JP2005077271A - 結晶表裏判定装置及び結晶傾斜方位判定装置 - Google Patents

結晶表裏判定装置及び結晶傾斜方位判定装置 Download PDF

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喜一郎 宇山
Masaharu Shinohara
正治 篠原
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弘 水口
Kenji Arai
健治 新井
Masaaki Sonoda
正明 園田
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Abstract

【課題】短い測定時間でウエハの表裏を判定することが可能な結晶表裏判定装置を提供すること。
【解決手段】支持台2は、ウエハ1のノッチ1aが可動ピン4と契合するように3つのピンでウエハ1を挟んで位置決め固定する。ノッチ方位12と直交する面を照射面13として設定し、この照射面13に沿って測定点MにX線8を照射し、回折X線を照射面13からずらして配置した検出部のX線検出器10の出力に基づきウエハ1の表裏を判定する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えばシリコンや水晶等の結晶の表裏を、X線回折を利用して判定する結晶表裏判定装置、及び結晶のカット面に対する傾斜の方位を、X線回折を利用して判定する結晶傾斜方位判定装置に関する。
シリコンなどの円盤状の単結晶ウエハは結晶の方位がわかるようにノッチやオリフラ面が周囲に付けられている。ICを製造する時、このノッチ(以下ノッチ、オリフラ面をノッチで代表させる)にあわせてICの向きを決める。ICはウエハの片面に対して処理を行って作るが、通常のウエハはカット面(スライス面)と結晶面が合うようにカットされているので、ウエハが裏返しになっても差異は生じない。
ところが、IC製造上の都合で、結晶面から傾斜させてカットする(以下オフカットと称する)ウエハがある。このオフカットはノッチを基準に所定方位に傾斜させて行うが、ウエハが裏返しになるとオフカット方位が異なってしまう問題が生じる。オフカットウエハは裏返ってしまうと目視では区別がつかなくなってしまうため、カット後、裏返らないように管理して製造される。
従来、オフカットウエハの裏表の確認は、カット面の結晶方位を測定して行っている。図7は従来のカット面結晶方位測定装置である。ウエハ101をノッチ基準で支持台102に固定し、X線管103からの銅の特性X線105(単一波長)をウエハ101のM点に当て、ウエハ101からの回折X線106をX線検出器107で検出する。X線管103とX線検出器107を一体でθ・φ機構108でM点の周りにθ回転させ、検出器出力がピークとなるθを見つけ、φ軸109に対するφ回転の2ヶ所でピークのθを求めることで、結晶面法線hの方向が測定される。この結晶面法線hのスライス面法線に対する傾斜の方位からウエハの表裏が判定できる。
特許文献1は、従来のカット面結晶方位測定装置が開示されている。
また、特許文献2は、側面の結晶方位を4箇所測定して、検出器出力の大小よりオフカット方位を求めるシリコンインゴットの結晶方位検出方法が開示されている。
特開平11−64252号公報 特開2000−266697号公報
従来のカット面結晶方位測定装置はインゴットの端面を測定して、カット面を決めるための装置であり、この装置でウエハの表裏を判定することはできるが、測定時間が長い欠点がある。すなわち、θスキャンを行い検出器出力ピークを見つけることを、Φの少なくとも2方向で行なわなければならない。また、装置も大掛りになる。
本発明の目的は、短い測定時間でウエハの表裏を判定する結晶表裏判定装置を提供すること、またウエハの種別判定などに応用することが可能な結晶傾斜方位判定装置を提供することにある。
上記目的を達成するため請求項1に係る結晶表裏判定装置は、側面にマークが付けられた円柱状結晶を、前記マークを基準に位置決めする手段と、
前記円柱状結晶のカット面に対しこのカット面に直交しかつ前記マークの方位と直交する面である照射面に沿ってX線を照射するX線源と、
前記カット面で回折したX線を前記照射面からずらして配置した検出部で検出するX線検出器と、
このX線検出器の出力に基づき前記円柱状結晶の表裏を判定する判定手段と
を具備することを特徴とする。
この構成により、回折X線は、結晶面のカット面に対する傾斜の方位が照射面を基準にマークの方位に近い側か遠い側かに対応して同じ側に回折されるので、ずらして配置した検出部の検出器出力の大小より傾斜の側(近遠)がわかる。他方、結晶はマークの方位を軸に表裏反転することにより傾斜の側(近遠)が反転するので、検出器出力の大小より円柱状結晶の表裏を判定することができる。
上記目的を達成するため請求項2に係る結晶表裏判定装置は、請求項1において、前記検出部の位置を前記照射面に対しそれぞれずれて互いに略対称に設定した2箇所で切換える切換え手段を更に具備することを特徴とする。
この構成により、この2箇所での出力は、回折がずれた時、互いに一方が大きくなれば他方は小さくなる関係なので、この出力を比較することで判定を確実にすることができる。
上記目的を達成するため請求項3に係る結晶表裏判定装置は、請求項1において、前記X線検出器は、前記照射面に対し前記検出部と略対称に配置した別の検出部を具備することを特徴とする。
この構成により、請求項2と同様に、この2つの出力は、回折がずれた時、互いに一方が大きくなれば他方は小さくなる関係なので、この出力を比較することで判定を確実にすることができる。
上記目的を達成するため請求項4に係る結晶傾斜方位判定装置は、結晶を位置決めする手段と、
前記結晶のカット面に対しこのカット面と直交する面である照射面に沿ってX線を照射するX線源と、
前記カット面で回折したX線を前記照射面からずらして配置した検出部で検出するX線検出器と、
このX線検出器の出力に基づき前記結晶の前記カット面に対する傾斜の方位が前記照射面のどちら側かを判定する判定手段とを具備することを特徴とする。
主要な構成要素が請求項1と同じであるこの構成により、回折X線は、結晶面のカット面に対する傾斜の方位が照射面のどちら側かに対応して同じ側に回折されるので、ずらして配置した検出部の検出器出力の大小より傾斜の側を判定することができる。これにより、結晶の種別判定などが可能となる。
本発明によれば、短い測定時間でウエハの表裏を判定する結晶表裏判定装置を提供でき、またウエハの種別判定などに応用することが可能な結晶傾斜方位判定装置を提供できるものである。
(第1の実施の形態)
図1は、側面にマークが付けられた円柱状結晶としてウエハの表裏を判定する装置の第1の実施の形態の概略構成図である。
支持台2は、ウエハ1を位置決め固定する。すなわち、支持台2は、そのウエハ搭載側に、2つの固定ピン3a,3bと、この2つの固定ピン3a,3bを結ぶ線分の垂直2等分線上をこの線分の方向にばねで付勢されて動く可動ピン4とを有し、ウエハ1のノッチ1aが可動ピン4と契合するように、3つのピンでウエハ1を挟んで位置決め固定されている。これにより、直径が異なるウエハを固定してもウエハ中心Cとノッチ1aを結ぶ方向であるノッチ方位12は不変となる。
また、ノッチ方位12と直交する面を照射面13として設定し、この照射面13に沿って測定点MにX線8が照射されるよう、X線管6と線源コリメータ7とが固定される。この場合、照射面13は、ウエハのカット面1bとも直交することになる。
X線管6から発生するX線8は、銅の特性X線である。照射角θ0は、回折のブラッグ角である。X線検出器(の有感度部)10は、測定点Mでθ0で回折される回折X線9を検出するように、また、照射面13上から片側にずらして設定される。X線検出器10の出力は出力メータ11に表示される。なお、図1で、X線8と回折X線9は実際には広がりを持つが、説明を容易にするために直線で示した。また、X線検出器10は説明を容易にするため有感度部のみを示している。
次に、第1の実施の形態の作用について説明する。
図2はオフカットウエハの一例である。図2(a)はオフカットウエハを表から見た図で、図2(b)は同じオフカットウエハを裏から見た図である。結晶面法線hは裏表を換えると照射面13に対し鏡像反転する。
図3は、図2のオフカットウエハを測定したときのX線検出器の出力を示す図である。図3(a)は表の場合で、結晶面法線hが照射面13の右に倒れているので、回折X線9は右に折れてX線検出器10に入射し、出力メータ11が大きく振れる。
図3(b)は裏の場合で、結晶面法線hが照射面13の左に倒れているので回折X線9は左に折れてX線検出器10から外れ、出力メータ11は振れない。
このように、X線検出器10の出力でオフカットウエハの表裏を判別することができる。詳細には、判定レベルL1,L2(L1<L2)を設けておき、X線検出器出力がL2より大きい時に表であると判定し、X線検出器出力がL1より小さい時に裏であると判定し、X線検出器出力がL1とL2の間のとき判定不可とする。
以上のように第1の実施の形態によれば、回折X線は、結晶面のカット面に対する傾斜の方位が照射面を基準にノッチ方位に近い側か遠い側かに応じてそれと同じ側にずれて回折されるので、ずらして配置した検出器出力の大小より傾斜の側(近遠)が分る。他方、ウエハはノッチ方位を軸に表裏反転することにより傾斜の側(近遠)が反転するので、検出器出力の大小よりウエハの表裏を判定することができる。
また、第1の実施の形態によれば、ウエハを固定してX線を照射し、検出器出力の大小を見るだけでウエハの表裏が判定できるので、機構部のスキャンが不要で、短時間で判定することができる。また、装置が簡易で故障個所も少なく安価である。
(第1の実施の形態の変形例1)
第1の実施の形態ではノッチが付けられたウエハを例にしたが、オリフラ面が付けられたウエハの場合も同様に支持台2に位置決め固定してウエハの表裏を判定することができ、またウエハの厚みは厚くてもよく、端部がカットされたインゴットに対しても適応でき、側面にマークが付けられた円柱状結晶について、その表裏を判定することができる。
(同変形例2)
第1の実施の形態で、ウエハの支持台への自動装填装置や検出器出力から裏返し品を判定し自動修正する装置、また、判定不可品を排除する装置、など追加することもできる。このような追加で、全数検査に適した装置となる。
(同変形例3)
第1の実施の形態で、出力メ一夕11のかわりに表裏判定回路を設けてもよい。表裏判定回路は、判定レベルL1,L2(L1<L2)を設けておき、X線検出器出力がL2より大きい時に表である判定し、X線検出器出力がL1より小さい時に裏であると判定し、X線検出器出力がL1とL2の間のとき判定不可とする回路である。
(同変形例4)
図4は変形例4の構成である。変形例4は第1の実施の形態に対して、X線検出器10をずらさず照射面13上に設置し、検出器コリメータ16と検出位置駆動部18を追加する。さらに、出力メータ11の代りに裏表判定回路17を設ける。検出器コリメータ16は開口16a以外はX線を遮蔽する。これで、X線検出器10の検出部が開口16aの背後部分だけとなる。
検出位置駆動部18により、検出器コリメータ16の開口16aは照射面13に対し略対称な2つの位置で切換えられる。表裏判定回路はこの2つの位置の検出器出力を比較して表裏を判定し、また、2つの出力の差(あるいは比)が所定値より小さいとき判定不可とする。
なお、変形例4では、開口16aの切換えはX線検出器10の検出部の切換えと言換えてもよい。また変形例4では、検出器コリメータ16といっしょにX線検出器10を移動させても良く、また、検出器コリメータ16無しでX線検出器10だけを移動させるようにすることもできる。
この変形例4によれば、X線8の強度やX線検出器のゲインのドリフトがある場合でも安定した判定が可能である。
(同変形例5)
図5は変形例5の構成である。変形例5は第1の実施の形態に対し、X線検出器を1つ追加し、出力メータ11のかわりに表裏判定回路17を設ける。2つのX線検出器(の有感部)10a,10bを照射面13に対しそれぞれずらして互いに略対称になるように設置する。表裏判定回路17は2つの出力を比較して表裏を判定し、また、2つの出力の差(あるいは比)が所定値より小さいとき判定不可とする。
この変形例5によれば、X線8の強度にドリフトがある場合でも安定した判定が可能で、検出位置駆動が不要である。
また変形例5では、X線検出器が2つあるが、2チャンネルのX線検出器が1つあると言い換えても同じことである。
(第2の実施の形態)
第2の実施の形態は第1の実施の形態の応用である。構成の違いは図1で、ノッチ方位12をカット面1bに沿って回転するウエハ回転部を追加した点である。
第2の実施の形態では結晶面の法線が照射面13のどちら側に倒れているかを判定する。第1の実施の形態と同様にX線検出器の出力から判定できる。
これはオフカットの種別を判別するのに使うことができる。図6はオフカットの種別判定を示す。A種、B種が混在してしまったとき、その区別を行う。A種、B種の結晶傾斜方位の中間に照射面13がくるようにウエハを回転させる。この位置でX線検出器10の出力が大きい時、B種、小さいときA種と判定する。
本実施の形態のように主要構成要素が第1の実施の形態と同じであるこの構成により、結晶面のカット面に対する傾斜の方位が照射面13のどちら側かで回折X線9が同じ側にずれて回折されるので、検出器出力の大小より傾斜の側を判定することができる。これにより、ウエハの種別判定などが可能となる。
第2の実施の形態によれば、ウエハを固定してX線を照射し、検出器出力の大小を見るだけでウエハの種別が判定できるので、機構部のスキャンが不要で、短時間で判定することができる。また、装置が簡易で故障個所も少なく安価である。
(第2の実施の形態の変形例)
第2の実施の形態でウエハの回転位置を変えながら検出器出力を見ることでノッチに対する結晶方位が正確に判る。また、X線検出器(の有感度)10を照射面13の中央に固定してウエハの回転位置を変えながら検出器出力を見ることで、傾斜方位が照射面13に一致したとき検出器出力が最大になるので、ノッチに対する結晶方位が正確に判る。また、X線検出器(の有感度部)10を照射面13に対して移動させながら検出器出力の最大を見ることで、ノッチに対する結晶方位が正確に判る。
その他第1の実施の形態と同様な変形が可能である。
なお、本願発明は、上記各実施形態に限定されるものでなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合、組み合わされた効果が得られる。さらに、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が省略されることで発明が抽出された場合には、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が周知慣用技術で適宜補われるものである。
本発明の第1の実施の形態に係る結晶表裏判定装置の構成図。 同実施形態における結晶としてオフカットウエハの一例を示す図。 同実施形態におけるX線検出器の出力を示す図。 同実施形態の変形例4の構成を示す図。 同実施形態の変形例5の構成を示す図。 本発明の第2の実施の形態を示すものであって、結晶傾斜方位としてオフカット種別を判定する装置を示す構成図。 従来のカット面結晶方位測定装置を説明する図。
符号の説明
1…ウエハ、1a,ノッチ、1b…カット面、2…支持台、3a,3b…固定ピン、4…可動ピン、6…X線管、7…線源コリメータ、8…X線、9…回折X線、10…X線検出器、11…出力メータ、12…ノッチ方位、13…照射面、16…検出器コリメータ、16a…開口、17…表裏判定回路、18…検出位置駆動部。

Claims (4)

  1. 側面にマークが付けられた円柱状結晶を、前記マークを基準に位置決めする手段と、
    前記円柱状結晶のカット面に対しこのカット面に直交しかつ前記マークの方位と直交する面である照射面に沿ってX線を照射するX線源と、
    前記カット面で回折したX線を前記照射面からずらして配置した検出部で検出するX線検出器と、
    このX線検出器の出力に基づき前記円柱状結晶の表裏を判定する判定手段と
    を具備することを特徴とする結晶表裏判定装置。
  2. 前記検出部の位置を前記照射面に対しそれぞれずれて互いに略対称に設定した2箇所で切換える切換え手段を更に具備することを特徴とする請求項1記載の結晶表裏判定装置。
  3. 前記X線検出器は、前記照射面に対し前記検出部と略対称に配置した別の検出部を具備することを特徴とする請求項1項記載の結晶表裏判定装置。
  4. 結晶を位置決めする手段と、
    前記結晶のカット面に対しこのカット面と直交する面である照射面に沿ってX線を照射するX線源と、
    前記カット面で回折したX線を前記照射面からずらして配置した検出部で検出するX線検出器と、
    このX線検出器の出力に基づき前記結晶の前記カット面に対する傾斜の方位が前記照射面のどちら側かを判定する判定手段と
    を具備することを特徴とする結晶傾斜方位判定装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007071621A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 薄膜結晶の極性の判定方法
JP2009186181A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶方位測定装置、結晶加工装置及び結晶加工方法
CN106370679A (zh) * 2016-11-02 2017-02-01 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种半导体晶片notch槽晶向测量装置及使用方法
JP2017049180A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 信越半導体株式会社 単結晶ウェーハの表裏判定方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05188019A (ja) * 1991-07-23 1993-07-27 Hitachi Ltd X線複合分析装置
JPH0933457A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Rigaku Corp カット面検査方法及び装置
JP2683933B2 (ja) * 1989-01-20 1997-12-03 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置
JP2770232B2 (ja) * 1989-02-21 1998-06-25 理学電機株式会社 X線回折による単結晶板の表裏判定方法
JPH1164252A (ja) * 1997-08-27 1999-03-05 Toshiba Fa Syst Eng Kk 結晶方位決定装置
JP2883667B2 (ja) * 1990-03-07 1999-04-19 理学電機株式会社 単結晶インゴットの結晶方位測定装置
JP2000009663A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Toshiba Fa Syst Eng Corp 結晶方位測定装置
JP2000266697A (ja) * 1999-03-19 2000-09-29 Komatsu Electronic Metals Co Ltd シリコンインゴットの結晶方位検出方法
JP2001272359A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Rigaku Corp 単結晶インゴットの処理装置及び処理方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2683933B2 (ja) * 1989-01-20 1997-12-03 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置
JP2770232B2 (ja) * 1989-02-21 1998-06-25 理学電機株式会社 X線回折による単結晶板の表裏判定方法
JP2883667B2 (ja) * 1990-03-07 1999-04-19 理学電機株式会社 単結晶インゴットの結晶方位測定装置
JPH05188019A (ja) * 1991-07-23 1993-07-27 Hitachi Ltd X線複合分析装置
JPH0933457A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Rigaku Corp カット面検査方法及び装置
JPH1164252A (ja) * 1997-08-27 1999-03-05 Toshiba Fa Syst Eng Kk 結晶方位決定装置
JP2000009663A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Toshiba Fa Syst Eng Corp 結晶方位測定装置
JP2000266697A (ja) * 1999-03-19 2000-09-29 Komatsu Electronic Metals Co Ltd シリコンインゴットの結晶方位検出方法
JP2001272359A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Rigaku Corp 単結晶インゴットの処理装置及び処理方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007071621A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 薄膜結晶の極性の判定方法
JP2009186181A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Toshiba It & Control Systems Corp 結晶方位測定装置、結晶加工装置及び結晶加工方法
JP2017049180A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 信越半導体株式会社 単結晶ウェーハの表裏判定方法
TWI700488B (zh) * 2015-09-03 2020-08-01 日商信越半導體股份有限公司 單晶晶圓的表內判斷方法
CN106370679A (zh) * 2016-11-02 2017-02-01 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种半导体晶片notch槽晶向测量装置及使用方法

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