CN110400762B - 异物修补方法、装置及存储介质 - Google Patents
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Abstract
在本申请提供的异物修补方法、装置及存储介质中，通过在基板上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行区域划分，以得到多个待测区域，获取每个所述待测区域的高度，并通过比较得到多个所述待测区域中的异物区域，调整所述异物区域的高度的异物修补方法，可以把所述异物区域的高度调整至所述高度阈值，从而可以对异物进行修补，减少光刻胶残留和镀膜残留现象的发生，进而减少异物对产品良率的影响。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种异物修补方法、装置及存储介质。
背景技术
目前，在显示技术领域，液晶显示器和有机发光二极管已经成为主流的平板显示技术。
近年来，在液晶显示器和有机发光二极管的成膜制程中，异物一直是一大良率杀手，部分尺寸较小但高度较高的异物极易造成光刻胶形成残留和镀膜残留，从而导致基板报废，产生损失。
因此，如何对异物进行修补使异物不再影响产品良率是全世界面板厂家正在努力攻克的难关。
发明内容
本申请提供一种异物修补方法管、装置及存储介质，可以解决异物影响产品良率的技术问题。
本申请提供一种异物修补方法，所述异物修补方法包括：
在基板上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行区域划分，以得到多个待测区域；
获取每个所述待测区域的高度，并通过比较得到多个所述待测区域中的异物区域；
调整所述异物区域的高度。
在本申请所提供的异物修补方法中，所述调整所述异物区域的高度的步骤，包括：
获取与所述异物区域相邻的待测区域的高度；
根据与所述异物区域相邻的待测区域的高度计算高度阈值；
将所述异物区域的高度调整至所述高度阈值。
在本申请所提供的异物修补方法中，所述根据与所述异物区域相邻的待测区域的高度计算高度阈值的步骤，包括：
当与所述异物区域相邻的待测区域的高度相等时，将任一与所述异物区域相邻的待测区域的高度设定为所述高度阈值；
当与所述异物区域相邻的待测区域的高度不相等时，计算出与所述异物区域相邻的待测区域的高度的平均值，并将所述平均值设定为所述高度阈值。
在本申请所提供的异物修补方法中，所述获取每个所述待测区域的高度的步骤，包括：
采用光源照射所述待测区域的表面，以扫描所述待测区域形成图像；
对所述图像进行分析，以得到所述待测区域的高度。
在本申请所提供的异物修补方法中，所述并通过比较得到多个所述待测区域中的异物区域的步骤，包括：
计算出所有所述待测区域的高度的平均值；
把每个所述待测区域的高度与所述平均值进行比较；
若某个所述待测区域的高度大于所述平均值，则该所述待测区域为异物区域。
在本申请所提供的异物修补方法中，所述调整所述异物区域的高度的步骤之后，还包括：
喷洒光刻胶剥离液以去除所述光刻胶层和所述异物区域的异物；
在基板上形成新的光刻胶层。本申请提供一种异物修补装置，所述异物修补装置包括：
形成单元，用于在基板上形成光刻胶层；
划分单元，用于对所述光刻胶层进行区域划分，以得到多个待测区域；
获取单元，用于获取每个所述待测区域的高度；
比较单元，用于比较多个所述待测区域，从而得到多个所述待测区域中的异物区域；
调整单元，用于调整所述异物区域的高度。
本申请提供一种存储介质,所述存储介质存储有多条指令，所述指令适于处理器进行加载，以执行任一项所述的异物修补方法中的步骤。
在本申请提供的异物修补方法、装置及存储介质中，通过分布旋转研磨工艺把所述异物区域的高度调整至所述高度阈值，从而可以对异物进行修补，减少光刻胶残留和镀膜残留现象的发生，进而减少异物对产品良率的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的异物修补方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的异物修补方法的第一子流程示意图；
