RU2296671C2 - Устройство и способ определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также аппарат и способ резки монокристалла в режущей машине - Google Patents

Устройство и способ определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также аппарат и способ резки монокристалла в режущей машине Download PDF

Info

Publication number
RU2296671C2
RU2296671C2 RU2004100543/03A RU2004100543A RU2296671C2 RU 2296671 C2 RU2296671 C2 RU 2296671C2 RU 2004100543/03 A RU2004100543/03 A RU 2004100543/03A RU 2004100543 A RU2004100543 A RU 2004100543A RU 2296671 C2 RU2296671 C2 RU 2296671C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
single crystal
cutting
plane
crystal
orientation
Prior art date
Application number
RU2004100543/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004100543A (ru
Inventor
Ральф ХАММЕР (DE)
Ральф ХАММЕР
Ральф ГРУСЦИНСКИ (DE)
Ральф ГРУСЦИНСКИ
Андре КЛЯЙНВЕХТЕР (DE)
Андре КЛЯЙНВЕХТЕР
Тило ФЛАДЕ (DE)
Тило ФЛАДЕ
Original Assignee
Фрайбергер Компаунд Материалз Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фрайбергер Компаунд Материалз Гмбх filed Critical Фрайбергер Компаунд Материалз Гмбх
Publication of RU2004100543A publication Critical patent/RU2004100543A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2296671C2 publication Critical patent/RU2296671C2/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0088—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being angularly adjustable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
    • G01N23/20016—Goniometers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Изобретение относится к устройству и способу определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также к аппарату и способу резки монокристалла в режущей машине. Техническим результатом является повышение точности резки и одновременно увеличение выхода пластин в ходе резки монокристалла. Для этого измеряют угол, который измеряемая поверхность кристалла образует с базовой осью, и угол, который кристаллографическая плоскость образует с базовой осью, и вычитают измеренные углы. В аппарате для проволочного распиливания, содержащем устройство X-Y-юстировки, затем осуществляют требуемую корректировку с помощью измерения ориентации и одновременно перемещают кристалл в горизонтальном и вертикальном положениях. В результате остается дополнительная степень свободы вращения кристалла в плоскости резки для достижения разреза, на который не действуют силы, перпендикулярные направлению подачи и направлению проволоки, так что отсутствует отклонение инструмента, или режущие силы минимальны. 4 н. и 21 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к устройству и способу определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также к аппарату и способу резки монокристалла в режущей машине.
Для некоторых применений необходимы полупроводниковые пластины с так называемой разориентировкой. Как показано на фиг.1, в полупроводниковой пластине 1 с разориентировкой определенная кристаллографическая плоскость, например, плоскость (100) расположена не параллельно поверхности 2 пластины. Углом φ разориентировки в указанном случае является угол, который образует вектор [100], перпендикулярный плоскости (100), с вектором нормали No, перпендикулярным поверхности 2 пластины. Если такая разориентировка необходима, то монокристалл, из которого вырезают пластины, наклоняют под предварительно определенным углом φ относительно оси Т, расположенной в плоскости резки, т.е. на поверхности 2 пластины.
В широко известном способе внутреннего кольцевого распиливания для получения такой разориентировки ориентацию кристалла, который прикрепляют на держателе обрабатываемого изделия, определяют с помощью рентгеновского гониометра, измеряя положение брегговского отражения относительно держателя обрабатываемого изделия. Посредством указанного держателя удерживание осуществляют на пиле для внутренней кольцевой резки, которая имеет горизонтально и вертикально смещаемый суппорт, на котором измеряемую ориентацию кристалла можно корректировать или регулировать до нужного значения. Первую отрезанную пластину снова измеряют на рентгеновском гониометре и суппорт при необходимости повторно корректируют. Неточности в ориентации, которые возникают в том случае, когда держатель обрабатываемого изделия вставляют в устройство для внутреннего кольцевого распиливания, таким образом, можно устранить только повторным измерением и повторной корректировкой.
В известном способе распиливания проволокой такая корректировка повторным измерением и повторной ориентировкой невозможна, так как все пластины отрезают от монокристалла одновременно. Как показано на фиг.2a, при распиливании проволокой монокристалл 3 удерживают на держателе, не показанном на фиг.2a, который с помощью привода подающего устройства можно передвигать по направлению к проволочной площадке 4 проволочной пилы, со скоростью v подачи и назад к исходному положению. Проволочная пила состоит из множества параллельных проволок 4a, 4b, 4c, которые натянуты посредством роликов, не показанных на фиг.2, и подвижны в плоскостях, перпендикулярных центральной продольной оси М монокристалла 3, в направлениях, показанных стрелками А и В на фиг.2a. Устройство для распиливания проволокой, кроме того, содержит устройства 5 и 6 для нанесения пасты, содержащей частицы карбида кремния на проволоки 4a, 4b, 4c с каждой стороны монокристалла 3. При распиливании проволокой с электрически связанными режущими частицами, кроме того, предусмотрено устройство для нанесения охлаждающей смазки.
Известны проволочные пилы с устройством ориентировки, которое в случае регулировки требуемой разориентировки, как можно видеть на фиг.2b, обеспечивает перемещение исключительно в плоскости, параллельной плоскости проволочной площадки 4. Для этой цели кристалл измеряют вне проволочной пилы на рентгеновском гониометре и прикрепляют к опорной пластине для обрабатываемого изделия таким образом, чтобы разориентировка, которую необходимо придать, лежала в горизонтальной плоскости, то есть угол φ, показанный на фиг.1, был в плоскости, параллельной проволочной площадке 4. Измерения рентгеновского гониометра в данном случае относятся к упорной поверхности опорной пластины для обрабатываемого изделия, которые затем применяют к эталонной торцевой поверхности на проволочной пиле. Затем требуемую ориентацию устанавливают горизонтально. Однако в случае указанного способа не выявляются ошибки вследствие загрязнения упорной и эталонной торцевой поверхностей, а также ошибок при адгезии, которые возникают, когда монокристалл прикрепляют к опорной пластине обрабатываемого изделия, так как измерение ориентации происходит вне машины. Кроме того, монокристалл всегда должен быть повернут таким образом, чтобы придаваемая разориентировка лежала в горизонтальной плоскости, параллельной проволочной площадке 4. В результате направление обработки регулируется требуемой разориентировкой и поэтому может варьировать от одного монокристалла к другому.
Из патента США 5904136 известно, что требуемый угол наклона для установки разориентировки можно получить в наклоняющем устройстве, расположенном вне устройства для проволочного распиливания, где ориентацию монокристалла определяют с помощью рентгеновского устройства и затем кристалл наклоняют в наклоняющем устройстве в горизонтальном и вертикальном направлениях относительно проволочной площадки. Однако поэтому возможные ошибки при введении наклоняющего устройства вместе с кристаллом в аппарат для проволочного распиливания также нельзя устранить.
Задачей данного изобретения является устройство и способ определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также аппарат и способ резки монокристалла в режущей машине, с помощью которых можно осуществлять точную резку и одновременно увеличить выход пластин в ходе резки монокристалла.
Задача решается посредством аппарата по п.1 или устройства по п.19 формулы изобретения и способа по п.10 или 25 формулы изобретения.
Предпочтительные варианты осуществления изобретения приведены в зависимых пунктах прилагаемой формулы изобретения.
Способ и устройство имеют преимущество, состоящее в том, что повышается качество пластин и что обеспечивается возможность более высоких скоростей подачи во время резки. В результате повышенного качества получаемых пластин могут быть значительно сокращены дополнительные стадии обработки, которые являются обычными в других случаях. Кроме того, можно увеличить точность ориентировки.
Далее следует описание варианта осуществления со ссылкой на фигуры. На фигурах показано:
Фиг.1 - схематичное изображение пластины;
Фиг.2a - схематичное изображение аппарата для проволочного распиливания с разрезаемым монокристаллом;
Фиг.2b - схематичное изображение регулировки разориентировки в устройстве для проволочного распиливания согласно предшествующему уровню техники;
Фиг.3 - схематичное изображение сил, возникающих во время проволочного распиливания;
Фиг.4a-4d - двумерное графическое представление деформации и наклона нарезаемых проволокой пластин в виде функции направления обработки при двух разных значениях подачи;
Фиг.5a - схематичное изображение устройства согласно изобретению для определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла;
Фиг.5b - изображение монокристалла, вставленного в держатель пилы в направлении одной из торцевых поверхностей;
Фиг.6 - схематичное изображение устройства ориентировки согласно изобретению в устройстве для проволочного распиливания; и
Фиг.7 - схематичное изображение детали по фиг.6.
В целях лучшего понимания ниже с помощью фиг.1-4 сначала приведено описание сил, действующих на пластину во время проволочного распиливания. Как можно видеть на фиг.3, во время проволочного распиливания проволоки 4a, 4b, 4c проникают в монокристалл 3, отрезая пластины 1a, 1b, 1c и т.д. Во время операции резки после достижения критической глубины проникновения в монокристалл 3 алмазные частицы проволок образуют микротрещины, которые приводят к удалению материала, обусловленного взаимными поперечными сцеплениями. Указанная критическая глубина проникновения зависит от ориентации данного кристаллографического направления K, расположенного на поверхности 2 пластины, например, направления [010] относительно направления V подачи, как пояснено ниже.
Как можно видеть на фиг.1 и 2a, признак ориентации монокристалла 3 проявляется в форме плоского среза 7 внешней поверхности, так называемой платформы, которая была нанесена заданным способом после выращивания монокристалла 1 таким образом, что известен угол α, который данное кристаллографическое направление K образует с нормалью NF к плоскому срезу внешней поверхности на поверхности 2 пластины. Так как известен угол α, то следовательно, также известен угол ρ между данным кристаллографическим направлением K и направлением V подачи монокристалла в плоскости, перпендикулярной центральной продольной оси M монокристалла и, следовательно, в плоскости резки. Следует отметить, что вместо платформы на внешней поверхности монокристалла может быть сделан надрез, называемый «насечкой». Ключевым фактором является только поверхностный признак, расположение которого относительно заданного кристаллографического направления K известно.
Как можно видеть на фиг.3, во время проникновения проволок 4a, 4b, 4c и т.д. в монокристалл силы Fx - или Fx +, действующие на каждую проволоку, отличаются исходя из расчета различных критических нагрузок Lx + или Lx - на переднюю и заднюю стороны S или S' пластин 1a, 1b, 1c и т.д., так что возникающее нарушение равновесия сил приводит к смещению проволоки до тех пор, пока сила отталкивания натянутой проволоки не восстановит равновесие сил. Критические нагрузки физически эквивалентны критическим глубинам проникновения. В каждом случае на фиг.4a-4d показана деформация или наклон пластины в виде функции угловой регулировки данного кристаллографического направления K относительно направления V подачи. Из этого следует, что требуемая небольшая деформация или малое количественное значение наклона получают либо уменьшая скорость v подачи, либо при высокой скорости подачи регулировкой угла кристаллографического направления K относительно направления подачи. При скорости подачи 2 мм/мин, например, достигают минимальных значений наклона приблизительно при 60°, 150°, 240° и 330°. В случае таких значений результирующая сила, которая возникает из суммы деформирующих сил Fx - или Fx +, минимальна. Предпочтительные углы, при которых описанные выше деформирующие силы компенсированы и проволоки проникают в монокристалл без поперечного отклонения, зависят от материала монокристалла или в случае полупроводников также от добавления примесей и от других факторов. Их необходимо определять эмпирически для каждого материала монокристалла.
Устройство согласно изобретению для ориентировки монокристалла в режущей машине, в частности, в аппарате для проволочного распиливания, позволяет использовать этот эффект и одновременно точно регулировать требуемую разориентировку φ.
Как можно видеть на фиг.5a, устройство для ориентировки монокристалла в режущей машине содержит устройство 10, расположенное фактически вне режущей машины, для определения угла между кристаллографической плоскостью, например, плоскостью (100), и торцевой поверхностью 2 кристалла. Устройство 10 включает в себя держатель 11 для монокристалла 3 с плоской поверхностью 11a, который предпочтительно конструируют в виде вакуумного столика-держателя, на котором практически цилиндрический монокристалл удерживается своей торцевой поверхностью за счет действия парциального давления. Азимутальная ориентация монокристалла, то есть угловое положение в следующей плоскости резки, определяют посредством ориентирования платформы 7 или другого внешнего признака в устройстве 10. Монокристалл 3 в данном случае либо быстро прикрепляют к опорной пластине 12 для распиливания, с которой его затем можно вставить в аппарат для проволочного распиливания, либо адгезия происходит после измерения. Угловое положение платформы 7, придаваемое на монокристалле 3 относительно держателя 11, регулируют с помощью стопора 13 таким образом, чтобы угол ρ, образуемый данным кристаллографическим направлением К относительно направления подачи в режущей машине, как показано на фиг.5b, имел предварительно эмпирически определенное значение, как описано выше, для минимального отклонения проволоки и, следовательно, максимально возможной скорости подачи. Держатель 11 можно передвигать в вертикальном направлении. Кроме того, держатель 11 способен вращаться посредством механизма вращения, который не показан, вокруг своей центральной оси, которая проходит параллельно центральной продольной оси монокристалла. Напротив или выше свободной поверхности 2 монокристалла 3, которая впоследствии образует поверхность первой пластины, подлежащей отрезанию, устанавливают автоколлимационный телескоп 14, который располагают так, что его оптическая ось O совпадает с нормалью к поверхности 11a держателя 11. Кроме того, устанавливается рентгеновский гониометр, состоящий из рентгеновской трубки 15 и связанного с ней детектора 16, который можно передвигать в предварительно заданном угловом диапазоне, например, составляющем примерно 20°, вокруг начальной точки на поверхности 2 монокристалла. Кроме того, устанавливают плоскопараллельное оптическое зеркало 17. Зеркало 17 можно зафиксировать с помощью вакуумного механизма, который не показан, на торцевой поверхности 2 монокристалла. Кроме того, зеркало 17 можно зафиксировать на торцевой поверхности 2 монокристалла 3 так, чтобы оно лежало на оптической оси автоколлимационного телескопа. Диапазон измерения автоколлимационного телескопа составляет приблизительно ±1°. В том случае, когда угол, который имеет торцевая поверхность 2 кристалла относительно плоской поверхности 11a, превышает указанный диапазон измерения, предусмотрена пластина оптического клина, которая не показана, имеющая заданный угол клина, который вызывает заданное отклонение луча, например, на 2°, для того чтобы привести измеряемую поверхность снова в пределы диапазона измерения.
Регулировку устройства 10 конструируют таким образом, что первое угловое измерение ориентации зеркала выполняется автоматически с помощью автоколлимационного телескопа, и затем осуществляют измерение требуемой кристаллографической плоскости, например, плоскости (100) решетки с помощью рентгеновского гониометра. Регулировку, кроме того, конструируют таким образом, что на втором этапе можно снова выполнять те же самые измерения при повороте монокристалла на 90° вокруг центральной продольной оси М.
Как можно видеть на фиг.6 и 7, аппарат для резки монокристалла, который в данном варианте осуществления сконструирован в виде аппарата 20 для проволочного распиливания, включает в себя ролики 21 для проволоки, по которым проволочная площадка 4 регулируется в горизонтальном направлении, и направляющие ролики 22, расположенные под ними для возвращения проволочной площадки ниже фактической плоскости проволоки, в которой происходит резка. Выше проволочной площадки 4 устанавливают подающее устройство 23, посредством которого монокристалл можно передвигать на опорной пластине 12 для распиливания, которая присоединена к устройству 24 X-Y-юстировки, в вертикальном направлении относительно проволочной площадки с заданной скоростью v подачи. Устройство 24 X-Y-юстировки сконструировано так, чтобы оно было способно смещать монокристалл 3 относительно системы координат Xm, Ym, Zm на стороне машины в направлении, параллельном проволочной площадке 4, которое является направлением Xm, и в направлении, перпендикулярном проволочной площадке 4, которое является направлением Ym. Пределы вращения составляют примерно ±5° в направлении Xm и примерно ±2° в направлении Ym. Кроме того, устанавливают автоколлимационный телескоп 25, который идентичен автоколлимационному телескопу 14 устройства 10, оптическая ось O которого лежит в плоскости, параллельной проволочной площадке 4. Автоколлимационный телескоп 25, кроме того, сконфигурирован таким образом, что его оптическая ось при помещении монокристалла лежит примерно на уровне центральной оси монокристалла. Устройство 26 для оценки устанавливают для того, чтобы оценить угловое измерение автоколлимационного телескопа.
Кроме того, устройство 20 содержит зеркало 27, которое идентично зеркалу 17 устройства 10 и которое установлено посредством вакуумного механизма, который не показан, на торцевой поверхности 2 монокристалла 3 лицом к автоколлимационному телескопу 25. Кроме того, устанавливают пластину 28 оптического клина во вращаемом гнезде 29 для получения заданного отклонения луча, например 2°. Зеркало 27 и пластина 28 клина соединены с держателем 30, который содержит вакуумный механизм. Также устанавливается стопор 31, который фиксирует предварительно определенное расстояние между зеркалом 27 и пластиной 28 клина и устройством 24 X-Y-юстировки.
Кроме того, для регулировки аппарата в целом устанавливают эталонную торцевую поверхность 32, которая соединена с подающим устройством 23 напротив автоколлимационного телескопа 25. Эталонная торцевая поверхность обладает высокой планарностью и механической устойчивостью и легко очищаемой поверхностью для простоты удаления грязи перед измерением. С помощью камеры, не показана, которая может быть смонтирована непосредственно на эталонной торцевой поверхности, эталонную торцевую поверхность можно ориентировать в горизонтальной плоскости, параллельной проволочной площадке 4.
Работа устройств 10 и 20 согласно изобретению осуществляется следующим образом. Сначала монокристалл 3, как показано на фиг.5b, прикрепляют платформой 7 к опорной пластине 12 для распиливания с помощью стопора, который не показан, в заданной угловой ориентации по отношению к опорной пластине 12 для распиливания. При этом угол выбирают так, что платформа 7 ориентирована в азимутальном направлении таким образом, что данное кристаллографическое направление K находится под предварительно определенным углом ρ к направлению V подачи, при котором деформирующие силы, действующие на проволоку, почти уравновешивают друг друга, чтобы таким образом обеспечить максимально возможную скорость подачи. Затем, как показано на фиг.5a, монокристалл 3 вместе с опорной пластиной 12 для распиливания устанавливают на держателе 11 устройства для определения ориентации кристаллографической плоскости относительно торцевой поверхности 2 монокристалла посредством вакуумного механизма, который не показан. Вакуумный механизм позволяет монокристаллу 3 находиться непосредственно на поверхности 11a держателя 11. Затем держатель 11 перемещают в заданное положение по высоте, так чтобы торцевая поверхность 2 монокристалла была локализована в фокальной плоскости рентгеновского гониометра. Затем зеркало 17 помещают и фиксируют на торцевой поверхности 2 посредством вакуумного механизма. Затем делают угловое измерение поверхности зеркала посредством автоколлимационного телескопа 14, определяя отклонение отраженной окулярной сетки от окулярной сетки, проецируемой на поверхность зеркала. Так как поверхность зеркала 17 ориентирована параллельно торцевой поверхности 2 монокристалла 3 и оптическая ось O автоколлимационного телескопа 14 перпендикулярна поверхности 11a держателя 11, которая образует эталонную торцевую поверхность, с помощью данного измерения можно определить величину угловой регулировки поверхности зеркала или торцевой поверхности монокристалла относительно поверхности 11a держателя 11.
Альтернативно, монокристалл измеряют без опорной пластины для распиливания, при этом ориентацию платформы в рентгеновском устройстве определяют, например, посредством стопора.
Требуемая кристаллографическая плоскость, например, плоскость (100), как правило, не параллельна торцевой поверхности 2 монокристалла 3. Чтобы определить направление кристаллографической плоскости, измеряют брегговское отражение с помощью рентгеновского гониометра 15, 16, который для этой цели передвигают в предварительно определенном угловом диапазоне. Рентгеновскую трубку 15 и детектор 16 для этой цели располагают известным способом на фиксированном угловом расстоянии друг от друга и перемещают по дуге в пределах заданного углового диапазона. Брегговское отражение показывает угол, который кристаллографическая плоскость образует с поверхностью 11a держателя 11. Измерение рентгеновским гониометром повторяют, поворачивая при этом монокристалл на 90°. С помощью оптических измерений и измерений рентгеновским гониометром получают два вектора, рентгеновские измерения (x100, y100) и оптические измерения (xOF, yOF) относительно нулевой точки системы ориентации. Различие между двумя векторами дает ориентацию кристаллографической плоскости (100) по отношению к торцевой поверхности 2 кристалла независимо от каких бы то ни было систем внешнего репера, таких как набор полосок, выступающие участки, защелкивающиеся зажимные патроны и т.д. После указанного измерения известна ориентация кристаллографической плоскости (100) относительно торцевой поверхности 2 монокристалла. Это дает корректирующие значения для X-Y-юстировки проволочной пилы для регулировки требуемой разориентировки.
Затем измеряют положение торцевой поверхности 2 на кристалле на проволочной пиле 20 с помощью идентичного автоколлимационного телескопа 25 и идентичного плоскопараллельного зеркала 27. Регулировку нулевой точки устройства 24 X-Y-юстировки в системе координат Xm, Ym на стороне машины в данном случае осуществляют с помощью эталонной торцевой поверхности 23. На производстве в направлении Ym, то есть в направлении подачи, регулировку осуществляют только один раз, например, с помощью настраиваемого устройства для ограничения глубины проникновения режущего прибора. Определение нулевой точки в направлении Xm, то есть в плоскости проволоки, осуществляется при каждом изменении ролика режущей проволоки. Для этой цели эталонную торцевую поверхность 32 ориентируют горизонтально на проволочной площадке с помощью камеры, которая присоединена к эталонной торцевой поверхности и которая определяет X-положение относительно эталонной торцевой поверхности проволочной площадки.
Для регулировки автоколлимационного телескопа 25 механизм подачи 23 перемещают в базовое положение, т.е. эталонную торцевую поверхность 32 располагают на оптической оси автоколлимационного телескопа 25, и зеркало 27 помещают на эталонной торцевой поверхности и также измеряют положение автоколлимационного телескопа. Затем электронным способом осуществляют сравнение с эталоном с помощью эталонной торцевой поверхности 32, при этом зеркало 27 притягивают на эталонную торцевую поверхность 32 с помощью вакуумного крепежного устройства. Затем зеркало 27 удаляют и подающее устройство перемещают в положение загрузки или ориентировки, и монокристалл 3 соединяют с опорной пластиной 12 для распиливания. Затем зеркало 27 соединяют с торцевой поверхностью 2 кристалла и измеряют угловую регулировку торцевой поверхности 2 с помощью автоколлимационного телескопа 25. Затем вводят корректирующие значения, полученные на основе измерения в устройстве 10, и осуществляют регулировку горизонтального и вертикального положения монокристалла, так, чтобы кристаллографическая плоскость имела предварительно определенный угол с проволочной площадкой. Зеркало удаляют и осуществляют резку.
С помощью описанного способа поддерживают азимутальную угловую регулировку данного кристаллографического направления К, и операцию можно выполнять при высоких скоростях подачи по сравнению с предшествующим уровнем техники. Скорости подачи, например, для резки 6-дюймового монокристалла GaAs, примерно в четыре раза выше по сравнению с традиционной ориентировкой, при которой невозможно соответствующим образом регулировать азимутальное угловое положение.
При модификации учитывается требуемая разориентировка с помощью установки пластины клина. При дальнейшей модификации аппарата для резки согласно изобретению монокристалл можно вращать в аппарате для резки вокруг его оси N0, показанной на фиг.1, которая перпендикулярна поверхности пластины, для того, чтобы регулировать оптимальный угол с целью минимизации режущих сил. Альтернативно, также можно регулировать оптимальный угол, чтобы минимизировать режущие силы, наклоняя проволочную площадку. В таком случае предпочтительно устанавливают измеряющее устройство, чтобы измерять отклонение устройства резки в ходе резки.
Вместо отклонения в измеряющем устройстве 10 также можно использовать бесконтактную систему измерения расстояния для определения ориентации платформы.
Все ошибки вследствие адгезии или загрязнения стопоров, эталонных торцевых поверхностей и т.д. устраняются, так как измерения можно делать непосредственно в аппарате 20 для проволочного распиливания. Описанные устройство и способ позволяют проводить высокоточное прямое измерение на проволочной пиле без риска для безопасности. Кроме того, угловое измерение автоколлимационным способом не зависит от расстояния измерения, так что автоколлимационный телескоп 25 можно установить вне пространства резки. В таком случае при резке можно закрывать соответствующий защитный колпак. Устройство X-Y-юстировки обеспечивает вертикальную и горизонтальную регулировку компонентов разориентировки, так что направление обработки кристалла можно свободно выбрать в любое время и можно использовать в качестве переменной регулировки в случае отклонения проволоки.
Изобретение не ограничено аппаратом для проволочного распиливания, а также может быть использовано, например, в аппарате для внутренней круговой резки.

Claims (25)

1. Аппарат для резки монокристаллов, содержащий устройство (4) резки для отрезания пластин от по существу цилиндрического монокристалла (3), имеющего центральную продольную ось (М), устройство (24) ориентировки, обеспеченное в аппарате для ориентировки монокристалла относительно устройства резки, подающее устройство (23) для перемещения кристалла (3) в направлении (V) подачи, по существу перпендикулярном его центральной продольной оси, относительно устройства резки, отличающийся тем, что устройство (24) ориентировки сконструировано таким образом, что монокристалл (3) можно вращать вокруг оси, определяемой направлением подачи, и оси, перпендикулярной плоскости, которая определяется центральной продольной осью (М) и направлением (V) подачи, и тем, что обеспечен держатель (12) для монокристалла, с помощью которого монокристалл устанавливают в определенное положение в аппарате для резки таким образом, что предварительно определенное кристаллографическое направление (К) имеет предварительно определенный угол по отношению к направлению подачи, или тем, что обеспечено вращающее устройство для вращения монокристалла вокруг его продольной центральной оси, и тем, что предпочтительно имеется устройство для измерения отклонения устройства резки во время резки, которое соединено с вращающим устройством.
2. Аппарат по п.1, отличающийся тем, что устройство резки сконструировано в виде проволочной пилы, имеющей множества параллельных проволок (4) для резки, которые образуют плоскость проволок, и тем, что устройство (24) ориентировки сконструировано в виде устройства X-Y-юстировки, с помощью которого монокристалл можно перемещать в плоскости, параллельной плоскости проволок, и в плоскости, перпендикулярной плоскости проволок.
3. Аппарат по п.1, отличающийся тем, что обеспечено устройство для измерения углов для измерения ориентации торцевой поверхности (2) монокристалла (3) относительно плоскости проволок.
4. Аппарат по п.3, отличающийся тем, что устройство для измерения углов содержит зеркало (27), которое можно фиксировать на торцевой поверхности (2) монокристалла (3), и автоколлимационный телескоп (25), оптическая ось (О) которого перпендикулярна плоскости резки.
5. Аппарат по п.4, отличающийся тем, что зеркало (27) можно прикреплять к торцевой поверхности (2) монокристалла с помощью вакуумного устройства.
6. Аппарат по п.2, отличающийся тем, что обеспечено эталонное устройство (32, 25) для устройства X-Y-юстировки.
7. Аппарат по п.1, отличающийся тем, что обеспечена пластина (28) оптического клина, имеющая заданный угол клина, для регулировки отклонения X-Y ориентации монокристалла от предварительно определенного угла.
8. Аппарат по п.7, отличающийся тем, что пластину (28) оптического клина можно вращать в плоскости резки вокруг центральной продольной оси монокристалла таким образом, что можно регулировать заданную азимутальную ориентацию угла клина.
9. Аппарат по п.1, отличающийся тем, что обеспечен держатель (12) для монокристалла, с помощью которого монокристалл устанавливают в определенном положении в аппарате для резки таким образом, что предварительно определенный внешний признак монокристалла ориентирован в предварительно определенное положение, повернутое вокруг центральной продольной оси (М).
10. Аппарат по п.1, дополнительно характеризующийся наличием устройства для определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, при этом данное устройство содержит держатель (11) для монокристалла (3), с помощью которого монокристалл (3) удерживают таким образом, чтобы была открыта его измеряемая поверхность (2), устройство (14, 17) для измерения углов для измерения угла, который измеряемая поверхность (2) имеет относительно базовой оси держателя, и рентгеновское измерительное устройство (15, 16) для определения угла кристаллографической плоскости по отношению к базовой оси.
11. Аппарат по п.10, отличающийся тем, что монокристалл (3) является по существу цилиндрическим и измеряемая поверхность (2) является торцевой поверхностью цилиндра, а держатель (11) содержит плоскую поверхность (11а), на которой монокристалл (3) можно фиксировать его торцевой поверхностью, противоположной измеряемой поверхности, и тем, что базовая ось является нормалью к плоской поверхности (11а).
12. Аппарат по п.10, отличающийся тем, что устройство (14, 17) для измерения углов включает в себя зеркало (17), расположенное на измеряемой поверхности (2), и автоколлимационный телескоп (14), оптическая ось которого (О) совпадает с базовой осью.
13. Аппарат по п.10, отличающийся тем, что рентгеновское измерительное устройство сконструировано в виде рентгеновского гониометра, который содержит рентгеновскую трубку (15) и детектор (16), которые можно совместно перемещать в пределах углового диапазона вокруг базовой оси для измерения брегговских отражений для кристаллографической плоскости.
14. Аппарат по п.10, отличающийся тем, что держатель (11) можно передвигать в направлении базовой оси.
15. Аппарат по п.10, отличающийся тем, что держатель (11) содержит вакуумное всасывающее приспособление для фиксации монокристалла (3) с помощью парциального давления или вакуума.
16. Аппарат по п.10, отличающийся тем, что монокристалл в держателе содержит стопор (13), с помощью которого монокристалл (3) можно фиксировать в предварительно определенной угловой ориентации в плоскости, перпендикулярной базовой оси, при этом предпочтительно стопор (13) имеется.
17. Способ резки монокристалла в резательной машине, в которой пластины отрезают от монокристалла посредством перемещения монокристалла в направлении (V) подачи относительно устройства резки, включающий в себя этапы, на которых определяют угол между кристаллографической плоскостью и внешней поверхностью (2) монокристалла вне резательной машины; измеряют ориентацию внешней поверхности (2) монокристалла и резательной машине; устанавливают монокристалл в определенное положение на основе ориентации внешней поверхности таким образом, чтобы данная кристаллографическая плоскость образовывала предварительно определенный угол с направлением подачи, и осуществляют резку, при этом определение угла между кристаллографической плоскостью и внешней поверхностью (2) монокристалла включает в себя следующие этапы: измеряют угол, который поверхность кристалла (2) образует с базовой осью, с помощью автоколлимационного способа, измеряют угол кристаллографической плоскости по отношению к базовой оси с помощью рентгеновской гониометрии и вычитают измеренные углы.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что угловое положение заданного кристаллографического направления (К) монокристалла в плоскости резки регулируют таким образом, чтобы во время резки монокристалла силы, действующие на устройство резки, были минимизированы.
19. Устройство для определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, содержащее держатель (11) для монокристалла (3), с помощью которого монокристалл (3) удерживают таким образом, чтобы была открыта его измеряемая поверхность (2), устройство (14, 17) для измерения углов для измерения угла, который измеряемая поверхность (2) имеет относительно базовой оси держателя, и рентгеновское измерительное устройство (15, 16) для определения угла кристаллографической плоскости по отношению к базовой оси, при этом устройство (14, 17) для измерения углов включает в себя зеркало (17), расположенное на измеряемой поверхности (2), и автоколлимационный телескоп (14), оптическая ось которого (О) совпадает с базовой осью.
20. Устройство по п.19, отличающееся тем, что монокристалл (3) является по существу цилиндрическим и измеряемая поверхность (2) является торцевой поверхностью цилиндра, а держатель (11) содержит плоскую поверхность (11а), на которой монокристалл (3) можно фиксировать его торцевой поверхностью, противоположной измеряемой поверхности, и тем, что базовая ось является нормалью к плоской поверхности (11а).
21. Устройство по п.19, отличающееся тем, что рентгеновское измерительное устройство сконструировано в виде рентгеновского гониометра, который содержит рентгеновскую трубку (15) и детектор (16), которые можно совместно перемещать в пределах углового диапазона вокруг базовой оси для измерения брегговских отражений для кристаллографической плоскости.
22. Устройство по п.19, отличающееся тем, что держатель (11) можно передвигать в направлении базовой оси.
23. Устройство по п.19, отличающееся тем, что держатель (11) содержит вакуумное всасывающее приспособление для фиксации монокристалла (3) с помощью парциального давления или вакуума.
24. Устройство по п.19, отличающееся тем, что монокристалл в держателе содержит стопор (13), с помощью которого монокристалл (3) можно фиксировать в предварительно определенной угловой ориентации в плоскости, перпендикулярной базовой оси, при этом предпочтительно стопор (13) имеется.
25. Способ определения ориентации кристаллогафической плоскости относительно поверхности кристалла, предназначенный для применения в способе резки монокристалла и включающий в себя следующие этапы: измеряют угол, который поверхность кристалла (2) образует с базовой осью, с помощью автоколлимационного способа с использованием автоколлимационного телескопа (14), оптическая ось которого (0) совпадает с базовой осью, измеряют угол кристаллографической плоскости по отношению к базовой оси с помощью рентгеновской гониометрии и вычитают измеренные углы.
RU2004100543/03A 2001-06-13 2002-06-11 Устройство и способ определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также аппарат и способ резки монокристалла в режущей машине RU2296671C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10128630A DE10128630A1 (de) 2001-06-13 2001-06-13 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine
DE10128630.9 2001-06-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004100543A RU2004100543A (ru) 2005-06-10
RU2296671C2 true RU2296671C2 (ru) 2007-04-10

Family

ID=7688120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004100543/03A RU2296671C2 (ru) 2001-06-13 2002-06-11 Устройство и способ определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также аппарат и способ резки монокристалла в режущей машине

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6923171B2 (ru)
EP (2) EP1568457B1 (ru)
JP (2) JP4716652B2 (ru)
CN (2) CN100569475C (ru)
AT (1) ATE369956T1 (ru)
CZ (1) CZ304828B6 (ru)
DE (3) DE10128630A1 (ru)
RU (1) RU2296671C2 (ru)
SK (1) SK286829B6 (ru)
TW (1) TWI224670B (ru)
WO (1) WO2002100619A1 (ru)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005109951A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-17 Deka Products Limited Partnership Angular discrimination of acoustical or radio signals
EP2275241B1 (de) 2005-08-25 2012-10-17 Freiberger Compound Materials GmbH Drahtsäge und Verfahren zum Trennen eines Werkstücks mittels Drahtsägen
DE102005040343A1 (de) 2005-08-25 2007-03-01 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
JP5415414B2 (ja) 2007-06-25 2014-02-12 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド 単結晶体の結晶方位を再配向する方法
DE102008028213A1 (de) * 2008-06-06 2009-12-10 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zum Befestigen eines Silizium-Blocks an einem Träger dafür und entsprechende Anordnung
JP5007706B2 (ja) * 2008-06-30 2012-08-22 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
KR100995877B1 (ko) * 2008-07-23 2010-11-22 한국기계연구원 투과전자현미경의 고니오미터를 이용한 이웃하는 결정립의결정학적 방위관계 측정장치 및 그에 의한 결정립계 특성규명 방법
CN101486231B (zh) * 2009-01-22 2011-12-07 四川大学 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
CN101486232B (zh) * 2009-01-22 2011-09-07 四川大学 黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
CN101733848B (zh) * 2009-12-29 2012-01-18 西北工业大学 定向切割晶体任意晶面的简便方法
DE102010007459B4 (de) * 2010-02-10 2012-01-19 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial
CN101994157A (zh) * 2010-03-22 2011-03-30 浙江星宇电子科技有限公司 一种开单晶1*0参考面的方法
CN102152410A (zh) * 2010-12-23 2011-08-17 万向硅峰电子股份有限公司 一种旋转单晶棒调整晶向偏移的切割方法
JP5678653B2 (ja) * 2010-12-28 2015-03-04 三菱化学株式会社 六方晶系半導体板状結晶の製造方法
EP2520401A1 (en) * 2011-05-05 2012-11-07 Meyer Burger AG Method for fixing a single-crystal workpiece to be treated on a processing device
CN103503119B (zh) * 2011-06-02 2016-10-19 住友电气工业株式会社 碳化硅基板的制造方法
CN102490278B (zh) * 2011-11-30 2014-07-16 峨嵋半导体材料研究所 线切割晶体激光仪定向切割方法
KR101360906B1 (ko) 2012-11-16 2014-02-11 한국표준과학연구원 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법
KR101449572B1 (ko) * 2013-03-25 2014-10-13 한국생산기술연구원 리프트-업 스윙을 구현하는 와이어 쏘
JP6132621B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-24 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
CN105684125A (zh) * 2013-09-24 2016-06-15 硅电子股份公司 半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法
US9682495B2 (en) * 2013-09-30 2017-06-20 Gtat Corporation Method and apparatus for processing sapphire
JP6459524B2 (ja) * 2015-01-08 2019-01-30 株式会社ジェイテクト 複合研削盤および研削方法
CN104985709B (zh) * 2015-06-16 2017-01-11 浙江海纳半导体有限公司 调整单晶棒晶向的方法及测量方法
JP6610026B2 (ja) * 2015-06-23 2019-11-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ装置
JP6272801B2 (ja) * 2015-07-27 2018-01-31 信越半導体株式会社 ワークホルダー及びワークの切断方法
JP6349290B2 (ja) * 2015-09-03 2018-06-27 信越半導体株式会社 単結晶ウェーハの表裏判定方法
CN105269696B (zh) * 2015-10-30 2017-04-05 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石晶体的复合定向方法
WO2017091945A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-08 Rhodia Operations Wafering process for water based slurries
CN105842263A (zh) * 2016-03-18 2016-08-10 中锗科技有限公司 一种偏晶向太阳能锗单晶定向仪及其检测方法
JP6690983B2 (ja) * 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
JP6222393B1 (ja) * 2017-03-21 2017-11-01 信越半導体株式会社 インゴットの切断方法
CN108312370B (zh) * 2017-12-20 2020-05-01 天通控股股份有限公司 一种基于水平传感器定位晶体的定向加工方法
JP6923067B2 (ja) * 2018-02-27 2021-08-18 株式会社Sumco 半導体単結晶インゴットのスライス方法
CN108621316B (zh) * 2018-05-03 2020-02-18 大连理工大学 一种易潮解光学晶体的水溶解辅助精密高效切割方法
DE102018221922A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
JP7148437B2 (ja) * 2019-03-01 2022-10-05 信越半導体株式会社 ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置
EP4024036A4 (en) * 2019-08-30 2023-09-13 National Institute Of Advanced Industrial Science and Technology METHOD FOR COMPUTING THE ORIENTATION DISTRIBUTION, APPARATUS FOR ANALYZING THE ORIENTATION DISTRIBUTION AND PROGRAM FOR ANALYZING THE ORIENTATION DISTRIBUTION
CN111745305B (zh) * 2020-05-23 2022-03-04 山东大学 一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
CN112590032B (zh) * 2020-12-03 2022-12-02 天津市环智新能源技术有限公司 一种太阳能硅片及其粗糙度控制方法
CN113787636B (zh) * 2021-07-09 2022-05-27 麦斯克电子材料股份有限公司 一种用于12寸半导体晶圆的手动粘棒方法
CN117415966A (zh) * 2023-11-16 2024-01-19 深圳平湖实验室 碳化硅晶体的定向治具、定向方法和切割方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1114649B (de) * 1960-03-17 1961-10-05 Zeiss Carl Fa Optisches Geraet zur Orientierung von Einkristallen nach der Kristallachse
JPS5562742A (en) * 1978-11-02 1980-05-12 Toshiba Corp Method of cutting monocrystal
DE3305695A1 (de) * 1983-02-18 1984-08-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum zerteilen von halbleitermaterial
JPS60197361A (ja) * 1984-03-19 1985-10-05 Fujitsu Ltd ワイヤ・スライシング方法
EP0242489B1 (de) * 1986-04-17 1991-07-10 Maschinenfabrik Meyer & Burger AG Verfahren zum Trennen eines Stabes in Teilstücke, Trennschleifmaschine zur Durchführung dieses Verfahrens und Verwendung dieser Trennschleifmaschine
JPH06103674B2 (ja) * 1987-06-19 1994-12-14 住友電気工業株式会社 半導体単結晶インゴツトの角度調整法と装置
JPH11162909A (ja) * 1987-07-14 1999-06-18 Kyushu Electron Metal Co Ltd 半導体ウエーハの製造方法
JPH07118473B2 (ja) * 1987-07-14 1995-12-18 九州電子金属株式会社 半導体ウエ−ハの製造方法
JPH02255304A (ja) * 1989-03-29 1990-10-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハのスライス装置及び方法
JPH0310760A (ja) 1989-06-09 1991-01-18 Nippon Spindle Mfg Co Ltd 結晶質脆性材料切断用ワイヤソー
JPH0671639A (ja) * 1992-08-26 1994-03-15 Toshiba Corp 単結晶の加工方法
CH690845A5 (de) 1994-05-19 2001-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür.
