JP2009290134A - プリント配線板の製造方法およびプリント基板ユニットの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い信頼度でランド同士を接合することができるプリント配線板の製造方法およびプリント基板ユニットの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】接着シート51の軟化に応じて第1支持体33は第2支持体28に向かって押し付けられる。導電ランド41および導電ランド31の間でフィラー53b同士は確実に接触する。接着シート51の軟化後、フィラー53bは溶融する。フィラー53bおよび導電ランド41、31の間やフィラー53b同士の間で金属間化合物は形成される。こうして導電ランド41および導電ランド31の間で電気導通は確立される。その後、マトリクス材53aおよび接着シート51は硬化する。第1支持体33および第2支持体28は強固に結合される。
【選択図】図3

Description

本発明は、基板同士の間や電子部品および基板の間でランド同士を接続する接合に関する。
導電性ペーストは広く知られる。導電性ペーストは、熱硬化性樹脂材のマトリクス材と、このマトリクス材中に分散する導電性粒子とを有する。導電性粒子は例えば金属粒子から構成される。プリント基板の張り合わせにあたってプリント基板同士の間には例えば樹脂製の接着シートが挟み込まれる。接着シートの貫通孔でプリント基板のランド同士は向き合わせられる。貫通孔は導電性ペーストで埋められる。加熱後、導電性ペーストは固化する。同時に接着シートの働きでプリント基板同士は接着される。ランド同士の間で電気的接続が確立される。
特開2005−347414号公報 特開2005−71825号公報
いわゆるビルドアップ基板の製造にあたってコア基板にビルドアップ層を貼り付ける手法が模索される。こういった貼り付けにあたってコア基板上のランドとビルドアップ層上のランドとの間では強固に電気接続が確立されなければならない。前述の導電性ペーストでは信頼性の高い接合は実現されることができない。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、高い信頼度でランド同士を接合することができるプリント配線板の製造方法およびプリント基板ユニットの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、プリント配線板の製造方法は、第1支持体および第2支持体の間に熱硬化性樹脂製の接着シートを挟み込みつつ、当該接着シートに形成される開口内で前記第1支持体上の第1導電ランドに前記第2支持体上の第2導電ランドを向き合わせる工程と、前記第1導電ランドおよび第2導電ランドの向き合わせにあたって、熱硬化性樹脂を含むマトリクス材、および、当該マトリクス材中に分散し金属間化合物の形成に基づき第1および第2導電ランドに結合するフィラーとを含む導電性接合剤で前記開口内を満たす工程と、前記第2支持体に向かって第1支持体を押し付けつつ加熱に基づき前記接着シートを軟化させる工程と、接着シートの軟化に続いて加熱に基づき前記フィラーの溶融を誘引する工程と、前記フィラーの溶融後に加熱に基づき前記マトリクス材を硬化させる工程と、前記マトリクス材の硬化後に加熱に基づき前記接着シートを硬化させる工程とを備える。
同様に、プリント基板ユニットの製造方法は、第1支持体および第2支持体の間に熱硬化性樹脂製の接着シートを挟み込みつつ、当該接着シートに形成される開口内で前記第1支持体上の第1導電ランドに前記第2支持体上の第2導電ランドを向き合わせる工程と、前記第1導電ランドおよび第2導電ランドの向き合わせにあたって、熱硬化性樹脂を含むマトリクス材、および、当該マトリクス材中に分散し金属間化合物の形成に基づき第1および第2導電ランドに結合するフィラーとを含む導電性接合剤で前記開口内を満たす工程と、前記第2支持体に向かって第1支持体を押し付けつつ加熱に基づき前記接着シートを軟化させる工程と、接着シートの軟化に続いて加熱に基づき前記フィラーの溶融を誘引する工程と、前記フィラーの溶融後に加熱に基づき前記マトリクス材を硬化させる工程と、前記マトリクス材の硬化後に加熱に基づき前記接着シートを硬化させる工程とを備える。
接着シートの軟化に応じて第1支持体は第2支持体に向かって押し付けられる。第1導電ランドおよび第2導電ランドの間でフィラー同士は確実に接触する。接着シートの軟化後、フィラーは溶融する。フィラーおよび導電ランドの間やフィラー同士の間で金属間化合物は形成される。こうして第1導電ランドおよび第2導電ランドの間で電気導通は確立される。その後、マトリクス材および接着シートは硬化する。第1支持体および第2支持体は強固に結合される。
以上のように本発明によれば、高い信頼度でランド同士を接合することができるプリント配線板の製造方法およびプリント基板ユニットの製造方法を提供することを目的とする。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
図1は本発明の一具体例に係るプリント配線板11の断面構造を概略的に示す。このプリント配線板11は例えばプローブカードに利用される。プローブカードはプローブ装置に装着される。ただし、プリント配線板11はその他の電子機器で利用されてもよい。
プリント配線板11はコア基板12を備える。コア基板12は平板状のコア層13を備える。コア層13は導電層14を備える。導電層14には炭素繊維クロスが埋め込まれる。炭素繊維クロスの繊維はコア層13の面内方向に延びる。したがって、導電層14では面内方向に熱膨張が著しく規制される。炭素繊維クロスは導電性を有する。導電層14の形成にあたって炭素繊維クロスは樹脂に含浸される。樹脂には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂が用いられる。炭素繊維クロスは炭素繊維糸の織布および不織布のいずれかから形成される。
コア層13は、導電層14の表面および裏面にそれぞれ積層されるコア絶縁層15、16を備える。コア絶縁層15、16は導電層14を挟み込む。コア絶縁層15、16は絶縁性を有する。コア絶縁層15、16にはガラス繊維クロスが埋め込まれる。ガラス繊維クロスの繊維はコア層14の表面および裏面に沿って延びる。コア絶縁層15、16の形成にあたってガラス繊維クロスには樹脂が含浸される。樹脂には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂が用いられる。ガラス繊維クロスはガラス繊維糸の織布および不織布のいずれかから形成される。
コア層13には複数の下穴用貫通孔17が形成される。下穴用貫通孔17はコア層13を貫通する。下穴用貫通孔17は例えば円柱空間を規定する。円柱空間の軸心はコア層13の表面および裏面に直交する。下穴用貫通孔17の働きでコア層13の表面および裏面には円形の開口が区画される。
下穴用貫通孔17内には導電性の大径ビア18が形成される。大径ビア18は下穴用貫通孔17の内壁面に沿って円筒形に形成される。大径ビア18はコア層13の表面および裏面で環状の導電ランド19に接続される。導電ランド19はコア層13の表面や裏面で広がる。大径ビア18や導電ランド19は例えば銅といった導電材料から形成される。
下穴用貫通孔17内で大径ビア18の内側空間は樹脂製の下穴用充填材21で埋められる。下穴用充填材21は大径ビア18の内壁面に沿って円筒状に広がる。下穴用充填材21には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂材料が用いられる。エポキシ樹脂には例えばセラミックフィラーが埋め込まれる。
コア基板12は、コア層13の表面および裏面にそれぞれ積層される絶縁層22、23を備える。絶縁層22、23はそれぞれ裏面でコア層13の表面および裏面に受け止められる。絶縁層22、23はコア層13を挟み込む。絶縁層22、23は下穴用充填材21に覆い被さる。絶縁層22、23は絶縁性を有する。絶縁層22、23にはガラス繊維クロスが埋め込まれる。ガラス繊維クロスの繊維はコア層13の表面および裏面に沿って延びる。絶縁層22、23の形成にあたってガラス繊維クロスには樹脂が含浸される。樹脂には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂が用いられる。ガラス繊維クロスはガラス繊維糸の織布および不織布のいずれかから形成される。
コア基板12には複数の貫通孔24が形成される。貫通孔24はコア基板12を貫通する。貫通孔24は下穴用貫通孔17内に配置される。下穴用充填材21は貫通孔24に突き抜けられる。ここでは、貫通孔24は円柱空間を規定する。貫通孔24は下穴用貫通孔17に同軸に形成される。貫通孔24の働きでコア基板12の表面および裏面には円形の開口が区画される。
貫通孔24内には導電性の小径ビア25が形成される。小径ビア25は貫通孔24の内壁面に沿って円筒形に形成される。下穴用充填材21の働きで大径ビア18および小径ビア25は相互に絶縁される。小径ビア25は例えば銅といった導電材料から形成される。
絶縁層22、23の表面には導電ランド26が形成される。小径ビア25は絶縁層22、23の表面で導電ランド26に接続される。導電ランド26は例えば銅といった導電材料から形成される。導電ランド26、26同士の間で小径ビア25の内側空間は絶縁樹脂製の充填材27で埋められる。充填材27は例えば円柱形に形成される。充填材27には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂材料が用いられる。エポキシ樹脂には例えばセラミックフィラーが埋め込まれる。
絶縁層22、23の表面にはそれぞれ1層のビルドアップ層28、29が形成される。ビルドアップ層28、29はそれぞれ裏面で対応の絶縁層22、23の表面に受け止められる。ビルドアップ層28、29はコア層13および絶縁層22、23を挟み込む。ビルドアップ層28、29は導電ランド26、26に覆い被さる。ビルドアップ層28、29は絶縁性を有する。ビルドアップ28、29にはガラス繊維クロスが埋め込まれる。ガラス繊維クロスの繊維は絶縁層22、23の表面に沿って延びる。ビルドアップ層28、29の形成にあたってガラス繊維クロスには樹脂が含浸される。樹脂には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂が用いられる。ガラス繊維クロスはガラス繊維糸の織布および不織布のいずれかから形成される。
ビルドアップ層28、29の表面には接続用導電ランド31、31が形成される。接続用導電ランド31はビルドアップ層28、29の表面に沿って広がる。接続用導電ランド31は導電ランド26に電気的に接続される。こういった接続にあたってビルドアップ層28、29にはビア32が形成される。ビア32の形成にあたってビルドアップ層28、29には接続用導電ランド31および導電ランド26の間で貫通孔が形成される。貫通孔は導電材で埋められる。接続用導電ランド31およびビア32は例えば銅といった導電材料から形成される。
プリント配線板11は、コア基板12の表面および裏面にそれぞれ重ね合わせられるビルドアップ層構造体33、34を備える。ビルドアップ層構造体33、34はそれぞれ裏面でコア基板12の表面および裏面に受け止められる。ビルドアップ層構造体33、34は複数の絶縁層35および導電パターン36の積層体から形成される。絶縁層35および導電パターン36は交互に積層される。異なる層の導電パターン36同士はビア37で電気的に接続される。ビア37の形成にあたって導電パターン36同士の間で絶縁層35には貫通孔が形成される。貫通孔は導電材で埋められる。絶縁層35は例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂から形成される。導電パターン36やビア37は例えば銅といった導電材料から形成される。
ビルドアップ層構造体33、34の表面には導電パッド38が露出する。導電パッド38は例えば銅といった導電材料から形成される。ビルドアップ層構造体33、34の表面で導電パッド38以外の領域にはオーバーコート層39が積層される。オーバーコート層39には例えば樹脂材料が用いられる。
ビルドアップ層構造体33、34の裏面には接続用導電ランド41が露出する。接続用導電ランド41は、ビルドアップ層構造体33、34の最下層の絶縁層35の裏面に沿って広がる。接続用導電ランド41は対応のビア37で導電パターン36に電気的に接続される。接続用導電ランド41は例えば銅といった導電材料から形成される。後述されるように、接続用導電ランド41は対応の接続用導電ランド31に電気的に接続される。その結果、プリント配線板11の表面で露出する導電パッド38はプリント配線板11の裏面で露出する任意の導電パッド38に電気的に接続される。プリント配線板11がプローブ装置に装着されると、プリント配線板11の裏面で導電パッド38は例えばプローブ装置の電極端子に接続される。プリント配線板11の表面に例えば半導体ウェハーが搭載されると、プリント配線板11の表面で導電パッド38は例えば半導体ウェハーのバンプ電極を受け止める。導電パッド38はバンプ電極に接続される。こうして例えば温度サイクル試験に基づき半導体ウェハーの検査が実施される。
ビルドアップ層構造体33、34およびコア基板12の間にはそれぞれ接合層42、42が挟み込まれる。接合層42は絶縁性本体43を備える。絶縁性本体43は例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂から形成される。絶縁性本体43には、前述と同様に、例えばガラス繊維クロスが埋め込まれてもよい。
接合層42には導電体44が埋め込まれる。導電体44は接続用導電ランド31、41の間に挟み込まれる。導電体44は多数の球状導体45を含む。球状導体45は、図2に示されるように、例えば銅粒子といった金属微粒子46を備える。金属微粒子46の表面は銅スズ合金層47で覆われる。金属微粒子46は隣接する金属微粒子46の銅スズ合金層47に自己の銅スズ合金層47を接触させる。その結果、銅および銅スズ合金層47の働きで接続用導電ランド31、41同士の間で電気導通は確立される。銅スズ合金の融点は摂氏400度を超える。
導電体44では金属微粒子46同士の間はビスマス材48で埋められる。金属微粒子46同士の間で空間はビスマス材48で満たされる。その結果、導電体44の電気抵抗は抑制される。良好な電気導通は確立される。しかも、ビスマス材48の融点は摂氏271度を示す。したがって、比較的に高温の摂氏271度を超えない限り、接続用導電ランド31、41同士の接合は確実に維持されることができる。ビスマス材48は前述の絶縁性本体43で包み込まれる。
次に、プリント配線板11の製造方法を説明する。まず、コア基板12が用意される。同時に、ビルドアップ層構造体33、34が用意される。ビルドアップ層構造体33、34の製造方法は後述される。図3に示されるように、コア基板12の表面および裏面には接着シート51が重ね合わせられる。接着シート51は裏面でコア基板12の表面および裏面にそれぞれ受け止められる。接着シート51の表面にビルドアップ層構造体33、34は重ね合わせられる。接着シート51は例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂から形成される。接着シート51には例えばガラス繊維クロスが埋め込まれてもよい。
接着シート51には、接続用導電ランド31、41同士の間で開口52が形成される。開口52は接着シート51を貫通する。開口52は接続用導電ランド31、41同士を向き合わせる。開口52の形状は接続用導電ランド31、41の形状に応じて適宜に設定されればよい。開口52は導電性接合剤53で満たされる。導電性接合剤53の充填にあたって例えばスクリーン印刷法が用いられればよい。
導電性接合剤53は、熱硬化性樹脂で形成されるマトリクス材53aを備える。熱硬化性樹脂には例えばエポキシ樹脂が用いられる。エポキシ樹脂には、カルボキシル基、アミノ基またはフェノール基といった硬化剤が添加される。同時に、エポキシ樹脂には、アジピン酸、コハク酸またはセバシン酸といった活性剤が添加される。
マトリクス材53a中にはフィラー53bが分散する。フィラー53bは、スズビスマス合金で被覆された表面を有する金属微粒子すなわち銅粒子で形成される。スズビスマス合金は50重量%〜60重量%の範囲(好ましくは58重量%程度)でビスマスを含む。こういったビスマスの含有量によれば、スズビスマス合金の凝固時に収縮は最大限に抑制されることができる。このとき、スズビスマス合金は摂氏139度〜150度で融点を示す。スズビスマス合金は銅粒子の表面にめっきされればよい。スズビスマス合金層の膜厚は1.0μm〜5.0μmの範囲で設定されればよい。好適にはスズビスマス合金層の膜厚は1.0μm〜2.0μmの範囲で設定されることが望まれる。膜厚が1.0μmを下回ると、めっき膜の安定性および接合性が確保されない。その一方で、膜厚の増大は、接合時にスズビスマス合金に加えられるべき熱エネルギーの増大を意味する。膜厚の増大はできる限り回避されることが望まれる。
コア基板12、接着シート51、51およびビルドアップ層構造体33、34の積層体は加熱される。加熱温度は摂氏150度〜180度の範囲で設定される。加熱にあたって、コア基板12の表面および裏面に直交する方向に圧力が加えられる。その結果、コア基板12、接着シート51、51およびビルドアップ層構造体33、34の密着度は高められる。温度の上昇につれて接着シート51は軟化する。軟化に伴い接着シート51はコア基板12の面形状や積層体の表面形状に倣う。接着シート51の形状変化はコア基板12の表面の凹凸や積層体の表面の凹凸を吸収する。同時に、接着シート51の軟化に伴い接続用導電ランド31、41の間で銅粒子同士は確実に接触する。銅粒子の流動性に基づき接続用ランド31、41同士の距離の変化は吸収される。
接着シート51の軟化後、スズビスマス合金は溶融する。スズは接続用導電ランド31、41の表面および銅粒子の表面で金属間化合物すなわち銅スズ(CuSn)合金層47を形成する。活性剤は金属間化合物の生成を促進する。銅粒子は銅スズ合金層47同士を接触させる。こうして銅スズ合金層47の働きで銅粒子および接続用導電ランド31、41並びに銅粒子同士は連結される。球状導体45は確立される。同時に、銅スズ合金層47同士の間はビスマスで満たされる。ビスマスは硬化する。ビスマス材48は形成される。このとき、銅粒子は固体を維持することから、加圧力に基づき導電性接合剤53が過度に押し潰されることは防止されることができる。
続いて熱硬化性樹脂のマトリクス材は硬化する。硬化後のマトリクス材は球状導体45およびビスマス材48を包み込む。続いて接着シート51は硬化する。マトリクス材および接着シート51は一体化する。マトリクス材および接着シート51は接合層42の絶縁性本体43を形成する。接着シート51の硬化が完了すると、コア基板12の表面および裏面にはビルドアップ層構造体33、34が結合される。プリント配線板11は加熱および圧力から解放される。こうしてプリント配線板11は製造される。
こういったプリント配線板11ではビスマス材48は摂氏271度の融点を示す。例えばプリント配線板11上に半導体チップといった電子部品が実装される場合、プリント配線板11ははんだの融点以上の加熱に曝される。一般に、はんだは摂氏271度より低い温度で溶融する。したがって、ビスマス材48は固体を維持する。十分な接合強度は維持される。前述のように、スズビスマス合金層の膜厚は5.0μmよりも小さく(好ましくは1.0μmよりも小さく)設定されることから、スズは最低限の熱エネルギーで銅と反応することができる。
前述の導電性接合剤53には前述の銅粒子に加えて異種の銅粒子が混ぜ込まれてもよい。この銅粒子の表面は銀めっき層またはスズめっき層で覆われる。こういった銅粒子の混入によれば、銅の濡れ性は改善される。その結果、銅の接合強度は改善される。
図4は一具体例に係る材質の接着シート51に関し粘度と温度との関係を示す。図4から明らかなように、温度上昇の速度が速いと、接着シート51の軟化は遅れる。しかも、温度上昇の速度が速ければ早いほど、硬化開始温度は上昇する。例えば1分間に20度の温度上昇に曝されると、接着シート51は摂氏146.3度から硬化し始める。図5は当該接着シート51に関し加熱時間と硬化反応率との関係を示す。加熱温度が高まると、硬化時間は短縮することがわかる。こうして温度上昇の速度や加熱温度に基づき接着シート51の軟化開始時間や硬化開始時間、硬化完了時間は調整されることができる。
図6は導電性接合剤53に含まれるマトリクス材53aに関し粘度と温度との関係を示す。図6から明らかなように、温度上昇の速度に拘わらず温度に応じて粘度は決定されることができる。いずれの温度上昇の速度でも摂氏140度付近で硬化が開始する。温度上昇の速度が速いほど、高温で硬化が進行する。図7はマトリクス材53aに関し加熱時間と硬化反応率との関係を示す。加熱温度が高まると、硬化時間は短縮することがわかる。こうして温度上昇の速度や加熱温度に基づきマトリクス材53aの軟化開始時間や硬化開始時間、硬化完了時間は調整されることができる。
ここで、ビルドアップ層構造体33、34の製造方法を簡単に説明する。図8に示されるように、支持体55が用意される。支持体55はエポキシ樹脂基材55aを備える。エポキシ樹脂基材55aには例えばガラス繊維クロスが埋め込まれる。ガラス繊維クロスの繊維はエポキシ樹脂基材55aの表面および裏面に沿って延びる。エポキシ樹脂基材55aの形成にあたってガラス繊維クロスにはエポキシ樹脂が含浸される。エポキシ樹脂基材55aの板厚は0.3mm〜0.4mmの範囲で設定される。エポキシ樹脂基材55aの表面には膜厚9.0μm程度の銅箔55bが張り合わせられる。エポキシ樹脂基材55aは、ビルドアップ層構造体33、34の製造過程で収縮や反りといった変形を阻止することができる十分な剛性を発揮する。
支持体55の表面には接着フィルム56、第1金属膜57および第2金属膜58がこの順番に重ね合わせられる。接着フィルム56には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂が用いられる。第1金属膜57には膜厚18.0μm程度の銅箔が用いられる。第2金属膜58には膜厚18.0μm程度の2層の銅箔が用いられる。第2金属膜58では銅箔同士の間に中間バリア層が挟み込まれる。中間バリア層は例えばニッケルから形成される。中間バリア層は、銅箔のエッチング時に残存する材料から形成されればよい。第2金属膜58は第1金属膜57の輪郭から外側に大きく広がる。支持体55、接着フィルム56、第1金属膜57および第2金属膜58は真空熱プレスで真空プレスされる。第1金属膜57の外側で第2金属膜58は支持体55の表面に接着される。第2金属膜58の裏面は第1金属膜57の表面に密着する。
図9に示されるように、第2金属膜58の表面側で銅箔58aには例えばフォトリソグラフィ法が適用される。銅箔58aの表面にはフォトレジスト61が形成される。フォトレジスト61の周囲で銅箔58aは例えばエッチング液に曝される。図10に示されるように、フォトレジスト61の周囲で銅箔58aは除去される。エッチング液の侵入は中間バリア層58bでくい止められる。第2金属膜58の裏面側で銅箔58cはそのまま残存する。こうして中間バリア層58bの表面には銅製の導電パターンが形成される。この導電パターンは前述の接続用導電ランド41に相当する。
続いて図11に示されるように、中間バリア層58bの表面には絶縁性シート62が積層される。加圧および加熱に基づき絶縁性シート62は中間バリア層58bの表面に張り合わせられる。絶縁性シート62は接続用導電ランド41に覆い被さる。絶縁性シート62には例えば熱硬化性樹脂製の接着シートやガラス繊維クロス入りの熱硬化性樹脂プリプレグが含まれる。
図12に示されるように、絶縁性シート62には所定の位置で貫通孔63が形成される。貫通孔63の形成にあたって例えばレーザーが用いられる。貫通孔63は接続用導電ランド41上に空間を区画する。絶縁性シート62の表面には例えば銅のめっき処理が施される。こうして絶縁性シート62の表面には銅製の導電層64が形成される。貫通孔63には銅製のビア65が確立される。図13に示されるように、導電層64の表面には例えばフォトレジスト66が形成される。フォトレジスト66は導電層64の表面に所定パターンで空隙67を象る。空隙67内にビア65は配置される。エッチング処理が施されると、図14に示されるように、導電層64から規定の導電パターン68が形成される。その後、こういった絶縁性シート69…の積層および導電パターン71…の形成は繰り返される。規定の積層数の導電パターン71…は形成される。図15に示されるように、中間バリア層58b上で規定の積層体72が形成される。
その後、図16に示されるように、第1金属膜57の輪郭の内側で第1金属膜57の輪郭に沿って支持体55、接着フィルム56、第1金属膜57および第2金属膜58は切断される。その結果、第1金属膜57の表面から銅箔58a、中間バリア層58bおよび積層体72は引き離される。その後、中間バリア層58bはエッチング処理で除去される。こうして接続用導電ランド41は露出する。ビルドアップ層構造体33、34は形成される。ビルドアップ層構造体33、34の表面や裏面では導電パターン71や接続用導電ランド41の表面にニッケルおよび金のめっき膜が形成されてもよい。
図17に示されるように、前述の接合層42は、例えばプリント基板ユニット79の製造にあたって半導体チップといった電子部品81の実装時に利用されてもよい。接合層42はいわゆるアンダーフィル材として機能することができる。接合層42中の導電体44は電子部品81側の導電ランド83とプリント配線板82側の導電ランド84とを相互に接続する。この場合には、例えば図18に示されるように、電子部品81およびプリント配線板82の間に、前述と同様に、接着シート85が挟み込まれる。電子部品81上の導電ランド83とプリント配線板82上の導電ランド84との間で接着シート85には開口86が形成される。開口86は接着シート85を貫通する。開口86は電子部品81上の導電ランド83とプリント配線板82上の導電ランド84とを向き合わせる。開口86に導電性接合剤53は充填される。
本発明の一具体例に係るプリント配線板の断面構造を概略的に示す側面図である。 導電体の構造を概略的に示す拡大部分断面図である。 コア基板およびビルドアップ層構造体の張り合わせにあたって接着シートおよび導電性接合剤を概略的に示す拡大部分断面図である。 接着シートに関し粘度と温度との関係を示すグラフである。 接着シートに関し加熱温度と硬化反応率との関係を示すグラフである。 導電性接合剤中のマトリクス材に関し粘度と温度との関係を示すグラフである。 導電性接合剤中のマトリクス材に関し加熱温度と硬化反応率との関係を示すグラフである。 支持体に重ね合わせられた金属箔を概略的に示す垂直断面図である。 金属箔の構造を概略的に示す垂直断面図である。 接続用導電ランドの形成方法を概略的に示す垂直断面図である。 銅箔上に重ね合わせられる絶縁性シートを概略的に示す垂直断面図である。 絶縁性シート上に形成された導電層を概略的に示す垂直断面図である。 導電層の表面に形成されたフォトレジストを概略的に示す垂直断面図である。 絶縁性シート上に形成された導電パターンを概略的に示す垂直断面図である。 支持体上で構築されたビルドアップ層構造体を概略的に示す垂直断面図である。 銅箔の除去後のビルドアップ層構造体を概略的に示す垂直断面図である。 本発明の一具体例に係るプリント基板ユニットの断面構造を概略的に示す側面図である。 プリント基板ユニットの製造方法を概略的に示す拡大部分断面図である。
符号の説明
11 プリント配線板、12 第1支持体(コア基板)、31 導電ランド、33 第2支持体(ビルドアップ層構造体)、34 第2支持体(ビルドアップ層構造体)、41 導電ランド、43 熱硬化樹脂材(絶縁性本体)、46 銅粒子、47 銅スズ合金層、48 ビスマス材、51 接着シート、52 開口、53 導電性接合剤、53a マトリクス材、53b フィラー、79 プリント基板ユニット、81 第1支持体(電子部品)、82 第2支持体(プリント配線板)、83 第1導電ランド、84 第2導電ランド、85 接着シート。

Claims (10)

  1. 第1支持体および第2支持体の間に熱硬化性樹脂製の接着シートを挟み込みつつ、当該接着シートに形成される開口内で前記第1支持体上の第1導電ランドに前記第2支持体上の第2導電ランドを向き合わせる工程と、前記第1導電ランドおよび第2導電ランドの向き合わせにあたって、熱硬化性樹脂を含むマトリクス材、および、当該マトリクス材中に分散し金属間化合物の形成に基づき第1および第2導電ランドに結合するフィラーとを含む導電性接合剤で前記開口内を満たす工程と、前記第2支持体に向かって第1支持体を押し付けつつ加熱に基づき前記接着シートを軟化させる工程と、接着シートの軟化に続いて加熱に基づき前記フィラーの溶融を誘引する工程と、前記フィラーの溶融後に加熱に基づき前記マトリクス材を硬化させる工程と、前記マトリクス材の硬化後に加熱に基づき前記接着シートを硬化させる工程とを備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  2. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法において、前記フィラーは金属微粒子で形成されることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  3. 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法において、前記フィラーは、前記加熱時に固体を維持する非溶融の金属微粒子をさらに含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法において、前記フィラーは、スズビスマス合金で被覆された表面を有する銅粒子で形成されることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法において、前記スズビスマス合金は50重量%〜60重量%の範囲でビスマスを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  6. 第1支持体および第2支持体の間に熱硬化性樹脂製の接着シートを挟み込みつつ、当該接着シートに形成される開口内で前記第1支持体上の第1導電ランドに前記第2支持体上の第2導電ランドを向き合わせる工程と、前記第1導電ランドおよび第2導電ランドの向き合わせにあたって、熱硬化性樹脂を含むマトリクス材、および、当該マトリクス材中に分散し金属間化合物の形成に基づき第1および第2導電ランドに結合するフィラーとを含む導電性接合剤で前記開口内を満たす工程と、前記第2支持体に向かって第1支持体を押し付けつつ加熱に基づき前記接着シートを軟化させる工程と、接着シートの軟化に続いて加熱に基づき前記フィラーの溶融を誘引する工程と、前記フィラーの溶融後に加熱に基づき前記マトリクス材を硬化させる工程と、前記マトリクス材の硬化後に加熱に基づき前記接着シートを硬化させる工程とを備えることを特徴とするプリント基板ユニットの製造方法。
  7. 請求項6に記載のプリント基板ユニットの製造方法において、前記フィラーは金属微粒子で形成されることを特徴とするプリント基板ユニットの製造方法。
  8. 請求項6に記載のプリント基板ユニットの製造方法において、前記フィラーは、前記加熱時に固体を維持する非溶融の金属微粒子をさらに含むことを特徴とするプリント基板ユニットの製造方法。
  9. 請求項6〜8のいずれかに記載のプリント基板ユニットの製造方法において、前記フィラーは、スズビスマス合金で被覆された表面を有する銅粒子で形成されることを特徴とするプリント基板ユニットの製造方法。
  10. 請求項6〜9のいずれかに記載のプリント基板ユニットの製造方法において、前記スズビスマス合金は50重量%〜60重量%の範囲でビスマスを含むことを特徴とするプリント基板ユニットの製造方法。
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