KR20100044082A - 리모트 플라즈마 발생장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 챔버 상부의 내측에 설치되는 RF 전극;상기 RF 전극과 이격하여 설치되며 발생한 플라즈마가 통과하는 다수의 관통공이 배열되고 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극;상기 RF 전극과 바이어스 전극 사이에 형성되고 플라즈마 가스가 공급되는 플라즈마 발생부; 및상기 바이어스 전극과 이격하여 하부에 설치되며, 상기 바이어스 전극의 관통공에 대응하는 플라즈마 통과공이 형성된 접지 전극을 포함하며,상기 바이어스 전극에는 주기적인 제 1 전압 부분을 갖는 제 2 전압의 펄스 직류 바이어스(Pulsed DC Bias)가 인가되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 바이어스 전극의 전면에 텅스텐 또는 티타늄을 포함하는 내 에칭성 금속이 코팅되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 바이어스 전극에 잔류하는 전하를 제거하기 위한 커패시터가 바이어스 전원에 직렬로 연결되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 RF 전극에는 상기 플라즈마 발생부에 플라즈마 가스를 공급하기 위한 다수의 관통공이 형성되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 바이어스 전극은 금속재질로 제작되며 그 표면은 아노다이징 처리되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 접지전극 하부에 소스가스나 퍼지가스가 통과하는 경로와 상기 플라즈마 발생부에서 생성된 플라즈마가 통과하는 경로가 구획되어 형성되는 샤워 헤드가 설치되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 챔버 외측에 설치되는 RF 안테나;상기 RF 안테나에 인접하여 상기 챔버 내부에 형성되고 플라즈마를 발생하는 플라즈마 발생부; 및상기 플라즈마 발생부 하부에 설치되며 발생한 플라즈마가 통과하는 다수의 관통공이 배열되고 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극을 포함하며,상기 바이어스 전극에는 제 1 전압 부분을 갖는 제 2 전압의 펄스 직류 바이어스(Pulsed DC Bias)가 인가되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 7에 있어서,상기 바이어스 전극의 전면에 텅스텐 또는 티타늄을 포함하는 내 에칭성 금속이 코팅되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 8에 있어서,상기 바이어스 전극에 잔류하는 전하를 제거하기 위한 커패시터가 바이어스 전원에 직렬로 연결되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 외측에 ICP 코일이 감기고, 플라즈마 가스가 발생하는 플라즈마 발생부;상기 플라즈마 발생부의 하부에 설치되며 발생한 플라즈마가 통과하는 다수의 플라즈마 통과공이 배열되는 바이어스 전극; 및상기 바이어스 전극의 하부에 형성되고, 기판이 적재되는 기판 로딩부와 상기 기판 로딩부 위에 설치되어 소스가스나 퍼지가스를 공급하기 위한 가스공급유닛을 구비한 반응부를 포함하며,상기 바이어스 전극에는 제 1 전압 부분을 갖는 제 2 전압의 펄스 직류 바이어스(Pulsed DC Bias)가 인가되는 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 10에 있어서,상기 가스공급유닛은 저면에 다수의 분사공이 형성된 링 타입인 리모트 플라 즈마 발생장치.
- 청구항 1, 7 및 10 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 전압은 양(+) 전압이고, 상기 제 2 전압은 음(-) 전압인 리모트 플라즈마 발생장치.
- 청구항 1, 7 및 10 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 전압은 음(-) 전압이고, 상기 제 2 전압은 양(+) 전압인 리모트 플라즈마 발생장치.
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