JP6349290B2 - 単結晶ウェーハの表裏判定方法 - Google Patents
単結晶ウェーハの表裏判定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6349290B2 JP6349290B2 JP2015174024A JP2015174024A JP6349290B2 JP 6349290 B2 JP6349290 B2 JP 6349290B2 JP 2015174024 A JP2015174024 A JP 2015174024A JP 2015174024 A JP2015174024 A JP 2015174024A JP 6349290 B2 JP6349290 B2 JP 6349290B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- wafer
- crystal wafer
- orientation
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
- G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
前記単結晶ウェーハとして、該単結晶ウェーハの端面に形成された方位特定用の切り込みの中心と前記単結晶ウェーハの中心とを結ぶ基準方向に対して、左右非対称な結晶面を有するものを用い、
前記左右非対称な結晶面に着目し、前記単結晶ウェーハにX線を照射し回折X線を検出することにより、前記着目する結晶面の方位が前記基準方向となす角度を測定し、
該測定された角度の値から、前記単結晶ウェーハの面が表面であるか裏面であるかを判定することを特徴とする単結晶ウェーハの表裏判定方法を提供する。
左右非対称な結晶面に着目し、単結晶ウェーハにX線を照射し回折X線を検出することにより、着目する結晶面の方位が基準方向となす角度を測定し、
該測定された角度の値から、単結晶ウェーハの面が表面であるか裏面であるかを判定する単結晶ウェーハの表裏判定方法が、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
以下の表1に示す仕様(品名A)の、左右非対称な結晶面を有するシリコン単結晶ウェーハを20枚準備した。これらのウェーハの切り込みはいずれもノッチである。尚、品名Aには、図4に示した位置に着目する結晶面(1 −1 0)がある。また、本実施例では、ウェーハの端面に現れる左右非対称な結晶面に着目した。
品名Aのシリコン単結晶ウェーハを3枚準備した。そして、各シリコン単結晶ウェーハを各10回、本発明の表裏判定方法で検査し、ノッチの方位ずれを測定した。その結果を表3に示した。
14…製品シリコン単結晶ウェーハ、 15…ウェーハ、 16…ウェーハの中心、
17…ノッチ、 18…オリフラ、 19…基準方向、
20…シリコン単結晶ウェーハ。
Claims (5)
- 単結晶ウェーハの表裏を判定する方法であって、
前記単結晶ウェーハとして、該単結晶ウェーハの端面に形成された方位特定用の切り込みの中心と前記単結晶ウェーハの中心とを結ぶ基準方向に対して、左右非対称な結晶面を有するものを用い、
前記左右非対称な結晶面に着目し、前記単結晶ウェーハにX線を照射し回折X線を検出することにより、前記着目する結晶面の方位が前記基準方向となす角度を測定し、
該測定された角度の値から、前記単結晶ウェーハの面が表面であるか裏面であるかを判定することを特徴とする単結晶ウェーハの表裏判定方法。 - 前記表裏の判定を実施するのとともに、前記着目する結晶面の方位が前記基準方向となす角度の実測値と理論値との差を求めることにより、前記切り込みの所定方位からの方位ずれを測定することを特徴とする請求項1に記載の単結晶ウェーハの表裏判定方法。
- 前記表裏を判定する単結晶ウェーハとして、ウェーハ主面の結晶面が{1 1 0}のウェーハを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶ウェーハの表裏判定方法。
- 前記表裏を判定する単結晶ウェーハとして前記ウェーハ主面の結晶面が{1 1 0}のもの用いたときに、前記着目する結晶面の方位を、(1 −1 0)面の方位とすることを特徴とする請求項3に記載の単結晶ウェーハの表裏判定方法。
- 前記方位特定用の切り込みが、ノッチ又はオリフラであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の単結晶ウェーハの表裏判定方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015174024A JP6349290B2 (ja) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 |
SG11201801442VA SG11201801442VA (en) | 2015-09-03 | 2016-08-18 | Method for determining front and back of single-crystal wafer |
US15/754,410 US10483144B2 (en) | 2015-09-03 | 2016-08-18 | Method for determining front and back of single-crystal wafer |
CN201680048656.8A CN107923858B (zh) | 2015-09-03 | 2016-08-18 | 单晶晶圆的表内判断方法 |
PCT/JP2016/003773 WO2017038034A1 (ja) | 2015-09-03 | 2016-08-18 | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 |
DE112016003600.0T DE112016003600T5 (de) | 2015-09-03 | 2016-08-18 | Verfahren zum Ermitteln der Vorderseite und Rückseite eines Einkristallwafers |
KR1020187006101A KR102466266B1 (ko) | 2015-09-03 | 2016-08-18 | 단결정 웨이퍼의 표리 판정 방법 |
TW105126709A TWI700488B (zh) | 2015-09-03 | 2016-08-22 | 單晶晶圓的表內判斷方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015174024A JP6349290B2 (ja) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017049180A JP2017049180A (ja) | 2017-03-09 |
JP6349290B2 true JP6349290B2 (ja) | 2018-06-27 |
Family
ID=58186968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015174024A Active JP6349290B2 (ja) | 2015-09-03 | 2015-09-03 | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10483144B2 (ja) |
JP (1) | JP6349290B2 (ja) |
KR (1) | KR102466266B1 (ja) |
CN (1) | CN107923858B (ja) |
DE (1) | DE112016003600T5 (ja) |
SG (1) | SG11201801442VA (ja) |
TW (1) | TWI700488B (ja) |
WO (1) | WO2017038034A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9939393B2 (en) * | 2015-09-28 | 2018-04-10 | United Technologies Corporation | Detection of crystallographic properties in aerospace components |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2683933B2 (ja) | 1989-01-20 | 1997-12-03 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置 |
JP2770232B2 (ja) * | 1989-02-21 | 1998-06-25 | 理学電機株式会社 | X線回折による単結晶板の表裏判定方法 |
JP2569862B2 (ja) * | 1990-02-13 | 1997-01-08 | 三菱電機株式会社 | X線露光装置およびx線露光方法 |
JPH08111442A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体基板の評価方法 |
JP3943248B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2007-07-11 | 東芝Itコントロールシステム株式会社 | 結晶方位測定装置 |
JP2000254845A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-19 | Nippei Toyama Corp | ウエーハのノッチ溝の面取り方法及びウエーハ |
DE10128630A1 (de) * | 2001-06-13 | 2003-01-02 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine |
JP3813512B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2006-08-23 | 株式会社東芝 | 貼り合わせ基板の評価方法及び評価装置、半導体装置の製造方法 |
JP2005077271A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toshiba It & Control Systems Corp | 結晶表裏判定装置及び結晶傾斜方位判定装置 |
JP4695455B2 (ja) * | 2005-08-04 | 2011-06-08 | 株式会社中西エンジニアリング | 流体摩擦抵抗型制動装置 |
GB0710579D0 (en) * | 2007-06-02 | 2007-07-11 | Univ Cranfield | Detecion of x-ray scattering |
US8293623B2 (en) * | 2007-09-12 | 2012-10-23 | Showa Denko K.K. | Epitaxial SiC single crystal substrate and method of manufacture of epitaxial SiC single crystal substrate |
CN102087985B (zh) * | 2009-12-03 | 2013-03-13 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 晶圆缺陷的检测方法 |
JP5828795B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2015-12-09 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの結晶配向度評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、および単結晶シリコンの製造方法 |
KR101360906B1 (ko) * | 2012-11-16 | 2014-02-11 | 한국표준과학연구원 | 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법 |
JP6048654B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2016-12-21 | 不二越機械工業株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP6215059B2 (ja) * | 2014-01-10 | 2017-10-18 | 株式会社ディスコ | マーク検出方法 |
-
2015
- 2015-09-03 JP JP2015174024A patent/JP6349290B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-18 WO PCT/JP2016/003773 patent/WO2017038034A1/ja active Application Filing
- 2016-08-18 KR KR1020187006101A patent/KR102466266B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-18 US US15/754,410 patent/US10483144B2/en active Active
- 2016-08-18 DE DE112016003600.0T patent/DE112016003600T5/de active Pending
- 2016-08-18 SG SG11201801442VA patent/SG11201801442VA/en unknown
- 2016-08-18 CN CN201680048656.8A patent/CN107923858B/zh active Active
- 2016-08-22 TW TW105126709A patent/TWI700488B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI700488B (zh) | 2020-08-01 |
CN107923858A (zh) | 2018-04-17 |
TW201723474A (zh) | 2017-07-01 |
KR20180048669A (ko) | 2018-05-10 |
SG11201801442VA (en) | 2018-03-28 |
US20180247851A1 (en) | 2018-08-30 |
US10483144B2 (en) | 2019-11-19 |
JP2017049180A (ja) | 2017-03-09 |
WO2017038034A1 (ja) | 2017-03-09 |
CN107923858B (zh) | 2020-09-08 |
KR102466266B1 (ko) | 2022-11-11 |
DE112016003600T5 (de) | 2018-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102639121B1 (ko) | 결함영역의 판정방법 | |
JP6349290B2 (ja) | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 | |
KR20220092501A (ko) | 반도체웨이퍼의 평가방법, 반도체웨이퍼의 선별방법 및 디바이스의 제조방법 | |
CN107086184B (zh) | 外延片的评价方法和外延片 | |
JP5704092B2 (ja) | ウェーハ面取り部の品質検査方法 | |
US9857319B2 (en) | Method of measuring depth of damage of wafer | |
JP4867616B2 (ja) | 半導体ウエハの結晶方位測定方法および半導体ウエハの結晶方位測定装置 | |
JP4148273B2 (ja) | 結晶方位測定方法及び結晶方位測定装置 | |
WO2021246101A1 (ja) | シリコンウェーハの評価方法、評価システム及び製造方法 | |
JP2008130831A (ja) | 化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および化合物半導体ウエハの表裏面の検査装置 | |
JP4681700B2 (ja) | シリコンインゴットの結晶方位検出方法 | |
JP2006156895A (ja) | ウエハ表裏面の検査方法および検査装置 | |
JP4827199B2 (ja) | シリコンインゴットの結晶方位検出方法 | |
JP2016100440A (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
KR101554993B1 (ko) | 웨이퍼 연마장치 | |
JPH09318552A (ja) | 物質の結晶方向を検出する方法及びその装置 | |
JP2011038890A (ja) | 結晶の構造解析方法 | |
JP2009200109A (ja) | ダイシング作業装置と半導体装置部品構成方法、並びにダイシング処理対象物との段差認識方法 | |
JP2017084985A (ja) | 結晶欠陥の位置特定方法、結晶欠陥観察用試料の作製方法、及び結晶欠陥の評価方法 | |
JP2011054757A (ja) | シリコンウェーハの主面の傾斜方位の検出方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
KR20160014317A (ko) | 웨이퍼의 손상 깊이를 측정하는 방법 | |
JP2007132949A (ja) | 半導体ウェーハの欠陥検出方法 | |
JP2005294745A (ja) | 半導体ウェーハの形状判定方法及び装置 | |
JP2007147636A (ja) | 半導体ウェーハの欠陥検出方法 | |
JP2005201804A (ja) | X線応力測定方法およびx線応力測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6349290 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |