CN107086184B - 外延片的评价方法和外延片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够高灵敏度地检测外延片的缺陷·异物的新的评价方法。该评价方法是使用具有入射系统和受光系统的激光表面检查装置对外延片进行评价的方法。使入射光从一个入射系统向外延层的表面入射，该入射光通过被外延层的表面反射或散射而放射，第一受光系统接收放射光而获得测定结果1，第二受光系统接收该放射光而获得测定结果2，第三受光系统接收该放射光而获得测定结果3，通过基于测定结果1、测定结果2和测定结果3，将从由存在于外延层的表面的外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中所选择的异常类作为亮点来检测，进行外延片的评价，第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。

Description

外延片的评价方法和外延片
技术领域
本发明涉及一种外延片的评价方法和外延片。
背景技术
作为半导体晶片的缺陷·异物的评价方法，基于由激光表面检查装置所检测到的亮点(LPD；Light Point Defect，光点缺陷)的方法被广泛使用(例如参照专利文献1)。该方法是这样一种方法，即，使光入射到评价对象晶片的表面，通过检测来自该表面的放射光(散射光和反射光)，对晶片的缺陷及付着于表面的异物的有无及尺寸进行评价。
专利文献
专利文献1：特许第3664134号说明书。
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1提出下述一种方案，即，通过使至少一个入射系统和多个受光系统组合，检测不同种类的缺陷及异物。
另一方面，在半导体基板上形成有外延层的半导体晶片，即外延片上能存在各种形状和尺寸的缺陷·异物。如果能够高灵敏度地检测出这些缺陷·异物，则通过基于检测结果对用于消除缺陷·异物的发生原因等的制造工序进行管理，就能够提供缺陷·异物更少的外延片。
因此本发明的目的在于提供一种能够高灵敏度地检测外延片的缺陷·异物的新的评价方法。
用于解决问题的手段
激光表面检查装置由入射系统和受光系统构成。本发明的发明人努力研究的结果是新发现以下使用来自一入射系统的入射光的评价方法：
该评价方法是一种使用具有入射系统和受光系统的激光表面检查装置对在半导体基板上具有外延层的外延片进行评价的方法，该方法包含：
使入射光从一个入射系统向上述外延层的表面入射，该入射光通过被外延层的表面反射或散射而放射，第一受光系统接收放射光而获得测定结果1，第二受光系统接收上述放射光而获得测定结果2，第三受光系统接收上述放射光而获得测定结果3，通过基于测定结果1、测定结果2和测定结果3，将从由存在于上述外延层的表面的外延层起因缺陷(下文简称为“外延层起因缺陷”)和非外延层起因异物(下文简称为“非外延层起因异物”)组成的群中被选择的异常类作为亮点来检测，进行上述外延片的评价，
上述第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。
即，根据上述评价方法，基于利用具备一个入射系统和三个受光系统的激光表面检查装置所获得的三种测定结果，使得上述异常类的检测成为可能，上述三个受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。
进一步地，根据本发明也能够提供一种采用上述评价方法进行评价的、在半导体基板上具有外延层的外延片。
本发明的效果：
根据本发明，能够检测外延片的各种异常类。
附图说明
图1显示激光表面检查装置的一例(概略结构图)。
图2是在于实施例中进行评价后的外延片的外延层表面观察到的各种异常类(利用各种显微镜观察而得到的图像)。
图3是显示由实施例中的激光表面检查装置实施的外延片的评价的结果的图。
图4是显示由实施例中的激光表面检查装置实施的外延片的评价的结果的图。
具体实施方式
[外延片的评价方法]
本发明的一种方式是涉及一种使用具有入射系统和受光系统的激光表面检查装置对在半导体基板上具有外延层的外延片进行评价的方法(下文也记载成“评价方法”)，该评价方法为：使入射光从一入射系统向上述外延层的表面入射，第一受光系统接收通过该入射光在上述外延层的表面反射或散射而放射的放射光，而获得测定结果1，第二受光系统接收上述放射光而获得测定结果2，第三受光系统接收上述放射光而获得测定结果3，根据测定结果1、测定结果2和测定结果3，将从由存在于上述外延层的表面的外延层起因缺陷(外延层起因缺陷)和非外延层起因异物(非外延层起因异物)组成的群中选择的异常类作为亮点进行检测，对上述外延片进行评价，上述第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统的受光角和偏振光中的至少一个彼此不同。
下文对上述评价方法进行更详细地说明。
<评价对象晶片>
上述评价方法中的评价对象晶片是在半导体基板上具有外延层的晶片，即外延片。评价对象晶片最好是一种在硅基板上具有外延层的硅外延片。外延片在外延层的表面能够存在从由外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中所选择的各种异常类。虽然这些异常类因其发生原因等而能够包含各种形状·尺寸，但根据上述评价方法，基于上述测定结果1、测定结果2和测定结果3，能够进行各种异常类的检测，更佳能够进行检测和判断。具体内容将在下文说明。
<激光表面检查装置>
上述评价方法所使用的激光表面检查装置(下文也简称为“表面检查装置”)包括一个入射系统和三个受光系统(第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统)，所述三个受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一项彼此不同。在该表面检查装置中，放射光被上述三个受光系统接收，所述放射光是指从一入射系统向评价对象的外延片的外延层表面入射的光通过在外延层表面上的各个部位反射或散射而放射的光。放射光的放射方向(具体而言，反射光的反射角度或散射光的散射角度)和偏振光特性因外延层起因缺陷和非外延层起因异物的存在而能各种各样地变化。本发明的发明人推测，通过受光角和偏振光选择性中的至少一项彼此不同的上述三个受光系统接收这些各种各样的放射光，能够将外延层起因缺陷和非外延层起因异物作为亮点来检测。在图1显示了具备这样的入射系统和受光系统的表面检查装置的一例(概略结构图)。在图1中，虽然用实线箭头示意性表示入射光，用虚线箭头示意性表示放射光，但图中所示入射方向和放射方向是示例，并不限定本发明。
图1所示表面检查装置10具备作为入射系统的激光光源100、和作为受光系统的低角度侧受光器101、102及高角度侧受光器201，上述受光器101、102和201接收通过从激光光源100入射的光在外延片1的表面(外延层表面)散射或反射而放射的放射光。虽然图1所示表面检查装置10具有一个高角度侧受光器和两个低角度侧受光器，但并不局限于这种结构，也可以具有两个高角度侧受光器和一个低角度侧受光器。而且，两个低角度侧受光器的受光角可以相同，也可以不同。这一点在具有两个高角度侧受光器的情况下也同样。这三个受光器从由受光角和偏振光选择性组成的群中选择的至少一个彼此不同。针对这一点，将在下文更详细介绍。而且在图1所示的表面检查装置10中，虽然低角度侧受光器101和102在载物台11上方整个周向接收放射光，但只要是能够接收放射光的结构即可，并不局限于图1所示那样的方式。
另外，表面检查装置10通过具备使载置外延片1的载物台11能够旋转的旋转电动机12以及使载物台11在水平方向上可移动的可动设施(未图示)，能够改变从上述各个激光光源入射的光的照射位置。藉此，能够按顺序将光照射(扫描)到外延片1表面的应该评价的区域或整个表面区域，对应该评价的区域或整个表面区域进行异常类的检测。
另外，还具备对载物台11的旋转和水平方向的移动进行控制的控制部13、以及根据上述各个受光器接收的放射光的信息，对被检测到的异常类的检测尺寸进行运算的运算部14。而且，PC(Personal Computer，个人电脑)15从控制部13接收照射了光的位置的位置信息，为了向未照射位置照射光，输出使载物台11移动的信号。另外，PC15能够从运算部14接收与被检测到的异常类的检测尺寸相关的信息，并生成测定结果1、测定结果2和测定结果3。
但是，在图1显示概略的表面检查装置的结构是一个示例。在上述评价方法中，只要是具有一个入射系统及从由受光角和偏振光选择性组成的群中选择的至少一个彼此不同的三个受光系统(第一受光系统、第二受光系统和第三受光系统)的表面检查装置即可，并不局限于图1所示结构的表面缺陷装置，可以使用各种表面检查装置。例如，作为具有一个入射系统及上述的三个受光系统的表面检查装置，能够使用KLA TENCOR(科磊)公司制造的surfscan系列SP5。
