JP2003197620A - シリコン酸化膜作製方法 - Google Patents
シリコン酸化膜作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＲＳ−ＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜
（ＳｉＯ２膜）を作製する際に、原子状酸素の発生効率
を高めてシリコン酸化膜の膜質を向上させることのでき
るシリコン酸化膜作製方法を提案する。 【解決手段】 プラズマ生成空間に導入する酸素原子を
含むガス（Ｏ２ガスや、Ｏ３ガス、など）に対して、窒
素原子を含むガス（Ｎ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガス、
ＮＯ２ガス、など）を添加させ、これらのガスによるプ
ラズマによって生成されるプラズマ生成空間の原子状酸
素量を増加させることによって課題を解決した。
（ＳｉＯ２膜）を作製する際に、原子状酸素の発生効率
を高めてシリコン酸化膜の膜質を向上させることのでき
るシリコン酸化膜作製方法を提案する。 【解決手段】 プラズマ生成空間に導入する酸素原子を
含むガス（Ｏ２ガスや、Ｏ３ガス、など）に対して、窒
素原子を含むガス（Ｎ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガス、
ＮＯ２ガス、など）を添加させ、これらのガスによるプ
ラズマによって生成されるプラズマ生成空間の原子状酸
素量を増加させることによって課題を解決した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はシリコン酸化膜を
作製する方法に関するものであり、特に、ラジカルシャ
ワーＣＶＤ装置（ＲＳ−ＣＶＤ装置）を用いて膜質が向
上されたシリコン酸化膜を作製する方法に関する。
作製する方法に関するものであり、特に、ラジカルシャ
ワーＣＶＤ装置（ＲＳ−ＣＶＤ装置）を用いて膜質が向
上されたシリコン酸化膜を作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、低温でポリシリコン型ＴＦＴを利
用する液晶ディスプレイの作製で、低温でゲート絶縁膜
として適当なシリコン酸化膜を成膜する場合、プラズマ
ＣＶＤが使用されている。
用する液晶ディスプレイの作製で、低温でゲート絶縁膜
として適当なシリコン酸化膜を成膜する場合、プラズマ
ＣＶＤが使用されている。
【０００３】その中で、先の特許出願である特開２００
０−３４５３４９号で提案されたＣＶＤ装置（本明細書
において、この先の特許出願に係るＣＶＤ装置を通常の
プラズマＣＶＤ装置と区別するため、ラジカルシャワー
ＣＶＤ装置として「ＲＳ−ＣＶＤ装置」と呼ぶ）は、真
空容器内でプラズマを生成して電気的に中性な励起活性
種（本明細書において「ラジカル」と表す）を発生さ
せ、このラジカルと材料ガスで基板に成膜処理を行うも
のである。つまり、ラジカルが通過する複数の孔を持つ
隔壁板を用いて真空容器をプラズマ生成空間と成膜処理
空間とに分離し、プラズマ生成空間にガスを導入してプ
ラズマよりラジカルを発生させ、このラジカルを前記隔
壁板の複数の孔を通して成膜処理空間に導入すると共
に、成膜処理空間に材料ガスを直接導入し（すなわち、
材料ガスを前記プラズマやラジカルに接触させることな
く、真空容器の外部から、直接、成膜処理空間に導入
し）、成膜処理空間において前記導入されたラジカルと
材料ガスとを反応させ、成膜処理空間に配置されている
基板上（例えば、３７０ｍｍ×４７０ｍｍのガラス基板
の上）に成膜を行う方式が採用されているものである。
０−３４５３４９号で提案されたＣＶＤ装置（本明細書
において、この先の特許出願に係るＣＶＤ装置を通常の
プラズマＣＶＤ装置と区別するため、ラジカルシャワー
ＣＶＤ装置として「ＲＳ−ＣＶＤ装置」と呼ぶ）は、真
空容器内でプラズマを生成して電気的に中性な励起活性
種（本明細書において「ラジカル」と表す）を発生さ
せ、このラジカルと材料ガスで基板に成膜処理を行うも
のである。つまり、ラジカルが通過する複数の孔を持つ
隔壁板を用いて真空容器をプラズマ生成空間と成膜処理
空間とに分離し、プラズマ生成空間にガスを導入してプ
ラズマよりラジカルを発生させ、このラジカルを前記隔
壁板の複数の孔を通して成膜処理空間に導入すると共
に、成膜処理空間に材料ガスを直接導入し（すなわち、
材料ガスを前記プラズマやラジカルに接触させることな
く、真空容器の外部から、直接、成膜処理空間に導入
し）、成膜処理空間において前記導入されたラジカルと
材料ガスとを反応させ、成膜処理空間に配置されている
基板上（例えば、３７０ｍｍ×４７０ｍｍのガラス基板
の上）に成膜を行う方式が採用されているものである。
【０００４】このようなＲＳ−ＣＶＤ装置の成膜処理空
間で生じるシリコン酸化膜の形成反応は、プラズマ生成
空間から成膜処理空間に供給された原子状酸素（活性励
起種）が、成膜処理空間でシラン（ＳｉＨ４）ガスと接
触することによりそれらを分解し、分解されたガスが、
再び原子状酸素及び酸素ガス等と反応を繰り返すことに
より起こる（反応の模式図を図４に示す）。
間で生じるシリコン酸化膜の形成反応は、プラズマ生成
空間から成膜処理空間に供給された原子状酸素（活性励
起種）が、成膜処理空間でシラン（ＳｉＨ４）ガスと接
触することによりそれらを分解し、分解されたガスが、
再び原子状酸素及び酸素ガス等と反応を繰り返すことに
より起こる（反応の模式図を図４に示す）。
【０００５】つまり、図４の反応において、プラズマ生
成空間で生成される原子状酸素（活性励起種）は、シリ
コン酸化膜の一連の形成反応の開始を引き起こすトリガ
ー的な存在であるとともに、シリコン酸化膜形成の反応
を促進するための反応種でもある。
成空間で生成される原子状酸素（活性励起種）は、シリ
コン酸化膜の一連の形成反応の開始を引き起こすトリガ
ー的な存在であるとともに、シリコン酸化膜形成の反応
を促進するための反応種でもある。
【０００６】このことから、成膜処理空間に導入される
プラズマ生成空間からの原子状酸素が少ない場合、シラ
ン（ＳｉＨ４）ガスの不充分な分解のために生成された
中間生成物が、成膜の進行している膜中へ混入してしま
い、結果として膜質の劣化が引き起こされることが知ら
れている。
プラズマ生成空間からの原子状酸素が少ない場合、シラ
ン（ＳｉＨ４）ガスの不充分な分解のために生成された
中間生成物が、成膜の進行している膜中へ混入してしま
い、結果として膜質の劣化が引き起こされることが知ら
れている。
【０００７】このようなシリコン酸化膜の形成過程で重
要な役割を果たす原子状酸素の発生効率を高める方法と
して、以下のように成膜条件を変えることで対応が可能
である。
要な役割を果たす原子状酸素の発生効率を高める方法と
して、以下のように成膜条件を変えることで対応が可能
である。
【０００８】図５は、成膜処理空間側で測定したプラズ
マ生成空間側から流入してきた原子状酸素流量と放電電
力依存性の関係を示す（放電周波数は６０ＭＨｚ）もの
である。図５から、放電電力を増加させても原子状酸素
流量は放電電力と共に単調増加せず、放電電力が約３５
Ｗで最大の値を示した後は、単調減少に転ずることが分
かる。
マ生成空間側から流入してきた原子状酸素流量と放電電
力依存性の関係を示す（放電周波数は６０ＭＨｚ）もの
である。図５から、放電電力を増加させても原子状酸素
流量は放電電力と共に単調増加せず、放電電力が約３５
Ｗで最大の値を示した後は、単調減少に転ずることが分
かる。
【０００９】また、プラズマ生成空間で生成される原子
状酸素量は、導入された酸素ガスの流量と共に増加する
が、ある流量で最大に達することが知られており、図
１、２のようなＲＳ−ＣＶＤ装置の場合、導入された酸
素ガス総流量の１５％程度の解離度が得られることが確
認されている。
状酸素量は、導入された酸素ガスの流量と共に増加する
が、ある流量で最大に達することが知られており、図
１、２のようなＲＳ−ＣＶＤ装置の場合、導入された酸
素ガス総流量の１５％程度の解離度が得られることが確
認されている。
【００１０】一方、成膜条件を最適化する方法とは別な
原子状酸素の発生効率を高める方法として、特開平１１
−２７９７７３号に示されているように、ヘリウム（Ｈ
ｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａｒ）等のいわ
ゆる希ガスを添加してプラズマ中の原子状酸素量を増大
させる方法が知られている。
原子状酸素の発生効率を高める方法として、特開平１１
−２７９７７３号に示されているように、ヘリウム（Ｈ
ｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａｒ）等のいわ
ゆる希ガスを添加してプラズマ中の原子状酸素量を増大
させる方法が知られている。
【００１１】しかし、この方法の場合、希ガスと酸素ガ
スの比率は、圧倒的に希ガスが多くなるように添加され
る。
スの比率は、圧倒的に希ガスが多くなるように添加され
る。
【００１２】例えば、酸素ガスの２０倍のクリプトン
（Ｋｒ）や酸素ガスの２５倍のアルゴン（Ａｒ）等、目
的とする原子状酸素の発生効率を高めるため、酸素ガス
に対し圧倒的な量の希ガスが添加されている。つまり、
例えば、アルゴンガス（Ａｒ）：酸素ガス（Ｏ２）を２
５：１で流して原子状酸素を生成した場合、たとえ、酸
素ガスに対して１００％の解離度が得られたとしても、
総流量に対する原子状酸素の生成率は、たかだか４％弱
となってしまう。
（Ｋｒ）や酸素ガスの２５倍のアルゴン（Ａｒ）等、目
的とする原子状酸素の発生効率を高めるため、酸素ガス
に対し圧倒的な量の希ガスが添加されている。つまり、
例えば、アルゴンガス（Ａｒ）：酸素ガス（Ｏ２）を２
５：１で流して原子状酸素を生成した場合、たとえ、酸
素ガスに対して１００％の解離度が得られたとしても、
総流量に対する原子状酸素の生成率は、たかだか４％弱
となってしまう。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、シリコ
ン酸化膜の形成過程で重要な役割を果たしている原子状
酸素の発生効率を高める方法としていくつか知られてい
るが、シリコン酸化膜のプロセスパラメータを振るだけ
では十分な原子状酸素量が得られていなかった。
ン酸化膜の形成過程で重要な役割を果たしている原子状
酸素の発生効率を高める方法としていくつか知られてい
るが、シリコン酸化膜のプロセスパラメータを振るだけ
では十分な原子状酸素量が得られていなかった。
【００１４】また、特開平１１−２７９７７３号で示さ
れる方法では、原子状酸素の発生効率を高めるため、圧
倒的な量の希ガスを導入して希ガスの雰囲気を形成する
必要があり、総流量に対する原子状酸素の生成率が低
く、例えば、基板の大面積化が進む現在の産業上、例え
ば、１ｍにも及ぶ基板上にシリコン酸化膜を生産する装
置を使用する場合においては、原子状酸素を生成するた
めに、酸素ガスの何倍、何十倍もの大量の希ガスを必要
としていた。
れる方法では、原子状酸素の発生効率を高めるため、圧
倒的な量の希ガスを導入して希ガスの雰囲気を形成する
必要があり、総流量に対する原子状酸素の生成率が低
く、例えば、基板の大面積化が進む現在の産業上、例え
ば、１ｍにも及ぶ基板上にシリコン酸化膜を生産する装
置を使用する場合においては、原子状酸素を生成するた
めに、酸素ガスの何倍、何十倍もの大量の希ガスを必要
としていた。
【００１５】本発明は、ＲＳ−ＣＶＤ装置を用いて作製
するシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）の膜質を向上させる
ため、前述した従来採用されていた原子状酸素の発生効
率を高める方法に代わる、他の方法を提案することを目
的としている。
するシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）の膜質を向上させる
ため、前述した従来採用されていた原子状酸素の発生効
率を高める方法に代わる、他の方法を提案することを目
的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明は、ＲＳ−ＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化
膜（ＳｉＯ２膜）を作製する際に、プラズマ生成空間に
導入する酸素原子を含むガスに、窒素原子を含むガスを
添加させ、これらのガスによるプラズマによって生成さ
れるプラズマ生成空間の原子状酸素量を増加させるシリ
コン酸化膜作製方法を提案するものである。
め、本発明は、ＲＳ−ＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化
膜（ＳｉＯ２膜）を作製する際に、プラズマ生成空間に
導入する酸素原子を含むガスに、窒素原子を含むガスを
添加させ、これらのガスによるプラズマによって生成さ
れるプラズマ生成空間の原子状酸素量を増加させるシリ
コン酸化膜作製方法を提案するものである。
【００１７】更に、本発明は、前述した添加ガス（窒素
原子を含むガス）の酸素原子を含むガスに対する添加量
が重要であることを明らかにし、大型化する基板に対し
ても良好なシリコン酸化膜を効率良く、かつ、経済的に
成膜できる方法を提供するものである。
原子を含むガス）の酸素原子を含むガスに対する添加量
が重要であることを明らかにし、大型化する基板に対し
ても良好なシリコン酸化膜を効率良く、かつ、経済的に
成膜できる方法を提供するものである。
【００１８】本発明が提案するシリコン酸化膜作製方法
は、真空容器内で発生させたプラズマにより生成した生
成物質、すなわち、ラジカルと、材料ガスとで基板にシ
リコン酸化膜を成膜するものであり、以下のようなＣＶ
Ｄ装置（ＲＳ−ＣＶＤ装置）を用いて行われるものであ
る。
は、真空容器内で発生させたプラズマにより生成した生
成物質、すなわち、ラジカルと、材料ガスとで基板にシ
リコン酸化膜を成膜するものであり、以下のようなＣＶ
Ｄ装置（ＲＳ−ＣＶＤ装置）を用いて行われるものであ
る。
【００１９】このＣＶＤ装置の真空容器内には、真空容
器の内部を二室に隔離する導電性隔壁板が設けられてお
り、隔離された前記二室のうち、一方の室の内部は高周
波電極が配置されたプラズマ生成空間として、他方の室
の内部は基板を搭載する基板保持機構が配置された成膜
処理空間としてそれぞれ形成されている。前記の導電性
隔壁板は、プラズマ生成空間と成膜処理空間を通じさせ
る複数の貫通孔を有していると共に、プラズマ生成空間
から隔離されかつ成膜処理空間と複数の拡散孔を介して
通じている内部空間を有し、導電性隔壁板の内部空間に
外部から供給された材料ガスが当該複数の拡散孔を通し
て成膜処理空間に導入される。一方、高周波電極に高周
波電力を与えてプラズマ生成空間でプラズマ放電を発生
させることによりプラズマ生成空間で生成された生成物
質、すなわち、ラジカルが、導電性隔壁板の複数の貫通
孔を通して成膜処理空間に導入される。そこで、成膜処
理空間において、前記の生成物質（ラジカル）と材料ガ
スとで基板へのシリコン酸化膜成膜が行われるものであ
る。
器の内部を二室に隔離する導電性隔壁板が設けられてお
り、隔離された前記二室のうち、一方の室の内部は高周
波電極が配置されたプラズマ生成空間として、他方の室
の内部は基板を搭載する基板保持機構が配置された成膜
処理空間としてそれぞれ形成されている。前記の導電性
隔壁板は、プラズマ生成空間と成膜処理空間を通じさせ
る複数の貫通孔を有していると共に、プラズマ生成空間
から隔離されかつ成膜処理空間と複数の拡散孔を介して
通じている内部空間を有し、導電性隔壁板の内部空間に
外部から供給された材料ガスが当該複数の拡散孔を通し
て成膜処理空間に導入される。一方、高周波電極に高周
波電力を与えてプラズマ生成空間でプラズマ放電を発生
させることによりプラズマ生成空間で生成された生成物
質、すなわち、ラジカルが、導電性隔壁板の複数の貫通
孔を通して成膜処理空間に導入される。そこで、成膜処
理空間において、前記の生成物質（ラジカル）と材料ガ
スとで基板へのシリコン酸化膜成膜が行われるものであ
る。
【００２０】ここで、本発明のシリコン酸化膜作製方法
は、シリコン酸化膜作製時に、高周波電極に高周波電力
を与えてプラズマ放電を発生させるプラズマ生成空間
へ、酸素原子を含むガスと窒素原子を含むガスとが導入
されていることを特徴とするものである。
は、シリコン酸化膜作製時に、高周波電極に高周波電力
を与えてプラズマ放電を発生させるプラズマ生成空間
へ、酸素原子を含むガスと窒素原子を含むガスとが導入
されていることを特徴とするものである。
【００２１】なお、プラズマ生成空間に酸素原子を含む
ガスと共に導入される窒素原子を含むガスを混入する望
ましい割合は、酸素原子を含むガスに対し２０％以下の
濃度であり、更に望ましい割合は、酸素原子を含むガス
に対し５〜７％の濃度である。
ガスと共に導入される窒素原子を含むガスを混入する望
ましい割合は、酸素原子を含むガスに対し２０％以下の
濃度であり、更に望ましい割合は、酸素原子を含むガス
に対し５〜７％の濃度である。
【００２２】また、酸素原子を含むガスとしては、例え
ば、Ｏ２又はＯ３を用いることができ、窒素原子を含む
ガスとしては、例えば、Ｎ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２の
いずれかを用いることができる。
ば、Ｏ２又はＯ３を用いることができ、窒素原子を含む
ガスとしては、例えば、Ｎ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２の
いずれかを用いることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。
を添付図面に基づいて説明する。
【００２４】図１、図２を参照して本発明のシリコン酸
化膜作製方法に用いることのできるＣＶＤ装置（ＲＳ−
ＣＶＤ装置）の好ましい実施形態を説明する。図１、図
２において、このＲＳ−ＣＶＤ装置では、好ましくはシ
ランを材料ガスとして使用し、通常のＴＦＴ用ガラス基
板１１の上面にシリコン酸化膜をゲート絶縁膜として成
膜する。
化膜作製方法に用いることのできるＣＶＤ装置（ＲＳ−
ＣＶＤ装置）の好ましい実施形態を説明する。図１、図
２において、このＲＳ−ＣＶＤ装置では、好ましくはシ
