JP2003204148A - 電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体 - Google Patents

電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度実装に適するとともに充分な接合信頼
性を達成することが可能であって、工程数の少ない電極
間接続構造体形成方法およびこれにより形成される電極
間接続構造体を提供すること。 【解決手段】 電極間接続構造体の形成方法において、
第１電極部１１１を有する第１接続対象物１１０に対し
て、第１電極部１１１を覆うように樹脂膜１３０を形成
する工程と、樹脂膜１３０に対して、第１電極部１１１
が露出するように開口部１３０ａを形成する工程と、金
属１４１を含む金属ペースト１４０を、開口部１３０ａ
に充填する工程と、第１接続対象物１１０、および、第
２電極部１２１を有する第２接続対象物１２０を、開口
部１３０ａに充填された金属ペースト１４０と第２電極
部１２１とが対向しつつ樹脂膜１３０が第２接続対象物
１２０に接するように、配置する工程と、第１電極部１
１１および第２電極部１２１が金属１４１ａを介して電
気的に接続されるとともに樹脂膜１３０が硬化するよう
に、加熱処理を行う接続工程とを行うこととする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間接続構造体
の形成方法に関する。より具体的には、電気的接続を伴
う半導体チップと半導体チップの接合、半導体チップの
配線基板への実装、および配線基板と配線基板の接合な
どにおいて利用可能な、電極間接続構造体の形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、プリント配線板やセラミック基板
への電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が高ま
っており、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実
装方式が注目されている。ベアチップ実装方式において
は、半導体チップと基板配線との電気的接続をワイヤボ
ンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装
に代わり、半導体チップおよび配線基板の電極間にハン
ダバンプを介在させることによって達成するフェイスダ
ウン実装すなわちフリップチップ接合が採用される傾向
にある。また、ハンダバンプないしハンダ材料を介して
電気的接続を図る技術は、半導体チップ−半導体チップ
間および配線基板−配線基板間などにおいても採用され
ており、例えば、特開平２−９６３４３号公報、特開平
４−３２６７４７号公報、特開平５−３２６６２８号公
報、特開平６−２６２３８６号公報、特開平８−６４６
３９号公報、特開平９−２６００５９号公報、特開平１
１−１３５５５２号公報、特開平１１−１９１６７３号
公報などに開示されている。
【０００３】図７および図８は、フリップチップ接合を
達成するための従来の方法の一例を示す。従来のフリッ
プチップ接合方法においては、まず、図７（ａ）に示す
ように、半導体チップ４１０の有する電極４１１に対応
した位置に予め開口部４３０ａが設けられたメタルマス
ク４３０を用意する。次に、図７（ｂ）に示すように、
開口部４３０ａと電極４１１とを位置合わせして、メタ
ルマスク４３０を半導体チップ４１０上に載置する。次
に、図７（ｃ）に示すように、印刷法により、所定のハ
ンダ粉末を含んだハンダペースト４４０をメタルマスク
４３０の開口部４３０ａに供給する。次に、図７（ｄ）
に示すように、ハンダペースト４４０を残してメタルマ
スク４３０を半導体チップ４１０の表面から取り外す。
次に、図７（ｅ）に示すように、ハンダペースト４４０
中のハンダ粉末を一旦溶融させるための加熱処理を経
て、電極４１１上にバンプ４１２を形成する。
【０００４】半導体チップ４１０の電極４１１にバンプ
４１２を形成した後、図８（ａ）に示すように、配線基
板４２０上にフラックス４５０を塗布する。フラックス
４５０の役割は、バンプ４１２表面の酸化膜の除去、ハ
ンダリフロー時の大気遮断によるバンプ４１２の再酸化
防止、配線基板４２０に対する半導体チップ４１０の仮
接着などである。次に、図８（ｂ）に示すように、配線
基板４２０の電極４２１とバンプ４１２とが対向するよ
うに位置合わせを行いつつ半導体チップ４１０を配線基
板４２０上に載置する。次に、図８（ｃ）に示すよう
に、バンプ４１２をリフローさせるための加熱処理を経
て、電極４１１および電極４２１をバンプ４１２を介し
て接続する。次に、図８（ｄ）に示すように、フラック
ス４５０を洗浄除去する。このようにして、配線基板４
２０に対する半導体チップ４１０のフリップチップ接合
が達成される。そして、このようなフリップチップ接合
においては、図８（ｅ）に示すように、半導体チップ４
１０と配線基板４２０との間に、接着剤ないしアンダー
フィル剤４６０が充填される。アンダーフィル剤４６０
は、電極４１１および電極４２１を接続する導体部ない
しバンプ４１２を保護するとともに、半導体チップ４１
０表面および配線基板４２０表面を保護することによっ
て、長期間に渡る接続信頼性を確保するためのものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の接続方法では、メタルマスク４３０を半導
体チップ４１０上に載置する際に、開口部４３０ａと電
極４１１とを位置合わせする必要があり、電極４１１の
配設ピッチが小さくなる程、適切に位置合わせすること
が困難となる。特に、電極４１１の配設ピッチが２００
μｍ以下である場合には、メタルマスク４３０を載置す
る際に生ずる位置ずれの程度は相対的に極めて大きくな
る。メタルマスク４３０の位置ずれは、バンプ４１２の
形成位置に影響を与え、フリップチップ接合において導
通不良を招来する場合がある。
【０００６】２００μｍ以下のピッチで設けられた電極
４１１に形成できるバンプ４１２の径は、電極４１１の
サイズをピッチの１／２とした場合、約７０μｍであ
り、このようなサイズのバンプ４１２を介して接続され
た半導体チップ４１０と配線基板４２０の離隔距離は５
０μｍ以下となる。半導体チップ４１０と配線基板４２
０の離隔距離がそのように微小である場合、図８（ｄ）
を参照して上述した工程において、充分にフラックス４
５０を除去することは困難である。半導体チップ４１０
と配線基板４２０の間に残存するフラックス４５０は、
バンプ４１２を腐食させたり、隣接する電極間の絶縁抵
抗が低下する原因となったり、アンダーフィル剤４６０
の充填を阻害するなどの不具合を招来する場合がある。
加えて、半導体チップ４１０と配線基板４２０との離隔
距離が微小である場合には、図８（ｅ）を参照して上述
した工程において、アンダーフィル剤４６０にボイドが
発生し易くなり、半導体チップ４１０と配線基板４２０
との間にアンダーフィル剤４６０を適切に充填すること
が困難となる。
【０００７】このように、従来の方法では、狭ピッチな
いし高密度で電極が設けられている場合には、良好な接
合信頼性を得るのが困難である。
【０００８】また、上述のような従来の方法では、フラ
ックス４５０の塗布および除去、並びにアンダーフィル
剤４６０の充填を含んだ多くの工程を行う必要があり、
プロセスが煩雑化している。
【０００９】接合工程の簡略化を目的として、近年、フ
ラックスアンダーフィル剤が開発されている。フラック
スアンダーフィル剤は、エポキシ接着剤にフラックス成
分を添加したものであり、アンダーフィル剤の機能に加
えてフラックスの機能を呈するように構成されている。
例えば、フラックスアンダーフィル剤は、図８（ａ）の
工程でフラックスが塗布されるように配線基板４２０上
に塗布される。そして、洗浄除去されずに、図８（ｅ）
の工程で通常のアンダーフィル剤４６０が加熱硬化され
るように、半導体チップ４１０と配線基板４２０との間
で加熱硬化される。
【００１０】フラックスアンダーフィル剤には、半導体
チップ４１０と配線基板４２０の接合信頼性を確保すべ
く熱膨張率を低減するため、無機フィラーを添加する必
要がある。しかしながら、フラックスアンダーフィル剤
における無機フィラーの含有率を２０ｗｔ％以上とする
と、フラックスアンダーフィル剤は、無機フィラーを多
く含んでいることに起因して、図８（ｂ）に示すような
載置工程においてバンプ４１２と電極４２１との接触界
面に介在し易くなり、その結果、電極４２１に対するバ
ンプ４１２の接合率が極端に低下してしまう。そのた
め、フラックスアンダーフィル剤の熱膨張率を必要な程
度にまで低下させるべく無機フィラーを添加すると、バ
ンプの接合率低下に起因して初期導通不良が生じてしま
う場合がある。また、フラックスアンダーフィル剤は、
一液性接着剤であるため、室温可使時間が短く利便性に
乏しい。
【００１１】本発明は、このような事情のもとで考え出
されたものであって、上述の従来の問題点を解消ないし
軽減することを課題とし、高密度実装に適するとともに
充分な接合信頼性を達成することが可能であって、工程
数の少ない電極間接続構造体形成方法およびこれにより
形成される電極間接続構造体を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
ると、電極間接続構造体の形成方法が提供される。この
形成方法は、第１電極部を有する第１接続対象物に対し
て、第１電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、
樹脂膜に対して、第１電極部が露出するように開口部を
形成する工程と、金属を含む金属ペーストを開口部に充
填する工程と、第１接続対象物、および、第２電極部を
有する第２接続対象物を、開口部に充填された金属ペー
ストと第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２接続対象
物に接するように、配置する工程と、第１電極部および
第２電極部が金属を介して電気的に接続されるとともに
樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接続工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１３】このような電極間接続構造体形成方法は、
電気的接続を伴う半導体チップと半導体チップの接合、
半導体チップの配線基板への実装、および配線基板と配
線基板の接合などにおいて、高密度実装に適するととも
に充分な接合信頼性を達成することが可能であって、工
程数が少ない。
【００１４】本発明の第１の側面において、第１接続対
象物および第２接続対象物を配置する工程では、第１接
続対象物にバンプは形成されていない。そのため、バン
プ表面の酸化膜除去および再酸化防止を図るためのフラ
ックスを第２接続対象物に塗布する必要はない。また、
樹脂膜の開口部に充填されている粘性を有する金属ペー
ストを介して位置合わせするため、第２接続対象物に対
して第１接続対象物を仮接着するためのフラックスを第
２接続対象物に塗布する必要もない。このように、第１
および第２接続対象物を適切な配向で配置する工程にお
いてフラックスを使用しないので、第１接続対象物と第
２接続対象物の離隔距離が小さくなる場合であっても、
フラックスの洗浄除去という困難な工程は回避される。
【００１５】また、金属ペースト充填用の開口部が形成
された樹脂膜は、金属ペースト中の金属を溶融する際に
硬化する。これによって、第１接続対象物と第２接続対
象物が当該樹脂膜により接合される。したがって、第１
接続対象物と第２接続対象物の離隔距離が小さい場合で
あっても、予め介在する樹脂膜によって接続対象物同士
を良好に接合することができ、且つ、接合後におけるア
ンダーフィル剤の充填という困難な工程は回避される。
【００１６】接合状態における第１接続対象物および第
２接続対象物の間の隙間からのフラックスの除去、およ
び、当該隙間へのアンダーフィル剤の充填を行う必要が
ないため、第１および第２接続対象物の間において短い
離隔距離が許容され、その結果、第１および第２接続対
象物において微細なピッチで電極を設けることが可能と
なる。例えば、第１接続対象物と第２接続対象物の離隔
距離は、５０μｍ以下とすることも可能である。このよ
うに、本発明は、高密度実装に適しているのである。
【００１７】また、本発明によると、フラックスの塗布
および除去、ならびにアンダーフィル剤の充填を行う必
要がないため、従来法よりも工程数が低減される。
【００１８】液状である従来のフラックスアンダーフィ
ル剤は、上述のように、バンプ４１２と電極４２１との
界面に残存してバンプの接合率を低下させる場合があ
る。これに対し、本発明において、樹脂膜は、電気的接
続を図るための金属を含む金属ペーストと電極部との間
には介在しない。そのため、樹脂膜において、熱膨張率
を低下させるために添加する無機フィラーの含有率を２
０ｗｔ％以上としても、バンプの接合率低下に起因する
初期導通不良を生じることはない。したがって、充分量
の無機フィラーを添加することができ、その結果、第１
および第２接続対象物による電極間接続構造体におい
て、充分な接合信頼性を達成することが可能なのであ
る。
【００１９】本発明の第１の側面において、好ましい実
施の形態では、金属は粉末状のハンダであり、接続工程
では当該ハンダ粉末を溶融させる。より好ましくは、金
属ペーストは、ハンダ粉末に加えて樹脂分を含み、接続
工程では、ハンダ粉末を溶融させるとともに当該樹脂分
を硬化させる。樹脂膜は、金属が溶融する温度以下で軟
化する組成を有するのが好ましい。
【００２０】他の好ましい実施の形態では、金属は、例
えば粉末状の、ＡｇまたはＣｕである。より好ましく
は、金属ペーストは、粉末状のＡｇまたはＣｕに加えて
樹脂分を含み、接続工程では、当該金属を溶融させずに
当該樹脂分を硬化させる。樹脂膜は、樹脂分が硬化する
温度以下で軟化する組成を有するのが好ましい。
【００２１】好ましくは、金属は、金属ペーストにおい
て３０〜７０体積％含まれている。当該金属は、好まし
くは８０〜３８０℃の融点を有する。
【００２２】好ましい実施の形態では、金属ペーストは
樹脂分を含み、当該樹脂分および樹脂膜は同一の主剤樹
脂を含み、接続工程では樹脂分および樹脂膜を一体化さ
せる。好ましくは、樹脂膜は主剤樹脂を含み、金属ペー
ストは樹脂分を含み、当該樹脂分は主剤樹脂を硬化させ
るための硬化剤を含む。好ましくは、金属ペーストは樹
脂分を含み、当該樹脂分は主剤樹脂を含み、樹脂膜は主
剤樹脂を硬化させるための硬化剤を含む。
【００２３】本発明の第２の側面によると、電極間接続
構造体の別の形成方法が提供される。この方法は、第１
電極部を有する第１接続対象物に対して、第１電極部を
覆うように熱硬化性の樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜
に対して、第１電極部が露出するように開口部を形成す
る工程と、開口部に導体部を形成する工程と、第１接続
対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物
を、開口部に形成された導体部と第２電極部とが対向し
つつ樹脂膜が第２接続対象物に接するように、配置する
工程と、第１電極部および第２電極部が導体部を介して
電気的に接続されるとともに樹脂膜が硬化するように、
加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】このような方法によっても、本発明の第１
の側面に係る方法と同様、接合状態における第１および
第２接続対象物の間の隙間からのフラックスの除去、お
よび、当該隙間へのアンダーフィル剤の充填を行う必要
がない。したがって、第２の側面に係る方法も、第１の
側面に関して上述したのと略同様な理由で、電極間接続
構造体の形成において、高密度実装に適するとともに充
分な接合信頼性を達成することが可能であって、工程数
が少ない。
【００２５】好ましくは、接続工程では、導体部は、第
１電極部および／または第２電極部に対して溶融接合さ
れる。これによって、第１電極部と第２電極部が適切に
導通される。導体部は、電気めっき及び／又は無電解め
っきにより形成される。また、導体部は、好ましくは、
複数の層からなる積層構造を有し、各層は、隣接する層
とは異なる金属組成を有する。導体部の少なくとも一部
は、８０〜４００℃の融点を有するのが好ましい。
【００２６】本発明の第３の側面によると、電極間接続
対象物の別の形成方法が提供される。この方法は、第１
電極部を有する第１接続対象物に対して、第１電極部を
覆うように樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、
第１電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
金属を含むバンプ形成材料を開口部に充填する工程と、
加熱処理を行うことにより開口部にバンプを形成する工
程と、第１接続対象物、および、第２電極部を有する第
２接続対象物を、バンプと第２電極部とが対向しつつ樹
脂膜が第２接続対象物に接するように、配置する工程
と、第１電極部および第２電極部がバンプを介して接続
されるとともに樹脂膜を硬化させるように、加熱処理を
行う接続工程と、を含むことを特徴とする。
【００２７】本発明の第４の側面によると接続方法が提
供される。この方法は、第１電極部を備えるとともに当
該第１電極部を露出させる開口部を有する樹脂膜で覆わ
れている第１接続対象物に対して、第１電極部に対応す
る第２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための
方法であって、金属を含む金属ペーストを開口部に充填
する工程と、第１接続対象物および第２接続対象物を、
金属ペーストと第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２
接続対象物に接するように、配置する工程と、第１電極
部および第２電極部が金属を介して電気的に接続される
とともに樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合
工程と、を含むことを特徴とする。
【００２８】本発明の第５の側面によると別の接続方法
が提供される。この方法は、第１電極部を備えるととも
に当該第１電極部を露出させる開口部を有する熱硬化性
の樹脂膜で覆われている第１接続対象物に対して、第１
電極部に対応する第２電極部を備えた第２接続対象物を
接続するための方法であって、開口部に導体部を形成す
る工程と、第１接続対象物および第２接続対象物を、導
体部と第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２接続対象
物に接するように、配置する工程と、第１電極部および
第２電極部が導体部を介して電気的に接続されるととも
に樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工程
と、を含むことを特徴とする。
【００２９】本発明の第６の側面によると別の接続方法
が提供される。この方法は、第１電極部を備えるととも
に当該第１電極部を露出させる開口部を有する樹脂膜で
覆われている第１接続対象物に対して、第１電極部に対
応する第２電極部を備えた第２接続対象物を接続するた
めの方法であって、金属を含むバンプ形成材料を開口部
に充填する工程と、加熱処理を行うことにより開口部に
バンプを形成する工程と、第１接続対象物および第２接
続対象物を、バンプと第２電極部とが対向しつつ樹脂膜
が第２接続対象物に接するように、配置する工程と、第
１電極部および第２電極部がバンプを介して電気的に接
続されるとともに樹脂膜が硬化するように、加熱処理を
行う接合工程と、を含むことを特徴とする。
【００３０】本発明の第３から第６の側面に係るいずれ
の方法によっても、第１の側面に係る方法と同様、接合
状態における第１および第２接続対象物の間の隙間から
のフラックスの除去、および、当該隙間へのアンダーフ
ィル剤の充填を行う必要がない。したがって、第３から
第６の側面に係るいずれの方法も、第１の側面に関して
上述したのと略同様な理由で、電極間接続構造体の形成
において、高密度実装に適するとともに充分な接合信頼
性を達成することが可能であって、工程数が少ない。
【００３１】本発明の第１から第６の側面において、接
続工程では、第１接続対象物に対して第２接続対象物を
押圧する、或は、第２接続対象物に対して第１接続対象
物を押圧する。
【００３２】本発明の第７の側面によると、上述のいず
れか１つに記載の方法によって形成されたことを特徴と
する電極間接続構造体が提供される。このような電極間
接続構造体においては、その形成過程において、第１の
側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００３３】本発明の第８の側面によると、電極間接続
構造中間体の形成方法が提供される。この方法は、電極
部が設けられた接続対象物に対して、電極部を覆うよう
に熱硬化性の樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対し
て、電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
開口部に導体部を形成する工程と、を含み、樹脂膜は、
加熱によって硬化可能な状態であることを特徴とする。
このような方法によると、本発明の第２の側面におけ
る、樹脂膜の開口部に導体部が充填されている状態の第
１接続対象物を得ることができる。
【００３４】本発明の第９の側面によると、別の電極間
接続構造中間体の形成方法が提供される。この方法は、
電極部が設けられた接続対象物に対して、電極部を覆う
ように樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、電極
部が露出するように開口部を形成する工程と、金属を含
むバンプ形成材料を開口部に充填する工程と、を含み、
樹脂膜は、加熱によって硬化可能な状態であることを特
徴とする。このような方法によると、本発明の第３の側
面における、樹脂膜の開口部にバンプ形成材料が充填さ
れている状態、または、バンプが形成されている状態の
第１接続対象物を得ることができる。
【００３５】本発明の第１０の側面によると、上述の第
８または第９の側面に係る方法によって形成されたこと
を特徴とする電極間接続構造中間体が提供される。この
ような電極間接続構造中間体は、第２または第３の側面
に係る形成方法における中間体として、利用することが
できる。
【００３６】本発明の第１から第１０の側面において、
樹脂膜は、好ましくは、感光性を有しており、フィルム
状とされている。このような樹脂膜によると、開口部の
形成を良好に行うことができる。また、好ましくは、樹
脂膜には、３０〜７０ｗｔ％の含有率で無機フィラーが
添加されている。このような構成によって、樹脂膜の熱
膨張率が適切に低下される。
【００３７】本発明の第１１の側面によると、電極間接
続構造体が提供される。この電極間接続構造体は、第１
電極部が設けられた第１接続対象物と、第１電極部に対
向する第２電極部が設けられた第２接続対象物と、第１
電極部と第２電極部とを接続する中間くびれ導体部と、
第１接続対象物と第２接続対象物との間を填塞する封止
樹脂とを備えることを特徴とする。
【００３８】このような構造の電極間接続構造体は、本
発明の第１の側面に係る方法により形成することができ
る。そのため、その形成過程において、第１の側面に関
して上述したのと同様の効果が奏される。加えて、電極
間を接続する導体部がその中間においてくびれを有して
いるため、導体部にかかる応力は、電極と導体部との接
続部位にではなく、導体部の中央部に集中する。そのた
め、当該接続部位の破断が抑制され、電極間接続につい
て良好な接続信頼性が達成される。
【００３９】好ましくは、封止樹脂には３０〜７０ｗｔ
％の無機フィラーが含まれている。また、第１接続対象
物および第２接続対象物は、各々、半導体チップまたは
配線基板である。
【００４０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る電極間接続構造体形成方法の一連の工程を表す。
本実施形態では、フリップチップ接合を例に挙げて説明
する。まず、図１（ａ）に示すように、表面に電極１１
１が設けられた半導体チップ１１０に対して、電極１１
１を覆うように樹脂膜１３０を積層形成する。樹脂膜１
３０の形成においては、フィルム状の樹脂組成物を、半
導体チップ１１０に対して載置した後、５０〜１４０℃
で加熱しつつ圧着する。或は、液状樹脂組成物を、スピ
ンコートにより半導体チップ１１０の表面に塗布し、そ
れを乾燥してもよい。
【００４１】樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物
は、熱硬化性樹脂である主剤および硬化剤の両方または
いずれか一方、並びに無機フィラーを含んで、フィルム
状に成形されるか、または液状とされる。フィルム状の
樹脂組成物を用意する場合、フィルムの厚さは、半導体
チップ１１０の電極ピッチ、電極サイズ、および、接合
信頼性の観点から推定される接続高さに基づいて決定す
る。
【００４２】熱硬化性樹脂である主剤としてはエポキシ
樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、固形タイプま
たは液状タイプの、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビス
フェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、臭素
化エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、クレゾ
ールノボラック型エポキシ、ビフェニル型エポキシなど
を用いることができる。
【００４３】硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、
酸無水物硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤
などを用いることができる。イミダゾール系硬化剤とし
ては、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウ
ンデシルイミダゾール、２,４−ジアミノ−６−[２−メ
チルイミダゾール−(１)]−エチル−Ｓ−トリアジン、
１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、
２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４,５−ジヒドロキシメチル
イミダゾールなどを用いることができる。酸無水物硬化
剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、テトラヒ
ドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチル
テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フ
タル酸、無水ハイミック酸、テトラブロモ無水フタル
酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸無水物などを用いることがで
きる。アミン系硬化剤としては、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、メンセンジアミン、イソ
ホロンジアミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフ
ェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフ
ェニルスルフォンなどを用いることができる。
【００４４】無機フィラーとしては、シリカ粉末やアル
ミナ粉末を用いることができる。樹脂膜１３０を形成す
るための樹脂組成物において、無機フィラーの含有率は
３０〜７０ｗｔ％とするのが好ましい。
【００４５】樹脂膜に感光性を付与する場合には、樹脂
膜を形成するための樹脂組成物に対してアクリルモノマ
ーおよび光重合開始剤を添加する。アクリルモノマーと
しては、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレ
ート、１,６−ヘキサンジオールアクリレート、ラウリ
ルアクリレート、アルキルアクリレート、セチルアクリ
レート、ステアリルアクリレート、シクロヘキシルアク
リレート、イソボルニルアクリレート、ベンジルアクリ
レート、２−メトキシエチルアクリレート、３−メトキ
シブチルアクリレート、エチルアカルビートルアクリレ
ート、フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルアクリレート、フェノキシポリエチレンアクリ
レート、メトキシトリプロピレングリコールアクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シプロピルアクリレート、２−アクリロイルオキシエチ
ル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、２−ヒドロキ
シ−３−フェノキシプロピルアクリレート、２−アクリ
ロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、シクロヘ
キサン−１,２−ジカルボン酸モノ−(２−アクリロイル
オキシ−１−メチル−エチル)エステル（Cyclohexane-
1,2-dicarboxylic acid mono-(2-acryloyloxy-1-methyl
-ethyle)ester）、４−シクロヘキセン−１,２−ジカル
ボン酸モノ−(２−アクリロイルオキシ−１−メチル−
エチル)エステル（Cyclohex-4-ene-1,2-dicarboxylic a
cid mono-(2-acryloyloxy-1-methyl-ethyle)ester）、
ジメチルアミノエチルアクリレート、トリフルオロエチ
ルアクリレート、ヘキサフルオロプロピルアクリレート
などの単官能モノマーや、１,４−ブタンジオールジア
クリレート、１,６−ヘキサンジオールジアクリレー
ト、１,９−ノナンジオールジアクリレート、ネオペン
チルグリコールジアクリレート、テトラエチレングリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレート、ビスフェノールＡ,ＥＯ付加物ジアクリレー
ト、グリセリンメタクリレートアクリレートなどの２官
能モノマーや、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、トリメチルプロパンＥＯ付加トリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、トリメチロール
プロパンＥＯ付加物トリアクリレート、グリセリンＰＯ
付加物トリアクリレート、トリスアクリロイルオキシエ
チルフォスフェート、ペンタエリスリトールテトラアク
リレートなどの多官能モノマーなどを用いることができ
る。ただし、アクリルモノマーに代えて又はこれと共に
ビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物など
のオリゴマーを用いることもできる。樹脂膜１３０を形
成するための樹脂組成物において、アクリルモノマーの
含有率は、１〜５０ｗｔ％が好ましい。
【００４６】光重合開始剤としては、２,２−ジメトキ
シ−１,２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロ
キシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル
−１−[４−(メチルチオ)フェニル]−２−モノフォリノ
プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−1−オ
ン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロ
パン−１−オン、１−[４−(２−ヒドロキシエトキシ)
−フェニル]−２−ヒドキシ−２−メチル−１−プロパ
ン−１−オン、ビス(シクロペンタジエニル)−ビス(２,
６−ジフルオロ−３−（ビル−１−イル）チタニウムな
どを用いることができる。樹脂膜１３０を形成するため
の樹脂組成物において、光重合開始剤の含有率は、０．
１〜４ｗｔ％が好ましい。
【００４７】樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物
には、更に、ポリエステル樹脂やアクリル樹脂などの熱
可塑性樹脂を添加してもよい。
【００４８】樹脂膜１３０の形成の後、図１（ｂ）に示
すように、樹脂膜１３０に対して、各電極１１１に対応
する箇所に開口部１３０ａを形成する。開口部１３０ａ
の形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エ
キシマレーザなどを用いることができる。感光性を有す
る樹脂膜１３０を形成した場合には、開口部１３０ａの
形成にはフォトリソグラフィを採用することができる。
電極へのダメージを抑制するという観点からは、フォト
リソグラフィを採用するのが好ましい。フォトリソグラ
フィを採用する場合には、樹脂膜１３０に対して、所定
のフォトマスク（図示せず）を介しての露光処理および
その後の現像処理を施すことにより、各電極１１１が露
出するように開口部１３０ａを形成する。
【００４９】次いで、図１（ｃ）に示すように、開口部
１３０ａに金属ペースト１４０を充填する。金属ペース
ト１４０の充填は、スキージ（図示略）を用いた印刷法
により行う。スキージは、樹脂膜１３０に損傷を与える
ことを回避ないし軽減するため、ウレタンゴムスキージ
を用いる。ウレタンゴムスキージの硬度は、ＪＩＳＫ６
２５３に準じた方法で測定した場合において、５０〜８
０度が好ましい。
【００５０】金属ペースト１４０は、金属粉末１４１
と、これをペースト化するための樹脂分１４２とからな
る。本実施形態では、金属粉末１４１は、Ｓｎ，Ｐｂ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂなどから選択され
る単体金属、または、これらから選択される複数の単体
金属からなる合金を粉末化したものである。ただし、本
発明では、金属粉末１４１として、そのようなハンダ粉
末に代えてＡｇやＣｕなどの低抵抗の金属の粉末を用い
てもよい。金属粉末１４１としてハンダ粉末を用いる場
合、樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物について
は、当該ハンダが溶融する前に軟化するように組成を制
御する。一方、金属粉末１４１としてＡｇやＣｕなどの
低抵抗の金属の粉末を用いる場合、樹脂膜１３０を形成
するための樹脂組成物については、樹脂分１４２が硬化
する前に軟化するように組成を制御する。金属ペースト
１４０における金属粉末１４１の含有率は、３０〜７０
体積％または２０〜９５ｗｔ％とする。３０体積％未満
または２０ｗｔ％未満では、電極間を適切に接続するこ
とが困難となる傾向にある。７０体積％または９５ｗｔ
％より多いと、金属ペースト１４０の粘度が過剰に高く
なり、開口部１３０ａへの充填が困難となる。樹脂分１
４２については、後の加熱工程においてハンダ粉末を溶
融させ一体化させるとともに、ハンダ粉末が溶融した後
に樹脂膜１３０と一体化するように組成を制御する。
【００５１】具体的には、例えば、樹脂分１４２は、液
状タイプのビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシなどから選択さ
れる主剤としてのエポキシ樹脂を含有率３０〜７０ｗｔ
％で、および／または、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘ
キサヒドロ無水フタル酸、４−メチルテトラヒドロ無水
フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸などか
ら選択される酸無水物硬化剤を含有率３０〜７０ｗｔ％
で含む。ただし、樹脂分１４２に含まれる主剤および硬
化剤としては、樹脂膜１３０に関して列挙した主剤およ
び硬化剤を用いてもよい。
【００５２】硬化剤を含んで主剤を含まない樹脂膜１３
０を採用する場合には、金属ペースト１４０の樹脂分１
４２には、主剤を含んで硬化剤を含まないものを使用す
ることができる。また、主剤を含んで硬化剤を含まない
樹脂膜１３０を採用する場合には、樹脂分１４２には、
硬化剤を含んで主剤を含まないものを使用することがで
きる。後者の場合、金属ペースト１４０は、主剤を含ま
ずに、硬化剤およびこれに分散する金属粉末１４１を含
む。このような組成においては、硬化剤としては、金属
粉末１４１の活性剤としての効果を有する酸無水物硬化
剤またはアミン系硬化剤を用いるのが好ましい。
【００５３】また、金属ペースト１４０には、ハンダの
濡れ性を向上させるためにロジンを添加してもよい。ロ
ジンとしては、例えば、ロジン酸、ロジン酸エステル、
ロジン無水物、脂肪酸、アビエチン酸、イソピマール
酸、ネオアビエチン酸、ピマール酸、ジヒドロアビエチ
ン酸、デヒドロアビエチン酸などを用いることができ
る。また、金属ペースト１４０には、金属表面の活性化
のために、硬化剤とは別に有機カルボン酸やアミンを添
加してもよいし、更に、粘度調整のために、ジエレング
リコールやテトラエチレングリコールなどの高級アルコ
ールを添加してもよい。
【００５４】金属ペースト１４０の充填の後、図１
（ｄ）に示すように、配線基板１２０に対して半導体チ
ップ１１０を搭載する。このとき、樹脂膜１３０の開口
部１３０ａに充填されている金属ペースト１４０と配線
基板１２０の電極１２１とが対向するように、位置合わ
せする。また、荷重を加えることによって、樹脂膜１３
０を配線基板１２０に密着させる。
【００５５】次に、図１（ｅ）に示すように、リフロー
加熱を行うことによって、半導体チップ１１０と配線基
板１２０を機械的に接合するとともに、電極１１１と電
極１２１とを電気的に接続する。本実施形態では、金属
ペースト１４０に含まれる金属粉末１４１としてハンダ
粉末を用いており、加熱処理における目的加熱温度は、
当該ハンダの融点よりも１０〜５０℃高い温度とする。
【００５６】加熱処理の昇温過程においては、半導体チ
ップ１１０および配線基板１２０の間の樹脂膜１３０
は、ハンダの融点以下の温度で一旦軟化する。続いて、
金属粉末１４１が溶融して形成される導体部１４１ａに
よって電極１１１および電極１２１が電気的に接続され
るとともに、樹脂膜１３０において硬化反応が進行す
る。樹脂膜１３０の硬化によって、半導体チップ１１０
と配線基板１２０とが接合される。
【００５７】なお、第１の実施形態において、図１
（ｃ）の工程で得られる半導体チップ１１０は、他の半
導体チップや配線基板に対する電気的接続および機械的
接続を単一加熱処理により達成できる半導体チップとし
て提供することができる。
【００５８】図２は、図１に示す工程で形成された電極
間接続構造体の部分拡大断面図である。金属ペースト１
４０における金属粉末１４１の含有率は、上述のように
３０〜７０体積％である。そのため、リフロー加熱を経
て電極間が接続された後は、電極１１１および電極１２
１を電気的に接続する導体部１４１ａは、鼓状すなわち
中間ねじれ形状をとる。このような形状の導体部１４１
ａによると、導体部１４１ａにかかる応力は、電極１１
１，１２１と導体部１４１ａとの接続部位にではなく、
導体部１４１ａの中央部に集中する。そのため、当該接
続部位の破断が抑制され、電極間接続について良好な接
続信頼性が達成される。
【００５９】本発明において、金属粉末１４１として、
ハンダ粉末に代えてＡｇやＣｕなどの低抵抗の金属の粉
末を用いる場合には、図１（ｅ）の接合工程は、リフロ
ー加熱に代えてチップボンダーを用いて行う。その場合
の加熱温度は、金属ペースト１４０の金属粉末１４１が
溶融しない温度であって樹脂分１４２が硬化可能な温度
とする。この加熱の昇温過程においては、半導体チップ
１１０および配線基板１２０の間の樹脂膜１３０は、樹
脂分１４２の硬化温度以下で一旦軟化する。続いて、金
属粉末１４１が圧縮集合して電極１１１および電極１２
１が電気的に接続されるとともに、樹脂膜１３０におい
て硬化反応が進行する。樹脂膜１３０の硬化によって、
半導体チップ１１０と配線基板１２０とが接合される。
このように、本発明では、金属粉末１４１としてＡｇや
Ｃｕなどの低抵抗の金属の粉末を用いると、金属粉末１
４１を溶融せずとも適切な電極間接続を達成することが
できる。
【００６０】図３は、本発明の第２の実施形態に係る電
極間接続構造体形成方法を表す。本実施形態について
も、フリップチップ接合を例に挙げて説明する。まず、
図３（ａ）に示すように、表面に電極２１１が設けられ
た半導体チップ２１０に対して、電極２１１を覆うよう
に樹脂膜２３０を積層形成する。次に、図３（ｂ）に示
すように、樹脂膜２３０に対して、各電極２１１に対応
する箇所に開口部２３０ａを形成する。樹脂膜２３０の
形成および開口部２３０ａの形成については、第１の実
施形態に関して上述したのと同様である。
【００６１】次に、図３（ｃ）に示すように、開口部２
３０ａにおいて電極２１１の上に導体部２１２を形成す
る。導体部２１２は、電気めっき法や無電解めっき法に
より形成することができる。
【００６２】図４は、電気めっき法により導体部２１２
を形成する方法を表す。まず、図４（ａ）に示すよう
に、通電層２６１を形成する。通電層２６１は、Ｔｉや
Ｎｉなどのスパッタリングにより形成される。次に、図
４（ｂ）に示すように、通電層２６１の上に、めっきレ
ジスト２６２をパターン形成する。めっきレジスト２６
２は、開口部２３０ａに対応して開口している。次に、
図４（ｃ）に示すように、電気めっき法により、開口部
２３０ａ内に導体部２１２を堆積成長させる。次に、図
４（ｄ）に示すように、めっきレジスト２６２をエッチ
ング除去するとともに、樹脂膜２３０上の通電層２６１
をエッチング除去する。このようにして、図３（ｃ）に
示すような導体部２１２は形成される。
【００６３】電気めっき法により導体部２１２を形成す
る場合、図４に示す方法に代えて、次の方法を採用して
もよい。まず、図３（ａ）の工程の前に、通電層２６１
を、各電極２１１を覆うように半導体チップ２１０上に
パターン形成する。このとき、通電層２６１は、図３
（ｂ）に示す工程以降において樹脂膜２３０に覆われる
箇所にて電極２１１どうしを短絡させないように、パタ
ーン形成される。次に、上述したように図３（ａ）およ
び図３（ｂ）の工程を経て、樹脂膜２３０において開口
部２３０ａを形成する。次に、通電層２６１上に電気め
っき法により導体部２１２を堆積成長させる。
【００６４】また、導体部２１２の形成に際しては、電
気めっき法に代えて無電解めっき法を採用してもよい。
無電解めっき法により導体部２１２を形成するには、ま
ず、図３（ｂ）に示す状態において、開口部２３０ａ内
の少なくとも電極２１１の表面に、所定の触媒を付着さ
せる。次に、無電解めっき法により、当該触媒を介して
電極２１１上に導体部２１２を堆積成長させる。このよ
うにして、図３（ｃ）に示すような導体部２１２を形成
することもできる。
【００６５】導体部２１２を形成するための材料として
は、Ａｌ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄなどの
単体金属や、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚ
ｎ，Ｓｂ，Ａｌ，Ａｕなどから選択される複数の単体金
属からなる合金を用いることができる。例えば、Ｉｎや
Ｓｎ―Ｂｉ合金などの低融点金属により導体部２１２を
形成することができる。低融点金属により導体部２１２
を形成すると、後述する工程において、樹脂膜２３０を
硬化させるための温度を比較的低温に設定することがで
きる。その結果、最終的に得られる接続構造体におい
て、半導体チップ２１０および配線基板２２０の熱膨張
差に起因して生じ得る影響、例えば、半導体チップ２１
０または配線基板２２０の反りなどによる接続部の形成
不良を抑制することが可能となる。加えて、樹脂膜２３
０の軟化が生じる温度領域にて溶融する程の低融点金属
よりなる導体部２１２であれば、後述の工程において、
配線基板２２０へ半導体チップ２１０を搭載する際の押
圧力により生じ得る回路面の損傷が抑制される。
【００６６】また、異なる組成の金属を順次積層するこ
とによって導体部２１２を形成してもよい。例えば、図
３（ｃ）に示す工程において、低抵抗のＣｕを電極２１
１上に厚く堆積させ、この後、Ｃｕよりも低融点で低硬
度のＳｎをＣｕめっき表面に薄く堆積させてもよい。こ
のような積層構造を有する導体部２１２では、後述する
工程において配線基板２２０の電極２２１と直接接触す
るのはＳｎめっきである。電気抵抗の小さい金属材料を
主体としつつ、対向する電極２２１と接触する箇所には
比較的低融点または低硬度の金属材料を用いると、電極
間の接続において低抵抗の電気的接続を良好に達成する
ことができる。
【００６７】図３（ｃ）に示すように導体部２１２を形
成した後、図３（ｄ）に示すように、配線基板２２０に
対して半導体チップ２１０を搭載する。このとき、樹脂
膜２３０の開口部２３０ａに形成されている導体部２１
２と配線基板２２０の電極２２１とが対向するように、
位置合わせする。また、荷重を加えることによって、樹
脂膜２３０を配線基板２２０に密着させる。このとき、
導体部２１２は、配線基板２２０の電極２２１に対して
圧接される。
【００６８】次に、加熱処理を行うことによって、図３
（ｅ）に示すように、半導体チップ２１０と配線基板２
２０を機械的に接合するとともに、電極２１１と電極２
２１とを電気的に接続する。加熱処理の昇温過程におい
ては、半導体チップ２１０および配線基板２２０の間の
樹脂膜２３０は、導体部２１２の融点以下の温度で一旦
軟化する。続いて、導体部２１２は、電極２１１および
電極２２１に対して融着する。樹脂膜２３０においては
硬化反応が進行する。樹脂膜２３０の硬化によって、半
導体チップ２１０と配線基板２２０とが機械的に接合さ
れる。これとともに、電極２１１と電極２２１とが導体
部２１２によって電気的に接合される。導体部２１２の
構成材料として融点が８０〜４００℃の金属を用いる
と、導体部２１２は、電極２１１および電極２２１に対
して濡れなどの拡散を生じ易く、信頼性の高い電気的接
続が確保される。ただし、電極２２１に対する圧接によ
り導体部２１２が電極間の導通を達成するのであれば、
導体部２１２を溶融するまで加熱する必要はない。
【００６９】なお、第２の実施形態において、図３
（ｃ）の工程で得られる半導体チップ２１０は、他の半
導体チップや配線基板に対する電気的接続および機械的
接続を単一加熱処理により達成できる半導体チップとし
て提供することができる。
【００７０】図５および図６は、本発明の第３の実施形
態に係る電極間接続構造体形成方法を表す。本実施形態
についても、フリップチップ接合を例に挙げて説明す
る。まず、図５（ａ）に示すように、表面に電極３１１
が設けられた半導体チップ３１０に対して、電極３１１
を覆うように樹脂膜３３０を積層形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、樹脂膜３３０に対して、各電極３
１１に対応する箇所に開口部３３０ａを形成する。次
に、図５（ｃ）に示すように、開口部３３０ａにハンダ
ペースト３４０を充填する。樹脂膜３３０の形成および
開口部３３０ａの形成については、第１の実施形態に関
して上述したのと同様である。
【００７１】ハンダペースト３４０は、ハンダ粉末３４
１とフラックスビヒクル３４２とからなる。ハンダ粉末
３４１は、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚ
ｎ，Ｓｂなどから選択される単体金属、または、これら
から選択される複数の単体金属からなる合金を粉末化し
たものである。フラックスビヒクル３４２は、ロジン、
活性剤、チクソ剤、溶剤を含む。ロジンとしては、重合
ロジン、水素添加ロジン、エステル化ロジンなどを用い
ることができる。活性剤としては、例えば、セバシン
酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、トリエタノー
ルアミン、モノエタノールアミン、トリブチルアミンな
どから選択された１又は２以上の有機酸および／または
有機アミンを使用することができる。チクソ剤として
は、硬化ヒマシ油、ヒドロキシステアリン酸などを用い
ることができる。溶剤としては、２−メチル−２，４ペ
ンタンジオールやジエチレングリコールモノブチルエー
テルなどを用いることができる。
【００７２】ハンダペースト３４０の充填の後、図５
（ｄ）に示すように、加熱処理を経てバンプ３５０を形
成する。具体的には、まず、加熱により開口部３３０ａ
に充填されているハンダペースト３４０を溶融させる。
これにより、ハンダペースト３４０に含まれているフラ
ックスビヒクル３４２が揮発消失するとともに、ハンダ
粉末３４１が溶融して寄り集まる。その後の冷却によっ
て、パンプ３５０が形成される。
【００７３】次に、図６（ａ）に示すように、配線基板
３２０に対して半導体チップ３１０を搭載する。このと
き、樹脂膜３３０の開口部３３０ａに形成されたバンプ
３５０と配線基板３２０の電極３２１とが対向するよう
に、位置合わせする。また、荷重を加えることによっ
て、樹脂膜３３０を配線基板３２０に密着させる。
【００７４】次に、図６（ｂ）に示すように、リフロー
加熱を行うことによって、半導体チップ３１０と配線基
板３２０を機械的に接合するとともに、電極３１１と電
極３２１とを電気的に接続する。リフロー加熱における
加熱温度は、使用するハンダの融点よりも１０〜５０℃
高い温度とする。リフロー加熱の昇温過程においては、
半導体チップ３１０および配線基板３２０の間の樹脂膜
３３０は、バンプ３５０の融点以下の温度で一旦軟化す
る。続いて、バンプ３５０が溶融して電極３１１および
電極３２１が電気的に接続されるとともに、樹脂膜３３
０において硬化反応が進行する。樹脂膜３３０の硬化に
よって、半導体チップ３１０と配線基板３２０とが接合
される。このような方法に代えて、荷重を加えながら加
熱することによって、半導体チップ３１０と配線基板３
２０を機械的に接合するとともに、電極３１１と電極３
２１とを電気的に接続してもよい。
【００７５】なお、第３の実施形態において、図５
（ｄ）の工程で得られる半導体チップ３１０は、他の半
導体チップや配線基板に対する電気的接続および機械的
接続を単一加熱処理により達成できる半導体チップとし
て提供することができる。
【００７６】以上、本発明に係る電極間接続構造体形成
方法をフリップチップ接合を例に挙げて説明した。本発
明は、フリップチップ接合に限らず、半導体チップと半
導体チップの接合および配線基板と配線基板の接合にお
いても実施することができる。また、本発明は、ウエハ
などの大型の基板におけるバッチ製造にも適用できる。
【００７７】具体的には、第１の実施形態においては、
まず、樹脂膜１３０の形成、開口部１３０ａの形成、金
属ペースト１４０の充填を所定のウエハに対して行う。
次に、当該ウエハを必要なサイズに切断する。次に、切
断された基板個片を、図１（ｄ）および図１（ｅ）を参
照して上述したように、他の接続対象物に対して接合す
る。第２の実施形態においては、まず、樹脂膜２３０の
形成、開口部２３０ａの形成、導体部２１２の形成を所
定のウエハに対して行う。次に、当該ウエハを必要なサ
イズに切断する。次に、切断された基板個片を、図３
（ｄ）および図３（ｅ）を参照して上述したように、他
の接続対象物に対して接合する。第３の実施形態におい
ては、まず、樹脂膜３３０の形成、開口部３３０ａの形
成、ハンダペースト３４０の充填、バンプ３５０の形成
を所定のウエハに対して行う。次に、当該ウエハを必要
なサイズに切断する。次に、切断された基板個片を、図
６を参照して上述したように、他の接続対象物に対して
接合する。
【００７８】
【実施例】次に、本発明の実施例について、比較例とと
もに説明する。
【００７９】
【実施例１】＜樹脂フィルムの作製＞主剤としての固形
タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：Ａ
ＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を６１ｗｔ％、主剤
としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（商品名：ＧＹ２６０、日立化成製）を１５ｗｔ％、固
形の硬化剤としてのイミダゾール(商品名：２ＭＺ−
Ａ、四国化成製)を７ｗｔ％、アクリル樹脂としてのポ
リメチルメタクリレート（商品名：ＰＭＭＡ、アルドリ
ッチ製）を７ｗｔ％、アクリルモノマーとしてのビスフ
ェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物(商品名：
Ｖ＃５４０、大阪有機化学工業製)を９ｗｔ％、光重合
開始剤としての２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１
−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−１−オン（商
品名：イルガキュア３６９、チバスペシャリティケミカ
ルズ製)を１ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製し
た。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉
末とを、重量比１：１（シリカ粉末の添加率は５０ｗｔ
％）で混連し、５０μｍの厚さのフィルムを成形するこ
とによって本実施例の樹脂フィルムを作製した。フィル
ムの成形に際しては、シリカ粉末を添加および混合した
後の樹脂組成物をメチルケトン中に溶解ないし分散さ
せ、分散液をＰＥＴフィルム上に塗工した後に乾燥によ
り溶媒を除去した。
【００８０】＜金属ペーストの調製＞主剤としてのビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂(商品名：ＧＹ２６０、日
立化成製)を５０ｗｔ％、硬化剤としてのメチルテトラ
ヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立
化成製)を５０ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この
樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末と
を、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の添加率は
９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製
した。
【００８１】＜フリップチップ接合＞上述のようにして
作製した樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径７０μ
ｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対し
て、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・
シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹
脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および
現像を施して、電極が露出するように直径１２０μｍの
開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンを用いて行った。形成した開口部に対し、上述のよう
にして調製した金属ペーストをウレタンゴムスキージを
用いて充填した。この半導体チップを、ビルドアップ基
板に搭載した。このとき、開口部に充填されている金属
ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するように
位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を
加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱
した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフ
リップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００８２】
【実施例２】＜樹脂フィルムの作製＞主剤としての固形
タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：Ａ
ＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を６７ｗｔ％、主剤
としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（商品名：ＧＹ２６０、日立化成製）を１７ｗｔ％、固
形の硬化剤としてのイミダゾール(商品名：２ＭＺ−
Ａ、四国化成製)を８ｗｔ％、アクリル樹脂としてのポ
リメチルメタクリレート（商品名：ＰＭＭＡ、アルドリ
ッチ製）を８ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製し
た。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉
末とを、重量比１：１（シリカ粉末の添加率は５０ｗｔ
％）で混連し、５０μｍの厚さのフィルムを成形するこ
とによって本実施例の樹脂フィルムを作製した。
【００８３】＜フリップチップ接合＞上述のようにして
作製した樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径７０μ
ｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対し
て、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・
シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹
脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡ
Ｇレーザを用いて、電極が露出するように直径８０μｍ
の開口部を形成した。形成した開口部に対し、実施例１
と同様の金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて
充填した。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭
載した。このとき、開口部に充填されている金属ペース
トとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合
わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えな
がら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。
その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップ
チップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００８４】
【実施例３】＜液状樹脂組成物の調製＞主剤としての固
形タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：
ＡＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を４１ｗｔ％、主
剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂（商品名：ＧＹ２６０、日立化成製）を１０ｗｔ％、
固形の硬化剤としてのイミダゾール(商品名：２ＭＺ−
Ａ、四国化成製)を４．７ｗｔ％、アクリル樹脂として
のポリメチルメタクリレート（商品名：ＰＭＭＡ、アル
ドリッチ製）を４．７ｗｔ％、アクリルモノマーとして
のビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物
(商品名：Ｖ＃５４０、大阪有機化学工業製)を６ｗｔ
％、光重合開始剤としての２−ベンジル−２−ジメチル
アミノ−１−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−１
−オン（商品名：イルガキュア３６９、チバスペシャリ
ティケミカルズ製)を０．６ｗｔ％、溶媒としてのメチ
ルエチルケトンを３３ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を
調製した。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシ
リカ粉末とを、重量比１：１（シリカ粉末の添加率は５
０ｗｔ％）で混連し、樹脂膜形成用の液状樹脂組成物を
調製した。
【００８５】＜フリップチップ接合＞上述のようにして
調製した樹脂組成物を、半導体チップ（電極径７０μ
ｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対し
て、電極を覆うように７０μｍの厚さにスピンコーティ
ングし、８０℃の温度下で乾燥して５０μｍの樹脂膜を
形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を
施して、電極が露出するように直径１２０μｍの開口部
を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用
いて行った。形成した開口部に対し、上述のようにして
調製した金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて
充填した。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭
載した。このとき、開口部に充填されている金属ペース
トとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合
わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えな
がら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。
その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップ
チップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００８６】
【実施例４】＜金属ペーストの調製＞主剤としてのビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂(商品名：ＧＹ２６０、日
立化成製)を５０ｗｔ％、硬化剤としてのメチルテトラ
ヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立
化成製)を５０ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この
樹脂分と平均粒径７μｍのＡｇ粉末とを、重量比１：９
（Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例
の金属ペーストを調製した。
【００８７】＜フリップチップ接合＞実施例１で用いた
金属ペーストに代えて上述のようにして調製した金属ペ
ーストを用いた以外は、実施例１と同様にしてフリップ
チップ接合を行い、本実施例の電極間接続構造体を得
た。
【００８８】
【実施例５】実施例２で用いた金属ペーストに代えて実
施例４と同一の金属ペーストを用いた以外は、実施例２
と同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電
極間接続構造体を得た。
【００８９】
【実施例６】実施例３で用いた金属ペーストに代えて実
施例４と同一の金属ペーストを用いた以外は、実施例３
と同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電
極間接続構造体を得た。
【００９０】
【実施例７】＜金属ペーストの調製＞主剤としてのビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂(商品名：ＧＹ２６０、日
立化成製)を５０ｗｔ％、硬化剤としてのメチルテトラ
ヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立
化成製)を５０ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この
樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―５２％Ｉｎ粉末と
を、重量比１：９（Ｓｎ―５２％Ｉｎ粉末の添加率は９
０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製し
た。
【００９１】＜フリップチップ接合＞実施例１で用いた
金属ペーストに代えて上述のようにして調製した金属ペ
ーストを用い、接続工程における加熱温度２６０℃を２
３０℃とした以外は、実施例１と同様にしてフリップチ
ップ接合を行い、本実施例の電極間接続構造体を得た。
【００９２】
【実施例８】実施例２で用いた金属ペーストに代えて実
施例７と同一の金属ペーストを用い、接続工程における
加熱温度２６０℃を２３０℃とした以外は、実施例２と
同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電極
間接続構造体を得た。
【００９３】
【実施例９】実施例３で用いた金属ペーストに代えて実
施例７と同一の金属ペーストを用い、接続工程における
加熱温度２６０℃を２３０℃とした以外は、実施例３と
同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電極
間接続構造体を得た。
【００９４】
【実施例１０】＜金属ペーストの調製＞重合ロジン（商
品名：ポリペール、理化ハーキュレス製）を５３ｗｔ
％、溶剤としての２−メチル−２,４−ペンタンジオー
ルおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルを各
々２０ｗｔ％、活性剤としてのコハク酸を２ｗｔ％、チ
クソ剤としての硬化ヒマシ油を５ｗｔ％含有するフラッ
クスビヒクルを調製した。このフラックスビヒクルと平
均粒径１３μｍのＳｎ―５７％Ｂｉ―１％Ａｇ粉末と
を、重量比１：９（Ｓｎ―５７％Ｂｉ―１％Ａｇ粉末の
添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペース
トを調製した。
【００９５】＜フリップチップ接合＞実施例１と同様の
樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径７０μｍ、電極
ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極
を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケ
ー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形
成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施
して、電極が露出するように直径１２０μｍの開口部を
形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用い
て行った。形成した開口部に対し、上述のようにして調
製した金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充
填した。この半導体チップを１７０℃に加熱した後に冷
却すると、良好なバンプおよび接着樹脂膜付きの半導体
チップを形成することができた。この半導体チップを、
ビルドアップ基板に搭載した。このとき、開口部に充填
されている金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが
対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに
２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で
２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルド
アップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造
体を得た。
【００９６】
【実施例１１】実施例２と同様の樹脂フィルムを、半導
体チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電
極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロール
マウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃
の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹
脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、電極が露出
するように直径８０μｍの開口部を形成した。形成した
開口部に対し、実施例１０と同様の金属ペーストをウレ
タンゴムスキージを用いて充填した。この半導体チップ
を１７０℃に加熱した後に冷却すると、良好なバンプお
よび接着樹脂膜付きの半導体チップを形成することがで
きた。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載し
た。このとき、開口部に充填されている金属ペーストと
ビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせ
した。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えなが
ら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。そ
の結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチ
ップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００９７】
【実施例１２】実施例３と同様の樹脂組成物を、半導体
チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極
数３０００個)に対して、電極を覆うように７０μｍの
厚さにスピンコーティングし、８０℃の温度下で乾燥し
て５０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対
し、露光および現像を施して、電極が露出するように直
径１２０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル
−２−ピロリドンを用いて行った。形成した開口部に対
し、実施例１０と同様の金属ペーストをウレタンゴムス
キージを用いて充填した。この半導体チップを１７０℃
に加熱した後に冷却すると、良好なバンプおよび接着樹
脂膜付きの半導体チップを形成することができた。この
半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このと
き、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアッ
プ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次
に、半導体チップに３０ｇの荷重を加えながら、４℃／
ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半
導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合さ
れた電極間接続構造体を得た。
【００９８】
【実施例１３】＜樹脂フィルムの作製＞主剤としての固
形タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：
ＡＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を６６ｗｔ％、主
剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂（商品名：８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）
を１３ｗｔ％、感光性付与剤としてのペンタエリスリト
ールトリアクリレート(商品名：ＴＭＰ−３Ａ、大阪有
機化学工業製)を１３ｗｔ％、光重合開始剤としての２
−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォ
リノフェニル)−ブタン−１−オン（商品名：イルガキ
ュア３６９、チバスペシャリティケミカルズ製)を１ｗ
ｔ％、熱可塑性樹脂であるポリエステル樹脂を７ｗｔ％
含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成
物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比３：７
（シリカ粉末の添加率は７０ｗｔ％）で混連し、５０μ
ｍの厚さのフィルムを成形することによって本実施例の
樹脂フィルムを作製した。
【００９９】＜金属ペーストの調製＞硬化剤としてのメ
チルテトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２
００、日立化成製)を９６ｗｔ％、硬化促進剤としての
１−メチル−２−エチルイミダゾール（商品名：１Ｍ２
ＥＺ、四国化成製）を４ｗｔ％含有する樹脂分を調製し
た。この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａ
ｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の
添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペース
トを調製した。
【０１００】＜フリップチップ接合＞上述のようにして
作製した樹脂フィルムを、チップ個片単位の電極数が３
０００個であるＬＳＩチップウエハ（電極径７０μｍ、
電極ピッチ１５０μｍ)に対して、電極を覆うように、
ラミネート装置（（株）エム・シー・ケー製）を用いて
６５℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、
当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露
出するように直径１２０μｍの開口部を形成した。現像
は、イソプロピルアルコールを用いて行った。形成した
開口部に対し、上述のようにして調製した金属ペースト
をウレタンゴムスキージを用いて充填した。樹脂膜表面
に保護フィルム（商品名：Ｄ６２８、リンテック製）を
貼り付けた後、ダイシングによりＬＳＩチップウエハを
チップ個片に切断した。切断されたチップを、フリップ
チップボンダを用いてビルドアップ基板に位置合わせし
て仮固定を行った。このとき、開口部に充填されている
金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するよ
うに位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷
重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に
加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板
にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【０１０１】
【実施例１４】＜樹脂フィルムの作製＞主剤としての固
形タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：
ＡＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を７３ｗｔ％、主
剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂（商品名：８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）
を１８ｗｔ％、熱可塑性樹脂であるポリエステル樹脂を
９ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間
樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量
比３：７（シリカ粉末の添加率は７０ｗｔ％）で混連
し、５０μｍの厚さのフィルムを成形することによって
本実施例の樹脂フィルムを作製した。
【０１０２】＜金属ペーストの調製＞硬化剤としてのメ
チルテトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２
００、日立化成製)を６９ｗｔ％、硬化促進剤としての
１−メチル−２−エチルイミダゾール（商品名：１Ｍ２
ＥＺ、四国化成製）を３ｗｔ％、溶剤としてのテトラエ
チレングリコールを２８ｗｔ％含有する樹脂分を調製し
た。この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａ
ｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の
添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペース
トを調製した。
【０１０３】＜フリップチップ接合＞上述のようにして
作製した樹脂フィルムを、ビルドアップ基板Ａ（電極径
７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ)に対して、電極を覆
うように、ラミネート装置（（株）エム・シー・ケー
製）を用いて貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該
樹脂膜に対し、炭酸ガスレーザを用いて、電極が露出す
るように直径１２０μｍの開口部を形成した。形成した
開口部に対し、上述のようにして調製した金属ペースト
をウレタンゴムスキージを用いて充填した。このビルド
アップ基板Ａをフリップチップボンダを用いて別のビル
ドアップ基板Ｂに位置合わせして仮固定を行った。この
とき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドア
ップ基板Ｂの電極とが対向するように位置合わせした。
次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃
／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、
ビルドアップ基板同士が接合された電極間接続構造体を
得た。
【０１０４】
【実施例１５】＜液状樹脂組成物の調製＞主剤としての
液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品
名：８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）を６６ｗ
ｔ％、感光性付与剤としてのペンタエリスリトールトリ
アクリレート(商品名：ＴＭＰ−３Ａ、大阪有機化学工
業製)を２６ｗｔ％、光重合開始剤としての２−ベンジ
ル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォリノフェ
ニル)−ブタン−１−オン（商品名：イルガキュア３６
９、チバスペシャリティケミカルズ製)を１ｗｔ％、熱
可塑性樹脂であるポリエステル樹脂を７ｗｔ％含有する
中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、平
均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比３：７（シリカ
粉末の添加率は７０ｗｔ％）で混連し、樹脂膜形成用の
液状樹脂組成物を調製した。
【０１０５】＜金属ペーストの調製＞フェノール系硬化
剤（商品名：ＢＵＲ６０１Ｐ、旭電化工業製)を７１ｗ
ｔ％、硬化促進剤としての１−メチル−２−エチルイミ
ダゾール（商品名：１Ｍ２ＥＺ、四国化成製）を４ｗｔ
％、活性剤としての無水コハク酸を７ｗｔ％、ロジン酸
（和光純薬製）を４ｗｔ％、溶剤としてのテトラエチレ
ングリコールを１４ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。
この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉
末とを、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の添加
率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを
調製した。
【０１０６】＜フリップチップ接合＞上述のようにして
調製した液状樹脂組成物を、チップ個片単位の電極数が
３０００個であるＬＳＩチップウエハ（電極径７０μ
ｍ、電極ピッチ１５０μｍ)に対して、電極を覆うよう
に、スピンコータを用いてスピンコーティングし、樹脂
膜を形成した。以降の工程は実施例１３と同様にして、
半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合
された電極間接続構造体を得た。
【０１０７】
【実施例１６】＜樹脂フィルムの作製＞フェノール系硬
化剤（商品名：ＢＵＲ６０１Ｐ、旭電化工業製)を７５
ｗｔ％、感光性付与剤としてのペンタエリスリトールト
リアクリレート(商品名：ＴＭＰ−３Ａ、大阪有機化学
工業製)を１６ｗｔ％、光重合開始剤としての２−ベン
ジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォリノフ
ェニル)−ブタン−１−オン（商品名：イルガキュア３
６９、チバスペシャリティケミカルズ製)を１ｗｔ％、
熱可塑性樹脂であるポリエステル樹脂を８ｗｔ％含有す
る中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、
平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比３：７（シリ
カ粉末の添加率は７０ｗｔ％）で混連し、５０μｍの厚
さのフィルムを成形することによって本実施例の樹脂フ
ィルムを作製した。
【０１０８】＜金属ペーストの調製＞主剤としての液状
タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：８
３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）を８３ｗｔ％、
溶剤としてのテトラエチレングリコールを１７ｗｔ％含
有する樹脂分を調製した。この樹脂分と平均粒径１３μ
ｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ
―３．５％Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、
本実施例の金属ペーストを調製した。
【０１０９】＜フリップチップ接合＞実施例１３で用い
た樹脂フィルムおよび金属ペーストに代えて、上述のよ
うにして得た樹脂フィルムおよび金属ペーストを用いた
以外は、実施例１３と同様にして、半導体チップがビル
ドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構
造体を得た。
【０１１０】
【実施例１７】＜樹脂フィルムの作製＞厚さ５０μｍを
２０μｍに代えた以外は実施例１と同様にして、本実施
例の樹脂フィルムを作製した。
【０１１１】＜フリップチップ接合＞本実施例の樹脂フ
ィルムを、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ
８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うよ
うに、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を
用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。
次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電
極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。
現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。
次に、樹脂膜上および開口部内に通電層を形成した。具
体的には、スパッタリングにより、Ｔｉ(０．５μｍ)お
よびＮｉ(０．５μｍ)を順次成膜した。次に、樹脂膜上
に、開口部を露出させつつ、めっきレジスト膜をパター
ン形成した。次に、電気めっき法により、開口部内に導
体部を形成した。具体的には、開口部内の電極上に、通
電層を介して、厚さ４μｍのＮｉめっきに続いて厚さ１
５μｍのＳｎめっきを施した。次に、めっきレジスト、
および、樹脂膜上の通電層をエッチングにより除去し
た。これにより、電極上にＮｉ層およびＳｎ層の２層構
造を有する導体部を備えつつ、接合用の絶縁膜を有する
半導体チップが得られた。そして、この半導体チップ
を、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、樹脂膜の
開口部に形成されている導体部とビルドアップ基板の電
極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チ
ップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温
速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップが
ビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接
続構造体を得た。
【０１１２】
【実施例１８】＜樹脂フィルムの作製＞厚さ５０μｍを
２０μｍに代えた以外は実施例２と同様にして、本実施
例の樹脂フィルムを作製した。
【０１１３】＜フリップチップ接合＞本実施例の樹脂フ
ィルムを、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ
８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うよ
うに、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を
用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。
次に、当該樹脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用い
て、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成
した。以降の工程については実施例１７と同様にして、
半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合
された電極間接続構造体を作製した。
【０１１４】
【実施例１９】＜液状樹脂組成物の調製＞中間樹脂組成
物とこれに添加されるシリカ粉末との重量比を、１：１
に代えて５：１（シリカ粉末の添加率は１６．７ｗｔ
％）とした以外は、実施例３と同様にして、本実施例の
液状樹脂組成物を調製した。
【０１１５】＜フリップチップ接合＞本実施例の樹脂組
成物を、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８
０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うよう
に７０μｍの厚さにスピンコーティングし、８０℃の温
度下で乾燥して２０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当
該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出
するように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、
Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。以降の工
程については実施例１７と同様にして、半導体チップが
ビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接
続構造体を作製した。
【０１１６】
【実施例２０】電気めっき法による導体部の形成におい
て、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍの
６３％Ｓｎ―Ｐｂめっきを施した以外は、実施例１７と
同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリッ
プチップ接合された電極間接続構造体を作製した。した
がって、本実施例の電極間接続構造体において、半導体
チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およ
び６３％Ｓｎ―Ｐｂ層からなる２層構造を有する。
【０１１７】
【実施例２１】電気めっき法による導体部の形成におい
て、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍの
６３％Ｓｎ―Ｐｂめっきを施した以外は、実施例１８と
同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリッ
プチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実
施例の電極間接続構造体においても、実施例２０と同様
に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、
Ｎｉ層および６３％Ｓｎ―Ｐｂ層からなる２層構造を有
する。
【０１１８】
【実施例２２】電気めっき法による導体部の形成におい
て、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍの
６３％Ｓｎ―Ｐｂめっきを施した以外は、実施例１９と
同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリッ
プチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実
施例の電極間接続構造体においても、実施例２０および
実施例２１と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接
続する導体部は、Ｎｉ層および６３％Ｓｎ―Ｐｂ層から
なる２層構造を有する。
【０１１９】
【実施例２３】実施例１７と同一の樹脂フィルムを、半
導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電
極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロール
マウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃
の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹
脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出する
ように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−
メチル−２−ピロリドンを用いて行った。次に、樹脂膜
上および開口部内に通電層を形成した。具体的には、ス
パッタリングにより、Ｔｉ(０．５μｍ)およびＮｉ
(０．５μｍ)を順次成膜した。次に、樹脂膜上に、開口
部を露出させつつ、めっきレジスト膜をパターン形成し
た。次に、電気めっき法により、開口部内に導体部を形
成した。具体的には、開口部内の電極上に、通電層を介
して、厚さ４μｍのＮｉめっきに続いて厚さ１５μｍの
Ｉｎめっきを施した。次に、めっきレジスト、および、
樹脂膜上の通電層をエッチングにより除去した。これに
より、電極上にＮｉ層およびＩｎ層の２層構造を有する
導体部を備えつつ、接合用の絶縁膜を有する半導体チッ
プが得られた。そして、この半導体チップを、ビルドア
ップ基板に搭載した。このとき、樹脂膜の開口部に形成
されている導体部とビルドアップ基板の電極とが対向す
るように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇ
の荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で１８０
℃にまで加熱し、この温度を１０分間維持した。その結
果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ
接合された電極間接続構造体を得た。
【０１２０】
【実施例２４】実施例１８と同一の樹脂フィルムを、半
導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電
極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロール
マウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃
の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹
脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、電極が露出
するように直径４０μｍの開口部を形成した。以降の工
程については実施例２３と同様にして、半導体チップが
ビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接
続構造体を作製した。したがって、本実施例の電極間接
続構造体において、実施例２３と同様に、半導体チップ
電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およびＩｎ
層からなる２層構造を有する。
【０１２１】
【実施例２５】実施例１９と同一の液状樹脂組成物を、
半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、
電極数３０００個)に対して、電極を覆うように７０μ
ｍの厚さにスピンコーティングし、８０℃の温度下で乾
燥して２０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜
に対し、露光および現像を施して、電極が露出するよう
に直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドンを用いて行った。以降の工程につい
ては実施例２３と同様にして、半導体チップがビルドア
ップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体
を作製した。本実施例の電極間接続構造体においても、
実施例２３および実施例２４と同様に、半導体チップ電
極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およびＩｎ層
からなる２層構造を有する。
【０１２２】
【実施例２６】電気めっき法による導体部の形成におい
て、厚さ１５μｍのＩｎめっきに代えて厚さ１５μｍの
Ｓｎ―５７％Ｂｉめっきを施した以外は、実施例２３と
同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリッ
プチップ接合された電極間接続構造体を作製した。した
がって、本実施例の電極間接続構造体において、半導体
チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およ
びＳｎ―５７％Ｂｉ層からなる２層構造を有する。
【０１２３】
【実施例２７】電気めっき法による導体部の形成におい
て、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍの
Ｓｎ―５７％Ｂｉめっきを施した以外は、実施例２４と
同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリッ
プチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実
施例の電極間接続構造体においても、実施例２６と同様
に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、
Ｎｉ層およびＳｎ―５７％Ｂｉ層からなる２層構造を有
する。
【０１２４】
【実施例２８】電気めっき法による導体部の形成におい
て、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍの
Ｓｎ―５７％Ｂｉめっきを施した以外は、実施例２５と
同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリッ
プチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実
施例の電極間接続構造体においても、実施例２６および
実施例２７と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接
続する導体部は、Ｎｉ層およびＳｎ―５７％Ｂｉ層から
なる２層構造を有する。
【０１２５】
【実施例２９】実施例１７と同一の樹脂フィルムを、半
導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電
極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロール
マウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃
の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹
脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出する
ように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−
メチル−２−ピロリドンを用いて行った。次に、開口部
内の電極の表面を触媒処理した。次に、無電解めっき法
により、開口部内に導体部を形成した。具体的には、開
口部内の電極上に、厚さ１７μｍのＣｕめっきを施し、
更に厚さ３μｍのＳｎめっきを施した。これにより、電
極上にＣｕ層およびＳｎ層の２層構造を有する導体部を
備えつつ、接合用の絶縁膜を有する半導体チップが得ら
れた。そして、この半導体チップを、ビルドアップ基板
に搭載した。このとき、樹脂膜の開口部に形成されてい
る導体部とビルドアップ基板の電極とが対向するように
位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を
加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱
した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフ
リップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【０１２６】
【実施例３０】実施例１８と同一の樹脂フィルムを、半
導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電
極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロール
マウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃
の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹
脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、電極が露出
するように直径４０μｍの開口部を形成した。以降の工
程については実施例２９と同様にして、半導体チップが
ビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接
続構造体を作製した。したがって、本実施例の電極間接
続構造体においても、実施例２９と同様に、半導体チッ
プ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｃｕ層およびＳ
ｎ層からなる２層構造を有する。
【０１２７】
【実施例３１】実施例１９と同一の液状樹脂組成物を、
半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、
電極数３０００個)に対して、電極を覆うように７０μ
ｍの厚さにスピンコーティングし、８０℃の温度下で乾
燥して２０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜
に対し、露光および現像を施して、電極が露出するよう
に直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドンを用いて行った。以降の工程につい
ては実施例２９と同様にして、半導体チップがビルドア
ップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体
を作製した。本実施例の電極間接続構造体においても、
実施例２９および実施例３０と同様に、半導体チップ電
極と基板電極を接続する導体部は、Ｃｕ層およびＳｎ層
からなる２層構造を有する。
【０１２８】
【温度サイクル試験】実施例１〜３１の電極間接続構造
体の各々について、温度サイクル試験により接続信頼性
を調べた。具体的には、まず、電極間接続構造体におけ
る各電極間接続部について初期導通抵抗を測定した。次
に、−５５℃〜１２５℃の範囲で温度サイクル試験を行
った後、各接続部の導通抵抗を測定した。温度サイクル
試験は、−５５℃での１５分間冷却、室温での１０分間
放置、および１２５℃での１５分間加熱を１サイクルと
し、このサイクルを２０００回繰り返した。その結果、
実施例１〜３１の全ての電極間接続構造体について、各
接続部における抵抗上昇は１０％未満であり、良好な接
続部が形成されていることが確認された。
【０１２９】
【耐湿試験】実施例１〜３１の電極間接続構造体の各々
について、耐湿試験により接続信頼性を調べた。具体的
には、まず、電極間接続構造体における各電極間接続部
について、２５℃および湿度６０％の環境下で導通抵抗
を測定した。次に、各電極間接続構造体を、１２１℃お
よび湿度８５％の環境下に放置し、１０００時間経過後
における各接続部の導通抵抗を測定した。その結果、実
施例１〜３１の全ての電極間接続構造体について、各接
続部における抵抗上昇は１０％未満であり、良好な接続
部が形成されていることが確認された。
【０１３０】
【比較例】図７および図８を参照して上述した方法で、
従来のフリップチップ接合を行った。まず、半導体チッ
プ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３
０００個)にバンプを形成した。バンプの形成に使用し
たメタルマスクは、厚さが５０μｍであって開口部の直
径を１２０μｍとした。まず、このメタルマスクの開口
部と半導体チップの電極とを位置合わせしつつ、メタル
マスクを半導体チップ上に載置した。次に、メタルマス
クの開口部に対して、スキージを用いて金属ペーストを
充填した。金属ペーストは、ロジンとしてのポリペール
（理化ハーキュレス製）を５３ｗｔ％、溶剤としての２
−メチル−２,４−ペンタンジオールおよびジエチレン
グリコールモノブチルエーテルを各々２０ｗｔ％、活性
剤としてのコハク酸を２ｗｔ％、チクソ剤としての硬化
ヒマシ油を５ｗｔ％含有するフラックスビヒクルに、平
均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末を、重量比
１：９（Ｓｎ―３．５Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）
で混連したものを用いた。
【０１３１】金属ペーストの充填の後、メタルマスクを
除去し、２６０℃の加熱処理を経て電極上にバンプを形
成した。次に、フラックスをビルドアップ基板に塗布し
た。次に、ビルドアップ基板に対して、バンプが形成さ
れた半導体チップを位置合わせしつつ搭載した。次に、
再度２６０℃に加熱した。次に、グリコールエーテル系
洗浄剤（商品名：クリーンスルー、花王製）を用いて、
半導体チップとビルドアップ基板との間の隙間のフラッ
クスを除去した。次に、液状のアンダーフィル剤を当該
隙間に充填した。このアンダーフィル剤は、液状タイプ
のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＧＹ２６
０、日立化成製）を４２ｗｔ％、硬化剤としてのメチル
テトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２０
０、日立化成製)を３６ｗｔ％、触媒としての１−シア
ノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品
名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ、四国化成製）を１ｗｔ％、平均
粒径４μｍのシリカ粉末を２１ｗｔ％含有する。アンダ
ーフィル剤の充填の後、１５０℃で２時間の熱処理を行
って、当該アンダーフィル剤を硬化させた。
【０１３２】このようなフリップチップ接合により形成
された電極間接続構造体について、実施例１〜３１と同
様にして温度サイクル試験を行ったところ、各接続部に
ついて２０％以上の抵抗上昇が確認された。また、実施
例１〜３１と同様にして耐湿試験を行ったところ、温度
サイクル試験と同様に、各接続部について２０％以上の
抵抗上昇が確認された。
【０１３３】以上のまとめとして、本発明の構成および
そのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【０１３４】（付記１）第１電極部を有する第１接続対
象物に対して、前記第１電極部を覆うように樹脂膜を形
成する工程と、前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が
露出するように開口部を形成する工程と、金属を含む金
属ペーストを前記開口部に充填する工程と、前記第１接
続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物
を、前記開口部に充填された金属ペーストと前記第２電
極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に
接するように、配置する工程と、前記第１電極部および
前記第２電極部が前記金属を介して電気的に接続される
とともに前記樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う
接続工程と、を含むことを特徴とする、電極間接続構造
体の形成方法。 （付記２）前記金属は粉末状のハンダであり、前記接続
工程では、前記粉末状のハンダを溶融させる、付記１に
記載の電極間接続構造体の形成方法。 （付記３）前記金属ペーストは樹脂分を含み、前記接続
工程では、当該樹脂分を硬化させる、付記１または２に
記載の電極間接続構造体の形成方法。 （付記４）前記樹脂膜は、前記金属が溶融する温度以下
で軟化する組成を有する、付記１から３のいずれか１つ
に記載の電極間接続構造体の形成方法。 （付記５）前記金属はＡｇまたはＣｕであり、前記金属
ペーストは樹脂分を含み、前記接続工程では、前記金属
を溶融させずに前記樹脂分を硬化させる、付記１に記載
の電極間接続構造体の形成方法。 （付記６）前記樹脂膜は、前記樹脂分が硬化する温度以
下で軟化する組成を有する、付記５に記載の電極間接続
構造体の形成方法。 （付記７）前記金属は、８０〜３８０℃の融点を有す
る、付記１から６のいずれか１つに記載の電極間接続構
造体の形成方法。 （付記８）前記金属は、前記金属ペーストにおいて３０
〜７０体積％含まれている、付記１から７のいずれか１
つに記載の電極間接続構造体の形成方法。 （付記９）前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂
分および前記樹脂膜は同一の主剤樹脂を含み、前記接続
工程では前記樹脂分および前記樹脂膜を一体化させる、
付記１から８のいずれか１つに記載の電極間接続構造体
の形成方法。 （付記１０）前記樹脂膜は主剤樹脂を含み、前記金属ペ
ーストは樹脂分を含み、当該樹脂分は前記主剤樹脂を硬
化させるための硬化剤を含む、付記１から９のいずれか
１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。 （付記１１）前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹
脂分は主剤樹脂を含み、前記樹脂膜は前記主剤樹脂を硬
化させるための硬化剤を含む、付記１から９のいずれか
１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。 （付記１２）第１電極部を有する第１接続対象物に対し
て、前記第１電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜を形
成する工程と、前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が
露出するように開口部を形成する工程と、前記開口部に
導体部を形成する工程と、前記第１接続対象物、およ
び、第２電極部を有する第２接続対象物を、前記開口部
に形成された前記導体部と前記第２電極部とが対向しつ
つ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配
置する工程と、前記第１電極部および前記第２電極部が
前記導体部を介して電気的に接続されるとともに前記樹
脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接続工程と、を
含むことを特徴とする、電極間接続構造体の形成方法。 （付記１３）前記接続工程では、前記導体部は、前記第
１電極部および／または前記第２電極部に対して溶融接
合される、付記１２に記載の電極間接続構造体の形成方
法。 （付記１４）前記導体部は、電気めっき及び／又は無電
解めっきにより形成される、付記１２または１３に記載
の電極間接続構造体の形成方法。 （付記１５）前記導体部は、複数の層からなる積層構造
を有し、各層は、隣接する層とは異なる金属組成を有す
る、付記１２から１４のいずれか１つに記載の電極間接
続構造体の形成方法。 （付記１６）前記導体部の少なくとも一部は、８０〜４
００℃の融点を有する、付記１２から１５のいずれか１
つに記載の電極間接続構造体の形成方法。 （付記１７）第１電極部を有する第１接続対象物に対し
て、前記第１電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程
と、前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が露出するよ
うに開口部を形成する工程と、金属を含むバンプ形成材
料を前記開口部に充填する工程と、加熱処理を行うこと
により前記開口部にバンプを形成する工程と、前記第１
接続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象
物を、前記バンプと前記第２電極部とが対向しつつ前記
樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する
工程と、前記第１電極部および前記第２電極部が前記バ
ンプを介して接続されるとともに前記樹脂膜を硬化させ
るように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特
徴とする、電極間接続構造体の形成方法。 （付記１８）前記樹脂膜は感光性を有している、付記１
から１７のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形
成方法。 （付記１９）前記樹脂膜はフィルム状である、付記１か
ら１８のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成
方法。 （付記２０）前記樹脂膜は無機フィラーを含み、前記樹
脂膜における前記無機フィラーの含有率は３０〜７０ｗ
ｔ％である、付記１から１９のいずれか１つに記載の電
極間接続構造体の形成方法。 （付記２１）前記接続工程では、前記第１接続対象物に
対して前記第２接続対象物を押圧する、或は、前記第２
接続対象物に対して前記第１接続対象物を押圧する、付
記１から２０のいずれか１つに記載の電極間接続構造体
の形成方法。 （付記２２）付記１から２１のいずれか１つに記載の方
法によって形成されたことを特徴とする、電極間接続構
造体。 （付記２３）第１電極部を備えるとともに、この第１電
極部を露出させる開口部を有する樹脂膜で覆われている
第１接続対象物に対して、前記第１電極部に対応する第
２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための方法
であって、金属を含む金属ペーストを前記開口部に充填
する工程と、前記第１接続対象物および前記第２接続対
象物を、前記金属ペーストと前記第２電極部とが対向し
つつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、
配置する工程と、前記第１電極部および前記第２電極部
が前記金属を介して電気的に接続されるとともに前記樹
脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工程と、を
含むことを特徴とする、接続方法。 （付記２４）第１電極部を備えるとともに、この第１電
極部を露出させる開口部を有する熱硬化性の樹脂膜で覆
われている第１接続対象物に対して、前記第１電極部に
対応する第２電極部を備えた第２接続対象物を接続する
ための方法であって、前記開口部に導体部を形成する工
程と、前記第１接続対象物および前記第２接続対象物
を、前記導体部と前記第２電極部とが対向しつつ前記樹
脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する工
程と、前記第１電極部および前記第２電極部が前記導体
部を介して電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬
化するように、加熱処理を行う接合工程と、を含むこと
を特徴とする、接続方法。 （付記２５）第１電極部を備えるとともに、この第１電
極部を露出させる開口部を有する樹脂膜で覆われている
第１接続対象物に対して、前記第１電極部に対応する第
２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための方法
であって、金属を含むバンプ形成材料を前記開口部に充
填する工程と、加熱処理を行うことにより前記開口部に
バンプを形成する工程と、前記第１接続対象物および前
記第２接続対象物を、前記バンプと前記第２電極部とが
対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するよ
うに、配置する工程と、前記第１電極部および前記第２
電極部が前記バンプを介して電気的に接続されるととも
に前記樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工
程と、を含むことを特徴とする、接続方法。 （付記２６）電極部が設けられた接続対象物に対して、
前記電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜を形成する工
程と、前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するよう
に開口部を形成する工程と、前記開口部に導体部を形成
する工程と、を含み、前記樹脂膜は、加熱によって硬化
可能な状態であることを特徴とする、電極間接続構造中
間体の形成方法。 （付記２７）電極部が設けられた接続対象物に対して、
前記電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、前記
樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口部を
形成する工程と、金属を含むバンプ形成材料を前記開口
部に充填する工程と、を含み、前記樹脂膜は、加熱によ
って硬化可能な状態であることを特徴とする、電極間接
続構造中間体の形成方法。 （付記２８）付記２６または２７に記載の方法によって
形成されたことを特徴とする、電極間接続構造中間体。 （付記２９）第１電極部が設けられた第１接続対象物
と、前記第１電極部に対向する第２電極部が設けられた
第２接続対象物と、前記第１電極部と前記第２電極部と
を接続する中間くびれ導体部と、前記第１接続対象物と
前記第２接続対象物との間を填塞する封止樹脂と、を備
えることを特徴とする、電極間接続構造体。 （付記３０）前記封止樹脂は無機フィラーを含み、前記
封止樹脂における前記無機フィラーの含有率は３０〜７
０ｗｔ％である、付記２９に記載の電極間接続構造体。 （付記３１）前記第１接続対象物および前記第２接続対
象物は、各々、半導体チップまたは配線基板である、請
求項２２，２９および３０のいずれか１つに記載の電極
間接続構造体。
【０１３５】
【発明の効果】本発明によると、半導体チップと半導体
チップの接合、半導体チップの配線基板への実装、配線
基板と配線基板との接合などにおいて、位置合わせのた
めのフラックスの塗布および除去ならびにアンダーフィ
ル剤の充填を行うことなく、接合信頼性の高い電極間接
続構造体を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電極間接続構造
体形成方法を利用したフリップチップ接合の一連の工程
を表す。
【図２】図１に示す方法により形成された電極間接続構
造体の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る電極間接続構造
体形成方法を利用したフリップチップ接合の工程を表
す。
【図４】図３に示す電極間接続構造体形成方法における
導体部形成工程を表す。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る電極間接続構造
体形成方法を利用したフリップチップ接合の工程を表
す。
【図６】図５に続く工程を表す。
【図７】フリップチップ接合の従来の工程を表す。
【図８】図７に続く工程を表す。
【符号の説明】
１１０，２１０，３１０ 半導体チップ １２０，２２０，３２０ 配線基板 １１１，１２１，２１１，２２１，３１１，３２１
電極 １３０，２３０，３３０ 樹脂膜 １３０ａ，２３０ａ，３３０ａ 開口部 １４０ 金属ペースト １４１ 金属粉末 １４１ａ，２１２ 導体部 １４２ 樹脂分 ３４０ ハンダペースト ３４１ ハンダ粉末 ３４２ フラックスビヒクル ３５０ バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八木 友久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5E314 AA25 AA32 AA42 BB06 BB11 CC01 CC15 DD06 DD07 FF01 FF27 GG01 GG09 5E319 AA03 AA07 AB03 AC01 BB05 BB11 CC12 CC33 CD26 GG03 5E346 AA43 DD02 DD03 EE01 FF18 FF19 GG15 GG17 GG25 GG28 HH32

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１電極部を有する第１接続対象物に対
    して、前記第１電極部を覆うように樹脂膜を形成する工
    程と、 前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が露出するように
    開口部を形成する工程と、 金属を含む金属ペーストを前記開口部に充填する工程
    と、 前記第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２
    接続対象物を、前記開口部に充填された金属ペーストと
    前記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接
    続対象物に接するように、配置する工程と、 前記第１電極部および前記第２電極部が前記金属を介し
    て電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬化するよ
    うに、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴と
    する、電極間接続構造体の形成方法。
  2. 【請求項２】 前記金属は粉末状のハンダであり、前記
    接続工程では、前記粉末状のハンダを溶融させる、請求
    項１に記載の電極間接続構造体の形成方法。
  3. 【請求項３】 前記金属ペーストは樹脂分を含み、前記
    接続工程では、当該樹脂分を硬化させる、請求項１また
    は２に記載の電極間接続構造体の形成方法。
  4. 【請求項４】 前記樹脂膜は、前記金属が溶融する温度
    以下で軟化する組成を有する、請求項１から３のいずれ
    か１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
  5. 【請求項５】 前記金属はＡｇまたはＣｕであり、前記
    金属ペーストは樹脂分を含み、前記接続工程では、前記
    金属を溶融させずに前記樹脂分を硬化させる、請求項１
    に記載の電極間接続構造体の形成方法。
  6. 【請求項６】 前記樹脂膜は、前記樹脂分が硬化する温
    度以下で軟化する組成を有する、請求項５に記載の電極
    間接続構造体の形成方法。
  7. 【請求項７】 前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該
    樹脂分および前記樹脂膜は同一の主剤樹脂を含み、前記
    接続工程では前記樹脂分および前記樹脂膜を一体化させ
    る、請求項１から６のいずれか１つに記載の電極間接続
    構造体の形成方法。
  8. 【請求項８】 前記樹脂膜は主剤樹脂を含み、前記金属
    ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分は前記主剤樹脂を
    硬化させるための硬化剤を含む、請求項１から７のいず
    れか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
  9. 【請求項９】 前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該
    樹脂分は主剤樹脂を含み、前記樹脂膜は前記主剤樹脂を
    硬化させるための硬化剤を含む、請求項１から７のいず
    れか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
  10. 【請求項１０】 第１電極部を有する第１接続対象物に
    対して、前記第１電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜
    を形成する工程と、 前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が露出するように
    開口部を形成する工程と、 前記開口部に導体部を形成する工程と、 前記第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２
    接続対象物を、前記開口部に形成された前記導体部と前
    記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続
    対象物に接するように、配置する工程と、 前記第１電極部および前記第２電極部が前記導体部を介
    して電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬化する
    ように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴
    とする、電極間接続構造体の形成方法。
  11. 【請求項１１】 前記接続工程では、前記導体部は、前
    記第１電極部および／または前記第２電極部に対して溶
    融接合される、請求項１０に記載の電極間接続構造体の
    形成方法。
  12. 【請求項１２】 前記導体部は、電気めっき及び／又は
    無電解めっきにより形成される、請求項１０または１１
    に記載の電極間接続構造体の形成方法。
  13. 【請求項１３】 前記導体部は、複数の層からなる積層
    構造を有し、各層は、隣接する層とは異なる金属組成を
    有する、請求項１０から１２のいずれか１つに記載の電
    極間接続構造体の形成方法。
  14. 【請求項１４】 第１電極部を有する第１接続対象物に
    対して、前記第１電極部を覆うように樹脂膜を形成する
    工程と、 前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が露出するように
    開口部を形成する工程と、 金属を含むバンプ形成材料を前記開口部に充填する工程
    と、 加熱処理を行うことにより前記開口部にバンプを形成す
    る工程と、 前記第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２
    接続対象物を、前記バンプと前記第２電極部とが対向し
    つつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、
    配置する工程と、 前記第１電極部および前記第２電極部が前記バンプを介
    して接続されるとともに前記樹脂膜を硬化させるよう
    に、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とす
    る、電極間接続構造体の形成方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１から１４のいずれか１つに記
    載の方法によって形成されたことを特徴とする、電極間
    接続構造体。
  16. 【請求項１６】 電極部が設けられた接続対象物に対し
    て、前記電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜を形成す
    る工程と、 前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口
    部を形成する工程と、 前記開口部に導体部を形成する工程と、を含み、 前記樹脂膜は、加熱によって硬化可能な状態であること
    を特徴とする、電極間接続構造中間体の形成方法。
  17. 【請求項１７】 電極部が設けられた接続対象物に対し
    て、前記電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、 前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口
    部を形成する工程と、 金属を含むバンプ形成材料を前記開口部に充填する工程
    と、を含み、 前記樹脂膜は、加熱によって硬化可能な状態であること
    を特徴とする、電極間接続構造中間体の形成方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１６または１７に記載の方法に
    よって形成されたことを特徴とする、電極間接続構造中
    間体。
  19. 【請求項１９】 第１電極部が設けられた第１接続対象
    物と、 前記第１電極部に対向する第２電極部が設けられた第２
    接続対象物と、 前記第１電極部と前記第２電極部とを接続する中間くび
    れ導体部と、 前記第１接続対象物と前記第２接続対象物との間を填塞
    する封止樹脂と、を備えることを特徴とする、電極間接
    続構造体。
  20. 【請求項２０】 前記第１接続対象物および前記第２接
    続対象物は、各々、半導体チップまたは配線基板であ
    る、請求項１５または１９のいずれか１つに記載の電極
    間接続構造体。
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