JP5448945B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5448945B2 JP5448945B2 JP2010054744A JP2010054744A JP5448945B2 JP 5448945 B2 JP5448945 B2 JP 5448945B2 JP 2010054744 A JP2010054744 A JP 2010054744A JP 2010054744 A JP2010054744 A JP 2010054744A JP 5448945 B2 JP5448945 B2 JP 5448945B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas supply
- electric field
- transmission window
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
従来のプラズマ処理装置としては、真空容器外周にコイル状のアンテナを設けた誘導型のプラズマ処理装置、あるいは真空容器内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置等が知られている。これらいずれの処理装置においても、不揮発性材料をエッチングする場合における真空容器内壁への堆積物の対策が十分でないため、前記大気開放を伴う手作業による洗浄を繰り返し行っている。前記手作業による洗浄は、洗浄を開始すると次の試料の処理開始までに6〜12時間も要すことから装置の稼動効率が大幅に低下する。
前記電界透過窓は、放射状に形成されるとともに前記アンテナコイルにより生成された電界の方向と直交する複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から導入されたガスを前記真空容器内に供給する複数のガス供給孔を有するガス供給部とを具備し、前記流路の幅は、前記ガス供給手段から導入されたガスの平均自由行程以下であり、前記ガス供給手段は、前記流路の一方から前記ガスを前記流路に導入し、前記流路の他方に接続されたガス供給部のみから前記流路に導入されたガスを前記真空容器内に供給する。
102 被処理基板載置電極
103 電界透過窓
104 ファラデーシールド
105 アンテナコイル
201 ガス流路
202 シャワー孔
501 ガス流路
Claims (3)
- 試料がプラズマ処理される真空容器と、前記真空容器の上方に設けられ、前記真空容器を気密に封止する電界透過窓と、前記電界透過窓と対向し、試料を載置する試料載置電極と、前記電界透過窓の上方に設けられ、誘導磁場を生成するアンテナコイルと、前記アンテナコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓は、放射状に形成されるとともに前記アンテナコイルにより生成された電界の方向と直交する複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から導入されたガスを前記真空容器内に供給する複数のガス供給孔を有するガス供給部とを具備し、
前記流路の幅は、前記ガス供給手段から導入されたガスの平均自由行程以下であり、
前記ガス供給手段は、前記流路の一方から前記ガスを前記流路に導入し、前記流路の他方に接続されたガス供給部のみから前記流路に導入されたガスを前記真空容器内に供給することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記流路の内部は、導電体で構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓と前記アンテナコイルとの間に設けられ、プラズマと容量結合するファラデーシールドとを備え、
前記アンテナコイルは、円状のコイルであることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010054744A JP5448945B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010054744A JP5448945B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187902A JP2011187902A (ja) | 2011-09-22 |
JP2011187902A5 JP2011187902A5 (ja) | 2013-03-28 |
JP5448945B2 true JP5448945B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=44793780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010054744A Active JP5448945B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5448945B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3372244B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2003-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3935642B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2007-06-27 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
JP4672113B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
JP3935850B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2007-06-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4115337B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2008-07-09 | 俊夫 後藤 | プラズマ処理装置 |
JP4382505B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | プラズマエッチング装置の誘電板の製造方法 |
JP2007012734A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
-
2010
- 2010-03-11 JP JP2010054744A patent/JP5448945B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011187902A (ja) | 2011-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10504697B2 (en) | Particle generation suppresor by DC bias modulation | |
US9960031B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US8138445B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP4143684B2 (ja) | プラズマドーピング方法及び装置 | |
EP1840937A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US20120270406A1 (en) | Cleaning method of plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP5377993B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP6845773B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US20090014644A1 (en) | In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring | |
JP5750496B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP5853087B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US9691618B2 (en) | Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process | |
US7488689B2 (en) | Plasma etching method | |
JP3630666B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
KR101105907B1 (ko) | 리모트 플라즈마 발생장치 | |
JP5448945B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4659771B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20060281323A1 (en) | Method of cleaning substrate processing apparatus | |
JP4676222B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH02183533A (ja) | プラズマ気相成長装置の汚染防止方法 | |
JPH0758083A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR20230124754A (ko) | 에칭 방법, 플라즈마 처리 장치, 기판 처리 시스템및 프로그램 | |
JP4352064B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2009260091A (ja) | プラズマ処理装置のシーズニング方法 | |
Chen | Variable energy neutral beam design and kinetic energy etching |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130212 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130917 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5448945 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |