JP2004512688A - ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、ＧａＮベースの多数の層を有する、有利には放射線を発する役割を果たす半導体デバイスを製造する方法に関する。ＧａＮベースの多数の層（４）を、基板ボディ（１）と介在層（２）とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ（１）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に近似しているか又はＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数より大きく、ＧａＮベースの層（４）を介在層（２）上に析出させる。有利には、介在層及び基板ボディを、ウェハボンディング法によって張り合せる。

Description

【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念部に記載のＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法に関する。
【０００２】
ＧａＮベースの半導体デバイスは、おもに青緑スペクトル領域で放射線を発するために使用されており、ＧａＮベースの材料からなる多数の層を有している。このような材料は、ＧａＮ自体のほかには、ＧａＮから誘導された又はＧａＮに類する材料、ならびにその上に形成された三成分又は四成分の混晶である。特に、これら中には、次の材料、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ（Ａｌ_１−ｘＧａ_ｘＮ、０≦ｘ≦１）、ＩｎＧａＮ（Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘＮ、０≦ｘ≦１）、ＩｎＡｌＮ（Ｉｎ_１−ｘＡｌ_ｘＮ、０≦ｘ≦１）及びＡｌＩｎＧａＮ（Ａｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）が含まれる。以下、「ＧａＮベースの」という表現は、ＧａＮ自体に加え、前記の材料系のことを指すものとする。
【０００３】
ＧａＮベースの半導体デバイスを製造するためには、通常、エピタキシャル成長法を用いる。この場合、エピタキシャル基板の選択は、製造プロセスのためにもデバイスの機能のためにも決定的な意味を持つ。
【０００４】
この場合、しばしば、サファイア−又はＳｉＣ基板を使用するが、これらの基板には何らかの不都合がある。たとえば、サファイアを使用した場合のＧａＮベースの層に関する格子不整合は比較的大きい。
【０００５】
この点に関しては、ＳｉＣ基板は、ＧａＮベースの材料とのより良好な格子整合を有している。しかし、十分な結晶品質を備えたＳｉＣ基板の製造は、極めて高いコストと結びついている。さらに、ＧａＮベースの半導体デバイスの歩留まりは少ない。それというのは、ＳｉＣウェハの大きさが、たとえば１５０ｍｍよりはるかに小さい直径に限られてしまうからである。
【０００６】
特許明細書ＵＳ５７８６６０６により、放射線を発するＧａＮベースの半導体デバイスの製造方法が公知であり、この場合、ＳＩＭＯＸ基板（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｏｆ ＯＸｙｇｅｎ）又はＳＯＩ基板（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｓｏｌａｔｏｒ）上に、まずＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる。その後、このＳｉＣ層上に、ＧａＮベースの多数の層を析出させる。
【０００７】
しかし、ＳｉＣ層によってデバイスの発光効率は低下する。それというのは、発せられた放射線の一部がＳｉＣ層内で吸収されてしまうからである。さらに、十分な結晶品質を備えたＳｉＣ層をエピタキシャル成長によって形成するには、高い製造コストが必要となる。
【０００８】
本発明の課題は、ＧａＮベースの半導体デバイスのための技術的に簡単かつ安価な製造方法を提供することである。さらに、本発明の課題は、高められた発光効率を有する半導体デバイスのための製造方法を開発することである。
【０００９】
この課題は、請求項１に記載の製造方法によって解決される。本発明の有利な実施態様は、引用形式請求項に記載されている。
【００１０】
本発明による製造方法では、エピタキシャル成長によってＧａＮベースの多数の層を、基板ボディと介在層とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディの熱膨張係数は、ＧａＮベースの層の熱膨張係数に近似しているか又はＧａＮベースの層の熱膨張係数よりも大きい。
【００１１】
多様な組成のＧａＮベースの多数の層では、それらの熱膨張係数もそれぞれ異なる。しかし、この相違は、通常わずかであり、基板ボディの熱膨張係数との差に比べると無視することができる。この場合、ＧａＮベースの層の熱膨張係数としては、特に、張り合せ基板に隣接する層の熱膨張係数が標準である。さらに、このためには、層系の構造に応じて、最も厚いＧａＮベースの層の熱膨張係数又は熱膨張係数の平均値を、場合によってはそれぞれの層厚さを考慮して決定して使用してもよい。
【００１２】
本発明においては、基板ボディの熱膨張係数が、ＧａＮベースの層の熱膨張係数よりも大きいか又はＧａＮベースの層の熱膨張係数に近似している。後者の場合、有利には、基板ボディの熱膨張係数の、ＧａＮベースの層の熱膨張係数からの相違は、５０％より大きくなく、有利には３０％より大きくない。
【００１３】
張り合せ基板というのは、少なくとも２つの領域、すなわち基板ボディと介在層とを有していてかつそれ自体でエピタキシャル成長法のための出発基板となっている基板であると理解されたい。特に、介在層は、エピタキシャル成長によってではなく、有利にはボンディング法によって基板ボディ上に被着する。
【００１４】
ボンディング法としては、有利には、酸化ボンディング法又はウェハボンディング法が適している。酸化ボンディングの場合には、固着層として酸化物層、たとえば酸化ケイ素層を形成して基板ボディと介在層とを互いに張り合わせる。一方、ウェハボンディングの場合には、基板ボディと介在層とを直接的に互いに付け合わせる。さらに、別のボンディング法、たとえば共晶ボンディング法又は非酸化物の固着層を形成するボンディング法を用いることもできる。
【００１５】
上で述べたような張り合せ基板では、熱的な特性が、特に基板ボディによって決定される一方で、これとは十分に無関係に、エピタキシャル表面及び特にその格子定数は、介在層によって規定される。したがって、有利には、介在層を、被着すべき層の格子定数に最適に適合させる。これと同時に、十分に高い熱膨張係数を有する基板ボディを使用することによって、ＧａＮベースの層を被着した後にこの層が冷却段階で引張り応力を受けること及びこれによりクラックが層内で形成されることを防止する。したがって、有利には、介在層を、張り合せ基板全体の熱膨張係数が基板ボディの熱膨張係数にほぼ相当するように薄く形成する。たとえば、この場合、基板ボディを、介在層の少なくとも２０倍の厚さにする。
【００１６】
本発明の有利な実施態様では、基板ボディは、ＳｉＣ、Ｓｉ又はＧａＮ、有利には多結晶（ポリＳｉＣ、ポリＳｉもしくはポリＧａＮ）、サファイア又はＡｌＮを有する。ＳｉＣの熱膨張係数は、ＧａＮベースの材料の熱膨張係数に近似しており、上記の残りの材料は、ＧａＮベースの材料よりも大きな熱膨張係数を有している。これにより、有利には、エピタキシャル成長によって被着された層の冷却時のクラック形成が防止される。
【００１７】
本発明の有利な実施態様では、介在層が、ＳｉＣ、ケイ素、サファイア、ＭｇＯ、ＧａＮ又はＡｌＧａＮを有する。これらの材料は、特に、ＧａＮに適合した格子定数を有するほぼ単結晶の表面を形成するために適している。有利には、エピタキシャル表面として、Ｓｉ（１１１）表面又は単結晶ＳｉＣ表面を使用し、この表面上にＧａＮベースの層を成長させる。
【００１８】
本発明の有利な実施態様では、介在層をボンディング法、たとえばウェハボンディング法又は酸化ボンディング法によって基板ボディ上に被着した張り合せ基板上に、ＧａＮベースの層を析出させる。有利には、基板ボディと介在層との間に、たとえば酸化ケイ素からなる固着層を形成する。
【００１９】
ボンディング法によって、有利には、多数の材料系を組み合わせることができ、たとえばエピタキシャル成長によって介在層を基板ボディ上に被着する場合に現れるような材料不適合性によって制限されない。
【００２０】
この場合、十分に薄い介在層を得るために、まず、比較的厚い介在層を基板ボディ上に張り合わせ、次にこの基板ボディを、たとえば研磨又は劈開によって薄くして必要な厚さにする。
【００２１】
本発明の有利な実施態様では、ＧａＮベースの層を張り合せ基板上に析出させる前にマスク層を形成し、そのため、エピタキシャル表面の、マスクによってカバーされていない領域上でしかＧａＮベースの層が成長しない。これにより、有利には、ＧａＮベースの層を層平面で中断し、これによって、引張り応力及びこれに伴うクラック形成からの付加的な保護が得られる。
【００２２】
本発明の別の有利な実施態様では、ＧａＮベースの層を、張り合せ基板上で析出させた後に個別の半導体層積層体に構造化する。その後、ＧａＮベースの半導体層積層体上に支持体を被着し、張り合せ基板を剥離する。この張り合せ基板は、少なくとも一部を再使用することができる。このことは、極めて高い製造のコストのかかるＳｉＣ基板ボディにおいて特に有利である。さらに、この方法で、薄層デバイスを製造する。この場合、薄層デバイスとは、エピタキシャル基板を有していないデバイスと理解されたい。
【００２３】
放射線を発する半導体デバイスの場合には、特にＳｉＣ基板で生じるような、発せられた放射線のエピタキシャル基板内での吸収が防止されるので、発光効率が向上する。
【００２４】
支持体のための材料としては、たとえばＧａＡｓ、ゲルマニウム、ケイ素、酸化亜鉛又は金属、特にモリブデン、アルミニウム、銅、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト又はこれらの合金が適している。
【００２５】
この場合、有利には、支持体材料を、その熱膨張係数がＧａＮベースの層の熱膨張係数及び場合によっては基板ボディの熱膨張係数に適合するように選択する。基板ボディの熱膨張係数へ適合させることは、支持体の被着とＧａＮベースの層の張り合せ基板からの剥離との間で温度を変化させる場合に特に有利である。熱膨張係数が大きく異なると、支持体と張り合せ基板との異なる膨張を招き、これにより、過度に高い機械的な応力のためにその間に存在するＧａＮベースの層を損傷する危険を高めうる。
【００２６】
支持体とＧａＮベースの層との熱膨張係数の適合は有利であり、これによって、一方では半導体ボディの製造後に冷却段階の間に、他方では運転中に、たとえば出力損失による加熱によって生じうる機械的な応力が小さく保たれる。
【００２７】
適合させた熱膨張係数は、特に、それらの差が、生じた温度変化の範囲内で、熱的に誘導された機械的な応力によってＧａＮベースの層にほとんど損傷が引き起こされない程度に小さくなっていることを特徴としている。有利には、支持体の熱膨張係数の相対的な相違が、張り合せ基板の熱膨張係数の５０％より小さく、特に有利には３０％より小さくなっていることが望ましい。
【００２８】
現れる温度変化は、たとえば、ＧａＮベースの層を張り合せ基板から分離するためのその都度の方法、製造時、特に支持体の被着中に支配している、設定された運転温度に対する温度及び／又は運転の特性によって得られる出力損失によって決まる。
【００２９】
有利には、支持体材料は、支持体の熱膨張係数が、基板ボディの熱膨張係数とＧａＮベースの層の熱膨張係数との間にあるように選択する。この場合、特に有利には、支持体の熱膨張係数は、張り合せ基板の熱膨張係数とＧａＮベースの層の熱膨張係数との算術平均よりも大きい。
【００３０】
前に述べたように、張り合せ基板から支持体上へ半導体層積層体をいわゆる張り合せ換えることは、本発明では２段階で行うこともでき、この場合、ＧａＮベースの半導体層積層体をまず介在支持体上に、その後本来の支持体上に張り合せ、これによって、最終的には本来の支持体が張り合せ基板の位置に来る。有利には、このようにして製造された半導体層積層体が、従来の技術に基づくエピタキシャル基板を備えたＧａＮベースの半導体ボディのような相応の積層順序を有しており、したがって、両方の層積層体に対し、同様の後続の加工段階、たとえば個別化、接触及びケーシングへの組み付けを用いることができる。
【００３１】
ＧａＮベースの放射線を発する半導体ボディのための製造方法の特に有利な実施例では、発光効率を上げるために、半導体層積層体上にリフレクタ層を形成する。ＧａＮベースの半導体デバイスにおける発光効率は、ＧａＮベースの材料が高い屈折率を有するために、大部分が半導体ボディの境界面で反射することによって制限されてしまう。吸収性の基板を有していない放射線を発する半導体ボディにおいては、有利には、リフレクタ層によって、放出面で反射した放射線成分が再び放出面へ向かって戻る。これにより、発光効率がさらに向上する。
【００３２】
有利には、このリフレクタ層を、たとえばアルミニウム、銀又は相応のアルミニウム−又は銀合金を含む金属層として形成する。
【００３３】
有利には、このような金属層は、同時に接触面として使用することができる。別の方法としては、リフレクタ層は、誘電性リフレクタ形成（ｄｉｅｌｅｋｔｒｉｓｃｈｅ Ｖｅｒｓｐｉｅｇｅｌｕｎｇ）によって、誘電性の多数の層の形態で形成することもできる。
【００３４】
本発明の有利な実施態様では、半導体層積層体の表面の少なくとも一部を粗面化する。これにより、表面での全反射が阻止されるので、発光効率の向上が得られる。有利には、この粗面化は、エッチング又はサンドブラスト法によって行う。
【００３５】
本発明のさらなる特徴、利点及び有効性は、図１〜３に基づく３つの実施例によって、以下に詳細に説明する。
【００３６】
図１は、本発明による製造方法の第１の実施例の概略的な断面図である。
【００３７】
図２は、本発明による製造方法の第２の実施例の概略的な断面図である。
【００３８】
図３は、本発明による製造方法の第３の実施例の概略的な断面図である。
【００３９】
この場合、同一の又は同一に作用する要素には、同一の参照符号を付与している。
【００４０】
図１に示した製造方法では、ポリＳｉＣからなる基板ボディ１を有する張り合せ基板を使用する。この基板ボディ１上には、公知の形式で単結晶のＳｉＣ介在層２が張り合わされている。この場合、基板ボディ１と介在層２との間には、たとえば酸化ケイ素からなる固着層３が形成されている（図１ａ）。
【００４１】
この張り合せ基板上に、エピタキシャル成長によって、ＧａＮベースの多数の層４を成長させる（図１ｂ）。この層系の構造は、原則的な制限を受けていない。
【００４２】
この場合、有利には、複数の外被層及び／又は波導層によって囲まれた放射線を発する役割を果たす活性層を形成する。この場合、この活性層を、単一又は多重量子井戸構造の形態の薄い多数の個別層によって形成することができる。
【００４３】
さらに、介在層２上にまず、たとえばＡｌＧａＮベースの緩衝層を形成すると有利であり、この緩衝層によって、次の層に対するより良好な格子整合及びより高い濡れ性を得ることができる。このような緩衝層の導電性を向上させるためには、緩衝層に、たとえばＩｎＧａＮベースの導電性の通路を接続することもできる。
【００４４】
続いて、ＧａＮベースの層４を、側方の構造化によって、有利にはメサエッチングによって個別の半導体層積層体５に分割する（図１ｃ）。
【００４５】
次の段階（図１ｄ）では、この半導体層積層体５上に、たとえばＧａＡｓ又は発せられる放射線に対して透過性の材料からなる支持体６を被着する。
【００４６】
さらに、介在層２を含めた張り合せ基板を、半導体層積層体５から剥離する（図１ｅ）。これは、たとえばエッチング法によって行うことができ、この場合、介在層２又は固着層３を破壊する。さらに、張り合せ基板は、レーザーアブレーション法によって除去することもでき、この場合には、有利には、使用されるレーザー光に対して透過性の基板ボディ、たとえばサファイア基板ボディを使用する。これにより、レーザー光は、基板ボディを通過して、介在層もしくは固着層に照射することができる。有利には、この基板ボディ１を、別の製造サイクルで再使用することができる。
【００４７】
支持体の被着と張り合せ基板の剥離との間で温度を変化させる場合には、支持体の熱膨張係数と基板ボディの熱膨張係数と適合させると特に有利である。たとえば、サファイア基板ボディに関して、ＧａＡｓ、モリブデン、タングステン又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を含む支持体が適している。金属の支持体を被着するためには、たとえば共晶ボンディング法を用いることができる。
【００４８】
ＳｉＣ基板ボディに関しては、ケイ素又はＳｉＣを、それぞれ単結晶又は有利には多結晶で含む材料が支持体材料として有利である。この場合には、たとえば酸化ボンディング法が支持体の被着に適している。
【００４９】
その後、このように形成された薄層半導体ボディ５上に、接触面１０を被着する（図１ｆ）。続いて、半導体層積層体５を個別化し（図１ｇ）、通常の形式でさらに加工する。
【００５０】
図２に示した製造方法では、再び、おもにポリＳｉＣ基板ボディ１及びＳｉ（１１１）介在層２から形成された張り合せ基板を使用する。介在層２は酸化ボンディング法によって、基板ボディ１上に、酸化ケイ素固着層３を形成して被着する（図２ａ）。別の方法としては、基板ボディ１及び介在層２は、別のボンディング法、たとえばウェハボンディングによって張り合せることもできる。
【００５１】
この張り合せ基板上に、この場合も、ＧａＮベースの多数の層を成長させ（図２ｂ）、最終的には、このＧａＮベースの層に、たとえば白金からなる接触層８を設ける（図２ｃ）。
【００５２】
その後、ＧａＮベースの層４をエッチング構造化によって、個別化された半導体層積層体５に分割する（図２ｄ）。
【００５３】
このようにして形成された半導体層積層体５上に、保護のために、有利には窒化ケイ素ベースの不動態層１１を被着する（図２ｅ）。
【００５４】
接触層８の、不動態層によってカバーされていない領域の上には、次に、それぞれボンドろう接部１２及びその上に銀−又はアルミニウム合金からなるリフレクタ９を析出させる（図２ｆ）。
【００５５】
続いて、半導体層積層体５を、リフレクタ９で、共晶ボンディング法によって支持体６上に張り合せ換える（図２ｇ）。
【００５６】
次の段階（図２ｈ）では、基板ボディ１を除去する。この基板ボディ１は、再使用することができる。
【００５７】
最後に、個別化された半導体層積層体の上側に接触面１０を設ける（図２ｉ）。その後、半導体層積層体を個別化し、場合によってはケーシングに組付けることができる（図示せず）。
【００５８】
本発明による製造方法の図３に示した実施例は、前述の実施例の変化形である。
【００５９】
この場合もやはり、前述のように、エピタキシャル基板として張り合せ基板を使用する（図３ａ）。
【００６０】
ＧａＮベースの層４の析出前に、介在層２のエピタキシャル表面にマスク層７を被着する（図３ｂ）。このＧａＮベースの層４は、マスク層７によってカバーされていないエピタキシャル表面の領域（エピタキシャル窓）上にしか成長しない（図３ｃ）。これによって、ＧａＮベースの層４を、層平面の方向で中断させる。これにより、付加的に、冷却段階での、エピタキシャル成長によって析出させた層内での引張り応力を回避することができる。
【００６１】
その後、この製造方法は、他の実施例のようにさらに続けて行うことができる。
【００６２】
上記の実施例に基づく本発明の説明は、むろん、本発明を制限するものではなく、本発明の思想を有するすべての実施例を含んでいると解釈される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明による製造方法の第１の実施例の概略的な断面図
【図２】
本発明による製造方法の第２の実施例の概略的な断面図
【図３】
本発明による製造方法の第３の実施例の概略的な断面図

Claims (33)

1. ＧａＮベースの多数の層を有する半導体デバイスをエピタキシャル成長によって製造する方法であって、
   ＧａＮベースの層（４）を、基板ボディ（１）と介在層（２）とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ（１）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に近似しているか又はＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数よりも大きく、かつＧａＮベースの層（４）を介在層（２）上に析出させることを特徴とする、ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法。
2. 介在層（２）の厚さは、張り合せ基板の熱膨張係数がおもに基板ボディ（１）によって決定される程度に薄い、請求項１記載の方法。
3. 基板ボディ（１）が、ＳｉＣ、ポリＳｉＣ、Ｓｉ、ポリＳｉ、サファイア、ＧａＮ、ポリＧａＮ又はＡｌＮを有する、請求項１又は２記載の方法。
4. 介在層（２）が、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＭｇＯ、ＧａＮ又はＡｌＧａＮを有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
5. 介在層（２）が、少なくとも部分領域で単結晶の表面を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
6. 基板ボディ（１）がポリＳｉＣを、介在層（２）が単結晶のＳｉＣを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
7. 基板ボディ（１）がポリＳｉを、介在層（２）が単結晶のＳｉを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
8. 基板ボディ（１）がポリＧａＮを、介在層（２）が単結晶のＧａＮを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
9. ＧａＮベースの層（４）を、介在層（２）の、Ｓｉ（１１１）表面上に又は少なくとも部分領域で単結晶のＳｉＣ表面上に析出させる、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
10. 介在層（２）を、ボンディング法、特に酸化ボンディング法又はウェハボンディング法によって基板ボディ（１）上に被着する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
11. 基板ボディ（１）と介在層（２）との間に、固着層（３）を形成する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
12. 固着層（３）が、酸化ケイ素を有する、請求項１１記載の方法。
13. ＧａＮベースの層を張り合せ基板上に被着する前に、エピタキシャル窓を有するマスク層（７）を形成し、その際、エピタキシャル窓の内の張り合せ基板のエピタキシャル表面をカバーされないままにする、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
14. ＧａＮベースの層（４）を張り合せ基板上に被着した後、個別の半導体層積層体（５）に構造化する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
15. 前記方法に、
    支持体（６）を半導体層積層体（５）上に被着する段階、及び
    張り合せ基板を剥離する段階を続けて行う、請求項１４記載の方法。
16. 前記方法に、
    介在支持体を半導体層積層体（５）上に被着する段階、
    張り合せ基板を剥離する段階、
    支持体（６）を、半導体層積層体（５）の、張り合せ基板が剥離した側に被着する段階、及び
    介在支持体を剥離する段階を続けて行う、請求項１４記載の方法。
17. 支持体（６）が、ＧａＡｓ、ゲルマニウム、ケイ素、酸化亜鉛、モリブデン、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つの化合物もしくは少なくとも１つの元素を有する、請求項１５又は１６記載の方法。
18. 基板ボディがサファイアを、支持体（６）がＧａＡｓ、モリブデン、タングステン又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を有する、請求項１７記載の方法。
19. 基板ボディ（１）がＳｉＣを、支持体（６）がケイ素又はＳｉＣを有する、請求項１７記載の方法。
20. 支持体（６）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に適合する、請求項１５から１９までのいずれか１項記載の方法。
21. 支持体（６）の熱膨張係数が、基板ボディ（１）の熱膨張係数に適合する、請求項１５から２０までのいずれか１項記載の方法。
22. 支持体（６）の熱膨張係数が、基板ボディ（１）の熱膨張係数とＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数との間にある、請求項１５から２１までのいずれか１項記載の方法。
23. ＧａＮベースの層（４）もしくは半導体層積層体（５）上に、リフレクタ層（９）を形成する、請求項１から２２までのいずれか１項記載の方法。
24. リフレクタ層（９）を、金属層の被着によって形成する、請求項２３記載の方法。
25. 前記金属層が、銀、アルミニウム、又は銀−又はアルミニウム合金を有する、請求項２４記載の方法。
26. リフレクタ層（９）が、同時に接触面としての役割を果たす、請求項２３から２５までのいずれか１項記載の方法。
27. リフレクタ層（９）を、誘電性リフレクタ形成によって形成する、請求項２３記載の方法。
28. 半導体層積層体（５）の表面を、少なくとも局部的に粗面化する、請求項１４から２７までのいずれか１項記載の方法。
29. 半導体層積層体（５）の表面を、エッチングによって粗面化する、請求項２８記載の方法。
30. 半導体層積層体（５）の表面を、サンドブラスト法によって粗面化する、請求項２８又は２９記載の方法。
31. 放射線を発するデバイス、ダイオード、トランジスタ、放射線を発するダイオード、ＬＥＤ、半導体レーザー及び放射線を検出するデバイスを含む薄層半導体デバイスであって、
    このデバイスが、請求項１５又は１６記載の又はこれらの請求項のうちいずれか１項に従属する請求項に記載の方法を用いて製造されることを特徴とする、薄層半導体デバイス。
32. ＧａＮベースの多数の層（４）を有する半導体デバイスをエピタキシャル成長によって製造するための、基板ボディ（１）と介在層（２）とを有する張り合せ基板の使用において、
    基板ボディ（１）と介在層（２）とが、ボンディング法によって張り合わされていることを特徴とする、張り合せ基板の使用。
33. 基板ボディ（１）と介在層（２）とが、酸化ボンディング法又はウェハボンディング法によって張り合わされている、請求項３２記載の張り合せ基板の使用。