图3为本申请实施例提供的异物修补方法的第二子流程示意图；
图4为本申请实施例提供的异物修补方法的另一流程示意图；
图5为本申请实施例提供的异物修补装置。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的异物修补方法的流程示意图。如图1所示，本申请实施例提供的异物修补方法，包括以下步骤：101、在基板上形成光刻胶层；102、对所述光刻胶层进行区域划分，以得到多个待测区域；103、获取每个所述待测区域的高度，并通过比较得到多个所述待测区域中的异物区域；104、调整所述异物区域的高度。
可以理解的，目前在成膜制程中，由于基板上异物的存在，所以在往基板上涂布光刻胶的时候，会造成光刻胶层某些区域产生凸起和残留。当异物高度比较低的时候，虽然也会使光刻胶层中异物区域产生凸起，但并不影响后续的成膜制程，不会影响产品的良率；但是当异物高度较高时,就会使光刻胶层中异物区域产生凸起，进而会造成光刻胶残留和塑料镀膜残留，影响产品良率。所以本案通过调整异物区域的高度，使异物区域的高度与异物区域周围区域的高度一致，从而减少光刻胶残留和塑料镀膜残留现象的发生，进而提高产品良率。
具体地，请参阅图1、图2，图2为本申请实施例提供的异物修补方法的第一子流程示意图。结合图1、图2所示，步骤103具体包括：1031、采用光源照射所述待测区域的表面，以扫描所述待测区域形成图像；1032、对所述图像进行分析，以得到所述待测区域的高度；1033、计算出所有所述待测区域的高度的平均值；1034、把每个所述待测区域的高度与所述平均值进行比较；1035、若某个所述待测区域的高度大于所述平均值，则该所述待测区域为异物区域。
其中，可以理解的，一般采用自动光学检测的方法来获取待测区域的高度。即用光学手段获取被测物图形，一般通过传感器获得检测物的照明图像并数字化；然后以某种方法进行比较、分析、检验和判断，相当于将人工目视检测自动化、智能化。采用自动光学检测符合现在轻型化、薄型化、微小化发展的趋势。
其中，在一种实施方式中，所述光源为激光、白炽灯、卤钨灯、气体放电灯、脉冲灯和LED光源中的一种。
其中，可以理解的，因为异物区域和所有待测区域相比还是比较少的，所以所有待测区域的平均值与不是异物区域的待测区域的高度相比差别不大，所以只要某个所述待测区域的高度大于所述平均值，则该所述待测区域为异物区域。
具体地，请参阅图1、图3，图3为本申请实施例提供的异物修补方法的第二子流程示意图。结合图1、图3所示，步骤104具体包括：1041获取与所述异物区域相邻的待测区域的高度；1042、根据与所述异物区域相邻的待测区域的高度计算高度阈值；1043、将所述异物区域的高度调整至所述高度阈值。
其中，在一种实施方式中，步骤1042具体包括：当与所述异物区域相邻的待测区域的高度相等时，将任一与所述异物区域相邻的待测区域的高度设定为所述高度阈值；当与所述异物区域相邻的待测区域的高度不相等时，计算出与所述异物区域相邻的待测区域的高度的平均值，并将所述平均值设定为所述高度阈值。
其中，可以理解的，通过把所述异物区域的高度调整至周围待测区域高度一样时，就能够把因为异物造成光刻胶层产生的凸起去除掉，从而导致后面的成膜制程中出现塑料镀膜残留的状况，进而影响产品良率。
其中，可以理解的，因为在涂布光刻胶层时并不能保证每个位置涂布的光刻胶层的厚度一样，所以当与所述异物区域相邻的待测区域的高度相等时，将任一与所述异物区域相邻的待测区域的高度设定为所述高度阈值；当与所述异物区域相邻的待测区域的高度不相等时，计算出与所述异物区域相邻的待测区域的高度的平均值，并将所述平均值设定为所述高度阈值。
其中，在一种实施方式中，步骤1043具体包括：经探头控制研磨带移动，以使研磨带移动到所述异物区域的正上方，经所述探头控制所述研磨带对所述区域进行分步旋转研磨，以使所述异物区域的高度研磨至所述高度阈值。
其中，可以理解的，探头上设置有高度计测传感器用来检测探头所处的高度，从而通过控制探头移动的高度差来控制研磨的高度。所述高度计测传感器一般采用气压传感器，可以在通过探头控制研磨带研磨前先添加实时的温度补偿和大气压补偿，从而根据气压的变化值就能够控制研磨的高度。所述探头控制所述研磨带分步旋转研磨所述异物区域的步骤，一般分为四步，首先通过探头控制所述研磨带把所述异物区域研磨到10微米，接着通过探头控制所述研磨带把所述异物区域研磨到6微米，接着通过探头控制所述研磨带把所述异物区域研磨到4微米，最后通过探头控制所述研磨带把所述异物区域研磨到1.7微米。
