JP2011187902A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011187902A5 JP2011187902A5 JP2010054744A JP2010054744A JP2011187902A5 JP 2011187902 A5 JP2011187902 A5 JP 2011187902A5 JP 2010054744 A JP2010054744 A JP 2010054744A JP 2010054744 A JP2010054744 A JP 2010054744A JP 2011187902 A5 JP2011187902 A5 JP 2011187902A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- processing apparatus
- gas
- transmission window
- vacuum vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
試料をプラズマ処理する真空容器と、前記真空容器の上方に設けられ、前記真空容器
を気密に封止する電界透過窓と、前記透過窓と対向し、試料を載置する試料載置電極と、
前記電界透過窓の上方に設けられ、誘導磁場を生成するアンテナコイルと、前記アンテ
ナコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス
供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓は、放射状に形成された複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空容器内に供給するガス供給部とを具備する。
を気密に封止する電界透過窓と、前記透過窓と対向し、試料を載置する試料載置電極と、
前記電界透過窓の上方に設けられ、誘導磁場を生成するアンテナコイルと、前記アンテ
ナコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス
供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓は、放射状に形成された複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空容器内に供給するガス供給部とを具備する。
Claims (6)
- 試料をプラズマ処理する真空容器と、前記真空容器の上方に設けられ、前記真空容器
を気密に封止する電界透過窓と、前記透過窓と対向し、試料を載置する試料載置電極と、
前記電界透過窓の上方に設けられ、誘導磁場を生成するアンテナコイルと、前記アンテ
ナコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス
供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓は、放射状に形成された複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空容器内に供給するガス供給部とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記流路は、前記アンテナコイルにより生成された電界の方向と直交することを特徴と
するプラズマ処理装置。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記流路の幅は、前記ガス供給手段から導入されたガスの平均自由行程以下であること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記流路の内部は、導電体で構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓と前記アンテナコイルとの間に設けられ、プラズマと容量結合するファ
ラデーシールドとを備え、
前記アンテナコイルは、円状のコイルであり、
前記ガス供給部は、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空
容器内に供給するガス孔を複数、具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料をプラズマ処理する真空容器と、前記真空容器の上方に設けられ、前記真空容器
を気密に封止する電界透過窓と、前記透過窓と対向し、試料を載置する試料載置電極と、
前記電界透過窓の上方に設けられ、誘導磁場を生成するアンテナコイルと、前記アンテナコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス
供給手段とを備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ
処理方法において、
前記電界透過窓は、放射状に形成された複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空容器内に供給するガス供給部とを具備することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010054744A JP5448945B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010054744A JP5448945B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011187902A JP2011187902A (ja) | 2011-09-22 |
| JP2011187902A5 true JP2011187902A5 (ja) | 2013-03-28 |
| JP5448945B2 JP5448945B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=44793780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010054744A Active JP5448945B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5448945B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3372244B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2003-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP3935642B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2007-06-27 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP4672113B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| JP3935850B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2007-06-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP4115337B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2008-07-09 | 俊夫 後藤 | プラズマ処理装置 |
| JP4382505B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | プラズマエッチング装置の誘電板の製造方法 |
| JP2007012734A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
-
2010
- 2010-03-11 JP JP2010054744A patent/JP5448945B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2011142957A3 (en) | Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator | |
| WO2012057967A3 (en) | Methods and apparatus for controlling photoresist line width roughness | |
| JP2010135298A5 (ja) | ||
| WO2012058184A3 (en) | Plasma processing apparatus with reduced effects of process chamber asymmetry | |
| JP2011066033A5 (ja) | ||
| WO2008010943A3 (en) | Hybrid rf capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency rf powers and methods of use thereof | |
| WO2012112537A3 (en) | Methods, apparatus, and system for mass spectrometry | |
| WO2011143062A3 (en) | Confined process volume pecvd chamber | |
| WO2011063146A3 (en) | Plasma source design | |
| WO2009031829A3 (en) | Substrate processing apparatus | |
| WO2009104918A3 (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
| JP2013182996A5 (ja) | ||
| JP2013084653A5 (ja) | ||
| MX2015008160A (es) | Aparato y metodo de inspeccion de defectos. | |
| JP2014527685A5 (ja) | 磁気的閉じ込め及びファラデーシールド付き誘導結合型プラズマシステム並びに磁気的閉じ込め及びファラデーシールドを提供する方法 | |
| TW200632980A (en) | Plasma generation apparatus | |
| TW200802549A (en) | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process | |
| WO2009134588A3 (en) | Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber | |
| JP2011124293A5 (ja) | ||
| TW201130038A (en) | Plasma etching apparatus | |
| IN2015DN01149A (ja) | ||
| AU2011322252A8 (en) | Method and apparatus for treating fluid in a conduit with radio - frequencies | |
| MX342253B (es) | Dispositivo para la generacion de plasma que tiene un intervalo alto a lo largo de un eje por la resonancia ciclotronica de electrones (ecr) de un medio gaseoso. | |
| JP2011009249A5 (ja) | ||
| JP2013012353A5 (ja) |