JPS5957145A - Ｘ線分析装置 - Google Patents
Ｘ線分析装置Info
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- JPS5957145A JPS5957145A JP16899882A JP16899882A JPS5957145A JP S5957145 A JPS5957145 A JP S5957145A JP 16899882 A JP16899882 A JP 16899882A JP 16899882 A JP16899882 A JP 16899882A JP S5957145 A JPS5957145 A JP S5957145A
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- JP
- Japan
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- crystal
- fluorescent
- slit
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/076—X-ray fluorescence
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線回折法と螢光Ｘ線分光法とが一台の装置で
行えるようにしたＸ線分析装置に関する。
行えるようにしたＸ線分析装置に関する。
通常Ｘ線回折を行う装置と螢光Ｘ線分光を行う装置とは
別々になっており、両種の分析を行う場合には２種の装
置が必要である。もつとも従来からＸ線発生部とＸ線検
出計数部とを共用することも行われていだが、Ｘ線分析
装置において主要な構造的部分である肝心のＸ線回折を
行う部分はＸ線回折法の場合と螢光Ｘ線分光の場合とで
取換えていた。
別々になっており、両種の分析を行う場合には２種の装
置が必要である。もつとも従来からＸ線発生部とＸ線検
出計数部とを共用することも行われていだが、Ｘ線分析
装置において主要な構造的部分である肝心のＸ線回折を
行う部分はＸ線回折法の場合と螢光Ｘ線分光の場合とで
取換えていた。
彰明
本譜系はＸ線回折を行う部分をも含めて装置全体をＸ線
回折法と螢光Ｘ線分光法とに共用できるようにすること
を目的とするものである。
回折法と螢光Ｘ線分光法とに共用できるようにすること
を目的とするものである。
本発明は試料或は分光結晶をセットする結晶台とそれを
回転させる機構とを一体的にＸ方向に移動させる装置と
Ｘ線出射スリット及びその後方のＸ線検出器を一体的に
Ｘ方向及びＸ方向に２次元的に移動させる装置と、上記
結晶台のＸ方向移動範囲の両端外側に配置されたＸ線回
折用Ｘ線源及−のＸ線発生装置と単一の計数回路とよシ
なるＸ線分析装置を提供する。Ｘ線回折法を実施する場
合、結晶台には試料がセットされ、結晶台はＸ方向移動
範囲の一方の端の位置にあって移動しないで回転運動の
み行い、Ｘ線出射スリット及びＸ線検出は結晶台の回転
中心を中心とする円周に漕つて移動するようＸ方向及び
Ｘ方向の移動が制御され、結晶台に近い側のＸ線源が作
動せしめられる。
回転させる機構とを一体的にＸ方向に移動させる装置と
Ｘ線出射スリット及びその後方のＸ線検出器を一体的に
Ｘ方向及びＸ方向に２次元的に移動させる装置と、上記
結晶台のＸ方向移動範囲の両端外側に配置されたＸ線回
折用Ｘ線源及−のＸ線発生装置と単一の計数回路とよシ
なるＸ線分析装置を提供する。Ｘ線回折法を実施する場
合、結晶台には試料がセットされ、結晶台はＸ方向移動
範囲の一方の端の位置にあって移動しないで回転運動の
み行い、Ｘ線出射スリット及びＸ線検出は結晶台の回転
中心を中心とする円周に漕つて移動するようＸ方向及び
Ｘ方向の移動が制御され、結晶台に近い側のＸ線源が作
動せしめられる。
螢光Ｘ線分光分析を行う場合には、結晶台には分光用結
晶がセットされる。分光結晶には平板結晶を用いる場合
と彎曲結晶を用いる場合があって、何れの結晶を用いる
かによって結晶台及びＸ線検出器等の移動のさせ方が異
る。
晶がセットされる。分光結晶には平板結晶を用いる場合
と彎曲結晶を用いる場合があって、何れの結晶を用いる
かによって結晶台及びＸ線検出器等の移動のさせ方が異
る。
Ｘ稗分析装置においては試料或は分光結晶とＸ線検出器
等とを関係移動させる機構が機械的に複雑であシ、かつ
高い構造精度を要求される部分であって高価格となる部
分であるので、Ｘ線回折法と螢光Ｘ線分光法とでＸ線発
生装置とか計数回路だけを共用しても装置価格を引下げ
る効果は少いが、本発明ではＸ線分析装置で複雑高精度
高価格の部分をＸ線回折法と螢光Ｘ線分光法とで共用す
るものであるから低価格で両用のＸ線分析装置を提供す
ることが可能となる。′−１：たＸ線出射スリット及び
Ｘ線検出器が２次元的な移動装置によって移動せしめら
れるのでＸ線分光において平板結晶法、彎曲結晶法例れ
でも実施できるものである。
等とを関係移動させる機構が機械的に複雑であシ、かつ
高い構造精度を要求される部分であって高価格となる部
分であるので、Ｘ線回折法と螢光Ｘ線分光法とでＸ線発
生装置とか計数回路だけを共用しても装置価格を引下げ
る効果は少いが、本発明ではＸ線分析装置で複雑高精度
高価格の部分をＸ線回折法と螢光Ｘ線分光法とで共用す
るものであるから低価格で両用のＸ線分析装置を提供す
ることが可能となる。′−１：たＸ線出射スリット及び
Ｘ線検出器が２次元的な移動装置によって移動せしめら
れるのでＸ線分光において平板結晶法、彎曲結晶法例れ
でも実施できるものである。
次に本発明の詳細な説明する。図は本発明の一実施例を
示す。１は結晶台で、Ｘ方向移動台２上に同台上で０点
を中心に回転できるようになっており、３は結晶台ｌを
回転させるパルスモータである。４１はＸ方向移動台２
のガイドであシ、４２は同台をＸ方向に駆動する送りね
じであり、５は送９ねじ４２を回転させるパルスモータ
である。図で実線で示されたＸ方向移動台木の位置はＸ
線回折法を適用する場合の位置であシ、結晶台１の中心
０点のＸ方向の移動軌跡をＸ軸とすると、Ｘ軸の左方延
長上にＸ線管６及びＸ線入射スリット６１が装置全体に
対して固定的に配置されている。
示す。１は結晶台で、Ｘ方向移動台２上に同台上で０点
を中心に回転できるようになっており、３は結晶台ｌを
回転させるパルスモータである。４１はＸ方向移動台２
のガイドであシ、４２は同台をＸ方向に駆動する送りね
じであり、５は送９ねじ４２を回転させるパルスモータ
である。図で実線で示されたＸ方向移動台木の位置はＸ
線回折法を適用する場合の位置であシ、結晶台１の中心
０点のＸ方向の移動軌跡をＸ軸とすると、Ｘ軸の左方延
長上にＸ線管６及びＸ線入射スリット６１が装置全体に
対して固定的に配置されている。
０点を中心に画かれた円周Ｃ１は想定されたゴニオメー
タの円周である。通常Ｘ線回折装置ではゴニオメータは
角度目盛を刻んだ円盤として存在しているが、本発明で
はそのような円盤はなく、Ｘ線出射スリット７及びその
後方に位置するＸ線検出器８が両者一体重にかつ出射ス
リット７の位置を中心に回動可能にｘｙ移動台９”上に
増刊けられている。１０は結晶台上の中心０とＸ線出射
スリット７の位置とを連結する棒であって、Ｘ線出射ス
リット７とＸ線検出器８とはこの棒に対して摺動可能で
あり、従ってＸ線検出器８は常にスリットマを通して結
晶台１の中心０に向っている。１１ ａ （ｄ ｘ ｙ
移動台９のＸ方向ガイド、ｌｌｂは同台のＸ方向送りね
じで１２は同ねじを駆動するパルスモータで、１１ ａ
、 １ ｉ ｂ、 １２の３者は一ユニットに構成
されてｙ軸方向に移動可能であり、１３ａはそのだめの
Ｘ方向ガイド、１３ｂはｙ力制御用コンピュータＣＰＵ
からの指令によシコントローラを介して駆動され、Ｘ線
出射スリット１及び検出器８が想定されたゴニオメータ
円周Ｃ１に沿って移動せしめられる。Ｘ線回折法におい
ては試料が結晶台１上にセットされる。試料が単結晶で
結晶解析を行う場合には結晶台１が回転され、Ｘ線出射
スリット７及び検出器８は想定されたゴニオメータ円周
に沿い結晶台１０回転角の２倍角だけ駆動される。上述
したようにＸ線検出器８及びスリット７は連結棒１０に
よって常に試料中心に向っておシ、回折Ｘ線を検出する
。試料が粉末或は金属のような多結晶体であるときは試
料は回転する必要がなく回折Ｘ線が出易い方向にセット
されておればよい。試料の結晶が粗大化しているときは
デバイシェラ−環が鮮明に現れ難いので、必要に応じて
結晶台１を小角範囲で往復回動させることもできる。こ
のような結晶台１０回転及びＸ線検出器８等のゴニオメ
ータ円周Ｃ１に沿う移動の制御はコンピュータＣＰＨに
与えであるプログラムに従って行われる。
タの円周である。通常Ｘ線回折装置ではゴニオメータは
角度目盛を刻んだ円盤として存在しているが、本発明で
はそのような円盤はなく、Ｘ線出射スリット７及びその
後方に位置するＸ線検出器８が両者一体重にかつ出射ス
リット７の位置を中心に回動可能にｘｙ移動台９”上に
増刊けられている。１０は結晶台上の中心０とＸ線出射
スリット７の位置とを連結する棒であって、Ｘ線出射ス
リット７とＸ線検出器８とはこの棒に対して摺動可能で
あり、従ってＸ線検出器８は常にスリットマを通して結
晶台１の中心０に向っている。１１ ａ （ｄ ｘ ｙ
移動台９のＸ方向ガイド、ｌｌｂは同台のＸ方向送りね
じで１２は同ねじを駆動するパルスモータで、１１ ａ
、 １ ｉ ｂ、 １２の３者は一ユニットに構成
されてｙ軸方向に移動可能であり、１３ａはそのだめの
Ｘ方向ガイド、１３ｂはｙ力制御用コンピュータＣＰＵ
からの指令によシコントローラを介して駆動され、Ｘ線
出射スリット１及び検出器８が想定されたゴニオメータ
円周Ｃ１に沿って移動せしめられる。Ｘ線回折法におい
ては試料が結晶台１上にセットされる。試料が単結晶で
結晶解析を行う場合には結晶台１が回転され、Ｘ線出射
スリット７及び検出器８は想定されたゴニオメータ円周
に沿い結晶台１０回転角の２倍角だけ駆動される。上述
したようにＸ線検出器８及びスリット７は連結棒１０に
よって常に試料中心に向っておシ、回折Ｘ線を検出する
。試料が粉末或は金属のような多結晶体であるときは試
料は回転する必要がなく回折Ｘ線が出易い方向にセット
されておればよい。試料の結晶が粗大化しているときは
デバイシェラ−環が鮮明に現れ難いので、必要に応じて
結晶台１を小角範囲で往復回動させることもできる。こ
のような結晶台１０回転及びＸ線検出器８等のゴニオメ
ータ円周Ｃ１に沿う移動の制御はコンピュータＣＰＨに
与えであるプログラムに従って行われる。
螢光Ｘ線分光分析を行う場合、分光結晶として平板結晶
を用いる場合と彎曲を用いる場合とがある。平板結晶を
用いる場合、結晶台１はＸ方向移動台２によって図録線
位置に移動せしめられる。
を用いる場合と彎曲を用いる場合とがある。平板結晶を
用いる場合、結晶台１はＸ方向移動台２によって図録線
位置に移動せしめられる。
１５は螢光Ｘ線分光分析を行う場合の試料であり、Ｘ軸
上でＸ線源６とは反対側の端にセットされる。
上でＸ線源６とは反対側の端にセットされる。
１６は試料を励起するＸ線を放射するＸ線源である。平
板結晶によるＸ線分光の場合、結晶台］−の中心は０１
点に移動せられて、その位置から動かない。Ｃ２は０′
点を中心にして想定されたゴニオメータの円周である。
板結晶によるＸ線分光の場合、結晶台］−の中心は０１
点に移動せられて、その位置から動かない。Ｃ２は０′
点を中心にして想定されたゴニオメータの円周である。
結晶台１には分光用平板結晶がセントされる。Ｘ線検出
器８等は図録線のようにゴニオメータ円周Ｃ２に沿い結
晶台１の回転角の２倍角だけ回転するように、結晶台１
及びＸ線検出器８等の駆動制御がなされる。螢光Ｘ線分
光の場合、スリン）６’、’７のような細孔スリットを
用いることは不利であるのでソーラ型スリット１７．１
８が用いられる。スリット７とソーラスリット１７とは
一つの摺動台に取付けられてＸ線検出器８の前面で左右
に移動可能であり、平板結晶を用いる螢光Ｘ線分光の場
合、ソーラスリット１７に切換えられる。ソーラスリッ
ト１８はＸ軸方向に向いておシ、ｙ軸方の摺動台上に取
付けられ、同じ台に取付７けられている細隙スリット１
９と交換可能である。
器８等は図録線のようにゴニオメータ円周Ｃ２に沿い結
晶台１の回転角の２倍角だけ回転するように、結晶台１
及びＸ線検出器８等の駆動制御がなされる。螢光Ｘ線分
光の場合、スリン）６’、’７のような細孔スリットを
用いることは不利であるのでソーラ型スリット１７．１
８が用いられる。スリット７とソーラスリット１７とは
一つの摺動台に取付けられてＸ線検出器８の前面で左右
に移動可能であり、平板結晶を用いる螢光Ｘ線分光の場
合、ソーラスリット１７に切換えられる。ソーラスリッ