其中，在一种实施方式中，在把所述异物区域的高度研磨至所述高度阈值之后，还要再往下研磨一段距离，这样是为了把异物充分的研磨掉，防止因异物的存在，从而影响会造成光刻胶残留和塑料镀膜残留，进而影响产品良率。
进一步的，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的异物修补方法的另一流程示意图。其中，图4所示的异物修补方法与图1所示的异物修补方法的区别在于，图4所示的异物修补方法，在步骤104之后还包括：步骤105，喷洒光刻胶剥离液以去除所述光刻胶层和所述异物区域的异物；步骤106，在基板上形成新的光刻胶层。
其中，在通过探头控制所述研磨带把所述异物区域研磨到所述高度阈值后，会使光刻胶在研磨区域形成一个圆形的残留区域，这样会导致在后面的成膜制程中塑料镀膜残留，从而影响产品良率。所以一般在通过探头控制所述研磨带把所述异物区域研磨到所述高度阈值后，都会进行光刻胶重新涂布的操作，因为此时异物基本已被研磨掉，不会在涂布光刻胶层时产生凸起，从而造成光刻胶残留和塑料镀膜残留，进而影响产品良率。而且在通过光刻胶剥离液去除掉原来的光刻胶层，并在基板上重新涂布一层新的光刻胶之后，会使所述异物区域光阻晕消失，变为小颗膜破状态，从而减少光刻胶残留和塑料镀膜残留现象的发生，提高产品良率。
在本申请提供的异物修补方法中，通过分布旋转研磨工艺把所述异物区域的高度调整至所述高度阈值，从而可以对异物进行修补，减少光刻胶残留和镀膜残留现象的发生，进而减少异物对产品良率的影响。
在实际操作中，先通过涂布工艺在基板上涂上一层光刻胶，从而形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行区域划分，以形成多个待测区域。
然后通过激光共聚焦显微镜上的激光光源照射所述待测区域表面，以扫描所述待测区域形成待测区域的图像；通过对所述待测区域的图像进行分析，从而得到所有待测区域的高度值。
接着计算出所有所述待测区域的高度的平均值，把每个所述待测区域的高度与所述平均值进行比较，若某个所述待测区域的高度大于所述平均值，则该所述待测区域为异物区域，从而得到所有的异物区域。
最后选取一个异物区域，获取与所述异物区域相邻的待测区域的高度。当与所述异物区域相邻的待测区域的高度相等时，将任一与所述异物区域相邻的待测区域的高度设定为所述高度阈值，当与所述异物区域相邻的待测区域的高度不相等时，计算出与所述异物区域相邻的待测区域的高度的平均值，并将所述平均值设定为所述高度阈值。经探头控制研磨带移动，以使研磨带移动到所述异物区域的正上方；经所述探头控制所述研磨带对所述区域进行分步旋转研磨，以使所述异物区域的高度研磨至所述高度阈值。然后选取下一个异物区域，直到所有的异物区域都调整到与其相邻的待测区域的高度相同。
在一实施例中，还提供了一种异物修补装置，该异物修补装置具体集成在终端中，如图5所示，该异物修补装置可以包括：形成单元201、划分单元202、获取单元203、比较单元204以及调整单元205，具体如下：
形成单元201，用于在基板上形成光刻胶层；
划分单元202，用于对所述光刻胶层进行区域划分，以得到多个待测区域；
获取单元203，用于获取每个所述待测区域的高度；
比较单元204，用于比较多个所述待测区域，从而得到多个所述待测区域中的异物区域；
调整单元205，用于调整所述异物区域的高度。
在一实施例中，获取单元203可以具体用于：
采用光源照射所述待测区域的表面，以扫描所述待测区域形成图像；
对所述图像进行分析，以得到所述待测区域的高度。
在一实施例中，比较单元204可以具体用于：
计算出所有所述待测区域的高度的平均值；
把每个所述待测区域的高度与所述平均值进行比较；
若某个所述待测区域的高度大于所述平均值，则该所述待测区域为异物区域。
在一实施例中，调整单元205可以具体用于：
获取与所述异物区域相邻的待测区域的高度；
根据与所述异物区域相邻的待测区域的高度计算高度阈值；
将所述异物区域的高度调整至所述高度阈值。
为此，本发明实施例还提供一种存储介质，其中存储有多条指令，该指令能够被处理器进行加载，以执行本发明实施例所提供的任一种异物修补方法中的步骤。比如：
在基板上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行区域划分，以得到多个待测区域；获取每个所述待测区域的高度，并通过比较得到多个所述待测区域中的异物区域；调整所述异物区域的高度；喷洒光刻胶剥离液以去除所述光刻胶层和所述异物区域的异物；在基板上形成新的光刻胶层。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
其中，该存储介质可以包括：只读存储器、随机存取记忆体、磁盘或光盘等。
由于该存储介质中所存储的指令，可以执行本发明实施例所提供的任一种方法中的步骤，因此，可以实现本发明实施例所提供的任一种方法所能实现的有益效果，详见前面的实施例，在此不再赘述。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种异物修补方法，其特征在于，包括：
在基板上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行区域划分，以得到多个待测区域；
获取每个所述待测区域的高度，并通过比较得到多个所述待测区域中的异物区域；
调整所述异物区域的高度；
喷洒光刻胶剥离液以去除所述光刻胶层和所述异物区域的异物；
在基板上形成新的光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的异物修补方法，其特征在于，所述调整所述异物区域的高度的步骤，包括：
获取与所述异物区域相邻的待测区域的高度；
根据与所述异物区域相邻的待测区域的高度计算高度阈值；
将所述异物区域的高度调整至所述高度阈值。
3.根据权利要求2所述的异物修补方法，其特征在于，所述根据与所述异物区域相邻的待测区域的高度计算高度阈值的步骤，包括：
当与所述异物区域相邻的待测区域的高度相等时，将任一与所述异物区域相邻的待测区域的高度设定为所述高度阈值。
4.根据权利要求3所述的异物修补方法，其特征在于，还包括：
当与所述异物区域相邻的待测区域的高度不相等时，计算出与所述异物区域相邻的待测区域的高度的平均值，并将所述平均值设定为所述高度阈值。
5.根据权利要求2所述的异物修补方法，其特征在于，所述将所述异物区域的高度调整至所述高度阈值的步骤，包括：
经探头控制研磨带移动，以使研磨带移动到所述异物区域的正上方；
经所述探头控制所述研磨带对所述区域进行分步旋转研磨，以使所述异物区域的高度研磨至所述高度阈值。
6.根据权利要求1所述的异物修补方法，其特征在于，所述获取每个所述待测区域的高度的步骤，包括：
采用光源照射所述待测区域的表面，以扫描所述待测区域形成图像；
对所述图像进行分析，以得到所述待测区域的高度。
7.根据权利要求1所述的异物修补方法，其特征在于，所述并通过比较得到多个所述待测区域中的异物区域的步骤，包括：
计算出所有所述待测区域的高度的平均值；
把每个所述待测区域的高度与所述平均值进行比较；
若某个所述待测区域的高度大于所述平均值，则该所述待测区域为异物区域。
8.一种异物修补装置，其特征在于，包括：
形成单元，用于在基板上形成光刻胶层；
划分单元，用于对所述光刻胶层进行区域划分，以得到多个待测区域；
获取单元，用于获取每个所述待测区域的高度；
比较单元，用于比较多个所述待测区域，从而得到多个所述待测区域中的异物区域；
调整单元，用于调整所述异物区域的高度；
去除单元，用于喷洒光刻胶剥离液以去除所述光刻胶层和所述异物区域的异物；
所述形成单元还用于在基板上形成新的光刻胶层。
9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有多条指令，所述指令适于处理器进行加载，以执行权利要求1-7任一项所述的异物修补方法中的步骤。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |