JP3786616B2 - 多層回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線回路の電気的接続が、半田製導電体が充填されたビアホールによってなされた多層回路基板及びその製造方法に関し、特に、高い接続信頼性を有する多層回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、多層回路基板の電気的な層間接続法として、ビアホールを用いた層間接続法が種々知られている。より具体的には、銅粉末や銀粉末等の金属粉末を樹脂中に分散させたものをビアホール内に充填したり、銅メッキによってビアホール内を充填する方法が提案されている。このような背景下、例えば、特開２００１−２８４８１号公報に記載されているように、半田バンプから形成した半田製導電体をビアホールに充填することにより層間接続された多層回路基板も提案されている。
【０００３】
しかしながら、前述した半田バンプから形成した半田製導電体をビアホールに充填した多層回路基板は、外部応力に対して弱いという欠点を有する。これは、ビアホール側壁と半田バンプから形成した半田製導電体との接合面が比較的平坦な形状となり、密着性が不十分であるため、外部応力が付与された場合に、半田製導電体がビアホール側壁から剥離し、電気的な層間接続が解除され易くなるためである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、斯かる従来技術の問題点を解決するべくなされたものであり、高い接続信頼性を有する多層回路基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
斯かる課題を解決するべく、本発明は、請求項１に記載の如く、絶縁層の両面に配線回路を構成する導体層が形成された多層回路基板であって、前記両面にそれぞれ形成された各配線回路は、金属粉末と半田粉末とにより形成された半田製導電体が充填されたビアホールによって電気的に接続されており、前記ビアホールの側壁は、前記半田粉末によって形成された凹凸形状を有するとともに、前記半田製導電体は、金属粉末と半田粉末とが溶融一体化されていることを特徴とする多層回路基板を提供するものである。
【０００６】
請求項１に係る発明によれば、ビアホール側壁が凹凸形状を有することにより、半田製導電体との接触面積が増加し、半田製導電体とビアホールとの間に、いわゆるアンカー効果が生じることになる。従って、外部応力が付与された場合にも半田製導電体がビアホール側壁から剥離し難く、高い接続信頼性を有する多層回路基板を得ることが可能である。
【０００７】
好ましくは、請求項２に記載の如く、前記絶縁層は、熱硬化性樹脂から形成される。
【０００８】
好ましくは、請求項３に記載の如く、前記半田製導電体は、半田粉末を含有するペーストの充填及び熱圧着によって形成される。
【０００９】
好ましくは、請求項４に記載の如く、前記ペーストは、融点が１５０℃以上３５０℃以下の半田粉末を含有する。
【００１０】
或いは、請求項５に記載の如く、前記ペーストは、融点が３５０℃以上の金属粉末と、融点が１５０℃以上３５０℃以下の半田粉末とを含有する。
【００１１】
請求項５に係る発明によれば、柔らかい半田中に分散する硬い金属粉末により半田製導電体の塑性変形が防止され、強度向上を図ることが可能である。従って、温度サイクル試験に伴う半田製導電体の変形を抑制することができ、より一層信頼性の高い層間接続を得ることが可能である。
【００１２】
好ましくは、請求項６に記載の如く、前記金属粉末は、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈから選ばれる少なくとも一種の金属か、若しくは、これらの金属の合金とされる。
【００１３】
また、本発明は、請求項１から６のいずれかに記載の多層回路基板を製造する方法であって、
第１の導体層の上に開口部を有する熱硬化性接着剤層を形成する工程、或いは、第１の導体層の上に熱硬化性接着剤層を形成した後に開口部を形成する工程と、前記開口部に、半田粉末を５〜５０℃で充填する工程と、前記半田粉末が溶融しない状態で、前記半田粉末が充填された前記開口部を含む前記熱硬化性接着剤層の上に第２の導体層を形成する工程と、前記半田粉末を加熱溶融一体化して、前記第１の導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続する工程とを順次行うことを特徴とする多層回路基板の製造方法をも提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明に係る多層回路基板の製造方法の一実施形態について説明する。
【００１５】
図１は、本発明に係る多層回路基板の製造方法の一実施形態（本実施形態では両面回路基板の製造方法）を示す説明図であり、図１（ａ）〜（ｈ）の各々は、各工程における部材の縦断面図を示す。
【００１６】
本実施形態に係る方法では、まず、図１（ａ）に示すように、第１の導体層１（本実施形態では銅箔とされており、以下、第１の銅箔１という）の上に、熱硬化性接着剤層２（以下、適宜熱硬化性接着剤２という）をＢステージ状態（熱硬化性接着剤が所定の形状を保持できる程度まで硬化された硬化途中の状態）で形成した後、図１（ｂ）に示すように、熱硬化性接着剤層２に開口部２ａを形成する。
【００１７】
熱硬化性接着剤２は、配線回路基板の接着剤層に通常使用され、Ｂステージ状態とすることができる限りにおいて、特に制限されるものではなく、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、アミドイミド系接着剤、ポリイミド系接着剤、及び、これらの熱硬化性接着剤を混合したものが用いられる。なお、熱硬化性接着剤２は、その硬化温度が、１００℃以上、好ましくは、１２５〜２００℃のものが好ましく用いられる。
【００１８】
前述のように、第１の銅箔１の上に、熱硬化性接着剤層２をＢステージ状態で形成するには、例えば、熱硬化性接着剤を含む溶液を、第１の銅箔１の上に塗布した後、加熱して乾燥させると同時にＢステージ状態とするか、或いは、予めＢステージ状態とされた熱硬化性接着剤からなる接着シートを第１の銅箔１の上に、加熱及び／又は加圧することにより積層（仮接着）すれば良い。
【００１９】
また、熱硬化性接着剤層２に開口部２ａを形成するには、例えば、ＹＡＧレーザなどのレーザを用いて開口し形成すれば良い。開口部２ａの大きさは、例えば、円形である場合には、その直径が５０〜３００μｍ、好ましくは、５０〜２００μｍとされる。なお、第１の銅箔１の上に熱硬化性接着剤層２を形成した後に開口部２ａを形成するのではなく、第１の銅箔１の上に予め開口部２ａが形成された熱硬化性接着剤層２を形成するようにしても良い。この場合には、例えば、熱硬化性接着剤からなる接着シートに、ドリルやパンチなどを用いて予め開口部２ａを開口し形成し、これを熱硬化性接着剤層２として第１の銅箔１の上に積層すれば良い。
【００２０】
また、図１（ａ）に示す工程において、熱硬化性接着剤層２には、第１の銅箔１と接触している表面と反対側の表面に、後述する半田粉末３の充填工程において半田粉末３が不必要な部分に付着することを防止するべく、好ましくは、セパレータ４を積層する。
【００２１】
セパレータ４としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂のフィルムが用いられ、その厚みは、７．５〜５０μｍとされる。なお、セパレータ４は、開口部２ａが形成される前の熱硬化性接着剤層２の表面に貼着しておき、熱硬化性接着剤層２に開口部２ａを形成する際に、当該開口部２ａに相当する箇所が同時に開口されるようにすれば良い。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に示すように、熱硬化性接着剤層２の開口部２ａに、半田粉末３を５〜５０℃で充填する。
【００２３】
半田粉末３は、特に制限されるものでは無いが、例えば、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎなどからなる二元系組成や、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ｂｉなどからなる多元系組成のものを用いることができる。また、半田粉末４の平均粒子径としては、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下のものが用いられる。
【００２４】
熱硬化性接着剤層２の開口部２ａに対して半田粉末３を充填するには、まず、半田粉末３を溶剤６に配合して半田ペースト５を調整し、セパレータ４をマスクとして、半田ペースト５を５〜５０℃、好ましくは、１０〜３０℃、より具体的には、常温下において、開口部２ａに対して適量（相当量程度）で印刷すればよい。なお、常温下とは、特に加熱しない室温雰囲気下のことを意味する。
【００２５】
溶剤６としては、特に制限はないが、後述する乾燥工程において、７５〜２００℃、好ましくは、７５〜１６０℃の範囲で乾燥除去が可能な溶剤６を選択することが好ましい。７５℃より低い温度で乾燥可能な溶剤６を選択すると、半田ペースト５の保存安定性や連続印刷性が低下する場合があり、２００℃より高い温度で乾燥可能な溶剤６を選択すると、乾燥工程において熱硬化性接着剤層２の硬化が進み、後述する第２の導体層７（本実施形態では銅箔とされており、以下、第２の銅箔７という）との界面の接着強度が低下する場合があるからである。
【００２６】
より具体的には、溶剤６として、例えば、脂肪族アルコールに、増粘効果を付与すべく、セルロース系樹脂を添加したもの等が好ましく用いられる。なお、セルロース系樹脂の添加量は、例えば、半田粉末３に対して、０．００５〜５体積％程度とされる。半田ペースト５は、例えば、半田粉末３及び溶剤６を、その体積比が１：１程度となる割合で混合することにより調整することができる。
【００２７】
なお、後述する半田製導電体の塑性変形を防止し、強度向上を図るべく、半田粉末３に対して所定量の金属粉末を混合することも可能である。金属粉末としては、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈから選ばれる少なくとも一種の金属か、若しくは、これらの金属の合金が好適に用いられる。また、金属粉末の平均粒子径としては、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下のものが用いられる。
【００２８】
また、半田粉末３に対する金属粉末の混合比は、０．１〜６０重量％とするのが好ましい。この範囲より小さいと、開口部２ａ内において金属粉末の分散性が確保できず、前記範囲より大きいと、金属粉末同士の凝集が発生し、半田粉末３同士の溶融一体化を妨げるからである。
【００２９】
次に、図１（ｄ）に示すように、乾燥によって溶剤６を除去する。溶剤６の乾燥除去は、前述のように、７５〜２００℃、好ましくは、７６〜１６０℃の範囲で所定時間加熱することにより実施される。乾燥時間は、開口部２ａに対する半田ペースト５の充填量や、第１の銅箔１のサイズ等に応じて適宜決定される。一般的に、乾燥時間が短過ぎると、溶剤６が開口部２ａに残存して、加熱によりアウトガスの発生を招き、導通不良の要因となる場合がある。また、逆に乾燥時間が長過ぎると、熱硬化性接着剤層２の硬化が進行し、後述する第２の銅箔７との界面の接着力が低下する場合がある。以上の観点より、乾燥時間としては、例えば１〜５分程度にするのが好ましい。斯かる乾燥工程を経て、図１（ｅ）に示すように、セパレータ４を剥離する。
【００３０】
次に、図１（ｆ）に示すように、第２の銅箔７を別途用意し、当該第２の銅箔７を、半田粉末３が充填された開口部２ａを含む熱硬化性接着剤層２の上に積層形成する。
【００３１】
斯かる積層は、真空熱プレス装置などの加熱加圧装置を、第１の銅箔１及び第２の銅箔７の両側に配置して、加圧及び／又は加熱することにより実施すれば良い。加圧及び／又は加熱の条件は、第１の銅箔１や第２の銅箔７のサイズ等に応じて適宜決定すれば良いが、加圧条件としては、例えば、１〜１０ＭＰａ、好ましくは、３〜５ＭＰａとされ、また、加熱条件としては、半田粉末３が溶融しない温度とされ、例えば、１６０〜２２５℃、好ましくは、１７５〜２００℃とされる。これにより、Ｂステージ状態である熱硬化性接着剤層２が硬化して、第２の銅箔７が熱硬化性接着剤層２を介して第１の銅箔１に接着積層される。
【００３２】
次に、図１（ｇ）に示すように、半田粉末３を加熱溶融して、互いに対向する第１の銅箔１と第２の銅箔７とを電気的に接続する半田製導電体８を形成する。ここで、半田粉末３の加熱溶融は、使用する半田粉末３の溶融温度以上に設定すれば良く、この加熱と共に、１〜１０ＭＰａ、好ましくは、３〜５ＭＰａで加圧することが好ましい。
【００３３】
このように、半田粉末３が溶融しない状態で、第２の銅箔７を熱硬化性接着剤層２を介して第１の銅箔１に接着積層し、その後、半田粉末３を加熱溶融する製造方法であるため、接着積層の際に、熱硬化性接着剤層２の開口部２ａの側壁が半田粉末３を押圧し、これにより、開口部２ａの側壁には凹凸形状が生じると共に、熱硬化性接着剤層２の硬化により当該凹凸形状が保持されることになる。
【００３４】
なお、以上に説明した熱硬化性接着剤層２の硬化、及び、半田粉末３の加熱溶融は、本実施形態のようにそれぞれ別工程として順次行っても良く、例えば、一定加圧条件下（１〜１０ＭＰａ）で、１６０〜２２５℃の温度で接着積層した後、２５０℃以上に昇温することも可能である。
【００３５】
最後に、図１（ｈ）に示すように、通常のエッチング法によって、第１の銅箔１及び第２の銅箔７に配線回路を形成することにより、両面の配線回路が、半田製導電体８が充填された開口部（ビアホール）２ａによって電気的に接続された両面回路基板１００を形成することができる。
【００３６】
以上に説明した本実施形態に係る製造方法により得られた両面回路基板１００の開口部（ビアホール）２ａの側壁は、凹凸形状を有することにより、半田製導電体８との接触面積が増加し、半田製導電体８と開口部２ａとの間に、いわゆるアンカー効果が生じることになる。従って、外部応力が付与された場合にも半田製導電体８が開口部２ａ側壁から剥離し難く、高い接続信頼性を有する。
【００３７】
なお、本実施形態では、第１の銅箔１の上に第２の銅箔７を積層する態様として説明したが、その積層数などは何ら限定されず、例えば、予め配線回路が形成された２枚の両面回路基板を用意し、これらを積層すれば、４層回路基板を形成することができる。
【００３８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示すことにより、本発明の特徴とするところをより一層明らかにする。
【００３９】
（実施例１）
本実施例では、２枚の銅箔９、１０（厚み１８μｍ）と、アミドイミド系接着剤からなる接着シート１１（厚み５０μｍ）とを用意した。
【００４０】
図２（ａ）に示すように、銅箔９の上に、接着シート１１を、更にその上に、厚み１２μｍのポリエチレンナフタレートフィルム１２を、真空プレス装置を用いて、１５０℃、１．５ＭＰａ、３ｍｉｎの条件で仮接着した。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示すように、銅箔９の上に積層された接着シート１１の所定箇所（図２（ｅ）の半田製導電体１５を充填する箇所）に、ＹＡＧレーザを用いて開口部１１ａ（１５０μｍφ）を形成した。
【００４２】
次に、図２（ｃ）に示すように、開口部１１ａに、ポリエチレンナフタレートフィルム１２をマスクとし、スクリーン印刷によってＳｎ／Ａｇ系の半田ペースト１３（平均粒子径１０μｍ）を印刷した後、１６０℃で５分間乾燥し、半田ペースト１３内に含まれる溶剤成分を除去した。ここで、半田ぺースト１３としては、半田粉末としてのＳｎ／Ａｇ粉末、アルコール系溶剤及びエチルセルロースを、体積比５０：４９．５：０．５で配合したものを用いた。
【００４３】
次に、図２（ｄ）に示すように、ポリエチレンナフタレートフィルム１２を剥離した後、開口部１１ａに半田粉末が充填された基材１４上に、銅箔１０を積層し、真空下（１０ｍｍＨｇ以下）において、加熱加圧（２００℃、３ＭＰａ、３０分間）することにより、これらを一体化させた。なお、この状態において、接着シート１１は、絶縁層（接着剤層）１１ｂとなる。
【００４４】
次に、図２（ｅ）に示すように、真空加圧下（１０ｍｍＨｇ以下、３ＭＰａ）において、半田粉末の溶融温度以上（２５０℃）に昇温し、溶融一体化された半田製導電体１５を形成した。
【００４５】
最後に、図２（ｆ）に示すように、エッチング法によって、銅箔９、１０に配線回路９ａ、１０ａを形成し、両面回路基板２００を得た。
【００４６】
（実施例２）
本実施例では、２枚の両面回路基材１７、１８（商品名「ＥＳＰＡＮＥＸ」、Ｃｕ／ＰＩ／Ｃｕ＝１８／１３／１８μｍ）と、アミドイミド系接着剤からなる接着シート１９（厚み５０μｍ）とを用意した。
【００４７】
図３（ａ）に示すように、両面回路基材１７の上に、接着シート１９を、更にその上に、厚み１２μｍのポリエチレンナフタレートフィルム２０を、真空プレス装置を用いて、１５０℃、１．５ＭＰａ、３ｍｉｎの条件で仮接着した。
【００４８】
次に、図３（ｂ）に示すように、両面回路基材１７の配線回路１７ａ上に積層された接着シート１９の所定箇所（図３（ｅ）の半田製導電体２２を充填する箇所）に、ＹＡＧレーザを用いて開口部１９ａ（１５０μｍφ）を形成した。
【００４９】
次に、図３（ｃ）に示すように、開口部１９ａに、ポリエチレンナフタレートフィルム２０をマスクとし、スクリーン印刷によってＳｎ／Ａｇ系の半田ペースト２１（平均粒子径１０μｍ）を印刷した後、１６０℃で５分間乾燥し、半田ペースト２１内に含まれる溶剤成分を除去した。ここで、半田ペースト２１としては、半田粉末としてのＳｎ／Ａｇ粉末、アルコール系溶剤及びエチルセルロースを、体積比５０：４９．５：０．５で配合したものを用いた。
【００５０】
次に、図３（ｄ）に示すように、ポリエチレンナフタレートフィルム２０を剥離した後、開口部１９ａに半田粉末が充填された両面回路基材１７と、配線回路１８ａが形成された両面回路基材１８とを、それぞれ位置合わせして積層し、真空下（１０ｍｍＨｇ以下）で加熱加圧（２００℃、３ＭＰａ、３０分間）することにより、これらを一体化させた。なお、この状態では、接着シート１９は、絶縁層（接着剤層）１９ｂとなる。
【００５１】
次に、図３（ｅ）に示すように、真空加圧下（１０ｍｍＨｇ以下、３ＭＰａ）において、半田粉末の溶融温度以上（２５０℃）に昇温し、溶融一体化された半田製導電体２２を形成した。これにより、２枚の両面回路基材が積層一体化された４層回路基板２３を得た。
【００５２】
（比較例１）
本比較例では、２枚の銅箔２４、２５（厚み１８μｍ）と、芳香族アミド系接着剤からなる接着シート２６とを用意した。
【００５３】
図４（ａ）に示すように、真空プレス装置を用いて、銅箔２４の上に接着シート２６を、１５０℃、１．５ＭＰａ、３ｍｉｎの条件で仮接着した。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すように、基材２７（銅箔２４及び接着シート２６）の所定箇所に、ＹＡＧレーザを用いて開口部２６ａ（１５０μｍφ）を形成した。
【００５５】
次に、図４（ｃ）に示すように、開口部２６ａに、メタルマスク２８を用い、スクリーン印刷によってＳｎ／Ａｇ系の半田ペースト２９を印刷した後、図４（ｄ）に示すように、リフロー炉（最高到達温度２５０℃）によって半田バンプ３０を形成し、水系洗浄剤によってフラックス残渣を洗浄した。
【００５６】
次に、図４（ｅ）に示すように、開口部２６ａに半田バンプ３０が形成された基材２７上に、銅箔２５を積層し、真空下（１０ｍｍＨｇ以下）で加熱加圧（１５０℃、３０ＭＰａ、３０分間）することにより、これらを一体化させた。なお、この状態において、接着シート２６は、絶縁層２６ｂとなる。
【００５７】
さらに、図４（ｅ）に示すように、真空加圧下（１０ｍｍＨｇ以下、３ＭＰａ）において、半田バンプ３０の溶融温度以上（２５０℃）に昇温し、溶融一体化された半田製導電体３１を形成した。
【００５８】
最後に、図４（ｆ）に示すように、エッチング法によって、銅箔２４、２５に配線回路２４ａ、２５ａを形成し、両面回路基板３００を得た。
【００５９】
（比較例２）
本比較例では、２枚の両面回路基材３２、３３（商品名「ＥＳＰＡＮＥＸ」、Ｃｕ／ＰＩ／Ｃｕ＝１８／１３／１８μｍ）と、芳香族アミド系接着剤からなる接着シート３４とを用意した。
【００６０】
図５（ａ）に示すように、真空プレス装置を用いて、両面回路基材３２の上に接着シート３４を、１５０℃、１．５ＭＰａ、３ｍｉｎの条件で仮接着した。
【００６１】
次に、図５（ｂ）に示すように、両面回路基材３２の配線回路３２ａ上に積層された接着シート３４の所定箇所に、ＹＡＧレーザを用いて開口部３４ａ（１５０μｍφ）を形成した。
【００６２】
次に、図５（ｃ）に示すように、開口部３４ａに、メタルマスク３５を用い、スクリーン印刷によってＳｎ／Ａｇ系の半田ペースト３６を印刷した後、図５（ｄ）に示すように、リフロー炉（最高到達温度２５０℃）によって半田バンプ３７を形成し、水系洗浄剤によってフラックス残渣を洗浄した。
【００６３】
次に、図５（ｅ）に示すように、開口部３４ａに半田バンプ３７が形成された両面回路基材３２と、配線回路３３ａが形成された両面回路基材３３とを、それぞれ位置合わせして積層し、真空下（１０ｍｍＨｇ以下）で加熱加圧（１５０℃、５ＭＰａ、３０分間）することにより、これらを一体化させた。なお、この状態では、接着シート３４は、絶縁層３８となる。
【００６４】
さらに、図５（ｅ）に示すように、真空加圧下（１０ｍｍＨｇ以下、３ＭＰａ）において、半田バンプ３７の溶融温度以上（２５０℃）に昇温し、溶融一体化された半田製導電体３９を形成した。これにより、２枚の両面回路基材が積層一体化された４層回路基板４００を得た。
【００６５】
（評価）
図６は、実施例１によって得られた回路基板のビアホール断面写真を示す。また、図７は、比較例１によって得られた回路基板のビアホール断面写真を示す。
【００６６】
図７に示すように、比較例１によって得られたビアホールの側壁は比較的平坦な形状となるのに対し、図６に示すように、実施例１によって得られたビアホールの側壁は凹凸形状を有することが観察できた。
【００６７】
以上の結果を踏まえ、実施例１及び実施例２の回路基板、並びに、比較例１及び比較例２の回路基板を用いて、信頼性評価試験を行った。より具体的には、ビアホールにおける上側の導体層（銅箔）の剥離試験を実施した。
【００６８】
上記試験の結果、実施例１の半田製導電体については、上側の導体層（銅箔）と半田製導電体との接合部において剥離が生じた。これに対し、比較例１の半田製導電体については、下側の導体層（銅箔）と半田製導電体との接合部において剥離が生じた。つまり、比較例１の半田製導電体については、図７に示すように、上面と比較して接合面積の小さい下面において剥離したのに対して、実施例１の半田製導電体については、図６に示すように、ビアホールの側壁に凹凸形状を有することにより、いわゆるアンカー効果が生じ、下面よりも接合面積が大きいにも関わらず、上面において剥離したことになる。これは、ビアホールの側壁を凹凸形状にすることにより、半田製導電体がビアホール側壁から剥離し難くなり、高い接続信頼性を得たことを意味するといえる。
【００６９】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係る多層回路基板は、ビアホール側壁が凹凸形状を有することにより、半田製導電体との接触面積が増加し、半田製導電体とビアホールとの間に、いわゆるアンカー効果が生じることになる。従って、外部応力が付与された場合にも半田製導電体がビアホール側壁から剥離し難く、高い接続信頼性を有するという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明に係る多層回路基板の製造方法の一実施形態を示す説明図である。
【図２】 図２は、実施例１に係る多層回路基板の製造方法を示す説明図である。
【図３】 図３は、実施例２に係る多層回路基板の製造方法を示す説明図である。
【図４】 図４は、比較例１に係る多層回路基板の製造方法を示す説明図である。
【図５】 図５は、比較例２に係る多層回路基板の製造方法を示す説明図である。
【図６】 図６は、実施例１によって得られた回路基板のビアホール断面写真を示す。
【図７】 図７は、比較例１によって得られた回路基板のビアホール断面写真を示す。
【符号の説明】
１ ・・・ 第１の銅箔
２ ・・・ 熱硬化性接着剤層
２ａ ・・・ 開口部
３ ・・・ 半田粉末
４ ・・・ セパレータ
５ ・・・ 半田ペースト
６ ・・・ 溶剤
７ ・・・ 第２の銅箔
８ ・・・ 半田製導電体
１００・・・ 両面回路基板

Claims (7)

1. 絶縁層の両面に配線回路を構成する導体層が形成された多層回路基板であって、
   前記両面にそれぞれ形成された各配線回路は、金属粉末と半田粉末とにより形成された半田製導電体が充填されたビアホールによって電気的に接続されており、
   前記ビアホールの側壁は、前記半田粉末によって形成された凹凸形状を有するとともに、
   前記半田製導電体は、金属粉末と半田粉末とが溶融一体化されていることを特徴とする多層回路基板。
2. 前記絶縁層は、熱硬化性樹脂から形成されることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。
3. 前記半田製導電体は、半田粉末を含有するペーストの充填及び熱圧着によって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板。
4. 前記ペーストは、融点が１５０℃以上３５０℃以下の半田粉末を含有することを特徴とする請求項３に記載の多層回路基板。
5. 前記ペーストは、融点が３５０℃以上の金属粉末と、融点が１５０℃以上３５０℃以下の半田粉末とを含有することを特徴とする請求項３に記載の多層回路基板。
6. 前記金属粉末は、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈから選ばれる少なくとも一種の金属か、若しくは、これらの金属の合金であることを特徴とする請求項５に記載の多層回路基板。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の多層回路基板を製造する方法であって、
   第１の導体層の上に開口部を有する熱硬化性接着剤層を形成する工程、或いは、第１の導体層の上に熱硬化性接着剤層を形成した後に開口部を形成する工程と、
   前記開口部に、半田粉末を５〜５０℃で充填する工程と、
   前記半田粉末が溶融しない状態で、前記半田粉末が充填された前記開口部を含む前記熱硬化性接着剤層の上に第２の導体層を形成する工程と、
   前記半田粉末を加熱溶融一体化して、
   前記第１の導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続する工程とを順次行うことを特徴とする多層回路基板の製造方法。

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