ト１８はＸ軸方向に向いておシ、ｙ軸方の摺動台上に取
付けられ、同じ台に取付７けられている細隙スリット１
９と交換可能である。
螢光Ｘ線分光で彎曲結晶を用いる場合、結晶台１には彎
曲結晶がセットされる。この場合結晶台１は定位置に固
定されずＸ軸方向に駆動される。
曲結晶がセットされる。この場合結晶台１は定位置に固
定されずＸ軸方向に駆動される。
丑だ使用するスリットは７，１９に切換えられる。
スリット１９はＸ軸上に位置せしめられる。彎”曲結晶
を用いる場合、Ｘ軸上のスリット１９とＸ軸上を移動す
る０１点とを通る一定半径のローランド円を想定し、ス
リット７はこのローランド円上でかつスリン１−１９と
０′点との距離と等距離だけ０１点から離れた位置にあ
るように駆動制御される。
を用いる場合、Ｘ軸上のスリット１９とＸ軸上を移動す
る０１点とを通る一定半径のローランド円を想定し、ス
リット７はこのローランド円上でかつスリン１−１９と
０′点との距離と等距離だけ０１点から離れた位置にあ
るように駆動制御される。
通常の彎曲結晶分光装置ではＸ線入射スリット固定で分
光結晶とＸ線出射スリットと・が上述した関係を満足す
るように機構的に連結されていて複雑な機構になってい
るが、本発明の場合、Ｘ線出射スリットのｘｙ２次元的
な駆動制御によって必要な運動が実現される。なおこの
場合に分光結晶の中心法線が常に想定されたローランド
円の中心に向いているように結晶台１が回転制御されて
いることは云うまでもない。
光結晶とＸ線出射スリットと・が上述した関係を満足す
るように機構的に連結されていて複雑な機構になってい
るが、本発明の場合、Ｘ線出射スリットのｘｙ２次元的
な駆動制御によって必要な運動が実現される。なおこの
場合に分光結晶の中心法線が常に想定されたローランド
円の中心に向いているように結晶台１が回転制御されて
いることは云うまでもない。
上述した実施例から明かなように、本発明によればＸ線
回折を行う機構部分がＸ線回折法と螢光Ｘ線分光法とに
共用されるので両用装置を低価格で供給できる上、試料
或は分光結晶とＸ線検出器等の相互関係運動を２次元的
な駆動制御によって実現することにより、Ｘ線回折を行
う機構部分がゴニオメータ型とローランド円型の何れに
も適用できる特徴が得られる。
回折を行う機構部分がＸ線回折法と螢光Ｘ線分光法とに
共用されるので両用装置を低価格で供給できる上、試料
或は分光結晶とＸ線検出器等の相互関係運動を２次元的
な駆動制御によって実現することにより、Ｘ線回折を行
う機構部分がゴニオメータ型とローランド円型の何れに
も適用できる特徴が得られる。
図面は本発明の一実施例を示す平面図である。
１・・・結晶台、２・・・Ｘ方向移動台、３・・・結晶
台回転駆動用パルスモータ、４２・・・Ｘ方向送りねじ
、５・・・送りねじ４２駆動用パルスモータ、６・・・
Ｘ線回折用Ｘ線源、７・・・Ｘ線出射スリット、１７・
・・同ノーラ型スリット、８・・・Ｘ線検出器、９・・
・ｘｙ移動台、１０・・・Ｘ線検出器８の方向規定用連
結棒、１２．１４・・・ｘｙ移動台駆動用パルスモータ
、Ｃ１・・・０点を中心とする仮想ゴニオメータ円周、
Ｃ２・・・・０１点を中心とする仮想ゴニオメータ円周
、１５・・・螢光Ｘ線分光分析用試料、１６・・・螢光
Ｘ線励起用Ｘ線源、コ−９・・・ノーラスリット。 代理人 弁理士 縣 浩 介
台回転駆動用パルスモータ、４２・・・Ｘ方向送りねじ
、５・・・送りねじ４２駆動用パルスモータ、６・・・
Ｘ線回折用Ｘ線源、７・・・Ｘ線出射スリット、１７・
・・同ノーラ型スリット、８・・・Ｘ線検出器、９・・
・ｘｙ移動台、１０・・・Ｘ線検出器８の方向規定用連
結棒、１２．１４・・・ｘｙ移動台駆動用パルスモータ
、Ｃ１・・・０点を中心とする仮想ゴニオメータ円周、
Ｃ２・・・・０１点を中心とする仮想ゴニオメータ円周
、１５・・・螢光Ｘ線分光分析用試料、１６・・・螢光
Ｘ線励起用Ｘ線源、コ−９・・・ノーラスリット。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 試料或は分光結晶をセットする結晶台とそれを回転させ
る機構とを一体的にＸ方向に駆動する装置と、Ｘ線出射
スリット及びその後方のＸ線検出器を一体的にｘｙ２方
向に２次元的に駆動する装置と、上記結晶台のＸ方向移
動範囲の両端外側に配置されたＸ線回折用Ｘ線源と螢光
Ｘ線分光用Ｘ線源と、上記結晶台及びＸ線検出器等の移
動を制御する制御装置とよりなるＸ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16899882A JPS5957145A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16899882A JPS5957145A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957145A true JPS5957145A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15878453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16899882A Pending JPS5957145A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957145A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0464671A2 (en) * | 1990-06-28 | 1992-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System for analyzing metal impurity on the surface of a single crystal semiconductor by using total reflection of x-rays fluorescence |
| US5398273A (en) * | 1993-04-30 | 1995-03-14 | The University Of Connecticut | X-ray based extensometry device |
| US5596620A (en) * | 1993-04-30 | 1997-01-21 | The University Of Connecticut | X-ray based extensometry device for radiography |
| CN105572156A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-11 | 吉林大学 | 一种用于x射线衍射仪的两轴精密运动平台 |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16899882A patent/JPS5957145A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0464671A2 (en) * | 1990-06-28 | 1992-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System for analyzing metal impurity on the surface of a single crystal semiconductor by using total reflection of x-rays fluorescence |
| US5398273A (en) * | 1993-04-30 | 1995-03-14 | The University Of Connecticut | X-ray based extensometry device |
| US5596620A (en) * | 1993-04-30 | 1997-01-21 | The University Of Connecticut | X-ray based extensometry device for radiography |
| CN105572156A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-11 | 吉林大学 | 一种用于x射线衍射仪的两轴精密运动平台 |
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