KR100798416B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 진공챔버;상기 진공챔버 상부벽 외부에 설치되고 고주파 전원이 인가되는 RF 안테나; 및그 가장자리가 상기 진공챔버의 내측면에 밀착되어 상기 진공챔버의 내부를 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역를 구획하여 분리하는 매니폴드를 포함하며,상기 플라즈마 형성영역에는 상기 RF 안테나에 인가되는 고주파 전원에 의해 플라즈마가 유도되고,상기 매니폴드에는 내부 공간이 형성되고, 상기 내부공간은 복수 개의 소스분출공들을 통하여 상기 기판 탑재영역과 연통하고, 상기 진공챔버 외부에서 상기 내부 공간과 연통한 소스 공급관을 통하여 소스를 공급하며, 상기 내부공간과 구획되고 상기 소스분출공들과 겹치지 않도록 상하 관통되어 상기 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역을 연통하는 복수 개의 플라즈마 통로들이 형성되며,상기 매니폴드에는 상기 플라즈마에서 형성된 이온이 상기 기판에 도달하는 것을 방지하는 직류 바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마의 소스는 유도결합 플라즈마(ICP), 고밀도 플라즈마(HDP), 정전결합 플라즈마(CCP) 및 전자 싸이클론 공진(ECR) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 통로는 높이방향으로 경사지거나 절곡된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 챔버의 측면에는 펌핑에 의해 상기 플라즈마를 순환하기 위하여 게이트 밸브를 경유하는 바이패스 라인이 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 진공챔버;상기 진공챔버 상부벽 외부에 설치되고 고주파 전원이 인가되는 RF 안테나; 및그 가장자리가 상기 진공챔버의 내측면에 밀착되어 상기 진공챔버의 내부를 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역를 구획하여 분리하는 매니폴드를 포함하며,상기 플라즈마 형성영역에는 상기 RF 안테나에 인가되는 고주파 전원에 의해 플라즈마가 유도되고,상기 매니폴드에는 내부 공간이 형성되고, 상기 내부공간은 복수 개의 소스분출공들을 통하여 상기 기판 탑재영역과 연통하고, 상기 진공챔버 외부에서 상기 내부 공간과 연통한 소스 공급관을 통하여 소스를 공급하며, 상기 내부공간과 구획되고 상기 소스분출공들과 겹치지 않도록 상하 관통되어 상기 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역을 연통하는 복수 개의 플라즈마 통로들이 형성되며,상기 매니폴드에는 상기 플라즈마에서 형성된 이온이 에칭공정이나 애싱공정에 적용되도록 가속하는 것에 대응하여 선택된 바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 통로들과 소스분출공들은 균일한 분포로 형성되며, 각각의 직경은 1 내지 20mm 정도인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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