-18 Corning Incorporated Method for making an oriented optical fluoride crystal blank
JP2004533347A (ja) * 2001-06-13 2004-11-04 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 結晶外面に対する結晶面の方位を決定する装置及び方法、及び切断機にて単結晶を切断する装置及び方法
JP2008180526A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶方位測定装置
KR101034770B1 (ko) 2008-07-29 2011-05-17 한국기계연구원 투과전자현미경의 고니오미터를 이용한 결정립계의법선벡터 측정장치 및 그에 의한 결정립계 법선벡터측정방법
JP2016505816A (ja) * 2012-11-16 2016-02-25 コリア リサーチ インスティチュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス 高分解能x線ロッキングカーブ測定を用いた単結晶ウェーハの面方位測定方法
CN106352816A (zh) * 2016-10-30 2017-01-25 云南蓝晶科技有限公司 蓝宝石晶棒晶轴检测定位装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004533347A (ja) * 2001-06-13 2004-11-04 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 結晶外面に対する結晶面の方位を決定する装置及び方法、及び切断機にて単結晶を切断する装置及び方法
JP4716652B2 (ja) * 2001-06-13 2011-07-06 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 切断機にて単結晶を切断する装置
WO2003076699A1 (en) * 2002-03-05 2003-09-18 Corning Incorporated Method for making an oriented optical fluoride crystal blank
US7001462B2 (en) 2002-03-05 2006-02-21 Corning Incorporated Method for making an oriented optical fluoride crystal blank
JP2008180526A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶方位測定装置
KR101034770B1 (ko) 2008-07-29 2011-05-17 한국기계연구원 투과전자현미경의 고니오미터를 이용한 결정립계의법선벡터 측정장치 및 그에 의한 결정립계 법선벡터측정방법
JP2016505816A (ja) * 2012-11-16 2016-02-25 コリア リサーチ インスティチュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス 高分解能x線ロッキングカーブ測定を用いた単結晶ウェーハの面方位測定方法
US9678023B2 (en) 2012-11-16 2017-06-13 Korea Research Institute Of Standards And Science Method of determining surface orientation of single crystal wafer
CN106352816A (zh) * 2016-10-30 2017-01-25 云南蓝晶科技有限公司 蓝宝石晶棒晶轴检测定位装置
CN106352816B (zh) * 2016-10-30 2019-01-25 云南蓝晶科技有限公司 蓝宝石晶棒晶轴检测定位装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3709664B2 (ja) 2005-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04264241A (ja) 単結晶のof方位検出方法及び装置
JPH1137958A (ja) 結晶軸の傾き角度測定方法
JP3109789B2 (ja) X線反射率測定方法
JPH0689887A (ja) 結晶方位決定方法
US3728541A (en) X-ray diffractometer
EP1524516A1 (en) X-ray diffractometer and method of correcting measurement position thereof
US5878106A (en) X-ray diffractometer
JP2021096091A (ja) 制御装置、システム、方法およびプログラム
JP2883667B2 (ja) 単結晶インゴットの結晶方位測定装置
JP3659553B2 (ja) X線装置
JPH0666741A (ja) X線回折装置
JPS62116243A (ja) 検出装置
JPH0654265B2 (ja) 2軸揺動x線応力測定装置
JP2003254918A (ja) 単結晶体の方位測定装置、この装置におけるガイド部材の角度誤差の検出方法及び単結晶体の方位測定方法
JPH112614A (ja) 単結晶軸方位x線測定方法及び装置
JP2001311705A (ja) X線回折装置
JPH10100142A (ja) X線を利用したインゴットの結晶軸方位調整方法及び装置
JPS5957145A (ja) X線分析装置
JP2001272359A (ja) 単結晶インゴットの処理装置及び処理方法
JPH01156643A (ja) X線回折装置のゴニオメータの自動光軸調整装置
JP2567840B2 (ja) 結晶方位決定装置
JP3236688B2 (ja) 微小領域x線回折装置
JPH0552775A (ja) 蛍光x線分析装置
JP2003149179A (ja) 単結晶体の方位測定装置
JPH0875677A (ja) 四軸型自動回折装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050330

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050530

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050719

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050801

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees