KR101439878B1 - 리모트 플라즈마 발생장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 관 형상으로서 가스를 공급하는 가스 공급부재; 관 형상으로서 상기 가스 공급부재로부터 공급된 가스에 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부재; 전기적 극성을 줄 수 있는 관 형상으로서 상기 플라즈마 발생부재의 단부로부터 절곡되어 상기 플라즈마 발생부재에서 발생된 플라즈마 가스의 이온 중의 일부를 전기적 극성에 의해 증착시켜 통과시키는 이온 필터링 부재; 및 관 형상으로서 상기 이온 필터링 부재로부터 필터링된 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 공급부재를 포함하는 리모트 플라즈마 발생장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따르면, 플라즈마 발생부재에서 발생된 플라즈마 가스를 플라즈마 발생부재의 단부에서 절곡된 이온 필터링 부재에서 일부 이온을 증착시켜 리모트 플라즈마를 발생시킬 수 있으므로 세정 과정에서 불필요한 극성의 이온 때문에 일어나는 불필요한 반응을 방지할 수 있다.

Description

리모트 플라즈마 발생장치 {Apparatus for generating remote plasma}
본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 리모트 플라즈마를 발생시키는 장치에 관한 것이다.
집적 회로와 같은 반도체 제조는 실리콘 웨이퍼 기판상에 다양한 층들의 형성을 필요로 한다. 이러한 층들을 증착시키기 위해 다양한 기술들이 개발되어 왔다. 반도체 제조 장치 중 웨이퍼 상에 특정 박막을 형성하는 장치로는 화학 기상 증착장치(CVD)가 주로 사용된다.
화학 기상 증착장치로 기판상에 층이 형성될 때, 일부 물질은 통상적으로 공정챔버의 벽 및 증착 시스템의 다른 구성 요소들에도 역시 오염 물질로서 증착된다. 공정챔버 벽의 오염 물질은 미립자 오염의 소스가 될 수 있기 때문에 공정챔버 내부로부터 오염 물질을 제거하기 위해 몇 가지 세정 과정들이 사용되고 있다.
"습식 세정"은 증착 챔버를 부분적으로 분해하고 적당한 세척액으로 표면들을 닦아줌으로써 수행된다. 반면, "건식 세정"은 챔버 배기 시스템에 의해 제거될 수 있는 휘발성 생성물로 오염 물질을 변환시켜 제거하는 데에 플라즈마를 사용한다.
플라즈마 건식 세정에는 일반적으로 두 가지 타입이 있다. 한 타입은 프로세싱 챔버 내부에서, 또는 "인시튜(in situ)"로 플라즈마를 형성한다. 다른 타입은 리모트 플라즈마 발생기에서 플라즈마를 형성하고, 그 다음 프로세싱 챔버로 플라즈마를 흘려 보낸다. 이러한 리모트 플라즈마 세정 프로세스는 세정 플라즈마 프리커서 가스 또는 증기들을 플라즈마로 변환하는데 더 능률적이고, 챔버 외부에서 플라즈마를 형성하기 때문에 플라즈마 형성 프로세스의 잠재적인 부산물들로부터 챔버 내부를 보호한다.
현재 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착장치의 챔버로부터 금속 오염 물질을 세정하기 위하여 삼불화질소(NF3: Nitrogen Trifluoride)가스와 같은 세정 가스를 이온화하여 NF3, NF2, NF, N+, F-등에 의해 챔버 내부를 세정하는 공정을 진행하게 된다. 이렇게 이온화된 플루오르 이온은 그 다양한 극성 때문에 세정 과정에서 불필요한 반응이 일어날 수 있다.
한국등록특허 제0500852호 (2005. 07. 04), "원격 플라즈마 발생기" 한국등록특허 제1105907호 (2012. 01. 06), "리모트 플라즈마 발생장치"
본 발명의 목적은 일부 극성의 이온을 필터링한 리모트 플라즈마 가스를 발생시킬 수 있는 리모트 플라즈마 발생장치를 제공하는 것이다.
위와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치는 관 형상으로서 가스를 공급하는 가스 공급부재; 관 형상으로서 상기 가스 공급부재로부터 공급된 가스에 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부재; 전기적 극성을 줄 수 있는 관 형상으로서 상기 플라즈마 발생부재의 단부로부터 절곡되어 상기 플라즈마 발생부재에서 발생된 플라즈마 가스의 이온 중의 일부를 전기적 극성에 의해 증착시켜 통과시키는 이온 필터링 부재; 및 관 형상으로서 상기 이온 필터링 부재로부터 필터링된 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 공급부재를 포함한다.
여기서, 상기 플라즈마 발생부재는, 에너지를 가하기 위해 외측에 유도결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma; ICP) 코일을 구비할 수 있다.
아울러, 상기 유도결합형 플라즈마 코일은, 밀도를 높이기 위해 27Mhz 내지 100Mhz의 주파수의 파워를 공급받아 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
나아가, 상기 플라즈마 발생부재는, 단면에 냉각관을 더 구비할 수 있다.
게다가, 상기 플라즈마 발생부재의 재질은 세라믹 또는 금속을 포함하고, 상기 이온 필터링 부재의 재질은 금속을 포함할 수 있다.
더욱이, 상기 이온 필터링 부재 및 상기 플라즈마 공급부재의 사이에는, 관 형상으로서 상기 이온 필터링 부재의 단부로부터 절곡되어 상기 이온 필터링 부재로부터 발생된 플라즈마 가스에 다시 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시키는 보조 플라즈마 발생부재; 및 전기적 극성을 줄 수 있는 관 형상으로서 상기 보조 플라즈마 발생부재의 단부로부터 절곡되어 상기 보조 플라즈마 발생부재에서 발생된 플라즈마 가스의 이온 중의 일부를 증착시켜 통과시키는 보조 이온 필터링 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 보조 플라즈마 발생부재는, 에너지를 가하기 위해 외측에 유도결합형 플라즈마 코일을 구비할 수 있다.
나아가, 상기 보조 플라즈마 발생부재는, 단면에 냉각관을 더 구비할 수 있다.
더욱이, 상기 보조 플라즈마 발생부재의 재질은 세라믹 또는 금속을 포함하고, 상기 보조 이온 필터링 처리부재의 재질은 금속을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치에 의하면,
첫째, 플라즈마 발생부재에서 발생된 플라즈마 가스를 플라즈마 발생부재의 단부에서 절곡된 이온 필터링 부재에서 일부 이온을 증착시켜 리모트 플라즈마를 발생시킬 수 있으므로 세정 과정에서 불필요한 극성의 이온 때문에 일어나는 불필요한 반응을 방지할 수 있다.
둘째, 일반적으로 리모트 플라즈마에 사용되는 NF3 가스를 사용하지 않고 F2 등 다양한 가스를 사용할 수 있어 지구 온난화 가스 방출을 막을 수 있다.
셋째, 플라즈마 발생부재에 CCP(Conductively Coupled Plasma)가 아닌 ICP 코일을 사용하기 때문에 플라즈마 가스에 의한 기판 상의 원소 치환이 용이하다.
넷째, 플라즈마 발생부재 및 보조 플라즈마 발생부재의 단면에 냉각관을 구비하여 과열을 방지할 수 있다.
다섯째, 이온 필터링 부재 및 플라즈마 공급부재의 사이에 보조 플라즈마 발생부재 및 보조 이온 필터링 부재를 포함하여 리모트 플라즈마의 밀도를 높이고, 이온의 극성을 강화시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 리모트 플라즈마 발생장치의 일부 분해 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 유도결합형 플라즈마 코일의 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시된 냉각관 연결부재를 나타낸 정면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 리모트 플라즈마 발생장치의 일부 분해 사시도이다.
도 7은 도 6에 도시된 유도결합형 플라즈마 코일의 사시도이다.
도 8은 도 6에 도시된 냉각관 연결부재를 나타낸 정면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 사시도, 도 2는 도 1에 도시된 리모트 플라즈마 발생장치의 일부 분해 사시도, 도 3은 도 2에 도시된 유도결합형 플라즈마 코일의 사시도, 도 4는 도 2에 도시된 냉각관 연결부재를 나타낸 정면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면 리모트 플라즈마 발생장치(RPS)는 가스 공급부재(100), 플라즈마 발생부재(200), 이온 필터링 부재(300) 및 플라즈마 공급부재(400)를 포함한다. 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼 리모트 플라즈마 발생장치(RPS)는 박스 형상의 케이스(C)의 내측에 마련된다.
가스 공급부재(100)는 관 형상으로서 가스를 공급한다. 여기서 가스는 리모트 플라즈마에 사용되는 다양한 가스가 사용될 수 있다. 예를 들어 가스는 H2, F2, 나아가 NF3 등 다양한 클리닝 가스를 사용하여 플라즈마 가스를 제공할 수 있다.
플라즈마 발생부재(200)는 관 형상으로서 가스 공급부재(100)로부터 공급된 가스에 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시킨다. 이때, 플라즈마 발생부재(200)의 재질은 세라믹 또는 금속을 포함한다.
여기서, 플라즈마 발생부재(200)는 에너지를 가하기 위해 외측에 유도결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma; ICP) 코일(210)을 구비한다. 플라즈마 발생부재에 CCP(Conductively Coupled Plasma)가 아닌 ICP 코일(210)을 사용하기 때문에 (+) 또는 (-) 중의 어느 하나의 극성 가스에 의한 기판 상의 원소 치환이 용이하게 된다. 도 3에 도시된 것처럼 유도결합형 플라즈마 코일(210)의 내측에는 냉각홀(210C)을 구비하고, 냉각홀(210C)에는 냉각유체가 통과하여 과열을 방지할 수 있다.
유도결합형 플라즈마 코일(210)은 밀도를 높이기 위해 27Mhz 내지 100Mhz의 주파수의 파워를 공급받아 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 또한, 높은 주파수의 파워를 사용하기 때문에 일반적으로 리모트 플라즈마에 사용되는 NF3 가스를 사용하지 않고 F2 가스도 사용할 수 있어 지구 온난화 가스 방출을 막을 수 있다.
도 4에 도시된 것처럼 플라즈마 발생부재(200)는 단면에 냉각관(200C)을 더 구비하여 과열을 방지할 수 있다. 더 구체적으로는 도 4에 도시된 것처럼 플라즈마 발생부재(200)와 이온 필터링 부재(300)의 사이에 냉각관 연결부재(C)를 구비한다. 냉각관 연결부재(C)는 유체공급부(Cin)와 유체유출부(Cout)를 구비하여 냉각홀(200C)에 냉각유체가 통과할 수 있게 한다. 유체공급부(Cin)에 유체 공급관이 연결된 것은 다양한 방법이 있을 수 있으므로 편의상 생략하기로 한다.
이온 필터링 부재(300)는 (+) 또는 (-) 중의 어느 하나의 전기적 극성을 줄 수 있는 관 형상으로서 플라즈마 발생부재(200)의 단부로부터 절곡되어 플라즈마 발생부재(200)에서 발생된 플라즈마 가스의 이온 중의 일부를 전기적 극성에 의해 증착시켜 통과시킨다. 이온 필터링 부재(300)의 재질은 금속을 포함하고 전기적 극성을 줄 수 있을 뿐만 아니라 플라즈마 발생부재(200)의 단부로부터 꺾어져 구비되므로 플라즈마 가스의 일부가 필터링 되면서 통과한다.
플라즈마 공급부재(400)는 관 형상으로서 이온 필터링 부재(300)로부터 발생된 필터링된 플라즈마 가스를 챔버에 공급한다.
예를 들어, 플라즈마 발생을 위해 제공되는 가스를 삼불화질소(NF3) 가스라고 가정할 경우 플라즈마 발생부재(200)에 의해 이온화하면 NF3, NF2, NF, N+, F-등의 이온으로 분리된다. 이때, 이온 필터링 부재(300)에 (-)극성을 주게 되면 N+ 이온은 이온 필터링 부재(300)의 벽에 증착되고, 나머지 이온들인 NF3, NF2, NF, F-등이 통과된다.
다음으로 본 발명의 다른 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치에 대해 설명한다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 사시도, 도 6은 도 5에 도시된 리모트 플라즈마 발생장치의 일부 분해 사시도, 도 7은 도 6에 도시된 유도결합형 플라즈마 코일의 사시도, 도 8은 도 6에 도시된 냉각관 연결부재를 나타낸 정면도이다.
도 5 내지 도 8을 참조하면, 앞서 설명한 이온 필터링 부재(300) 및 플라즈마 공급부재(400)의 사이에 보조 플라즈마 발생부재(500) 및 보조 이온 필터링 부재(600)를 더 포함한다.
보조 플라즈마 발생부재(500)는 관 형상으로서 이온 필터링 부재(300)의 단부로부터 절곡되어 이온 필터링 부재(300)로부터 발생된 필터링된 플라즈마 가스에 다시 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시킨다. 보조 플라즈마 발생부재(500)의 재질은 세라믹 또는 금속을 포함한다.
보조 플라즈마 발생부재(500)는 에너지를 가하기 위해 외측에 유도결합형 플라즈마 코일(510)을 구비할 수 있다. 여기서도 보조 플라즈마 발생부재(500)는 단면에 냉각관(500C)을 더 구비하여 과열을 방지할 수 있다.
보조 이온 필터링 부재(600)는 (+) 또는 (-) 중의 어느 하나의 전기적 극성을 줄 수 있는 관 형상으로서 보조 플라즈마 발생부재(500)의 단부로부터 절곡되어 보조 플라즈마 발생부재(500)에서 발생된 플라즈마 가스의 이온 중의 일부를 증착시켜 통과시킨다. 보조 이온 필터링 부재(600)의 재질은 금속을 포함한다.
앞서 설명한 것처럼 예를 들어, 플라즈마 발생을 위해 제공되는 가스를 삼불화질소(NF3) 가스라고 가정할 경우 플라즈마 발생부재(200)에 의해 이온화하면 NF3, NF2, NF, N+, F-등의 이온으로 분리된다. 이때, 이온 필터링 부재(300)에 (-)극성을 주게 되면 N+ 이온은 이온 필터링 부재(300)의 벽에 증착되고, 나머지 이온들인 NF3, NF2, NF, F-등이 통과된다.
뿐만 아니라, 보조 플라즈마 발생부재(500)에 의해 다시 이온화하면 NF3, NF2, NF, N+, F-등의 이온으로 다시 분리된다. 이때, 보조 이온 필터링 부재(600)에 (-)극성을 주게 되면 N+ 이온은 보조 이온 필터링 부재(600)의 벽에 증착되고, 나머지 이온들인 NF3, NF2, NF, F-등이 다시 통과된다.
이렇게, 이온 필터링 처리부재(300) 및 플라즈마 공급부재(400)의 사이에 보조 플라즈마 발생부재(500) 및 보조 이온 필터링 부재(600)를 포함하여 리모트 플라즈마의 밀도를 높이고, 이온의 극성을 강화시킬 수 있다.
아울러, 이러한 이온 필터링 처리부재(300) 및 플라즈마 공급부재(400)의 사이에 구비되는 보조 플라즈마 발생부재(500) 및 보조 이온 필터링 부재(600)는 실시예에서처럼 한 쌍이 구비될 수도 있고, 필요에 따라 두 쌍 또는 세 쌍, 그 이상이 추가될 수도 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
100...가스 공급부재 200...플라즈마 발생부재
300...이온 필터링 부재 400...플라즈마 공급부재
500...보조 플라즈마 발생부재 600...보조 이온 필터링 부재

Claims (9)

  1. 관 형상으로서 가스를 공급하는 가스 공급부재;
    관 형상으로서 상기 가스 공급부재로부터 공급된 가스에 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부재;
    전기적 극성을 줄 수 있는 관 형상으로서 상기 플라즈마 발생부재의 단부로부터 절곡되어 상기 플라즈마 발생부재에서 발생된 플라즈마 가스의 이온 중의 일부를 전기적 극성에 의해 증착시켜 통과시키는 이온 필터링 부재; 및
    관 형상으로서 상기 이온 필터링 부재로부터 필터링된 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 공급부재를 포함하되,
    상기 이온 필터링 부재 및 상기 플라즈마 공급부재의 사이에는,
    관 형상으로서 상기 이온 필터링 부재의 단부로부터 절곡되어 상기 이온 필터링 부재로부터 발생된 플라즈마 가스에 다시 에너지를 가하여 플라즈마를 발생시키는 보조 플라즈마 발생부재; 및
    전기적 극성을 줄 수 있는 관 형상으로서 상기 보조 플라즈마 발생부재의 단부로부터 절곡되어 상기 보조 플라즈마 발생부재에서 발생된 플라즈마 가스의 이온 중의 일부를 증착시켜 통과시키는 보조 이온 필터링 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부재는,
    에너지를 가하기 위해 외측에 유도결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma; ICP) 코일을 구비하는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 유도결합형 플라즈마 코일은,
    밀도를 높이기 위해 27Mhz 내지 100Mhz의 주파수의 파워를 공급받아 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부재는,
    단면에 냉각관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부재의 재질은 세라믹 또는 금속을 포함하고, 상기 이온 필터링 부재의 재질은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조 플라즈마 발생부재는,
    에너지를 가하기 위해 외측에 유도결합형 플라즈마 코일을 구비하는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조 플라즈마 발생부재는,
    단면에 냉각관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조 플라즈마 발생부재의 재질은 세라믹 또는 금속을 포함하고, 상기 보조 이온 필터링 부재의 재질은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4071270A4 (en) * 2019-12-04 2024-03-13 Jiangsu Favored Nanotechnology Co Ltd DLC MANUFACTURING APPARATUS AND PRODUCTION METHOD

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030067961A (ko) * 2002-02-09 2003-08-19 최대규 원격 플라즈마 발생장치
JP2006114614A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置および方法
KR20100044082A (ko) * 2008-10-20 2010-04-29 한양대학교 산학협력단 리모트 플라즈마 발생장치
KR20110025212A (ko) * 2008-06-26 2011-03-09 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 플라즈마 소스용 입자 트랩

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030067961A (ko) * 2002-02-09 2003-08-19 최대규 원격 플라즈마 발생장치
JP2006114614A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置および方法
KR20110025212A (ko) * 2008-06-26 2011-03-09 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 플라즈마 소스용 입자 트랩
KR20100044082A (ko) * 2008-10-20 2010-04-29 한양대학교 산학협력단 리모트 플라즈마 발생장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4071270A4 (en) * 2019-12-04 2024-03-13 Jiangsu Favored Nanotechnology Co Ltd DLC MANUFACTURING APPARATUS AND PRODUCTION METHOD

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