JPH10223496A - 単結晶ウエハおよびその製造方法 - Google Patents
単結晶ウエハおよびその製造方法Info
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- JPH10223496A JPH10223496A JP2817197A JP2817197A JPH10223496A JP H10223496 A JPH10223496 A JP H10223496A JP 2817197 A JP2817197 A JP 2817197A JP 2817197 A JP2817197 A JP 2817197A JP H10223496 A JPH10223496 A JP H10223496A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な結晶性を得るために高温での成長を必
要とする材料からなる単結晶ウエハおよびその製造方法
を提供することである。 【解決手段】 単結晶Ｓｉウエハからなる第１の基板１
上に３Ｃ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ２をＳｉの融点
以下の温度でエピタキシャル成長させ、単結晶ＳｉＣ層
２にＨを層状にイオン注入し、単結晶ＳｉＣ層２の上面
を板状体４に吸着する。熱処理により、原子状水素をイ
オン注入により形成された結晶欠陥における構成元素の
不対結合手に移動させて不対結合手を終端させる。それ
により、単結晶ＳｉＣ層２中の所定の深さに層状に分布
する多数の空隙を形成し、熱歪により空隙の領域３ａで
単結晶ＳｉＣ層２を分断する。板状体４に吸着された単
結晶ＳｉＣ層２ｂの下面を第２の基板上に接着した後、
板状体４を取り外す。単結晶ＳｉＣ層２ｂ上に単結晶Ｓ
ｉＣ層を高温でエピタキシャル成長させる。
要とする材料からなる単結晶ウエハおよびその製造方法
を提供することである。 【解決手段】 単結晶Ｓｉウエハからなる第１の基板１
上に３Ｃ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ２をＳｉの融点
以下の温度でエピタキシャル成長させ、単結晶ＳｉＣ層
２にＨを層状にイオン注入し、単結晶ＳｉＣ層２の上面
を板状体４に吸着する。熱処理により、原子状水素をイ
オン注入により形成された結晶欠陥における構成元素の
不対結合手に移動させて不対結合手を終端させる。それ
により、単結晶ＳｉＣ層２中の所定の深さに層状に分布
する多数の空隙を形成し、熱歪により空隙の領域３ａで
単結晶ＳｉＣ層２を分断する。板状体４に吸着された単
結晶ＳｉＣ層２ｂの下面を第２の基板上に接着した後、
板状体４を取り外す。単結晶ＳｉＣ層２ｂ上に単結晶Ｓ
ｉＣ層を高温でエピタキシャル成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶ウエハおよ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、高温動作デバイス、耐放射線デバ
イス、大電力デバイス、高耐圧デバイス、高周波デバイ
ス、短波長発光デバイス、紫外線センサ等の電子材料と
して、ＳｉＣ（炭化ケイ素）やダイヤモンドが注目され
ている。さらに、ダイヤモンドは、例えば平面表示装置
の電子放出電極材料としても期待されている。
イス、大電力デバイス、高耐圧デバイス、高周波デバイ
ス、短波長発光デバイス、紫外線センサ等の電子材料と
して、ＳｉＣ（炭化ケイ素）やダイヤモンドが注目され
ている。さらに、ダイヤモンドは、例えば平面表示装置
の電子放出電極材料としても期待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、大面積
で高品質の単結晶ＳｉＣウエハを製造する技術が確立さ
れていないため、ＳｉＣからなるデバイスを作製する場
合には小面積の単結晶ＳｉＣウエハまたは多結晶ＳｉＣ
ウエハを用いざるを得ない。多結晶ＳｉＣウエハ上には
多結晶ＳｉＣ層しかエピタキシャル成長しないので、高
品質の単結晶ＳｉＣ層からなる高性能のデバイスを作製
することができない。
で高品質の単結晶ＳｉＣウエハを製造する技術が確立さ
れていないため、ＳｉＣからなるデバイスを作製する場
合には小面積の単結晶ＳｉＣウエハまたは多結晶ＳｉＣ
ウエハを用いざるを得ない。多結晶ＳｉＣウエハ上には
多結晶ＳｉＣ層しかエピタキシャル成長しないので、高
品質の単結晶ＳｉＣ層からなる高性能のデバイスを作製
することができない。
【０００４】多結晶ＳｉＣウエハの代わりに単結晶Ｓｉ
（ケイ素）ウエハを用いると、単結晶Ｓｉウエハ上に単
結晶ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させることができ
る。しかしながら、Ｓｉの融点が１４００℃程度である
ため、成長温度を１４００℃以上の高温にすることがで
きない。そのため、単結晶Ｓｉウエハ上にエピタキシャ
ル成長する単結晶ＳｉＣ層の結晶性を上げることができ
ず、デバイスの性能を向上させることができない。
（ケイ素）ウエハを用いると、単結晶Ｓｉウエハ上に単
結晶ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させることができ
る。しかしながら、Ｓｉの融点が１４００℃程度である
ため、成長温度を１４００℃以上の高温にすることがで
きない。そのため、単結晶Ｓｉウエハ上にエピタキシャ
ル成長する単結晶ＳｉＣ層の結晶性を上げることができ
ず、デバイスの性能を向上させることができない。
【０００５】ダイヤモンドからなる単結晶ウエハを製造
する技術も確立されていないため、ダイヤモンドからな
るデバイスを作製する場合にも同様の問題が生じる。
する技術も確立されていないため、ダイヤモンドからな
るデバイスを作製する場合にも同様の問題が生じる。
【０００６】本発明の目的は、良好な結晶性を得るため
に高温での成長を必要とする材料からなる単結晶ウエハ
およびその製造方法を提供することである。
に高温での成長を必要とする材料からなる単結晶ウエハ
およびその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る単結晶ウエハの製造方法は、単結晶半導体か
らなる第１の基板上に所定の物質からなる第１の単結晶
層を第１の温度でエピタキシャル成長により形成する第
１の工程と、第１の単結晶層の所定の深さに所定の元素
を層状にイオン注入する第２の工程と、所定の元素がイ
オン注入された第１の単結晶層の上面を板状体に吸着ま
たは接着する第３の工程と、熱処理により、第１の単結
晶層中に注入された上記所定の元素の領域に層状に分布
する空隙を形成し、第１の単結晶層を層状に分布した空
隙の領域で切断して板状体に吸着または接着された第１
の単結晶層と第１の基板上に形成された第１の単結晶層
とに分離する第４の工程と、板状体に吸着または接着さ
れた第１の単結晶層を第１の基板よりも高い融点を有す
る第２の基板上に接着した後、第１の単結晶層から板状
体を取り外す第５の工程と、第２の基板上に接着された
第１の単結晶層上に上記所定の物質からなる第２の単結
晶層を第１の温度よりも高い第２の温度でエピタキシャ
ル成長により形成する第６の工程とを備えたものであ
る。
発明に係る単結晶ウエハの製造方法は、単結晶半導体か
らなる第１の基板上に所定の物質からなる第１の単結晶
層を第１の温度でエピタキシャル成長により形成する第
１の工程と、第１の単結晶層の所定の深さに所定の元素
を層状にイオン注入する第２の工程と、所定の元素がイ
オン注入された第１の単結晶層の上面を板状体に吸着ま
たは接着する第３の工程と、熱処理により、第１の単結
晶層中に注入された上記所定の元素の領域に層状に分布
する空隙を形成し、第１の単結晶層を層状に分布した空
隙の領域で切断して板状体に吸着または接着された第１
の単結晶層と第１の基板上に形成された第１の単結晶層
とに分離する第４の工程と、板状体に吸着または接着さ
れた第１の単結晶層を第１の基板よりも高い融点を有す
る第２の基板上に接着した後、第１の単結晶層から板状
体を取り外す第５の工程と、第２の基板上に接着された
第１の単結晶層上に上記所定の物質からなる第２の単結
晶層を第１の温度よりも高い第２の温度でエピタキシャ
ル成長により形成する第６の工程とを備えたものであ
る。
【０００８】本発明に係る単結晶ウエハの製造方法にお
いては、まず第１の工程で、単結晶半導体からなる第１
の基板上に所定の物質からなる第１の単結晶層をエピタ
キシャル成長させる。この場合、成長温度は第１の基板
が溶解しない第１の温度とする。第２の工程で、第１の
単結晶層の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入
し、第３の工程で、その第１の単結晶層の上面を板状体
に吸着または接着する。そして、第４の工程で、熱処理
により、第１の単結晶層にイオン注入により形成された
結晶欠陥における構成元素の不対結合手に上記所定の元
素を移動させ、その元素を不対結合手と結合させて不対
結合手を終端させる。それにより、第１の単結晶層中に
層状に分布した空隙を形成し、その層状に分布した領域
で第１の単結晶層を分断する。その結果、板状体に吸着
または接着された第１の単結晶層と第１の基板上に形成
された第１の単結晶層とが得られる。
いては、まず第１の工程で、単結晶半導体からなる第１
の基板上に所定の物質からなる第１の単結晶層をエピタ
キシャル成長させる。この場合、成長温度は第１の基板
が溶解しない第１の温度とする。第２の工程で、第１の
単結晶層の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入
し、第３の工程で、その第１の単結晶層の上面を板状体
に吸着または接着する。そして、第４の工程で、熱処理
により、第１の単結晶層にイオン注入により形成された
結晶欠陥における構成元素の不対結合手に上記所定の元
素を移動させ、その元素を不対結合手と結合させて不対
結合手を終端させる。それにより、第１の単結晶層中に
層状に分布した空隙を形成し、その層状に分布した領域
で第１の単結晶層を分断する。その結果、板状体に吸着
または接着された第１の単結晶層と第１の基板上に形成
された第１の単結晶層とが得られる。
【０００９】なお、イオン注入量が不足すると、移動し
た注入元素は空孔を形成し、分断に必要な空隙を形成し
ないので不適当である。また、注入エネルギーが低過ぎ
ると、分断した層が縦方向にも破断し、分断した層が一
体にならないので不適当である。
た注入元素は空孔を形成し、分断に必要な空隙を形成し
ないので不適当である。また、注入エネルギーが低過ぎ
ると、分断した層が縦方向にも破断し、分断した層が一
体にならないので不適当である。
【００１０】さらに、第５の工程で、板状体に吸着また
は接着された第１の単結晶層を第２の基板上に接着した
後、第１の単結晶層から板状体を取り外し、第６の工程
で、第２の基板上に接着された第１の単結晶層上に上記
所定の物質からなる第２の単結晶層をエピタキシャル成
長させる。この場合、第２の基板が第１の基板よりも高
い融点を有するので、成長温度を第１の温度よりも高い
第２の温度とすることができる。それにより、第１の単
結晶層上に高い結晶性を有する第２の単結晶層を形成す
ることができる。
は接着された第１の単結晶層を第２の基板上に接着した
後、第１の単結晶層から板状体を取り外し、第６の工程
で、第２の基板上に接着された第１の単結晶層上に上記
所定の物質からなる第２の単結晶層をエピタキシャル成
長させる。この場合、第２の基板が第１の基板よりも高
い融点を有するので、成長温度を第１の温度よりも高い
第２の温度とすることができる。それにより、第１の単
結晶層上に高い結晶性を有する第２の単結晶層を形成す
ることができる。
【００１１】このようにして、第２の基板上に第１の単
結晶層を介して結晶性の高い第２の単結晶層が形成され
た単結晶ウエハが得られる。
結晶層を介して結晶性の高い第２の単結晶層が形成され
た単結晶ウエハが得られる。
【００１２】第１の発明に係る単結晶ウエハの製造方法
が、第６の工程で第１の単結晶層上に形成された第２の
単結晶層の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入
する第７の工程と、第７の工程で所定の元素が注入され
た第２の単結晶層を板状体に吸着または接着する第８の
工程と、熱処理により、第２の単結晶層中に注入された
上記所定の元素の領域に層状に分布する空隙を形成し、
第２の単結晶層を層状に分布した空隙の領域で切断して
板状体に吸着または接着された第２の単結晶層と第２の
基板上に接着された第１の単結晶層上の第２の単結晶層
とに分離する第９の工程と、板状体に吸着または接着さ
れた第２の単結晶層を第３の基板上に接着した後、第２
の単結晶層から板状体を取り外す第１０の工程とをさら
に備えてもよい。
が、第６の工程で第１の単結晶層上に形成された第２の
単結晶層の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入
する第７の工程と、第７の工程で所定の元素が注入され
た第２の単結晶層を板状体に吸着または接着する第８の
工程と、熱処理により、第２の単結晶層中に注入された
上記所定の元素の領域に層状に分布する空隙を形成し、
第２の単結晶層を層状に分布した空隙の領域で切断して
板状体に吸着または接着された第２の単結晶層と第２の
基板上に接着された第１の単結晶層上の第２の単結晶層
とに分離する第９の工程と、板状体に吸着または接着さ
れた第２の単結晶層を第３の基板上に接着した後、第２
の単結晶層から板状体を取り外す第１０の工程とをさら
に備えてもよい。
【００１３】この場合、第７の工程で、第２の単結晶層
の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入し、第８
の工程で、第２の単結晶層を板状体に吸着または接着し
た後、第９の工程で、熱処理により、第２の単結晶層に
イオン注入により形成された結晶欠陥における構成元素
の不対結合手に上記所定の元素を移動させ、その元素を
不対結合手と結合させて不対結合手を終端させる。それ
により、第２の単結晶層中に層状に分布した空隙を形成
し、その層状に分布した空隙の領域で第２の単結晶層を
分断する。その結果、板状体に吸着または接着された第
２の単結晶層と第２の基板上に接着された第１の単結晶
層上の第２の単結晶層とが得られる。さらに、第１０の
工程で板状体に吸着または接着された第２の単結晶層を
第３の基板上に接着した後、第２の単結晶層から板状体
を取り外す。これにより、第３の基板上に結晶性の高い
第２の単結晶層が形成された単結晶ウエハが得られる。
の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入し、第８
の工程で、第２の単結晶層を板状体に吸着または接着し
た後、第９の工程で、熱処理により、第２の単結晶層に
イオン注入により形成された結晶欠陥における構成元素
の不対結合手に上記所定の元素を移動させ、その元素を
不対結合手と結合させて不対結合手を終端させる。それ
により、第２の単結晶層中に層状に分布した空隙を形成
し、その層状に分布した空隙の領域で第２の単結晶層を
分断する。その結果、板状体に吸着または接着された第
２の単結晶層と第２の基板上に接着された第１の単結晶
層上の第２の単結晶層とが得られる。さらに、第１０の
工程で板状体に吸着または接着された第２の単結晶層を
第３の基板上に接着した後、第２の単結晶層から板状体
を取り外す。これにより、第３の基板上に結晶性の高い
第２の単結晶層が形成された単結晶ウエハが得られる。
【００１４】また、第９の工程で第２の基板上に第１の
単結晶層を介して形成された第２の単結晶層を第６の工
程で再利用してもよい。これにより、材料の無駄を低減
することができる。
単結晶層を介して形成された第２の単結晶層を第６の工
程で再利用してもよい。これにより、材料の無駄を低減
することができる。
【００１５】さらに、第９の工程で第２の基板上に第１
の単結晶を介して形成された第２の単結晶層を第７の工
程で再利用してもよい。これにより、材料の無駄を低減
することができる。
の単結晶を介して形成された第２の単結晶層を第７の工
程で再利用してもよい。これにより、材料の無駄を低減
することができる。
【００１６】上記所定の物質は炭化ケイ素またはダイヤ
モンドであることが好ましい。この場合、炭化ケイ素ま
たはダイヤモンドの単結晶ウエハを製造することができ
る。
モンドであることが好ましい。この場合、炭化ケイ素ま
たはダイヤモンドの単結晶ウエハを製造することができ
る。
【００１７】特に、上記所定の元素が水素または弗素、
塩素、臭素、沃素などのハロゲン元素であることが好ま
しい。この場合、熱処理により、第１または第２の単結
晶層にイオン注入により形成された結晶欠陥における構
成元素の不対結合手に上記所定の元素を容易に移動さ
せ、その元素を不対結合手と結合させて不対結合手を終
端させ、それにより第１または第２の単結晶層中に層状
に分布した空隙を容易に形成することができる。
塩素、臭素、沃素などのハロゲン元素であることが好ま
しい。この場合、熱処理により、第１または第２の単結
晶層にイオン注入により形成された結晶欠陥における構
成元素の不対結合手に上記所定の元素を容易に移動さ
せ、その元素を不対結合手と結合させて不対結合手を終
端させ、それにより第１または第２の単結晶層中に層状
に分布した空隙を容易に形成することができる。
【００１８】第２の発明に係る単結晶ウエハは、基板
と、その基板上に接着された炭化ケイ素またはダイヤモ
ンドからなる第１の単結晶層と、第１の単結晶層上に形
成された炭化ケイ素またはダイヤモンドからなる第２の
単結晶層とを備えたものである。この単結晶ウエハは、
第１の発明に係る製造方法において、第６の工程で得ら
れる。
と、その基板上に接着された炭化ケイ素またはダイヤモ
ンドからなる第１の単結晶層と、第１の単結晶層上に形
成された炭化ケイ素またはダイヤモンドからなる第２の
単結晶層とを備えたものである。この単結晶ウエハは、
第１の発明に係る製造方法において、第６の工程で得ら
れる。
【００１９】本発明に係る単結晶ウエハを用いると、炭
化ケイ素またはダイヤモンドからなる高性能のデバイス
を作製することが可能になる。
化ケイ素またはダイヤモンドからなる高性能のデバイス
を作製することが可能になる。
【００２０】第３の発明に係る単結晶ウエハは、基板
と、その基板上に接着された炭化ケイ素またはダイヤモ
ンドからなる単結晶層とを備えたものである。この単結
晶ウエハは、第１の発明に係る製造方法において、第１
０の工程で得られる。
と、その基板上に接着された炭化ケイ素またはダイヤモ
ンドからなる単結晶層とを備えたものである。この単結
晶ウエハは、第１の発明に係る製造方法において、第１
０の工程で得られる。
【００２１】本発明に係る単結晶ウエハを用いると、炭
化ケイ素またはダイヤモンドからなる高性能のデバイス
を作製することが可能となる。
化ケイ素またはダイヤモンドからなる高性能のデバイス
を作製することが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１〜図５は本発明の一実施例に
おける単結晶ＳｉＣウエハの製造方法を示す模式的工程
図である。
おける単結晶ＳｉＣウエハの製造方法を示す模式的工程
図である。
【００２３】図１（ａ）に示す第１の基板１は単結晶Ｓ
ｉウエハからなる。まず、図１（ｂ）に示すように、第
１の基板１上にＣＶＤ法（化学的気相成長法）により厚
さ０．５〜５μｍの３Ｃ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ
層２をエピタキシャル成長させる。この場合の成長温度
はＳｉの融点よりも低い９００〜１３００℃とする。反
応ガスとしては、例えば、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等のＳ
ｉを含むガスおよびＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等のＣ（炭素）を
含むガスを用いる。
ｉウエハからなる。まず、図１（ｂ）に示すように、第
１の基板１上にＣＶＤ法（化学的気相成長法）により厚
さ０．５〜５μｍの３Ｃ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ
層２をエピタキシャル成長させる。この場合の成長温度
はＳｉの融点よりも低い９００〜１３００℃とする。反
応ガスとしては、例えば、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等のＳ
ｉを含むガスおよびＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等のＣ（炭素）を
含むガスを用いる。
【００２４】単結晶Ｓｉウエハ上への単結晶３Ｃ−Ｓｉ
Ｃ膜の成長については、例えば1996Electronic Materia
ls Conference, Session J: SiC Epitaxy, Thursday, J
une27, 1996において発表されている。
Ｃ膜の成長については、例えば1996Electronic Materia
ls Conference, Session J: SiC Epitaxy, Thursday, J
une27, 1996において発表されている。
【００２５】次に、図１（ｃ）に示すように、単結晶Ｓ
ｉＣ層２にＨ（水素）をイオン注入する。これにより、
単結晶ＳｉＣ層２中の所定の深さに原子状水素３の注入
領域が形成される。イオン注入の条件としては、水素イ
オン（Ｈ+ ）の加速エネルギーを５０〜２００ｋｅＶと
し、ドーズ量を０．５×１０17／ｃｍ2 〜２×１０17／
ｃｍ2 とする。
ｉＣ層２にＨ（水素）をイオン注入する。これにより、
単結晶ＳｉＣ層２中の所定の深さに原子状水素３の注入
領域が形成される。イオン注入の条件としては、水素イ
オン（Ｈ+ ）の加速エネルギーを５０〜２００ｋｅＶと
し、ドーズ量を０．５×１０17／ｃｍ2 〜２×１０17／
ｃｍ2 とする。
【００２６】この場合の注入されたＨの深さは、加速エ
ネルギーに従い下表のようになるので、所望の切断位置
に応じた加速エネルギーを用いる。
ネルギーに従い下表のようになるので、所望の切断位置
に応じた加速エネルギーを用いる。
【００２７】
【表１】
【００２８】次に、図２（ｄ）に示すように、第１の基
板１上に形成された単結晶ＳｉＣ層２の上面を真空チャ
ックを用いて複数の孔５を有する板状体４に吸着する。
板状体４としては、石英板、耐熱ガラス板等を用いる。
この状態で、４００〜６００℃で１〜３０分間の熱処理
を行う。これにより、原子状水素３がイオン注入により
形成された結晶欠陥における構成元素の不対結合手に移
動し、不対結合手と結合することによりその不対結合手
を終端する。その結果、単結晶ＳｉＣ２中の所定の深さ
に層状に分布する多数の空隙が形成され、さらに加熱に
伴う熱歪熱で単結晶ＳｉＣ層２が空隙の領域３ａで分断
される。
板１上に形成された単結晶ＳｉＣ層２の上面を真空チャ
ックを用いて複数の孔５を有する板状体４に吸着する。
板状体４としては、石英板、耐熱ガラス板等を用いる。
この状態で、４００〜６００℃で１〜３０分間の熱処理
を行う。これにより、原子状水素３がイオン注入により
形成された結晶欠陥における構成元素の不対結合手に移
動し、不対結合手と結合することによりその不対結合手
を終端する。その結果、単結晶ＳｉＣ２中の所定の深さ
に層状に分布する多数の空隙が形成され、さらに加熱に
伴う熱歪熱で単結晶ＳｉＣ層２が空隙の領域３ａで分断
される。
【００２９】その結果、図２（ｅ）に示すように、第１
の基板１上に形成された単結晶ＳｉＣ層２ａおよび板状
体４に吸着された単結晶ＳｉＣ層２ｂが得られる。この
場合の単結晶ＳｉＣ層２ａ，２ｂの表面の凸凹は数十ｎ
ｍ以下である。ここで、板状体４に吸着された単結晶Ｓ
ｉＣ２ｂの下面を研磨してもよい。
の基板１上に形成された単結晶ＳｉＣ層２ａおよび板状
体４に吸着された単結晶ＳｉＣ層２ｂが得られる。この
場合の単結晶ＳｉＣ層２ａ，２ｂの表面の凸凹は数十ｎ
ｍ以下である。ここで、板状体４に吸着された単結晶Ｓ
ｉＣ２ｂの下面を研磨してもよい。
【００３０】次に、図２（ｆ）に示すように、板状体４
に吸着された単結晶ＳｉＣ層２ｂの下面または後述する
第２の基板１１の上面に接着剤６を塗布する。接着剤６
としては、ＳＯＧ（Spin on Glass)、ＳｉＣあるいはＣ
粉末を有機溶剤に溶解させたもの、有機溶剤そのもの、
または炭水化物等を用いてもよい。
に吸着された単結晶ＳｉＣ層２ｂの下面または後述する
第２の基板１１の上面に接着剤６を塗布する。接着剤６
としては、ＳＯＧ（Spin on Glass)、ＳｉＣあるいはＣ
粉末を有機溶剤に溶解させたもの、有機溶剤そのもの、
または炭水化物等を用いてもよい。
【００３１】次いで、図３（ｇ）に示すように、板状体
４に吸着された単結晶ＳｉＣ層２ｂの下面を接着剤６を
介して第２の基板１１上に貼り付けた後、５００〜１０
００℃で１〜３０分間の熱処理を行う。第２の基板１１
としては、例えば厚さ０．５〜１ｍｍの３Ｃ−ＳｉＣか
らなる半導体純度の多結晶ＳｉＣ基板を用いる。熱処理
により、接着剤６中の有機溶剤が蒸発または炭化し、あ
るいは炭化水素が炭化し、第２の基板１１上に単結晶Ｓ
ｉＣ基板２ｂが接着される。その後、単結晶ＳｉＣ層２
ｂ上の板状体４を取り外す。
４に吸着された単結晶ＳｉＣ層２ｂの下面を接着剤６を
介して第２の基板１１上に貼り付けた後、５００〜１０
００℃で１〜３０分間の熱処理を行う。第２の基板１１
としては、例えば厚さ０．５〜１ｍｍの３Ｃ−ＳｉＣか
らなる半導体純度の多結晶ＳｉＣ基板を用いる。熱処理
により、接着剤６中の有機溶剤が蒸発または炭化し、あ
るいは炭化水素が炭化し、第２の基板１１上に単結晶Ｓ
ｉＣ基板２ｂが接着される。その後、単結晶ＳｉＣ層２
ｂ上の板状体４を取り外す。
【００３２】次に、図３（ｈ）に示すように、単結晶Ｓ
ｉＣ層２ｂ上にＣＶＤ法または昇華法により厚さ１μｍ
〜１０ｍｍの単結晶ＳｉＣ層１２をエピタキシャル成長
させる。第２の基板１１として融点が２８００℃程度の
多結晶ＳｉＣ基板を用いているので、成長温度を１３０
０〜２４００℃と高くすることができる。ＣＶＤ法での
反応ガスとしては、例えば、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等の
Ｓｉを含むガスおよびＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等のＣを含むガ
スを用いる。昇華法での原料としては、ＳｉＣ粒を用い
る。この場合、高温下でエピタキシャル成長が行われる
ので、結晶性の良好な３Ｃ−ＳｉＣからなる単結晶Ｓｉ
Ｃ層１２が得られ、成長温度を高くすると、６Ｈ−Ｓｉ
Ｃまたは４Ｈ−ＳｉＣからなる結晶性の高い単結晶Ｓｉ
Ｃ層１２が得られる。このようにして、単結晶ＳｉＣウ
エハＡが得られる。
ｉＣ層２ｂ上にＣＶＤ法または昇華法により厚さ１μｍ
〜１０ｍｍの単結晶ＳｉＣ層１２をエピタキシャル成長
させる。第２の基板１１として融点が２８００℃程度の
多結晶ＳｉＣ基板を用いているので、成長温度を１３０
０〜２４００℃と高くすることができる。ＣＶＤ法での
反応ガスとしては、例えば、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等の
Ｓｉを含むガスおよびＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等のＣを含むガ
スを用いる。昇華法での原料としては、ＳｉＣ粒を用い
る。この場合、高温下でエピタキシャル成長が行われる
ので、結晶性の良好な３Ｃ−ＳｉＣからなる単結晶Ｓｉ
Ｃ層１２が得られ、成長温度を高くすると、６Ｈ−Ｓｉ
Ｃまたは４Ｈ−ＳｉＣからなる結晶性の高い単結晶Ｓｉ
Ｃ層１２が得られる。このようにして、単結晶ＳｉＣウ
エハＡが得られる。
【００３３】成長するＳｉＣの結晶系は、反応ガス、キ
ャリアガス、圧力などの原料供給条件にも依存する。例
えば、昇華法を用い、Ａｒガスをキャリアとして圧力を
７６０Ｔｏｒｒとした場合、２１５０℃以下では３Ｃ−
ＳｉＣ、２２５０℃以上では６Ｈ−ＳｉＣ、それらの中
間の温度では他の成長条件により３Ｃ−ＳｉＣまたは６
Ｈ−ＳｉＣの良質な結晶性を有する単結晶ＳｉＣを得
た。さらに、圧力を下げ１０Ｔｏｒｒとすると、上記の
間の温度で、４Ｈ−ＳｉＣの良質な結晶性を有する単結
晶ＳｉＣを得た。
ャリアガス、圧力などの原料供給条件にも依存する。例
えば、昇華法を用い、Ａｒガスをキャリアとして圧力を
７６０Ｔｏｒｒとした場合、２１５０℃以下では３Ｃ−
ＳｉＣ、２２５０℃以上では６Ｈ−ＳｉＣ、それらの中
間の温度では他の成長条件により３Ｃ−ＳｉＣまたは６
Ｈ−ＳｉＣの良質な結晶性を有する単結晶ＳｉＣを得
た。さらに、圧力を下げ１０Ｔｏｒｒとすると、上記の
間の温度で、４Ｈ−ＳｉＣの良質な結晶性を有する単結
晶ＳｉＣを得た。
【００３４】次に、図３（ｉ）に示すように、単結晶Ｓ
ｉＣ層１２にＨをイオン注入する。これにより、単結晶
ＳｉＣ層１２中の所定の深さに原子状水素１３の注入領
域が形成される。図１（ｃ）の工程と同様に、イオン注
入の条件としては、水素イオン（Ｈ+ ）の加速エネルギ
ーを５０〜２００ｋｅＶとし、ドーズ量を０．５×１０
17／ｃｍ2 〜２×１０17／ｃｍ2 とする。
ｉＣ層１２にＨをイオン注入する。これにより、単結晶
ＳｉＣ層１２中の所定の深さに原子状水素１３の注入領
域が形成される。図１（ｃ）の工程と同様に、イオン注
入の条件としては、水素イオン（Ｈ+ ）の加速エネルギ
ーを５０〜２００ｋｅＶとし、ドーズ量を０．５×１０
17／ｃｍ2 〜２×１０17／ｃｍ2 とする。
【００３５】次に、図４（ｊ）に示すように、単結晶Ｓ
ｉＣ層１２の上面を真空チャックを用いて複数の孔５を
有する板状体４に吸着する。板状体４としては、石英
板、耐熱ガラス板等を用いる。この状態で、４００〜９
００℃で１〜３０分間の熱処理を行う。これにより、原
子状水素１３が単結晶ＳｉＣ層１２の内部にイオン注入
により形成された結晶欠陥における構成元素の不対結合
手に移動し、不対結合手を終端する。その結果、単結晶
ＳｉＣ層１２中の所定の深さに層状に分布する多数の空
隙が形成され、さらに熱歪で単結晶ＳｉＣ層１２が空隙
の領域１３ａで分断される。
ｉＣ層１２の上面を真空チャックを用いて複数の孔５を
有する板状体４に吸着する。板状体４としては、石英
板、耐熱ガラス板等を用いる。この状態で、４００〜９
００℃で１〜３０分間の熱処理を行う。これにより、原
子状水素１３が単結晶ＳｉＣ層１２の内部にイオン注入
により形成された結晶欠陥における構成元素の不対結合
手に移動し、不対結合手を終端する。その結果、単結晶
ＳｉＣ層１２中の所定の深さに層状に分布する多数の空
隙が形成され、さらに熱歪で単結晶ＳｉＣ層１２が空隙
の領域１３ａで分断される。
【００３６】その結果、図４（ｋ）に示すように、第２
の基板１１上に単結晶ＳｉＣ層２ｂを介して形成された
単結晶ＳｉＣ層１２ａおよび板状体４に吸着された単結
晶ＳｉＣ層１２ｂが得られる。ここで、板状体４に吸着
された単結晶ＳｉＣ層１２ｂの下面を研磨してもよい。
の基板１１上に単結晶ＳｉＣ層２ｂを介して形成された
単結晶ＳｉＣ層１２ａおよび板状体４に吸着された単結
晶ＳｉＣ層１２ｂが得られる。ここで、板状体４に吸着
された単結晶ＳｉＣ層１２ｂの下面を研磨してもよい。
【００３７】次に、図４（ｌ）に示すように、板状体４
に吸着された単結晶ＳｉＣ層１２ｂの下面または後述す
る第３の基板２１の上面に接着剤１６を塗布する。接着
剤１６としては、図２（ｆ）の工程と同様に、ＳＯＧ
（Spin on Glass)、ＳｉＣあるいはＣ粉末を有機溶剤に
溶解させたもの、有機溶剤そのもの、または炭水化物等
を用いてもよい。
に吸着された単結晶ＳｉＣ層１２ｂの下面または後述す
る第３の基板２１の上面に接着剤１６を塗布する。接着
剤１６としては、図２（ｆ）の工程と同様に、ＳＯＧ
（Spin on Glass)、ＳｉＣあるいはＣ粉末を有機溶剤に
溶解させたもの、有機溶剤そのもの、または炭水化物等
を用いてもよい。
【００３８】次いで、図５（ｍ）に示すように、板状体
４に吸着された単結晶ＳｉＣ層１２ｂの下面を接着剤１
６を介して第３の基板２１上に貼り付けた後、５００〜
１０００℃で１０〜３０分間の熱処理を行う。第３の基
板２１としては、第１の基板１と同様の単結晶Ｓｉ基板
または第２の基板１１と同様の半導体純度の多結晶Ｓｉ
Ｃ基板を用いる。これにより、接着剤１６中の有機溶剤
が蒸発または炭化し、あるいは炭化水素が炭化し、第３
の基板２１上に単結晶ＳｉＣ層１２ｂが接着される。そ
の後、単結晶ＳｉＣ層１２ｂ上の板状体４を取り外す。
このようにして、単結晶ＳｉＣウエハＢが得られる。
４に吸着された単結晶ＳｉＣ層１２ｂの下面を接着剤１
６を介して第３の基板２１上に貼り付けた後、５００〜
１０００℃で１０〜３０分間の熱処理を行う。第３の基
板２１としては、第１の基板１と同様の単結晶Ｓｉ基板
または第２の基板１１と同様の半導体純度の多結晶Ｓｉ
Ｃ基板を用いる。これにより、接着剤１６中の有機溶剤
が蒸発または炭化し、あるいは炭化水素が炭化し、第３
の基板２１上に単結晶ＳｉＣ層１２ｂが接着される。そ
の後、単結晶ＳｉＣ層１２ｂ上の板状体４を取り外す。
このようにして、単結晶ＳｉＣウエハＢが得られる。
【００３９】第３の基板２１として単結晶Ｓｉ基板を用
いた場合には、低温プロセス用の単結晶ＳｉＣウエハＢ
が得られる。第３の基板２１として多結晶ＳｉＣ基板を
用いた場合には、高温プロセス用の単結晶ＳｉＣウエハ
Ｂが得られる。
いた場合には、低温プロセス用の単結晶ＳｉＣウエハＢ
が得られる。第３の基板２１として多結晶ＳｉＣ基板を
用いた場合には、高温プロセス用の単結晶ＳｉＣウエハ
Ｂが得られる。
【００４０】一方、図４（ｋ）の工程で第２の基板１１
上に単結晶ＳｉＣ層２ｂを介して形成された単結晶Ｓｉ
Ｃ層１２ａは、図３（ｈ）の工程または図３（ｉ）の工
程で再利用することができる。この場合、図５（ｎ）に
示すように、単結晶ＳｉＣ層１２ａの上面を平坦化す
る。平坦化の方法としては、研磨またはガスクラスター
イオンビーム照射を用いる。ガスクラスターイオンビー
ムによるＳｉＣ表面平坦化については、例えば信学技報
ＳＤＭ９６−１５５（１９９６−１２）の第９５頁〜第
１０１頁に記載されている。
上に単結晶ＳｉＣ層２ｂを介して形成された単結晶Ｓｉ
Ｃ層１２ａは、図３（ｈ）の工程または図３（ｉ）の工
程で再利用することができる。この場合、図５（ｎ）に
示すように、単結晶ＳｉＣ層１２ａの上面を平坦化す
る。平坦化の方法としては、研磨またはガスクラスター
イオンビーム照射を用いる。ガスクラスターイオンビー
ムによるＳｉＣ表面平坦化については、例えば信学技報
ＳＤＭ９６−１５５（１９９６−１２）の第９５頁〜第
１０１頁に記載されている。
【００４１】単結晶ＳｉＣ層１２ａの厚さが分断する厚
さより薄い場合には、図３（ｈ）の工程で再利用する。
単結晶ＳｉＣ層１２ａの厚さが分断する厚さよりさらに
１μｍ以上厚い場合には、図３（ｉ）の工程で再利用す
る。
さより薄い場合には、図３（ｈ）の工程で再利用する。
単結晶ＳｉＣ層１２ａの厚さが分断する厚さよりさらに
１μｍ以上厚い場合には、図３（ｉ）の工程で再利用す
る。
【００４２】上記のように、本実施例の製造方法によれ
ば、図３（ｈ）の工程で、第２の基板１１上に単結晶Ｓ
ｉＣ層２ｂを介して結晶性の高い単結晶ＳｉＣ層１２が
形成された単結晶ＳｉＣウエハＡが得られる。また、図
５（ｍ）の工程で、第３の基板２１上に結晶性の高い単
結晶ＳｉＣ層１２ｂが形成された単結晶ＳｉＣウエハＢ
が得られる。
ば、図３（ｈ）の工程で、第２の基板１１上に単結晶Ｓ
ｉＣ層２ｂを介して結晶性の高い単結晶ＳｉＣ層１２が
形成された単結晶ＳｉＣウエハＡが得られる。また、図
５（ｍ）の工程で、第３の基板２１上に結晶性の高い単
結晶ＳｉＣ層１２ｂが形成された単結晶ＳｉＣウエハＢ
が得られる。
【００４３】次に、本発明の他の実施例における単結晶
ダイヤモンドウエハの製造方法を説明する。
ダイヤモンドウエハの製造方法を説明する。
【００４４】単結晶ダイヤモンドウエハの製造の際に
は、図１（ｂ）の工程で、ＣＶＤ法の代わりにプラズマ
ＣＶＤ法を用い、反応ガスとして例えばＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ
6 等のＣを含むガスを用いる。これにより、第１の基板
１上に単結晶ダイヤモンド層が形成される。図２（ｆ）
の工程では、接着剤６としてグラファイト粉末を有機溶
剤に溶解させたもの、有機溶剤そのもの、炭水化物等を
用いる。また、図３（ｇ）の工程では、第２の基板１１
として半導体純度の多結晶ＳｉＣ基板、グラファイト基
板または半導体純度のＳｉＣ膜で被覆したグラファイト
基板を用いる。図３（ｈ）の工程では、ＣＶＤ法または
プラズマＣＶＤ法を用い、反応ガスとして例えばＣ
Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ6 等のＣを含むガスを用いる。他の工程
は、単結晶ＳｉＣウエハの場合と同様である。
は、図１（ｂ）の工程で、ＣＶＤ法の代わりにプラズマ
ＣＶＤ法を用い、反応ガスとして例えばＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ
6 等のＣを含むガスを用いる。これにより、第１の基板
１上に単結晶ダイヤモンド層が形成される。図２（ｆ）
の工程では、接着剤６としてグラファイト粉末を有機溶
剤に溶解させたもの、有機溶剤そのもの、炭水化物等を
用いる。また、図３（ｇ）の工程では、第２の基板１１
として半導体純度の多結晶ＳｉＣ基板、グラファイト基
板または半導体純度のＳｉＣ膜で被覆したグラファイト
基板を用いる。図３（ｈ）の工程では、ＣＶＤ法または
プラズマＣＶＤ法を用い、反応ガスとして例えばＣ
Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ6 等のＣを含むガスを用いる。他の工程
は、単結晶ＳｉＣウエハの場合と同様である。
【００４５】このようにして、図３（ｈ）の工程で、第
２の基板１１上に単結晶ダイヤモンド層を介して結晶性
の高い単結晶ダイヤモンド層が形成された単結晶ダイヤ
モンドウエハが得られる。また、図５（ｍ）の工程で、
第３の基板２１上に結晶性の高い単結晶ダイヤモンド層
が形成された単結晶ダイヤモンドウエハが得られる。
２の基板１１上に単結晶ダイヤモンド層を介して結晶性
の高い単結晶ダイヤモンド層が形成された単結晶ダイヤ
モンドウエハが得られる。また、図５（ｍ）の工程で、
第３の基板２１上に結晶性の高い単結晶ダイヤモンド層
が形成された単結晶ダイヤモンドウエハが得られる。
【００４６】なお、第１の基板１、第２の基板１１およ
び第３の基板２１の材料は上記実施例に限定されず、他
の材料を用いてもよい。例えば、第３の基板２１の材料
として石英や耐熱ガラスを用いてもよい。
び第３の基板２１の材料は上記実施例に限定されず、他
の材料を用いてもよい。例えば、第３の基板２１の材料
として石英や耐熱ガラスを用いてもよい。
【００４７】また、上記実施例では、図２（ｄ）および
図４（ｊ）の工程で単結晶ＳｉＣ層２，１２を分断する
ために図１（ｃ）および図３（ｉ）の工程で単結晶Ｓｉ
Ｃ層２，１２にＨをイオン注入しているが、Ｈの代わり
に弗素、塩素、臭素、沃素等のハロゲン元素を用いるこ
ともできる。
図４（ｊ）の工程で単結晶ＳｉＣ層２，１２を分断する
ために図１（ｃ）および図３（ｉ）の工程で単結晶Ｓｉ
Ｃ層２，１２にＨをイオン注入しているが、Ｈの代わり
に弗素、塩素、臭素、沃素等のハロゲン元素を用いるこ
ともできる。
【図１】本発明の一実施例における単結晶ＳｉＣウエハ
の製造方法を示す模式的工程図である。
の製造方法を示す模式的工程図である。
【図２】本発明の一実施例における単結晶ＳｉＣウエハ
の製造方法を示す模式的工程図である。
の製造方法を示す模式的工程図である。
【図３】本発明の一実施例における単結晶ＳｉＣウエハ
の製造方法を示す模式的工程図である。
の製造方法を示す模式的工程図である。
【図４】本発明の一実施例における単結晶ＳｉＣウエハ
の製造方法を示す模式的工程図である。
の製造方法を示す模式的工程図である。
【図５】本発明の一実施例における単結晶ＳｉＣウエハ
の製造方法を示す模式的工程図である。
の製造方法を示す模式的工程図である。
１ 第１の基板 ２，２ａ，２ｂ，１２，１２ａ，１２ｂ 単結晶ＳｉＣ
層 ３，１３ 原子状水素 ３ａ，１３ａ 空隙の領域 ４ 板状体 ５ 孔 ６，１６ 接着剤 １１ 第２の基板 ２１ 第３の基板 Ａ，Ｂ 単結晶ＳｉＣウエハ
層 ３，１３ 原子状水素 ３ａ，１３ａ 空隙の領域 ４ 板状体 ５ 孔 ６，１６ 接着剤 １１ 第２の基板 ２１ 第３の基板 Ａ，Ｂ 単結晶ＳｉＣウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 知晃 大阪府枚方市津田山手２−８−１ 株式会 社イオン工学研究所内 (72)発明者 原 徹 東京都小金井市梶野町３−７−２ 法政大 学工学部電気工学科内
Claims (10)
- 【請求項１】 単結晶半導体からなる第１の基板上に所
定の物質からなる第１の単結晶層を第１の温度でエピタ
キシャル成長により形成する第１の工程と、 前記第１の単結晶層の所定の深さに所定の元素を層状に
イオン注入する第２の工程と、 前記所定の元素が注入された前記第１の単結晶層の上面
を板状体に吸着または接着する第３の工程と、 熱処理により、前記第１の単結晶層中に注入された前記
所定の元素の領域に層状に分布する空隙を形成し、前記
第１の単結晶層を前記層状に分布した空隙の領域で切断
して前記板状体に吸着または接着された第１の単結晶層
と前記第１の基板上に形成された第１の単結晶層とに分
離する第４の工程と、 前記板状体に吸着または接着された前記第１の単結晶層
を前記第１の基板よりも高い融点を有する第２の基板上
に接着した後、前記第１の単結晶層から前記板状体を取
り外す第５の工程と、 前記第２の基板上に接着された前記第１の単結晶層上に
前記所定の物質からなる第２の単結晶層を前記第１の温
度よりも高い第２の温度でエピタキシャル成長により形
成する第６の工程とを備えたことを特徴とする単結晶ウ
エハの製造方法。 - 【請求項２】 前記第６の工程で前記第１の単結晶層上
に形成された前記第２の単結晶層の所定の深さに所定の
元素を層状にイオン注入する第７の工程と、 前記第７の工程で前記所定の元素が注入された前記第２
の単結晶層の上面を板状体に吸着または接着する第８の
工程と、 熱処理により、前記第２の単結晶層中に注入された前記
所定の元素の領域に層状に分布する空隙を形成し、前記
第２の単結晶層を前記層状に分布した空隙の領域で切断
して前記板状体に吸着または接着された第２の単結晶層
と前記第２の基板上に接着された前記第１の単結晶層上
の第２の単結晶層とに分離する第９の工程と、 前記板状体に吸着または接着された前記第２の単結晶層
を第３の基板上に接着した後、前記第２の単結晶層から
前記板状体を取り外す第１０の工程とをさらに備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の単結晶ウエハの製造方
法。 - 【請求項３】 前記第９の工程で前記第２の基板上に前
記第１の単結晶層を介して形成された前記第２の単結晶
層を前記第６の工程で再利用することを特徴とする請求
項１または２記載の単結晶ウエハの製造方法。 - 【請求項４】 前記第９の工程で前記第２の基板上に前
記第１の単結晶層を介して形成された前記第２の単結晶
層を前記第７の工程で再利用することを特徴とする請求
項２記載の単結晶ウエハの製造方法。 - 【請求項５】 前記所定の物質は炭化ケイ素またはダイ
ヤモンドであることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
かに記載の単結晶ウエハの製造方法。 - 【請求項６】 前記所定の元素は水素またはハロゲン元
素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記
載の単結晶ウエハの製造方法。 - 【請求項７】 前記第１の基板は単結晶シリコンからな
ることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の単
結晶ウエハの製造方法。 - 【請求項８】 前記第２の基板は多結晶炭化ケイ素また
はグラファイトからなることを特徴とする請求項１〜７
のいずれかに記載の単結晶ウエハの製造方法。 - 【請求項９】 基板と、 前記基板上に接着された炭化ケイ素またはダイヤモンド
からなる第１の単結晶層と、 前記第１の単結晶層上に形成された炭化ケイ素またはダ
イヤモンドからなる第２の単結晶層とを備えたことを特
徴とする単結晶ウエハ。 - 【請求項１０】 基板と、 前記基板上に接着された炭化ケイ素またはダイヤモンド
からなる単結晶層とを備えたことを特徴とする単結晶ウ
エハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2817197A JPH10223496A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 単結晶ウエハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2817197A JPH10223496A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 単結晶ウエハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223496A true JPH10223496A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12241299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2817197A Pending JPH10223496A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 単結晶ウエハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223496A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006527480A (ja) * | 2003-06-06 | 2006-11-30 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 自立を誘発することによって薄肉化された極薄層の製造方法 |
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| JP2019169725A (ja) * | 2019-05-09 | 2019-10-03 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ複合基板 |
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1997
- 1997-02-12 JP JP2817197A patent/JPH10223496A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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