ランを材料ガスとして使用し、通常のＴＦＴ用ガラス基
板１１の上面にシリコン酸化膜をゲート絶縁膜として成
膜する。
【００２５】ＲＳ−ＣＶＤ装置の真空容器１２は、成膜
処理を行う際、排気機構１３によってその内部が所望の
真空状態に保持される真空容器である。排気機構１３は
真空容器１２に形成された排気ポート１２ｂ−１に接続
されている。
処理を行う際、排気機構１３によってその内部が所望の
真空状態に保持される真空容器である。排気機構１３は
真空容器１２に形成された排気ポート１２ｂ−１に接続
されている。
【００２６】真空容器１２の内部には、水平な状態で導
電性部材で作られた隔壁板１４が設けられており、平面
形状が例えば矩形の隔壁板１４は、その周縁部が導電材
固定部２２の下面に押さえ付けられて密閉状態を形成す
るように配置されている。
電性部材で作られた隔壁板１４が設けられており、平面
形状が例えば矩形の隔壁板１４は、その周縁部が導電材
固定部２２の下面に押さえ付けられて密閉状態を形成す
るように配置されている。
【００２７】こうして、真空容器１２の内部は隔壁板１
４によって上下の２つの室に隔離されて、上側の室はプ
ラズマ生成空間１５を形成し、下側の室は成膜処理空間
１６を形成する。
４によって上下の２つの室に隔離されて、上側の室はプ
ラズマ生成空間１５を形成し、下側の室は成膜処理空間
１６を形成する。
【００２８】隔壁板１４は、所望の特定の厚みを有し、
かつ全体的に平板状の形態を有し、さらに真空容器１２
の水平断面形状に類似した平面形状を有する。隔壁板１
４には内部空間２４が形成されている。
かつ全体的に平板状の形態を有し、さらに真空容器１２
の水平断面形状に類似した平面形状を有する。隔壁板１
４には内部空間２４が形成されている。
【００２９】ガラス基板１１は、成膜処理空間１６に設
けられた基板保持機構１７の上に配置されている。ガラ
ス基板１１は隔壁板１４に実質的に平行であって、その
成膜面（上面）が隔壁板１４の下面に対向するように配
置されている。
けられた基板保持機構１７の上に配置されている。ガラ
ス基板１１は隔壁板１４に実質的に平行であって、その
成膜面（上面）が隔壁板１４の下面に対向するように配
置されている。
【００３０】基板保持機構１７の電位は真空容器１２と
同じ電位である接地電位４１に保持される。さらに基板
保持機構１７の内部にはヒータ１８が設けられている。
このヒータ１８によってガラス基板１１の温度は所定の
温度に保持される。
同じ電位である接地電位４１に保持される。さらに基板
保持機構１７の内部にはヒータ１８が設けられている。
このヒータ１８によってガラス基板１１の温度は所定の
温度に保持される。
【００３１】真空容器１２の構造を説明する。真空容器
１２は、その組立て性を良好にする観点から、プラズマ
生成空間１５を形成する上容器１２ａと、成膜処理空間
１６を形成する下容器１２ｂとから構成される。上容器
１２ａと下容器１２ｂを組み合わせて真空容器１２を作
るとき、両者の間の位置に隔壁板１４が設けられる。隔
壁板１４は、その周縁部が、後述するごとく電極２０を
設けるときに上容器１２ａとの間に介設される絶縁部材
２１ａ、２１ｂのうちの下側の絶縁部材２１ｂに接触す
るようにして取り付けられる。これによって、隔壁板１
４の上側と下側に、隔離されたプラズマ生成空間１５と
成膜処理空間１６が形成される。隔壁板１４と上容器１
２ａとによってプラズマ生成空間１５が形成される。
１２は、その組立て性を良好にする観点から、プラズマ
生成空間１５を形成する上容器１２ａと、成膜処理空間
１６を形成する下容器１２ｂとから構成される。上容器
１２ａと下容器１２ｂを組み合わせて真空容器１２を作
るとき、両者の間の位置に隔壁板１４が設けられる。隔
壁板１４は、その周縁部が、後述するごとく電極２０を
設けるときに上容器１２ａとの間に介設される絶縁部材
２１ａ、２１ｂのうちの下側の絶縁部材２１ｂに接触す
るようにして取り付けられる。これによって、隔壁板１
４の上側と下側に、隔離されたプラズマ生成空間１５と
成膜処理空間１６が形成される。隔壁板１４と上容器１
２ａとによってプラズマ生成空間１５が形成される。
【００３２】図１は本発明のシリコン酸化膜作製方法に
用いられるＲＳ−ＣＶＤ装置の第１の実施形態を示すも
のである。このＲＳ−ＣＶＤ装置においては、プラズマ
生成空間１５においてプラズマ１９が生成されている領
域は、隔壁板１４と上容器１２ａ及びこれらのほぼ中央
位置に配置される板状の電極（高周波電極）２０とから
形成されている。電極２０には複数の孔２０ａが形成さ
れている。隔壁板１４と電極２０は、上容器１２ａの側
部内面に沿って設けられた２つの絶縁部材２１ａ、２１
ｂによって支持され、固定される。上容器１２ａの天井
部には、電極２０に接続された電力導入棒２９が設けら
れている。電力導入棒２９によって電極２０に放電用高
周波電力が給電される。電極２０は高周波電極として機
能する。電力導入棒２９は、絶縁物３１で被われてお
り、他の金属部分との絶縁が図られている。
用いられるＲＳ−ＣＶＤ装置の第１の実施形態を示すも
のである。このＲＳ−ＣＶＤ装置においては、プラズマ
生成空間１５においてプラズマ１９が生成されている領
域は、隔壁板１４と上容器１２ａ及びこれらのほぼ中央
位置に配置される板状の電極（高周波電極）２０とから
形成されている。電極２０には複数の孔２０ａが形成さ
れている。隔壁板１４と電極２０は、上容器１２ａの側
部内面に沿って設けられた２つの絶縁部材２１ａ、２１
ｂによって支持され、固定される。上容器１２ａの天井
部には、電極２０に接続された電力導入棒２９が設けら
れている。電力導入棒２９によって電極２０に放電用高
周波電力が給電される。電極２０は高周波電極として機
能する。電力導入棒２９は、絶縁物３１で被われてお
り、他の金属部分との絶縁が図られている。
【００３３】隔壁板１４は導電材固定部２２を介して接
地電位４１となっている。
地電位４１となっている。
【００３４】絶縁部材２１ａには、外部からプラズマ生
成空間１５へ酸素ガスを導入する酸素ガス導入パイプ２
３ａと、フッ化ガス等のクリーニングガスを導入するク
リーニングガス導入パイプ２３ｂが設けられている。
成空間１５へ酸素ガスを導入する酸素ガス導入パイプ２
３ａと、フッ化ガス等のクリーニングガスを導入するク
リーニングガス導入パイプ２３ｂが設けられている。
【００３５】真空容器１２の内部は、隔壁板１４によっ
てプラズマ生成空間１５と成膜処理空間１６に隔離され
るが、隔壁板１４には成膜処理空間１６に導入された材
料ガスがプラズマ生成空間１５側に逆拡散するのを防ぐ
大きさ（長さ及び径等）・構造の複数の貫通孔２５が、
内部空間２４を貫通する状態で均等に形成されており、
これらの貫通孔２５を介してのみプラズマ生成空間１５
と成膜処理空間１６はつながっている。
てプラズマ生成空間１５と成膜処理空間１６に隔離され
るが、隔壁板１４には成膜処理空間１６に導入された材
料ガスがプラズマ生成空間１５側に逆拡散するのを防ぐ
大きさ（長さ及び径等）・構造の複数の貫通孔２５が、
内部空間２４を貫通する状態で均等に形成されており、
これらの貫通孔２５を介してのみプラズマ生成空間１５
と成膜処理空間１６はつながっている。
【００３６】つまり、この貫通孔２５に適用されている
大きさ・構造は、前記の先の特許出願である特開２００
０−３４５３４９号において提案しているｕＬ／Ｄ＞１
の条件を満たすものである。
大きさ・構造は、前記の先の特許出願である特開２００
０−３４５３４９号において提案しているｕＬ／Ｄ＞１
の条件を満たすものである。
【００３７】ここで、ｕは、貫通孔２５内でのガス流
速、すなわち、プラズマ生成空間１５に導入され、ラジ
カルを生成して成膜に寄与するガス、例えば、酸素ガス
の貫通孔２５での流速を表すものである。また、Ｌは、
図３に示しているように、実質的な貫通孔２５の長さを
表すものである。更に、Ｄは、相互ガス拡散係数、すな
わち２種のガス（材料ガス、例えば、シランガスと、プ
ラズマ生成空間１５に導入され、ラジカルを生成して成
膜に寄与する主たるガス、例えば、酸素ガス）の相互ガ
ス拡散係数を表すものである。
速、すなわち、プラズマ生成空間１５に導入され、ラジ
カルを生成して成膜に寄与するガス、例えば、酸素ガス
の貫通孔２５での流速を表すものである。また、Ｌは、
図３に示しているように、実質的な貫通孔２５の長さを
表すものである。更に、Ｄは、相互ガス拡散係数、すな
わち２種のガス（材料ガス、例えば、シランガスと、プ
ラズマ生成空間１５に導入され、ラジカルを生成して成
膜に寄与する主たるガス、例えば、酸素ガス）の相互ガ
ス拡散係数を表すものである。
【００３８】図３は隔壁板１４の断面方向から見た内部
構造の概略拡大図である。
構造の概略拡大図である。
【００３９】隔壁板１４内に形成されている内部空間２
４は、隔壁板１４に外部から導入された材料ガスを分散
させて均一に成膜処理空間１６に供給するための空間で
ある。さらに隔壁板１４の下部板２７ｃには材料ガスを
成膜処理空間１６に供給する複数の拡散孔２６が形成さ
れている。
４は、隔壁板１４に外部から導入された材料ガスを分散
させて均一に成膜処理空間１６に供給するための空間で
ある。さらに隔壁板１４の下部板２７ｃには材料ガスを
成膜処理空間１６に供給する複数の拡散孔２６が形成さ
れている。
【００４０】内部空間２４には、材料ガスを外部から導
入するための材料ガス導入パイプ２８が接続されている
（図１、図２）。材料ガス導入パイプ２８は側方から接
続されるように配置されている。
入するための材料ガス導入パイプ２８が接続されている
（図１、図２）。材料ガス導入パイプ２８は側方から接
続されるように配置されている。
【００４１】また内部空間２４の中には、材料ガスが拡
散孔２６から均一に供給されるように、複数の孔を有す
るように穿孔された均一板２７ｂによって上下の２つの
空間部分に分けられている。
散孔２６から均一に供給されるように、複数の孔を有す
るように穿孔された均一板２７ｂによって上下の２つの
空間部分に分けられている。
【００４２】従って、材料ガス導入パイプ２８で隔壁板
１４の内部空間２４に導入される材料ガスは、上側の空
間に導入され、均一板２７ｂの孔を通って下側の空間に
至り、さらに拡散孔２６を通って成膜処理空間１６に拡
散されることになる。
１４の内部空間２４に導入される材料ガスは、上側の空
間に導入され、均一板２７ｂの孔を通って下側の空間に
至り、さらに拡散孔２６を通って成膜処理空間１６に拡
散されることになる。
【００４３】以上の構造に基づいて成膜処理空間１６の
全体にわたって材料ガスを均一に供給することが可能と
なるが、隔壁板１４の内部構造は、成膜処理空間１６の
全体にわたって材料ガスを均一に供給することのできる
構造であれば、前述した構造に限られるものではない。
全体にわたって材料ガスを均一に供給することが可能と
なるが、隔壁板１４の内部構造は、成膜処理空間１６の
全体にわたって材料ガスを均一に供給することのできる
構造であれば、前述した構造に限られるものではない。
【００４４】図２は本発明のシリコン酸化膜作製方法に
用いられるＲＳ−ＣＶＤ装置の第２の実施形態を示すも
のである。図２図示の実施形態の特徴的構成は、上容器
１２ａの天井部の内側に絶縁部材２１ａを設け、かつそ
の下側に電極２０を配置するようにした点にある。電極
２０には図１図示の第１の実施形態の場合のような孔２
０ａは形成されず、一枚の板状の形態を有する。電極２
０と隔壁板１４によって平行平板型電極構造によるプラ
ズマ生成空間１５を形成する。その他の構成は第１実施
形態の構成と実質的に同じである。そこで、図２におい
て、図１で説明した要素と実質的に同一な各要素には同
一の符号を付し、ここで詳細な説明を反復することは省
略する。さらに、第２実施形態によるＲＳ−ＣＶＤ装置
による作用、効果も前述の第１実施形態と同じである。
用いられるＲＳ−ＣＶＤ装置の第２の実施形態を示すも
のである。図２図示の実施形態の特徴的構成は、上容器
１２ａの天井部の内側に絶縁部材２１ａを設け、かつそ
の下側に電極２０を配置するようにした点にある。電極
２０には図１図示の第１の実施形態の場合のような孔２
０ａは形成されず、一枚の板状の形態を有する。電極２
０と隔壁板１４によって平行平板型電極構造によるプラ
ズマ生成空間１５を形成する。その他の構成は第１実施
形態の構成と実質的に同じである。そこで、図２におい
て、図１で説明した要素と実質的に同一な各要素には同
一の符号を付し、ここで詳細な説明を反復することは省
略する。さらに、第２実施形態によるＲＳ−ＣＶＤ装置
による作用、効果も前述の第１実施形態と同じである。
【００４５】上記のように構成されたＲＳ−ＣＶＤ装置
を用いた本発明のシリコン酸化膜作製方法を以下に説明
する。
を用いた本発明のシリコン酸化膜作製方法を以下に説明
する。
【００４６】図示しない搬送ロボットによってガラス基
板１１が真空容器１２の内部に搬入され、基板保持機構
１７の上に配置される。真空容器１２の内部は、排気機
構１３によって排気され、減圧されて所定の真空状態に
保持される。
板１１が真空容器１２の内部に搬入され、基板保持機構
１７の上に配置される。真空容器１２の内部は、排気機
構１３によって排気され、減圧されて所定の真空状態に
保持される。
【００４７】次に、酸素ガス導入パイプ２３ａを通し
て、Ｎ２Ｏガスまたは、Ｎ２ガスが添加された酸素ガス
が真空容器１２のプラズマ生成空間１５に導入される。
このＮ ２Ｏガスまたは、Ｎ２ガスの酸素ガスに対する添
加量は、図示しない流量制御装置によって調整されてい
る。
て、Ｎ２Ｏガスまたは、Ｎ２ガスが添加された酸素ガス
が真空容器１２のプラズマ生成空間１５に導入される。
このＮ ２Ｏガスまたは、Ｎ２ガスの酸素ガスに対する添
加量は、図示しない流量制御装置によって調整されてい
る。
【００４８】一方、材料ガスである、例えば、シランが
材料ガス導入パイプ２８を通して隔壁板１４の内部空間
２４に導入される。シランは、最初に内部空間２４の上
側部分に導入され、均一板２７ｂを介して均一化されて
下側部分に移動し、次に拡散孔２６を通って成膜処理空
間１６に直接に、すなわちプラズマに接触することなく
導入される。成膜処理空間１６に設けられた基板保持機
構１７は、ヒータ１８に通電が行われているため、予め
所定温度に保持されている。
材料ガス導入パイプ２８を通して隔壁板１４の内部空間
２４に導入される。シランは、最初に内部空間２４の上
側部分に導入され、均一板２７ｂを介して均一化されて
下側部分に移動し、次に拡散孔２６を通って成膜処理空
間１６に直接に、すなわちプラズマに接触することなく
導入される。成膜処理空間１６に設けられた基板保持機
構１７は、ヒータ１８に通電が行われているため、予め
所定温度に保持されている。
【００４９】上記の状態で、電極２０に対して電力導入
棒２９を介して高周波電力が供給される。この高周波電
力によって放電が生じ、プラズマ生成空間１５内におい
て電極２０の周囲に酸素プラズマ１９が生成される。酸
素プラズマ１９を生成することで、中性の励起種である
ラジカル（励起活性種）が生成され、これが貫通孔２５
を通過して成膜処理空間１６に導入され、その一方、材
料ガスが隔壁板１４の内部空間２４、拡散孔２６を通っ
て成膜処理空間１６に導入される。その結果、成膜処理
空間１６内で当該ラジカルと材料ガスとがはじめて接触
し、化学反応を起こし、ガラス基板１１の表面上にシリ
コン酸化物が堆積し、薄膜が形成される。
棒２９を介して高周波電力が供給される。この高周波電
力によって放電が生じ、プラズマ生成空間１５内におい
て電極２０の周囲に酸素プラズマ１９が生成される。酸
素プラズマ１９を生成することで、中性の励起種である
ラジカル（励起活性種）が生成され、これが貫通孔２５
を通過して成膜処理空間１６に導入され、その一方、材
料ガスが隔壁板１４の内部空間２４、拡散孔２６を通っ
て成膜処理空間１６に導入される。その結果、成膜処理
空間１６内で当該ラジカルと材料ガスとがはじめて接触
し、化学反応を起こし、ガラス基板１１の表面上にシリ
コン酸化物が堆積し、薄膜が形成される。
【００５０】図６に前述した本発明のシリコン酸化膜作
製方法において、プラズマ生成空間に酸素ガスとともに
混入される亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス及び窒素（Ｎ２）
ガスの酸素ガスに対する濃度（％）と原子状酸素からの
発光強度の関係を示す。
製方法において、プラズマ生成空間に酸素ガスとともに
混入される亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス及び窒素（Ｎ２）
ガスの酸素ガスに対する濃度（％）と原子状酸素からの
発光強度の関係を示す。
【００５１】図６から、原子状酸素からの発光強度は、
亜酸化窒素、窒素ガスともに同様な傾向を示し、添加さ
れる亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス又は窒素（Ｎ２）ガスの
流量が、酸素ガスに対して２０％以下のとき、それより
添加量が多い場合に比較して大きくなることが分かっ
た。そして、添加される亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス又は
窒素（Ｎ２）ガスの流量が酸素ガスに対して５〜７％程
度のとき、最大の発光強度を示す（亜酸化窒素又は窒素
を添加しないしない場合と比較して２倍近く増加してい
る）ことが分かった。
亜酸化窒素、窒素ガスともに同様な傾向を示し、添加さ
れる亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス又は窒素（Ｎ２）ガスの
流量が、酸素ガスに対して２０％以下のとき、それより
添加量が多い場合に比較して大きくなることが分かっ
た。そして、添加される亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス又は
窒素（Ｎ２）ガスの流量が酸素ガスに対して５〜７％程
度のとき、最大の発光強度を示す（亜酸化窒素又は窒素
を添加しないしない場合と比較して２倍近く増加してい
る）ことが分かった。
【００５２】すなわち、亜酸化窒素ガス又は窒素ガスを
酸素ガスに対して２０％以下添加することで原子状酸素
の生成量が増大し、亜酸化窒素ガス又は窒素ガスの添加
量が酸素ガスに対して５〜７％程度の場合には、原子状
酸素の生成量が、最大２倍近く増加することを示してい
る。
酸素ガスに対して２０％以下添加することで原子状酸素
の生成量が増大し、亜酸化窒素ガス又は窒素ガスの添加
量が酸素ガスに対して５〜７％程度の場合には、原子状
酸素の生成量が、最大２倍近く増加することを示してい
る。
【００５３】したがって、個々の成膜装置（ＲＳ−ＣＶ
Ｄ装置）によって異なるプラズマ生成空間に印加される
高周波電力や導入される酸素流量を最適化した状態で、
本発明に係る上記比率で亜酸化窒素ガス又は窒素ガスを
微量に添加させることにより従来のこれらのガスを添加
しない場合の原子状酸素量を超えて、更に原子状酸素量
を２倍近くに増加させることができる。
Ｄ装置）によって異なるプラズマ生成空間に印加される
高周波電力や導入される酸素流量を最適化した状態で、
本発明に係る上記比率で亜酸化窒素ガス又は窒素ガスを
微量に添加させることにより従来のこれらのガスを添加
しない場合の原子状酸素量を超えて、更に原子状酸素量
を２倍近くに増加させることができる。
【００５４】図７に、有効電荷密度Ｎｅｆｆと亜酸化窒
素（Ｎ２Ｏ）ガスの添加量依存性を示す。ここで、有効
電荷密度Ｎｅｆｆは、シリコン酸化膜の膜質の評価に使
用される１つの指標であり、デバイスに組み込まれたと
きの電気特性に影響を与える因子である。通常、有効電
荷密度Ｎｅｆｆの値が小さいほど、シリコン酸化膜は良
好と言われている。
素（Ｎ２Ｏ）ガスの添加量依存性を示す。ここで、有効
電荷密度Ｎｅｆｆは、シリコン酸化膜の膜質の評価に使
用される１つの指標であり、デバイスに組み込まれたと
きの電気特性に影響を与える因子である。通常、有効電
荷密度Ｎｅｆｆの値が小さいほど、シリコン酸化膜は良
好と言われている。
【００５５】亜酸化窒素における図６と図７の比較から
分かるように有効電荷密度Ｎｅｆｆは、亜酸化窒素ガス
の添加量が酸素ガスに対して２０％以下になるとより小
さくなる傾向が強くなり、原子状酸素からの発光強度が
最大値を示す領域、つまり、亜酸化窒素ガス又は窒素ガ
スの添加量５〜７％で最低値を示した。
分かるように有効電荷密度Ｎｅｆｆは、亜酸化窒素ガス
の添加量が酸素ガスに対して２０％以下になるとより小
さくなる傾向が強くなり、原子状酸素からの発光強度が
最大値を示す領域、つまり、亜酸化窒素ガス又は窒素ガ
スの添加量５〜７％で最低値を示した。
【００５６】このことは、プラズマ生成空間に導入され
る酸素ガスに対して、亜酸化窒素ガス又は窒素ガスを２
０％以下の割合で、好ましくは、５〜７％の割合で添加
すると原子状酸素量が増加し、亜酸化窒素ガス又は窒素
ガスが無添加のものに較べてシリコン酸化膜の膜質が向
上したことを示している。
る酸素ガスに対して、亜酸化窒素ガス又は窒素ガスを２
０％以下の割合で、好ましくは、５〜７％の割合で添加
すると原子状酸素量が増加し、亜酸化窒素ガス又は窒素
ガスが無添加のものに較べてシリコン酸化膜の膜質が向
上したことを示している。
【００５７】以上、添付図面を参照して本発明の好まし
い実施形態を説明したが、本発明はかかる実施形態に限
定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握
される技術的範囲に於いて種々の形態に変更可能であ
る。
い実施形態を説明したが、本発明はかかる実施形態に限
定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握
される技術的範囲に於いて種々の形態に変更可能であ
る。
【００５８】例えば、前記の実施形態では、酸素原子を
含むガスとしてＯ２ガスを用い、これに添加する窒素原
子を含むガスとしてＮ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いる場
合を説明したが、酸素原子を含むガスとしてはＯ３ガ
ス、等を用いることも可能であり、また、窒素原子を含
むガスとしてはＮＯガス、あるいはＮＯ２ガス、等を用
いることも可能である。
含むガスとしてＯ２ガスを用い、これに添加する窒素原
子を含むガスとしてＮ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いる場
合を説明したが、酸素原子を含むガスとしてはＯ３ガ
ス、等を用いることも可能であり、また、窒素原子を含
むガスとしてはＮＯガス、あるいはＮＯ２ガス、等を用
いることも可能である。
【００５９】
【発明の効果】本発明のシリコン酸化膜の作製方法によ
れば、ＲＳ−ＣＶＤ装置を用いたシリコン酸化膜の作製
において、プラズマ生成空間に導入される酸素原子を含
むガス（Ｏ２ガスや、Ｏ３ガス、など）に対して、窒素
原子を含むガス（Ｎ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガス、Ｎ
Ｏ２ガス、など）を、酸素原子を含むガスに対して２０
％以下、最適には、５〜７％の濃度という微量添加する
だけで、原子状酸素量を約２倍に増加させることがで
き、良質なシリコン酸化膜を作製できる。
れば、ＲＳ−ＣＶＤ装置を用いたシリコン酸化膜の作製
において、プラズマ生成空間に導入される酸素原子を含
むガス（Ｏ２ガスや、Ｏ３ガス、など）に対して、窒素
原子を含むガス（Ｎ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガス、Ｎ
Ｏ２ガス、など）を、酸素原子を含むガスに対して２０
％以下、最適には、５〜７％の濃度という微量添加する
だけで、原子状酸素量を約２倍に増加させることがで
き、良質なシリコン酸化膜を作製できる。
【００６０】そこで、本発明のシリコン酸化膜の作製方
法によれば、窒素原子を含むガス（Ｎ２ガス、ＮＯガ
ス、Ｎ２Ｏガス、ＮＯ２ガス、など）の配管、バルブ、
流量調節器等からなる簡略な構成を追加するだけで、現
代の大型化する基板に対しても良質なシリコン酸化膜
を、経済的に、かつ効率良く作製することができる。
法によれば、窒素原子を含むガス（Ｎ２ガス、ＮＯガ
ス、Ｎ２Ｏガス、ＮＯ２ガス、など）の配管、バルブ、
流量調節器等からなる簡略な構成を追加するだけで、現
代の大型化する基板に対しても良質なシリコン酸化膜
を、経済的に、かつ効率良く作製することができる。
【図１】本発明のシリコン酸化膜作製方法に用いられる
ＲＳ−ＣＶＤ装置の第１の実施形態を表す断面図。
ＲＳ−ＣＶＤ装置の第１の実施形態を表す断面図。
【図２】本発明のシリコン酸化膜作製方法に用いられる
ＲＳ−ＣＶＤ装置の第２の実施形態を表す断面図。
ＲＳ−ＣＶＤ装置の第２の実施形態を表す断面図。
【図３】隔壁板に形成されている貫通孔の形状の一例を
説明する断面図。
説明する断面図。
【図４】ＲＳ−ＣＶＤ装置の成膜処理空間で生じるシリ
コン酸化膜の形成反応を説明する模式図。
コン酸化膜の形成反応を説明する模式図。
【図５】成膜処理空間で測定したプラズマ生成空間から
流入してきた原子状酸素量と放電電力依存性の関係を示
す図。
流入してきた原子状酸素量と放電電力依存性の関係を示
す図。
【図６】プラズマ生成空間に導入される亜酸化窒素ガ
ス、窒素ガスの酸素ガスに対する濃度と原子状酸素から
の発光強度の関係を示す図。
ス、窒素ガスの酸素ガスに対する濃度と原子状酸素から
の発光強度の関係を示す図。
【図７】有効電荷密度Ｎｅｆｆと亜酸化窒素ガスの添加
量依存性を示す図。
量依存性を示す図。
１１ 基板
１２ 真空容器
１２ａ 上容器
１２ｂ 下容器
１２ｂ−１ 排気ポート
１３ 排気機構
１４ 隔壁板
１５ プラズマ生成空間
１６ 成膜処理空間
１７ 基板保持機構
１８ ヒータ
１９ プラズマ
２０ 電極
２１ａ、２１ｂ 絶縁部材
２２ 導電材固定部
２３ａ 酸素ガス導入パイプ
２３ｂ クリーニングガス導入パイプ
２４ 内部空間
２５ 貫通孔
２６ 拡散孔
２７ｂ 均一板
２７ｃ 下部板
２８ 材料ガス導入パイプ
２９ 電力導入棒
３１ 絶縁物
４１ 接地電位
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石橋 啓次
東京都府中市四谷５丁目８番１号 アネル
バ株式会社内
(72)発明者 森 茂
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株
式会社内
Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA14 AA18 AA24 BA44
EA05 FA03 JA06 LA18
5F058 BC02 BF06 BF23 BF29 BF31
BJ01
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器内で発生させたプラズマにより
生成した生成物質と材料ガスとで基板にシリコン酸化膜
を成膜するシリコン酸化膜作製方法であって、 真空容
器の内部を二室に隔離する導電性隔壁板が真空容器内に
設けられており、隔離された前記二室のうち、一方の室
の内部は高周波電極が配置されたプラズマ生成空間とし
て、他方の室の内部は基板を搭載する基板保持機構が配
置された成膜処理空間としてそれぞれ形成されており、
前記導電性隔壁板は、前記プラズマ生成空間と前記成膜
処理空間を通じさせる複数の貫通孔を有していると共
に、前記プラズマ生成空間から隔離されかつ前記成膜処
理空間と複数の拡散孔を介して通じている内部空間を有
し、前記導電性隔壁板の内部空間に外部から供給された
材料ガスが前記複数の拡散孔を通して成膜処理空間に導
入されると共に、 前記高周波電極に高周波電力を与えて発生させたプラズ
マ放電により生成された生成物質が、プラズマ生成空間
から前記導電性隔壁板の複数の貫通孔を通して成膜処理
空間に導入されるＣＶＤ装置を用い、 シリコン酸化膜作製時に、前記高周波電極に高周波電力
を与えてプラズマ放電を発生させるプラズマ生成空間
へ、酸素原子を含むガスと窒素原子を含むガスとが導入
されていることを特徴とするシリコン酸化膜作製方法。 - 【請求項２】 プラズマ生成空間に酸素原子を含むガス
と共に導入される窒素原子を含むガスは、酸素原子を含
むガスに対し２０％以下の濃度で混入されることを特徴
とする請求項１記載のシリコン酸化膜作製方法。 - 【請求項３】 プラズマ生成空間に酸素原子を含むガス
と共に導入される窒素原子を含むガスは、酸素原子を含
むガスに対し５〜７％の濃度で混入されることを特徴と
する請求項１記載のシリコン酸化膜作製方法。 - 【請求項４】 酸素原子を含むガスはＯ２又はＯ３であ
り、窒素原子を含むガスはＮ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２
のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか一項記載のシリコン酸化膜作製方法。 - 【請求項５】 プラズマ放電を発生させることによりプ
ラズマ生成空間で生成される生成物質がラジカルである
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の
シリコン酸化膜作製方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
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| TW091137166A TW565628B (en) | 2001-12-25 | 2002-12-24 | Silicon oxide film formation method |
| KR10-2002-0083493A KR100538406B1 (ko) | 2001-12-25 | 2002-12-24 | 실리콘 산화막 제조방법 |
| CNB021588252A CN100416775C (zh) | 2001-12-25 | 2002-12-25 | 氧化硅膜制作方法 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2001392625A Expired - Fee Related JP3891267B2 (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | シリコン酸化膜作製方法 |
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