<检测对象的异常类>
上述评价方法中的检测对象是从由存在于外延片的外延层表面的外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中选择的异常类。通过使光从一入射系统向评价对象的外延片的外延层表面入射且光从外延层表面放射(散射或反射)，这些异常类在受光系统中作为亮点被检测。通过检测亮点，在表面检查装置的运算部，根据标准粒子的尺寸，利用被检测到的亮点的尺寸，能够算出造成亮点的异常类的尺寸(检测尺寸)。利用市场上销售的表面检查装置所配备的运算手段或利用公知的运算方法，能够计算基于标准粒子的尺寸的检测尺寸。
所谓的外延层起因缺陷是起因于外延层形成而产生的缺陷，例如，Hillock(小丘)、Stacking Fault(SF，堆垛层错)、Dislocation(位错)等是公知的。另外，也能产生从由Hillock、SF和Dislocation组成的群中所选择的两种以上的缺陷连结后的复合缺陷。另一方面，非外延层起因异物是表面付着异物，是像粒子(Particle)那样的、通常通过清洗就能除去的异物。
由于外延层起因缺陷和非外延层起因异物产生的原因不同，用于减少它们的制造工序管理也分别不同。因此，在外延片的评价中，希望能够判断并检测外延层起因缺陷和非外延层起因异物。然而，精度良好地判断和检测外延层起因缺陷和非外延层起因异物一直以来肯定也是不容易的。作为一个因素，虽然非外延层起因异物在外延层表面被观察成凸状，但外延层起因缺陷也包含被观察成凸状的情况。针对此情况，根据上述评价方法的一种方式，通过进行基于上述三种测定结果(测定结果1、测定结果2和测定结果3)的评价，能够精度良好地判断外延层起因缺陷和非外延层起因异物。
例如在一种方式中，根据从由测定结果1中的检测的有无和检测尺寸、测定结果2中的检测的有无和检测尺寸以及测定结果3中的检测的有无和检测尺寸所组成的群中选择的判断基准，能够判断被检测出的异常类是外延层起因缺陷还是非外延层起因异物。
<评价方法的具体方式>
下文对上述评价方法的具体方式进行说明。
(入射系统)
从一入射系统入射到评价对象的外延片的外延层表面的入射光的波长并未被特别限定。虽然入射光在一种方式中是紫外光，但是，也可以是可视光或其他光。在此，本发明中的紫外光是指未满400nm的波长区域的光，所谓可视光是指400nm～600nm的波长区域的光。
以与上述外延层表面水平的所有方向为0°，与该外延层表面垂直的方向为90°，如果将从一入射系统入射到评价对象的外延片的外延层表面的入射光的入射角度规定为最小0°至最大90°，则该入射角度可以为0°以上且90°以下，最好超过0°并小于90°。
(受光系统)
如上所述，在本发明的评价方法中使用的表面检查装置具有三个受光系统，这三个受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。在一种方式中，一个受光系统是在高角度侧接收来自评价对象外延片的外延层表面的放射光的高角度受光系统，其他两个受光系统是在低角度侧接收上述放射光的低角度受光系统。两个低角度受光系统的受光角可以相同，也可以不相同。在此，所谓的与受光角相关的高角度(侧)·低角度(侧)是一方和另一方的关系，是相对确定的结果，具体的角度并未限定。在一种方式中，在与上文记载的入射角度同样，以评价对象外延片的外延层表面为基准来规定角度的情况下，所谓的高角度侧的受光可以是在超过80°且至90°范围的受光角内的接收光，所谓的低角度侧的受光可以是在0°～80°范围的受光角内的接收光。而且，在其他的一种方式中，也可以两个受光系统是高角度受光系统，一个受光系统是低角度受光系统。在此情况下，两个高角度受光系统的受光角可以相同，也可以不相同。
上述三个受光系统的受光角和偏振光选择性中的至少一个彼此不同。受光角已在上文叙述。另一方面，“偏振光选择性不同”是指，受光系统选择接收偏振光的性质(即，具有偏振光选择性)、接收全方位光的性质(即，没有偏振光选择性)、和选择接收偏振光中具有特定的(或特定范围的)方位角的偏振光的性质中的至少一种不同。对受光系统赋予偏振光选择性的手段是公知的，例如通过将偏光滤光器配置在受光系统而能够构成具有偏振光选择性的受光系统，根据偏光滤光器的种类，能够将选择接收具有特定的(或特定范围的)的方位角的偏振光的性质赋予受光系统。
