JP2014082359A - 半導体基板、半導体装置、および固体撮像装置、並びに半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板、半導体装置、および固体撮像装置、並びに半導体基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014082359A JP2014082359A JP2012229760A JP2012229760A JP2014082359A JP 2014082359 A JP2014082359 A JP 2014082359A JP 2012229760 A JP2012229760 A JP 2012229760A JP 2012229760 A JP2012229760 A JP 2012229760A JP 2014082359 A JP2014082359 A JP 2014082359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- electrode
- resin layer
- electrodes
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
【解決手段】本発明の半導体基板1は、基材10と、基材の厚さ方向の一方の面に設けられ、複数の電極20aが平面視において二次元配列された電極アレイ20と、当該一方の面に設けられ、複数の電極の周囲を封止する樹脂層31とを備え、複数の電極は、自身の高さの5パーセント以上樹脂層上に突出しており、高さ方向に圧縮されることにより樹脂層内に収容可能であることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
その他、感光性のアンダーフィルを用いて電極パターンを形成し、そこに銅などの電極材料を埋め込んだ後に化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing、CMP)にて平坦化するといった方法も提案されている。
また上述のCMPを用いた方法では、電極とアンダーフィルの材料による研磨レートの違いによって、高さを均一に揃えることが困難な場合があるといった問題がある。
本発明の他の目的は、多数の電極を備えながらもこれらが確実に接続され、かつ製造効率が向上された半導体装置および固体撮像装置を提供することである。
本発明の第三の態様は、本発明の半導体装置を備えることを特徴とする固体撮像装置である。
また、本発明の半導体装置および固体撮像装置によれば、多数の電極を備えながらもこれらを確実に接続し、製造効率も向上させることができる。
図1の上側は、本実施形態の半導体基板1を示す平面図である。半導体基板1は、板状またはシート状の基材10と、基材10の面上に形成された複数の電極アレイ20とを備えている。
また、図示を省略しているが、基材10には、電極アレイ20と電気的に接続された配線が形成されている。配線の態様は、印刷やエッチング等により基材10の厚さ方向の一方または両方の面に形成されてもよいし、ビア等のように、基材を貫通するように形成されてもよいし、さらには、積層技術を用いた立体配線であってもよく、これらが適宜組み合わされてもよい。また、基材10に半導体素子が取り付けられてもよい。
樹脂層31の材料としては、例えばエポキシやベンゾシクロブテン、ポリイミド、ポリベンザオキサゾールのいずれかまたはそれらの複合材料等が挙げられる。これらの材料は、いずれも加熱加圧することで接着が可能な特性を有している。
まず図4(a)に示すように、電極パッド32および配線(不図示)を形成した基材10の面上に、樹脂層31を形成する。樹脂層31の形成方法には特に制限はなく、スピンコート法、スキージ印刷法、真空ラミネート法など公知の各種方法から、材料等を考慮して適宜選択することができる。
なお、開口部31aは、ウェットエッチング法やプラズマエッチング法のほか、樹脂層31に感光性の材料を用い、フォトリソグラフィーによって形成してもよい。
犠牲層33の除去は、ウェットエッチング法やプラズマエッチング法等により行うことができるが、この際、樹脂層31や電極20aに対して大きなダメージを与えないように条件等を設定して行うのが好ましい。
なお、相手方の基板には特に制限はなく、例えば他の半導体基板1であってもよいし、接合面に電極パッドと配線のみが形成された基板であってもよい。
以下に、接合時の半導体基板1の動作について、相手方が電極パッドと配線のみが形成された基板100である場合を例にとり説明する。
なお、ここでは2枚の基板が接合される場合を例にとり説明したが、それ以上の枚数の基板が接合されてもよい。その場合は、例えば、一枚の半導体基板1の両面に樹脂層31および電極アレイ20が形成されてもよい。
10 基材
20 電極アレイ
20a 電極
31 樹脂層
31a 開口部
33 犠牲層
120 半導体装置
A 材料(電極材料)
Claims (7)
- 基材と、
前記基材の厚さ方向の一方の面に設けられ、複数の電極が平面視において二次元配列された電極アレイと、
前記一方の面に設けられ、前記複数の電極の周囲を封止する樹脂層と、
を備え、
前記複数の電極は、自身の高さの5パーセント以上前記樹脂層上に突出しており、高さ方向に圧縮されることにより前記樹脂層内に収容可能であることを特徴とする半導体基板。 - 前記複数の電極は、金属を用いてポーラス構造を有するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板。
- 前記複数の電極は、導電性を有する樹脂材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板。
- 請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体基板を備えることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の半導体装置を備えることを特徴とする固体撮像装置。
- 基材の一方の面に樹脂層を形成し、
前記樹脂層上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層および前記樹脂層を貫通し、かつ底部に前記基材が露出される開口部を形成し、
前記開口部内に電極材料を充填し、
前記犠牲層を除去して前記樹脂層上に突出する電極を形成する
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記犠牲層の厚さが、前記樹脂層の厚さと前記犠牲層の厚さとの和の5%以上であることを特徴とする請求項6に記載の半導体基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012229760A JP2014082359A (ja) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 半導体基板、半導体装置、および固体撮像装置、並びに半導体基板の製造方法 |
US14/046,394 US20140103481A1 (en) | 2012-10-17 | 2013-10-04 | Semiconductor substrate, semiconductor device, solid-state imaging device, and method of manufacturing semiconductor sustrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012229760A JP2014082359A (ja) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 半導体基板、半導体装置、および固体撮像装置、並びに半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014082359A true JP2014082359A (ja) | 2014-05-08 |
Family
ID=50474636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012229760A Pending JP2014082359A (ja) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 半導体基板、半導体装置、および固体撮像装置、並びに半導体基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140103481A1 (ja) |
JP (1) | JP2014082359A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015194473A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | Jsr株式会社 | はんだ電極の製造方法、積層体の製造方法、積層体および電子部品 |
WO2016139794A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-09 | オリンパス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016213370A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JPWO2016181859A1 (ja) * | 2015-05-08 | 2018-02-22 | Jsr株式会社 | はんだ電極の製造方法およびその用途 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10037941B2 (en) * | 2014-12-12 | 2018-07-31 | Qualcomm Incorporated | Integrated device package comprising photo sensitive fill between a substrate and a die |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083841A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 実装構造及びその製造方法 |
US20070284758A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-12-13 | General Electric Company | Electronics package and associated method |
JP2008135518A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体とその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6262877B1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-07-17 | Intel Corporation | Low inductance high capacitance capacitor and method of making same |
JP3866591B2 (ja) * | 2001-10-29 | 2007-01-10 | 富士通株式会社 | 電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体 |
JP5118614B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2013-01-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-10-17 JP JP2012229760A patent/JP2014082359A/ja active Pending
-
2013
- 2013-10-04 US US14/046,394 patent/US20140103481A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083841A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 実装構造及びその製造方法 |
US20070284758A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-12-13 | General Electric Company | Electronics package and associated method |
JP2008135518A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体とその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015194473A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | Jsr株式会社 | はんだ電極の製造方法、積層体の製造方法、積層体および電子部品 |
JPWO2015194473A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2017-04-20 | Jsr株式会社 | はんだ電極の製造方法、積層体の製造方法、積層体および電子部品 |
TWI660659B (zh) * | 2014-06-20 | 2019-05-21 | 日商Jsr股份有限公司 | 焊料電極的製造方法、積層體的製造方法、積層體及電子元件 |
WO2016139794A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-09 | オリンパス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JPWO2016139794A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2017-12-21 | オリンパス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JPWO2016181859A1 (ja) * | 2015-05-08 | 2018-02-22 | Jsr株式会社 | はんだ電極の製造方法およびその用途 |
JP2016213370A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140103481A1 (en) | 2014-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100621438B1 (ko) | 감광성 폴리머를 이용한 적층 칩 패키지 및 그의 제조 방법 | |
JP4559993B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4813035B2 (ja) | 貫通電極付基板の製造方法 | |
US20210175194A1 (en) | Bond pad with micro-protrusions for direct metallic bonding | |
KR100661169B1 (ko) | 패키징 칩 및 그 패키징 방법 | |
JPWO2008105535A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2015115446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN101308803A (zh) | 半导体器件 | |
WO2007026392A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4539155B2 (ja) | センサシステムの製造方法 | |
JP2014082359A (ja) | 半導体基板、半導体装置、および固体撮像装置、並びに半導体基板の製造方法 | |
JP2008258383A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2012107971A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2014103395A (ja) | バッティングコンタクト方式を用いたウエハ間の電気的連結方法およびこれを用いて実現した半導体装置 | |
JP2014143399A (ja) | 基板および基板接合方法 | |
JP6021386B2 (ja) | 配線基板の製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP6656836B2 (ja) | 実装構造体及びその製造方法 | |
JP2014082281A (ja) | 基板、半導体装置、基板の製造方法 | |
JP6021378B2 (ja) | 基板および半導体装置 | |
KR20100053762A (ko) | 적층 웨이퍼 레벨 패키지 및 이의 제조 방법 | |
US20110079895A1 (en) | Bump structure, chip package structure including the same and method of manufacturing the same | |
JP6021383B2 (ja) | 基板および半導体装置 | |
JP5445159B2 (ja) | 半導体装置製造方法及び積層半導体装置 | |
US9691693B2 (en) | Carrier-less silicon interposer using photo patterned polymer as substrate | |
JP2006186357A (ja) | センサ装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150805 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160628 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170214 |