TWI700488B - 單晶晶圓的表內判斷方法 - Google Patents

單晶晶圓的表內判斷方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI700488B
TWI700488B TW105126709A TW105126709A TWI700488B TW I700488 B TWI700488 B TW I700488B TW 105126709 A TW105126709 A TW 105126709A TW 105126709 A TW105126709 A TW 105126709A TW I700488 B TWI700488 B TW I700488B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
single crystal
wafer
crystal wafer
orientation
plane
Prior art date
Application number
TW105126709A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201723474A (zh
Inventor
渡邊城康
Original Assignee
日商信越半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越半導體股份有限公司 filed Critical 日商信越半導體股份有限公司
Publication of TW201723474A publication Critical patent/TW201723474A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI700488B publication Critical patent/TWI700488B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
    • G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本發明提供一種單晶晶圓的表內判斷方法，包含作為該單晶晶圓，使用具有對於一基準方向而左右不對稱的結晶面之物，該基準方向係連結該單晶晶圓的端面所形成的方位特定用的切口的中心與該單晶晶圓的中心的方向；正對該左右不對稱的結晶面，藉由向該單晶晶圓照射X光並檢測繞射X光，測定該正對的結晶面的方位與該基準方向所構成的角度；自該經測定的角度值，判斷該單晶晶圓的面為表面或是內面。藉此，確實判斷單晶晶圓的表內，且於成本方面優良的單晶晶圓的表內判定方法。

Description

單晶晶圓的表內判斷方法
本發明係關於一種單晶晶圓的表內判斷方法。
單晶矽晶圓，於半導體裝置的製造上被廣泛使用。單晶矽晶圓中，一般而言，多使用表面為(100)結晶面之物。如此的單晶矽晶圓中，由於以晶圓的表面側及內面側劈開的方向及製造半導體裝置時的特性並不會改變，因此在以矽的單晶鑄錠而製造單晶矽晶圓的過程中，即使晶圓的表面與內面已為交替，也不會產生特別的問題。（但是，在晶圓的表面及內面進行不同加工後則不在此限。）
對此，專利文獻1中，揭露有於單晶鑄錠切斷時為偏離角而被切割以自特定的晶格面傾斜而被切斷的單晶矽晶圓，而必須判定晶圓的表內。
並且，揭露有一種方法，為了判斷單晶矽晶圓的表面及內面，自相對於單晶矽晶圓的相對位置被固定的X光光源照射出X光，藉由相對於單晶矽晶圓的相對位置被固定的檢測器，檢測來自經偏離角的結晶面的繞射X光，以經比較檢測器的輸出與指定的閾值，而進行表內判斷。 〔先前技術文獻〕
專利文獻1：日本特開平02-218945號公報
但是，專利文獻1所揭露的表內判斷方法中，沒有設想到對於沒有偏離角的單晶晶圓的表內判定。
又，作為在不須複雜的裝置以進行單晶晶圓表內之判斷方法，係有一確認方法，該確認方法係以相對於經形成於單晶晶圓的切口（或是定向平面）的中心及晶圓中心之間為連結的基準方向，而究竟係哪一個方向（角度）為劈開面則在實際切開單晶晶圓而確認。但是，由於此藉由劈開的表內判斷方法，係為破壞性檢查，除了將廢棄檢查用之晶圓而對成本面不利以外，亦是所謂的取樣檢查，並非100%保證成為製品的晶圓的表內。
本發明有鑑於上述問題點，目的在於提供一種能夠確實地判斷單晶晶圓的表內，且於成本面優良的單晶晶圓的表內判斷方法。
為了達到上述目的，本發明提供一種單晶晶圓的表內判斷方法，包含： 作為該單晶晶圓，使用具有對於一基準方向而左右不對稱的結晶面之物，該基準方向係連結該單晶晶圓的端面所形成的方位特定用的切口的中心與該單晶晶圓的中心的方向； 正對該左右不對稱的結晶面，藉由向該單晶晶圓照射X光並檢測繞射X光，測定該正對的結晶面的方位與該基準方向所構成的角度；以及 自該經測定的角度值，判斷該單晶晶圓的面為表面或是內面。
如此，透過藉由測定該正對的結晶面的方位與該基準方向所構成的角度，能夠確實進行非破壞性的表內判斷。因此，除了能夠以低成本進行表內判斷，只要全部進行檢查便能100%保證單晶晶圓的表內。
此時，在實施該表內判斷的同時，藉由求取該正對的結晶面的方位與該基準方向所構成的角度之實測值與理論值的差，能夠測定該切口的自指定方位的方位偏移。
如此，藉由求取正對著的結晶面的方位與基準方向所構成的角度之實測值與理論值的差，能夠不進行另外追加的測定，而測定自該切口的指定方位的方位偏移。因此，於單晶晶圓的製造過程中，不需要設置用以測定切口的方位偏移的獨立步驟。
此時，作為該判斷表內的單晶晶圓，使用晶圓主面的結晶面為{1 1 0}之晶圓。
若使用如此的單晶晶圓，則能夠適合應用本發明的單晶晶圓的表內判斷方法。並且，此處{1 1 0}表示與(1 1 0)相當的面群。
此時，於作為該判斷表內的單晶晶圓使用晶圓主面的結晶面為{1 1 0}之晶圓時，定該正對著的結晶面的方位為{1 -1 0}面的方位。
若如此正對於結晶面，便能夠特別適合應用本發明。另外，結晶面的表示中，負值的數字雖應於上方加上橫線以表示，但為了標記上的方便，直接記載為負值的數字（以下亦有同樣以負值的數字顯示的狀況）。
此時，該方位特定用的切口係為缺口或定向平面。
如此，若方向特定用的切口為缺口或定向平面，則由於其係為廣泛使用在一般用途之物，因此不須要於單晶晶圓進行特別的加工。
如同前述，依據本發明，係以相對於連結該晶圓的端面所形成的切口的中心及該晶圓的中心為連接的一基準方向而將為左右不對稱的結晶面的單晶晶圓以非破壞性方式確實地判斷表內，因此不僅能夠進行低成本的表內判斷，並能夠全部進行檢查以100%保證單晶晶圓的表內。進一步在實施表內判斷的同時，亦能夠測定切口自指定方位的方位偏移。
以下進一步詳細說明本發明。
如同前述，於單晶晶圓的表內判斷方法中，尋求著一種非破壞性且確實地判斷表內的單晶晶圓的表內判斷方法。
本發明發明人為了達成上述目的而進行精心研討的結果，發現一種單晶晶圓的表內判斷方法，其中作為該單晶晶圓，使用具有對於一基準方向而左右不對稱的結晶面之物，該基準方向係該單晶晶圓的端面所形成的方位特定用的切口的中心及該單晶晶圓的中心為連結的方向； 正對該左右不對稱的結晶面，藉由向該單晶晶圓照射X光並檢測繞射X光，測定該正對的結晶面的方位與該基準方向所構成的角度； 自該經測定的角度值，判斷該單晶晶圓的面為表面或是內面，能夠解決上述問題，而完成了本發明。
以下雖做為實施例的一例，參照圖式詳細說明本發明，但本發明並不限定於此。
伴隨半導體裝置的微型化，近年來對單晶晶圓的要求變得益加嚴苛，又變得更加多樣化。如此樣的要求中，有將以CZ（柴可斯基）法以進行提拉的單晶鑄錠的尾部（坩堝側）作為晶圓的表面側（鏡面研磨面側）之物。關於此參照第2圖而說明。
第2圖為顯示將單晶鑄錠加工為製品晶圓的概略圖。第2圖的單晶矽鑄錠11，配置為上方為尾部側12、下方為種側13。單晶矽鑄錠11經過後述的切割、倒角、切入方位偏移的測定、研磨以及各樣的檢查步驟等，被加工為製品單晶矽晶圓14。習知為了確實保證製品晶圓的表面為單晶矽鑄錠11的尾部側12，有必要藉由在細心注意使一連串的加工及檢查步驟中表內不混淆（維持）的同時，在關鍵性的步驟中抽取、劈開晶圓以確認的破壞性檢查以進行表內的確認。但是，即使如此的製造製品單晶矽晶圓14，由於檢查為破壞性檢查，無法100%保證製品單晶矽晶圓14的表內。
又，作為方位特定用而形成於單晶晶圓的端面的切口，雖然一般使用有缺口及定向平面(orientation float)，亦有要求此切口自指定方位的方位偏移必須在極為嚴格的規格內。例如，期望值水準中亦有自指定方位的偏移量在±10’（分）以內者。因此，有必要對每個單晶晶圓以高精度簡單地測定切口的方位偏移。
在此，說明能夠使用在本發明的單晶晶圓的判斷方法的裝置。使用在本發明的單晶晶圓的表內判斷方法的裝置，包含將X光照射於晶圓的X光光源，用以檢測來自晶圓的結晶面的繞射X光的X光檢測器及用以支承單晶晶圓的試料支承機構。此時，繞射X光在入射X光與晶圓的結晶面滿足布拉格定律的方向被檢測出。因此，試料支承機構為使晶圓旋轉的機構為佳，而X光檢測器為具有可動機構為佳。作為具有如此構造的裝置，有繞射儀。
接著，參照第1圖而說明本發明的單晶晶圓的表內判斷方法。第1圖係顯示本發明的單晶晶圓的表內判斷方法之步驟的流程圖。本發明的單晶晶圓的表內判斷方法中，如第1圖的A步驟所示，作為檢查對象的晶圓，準備有相對於該單晶晶圓的端面所形成的方位特定用的切口的中心及該單晶晶圓的中心為連結的一基準方向，而具有左右不對稱的結晶面的單晶晶圓。
作為方位特定用的切口，如同前述，有缺口及定向平面。此處，切口中心雖指正確表示缺口及定向平面所指定的方位的點，在切口為如第3圖的(a)所顯示的缺口17的狀況下，例如能夠使切口的中心為缺口的頂點。又切口為如第3圖的(b)所示的定向平面18的狀況下，例如能夠使切口的中心為定向平面的中點。又連結缺口17的中心與晶圓15的中心16的直線所表示的方向成為基準方向19。同樣地，連結定向平面18的中點與晶圓的中心16的直線所表示的方向成為基準方向19。
在此，進一步參照第4圖以說明具有對於基準方向的非對稱結晶面的單晶晶圓。第4圖係顯示將單晶矽晶圓自種側看去時，非對稱的結晶面及劈開的方位之例的模式圖。第4圖所顯示的主面為{1　1　0}面，第4圖顯示一個缺口17為(1　-1　-2)面的方位的單晶矽晶圓20。
第4圖中，例如能夠以(1　-1　0)面為左右不對稱的結晶面，為正對著的結晶面。又，對於(1　-1　0)面而左右對稱的結晶面為(-1　1　-4)面，當晶圓表內翻轉，則原本的(1　-1　0)面的方位變為(-1　1　-4)面的方位。將(1　-1　0)面的方位與基準方向所形成的角度定為α1 ，(-1　1　-4)面與基準方向所形成的角度定為α2 ，則α1 與α2 的絕對值相等。若以順時針旋轉的方向為正(+)，則α1 =+54.47°。又(1　-1　-2)面的方位及(1　-1　2)的方位為劈開的方向。
如此，晶圓主面的結晶面為{1　1　0}的晶圓中，由於包含有對於基準方向為左右不對稱的結晶面，而能夠適合應用本發明。
進一步，作為表內判斷的單晶晶圓，於使用晶圓主面的結晶面為{1　1　0}之物時，能夠使正對著的結晶面的方位為(1　-1　0)面的方位。如此的單晶晶圓中，正對著的結晶面為第4圖所示的方位，能夠特別適合應用本發明。
接著 ，正對準備的單晶晶圓的左右不對稱結晶面，藉由於單晶晶圓照射X光而檢測出繞射X光，測定正對著的結晶面的方位與基準方向所形成的角度（第1圖的步驟B）。如已使用第4圖所說明，若單晶晶圓的表內翻轉，則正對著的結晶面便不會出現在原本的位置。此狀況下，即使於原本應包含有單晶晶圓的正對著的結晶面的位置照射X光，亦無法檢測到滿足指定的布拉格定律的繞射X光。因此，能夠以調整單晶晶圓及入射X光的相對位置而檢測出繞射X光，測定正對著的結晶面的方位與基準方向所形成的角度。在下文中，會將此正對著的結晶面的方位與基準方向所形成的角度的實測值稱為β。
接著，自所測定的角度的值，判斷單晶晶圓的面是為表面或是內面（第1圖的步驟C）。正對著的結晶面的方位，會因將單晶晶圓自表面看、自內面看或是自端面看而異，而此些方位與基準方向所形成的角度當然亦不同。此些角度的理論上的值能夠藉由計算預先求得（在下文中會將此角度的理論值稱為α）。因此，藉由比較上述的步驟B所實測的角度β及理論上的角度α，能夠判斷單晶晶圓的表內。
又，在實施上述的表內的判斷的同時，藉由求得正對著的結晶面的方位與基準方向所形成的角度的實測值β與理論值α的差(β-α)，能夠測定切口自指定方位的方位偏移。藉由適當的使用X光繞射裝置，便能夠正確的求得正對著的結晶面的方位與基準方向所形成的角度。因此，能夠自(β-α)的值求得切口的方位偏移。在此，指定方位係指表示切口的方位的結晶面的方位。
以上雖說明關於本發明的單晶晶圓的表內判斷方法，但以下於將單晶鑄錠加工至製品單晶晶圓的步驟中，應用本發明的單晶晶圓的表內判斷方法的狀況之效果，參照第5圖以說明。
第5圖係顯示將單晶鑄錠加工至製品單晶晶圓的步驟的流程圖。與本發明的說明沒有直接關係的步驟，適當省略而表示。
首先，形成有切口的單晶鑄錠，以切片步驟加工為晶圓形狀。
進一步，於倒角、研光等後續步驟前後的任一位置，設置本發明的進行單晶晶圓的表內判斷的步驟。另外，倒角步驟中，測定有缺口的方位偏移。顯示於第5圖的表內判斷步驟的位置為舉例表示，並非限定於此一位置。此時，本發明的單晶晶圓的表內判斷，以在進行變形倒角(倒角的寬度表內相異者)、雷射標記、外質吸除及拋光等能夠以視覺判斷表內的加工的步驟之前，或此種步驟之後進行為佳。若是在進行能夠以視覺判斷單晶晶圓的表內的加工的步驟之前進行表內的判斷，則由於不會弄錯表內而加工，而能夠免除因錯誤的加工而導致的晶圓廢棄。又若是在進行能夠以視覺判斷單晶晶圓的表內的加工的步驟之後進行表內的判斷，則能夠確認加工是否無錯誤地進行。進一步，自單晶鑄錠至製品結晶晶圓為止的步驟流程內進行本發明的次數並無特別限制。又，雖每一批中進行表內判斷的片數亦無特別限定，但為了100%確保，以全部檢查為佳。
以往，雖然於之後的中間檢查步驟藉由每一批中1片至數片的劈開以進行表內確認，但如第5圖所示，於應用本發明的步驟流程中沒有進行如此破壞性檢查的必要性。因此，能夠免除中間檢查步驟中的晶圓廢棄。
並且，將單晶晶圓的表面側鏡面研磨，經過鏡面的檢查(PW檢查)步驟，而成為製品單晶晶圓。 ［實施例］
以下雖顯示實施例而更具體地說明本發明，但本發明並不限定於此。
（實施例1） 準備如以下表1所示的樣式(品名A)的具有左右不對稱的結晶面的單晶矽晶圓20片。此些晶圓的切口皆為缺口。另外，品名A中，具有正對於第4圖所示的位置的結晶面(1　-1　0)。又本實施例中，正對著出現於晶圓端面的左右不對稱的結晶面。
【表1】
Figure 02_image001
對20片品名A的單晶矽晶圓，進行各晶圓10次，合計200次的本發明的單晶晶圓的表內判斷方法以進行表內的判斷檢查。200次之中，預先將表內翻轉指定的次數，評價其是否能正確判斷。結果顯示於表2。
【表2】
Figure 02_image003
如表2所示，關於各品名的單晶矽晶圓，誤判一次也沒有發生。如此，藉由本發明的單晶晶圓的表內判斷方法，能夠以100%的精度判斷單晶矽晶圓的表內。
（實施例2） 準備品名A的單晶晶圓3片。並且，將各單晶矽晶圓各10次以本發明的表內判斷方法檢查，測定缺口的方位偏移。結果顯示於表3。
【表3】
Figure 02_image005
於表3中，基準值為以習知裝置所測定的值。基準值差為10次缺口的方位偏移的測定的平均值與基準值的差。標準差為自各晶圓的10次缺口的方向偏移的測定值所求得的標準差。品名A的任一個晶圓，基準值差皆在絕對值1分10秒以內，標準差皆在10秒以內。自此結果，可以得知能夠藉由本發明的單晶晶圓的表內判斷方法，以高精度求得切口的自指定方向的方位偏差。又由於本方式在判斷表內的同時，測定缺口的方位偏移，能夠省去於倒角步驟獨立的缺口的方位偏移測定步驟。
另外，本發明並不為前述實施例所限制。前述實施例為例示，具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想為實質相同的構成，且達成同樣作用效果者，皆包含於本發明的技術範圍。
11‧‧‧單晶矽鑄錠 12‧‧‧尾部側 13‧‧‧種側 14‧‧‧製品單晶矽晶圓 15‧‧‧晶圓 16‧‧‧中心 17‧‧‧缺口 18‧‧‧定向平面 19‧‧‧基準方向 20‧‧‧單晶矽晶圓
第1圖係顯示本發明的單晶晶圓的表內判斷方法之步驟流程圖。 第2圖係顯示將單晶鑄錠加工為製品晶圓的概略圖。 第3圖係顯示切口((a)缺口、(b)定向平面)的概略圖。 第4圖係顯示能夠使用在本發明的單晶晶圓的表內判斷方法的單晶矽晶圓的結晶面方位的概略圖。 第5圖係顯示將單晶鑄錠加工至製品單晶晶圓的步驟的流程圖。

Claims (7)

  1. 一種單晶晶圓的表內判斷方法，包含： 作為該單晶晶圓，使用具有對於一基準方向而左右不對稱的結晶面之物，該基準方向係該單晶晶圓的端面所形成的方位特定用的切口的中心及該單晶晶圓的中心為連結的方向； 正對該左右不對稱的結晶面，藉由向該單晶晶圓照射X光並檢測繞射X光，測定該正對的結晶面的方位與該基準方向所構成的角度；以及 自該經測定的角度值，判斷該單晶晶圓的面為表面或是內面。
  2. 如請求項1所述的單晶晶圓的表內判斷方法，其中在實施該表內判斷的同時，藉由求取該正對的結晶面的方位與該基準方向所構成的角度之實測值與理論值的差，以測定自該切口的指定方位的方位偏移。
  3. 如請求項1或2所述的單晶晶圓的表內判斷方法，其中作為該判斷表內的單晶晶圓，使用晶圓主面的結晶面為{1 1 0}之晶圓。
  4. 如請求項3所述的單晶晶圓的表內判斷方法，其中於作為該判斷表內的單晶晶圓使用晶圓主面的結晶面為{1 1 0}之晶圓時，定該正對著的結晶面的方位位為{1 -1 0}面的方位。
  5. 如請求項1或2所述的單晶晶圓的表內判斷方法，其中該方位特定用的切口係為缺口或定向平面。
  6. 如請求項3所述的單晶晶圓的表內判斷方法，其中該方位特定用的切口係為缺口或定向平面。
  7. 如請求項4所述的單晶晶圓的表內判斷方法，其中該方位特定用的切口係為缺口或定向平面。
TW105126709A 2015-09-03 2016-08-22 單晶晶圓的表內判斷方法 TWI700488B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-174024 2015-09-03
JP2015174024A JP6349290B2 (ja) 2015-09-03 2015-09-03 単結晶ウェーハの表裏判定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201723474A TW201723474A (zh) 2017-07-01
TWI700488B true TWI700488B (zh) 2020-08-01

Family

ID=58186968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105126709A TWI700488B (zh) 2015-09-03 2016-08-22 單晶晶圓的表內判斷方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10483144B2 (zh)
JP (1) JP6349290B2 (zh)
KR (1) KR102466266B1 (zh)
CN (1) CN107923858B (zh)
DE (1) DE112016003600T5 (zh)
SG (1) SG11201801442VA (zh)
TW (1) TWI700488B (zh)
WO (1) WO2017038034A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9939393B2 (en) * 2015-09-28 2018-04-10 United Technologies Corporation Detection of crystallographic properties in aerospace components

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02218945A (ja) * 1989-02-21 1990-08-31 Rigaku Corp Ｘ線回折による単結晶板の表裏判定方法
US5073918A (en) * 1990-02-13 1991-12-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Angle detector device for silicon wafers
JPH08111442A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体基板の評価方法
US20030128809A1 (en) * 2002-01-07 2003-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba. Method for evaluating an SOI substrate, evaluation processor, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2005077271A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶表裏判定装置及び結晶傾斜方位判定装置
US8462913B2 (en) * 2007-06-02 2013-06-11 Nottingham Trent University Detection of X-ray scattering

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2683933B2 (ja) * 1989-01-20 1997-12-03 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置
JP3943248B2 (ja) * 1998-06-19 2007-07-11 東芝Ｉｔコントロールシステム株式会社 結晶方位測定装置
JP2000254845A (ja) * 1999-03-10 2000-09-19 Nippei Toyama Corp ウエーハのノッチ溝の面取り方法及びウエーハ
DE10128630A1 (de) * 2001-06-13 2003-01-02 Freiberger Compound Mat Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine
JP4695455B2 (ja) * 2005-08-04 2011-06-08 株式会社中西エンジニアリング 流体摩擦抵抗型制動装置
US8293623B2 (en) * 2007-09-12 2012-10-23 Showa Denko K.K. Epitaxial SiC single crystal substrate and method of manufacture of epitaxial SiC single crystal substrate
CN102087985B (zh) * 2009-12-03 2013-03-13 无锡华润上华半导体有限公司 晶圆缺陷的检测方法
JP5828795B2 (ja) * 2012-04-04 2015-12-09 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの結晶配向度評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、および単結晶シリコンの製造方法
KR101360906B1 (ko) * 2012-11-16 2014-02-11 한국표준과학연구원 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법
JP6048654B2 (ja) * 2012-12-04 2016-12-21 不二越機械工業株式会社 半導体ウェーハの製造方法
JP6215059B2 (ja) * 2014-01-10 2017-10-18 株式会社ディスコ マーク検出方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02218945A (ja) * 1989-02-21 1990-08-31 Rigaku Corp Ｘ線回折による単結晶板の表裏判定方法
US5073918A (en) * 1990-02-13 1991-12-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Angle detector device for silicon wafers
JPH08111442A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体基板の評価方法
US20030128809A1 (en) * 2002-01-07 2003-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba. Method for evaluating an SOI substrate, evaluation processor, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2005077271A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶表裏判定装置及び結晶傾斜方位判定装置
US8462913B2 (en) * 2007-06-02 2013-06-11 Nottingham Trent University Detection of X-ray scattering

Also Published As

Publication number Publication date
CN107923858A (zh) 2018-04-17
TW201723474A (zh) 2017-07-01
US10483144B2 (en) 2019-11-19
JP6349290B2 (ja) 2018-06-27
DE112016003600T5 (de) 2018-05-30
KR20180048669A (ko) 2018-05-10
SG11201801442VA (en) 2018-03-28
CN107923858B (zh) 2020-09-08
KR102466266B1 (ko) 2022-11-11
WO2017038034A1 (ja) 2017-03-09
US20180247851A1 (en) 2018-08-30
JP2017049180A (ja) 2017-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6402703B2 (ja) 欠陥領域の判定方法
TWI700488B (zh) 單晶晶圓的表內判斷方法
JP2006208314A (ja) シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法
CN107086184B (zh) 外延片的评价方法和外延片
CN110121576B (zh) 单晶硅晶片的缺陷区域判定方法
JP5704092B2 (ja) ウェーハ面取り部の品質検査方法
CN109075092B (zh) 检测设备和检测方法
JP4784192B2 (ja) シリコンウエーハの評価方法
WO2001048810A1 (fr) Dispositif d'inspection des defauts de cristal d'une plaquette de silicium et procede de detection des defauts de cristal de cette plaquette
WO2014162657A1 (ja) 半導体ウェーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム
JP2009198281A (ja) 結晶の構造解析方法
WO2007040002A1 (ja) 半導体ウエーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム
JP2006108151A (ja) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP5521775B2 (ja) 単結晶シリコンウェーハの評価方法
US9857319B2 (en) Method of measuring depth of damage of wafer
JP6731161B2 (ja) シリコン単結晶の欠陥領域特定方法
JP2021040004A5 (zh)
WO2021246101A1 (ja) シリコンウェーハの評価方法、評価システム及び製造方法
JP2016058424A (ja) 結晶欠陥の評価方法及びウェーハの製造方法
JP6500763B2 (ja) 双晶欠陥発生領域の除去方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP2008130831A (ja) 化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および化合物半導体ウエハの表裏面の検査装置
JP4207827B2 (ja) 半導体ウェーハの形状判定方法及び装置
JP2011054757A (ja) シリコンウェーハの主面の傾斜方位の検出方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2006156895A (ja) ウエハ表裏面の検査方法および検査装置
JP2017084985A (ja) 結晶欠陥の位置特定方法、結晶欠陥観察用試料の作製方法、及び結晶欠陥の評価方法