上述表面检查装置在一种方式中，一个受光系统能够接收全方位光，其他两个受光系统能够选择接收偏振光。而且，在一具体的方式中，一个受光系统能够接收全方位光，其他两个受光系统能够分别选择接收方位角不同的偏振光。在选择接收偏振光的两个受光系统中，将被一个受光系统接收的偏振光的方位角设为θ1°，将被另一个受光系统接收的偏振光的方位角设为θ2°，0°≤θ1°≤90°，并且90°≤θ2°≤180°。在此，在一个受光系统接收全方位光、其他两个受光系统分别选择接收方位角不同的偏振光的方式中，由于θ1°和θ2°不同，所以θ1°＜θ2°。另外，在一优选具体方式中，接收全方位光的受光系统的受光角可以是比选择接收偏振光的受光系统高的角度。而且所谓全方位光也被称作非偏振光，是不偏振的光。与此相对，偏振光是指具有特定方向性(方位角)的光。
针对受光系统，更佳的一具体方式如下文所述，
第一受光系统接收全方位光，
第二受光系统接收方位角θ1°的偏振光，
第三受光系统接收方位角θ2°的偏振光，
第一受光系统的受光角比第二受光系统和第三受光系统的受光角高。即，接收全方位光的第一受光系统是高角度受光系统，接收偏振光的第二受光系统和第三受光系统是低角度受光系统。另外，接收偏振光的两个受光系统(第二受光系统和第三受光系统)接收的偏振光的方位角是θ1°＜θ2°。
虽然上述评价方法中的检测对象是从由存在于外延片的外延层表面的外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中选择的异常类，但在这些异常类中，与外延层起因缺陷相比，非外延层起因异物(例如，一般被称作“Particle”的表面付着异物)具有将从入射系统入射的入射光各向同性散射的倾向。而且换而言之，与非外延层起因异物相比，外延层起因缺陷具有将从入射系统入射的入射光各向异性散射的倾向。针对这种倾向，本发明的发明人认为，与这种倾向相关，在与一更佳具体方式相关的、具有受光系统的表面检查装置中，接收方位角更小的偏振光的第二受光系统能够抑制来自外延层表面的反射光的成分，能够轻易地检测来自各向同性散射的非外延层起因异物的散射光。与此相对，本发明的发明人认为，与上述第二受光系统相比，虽然接收方位角更大的偏振光的第三受光系统对来自外延层表面的反射光成分的抑制效果低，但能够高灵敏度地检测来自各向异性散射的外延层起因缺陷的散射光。另外，本发明的发明人推测，通过使上述第二受光系统、第三受光系统与第一受光系统组合，其中，第一受光系统在比第二受光系统和第三受光系统高的角度侧接收全方位光，能够进一步提高各种异常类的检测灵敏度。这样一来，本发明的发明人认为，能够高灵敏度地检测外延层起因缺陷和非外延层起因异物。但是上述内容包含本发明的发明人的推测，并不限定本发明。
而且，如上所述，由于外延层起因缺陷和非外延层起因异物发生的原因不同，所以用于减少它们的手段也不同。例如，作为减少非外延层起因异物的手段，可以列举抑制外延层形成后的异物付着和强化清洗。非外延层起因异物一般通过清洗就可除去。另一方面，外延层起因缺陷因外延层形成而产生，通常在外延层形成工序(即，用于外延层形成的气相成长(外延成长)工序)被引入。因此，为了减少外延层起因缺陷，希望研究外延层形成工序中的各种条件和/或装置结构的变更。因此，在外延片的评价中，希望判断并检测外延层起因缺陷和非外延层起因异物。通过判断和检测，能够把握外延层起因缺陷和非外延层起因异物的各自的发生数量和存在状态(分布)，能够对应于发生数量和分布来选择适合的减少手段。针对这一点，根据上述一更佳方式中涉及的具备受光系统的表面检查装置，通过在高角度侧接收全方位光的第一受光系统接收光，获得测定结果1，通过在低角度侧接收方位角θ1°的偏振光的第二受光系统接收光，获得测定结果2，通过在低角度侧接收方位角θ2°(但是θ1°＜θ2°)的偏振光的第三受光系统接收光，获得测定结果3。基于从由测定结果1中的检测的有无和检测尺寸、测定结果2中的检测的有无和检测尺寸及测定结果3中的检测的有无和检测尺寸组成的群中选择的判断基准，能够判断被检测到的异常类是外延层起因缺陷还是非外延层起因异物。
本发明的发明人认为这种判断成为可能的理由是，外延层起因缺陷和非外延层起因异物因产生的原因不同而形状不同，使光散射和反射的举动不同，所以在受光角和偏振光选择性不同的受光系统中的检测的有无和检测尺寸不同。
根据上述一更佳方式涉及的具备受光系统的表面检查装置，最好能够按照下述表1所示基准来判断所检测到的异常类是外延层起因缺陷，还是非外延层起因异物。在下述表1中，1.0＜X＜3.0。本发明的发明人认为，下述基准基于1.0＜X＜3.0的下述关系式和特定的受光系统的检测的有无，通过按照下述基准而能够判断外延层起因缺陷和非外延层起因异物，其理由是：各个受光系统的受光角和/或偏振光选择性的不同、以及外延层起因缺陷和非外延层起因异物引起的光的散射·反射的举动不同。这一点是本发明的发明人通过努力研究而获得的、以往未知的新的见解。
【表1】
Figure BDA0001220924340000081
上述X满足1.0＜X＜3.0，最好满足1.2＜X＜1.6。作为一例，例如X＝1.4。
上述评价方法的更具体的一种方式基于实施例在后面叙述。通过采用上述评价方法所进行的评价，能够进行与外延片的外延层表面的异常类的有无、异常类的存在数量和存在位置(分布)等异常类相关的各种评价。
通过基于利用上述说明的评价方法所进行的评价而获得的评价结果，在外延片的制造工序中，进行用于减少各种异常类的工序变更和修补(例如，制造条件的变更、制造装置的改造、清洗、药液的高质量化等)，然后，能够将异常类少的高质量的外延片作为制品晶片提供。
而且，通过用上述评价方法对作为制品且出厂前的外延片进行评价，将经确认各种异常类的存在数量在预定的允许范围内(阈值以下)的外延片作为制品晶片出厂，能够稳定地供给高质量的外延片。而且阈值没有被特别限定，对应于制品晶片的用途等，能够适合地设定。
即，上述评价方法能够用于外延片的工序管理和质量管理。
[外延片]
本发明的另一方式涉及使用上述评价方法评价的、在半导体基板上具有外延层的外延片。该外延片可以是根据上述评价结果的评价而确认各种异常类的存在数量在预定允许范围内(阈值以下)的外延片。
[实施例]
以下基于实施例对本发明做进一步说明。但是，本发明并不局限于实施例所示方式。
1.亮点(LPD)的检测和异常类的尺寸计算
作为评价对象的外延片，准备10个外延片(晶片直径：300nm)，通过在从利用切克劳斯基单晶生长法而形成的晶锭切出的单结晶硅基板上利用气相成长(外延成长)形成厚度2.75μm的外延层，形成上述外延片。
表面检查装置使用KLA TENCOR公司制造的surfscan系列SP5，对上述10个外延片的外延层表面进行亮点检测。KLA TENCOR公司制造的surfscan系列SP5具有一个入射系统和三个受光系统，该入射系统具有使入射光向评价对象晶片的表面倾斜入射的紫外光源，三个受光系统是指DNO(Dark-Field Narrow Oblique：暗视场窄斜)通道、DW1O(Dark-FieldWide1 Oblique：暗视场宽斜1)通道和DW2O(Dark-Field Wide2 Oblique：暗视场宽斜2)通道。DNO是接收全方位光(即，没有偏振光选择性)的受光系统，相对于DW1O通道和DW2O通道，是高角度侧的受光系统。另一方面，相对于DNO通道，DW1O通道和DW2O通道是低角度侧的受光系统，并具有偏振光选择性。DW1O通道接收的偏振光的方位角比DW2O通道接收的偏振光的方位角小。DW1O通道接收的偏振光的方位角在0°以上且90°以下的范围内。DW2O通道接收的偏振光的方位角在90°以上且180°以下的范围内。
表面检查装置使用KLA TENCOR公司制造的surfscan系列SP5，向评价对象外延片的外延层表面的整个区域扫描入射光并将亮点(LPD)作为异常类检测，并基于亮点的尺寸，在上述表面检查装置所配备的运算部中，计算所检测到的异常类的尺寸(检测尺寸)。而且在上述表面检查装置的各个受光系统中所检测到的亮点的尺寸的下限(检测下限)分别是：DNO通道是40nm，DW1O通道是21nm，DW2O通道是33nm。
2.利用扫描电子显微镜观察异常类
利用扫描电子显微镜(SEM；Scanning Electron Microscope)、共焦光学系统的激光显微镜(レ一ザ一テック有限公司制造的MAGICS)、和/或原子力显微镜(AFM；AtomicForce Microscope)观察在上述1.中进行了评价的外延片的外延层表面，观察存在于由上述表面检查装置所检测到的亮点位置的异常类，基于所观察到的形状，将它们划分为非外延层起因异物(Particle)和各种外延层起因缺陷。在图2显示利用上述显微镜观察而观察到的各异常类的一例(显微镜图像)。图2(a)是被分类成Particle的异常类的SEM像，图2(b)是被分类成SF的异常类的SEM像，图2(c)是被分类成Hillock和SF的复合缺陷的异常类的、共焦光学系统的激光显微镜图像，图2(d)是被分类成Dislocation的异常类的AFM像，图2(e)是Hillock和Dislocation的复合缺陷的AFM像。
3.与所算出的尺寸和异常类的种类相关的研究
针对通过上述2.中显微镜观察而被分类的各个异常类，对根据在上述1.被DW1O通道作为亮点检测到的尺寸而被算出的异常类尺寸、根据被DW2O通道作为亮点检测到的尺寸而被算出的异常类尺寸进行图示，并在图3中显示图形。在该图形中，在X轴上被图示的异常类是仅被DW1O通道检测到且未被DW2O通道检测到的异常类，在Y轴上被图示的异常类是仅被DW2O通道检测到且未被DW1O通道检测到的异常类。
针对通过上述2.中显微镜观察而被分类的各个异常类，对根据在上述1.中被DW1O通道作为亮点检测到的尺寸而被算出的异常类尺寸、和根据被DNO通道作为亮点检测到的尺寸而被算出的异常类尺寸进行图示，并在图4中显示图形。在该图形中，在X轴上被图示的异常类是仅被DW1O通道检测到且未被DNO通道检测到的异常类，在Y轴上被图示的异常类是仅被DNO通道检测到且未被DW1O通道检测到的异常类。
在图3和图4中，所谓“Hillock&Dislocation”意味着Hillock和Dislocation的复合缺陷。所谓“Hillock&SF”意味着Hillock和SF的复合缺陷。
如图3和图4所示，各种异常类在根据在上述三个受光系统中被检测到的亮点尺寸而被计算出的尺寸及检测的有无方面存在差异。
因此，根据上述结果制作在下述表2所示异常类的判断条件。根据图3和图4所示结果，判断Particle和各种外延层起因缺陷，DW2O/DW1O尺寸比和DNO/DW1O尺寸比的阈值最好被设定为超过1.0且小于3.0，暂时确定为1.4。根据表2所示异常类判断基准进行判断，根据上述2.的显微镜观察结果来确认该异常类判断基准的有效性。因此，不存在与表2所示异常类判断基准不适应的异常类，利用公式算出的适应率如表2所示为100％，所述公式为：适应率(％)＝[适应的异常类的数量/(适应的异常类的数量+不适应的异常类的数量)]×100。
【表2】
Figure BDA0001220924340000111
产业上的可利用性
本发明适用于外延片的制造领域。

Claims (5)

1.一种评价方法，使用具有入射系统和受光系统的激光表面检查装置对在半导体基板上具有外延层的外延片进行评价，其特征在于，该方法包括：
使入射光从一个入射系统向所述外延层的表面入射，该入射光通过被外延层的表面反射或散射而放射，第一受光系统接收放射光而获得测定结果1，第二受光系统接收所述放射光而获得测定结果2，第三受光系统接收所述放射光而获得测定结果3，通过基于测定结果1、测定结果2和测定结果3，将从由存在于所述外延层的表面的外延层起因缺陷和非外延层起因异物组成的群中选择的异常类作为亮点来检测，进行所述外延片的评价，
所述第一受光系统接收全方位光，所述第二受光系统接收方位角θ1°的偏振光，所述第三受光系统接收方位角θ2°的偏振光，0°≤θ1°≤90°，90°≤θ2°≤180°，所述第一受光系统的受光角比所述第二受光系统和所述第三受光系统的受光角大；
根据从由测定结果1中的检测的有无和检测尺寸、测定结果2中的检测的有无和检测尺寸及测定结果3中的检测的有无和检测尺寸组成的群中所选择的判断基准，判断所述检测到的异常类是外延层起因缺陷还是非外延层起因异物；
所述外延层起因缺陷在外延层表面被观察成凸状；所述非外延层起因异物在外延层表面被观察成凸状。
2.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，根据下述基准来进行所述判断，所述基准为：
表1
Figure FDA0002260260930000011
Figure FDA0002260260930000021
但是，1.0＜X＜3.0。
3.根据权利要求2所述的评价方法，其特征在于，1.2＜X＜1.6。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的评价方法，其特征在于，以与所述外延层的表面水平的整个方向为0°，与该表面垂直的方向为90°，所述入射光的入射角度为大于0°且小于90°。
5.一种外延片，其特征在于，在半导体基板上具有外延层且采用权利要求1-4中任一项所述的评价方法进行了评价。
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