US5529051A (en) 1994-07-26 1996-06-25 At&T Corp. Method of preparing silicon wafers
JP3427956B2 (ja) 1995-04-14 2003-07-22 信越半導体株式会社 ワイヤーソー装置
TW355151B (en) 1995-07-07 1999-04-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd A method for cutting single chip material by the steel saw
JPH0985736A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
US6024814A (en) 1995-11-30 2000-02-15 Nippei Toyama Corporation Method for processing ingots
DE19607695A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
CH692331A5 (de) 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben.
JP3079203B2 (ja) * 1996-11-15 2000-08-21 住友金属工業株式会社 半導体ウエーハの製造方法
JP3918216B2 (ja) 1997-01-08 2007-05-23 住友金属鉱山株式会社 単結晶の切断装置と方法
US5768335A (en) * 1997-02-10 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface
JPH10272620A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd 結晶材料加工装置
JPH10278040A (ja) * 1997-04-01 1998-10-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd 結晶材料加工装置及び結晶材料の設置方法
JPH112614A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Rigaku Corp 単結晶軸方位ｘ線測定方法及び装置
US5878737A (en) 1997-07-07 1999-03-09 Laser Technology West Limited Apparatus and method for slicing a workpiece utilizing a diamond impregnated wire
JP3709664B2 (ja) * 1997-07-23 2005-10-26 株式会社東京精密 結晶軸の傾き角度測定方法
JP3195760B2 (ja) * 1997-08-05 2001-08-06 株式会社スーパーシリコン研究所 インゴット切断面の結晶方位設定方法
JP3847913B2 (ja) 1997-08-27 2006-11-22 東芝Ｉｔコントロールシステム株式会社 結晶方位決定装置
US6120597A (en) * 1998-02-17 2000-09-19 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Crystal ion-slicing of single-crystal films
US6055293A (en) * 1998-06-30 2000-04-25 Seh America, Inc. Method for identifying desired features in a crystal
JP2000171417A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Toshiba Ceramics Co Ltd 方位測定補助装置及びそれを用いた方位測定加工方法
DE60043761D1 (de) * 1999-03-31 2010-03-18 Fujifilm Corp Einkristallines optisches Element mit einer bezüglich einer Spaltungsebene geneigten lichtdurchlässigen Oberfläche
JP2000354940A (ja) * 1999-06-16 2000-12-26 Rigaku Corp 単結晶インゴットの加工装置
DE10052154A1 (de) 2000-10-20 2002-05-08 Freiberger Compound Mat Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen, Justiervorrichtung und Testverfahren zum Ermitteln einer Orientierung eines Einkristalls für ein derartiges Verfahren

Also Published As

Publication number Publication date
TWI224670B (en) 2004-12-01
DE50210785D1 (de) 2007-10-04
RU2004100543A (ru) 2005-06-10
EP1399306B1 (de) 2007-08-15
SK286829B6 (sk) 2009-06-05
SK14932003A3 (sk) 2004-06-08
DE50210714D1 (de) 2007-09-27
US20040168682A1 (en) 2004-09-02
CZ20033395A3 (cs) 2004-05-12
WO2002100619A1 (de) 2002-12-19
JP4716652B2 (ja) 2011-07-06
CN100569475C (zh) 2009-12-16
US6923171B2 (en) 2005-08-02
CN1529647A (zh) 2004-09-15
JP2011003929A (ja) 2011-01-06
JP2004533347A (ja) 2004-11-04
DE10128630A1 (de) 2003-01-02
CN1736681A (zh) 2006-02-22
EP1568457B1 (de) 2007-08-22
EP1399306A1 (de) 2004-03-24
JP5357122B2 (ja) 2013-12-04
CZ304828B6 (cs) 2014-11-26
ATE369956T1 (de) 2007-09-15
CN100546793C (zh) 2009-10-07
EP1568457A1 (de) 2005-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2296671C2 (ru) Устройство и способ определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также аппарат и способ резки монокристалла в режущей машине
US5822213A (en) Method and apparatus for determining the center and orientation of a wafer-like object
RU2365905C2 (ru) Способ и устройство для промеров, ориентирования и фиксации минимум одного монокристалла
JP2004533347A5 (ru)
US11325205B2 (en) Laser processing method
CN113211299B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
US11351631B2 (en) Laser processing apparatus with calculating section
JP6923067B2 (ja) 半導体単結晶インゴットのスライス方法
US3582214A (en) Tool alignment apparatus and method
JP2006108219A (ja) 切削装置における切削ブレード傾斜角度調整方法，およびそれを使用した切削方法
JP2019046923A (ja) ウエーハの加工方法
US4884887A (en) Method for positioning a crystal ingot
KR20210031375A (ko) 계측 장치
KR20210011324A (ko) 테이프 마운터
JP7471751B2 (ja) ウェーハの加工方法
US20230243639A1 (en) Measuring method
JP2020001134A (ja) 切削ブレードの先端形状検出方法および装置
JPH0146293B2 (ru)
JP2003021608A (ja) 単結晶加工面を所定の方位角に設定調整する方法ならびにこの方法を実施するのに用いられる加工治具
JP2003282686A (ja) ウエハ劈開用ケガキ線形成装置及び形成方法