JP2004022730A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2枚の半導体基板を、デバイスパターン23,24が形成されている側の面を対向させて金属バンプ25により接合し、その隙間に樹脂26を充填した後、各半導体基板を研磨して所定の厚さに薄化する(21,22)。さらに、ビアホール、絶縁膜27を形成し、該絶縁膜の金属バンプ25に接触している部分の一部を開口し、ビアホール内を導体28で埋め込み、該導体上に電極パッド29を形成して構造体20a,20b,20cとし、電極パッド29を介して各構造体20a,20b,20cを相互に電気的に接続して多段に積み重ね、半導体装置10とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に、半導体装置の高密度化及び多ピン化を意図した3次元実装を行うにあたり薄型化に伴って発生する不具合を解消するのに有用な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置(デバイス)の高密度化及び多ピン化を図るための手法として、様々な方法が提案されている。その1つの方法として、例えば、ビルドアップ法を利用して多層構造の配線基板を作製し、この多層配線基板に半導体チップ等の素子を実装したものをデバイスとする方法がある。
【0003】
また、別の方法としては、配線基板を多層構造とはせずに、1枚の絶縁性基板の両面に配線パターンを形成したものを配線基板とし、その一方の面の配線パターン上に半導体チップ等の素子を搭載したものをデバイスとして、かかるデバイスを多段に積み重ねて3次元実装する方法がある。この方法では、各配線基板上に搭載した各半導体チップを相互に電気的に接続する必要があるため、各配線基板には当該基板を貫通するスルーホールが形成され、このスルーホールの内面に形成されためっき膜(導体層)を介して当該基板の両面の配線パターンが電気的に接続されている。
【0004】
また、3次元実装を行う別の手法として、シリコン(Si)基板を基材層として用い、このシリコン基板に所要の深さで穴を明けて、この穴をめっき等により導体で充填した後、シリコン基板の表面に、当該導体に電気的に接続されるように所望のデバイスパターン(回路パターン、配線パターン等を含む)を形成し、さらにデバイスパターンをポリイミド樹脂等からなる絶縁膜で被覆した後、シリコン基板の裏面をバックグラインド法等により研磨して導体を露出させ、この露出した導体上に金属バンプ(外部接続端子)を設けたものをデバイスとして、かかるデバイスを多段に積み重ねる方法が考えられる。
【0005】
この方法においても、各デバイスを相互に電気的に接続する必要があり、そのため、当該デバイスの絶縁膜にスルーホールを形成して内面にめっきを施し、このめっき膜を介してデバイスパターンと上側のデバイスの金属バンプとを電気的に接続する必要がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように半導体装置の高密度化及び多ピン化を図るための手法としては様々な技術が提案されているが、このうち、ビルドアップ法を用いる方法では、配線基板が多層化されているためにその厚さは相当なものになり、最終的な形態である半導体装置全体として見た場合にその規模が大型化し、昨今要求されている薄型化に応えられないといった不利がある。
【0007】
また、絶縁性基板を用いて形成したデバイスを多段に積み重ねる方法では、複数の半導体チップを相互に3次元実装しているため、上記のビルドアップ法を用いる方法と比べると、高密度化及び多ピン化という点では有利であるが、半導体チップを各配線基板間に介在させているため、上記と同様に薄型化という点では難点がある。
【0008】
一方、シリコン基板を用いて形成したデバイスを多段に積み重ねる方法では、シリコン基板の裏面を研磨してその厚さを薄くしているため、薄型化という点では有利であるが、その反面、以下の課題がある。
【0009】
すなわち、この方法では、シリコン基板を薄くするためにバックグラインド法等の機械研磨を行っているため、その機械的衝撃に起因して、シリコン基板を薄くする厚さにも限界があり、過度に薄型化を行うと、シリコン基板にクラックが生じたり、また場合によってはシリコン基板が割れてしまう(破損)といった問題がある。
【0010】
また、個々のデバイスについて見ると、デバイスパターンが形成されている側の表面はポリイミド樹脂等の絶縁膜であるのに対し、裏面は導体であるため、両面の熱膨張係数が異なることに起因して、例えば研磨処理を行ったときに表と裏で発生する応力に差が生じ、そのためにシリコン基板が反ってしまうといった問題もある。
【0011】
本発明は、上述した従来技術における課題に鑑み創作されたもので、高密度化及び多ピン化を意図した3次元実装を行うにあたり、薄型化に伴って発生する不具合(半導体基板の破損、クラックの発生、半導体基板の反りなど)を解消することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、所要の形状にパターニングされた導体層がそれぞれ一方の面にのみ形成された2枚の半導体基板を、各導体層が形成されている側の面を対向させて金属バンプにより接合する工程と、該金属バンプにより接合された各導体層間の隙間に絶縁性樹脂を充填する工程と、前記各半導体基板の露出している側の面をそれぞれ研磨して所定の厚さに薄化する工程と、該薄化された各半導体基板の所要の箇所に、それぞれ前記金属バンプに到達するビアホールを形成する工程と、該形成されたビアホールの内面を含めて前記各半導体基板の表面にそれぞれ絶縁膜を形成する工程と、前記ビアホール内に形成された各絶縁膜の、前記金属バンプに接触している部分の少なくとも一部を開口する工程と、前記ビアホール内を導体で埋め込み、さらに前記各絶縁膜上に、所要の形状にパターニングされ、かつ、当該導体に電気的に接続された電極パッドを形成する工程と、以上の工程により得られた構造体を、所要の個数分、前記電極パッドを介して相互に電気的に接続して多段に積み重ねる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【0013】
この形態に係る半導体装置の製造方法によれば、先ず、2枚の半導体基板をそれぞれ導体層(デバイスパターン)が形成されている側の面を対向させて金属バンプにより接合し、さらにその隙間に絶縁性樹脂を充填したものを作製した後、その両面、すなわち、各半導体基板の露出している側の面をそれぞれ研磨して各基板の厚さを薄くしているので、最終的に製造される3次元実装形態の半導体装置全体として薄型化を図ることができる。
【0014】
また、各半導体基板の対向する導体層間の隙間に絶縁性樹脂が充填されているので、各基板の研磨(薄化処理)の際に生じる機械的衝撃をその絶縁性樹脂で有効に吸収し和らげることができる。つまり、この絶縁性樹脂はクッション(緩衝層)として機能する。これによって、半導体基板の薄型化を現状技術の限界に近いレベルまで行った場合でも、従来技術に見られたような、半導体基板のクラックの発生あるいは破損といった不具合を解消することができる。つまり、半導体基板の耐クラック性を向上させることが可能となる。
【0015】
さらに、2枚の半導体基板を各々の導体層(デバイスパターン)が形成されている側の面を対向させて鏡のように張り合わせたものを研磨(薄化処理)の対象としているので、従来技術に見られたような、表面と裏面で発生する応力の差に起因する半導体基板の反りといった不具合を解消することができる。つまり、半導体基板の反りの矯正を行うことができる。
【0016】
また、本発明の他の形態によれば、所要の形状にパターニングされた導体層がそれぞれ一方の面にのみ形成された2枚の半導体基板を、各導体層が形成されている側の面を対向させて金属バンプにより接合する工程と、該金属バンプにより接合された各導体層間の隙間に絶縁性樹脂を充填する工程と、前記各半導体基板の露出している側の面をそれぞれ研磨し、一方の半導体基板のみを所定の厚さに薄化する工程と、該薄化された一方の半導体基板の所要の箇所に、前記金属バンプに到達するビアホールを形成する工程と、該形成されたビアホールの内面を含めて前記各半導体基板の表面にそれぞれ絶縁膜を形成する工程と、前記ビアホール内に形成された絶縁膜の、前記金属バンプに接触している部分の少なくとも一部を開口する工程と、前記ビアホール内を導体で埋め込み、さらに前記一方の半導体基板上の絶縁膜上に、所要の形状にパターニングされ、かつ、当該導体に電気的に接続された電極パッドを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【0017】
この形態に係る半導体装置の製造方法においても、上記の形態に係る半導体装置の製造方法と同様に、2枚の半導体基板を各々の導体層(デバイスパターン)が形成されている側の面を対向させて金属バンプにより接合し、その隙間に絶縁性樹脂を充填したものを作製した後、各半導体基板の露出している側の面をそれぞれ研磨して、一方の半導体基板を所定の厚さに薄くしているので、最終的に製造される半導体装置全体として薄型化を図ることができる。また、緩衝層として機能する絶縁性樹脂の存在により、研磨(薄化処理)の際に生じる機械的衝撃を和らげることができ、半導体基板のクラックの発生等の不具合を解消することができる。さらに、2枚の半導体基板を各々の導体層(デバイスパターン)が形成されている側の面を対向させて鏡のように張り合わせたものを研磨(薄化処理)の対象としているので、表面と裏面で発生する応力の差に起因する半導体基板の反りといった不具合を解消することができる。
【0018】
また、本発明の更に他の形態によれば、上述した各形態に係る半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施形態に係る半導体装置の断面的な構成を模式的に示したものである。
【0020】
本実施形態に係る半導体装置10は、図示のように各構造体20a,20b,20cを3段に積み重ねてなる3次元実装形態を有している。各構造体20a,20b,20cにおいて、21及び22はそれぞれ所定の厚さに薄化されたシリコン基板、23及び24はそれぞれ対応するシリコン基板21,22の一方の面に形成された所要の回路パターン、配線パターン等を含むデバイスパターンからなる導体層、25は後述するように各導体層23,24を介して2枚のシリコン基板21,22を接合する金属バンプ、26は金属バンプ25により接合された各導体層23,24間の隙間に充填されて形成された絶縁性樹脂層を示す。ここに、金属バンプ25はメタルポストとして機能し、絶縁性樹脂層26は、後述するようにシリコン基板の薄化処理の際に生じる機械的衝撃を和らげるための緩衝層として機能し、同時に補強剤としての役割も果たす。
【0021】
また、27は各構造体20a,20b,20cの保護膜としてそれぞれ機能する絶縁膜、28は各シリコン基板21,22に形成されたビアホールに充填された導体、29は導体28に電気的に接続されて各絶縁膜27上に形成された電極パッドを示す。ここに、導体28は、ビアホール内の絶縁膜27の一部に形成された開口部(図3(b)においてOPで示す部分)を介して金属バンプ25に電気的に接続されている。従って、各構造体20a,20b,20cの両面に形成された電極パッド29は、それぞれ導体28及び金属バンプ25を介して相互に接続されている。
【0022】
ここに、各構造体20a,20b,20cの厚さは50μm程度に選定され、薄化されたシリコン基板21,22の厚さ(t1,t2)は3μm〜20μm程度に選定され、絶縁性樹脂層(緩衝層)26の厚さは30μm程度に選定されている。
【0023】
また、30a,30b及び30cはそれぞれ対応する構造体20a,20b,20cの一方の面側(図示の例では下側)の電極パッド29に接合された金属バンプを示し、このうち、最下段の構造体20aの電極パッド29に接合された金属バンプ30aは、本装置10の外部接続端子として機能する。また、31は積み重ねられた各構造体20a,20b,20c間の隙間にそれぞれアンダーフィルとして充填された絶縁性樹脂層を示す。
【0024】
以上の構成において、金属バンプ25、30a,30b,30cを構成する材料としては、一般的に用いられる鉛−錫(Pb−Sn)等の共晶はんだの他に、銀−錫(Ag−Sn)等のPbフリーはんだが用いられ、あるいは金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、インジウム(In)又はその合金(In−Pb、In−Sn等)、ニッケル(Ni)等が用いられる。また、各バンプ25、30a,30b,30cの形成方法としては、一般的に用いられるフォトプロセスを利用しためっき法や、ワイヤボンディング技術を応用したスタッドバンプ等のボールバンプが用いられる。
【0025】
また、回路パターン、配線パターン等を含むデバイスパターン(導体層23,24)の材料としては、典型的にはCuが用いられるが、更に導電性を高め、かつ、金属バンプ25との接続信頼性を高めるために、例えばAu、Sn等の被覆を施すのが好ましい。また、導体28及び電極パッド29の材料としては、例えばAu、Cu、Ni、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)等が用いられる。また、絶縁性樹脂層(緩衝層)26及び絶縁性樹脂層(アンダーフィル材)31の材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。また、絶縁膜(保護膜)27の材料としては、例えば化学気相成長(CVD)法によるシリコン酸化膜、リンガラス(PSG)等の他に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の感光性樹脂が用いられる。
【0026】
なお、本実施形態では図1に示すように外部接続端子(金属バンプ30a)を設けているが、これは必ずしも設ける必要はない。かかる外部接続端子は、実際の使用に際して本装置10をプリント基板等のマザーボードに実装する直前に設けてもよいからである。従って、本装置10の最終的な形態としては、外部接続端子(金属バンプ30a)が接合可能なように電極パッド29が露出していれば十分である。
【0027】
以下、本実施形態に係る半導体装置10を製造する方法について、その製造工程を順に示す図2〜図4を参照しながら説明する。
【0028】
先ず最初の工程では(図2(a)参照)、一方の面にそれぞれ所要の形状にパターニングされた導体層23及び24が形成された2枚のシリコン基板21a及び22aを、各導体層23,24が形成されている側の面を対向させて金属バンプ25により接合する。
【0029】
具体的には、先ず、厚さが100μm〜300μm程度の比較的厚い2枚のシリコン基板21a,22aを用意し、周知のフォトリソグラフィ技術により各シリコン基板21a,22aの一方の面にそれぞれ所要のデバイスパターン(導体層23,24)を形成し、次いで一方のシリコン基板21aの導体層23上の所定の位置に、複数の金属バンプ25を、例えば超音波接合(超音波の熱作用やキャビテーション効果を利用した接合法)、熱圧着(ワイヤボンディング法、リフローはんだ付け法)等により接合する。更にこのシリコン基板21aの金属バンプ25が接合されている側の面に、他方のシリコン基板22aの導体層24が形成されている側の面を対向させて、各導体層23,24を介して金属バンプ25により2枚のシリコン基板21a,22aを接合する。つまり、金属バンプ25を介して2枚のシリコン基板21a,22aを張り合わせた形態の構造体を作製する。
【0030】
次の工程では(図2(b)参照)、前の工程で作製された構造体(金属バンプ25を介して2枚のシリコン基板21a,22aを張り合わせたもの)を真空チャンバ内に配置し、金属バンプ25により接合された各導体層23,24間の隙間にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を充填し、厚さが30μm程度の絶縁性樹脂層26を形成する。
【0031】
次の工程では(図2(c)参照)、前の工程で得られた構造体の両面、すなわち、各シリコン基板21a,22aの露出している側の面を、バックグラインド法等の機械研磨によりそれぞれ研磨して薄化し、厚さ(t1≒t2)が3μm〜20μm程度のシリコン基板21,22とする。なお、図中破線で示す部分は、研磨によって除去された部分を表している。
【0032】
次の工程では(図2(d)参照)、前の工程で薄化されたシリコン基板21,22の所要の箇所に、それぞれ金属バンプ25に到達するビアホールVHを形成する。このビアホールVHは、例えばCO2 レーザ、YAGレーザ、エキシマレーザ等による穴明け処理、プラズマエッチャー等によるエッチング処理などにより形成することができる。
【0033】
次の工程では(図3(a)参照)、例えばCVD法により、各シリコン基板21,22に形成されたビアホールVHの内面を含めて基板全面にシリコン酸化膜(SiO2 )、すなわち絶縁膜27を形成する。
【0034】
この絶縁膜27は、後の工程でビアホールVH内に埋め込まれる導体層とシリコン基板21,22とを電気的に絶縁するために形成されるものであり、また、前述したように保護膜としての機能も有している。
【0035】
本工程では、絶縁膜27としてシリコン酸化膜を形成しているが、これに代えて、例えばリンガラス(PSG)をCVD法により形成してもよい。あるいは、別の形態として、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂(特に感光性樹脂)を全面に塗布して絶縁膜27とすることも可能である。
【0036】
次の工程では(図3(b)参照)、前の工程で形成された両面の各絶縁膜27のうちビアホールVH内に形成された絶縁膜27の、金属バンプ25に接触している部分の少なくとも一部を開口する(開口部OP)。この開口部OPは、図2(d)の工程で行った処理と同様にして、例えばCO2 レーザ、YAGレーザ等による穴明け処理、プラズマエッチャー等によるエッチング処理などにより形成することができる。
【0037】
これによって、ビアホールVH内の絶縁膜27の開口部OPに対応する部分、すなわち、金属バンプ25の一部が露出する。
【0038】
本工程では、レーザやプラズマエッチング等により絶縁膜27に開口部OPを形成しているが、絶縁膜27として感光性樹脂を塗布したものを用いている場合には、周知のフォトリソグラフィ技術により開口部OPを形成することも可能である。
【0039】
次の工程では(図3(c)参照)、例えば、無電解めっき及び電解めっきにより、各シリコン基板21,22に形成されたビアホールVH(その内部に形成された絶縁膜27の一部が開口(開口部OP)されたもの)を埋め込むようにして導体層CLを形成する。
【0040】
具体的には、先ず全面にニッケル(Ni)の無電解めっきを施し、更にその上に金(Au)の無電解めっきを施し、あるいはNi層を給電層としてAuの電解めっきによるフラッシュめっき(非常に薄い厚さのめっき)を施し、更にAu層を給電層として、ビアホールVHを埋め込むように銅(Cu)の電解めっきを施して3層(Ni/Au/Cu)の導体層CLを形成する。ここに、導体層CLにおけるNi層は、下地の絶縁膜(SiO2 )27との密着性を高めるためのものであり、Au層は、Cuの電解めっきを施す際の電気抵抗を下げるために形成される。
【0041】
このようにして形成された導体層CLのうち、ビアホールVHに埋め込まれた部分の導体28は、後の工程でその上に電極パッドを形成するのに用いられる。また、この段階では、単にめっき等の処理が行われているにすぎないので、図示のように絶縁膜27上のビアホールVH以外の部分にも導体層28aが形成されている。
【0042】
次の工程では(図3(d)参照)、例えば機械研磨、化学機械研磨(CMP)等により、絶縁膜27上のビアホールVHに埋め込まれた導体28の上端面が露出するまで、ビアホールVH以外の部分に形成された不要な導体層28aを除去し、表面を平坦化する。
【0043】
次の工程では(図4(a)参照)、両面の各絶縁膜27上に、ビアホールVH内に埋め込まれた導体28に電気的に接続されるように所要の形状の電極パッド29を形成する。
【0044】
例えば、全面にレジスト(図示せず)を塗布もしくは形成して所要の形状にパターニングを行い、このレジストをマスクとしてCu、Al、Au、Cr等のスパッタリングを施すことで電極パッド29を形成することができる。あるいは、スパッタリングに代えて、めっきを行ってもよい。
【0045】
以上の工程により、本装置10を構成する各構造体20a,20b,20cが作製されたことになる。なお、図4(a)の例では最下段の構造体20aが示されているが、他の構造体20b,20cについても、図2(a)〜図4(a)の工程により同様に作製することができる。但し、構造体20b,20cについては、図2(d)の工程においてビアホールVHを形成する位置が異なる点で、最下段の構造体20aと相違する。
【0046】
次の工程では(図4(b)参照)、前の工程で形成された構造体20aの下側の電極パッド29に金属バンプ30aを接合する。図示はしていないが、他の構造体20b,20cについても同様に金属バンプ30b,30cを接合する。この場合、最下段の構造体20aに係る金属バンプ30aについては、上述したように必ずしも設ける必要はない。
【0047】
金属バンプ30a,30b,30cの材料としては、はんだや、Au、Ag、In等が用いられるが、例えばInを用いた場合には、その融点が他の金属と比べてかなり低いため、バンプ接合に際し内部の樹脂層(この場合、絶縁性樹脂層26)に与える熱的影響を抑えることができるというメリットがある。
【0048】
最後の工程では(図4(c)参照)、金属バンプ30a,30b,30cがそれぞれ接合された各構造体20a,20b,20cを積み重ね、熱圧着等により金属バンプ30b,30cを介して相互に電気的に接続する。なお、最下段の構造体20aの金属バンプ30aは、外部接続端子として用いられる。
【0049】
さらに、積み重ねられた各構造体20a,20b,20c間の隙間にそれぞれアンダーフィルとして絶縁性樹脂を充填し(絶縁性樹脂層31)、本実施形態の半導体装置10(図1)を得る。
【0050】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置10(図1)及びその製造方法(図2〜図4)によれば、各シリコン基板21a,22aをそれぞれデバイスパターン(導体層23,24)が形成されている側の面を対向させて金属バンプ25により接合し、さらにその隙間に絶縁性樹脂(緩衝層)26を充填したものを作製した後、各シリコン基板21a,22aの露出している側の面をそれぞれ研磨して各基板の厚さを薄くしているので(シリコン基板21,22)、最終的に製造される3次元実装形態の半導体装置10全体として薄型化を図ることができる。
【0051】
また、各シリコン基板21a,22aの対向する導体層23,24間に緩衝層26が介在しているので、各基板の研磨の際に生じる機械的衝撃を緩衝層26で有効に吸収し和らげることができる。このことは、シリコン基板21,22の耐クラック性の向上に寄与するものである。すなわち、シリコン基板の薄型化を現状技術の限界に近いレベルまで行った場合でも、従来技術に見られたようなクラックの発生、基板の破損といった不具合を解消することができる。
【0052】
さらに、2枚のシリコン基板21a,22aを各々のデバイスパターン(導体層23,24)が形成されている側の面を対向させて鏡のように対称的に張り合わせたものを研磨の対象としているので、従来技術に見られたような、表面と裏面で発生する応力の差に起因するシリコン基板の反りといった不具合を解消することができる。
【0053】
さらに、各シリコン基板21,22の厚さを3μm〜20μm程度に薄くしているので、その薄化されたシリコン基板に対するビアホールVHの形成が行い易くなる(図2(c),(d))。
【0054】
上述した実施形態では、図3(c)の工程において無電解めっき及び電解めっきによりNi/Au/Cuの導体層CLを形成する場合について説明したが、導体層CLの形成方法はこれに限定されないことはもちろんである。例えば、無電解めっきに代えて、スパッタリングにより所要の成膜を行ってもよい。
【0055】
具体的な例としては、ビアホールVHの内面及び露出した金属バンプ25の表面を含めて各絶縁膜27の全面に、例えば、Crをスパッタリングにより堆積させ、更にその上にCuをスパッタリングにより堆積させて2層構造の金属薄膜を形成し、更にこの金属薄膜を給電層として電解めっきにより、全面にCuの金属層を形成することで、Cr/Cuの導体層を形成することができる。この場合、金属薄膜の下層部分のCr層は、上記の導体層CLにおけるNi層と同様に、下地の絶縁膜27との密着性を高めるためのものである。
【0056】
また、上述した実施形態では、各構造体20a,20b,20cの金属バンプ25の位置及び電極パッド29の位置を揃えて3段に積み重ねた場合を例にとって説明したが、各金属バンプ25の位置や各電極パッド29の位置(つまり、金属バンプ30a,30b,30cの位置)を必ずしも揃える必要がないことはもちろんであり、積み重ねる段数が3段に限定されないことももちろんである。
【0057】
また、かかる構造体を必ずしも多段に積み重ねる必要はなく、要求される条件によっては1段のままであってもよい。その一例を図5に示す。
【0058】
図5は本発明の他の実施形態に係る半導体装置の断面的な構成を模式的に示したものである。
【0059】
本実施形態に係る半導体装置40は、上述した実施形態(図1〜図4)に係る半導体装置10と比べて、構造体(図4(c)に示す各構造体20a,20b,20cに相当するもの)が多段に積み重ねられていない点、後述するように各シリコン基板42a,42bを両面から研磨する際に、一方のシリコン基板のみを所定の厚さ(T1)に薄化し、他方のシリコン基板についてはその厚さを薄くせずにある程度の厚さ(T2)を残すようにした点で相違する。他の構成については、基本的には図1に示す最上段の構造体20cと同じであるので、その説明は省略する。
【0060】
以下、本実施形態に係る半導体装置40を製造する方法について、その製造工程を順に示す図6及び図7を参照しながら説明する。
【0061】
先ず最初の工程では(図6(a)参照)、上述した図2(a)及び(b)の工程で行った処理と同様にして、2枚のシリコン基板41a及び42aを、それぞれ導体層(デバイスパターン)43,44が形成されている側の面を対向させて金属バンプ45により接合し、さらにその隙間に緩衝層としての絶縁性樹脂46を充填する。
【0062】
次の工程では(図6(b)参照)、前の工程で得られた構造体の両面(各シリコン基板41a,42aの露出している側の面)を、バックグラインド法等によりそれぞれ研磨し、一方のシリコン基板41aのみを所定の厚さT1(3μm〜20μm程度)に薄化してシリコン基板41とし、他方のシリコン基板42aについては研磨量を相対的に少なくしてある程度の厚さT2(100μm〜300μm程度)を残すようにしてシリコン基板42とする。なお、図中破線で示す部分は、研磨によって除去された部分を表している。
【0063】
次の工程では(図6(c)参照)、前の工程で薄化された一方のシリコン基板41の所要の箇所に、金属バンプ45に到達するビアホールVHを形成する。このビアホールVHは、上述した図2(d)の工程で行った処理と同様にして、レーザ等による穴明け処理、プラズマエッチャー等によるエッチング処理などにより形成することができる。
【0064】
次の工程では(図6(d)参照)、上述した図3(a)及び(b)の工程で行った処理と同様にして、例えばCVD法により、ビアホールVHの内面を含めて各シリコン基板41,42の表面にシリコン酸化膜等の絶縁膜47を形成する。さらに、レーザやプラズマエッチャー等により、ビアホールVH内に形成された絶縁膜47の、金属バンプ45に接触している部分の少なくとも一部を開口する(開口部OP)。これによって、金属バンプ45の一部が露出する。
【0065】
次の工程では(図7(a)参照)、上述した図3(c)及び(d)の工程で行った処理と同様にして、例えばめっきにより、一方のシリコン基板41に形成されたビアホールVH(その内部に形成された絶縁膜47の一部が開口(開口部OP)されたもの)を埋め込むようにして導体層を形成し、さらに、機械研磨等により、ビアホールVH以外の部分に形成された不要な導体層を除去して、ビアホールVHに埋め込まれた導体48を形成する。
【0066】
次の工程では(図7(b)参照)、一方のシリコン基板41上の絶縁膜47上に、ビアホールVH内に埋め込まれた導体48に電気的に接続されるように所要の形状の電極パッド49を形成する。電極パッド49は、上述した図4(a)の工程で行った処理と同様にして、スパッタリングやめっき等により形成することができる。
【0067】
最後の工程では(図7(c)参照)、前の工程で形成された電極パッド49に外部接続端子としての金属バンプ50を接合する。これによって、本実施形態の半導体装置40(図5)が得られたことになる。
【0068】
図5〜図7に示す実施形態においても、上述した実施形態(図1〜図4)の場合と同様に、2枚のシリコン基板41a,42aを各々のデバイスパターン(導体層43,44)が形成されている側の面を対向させて金属バンプ45により接合し、その隙間に絶縁性樹脂(緩衝層)46を充填したものを作製した後、各シリコン基板41a,42aの露出している側の面をそれぞれ研磨して薄くしているので(シリコン基板41,42)、最終的に製造される半導体装置40全体として薄型化を図ることができる。
【0069】
また、絶縁性樹脂(緩衝層)46の存在により、各基板41a,42aの研磨の際に生じる機械的衝撃を緩衝層46で有効に吸収し和らげることができ、シリコン基板41,42のクラックの発生等の不具合を解消することができる。さらに、2枚のシリコン基板41a,42aを各々のデバイスパターン43,44が形成されている側の面を対向させて鏡のように対称的に張り合わせたものを研磨の対象としているので、両面で発生する応力の差に起因するシリコン基板の反りといった不具合を解消することができる。同様に、シリコン基板41の厚さを3μm〜20μm程度に薄くしているので、ビアホールVHの形成が行い易くなる(図6(b),(c))。
【0070】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、予め、2枚の半導体基板をそれぞれデバイスパターンが形成されている側の面を対向させて金属バンプを介して張り合わせたもの(2枚スタック構造)を用意しておくことにより、高密度化及び多ピン化を意図した3次元実装を行うにあたり、薄型化に伴って発生する不具合(半導体基板の破損、クラックの発生、半導体基板の反りなど)を解消することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図2】図1の半導体装置の製造工程(その1)を示す断面図である。
【図3】図2の製造工程に続く製造工程(その2)を示す断面図である。
【図4】図3の製造工程に続く製造工程(その3)を示す断面図である。
【図5】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図6】図5の半導体装置の製造工程(その1)を示す断面図である。
【図7】図6の製造工程に続く製造工程(その2)を示す断面図である。
【符号の説明】
10,40…半導体装置(デバイス)、
20a,20b,20c…構造体、
21,22,41,42…半導体基板(シリコン基板)、
23,24,43,44…導体層(デバイスパターン)、
25,45…金属バンプ(メタルポスト)、
26,46…絶縁性樹脂層(緩衝層)、
27,47…絶縁膜(保護膜)、
28,48…導体、
29,49…電極パッド、
30a,30b,30c,50…金属バンプ(外部接続端子)、
31…絶縁性樹脂層(アンダーフィル材)、
VH…ビアホール、
OP…絶縁膜の開口部。
Claims (9)
- 所要の形状にパターニングされた導体層がそれぞれ一方の面にのみ形成された2枚の半導体基板を、各導体層が形成されている側の面を対向させて金属バンプにより接合する工程と、
該金属バンプにより接合された各導体層間の隙間に絶縁性樹脂を充填する工程と、
前記各半導体基板の露出している側の面をそれぞれ研磨して所定の厚さに薄化する工程と、
該薄化された各半導体基板の所要の箇所に、それぞれ前記金属バンプに到達するビアホールを形成する工程と、
該形成されたビアホールの内面を含めて前記各半導体基板の表面にそれぞれ絶縁膜を形成する工程と、
前記ビアホール内に形成された各絶縁膜の、前記金属バンプに接触している部分の少なくとも一部を開口する工程と、
前記ビアホール内を導体で埋め込み、さらに前記各絶縁膜上に、所要の形状にパターニングされ、かつ、当該導体に電気的に接続された電極パッドを形成する工程と、
以上の工程により得られた構造体を、所要の個数分、前記電極パッドを介して相互に電気的に接続して多段に積み重ねる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記構造体を多段に積み重ねる工程の後に、最下段の構造体の露出している側の面に形成された前記電極パッドに外部接続端子としての金属バンプを接合する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記構造体を多段に積み重ねる工程において、上側の構造体と下側の構造体の対向している各々の電極パッドを相互に金属バンプにより接合することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記構造体を多段に積み重ねた後、積み重ねられた各構造体間の隙間に絶縁性樹脂を充填することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記2枚の半導体基板の一方の面にそれぞれ形成された導体層は、接合に際し対向配置されたときに相互に同じ形状となるようにパターニングされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記各半導体基板を所定の厚さに薄化する工程において、該所定の厚さを3μm〜20μmの範囲で選定することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 所要の形状にパターニングされた導体層がそれぞれ一方の面にのみ形成された2枚の半導体基板を、各導体層が形成されている側の面を対向させて金属バンプにより接合する工程と、
該金属バンプにより接合された各導体層間の隙間に絶縁性樹脂を充填する工程と、
前記各半導体基板の露出している側の面をそれぞれ研磨し、一方の半導体基板のみを所定の厚さに薄化する工程と、
該薄化された一方の半導体基板の所要の箇所に、前記金属バンプに到達するビアホールを形成する工程と、
該形成されたビアホールの内面を含めて前記各半導体基板の表面にそれぞれ絶縁膜を形成する工程と、
前記ビアホール内に形成された絶縁膜の、前記金属バンプに接触している部分の少なくとも一部を開口する工程と、
前記ビアホール内を導体で埋め込み、さらに前記一方の半導体基板上の絶縁膜上に、所要の形状にパターニングされ、かつ、当該導体に電気的に接続された電極パッドを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記電極パッドを形成する工程の後に、該電極パッドに外部接続端子としての金属バンプを接合する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002174285A JP3910493B2 (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
TW092114258A TWI282614B (en) | 2002-06-14 | 2003-05-27 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US10/445,821 US20030232486A1 (en) | 2002-06-14 | 2003-05-28 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
EP03253444.8A EP1372193B1 (en) | 2002-06-14 | 2003-06-02 | Method of manufacturing a semiconductor device having a stacked configuration |
KR1020030037066A KR100943009B1 (ko) | 2002-06-14 | 2003-06-10 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CNB03142578XA CN1320620C (zh) | 2002-06-14 | 2003-06-13 | 半导体器件及其制造方法 |
US12/153,313 US7655504B2 (en) | 2002-06-14 | 2008-05-16 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002174285A JP3910493B2 (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004022730A true JP2004022730A (ja) | 2004-01-22 |
JP3910493B2 JP3910493B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=29561813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002174285A Expired - Fee Related JP3910493B2 (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20030232486A1 (ja) |
EP (1) | EP1372193B1 (ja) |
JP (1) | JP3910493B2 (ja) |
KR (1) | KR100943009B1 (ja) |
CN (1) | CN1320620C (ja) |
TW (1) | TWI282614B (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6858475B2 (en) * | 2003-06-30 | 2005-02-22 | Intel Corporation | Method of forming an integrated circuit substrate |
JP4242336B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2009-03-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP4074862B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-04-16 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、および半導体チップ |
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US7118989B2 (en) * | 2004-08-20 | 2006-10-10 | Intel Corporation | Method of forming vias on a wafer stack using laser ablation |
US7326629B2 (en) * | 2004-09-10 | 2008-02-05 | Agency For Science, Technology And Research | Method of stacking thin substrates by transfer bonding |
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-
2002
- 2002-06-14 JP JP2002174285A patent/JP3910493B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-27 TW TW092114258A patent/TWI282614B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-28 US US10/445,821 patent/US20030232486A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-02 EP EP03253444.8A patent/EP1372193B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-10 KR KR1020030037066A patent/KR100943009B1/ko active IP Right Grant
- 2003-06-13 CN CNB03142578XA patent/CN1320620C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-16 US US12/153,313 patent/US7655504B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200403828A (en) | 2004-03-01 |
US20080233677A1 (en) | 2008-09-25 |
US20030232486A1 (en) | 2003-12-18 |
CN1320620C (zh) | 2007-06-06 |
KR100943009B1 (ko) | 2010-02-18 |
EP1372193B1 (en) | 2016-11-23 |
CN1469446A (zh) | 2004-01-21 |
KR20030096006A (ko) | 2003-12-24 |
EP1372193A2 (en) | 2003-12-17 |
TWI282614B (en) | 2007-06-11 |
JP3910493B2 (ja) | 2007-04-25 |
US7655504B2 (en) | 2010-02-02 |
EP1372193A3 (en) | 2007-01-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120202 Year of fee payment: 5 |
|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120202 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130202 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140202 Year of fee payment: 7 |
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