JP3992315B2 - 基板処理装置排出物からパーフルオロ化合物ガスを低減する装置 - Google Patents
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Description
関連出願の相互参照
本出願は、発明者がベン パン、デイヴィッド チュン、ウイリアム エヌ.テイラー,ジュニア、セバスチャン ラウー、及びマーク フォダーであり、アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドに譲渡され、出願番号08/533,174の1995年9月25日出願のアメリカ合衆国特許出願「CVDシステムにおける真空ラインの清浄方法と装置」の一部継続出願である。本出願はまた、発明者がデイヴィッド チュン、セバスチャン ラウー、ジュディ エイチ.ウォン、ウイリアム エヌ.テイラー,ジュニア、マーク フォダー、及びケヴィン フェアベーンであり、アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドに譲渡され、出願番号08/579,375の1995年12月27日出願のアメリカ合衆国特許出願「基板処理機器排出物からパーフルオロ化合物ガスを低減する方法及び装置」の一部継続出願である。08/533,174及び08/579,375の両出願ともすべて本願に引用され取り込まれる。
【0002】
本出願はまた、ベン パン、デイヴィッド チュン、ウイリアム エヌ.テイラー,ジュニア、セバスチャン ラウー、及びマーク フォダーが共同発明者として掲げられ「基板処理機器の現場真空ライン清浄のための平行板装置」と題する同時に出願され共同で譲渡された特許出願に関連し、セバスチャン ラウー、トミ タナカ、ムクル ケルカー、ハリ ポンネカンチ、ケヴィン フェアベーン、及びデイヴィッド チュンが共同発明者として掲げられ「基板処理機器の現場真空ライン清浄のためのマイクロ波装置」と題する同時に出願され共同で譲渡された特許出願に関連する。
【0003】
発明の背景
本発明は、一般的に、半導体の処理機器の分野、より具体的には処理装置に連結された真空排出ライン内側から混入物及び残留物を除去する方法及び装置と処理装置からパーフルオロ化合物(PFC)ガス排出物を低減する方法及び装置に関する。化学的気相堆積(CVD)処理の間、堆積ガス処理される基板の表面上に薄膜層を形成するため処理チャンバ内部に放出される。処理チャンバの壁のような領域上の不必要な堆積もかかるCVD処理の間に生じる。しかし、これらの堆積ガスにおける個々の分子の室内における滞留時間は比較的に短いため、チャンバに放出された小部分の分子のみが堆積プロセスにおいて消費されウェハ又はチャンバ壁のいずれかの上に堆積される。
【0004】
消費されていないガス分子は、「フォアライン(foreline)」と共通に呼ばれる真空ラインを通って部分的に反応した化合物及び反応副産物とともにチャンバからポンプで排出される。この排出されたガス中の多くの化合物は、いまだ高度に反応性状態にあり、及び/又はフォアライン中で不必要な堆積を形成し得る残留物又は粒状物質を含む。所定時間の粉末状の残留物及び/又は粒状物質のこの堆積の蓄積は問題を与える。第1に、その物質はしばしば、標準の周期的な清浄操作の間、真空シールが破れフォアラインが周辺の条件に晒されたときに問題を起こす自然発火しうる物質である。第2に、フォアライン内の堆積物質の蓄積が十分である場合、フォアライン及び/又はそれに連結する真空ポンプはもしそれが適当に清浄されていない場合に詰まり得る。周期的に清浄される場合であっても、物質の蓄積は真空ポンプの清浄な運転を妨げ、ポンプの実用的寿命を劇的に短縮し得る。また、固体物質は、フォアラインから処理チャンバに逆流し処理工程を汚しウェハ収量に反対方向に作用し得る。
【0005】
これらの問題を避けるために、フォアラインの内側表面は堆積物質を除去するために定期的に清浄される。この操作は、不必要は堆積物質をチャンバ壁及び処理チャンバの同様な領域から除去するために行われる標準チャンバ清浄操作の間に実施される。共通のチャンバ清浄技術は、堆積物質をチャンバ壁及び他の領域から除去するためのフッ素のようなエッチングガスの使用を含む。エッチングガスがチャンバに導入され、エッチングガスが堆積物質と反応しチャンバ壁から堆積物質を除去するようにプラズマが形成される。かかる清浄操作は共通に各ウェハ又は各Nウェハのための堆積工程に間で実施される。
【0006】
チャンバ壁からの堆積物質の除去は、プラズマが堆積物質にチャンバ内で最も近い領域内で発生されることと比較的に直接的である。フォアラインからの堆積物質の除去は、フォアラインが処理チャンバから下流側であるためにより困難である。所定の時間内では、処理チャンバ内の殆どの点は、フォアライン内の点に対するより多くのエッチングフッ素原子と接触する。このように、所定の期間内では、残留物及び同様な堆積物がフォアライン内に残存する一方、チャンバは清浄プロセスにより適度に清浄される。
【0007】
フォアラインを適度に清浄するためには、清浄操作の継続時間が増大されなければならない。しかし、清浄操作の長さを増大することは、ウェハの処理能力に反対の影響を与えることから好ましくない。また、かかる残留物の蓄積は、清浄工程からの反応物質がそれらがフォアライン内で残留物と反応し得る状態においてフォアライン中に排出される範囲までにおいてのみ清浄され得る。いくつかのシステム及び適用においては、排出される反応物質の寿命はフォアラインの末端部あるいは中間部に到達するに十分ではない。これらのシステム及び適用において、残留物の蓄積はさらに大きな関心事である。したがって、半導体処置システムにおけるフォアラインの効率的かつ完全な清浄のための装置及びその実施方法に対する要求が存在する。
【0008】
フォアラインを清浄するために使用されてきた一つのアプローチは、排出ガス中の反応性成分を電極上でフィルム堆積物として抽出するためにプラズマ強化CVD技術を用いる洗浄システムに依存する。洗浄システムは、固体フィルムとして反応性物質の除去を最大限にするよう設計され、大表面領域の渦巻き電極を使用する。渦巻き電極は、送風ポンプと機械式ポンプの間のフォアラインの末端付近に配置された脱着式キャニスタ内に包含される。十分な量の固体廃物が電極上に蓄積した後、キャニスタは廃棄及び交換のために除去され得る。問題は、システムが蓄積された固体物質を捕集するための領域を与えるために電極の大表面領域に依存するというこの先行技術方法に存在する。電極の大表面領域をに適用するためにシステムは必然的に大きくかつかさ高である。さらに、脱着式キャニスタは交換され適切に廃棄されなければならない使い捨て製品であるために、この先行技術の洗浄システムの操作においては余分な出費を負う。また、洗浄システムは真空フォアラインの開始部分から下流部に配置され、このためラインのこの部分に蓄積する粉末状物質あるいは粒状物質の除去を確実にしない。
【0009】
上記よりフォアラインの清浄のための改善された方法と装置が望まれていることが分かる。
【0010】
CVD及び他の基板処置装置における他の関心事は、ガスの種類及びフォアラインを通じて処理チャンバから排出される副生成物に関する。たとえば、清浄プラズマ内でのガスの解離は完全ではなく(いくつかの適用においては導入されたガス分子の10%のみが解離する)、清浄ガス中の個々の分子のチャンバ内での滞留時間が比較的短いために、チャンバ内に放出された分子のごく小部分のみが堆積した物質と反応する。エッチング反応に与らないガス分子は、共通に「フォアライン」と呼ばれる真空ラインを通じてエッチングされた物質及び反応副生成物とともにチャンバから圧送排出される。排出されるガスは、半導体プロセスの排出副生成物である。
【0011】
半導体産業において清浄エッチングガスとして使用されるフッ素含有ガスの多くは、パーフルオロ化合物又は短縮して「PFC’s」と呼ばれる。より共通して使用されるPFC’sのいくつかは、CF4、C2F6、NF3及びSF6又は同様のガスを含む。これらのガスは、長寿命を有するものとして知られており(CF4に関して50,000年まで)、大きな地球温暖化可能性を有するものと信じられている。このように、それらの大気中への放出は、潜在的に有害であり政府及び他の規制の対象となりつつある。
【0012】
発明の要約
本発明は、上記の先行技術の問題を、粒子物質及び他の残留物質が基板処理チャンバの排出ライン内で蓄積することを実質的に回避し及び/又はかかるチャンバからPFC排出物を低減する装置を提供することによって解決する。本発明の異なる具体例は、粒子低減又はPFC排出物低減のいずれに対しても特に設計され最適化され得る。また、一定の基板処理操作での使用のために粒子及びPFC排出物の双方の低減に最適化された具体例を設計することも可能である。
【0013】
本発明は、プロセスを透過性としながら、これらの目的を達成する。すなわち、好適な具体例において、本発明の操作は、粒子物質がフォアライン内で蓄積することを回避すること又はPFC排出物を適切に低減することのいずれにも追加的処理時間を要しない。また、いくつかの好適な具体例において、本発明は追加的ガスの使用及び/又は消耗部品を必要としない。
【0014】
粒子低減のために設計され最適化された本発明にしたがった装置の一つの具体例において、一対の容量的に結合した電極は、装置の入口と出口の間に配置された迷路状ガス通路を画成する。基板処理チャンバから排出されるとき(たとえばCVD工程の間)、真空ライン内で別に集積する粉末残留物及び他の粒子物質は、ガス通路において捕捉される。装置は、ガス通路内にプラズマを形成するために電極に電力を供給するプラズマ発生システムを含み得る。プラズマは、清浄工程の間ガス通路を通じて圧送される未反応の排出ガスから形成される。プラズマからの成分は、直ちに排出ラインを通過し圧送排出されるガス状生成物中に物質を変換するために捕捉された粒子物質と反応する。
【0015】
他の具体例において、本発明の装置は、流体導管を画成する対向する表面を有する第1及び第2部材を含む。流体導管は、入口と流体導管を流通する粒子物質を捕集するため及び捕集チャンバから粒子物質の出現を抑制するため構成されかつ配列された出口の間に、入口、出口及び捕集チャンバを有する。マイクロ波プラズマ発生システムは、前記流体導管内でエッチングガスからプラズマを形成するため装置と効果的に連結されている。前記プラズマの成分は、流体導管からポンプにより排出され得るガス状生成物を形成するため捕集チャンバ内で捕集された粒子物質と反応する。装置のこの具体例の好適な態様において、第1及び第2部材は、各電極であり、装置はまた電極表面上で粒子物質を捕集するため二つの電極間に電圧をかける粒子捕捉システムを含む。プラズマはまた物質を装置からポンプで排出され得るガス状生成物に変換するためこの電気的に捕集された物質と反応する。
【0016】
ガス通路は、重力が通路を流通する粒子物質を捕集するために働き捕集チャンバから粒子物質の出現を抑制するように構成され配列される少なくとも一つの捕集チャンバを含む。さらに、電圧は、通路を流通する粒子物質を捕集し捕捉することを促進する電極の間に電圧領域を創るために少なくとも一つの電極にかけられる。
【0017】
他の具体例において、本発明は半導体処理機器からPFC排出物を低減するために設計され最適化される。かかる装置の一つの具体例は、流体導管を画成する導管チャンバを含む。PFC酸化剤の発生源は、流体導管内にあり、プラズマ発生システムは、装置を通じて圧送排出されるPFCガスからプラズマを形成する。プラズマの成分は排出されるPFCガスを低有害の水溶性の非PFCガス状生成物及び副生成物に変換するためにPFC酸化剤と反応する。
【0018】
本発明の装置の好適な具体例は、シリコン含有フィルタ内にPFC酸化剤を提供する。プラズマ発生システムは、装置を通じて圧送排出されるPFCガスからプラズマを形成する。プラズマの成分は、フィルタ内にシリコン含有化合物と反応し排出されるPFCガスを低有害の非PFCガス状生成物及び副生成物に変換する。この具体例の好適な一例において、シリコン含有化合物は酸化珪素物質である。
【0019】
本発明の他の具体例において、ガス状シリコン発生源及び/又は酸素発生源はPFC酸化剤を提供するために装置内に導入される。プラズマは、ガス状シリコン発生源及び/又は酸素発生源及びPFCガスがら形成される。プラズマからの成分は、排出されるPFCガスを低有害の非PFCガス生成物及び副生成物に変換するために反応する。
【0020】
本発明のさらに他の具体例において、粒子捕捉及び捕集システムは、基板処理チャンバに連結した排出ライン内で粒子蓄積物を低減し、捕集された粒子及び残留物は、PFC酸化剤を提供する。粒子捕捉及び捕集システムは、かかる残留物を生成する堆積プロセスからのシリコン含有残留物を捕捉する。プラズマ発生システムは、排出されるPFCガスからプラズマを形成する。プラズマからの成分は、排出されるPFCガスを低有害の、非PFCガス状生成物及び副生成物に変換するため捕集された残留物と反応する。
【0021】
かかる具体例の一例において、一対の容量的に結合された電極は迷路状のガス通路を画成する。DC又はAC電圧が、通路内に電圧領域をつくるため電極にかけられる。電圧領域は、通路を通じて排出された負に帯電した粒子を一つの電極上に、正に帯電した粒子を他の電極に引き寄せる。画成された通路はまた、通路を通じて排出される粒子物質を捕捉するために働く。通路を通じて排出されたPFCガスは、電極にかけられプラズマ状態に励起されるRF電力に晒される。プラズマからの成分は、PFCガスを非PFCガス状副生成物に変換するため捕集チャンバ内で捕捉されたシリコン残留粒子と反応する。
【0022】
本発明のこれらの具体例及び他の具体例は、その利点と特徴点も同様に、以下の記述及び添付された図面とともにさらに詳細に記載される。
【0023】
好適な具体例の詳細な説明
I.具体例としての半導体処理チャンバ
本発明の装置は、種々の異なった半導体処理装置とともに使用することができる。一つの好適な装置である化学的気相堆積装置が、単純化された平行板化学的気相成長システム10の断面図である図1に示されている。システム10は、真空チャンバ15中のサセプタ12上にあるウェハー(図示せず)に堆積ガスを分散するためのガス分配マニホールド11を含む。サセプタ12は、非常に熱に敏感である。サセプタ12(及びサセプタ12の上部表面上に支持されたウェハー)は、低方の負荷/無負荷位置とマニホールド11に極めて近接する上方処理位置14との間に制御され移動可能である。
【0024】
サセプタ12及びウェハーが処理位置14にあるとき、それらは環状真空マニホールド24中に排出する複数の間隔をあけた穴23を有するバッフルプレート17により取り巻かれる。処理の間、マニホールド11へのガス流入は、矢印21で示すようにウェハーの表面を放射状に横切って均一に分配される。その後ガスは、円形真空マニホールド24中にポート23を経由し、真空ポンプシステム32によって真空フォアライン31を通って排出される。マニホールド11に到達する前に堆積及びキャリアガスはガスライン18を通って混合チャンバ19に供給され、そこでそれらは結合されその後マニホールド11に送られる。
【0025】
制御されたプラズマは、RF電力供給25からマニホールド11にかけられるRFエネルギによりウェハに近接して形成される。ガス分配マニホールド11は、サセプタ12が接地される間、RF電極である。RF電力供給25は、チャンバ15に導入される反応種の分解を促進するためマニホールド11に単一か混合された周波数RF電力(又は他の好ましい変化)のいずれも供給可能である。
【0026】
円形外部ランプモジュール26は、サセプタ12の環状外周部上に水晶窓28通じて光27の平行環状パターンを与える。かかる熱分配は、サセプタの自然熱ロスパターンを補償し堆積を実施するために加熱する急速熱的かつ均一サセプタ及びウェハを与える。
【0027】
モータ(図示せず)は、処理位置14と低方のウェハ載せ位置の間でサセプタ12を上げ下げする。モータ、ガスライン18に連結したガス供給弁(図示せず)及びRF電力供給25は、一部のみを示す制御ライン36上のプロセッサ34によって制御される。プロセッサ34は、メモリ38のようなコンピュータ認識可能メディア中に記憶されたコンピュータプログラムの制御の下で機能する。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、RF電力レベル、サセプタ位置、及び特定のプロセスの他のパラメータを命ずる。
【0028】
典型的には、チャンバライニング、ガス入口マニホールド面板、支持フィンガ13、及び種々の他の反応器ハードウェアのいずれかあるいは全ては、陽極酸化されたアルミニウムのような材料から製造される。このようなPECVD装置の一例は、「熱的CVD/PECVD反応器及び酸化珪素の熱的化学的気相堆積への使用及び現場型多工程平面化プロセス」と題し、共同で譲渡されているUS特許第5,000,113に記載されている。
【0029】
上記反応器の記載は主に例示の目的のためであり、本発明は電子サイクロン共鳴(ECR)プラズマCVD装置、電磁結合RF高密度プラズマCVD装置又はこれらの類似装置のような他のCVD機器とともに用いることができる。また本発明は、熱的CVD装置、プラズマエッチング装置、物理的気相堆積装置及び他の基板処理装置とともに用いることができる。本発明の装置及び真空ライン内の堆積の蓄積を防ぐための方法は、いかなる特定の半導体処理装置又はいかなる特定の堆積あるいはエッチングプロセスあるいは方法に限定されるものではない。
【0030】
II.本発明の具体例としての使用
化学的気相堆積のような半導体処理操作がCVD反応器10によって実施されている間、種々のガス状廃生成物及び汚染物質が真空チャンバ15から真空ライン31に排出される。特定の操作の実施によっては、これらの排出生成物は、フォアラインを通って排出されるときにフォアライン内に残留物又は同様な粉末物質を残す部分的に反応した生成物及び副生成物のような粒子物質、又はPFCガスのいずれか又は両方を含む。本発明は、フォアライン内におけるこのような粒子物質の蓄積を防ぎ、及び/又は真空チャンバ15から放出されるPFCガスを低減する。本発明の異なる具体例は、かかる粒子の蓄積を防ぐため又はPFCガス放出を低減するためのいずれかのため特に設計され最適化され得る。また、本発明のいくつかの具体例は、粒子蓄積とPFC放出の両方を低減するために最適化され得る。
【0031】
本発明の装置に適合する図1の単純化したCVD装置の断面図である図2に示すように、本発明の装置は、排出ガス発生源、すなわち処理チャンバから下流に配置される。装置は、真空フォアラインの一部と連結するか取り替え得る。図2において、下流のプラズマ清浄装置40(以下「DPA40」又は「DPA」と呼ぶ)は、真空ライン31の一部に沿って真空ポンプシステム32と真空マニホールド24の間に備え付けられる。その位置のため、真空チャンバ15から排出されたガスは、必然的にDPA40を通過する。DPA40は、真空ライン31に沿っていかなる場所にも配置し得るが、好ましくはDPA40はチャンバ15から排出されたガスが真空ライン31のいかなる部分を通過する前にDPA40を通過するように排出マニホールド24に可能な限り近接して配置する。
【0032】
また、図3に示すように、2以上のDPAを真空ライン31に連結することが可能である。かかる構成は、たとえば、粒子と残留物蓄積から真空ポンプ32をさらに保護するために粒子捕集が最適化された2個のDPAを使用するために用いられ得る。図3に示した構成において、第2のDPA42はポンプ32の直前でDPA40の下流に配置される。粒子物質がDPA40を逃れる場合、物質はDPA42内で捕捉されガス状形態に変換され得る。DPA40と42は両方とも、分離器46によって分離される電力をもつ単一のRF電力供給44により駆動可能である。DPA40と42は、随意に、それぞれ分離したRF電力供給により駆動され、又は両方とも処理チャンバ10に連結した主RF電力供給により駆動され得る。
【0033】
かかる2個のDPA構成は、放出されたPFCガスをさらに制限するためにPFC低減に向けられ最適化された2DPAを使用するために用いられ得る。又は、二者択一的に、2DPA構成は、粒子低減に向けられ最適化された1のDPA及びPFC低減に向けられ最適化された1のDPAを含むことができる。PFC低減と粒子捕集のために最適化された分離したDPAが使用される場合、フォアライン中の粒子捕集が最適化されたDPAをPFC低減DPAの上流に配置することが好ましい。かかる構成は、単にそれ以後のセクションよりむしろ全フォアライン内における粒子蓄積を防止することをより助長し、またPFC低減DPA中で不必要な粒子蓄積を潜在的に低減し得る。
【0034】
フォアライン中の粒子蓄積の低減するため及び/又はPFC放出を低減するために形成され最適化されるような種々の構成及び具体例の詳細は、以下で論じられる。これらの具体例は、例示の目的のためにのみ説明される。本発明は決してこれらの特定の構成又は具体例に限定されて解釈されるものではない。
【0035】
A.粒子低減のために最適化されたDPA40の特定の具体例
本発明のいくつかの具体例は、かかる粒子物質がチャンバから排出されるようにフォアライン内における粒子及び残留物の蓄積を低減するために構成され最適化される。かかる粒子物質の例として、前駆物質としてシラン(SiH4)、窒素(N2)、及びアンモニア(NH3)使用する窒化珪素フィルムの堆積の間、SixNyHz、SixHy、及び元素の珪素から構成される茶色の粉末の形での残留物がフォアライン中で観測された。この残留物蓄積はSiH4+N2+NH3の反応の半反応副生成物からのものであるとされる。発明者の知る限りにおいて、シランを基礎とする窒化珪素CVD堆積操作は、最大限の粒子物質を生ずる基板処理操作の一つである。しかし、他の基板処理操作もまた粒子物蓄積及び残留物を生ずる。たとえば、同様な残留物質はまた、ジシラン(Si2H6)又は有機発生源のような他の前駆物質ガス又は液体を使用する窒化珪素層の堆積の間に形成される。残留物蓄積はまた、他の層の中でオキシ窒化物フィルム、酸化珪素、炭化珪素及び無定形珪素フィルムの堆積の間に起こり得、プラズマエッチング及び他のプロセス工程の間にもまた起こり得る。
【0036】
本発明の粒子低減の具体例は、捕集チャンバ中で粒子物質を捕捉すること及び真空フォアラインと通じて排出される反応物質ガス及び捕集チャンバ内の残留物及び粒子物質をプラズマ状態に励起することによってかかる残留物及び粒子物質の蓄積を防ぐ。プラズマは、ライン中に堆積又は凝縮を形成することなくDPA及び真空ラインを通ってポンプで送られるガス状の生成物及び副生成物を形成するために捕集チャンバ内で捕捉される残留物及び粒子物質と反応する。
【0037】
操作において、堆積ガスが真空ライン31を通って真空チャンバ15から排出されるように、ガスからの粒子物質及び残留物はDPA内のガス通路の内部表面上に堆積される。粒子物質及び残留物の除去は、DPA内にプラズマを形成するためDPA40を活動化することにより達成し得る。DPAは、エッチングガスがチャンバ15から排出されるとき、清浄サイクルの間かかるプラズマを形成するために活動化される。
【0038】
活性化されると、DPA40はDPAを通過する排出(エッチング)ガスからプラズマ状態にプラズマを形成する電圧場を生成する。プラズマは、DPA40内の粒子物質及び残留物をガス状の生成物及び副生成物への分解を促進し、これらがフォアラインを通ってポンプで送り出されこの結果フォアライン内での粒子堆積又は残留物蓄積を防ぐ。たとえば、窒化珪素堆積に関してDPA40内の残留物の蓄積が上述のようにSixNyHz、SixHy及び元素の珪素からなる茶色の粉末の形であり、清浄サイクルの間に使用されるエッチングガスがCF4及びN2O混合物である場合、DPA40により形成されたプラズマは残留物をSiFx、COF2、F2、SiOF2、CO及びCO2、NO、O及びO2のようなガス状成分に分解するものとされている。
【0039】
いくつかの適用において、DPA中に排出されるエッチングガスからプラズマを生成するより、実際にはDPAは基板処理チャンバ中で形成されたプラズマを維持する。すなわち、これらの適用においては、チャンバ中で形成されるプラズマの一部又は全部はチャンバの下流でなお活性を有する。このことは、たとえば、プラズマが高反応性フッ素化種から形成されるときチャンバ清浄操作の間生ずる。プラズマのからの成分は、なお励起され又はプラズマ状態にある間にチャンバからフォアライン及びDPA中に排出される。このようにこれらの具体例において、DPA40中の電圧場は新しいものを形成するよりプラズマを維持する。プラズマがDPA内で維持されるか生成されるかによって、DPAの設計又は操作のいずれも変更する必要はない。
【0040】
DPA40が、殆どの具体例において清浄サイクルの間にのみプラズマを形成し及び/又は維持するために活性化される一方で、他の具体例では他の具体例におけるCVDガスをさらに反応するために堆積と清浄サイクルの両方の間プラズマを維持することが可能である。かかる構成において、追加的エッチングガスは、以下にさらに詳細に記述するように堆積サイクルの間、DPAの上流に又はDPA中に直接に導入することができる。
【0041】
DPA40内での通常の堆積による残留物の捕集に加えて、DPA40の種々の好適な具体例がDPA内のチャンバ15から排出される粒子物質を捕捉し物質がDPAの下流で堆積できないように特に設計されている。捕捉は、以下に詳細な記述のように機械的、静電気的及び/又はサーモフォレチックな捕捉機構を用いて行われる。一度捕捉されると、その後真空ライン31を通ってポンプで送られるガス状の副生成物を形成するために清浄処理の間プラズマ中で活性種と反応するまで、粒子物質はDPA40中に残存する。
【0042】
これらの具体例において、DPA内でプラズマを形成し又は維持する電圧場の適用なしに粒子の蓄積を効果的に低減することが可能である。これは、たとえば、清浄なプラズマ中で発生するフリーラジカルがDPA中に排出されたとき依然として励起状態にある程十分に長い寿命を有するように、チャンバ清浄の間エッチング液(たとえば、フッ素)のイオン化が十分に高いときに可能である。かかる励起状態において、フリーラジカルは捕捉された粒子物質と反応しその物質を上述したようにガス状生成物に変換し得る。
【0043】
プラズマは、HFあるいはRF電力の容量的に結合した電極あるいは誘導結合したコイルへの適用又はマイクロ波あるいはECR技術のような種々の既知の技術を使用してDPA40内に発生させることができる。これらの方法のうちのいくつかの特定な具体例は、以下により詳細に記述されている。以下に記述された各具体例において、記述されたDPAはプロセス透過性に設計することがコスト効率判断に好ましい。すなわち、DPA40は好ましくは、余分の清浄ガス又は余分の清浄時間を使用する必要もなくフォアライン内の粒子蓄積を防止するために設計される。また、DPAは、フィルム特性に関して、不均一性、粒子汚染物、応力及びその他のような逆の効果を持たないことが好ましい。
【0044】
1.好適な具体例
図4(a)(b)5(a)6(a)(b)は、残留物及び粒子蓄積の低減のために構成され最適化されたDPA40の好適な具体例の種々の透視図及び断面図である。図4(a)は、その扉を取り除いたDPA40の前面透視図であり、図4(b)は(扉を取り除いた)DPAの前面の平面図である。図5(a)は、DPAの中央の平面に沿って描かれた前面の透視断面図である。図5(b)は、DPAの中央の平面に沿って描かれた側方透視断面図である。図6(a)は、DPA40への連結を通じる電力送り装置の断面図である。図6(b)は、扉とハンドルを取り付けられたDPA40の透視図である。
【0045】
図4(a)(b)、5(a)(b)、6(a)(b)に示すように、DPA40は入口50と出口52を含む(図5(a)参照)。入口50と出口52の間に、一対の対向するアルミニウム電極、陰極56と陽極58(図4(a)参照)によって画成される流体導管54(ガス通路)がある。DPA40は、連結機構64及び66(図4(a)参照)を通してフォアラインに連結される(又は処理チャンバに直接に連結される)。たとえば、一つの具体例において、DPA40は連結機構64によってチャンバ排出管接続口に直接連結され、フォアラインの始点は連結機構66においてDPAに連結される。基板処理チャンバからフォアライン中に排出されたガス及び粒子物質は入口50を通ってDPA40中に移り出口52から出ていく。着脱式アルミニウム扉63(図5(b))は背板65(図5(b))とともにガス通路54を密閉する。アルミニウム扉63及び背板65は、電極(陽極)58と電気的に結合している。電極56と58、扉63及び背板65はDPA40中へ排出されるガスが漏れ出すのを防止する密閉された真空チャンバ(流体導管54)を形成する。扉63及び背板65は各々、DPAを通って排出されるガスが矢印60(図4(b))で示したガス流路の外側に拡散することを防止するシールを形成するため電極56と58に接触するセラミック絶縁板71(図5(b))を含む。好適な具体例において、テフロンのクッション73(図5(b))がアルミニウム扉とセラミック絶縁層71の間で扉63中に含まれる。テフロンのクッション73は、セラミック絶縁層71より高い熱膨張を有し、破断あるいは亀裂なく膨張できるように比較的柔らかい。DPA40がプラズマを形成するために活性化されると、熱を発生しこれによりテフロン層73が膨張し電極56と58に対しセラミック絶縁層71を押すことになる。これにより、ガスがDPAから漏れ出さないように扉63における適切なシールを確実にするよう助長する。
【0046】
扉63は、ネジ59を通してDPA40に取り付けられ、ネジを取り除くことによってハンドル67(図6(b))で取り外すことができる。一旦取り外すと、DPA40の内部は、延長使用後あるいは他の理由により生じる粒子蓄積あるいは残留物を取り除くために、アルコールのような湿潤溶液で清浄され又は手でふき取られ、及び/又は真空にされる。好適な具体例において、ハンドル67は、プラスチックのような熱伝導の乏しい材料から造られる。
【0047】
電極56と58は、4個の絶縁プラグ(好適な具体例においてセラミックから造られている)61(図4(a))によって互いに電気的に分離され、これは陰極リテーナについても適用される。図に示したように、電極56と58は、陰極リテーナに一部を収容するためにそれらに中に機械加工された溝を有する。2個の陰極リテーナ61は、図中でDPAの前面側に示され、他の2個はDPAの裏面上に同様に配置される。一つの具体例において、陰極リテーナ61は、約1cmの厚さである。このように陰極リテーナ61は、ガス通路54の全幅まで拡張せず、通路を通るガス流れを閉鎖しない。
【0048】
DPAにおいて、ガス流れは、矢印60(図4(b))で示したように流体導管54を流れる。流体導管54は、2つのミラーイメージのガス流れ通路を含む。陰極56の押し出し部分(流れ分離器57、図4(b)参照)は、流出ガスを2つの流れ通路の1つに振り向ける。約半分のガス流れは、DPA40の左側の通路に向けて迂回され、他の半分は装置の右側に向けて迂回される。
【0049】
流体導管54は、たとえば基板堆積又は他のタイプの処理工程の間に発生する粒子物など流出ガス流中に存在する粒子物を捕集し捕捉するために部分的に重力に依存する捕集領域62(図4(a))を含む、迷路状の/曲がりくねった通路である。各粒子捕集領域62は、粒子物をDPAから引きずり出そうとする流出ガス流路にもかかわらず、粒子物が重力によってU部分の底部領域内で捕集され保持されるように配置されているガス通路のU字形部分である。ガス流れは、図5(a)に示すように陰極56又は陽極58のいずれかの押し出しフィンガ79によって各U部分を通って振り向けられっる。これらの粒子捕集領域62は、重力又は機械トラップとしてまとめて呼ばれ、以下にさらに詳細に議論する。
【0050】
電極56と58は、両方で平行板電極プラズマ発生システム及び静電粒子捕集機を形成する。静電粒子トラップの一部として、電極58が帯電した排出粒子物質を引き寄せるために接地されている間、DC電力が電極56にかけられる。かけられたDC電力は、一方の電極上にDPAを通って排出される正に帯電した粒子を引き寄せ、他方の上に負に帯電した粒子を引き寄せる電圧場をつくり出す。電極58はまた、接地されているとき、RF遮蔽のためにファラデー箱として働く。プラズマ発生システムの一部として、RF電力は電極56にかけられる。かけられたRF電力はDPAを通って通過する流出ガスからプラザマを形成し、重力捕捉領域62又は電極56と58の表面に沿ったいずれかの中で捕集される粒子物及び残留物をエッチングする。
【0051】
図7は、電極56と58を含む電気回路を示すダイヤグラムである。図7に示すように、電極56は電極58が接地される間DC発電機100とRF発電機102の両方に連結されている。DC発電機100は、静電捕捉器の要求するDC電圧を供給し、RF発電機102はプラズマを形成するためのRF電力を供給する。RFマッチ回路104は、反射電力を最小限にするために発電機出力インピーダンスを50Ωに等しくしてつなぎ、DC/RFフィルタ(低域RCフィルタ)106はDC電力供給100をRF信号干渉から隔離する。RF発電機102は図2に示すRF電力供給25と同一の電力供給、又は唯一DPA40を駆動する隔離したRF電力供給であり得る。さらに、複数の処理チャンバがクリーンルーム中に存在するとすると、チャンバに連結された複数のDPAはすべて適当な数のRF電力分離器に連結し、隔離された専用のDPARF電力供給であり得る。
【0052】
DPA40を通過する、及び/又はDPA40内で堆積される材料の反応を確実にするため、DPAは、プラズマを形成し及び/又は維持するために十分なレベルでRF電力供給(たとえば、RF発電機102)によって駆動しなければならない。一般に、50−2000ワット間又はそれ以上の電力レベルが、陰極の表面領域及び所望のプラズマの強度に依存して使用され得る。陰極の58の表面領域が約120in2である具体例において、好ましくは750−1000ワット間の電力レベル(6.31と8.42W/in2)が用いられる。選択される実際の電力レベルは、強度のプラズマを形成するための高い電力レベルに対する要求とエネルギーコストを節約しより小さく費用のかからない電力供給の使用を許すため低い電力レベルを使用することに対する要求とのバランスによって決定されるべきである。
【0053】
DPA40を駆動する電力供給は、約50KHzから約200MHz又はそれ以上の周波数範囲で操作され、好ましくは約50KHzから60MHzの範囲内で操作される。一般に、低い周波数の電力供給は、高い周波数電力供給より購入及び操作するため少ない費用で済む。したがって、大部分の好適な具体例において、DPA40を駆動する電力供給は、325KHz以下のRF周波数を与えるように設計される。RF電力供給は、単一の周波数のRF電源又は混合された周波数のRF電源のいずれかから供給され得る。最適電力出力及び供給の操作周波数は、DPAが使用される適用及びコストの検討とともにDPA40中で処理されるガスの体積に依存する。
【0054】
DPA40への電気的連結は、部品貫通電力供給(PFD)68(図4(a))を通じてなされる。PFD68は、PFD68の拡大された側面図である図6(a)に詳細に示されている。PFD68は、コネクタ70を通じてDC発電機100とRF発電機102を陰極56に連結する。好適な具体例において、コネクタ70は、陰極56に直接ネジ止めするネジである。
【0055】
RF連結部における腐食を低減するため、及びネジ70と陰極56の間の十分な電気的連結を維持するため、連結は大気圧においてなされるべきである。この大気圧の領域は、領域76として示され陰極56に接触するネジ70の領域を含む。Oリング78は、陰極56と領域76の間のシールを維持する。OリングがDPAの操作中に発生する強度の熱により溶融することを避けるために、特別に設計された領域が、陰極56の主要な部分(領域56Aとして示す)からOリング78がはめ込まれている陰極56の領域(56Bとして示す)への熱の移動を低減するために提供される。この特別に設計された領域は、真空領域80及び陰極56の薄い部分82を含む。発生し及び/又は陰極56の領域56Aに移動される熱は、真空領域80が大部分陰極56Bを陰極領域56Aから隔離するため、領域56Bに直ちには移動しない。RFとDC信号を領域56Bから領域56Aに移動する陰極56の小部分(部分80)は、領域56Aから領域56Bに移動された熱を大きく低減するために十分に薄い。
【0056】
連結を通じての電力供給は、アルミニウム収納箱72に収納されテフロン板73とテフロンリング74、75、81よって収納箱72と扉63から絶縁される。
【0057】
収納箱72は、陽極58と扉63に電気的に連結されている。平座金84、ロック座金85及びナット86は、テフロンリング75とテフロンライニング73を陰極56の領域56Bへの締め付けを可能にする。この締め付け力は、十分なシールを維持するためにOリング78を圧縮する。第2のOリングのOリング77は、連結68を通って電力供給を通じてガス漏れを許さないようにテフロンライニング73と扉63の間のシールを維持する。
【0058】
標準的操作において、DC電力は、DPA40の粒子捕捉能力を高めるために、CVD工程のような基板処理工程の間電極56に与えられる。電極56に適用される電圧は、その用途に依存して変化する。典型的には、100から3000ボルトの間の適用は、効果的な捕捉機構を創り出す。かかるDC電圧は、チャンバ操作の間の全時間与えらら、又はDPA40が活性化されるときチャンバ清浄操作の間中止される。
【0059】
1つの基板処理操作において、約40%±10%の発生粒子物が負に帯電される間約60%±10%の発生粒子物が正に帯電されたことが測定された実験で、窒化珪素がSiH4、N2及びNH3の処理ガスから堆積した。図8に示したように実験により、DPA40内で約500volt/cmDC場の発生がこの基板処理操作での使用に最適の静電捕集器を提供したことを測定した。
【0060】
図8において、ライン110は、電極間の200から1200volt/cmの間の電場の発生から正に帯電した電極上に捕集した負に帯電した粒子物の全累積を示し、ライン112は、接地された電極上に捕集された正に帯電した粒子物の全累積を示す。ライン114は、捕捉された粒子物の全累積を示す。500ボルトより低い電圧場においては、高い方の電圧場が部分的プラズマを形成する一方、大きい方の粒子物は静電捕集器によって効果的に捕捉され得ない。かかるプラズマ形成は、発生した電場の特性を変え、捕捉効率を下げる。
【0061】
静電捕集器と機械的(重力)トラップの組み合わせは、真空ライン31中の堆積蓄積を防止するため特に効率的な機構を提供する。重力トラップは、これら粒子物が重力によって外部管62内に保持されることが起こりそうであることから、流出ガス流中に存在する比較的大きい粒子物を捕捉することに特に効果的である。一方、静電トラップは、重力トラップによって十分に捕集され得ない流出ガス流中のより小さい粒子物を捕集し捕捉することに特に効果的である。
【0062】
上述した窒化珪素の堆積において、一例として、直径が1μmから直径が1mm又はそれ以上のサイズにわたる粒子物が観測された。これらの粒子物が排出ライン内にあるとき、重要な力が粒子物上に働く。ガスの運動から生じる重力誘引力(Fg)及び中性牽引力(Fnd)である。直径が100μmより大の粒子物のような大きい粒子物質に関し、主要な相互作用は重力であり、そのため機械的トラップが特に効果的である。しかし、より小さい粒子物に関し、ガスの牽引力は重力より高いものであり得る。その結果、静電トラップの2つの電極の間に発生した電場は、粒子物の直交接線に垂直な、補充的力(Felec)を与える。この力は、直径10μm以下の粒子物のような小さい粒子物に関し重力と牽引力の両方の2又はそれ以上のオーダーで大きいものであり得、非常に高い捕集効率をもたらす。
【0063】
図9は、本発明の1つの具体例にしたがって、粒子物上の中性牽引力と比較した静電及び重力の効果を示すグラフである。ライン122は重力を示し、ライン124は静電力を示し、ライン126は粒子中性牽引力を示す。より小さい粒子に関し、静電力124は重力122より大きい。より大きい粒子物に関し、重力122は静電力124より優位を占めている。この具体例において、力は、直径約30マイクロメータより大の粒子物が機械的トラップによって主として捕集される間、直径約30マイクロメータまでの粒子物が静電捕集器によって主として捕集されるようなものである。静電力又は重力のいずれが所定の粒子物に優位を占めるかどうかにかかわらず、図7の焦点は、DPA40が静電力124又は重力122のうちの少なくとも1つがあらゆる所定のサイズの粒子物に関し中性牽引力126より大であるように好適に設計されていることである。かかるケースにおいて、静電及び機械的捕捉捕集器の組み合わせは、種々のサイズの粒子物が効果的に捕集されることを確実にする。
【0064】
第4の力であるサーモフォレチック力(Fth)はまた、DPA40内で粒子物上に働く。サーモフォレチック力は、DPA内で発生する温度勾配に起因する。かかる温度勾配は、たとえばプラズマ支持(plasma-assisted)清浄プロセスの間プラズマの形成によって発生する。プラズマ形成の間、陰極56はプラズマ形成の間のイオン衝撃及びジュール効果のために陽極58より熱くなる。1つの具体例において、陰極56と陽極58の間の温度勾配は、150℃のガス温度において200℃/cmである。この具体例におけるサーモフォレチック力は、図7中のライン128で示す。この具体例においてサーモフォレチック力128が0.1から100μmの間の粒子物を捕捉するのに十分強くない一方で、帯電及び帯電していない粒子物の両方の捕捉に寄与し得る。また、他の具体例において、本技術の当業者であれば、より大きなサーモフォレチック力が粒子物及び残留物の捕捉においてより効果的に助長するために生じるようなより大きい温度勾配をどのようにしてつくるか理解するであろう。
【0065】
前述のように、チャンバ清浄操作の間、RFエネルギはDPA中に排出された流出エッチングガスからプラズマを形成及び/又は維持するために電極56に与えられる。プラズマからの成分は、1またはそれ以上前の基板処理工程からDPA中で捕捉された粒子物及び残留物と反応する。好ましくは、このプラズマを形成するRFエネルギの適用は、エッチングガスがDPAを通って排出されない時間の間停止される(かかる構成においてDPA40は受動的装置というよりは能動的装置と呼ばれる)。DPA40が能動的装置として形成されるとき、DPA40の時間面の制御(たとえば、RF電力供給102及び/又はDC電力供給100のON及びOFFのスイッチング)は図1に示すコントロールライン36に送られるコントロールシグナルの適用を通じてプロセッサ34によって総合的に実行される。図12中には示していないが、かかるコントロールラインはかかる構成においてDPA40に連結される。
【0066】
代わりの具体例において、清浄操作の間チャンバ15から排出されるエッチングガスに加え、チャンバ15から分離するエッチングガスの導入のため、ガス供給ラインを直接的にDPA40に提供することは可能である。かかる追加のガス供給ラインは、たとえば、入口50であるいはその近傍でDPAに連結することができる。また、DPAから上流の位置においてフォアラインに直接連結することもできる。かかる分離ガスラインが提供される場合には、エッチングガスの追加的な供給は、清浄シーケンスの間のみ、堆積あるいは他の基板処理工程の間のみ、DPAに与えることができ、又は堆積及び清浄サイクルの両方の間に連続的に与えられる。エッチングガスが基板処理工程の間DPAに供給される具体例において、RFエネルギは基板処理工程の間DPA内でプラズマ及びさらにそれからエッチング堆積物を形成するため電極56に与えられる。
【0067】
粒子物を捕捉すること及び堆積の蓄積を低減することにおけるDPA40の効率は、チャンバ15から発生し排出される粒子物の量、DPA40を通って流れる流出ガスの速度、電極56と58の間で発生する電圧場、電極56と58の表面積、及び清浄相の間に発生するプラズマの強度やその他などを含む多数の要因に依存する。
【0068】
また、多数の他の設計がDPA40の効率を高める。たとえば、好適な具体例において、流れ分離器57の上部表面(図4(a))は単一の端部に鋭く角度を付けられている。実験によると、堆積の蓄積は、ガス流れが直接にDPA内のバリヤあるいは他の表面に接触する位置でより急速に捕集することを示した。流れ分離器57の単一の端部の直接上方でかつ垂直な入口50を通じた流出ガスの導入と組み合せた流れ分離器57の角をなす表面は、入口50を通ってDPA40に入る流出ガス流れのためのより小さい接触面積を提供する。かかる角をなす表面なしで(たとえば、丸い表面)実施された実験において、粒子物の蓄積が分離器57の上方の表面上で捕集された。かかる蓄積の量によって、蓄積を折り取り捕集領域62の1つに落下することが可能である。粒子物の蓄積が十分に大きい場合、通常の清浄サイクルの間に形成したプラズマによって放散させることはできない。このことは、ガス通路の閉塞をもたらし得る。また、蓄積が誘電物質(たとえば、窒化珪素堆積からの蓄積)である場合、蓄積はプラズマ発生を妨げ、形成したプラズマの強度を小さくする。これは次いで堆積物質の少ないエッチング及び通路の閉塞という結果になる。好ましくは、流れ分離器57の側方表面は、かかる蓄積を防止するために30°以下の角度で相接する。形成される角度は、約10°以下であることがより好ましい。
【0069】
DPA40の任意の1つの特定の領域における粒子物の蓄積を少なくする他の設計の特徴は、入口50とガス流れが左と右の流れに分割される点との間でガス通路54の一部の壁の輪郭である。入口50において、鋭い角度をもつ1つとは対照的に、ガス通路への、なめらかな、輪郭を付けられた転移(あるいは引き起こし)は、ガス流れの通路への均一な分配を確実にすることを助長する。入口50から流体導管54へのこの輪郭を付けられた転移は、輪郭マニホールドと呼ばれる。
【0070】
輪郭マニホールドを通じる均一なガス流れは、ガス通路54の左及び右の各部分へのガス流れの均等な分配を確実なものとすることを助長しこれにより他と比較して通路の一部におけるより大きな粒子物の蓄積を防止する。輪郭マニホールドはまた、電極の全幅にわたって均一なガス分配を確実にする。輪郭マニホールドの好適例の輪郭は、ガス通路表面55として図5(a)及び5(b)中に詳細に示す。
【0071】
均一なプラズマの形成は、DPA40内で粒子物と捕集された残留物の完全な除去を確実にする。このために、電極56の表面領域を電極58の表面領域とほぼ同一のものとすることは有用である。種々の位置において3:1と1.3:3の間の表面領域における相違を有するDPAにおいて実施された実験は、平坦でない表面領域電極でプラズマを形成することが可能であること、及びかかるプラズマがDPA内で捕集されたある物質を十分に除去することができることを示す。しかし、これらの実験において、粒子物及び残留物の蓄積は、電極表面領域比が3:1よりも1.3:1により近かったDPAの領域中においてより効果的に除去された。陰極56の表面領域が陽極58の表面領域の95パーセント以内(118.79in2対123.31in2)であった更なる実験において、プラズマ形成はより強度あり粒子除去はさらにより効果的であった。他の具体例において、陰極の表面領域は陽極のそれと実質上同等である。
【0072】
他のプラズマの均一性の問題は、電極58を基準とする電極56の間隔あけを含む。この間隔あけは、以下の例外を伴って、DPA40のガス通路にわたって基本的に一定のままである。プラズマの電圧破壊は、圧力と電極間の距離の関数(P×D)である。DPA40を通って流すために流出ガス流れにとって、入口50の近くの圧力が出口52近くの圧力より僅かに高いことが必要である。この好適な具体例において電圧破壊を一定に保つために、上方部分における電極間よりもDPA40の下方部分における電極間により多くの空間を導入する。この間隔あけ変化は、たとえば、図4(b)に示すようにDPAの上方部分において電極56及び/又は電極58のいずれか又は両方の突起フィンガをより厚くすることによってなし得る。図4(b)において、DPA40の上方部分における陰極56と陽極58のフィンガは、それぞれa及びbの厚さを有する。一方で、DPA40の下方部分の対応する部分はそれぞれc及びdの厚さを有し、ここでa>c及びb>dである。
【0073】
DPA内の圧力はまたプラズマ形成に影響する。一般に、より高い圧力はより効率的なプラズマエッチングを結果として生ずる。したがって、より高圧においてDPAを操作することは、より低圧より低い電力要求を許し、次いで操作コストの節約を結果として生ずる。より高いDPA圧力は、DPAの後のフォアライン中のスロットルバルブの配置によって得ることができる。かかる構成において、DPAから下流の単一のスロットルバルブ又は、1つはチャンバ圧力を制御するためにDPAの上流に及び処理チャンバ内の圧力と無関係なDPA圧力を制御するため下流に、好ましくは二重のスロットルバルブを使用することが可能である。
【0074】
DPAの下流のスロットルバルブなしで、DPA内の圧力は一般にフォアラインの圧力と等しい(約4.5−6torrで運転されるあるPECVD処理装置において約0.8−2.5torrの間)。しかし、DPAから下流のスロットルバルブとともに、DPA内の圧力はより広い範囲にわたって制御可能である。勿論、DPA中の圧力は、チャンバからの流出ガス流れを維持するためにチャンバ内の圧力より小さくなければならない。DPA内の圧力を増大することはまた、DPA中に排出される粒子物の中性牽引力を増大するという所望されない副作用を有し、次いで、重力捕捉の効率を下低下する。このように、DPA中で設定された現実の圧力は、プラズマ効率問題を粒子物捕捉問題と釣り合わせるべきであり、DPAが働く特定の適用に依存する。
【0075】
圧力感応スイッチ53(図5(b))は、DPA40内の圧力をモニタするために含まれる。DPA内の圧力が所望されないレベルに上昇する場合には、スイッチ53はプロセッサ34にDPAと基板処理チャンバ10の両方をOFFにするよう信号を送る。好適な具体例において、スイッチ53は、DPA40ないの圧力が1/2大気圧(360torr)を超えて増大するときにシャットダウン操作を開始する半大気圧スイッチである。
【0076】
DPA内でプラズマを形成するために使用されるRF電力、陰極のサイズ、DPAが活性化される経過時間及びその他の要因に依存して、DPA40は実質的な量の熱を発生することができる。熱を放散するために、DPA40は図6(a)中に示す熱放散フィン69を含めることができる。熱放散フィン69は、陽極58に付けられている。
【0077】
熱は、イオン衝撃とジュール効果により陰極56においてプラズマ形成の間に発生する。したがって、陽極58は、陰極56より冷たい。さらに、陽極58は、PFD68中のセラミック陰極リテーナ61、セラミックライニングプレート71(後方及び扉において)及びテフロン絶縁リングにより陰極56から熱的に絶縁されている。フィン69は、陽極をさらに冷却することを助長する。フィン69は、アルミニウムのような熱伝導性物質から構成され、受動的冷却装置であることにおいてDPA40を冷却する好適な方法である。安全上の理由から、DPA40の外部が少なくとも75℃以下に冷却されるようにフィン69を設計することが好ましい。
【0078】
DPAがアプライドマテリアルズにより製造されたP5000反応器システムにおけるDCVDチャンバに装備される好適な具体例において、フィンはDPAの3側面上に配置されるが、第4面上には配置されない。代わりに、DPAの第4面(後方)は基板処理チャンバの部品直接対抗して置かれる。フィン69によって与えられる冷却速度は、フィンのサイズに依存する。陰極の温度が250−300℃の間になる1つの具体例において、フィン69はDPAの外部を約75℃まで冷却するのに十分大である。
【0079】
また、DPA40を冷却するために他の方法を使用することもできる。たとえば、DPA40の周りに水を循環する冷却システムは、DPAからの熱を移し去るために使用することができる。かかる冷却システムは、能動的冷却機構である。
【0080】
2.DPA40の好適な粒子物低減具体例を使用するテスト結果
粒子物の蓄積を低減する本発明の有効性を証明するために、実験が実施され、このなかで、上述の好適具体例に従って設計されたDPA40が6インチウェハ用に装備されかつ窒化珪素のCVD堆積用に設計されたプレシジョン5000チャンバに付けられた。プレシジョン5000チャンバは、半発明の譲受人であるアプライドマテリアルズによって製造される。
【0081】
DPAの有効性のテストを実施する実験の前に、窒化珪素堆積工程、これに続くフッ素清浄工程によって処理チャンバ中に堆積した残留物の組成を測定するために実験が行われた。残留物の組成は、2つの異なった窒化珪素堆積/フッ素清浄プロセスシーケンスの間に測定された。各プロセスシーケンス中、窒化珪素堆積工程は、清浄工程が第1シーケンス中CF4化学に及び第2シーケンス中NF3化学に基づくとはいえ、同一である。
【0082】
窒化珪素フィルムはウェハをシラン(SiH4)、窒素(N2)及びアンモニア(NH3)ガスのプラズマに晒すことによってウェハ上に堆積した。SiH4は、275sccmの流速でチャンバ中に導入され、N2は3700sccmの速度でチャンバ中に導入されNH3は100sccmの速度で導入された。プラズマは、720ワットで運転される13.56MHzRF電力供給を使用して、4.5torrの圧力、400℃の温度で形成された。窒化珪素堆積プロセスは、ウェハ上におよそ10,000Åのフィルムを堆積するのに十分であったおよそ75秒続いて堆積した。
【0083】
第1のサンプルとして、窒化珪素堆積工程が完了しウェハがチャンバから除去された後、チャンバが120秒間CF4とN2Oのプラズマで清浄された。CF4のN2Oへの比は、CF4が1500sccmの速度で導入されN2Oが500sccmの速度で導入され、3:1であった。清浄工程の間、チャンバは400℃の温度でかつ5torrの圧力で維持された。プラズマは1000ワットで供給される13.56MHz電力供給で形成された。
【0084】
第2のサンプルとして、チャンバがNF3とN2OとN2前駆物質ガスから形成されるプラズマで清浄された。NF3のN2O、N2に対する比は、NF3が500sccmの速度で導入され、N2Oが200sccmの速度で導入され、及びN2が1000sccmの速度で導入され、およそ5:2:10であった。チャンバは、およそ95秒間続いた清浄工程の間、400℃の温度で、5torrの圧力で維持されていた。プラズマ形成は、1000ワットで供給される13.56MHz電力供給で達成された。
【0085】
NF3清浄として残留物サンプルの色が黄色/白であった一方で、CF4清浄としての残留物の色は茶色がかったものであったことが判明した。単にSi3N4堆積工程から生成した残留物は茶色であることが判明し、これらの結果は、NF3清浄から初期の茶色の粉末の黄色/白粉末へのより完全な転換を示すものと考えられている。これは、NF3プラズマ中に発生する余分のフリーのフッ素ラジカルのためであると考えられている。
【0086】
他の実験例において、3つの異なる残留物サンプルが捕集された。上述のようにSi3N4堆積工程の直後に処理チャンバのおよそ0.5m下流のフォアライン中で捕集された粉末(サンプルA)、サンプルAと同様の位置であるが上述のようにNF3/N2O/N2清浄プラズマの実施後に捕集された粉末(サンプルB)、7日の連続的堆積/清浄シーケンス後にチャンバからおよそ12m下流の乾燥真空ポンプの入口において捕集された粉末(粉末C)。粉末サンプルの組成は、水素促進スキャッタリング(Hydrogen Forward Scattering,HFS)、X線光電子スペクトロスコピ(X-Ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)、X線回折(XRD)分析から演繹される。これら粉末の各組成を表1に示す。
【0087】
【表1】
【0088】
サンプルAは、Si3N4堆積化学の直接的固体副生成物である。粉末は、RFプラズマ内で発生する粒子物の組成を表す。粉末は、大部分Si、N、H及び酸素からなる。酸素は、多分サンプル捕集の間空気から吸収される。酸素は、いかなる酸素含有ガスも堆積の間使用されないため、粉末の当初の組成たり得ない。プラズマ中で発生した残留粒子物は、高度に水素化された窒化珪素SixNyHzがもっともありそうである。この粉末は、高度に反応性である。XPS測定は、HFS結果を確認し、空気への暴露後、珪素が元素として18%、窒化物として24%及び酸化物として58%存在する。窒素は、窒化物として93%及びアンモニウムとして7%存在する。XRD分析は粉末が非晶質であることを示す。
【0089】
サンプルBは、NF3/N2O/N2プラズマを使用する清浄工程後粉末Aの転換の結果である。清浄工程は、堆積チャンバの内部に集積する残留物を完全に蒸発させるが、限定されたF*フリーラジカルの寿命のためフォアライン中で転換は完結しない。しかし、この寿命は、部分的転換がフォアラインの最初の数メータ中において生じ得るほど十分長い。この白色粉末は、SixNyHzを(NH4)2SiF6(ヘキサフルオロシリケート、X線回折特性を使用して同定された)に変換するに十分な、高いF含有量を示す。多結晶性白色粉末は250℃の昇華温度を示す。
【0090】
サンプルB中に集積された粉末の量は、ガスがフォアラインに沿って移動するにしたがって、固体−ガス蒸発が次第に効率が下がってくることを示唆する処理チャンバからの距離の増大に伴って増大する。これは多分、特にチャンバから放出する間にF*、CF*、O*のような励起した種の希薄化のためである。ポンプの近くに、粉末AとBの混合物が存在する。この残留物(粉末C)は、チャンバからの距離が増大するに従い黄色がかった色から茶色である。
【0091】
化学分析は、粉末Cが粉末Aからの不完全な転換であることを示す。保護コーティングを形成し及び堆積の間捕集された粉末の更なる転換を防止する最初の茶色の残留物を覆うことができるポリマ−(CF2−C2F4−O−)x−の形成は興味深い。商業的なPECVD窒化珪素システムのフォアライン中の粉末Cの集積は、1ヶ月の連続的堆積/清浄シーケンス後に500g以上であり得る。
【0092】
チャンバ中の残留物の蓄積の組成が決定された後、実験は残留粉末の粒径を決定するために実施された。この実験として、珪素片が堆積処理からそこで堆積する物質を捕集するためフォアライン内に置かれた。15秒間の堆積処理後においても、茶色の粉末の形で残留物の蓄積は通常真空ライン3中で起きる。この残留物の蓄積を示す顕微鏡写真を図10に示す。茶色粉末はSixNyHz、SixHy、SiOx及び元素珪素の残留物からなっていた。残留物の基本的粒子は、2.3g/cm3の粒状で海綿状の形態を示す。粒子の回転楕円面シンメトリは図11に示し、成長が均一な核形成によって存在することができることを示す。図12は、直径がおよそ50μmである典型的残留凝集粒子物中への4又は5基本的粒子(各直径15−20μm)の凝集を示す顕微鏡写真である。さらに実験は、粉末の粒子サイズが、90秒の堆積工程の間直径1.0mm以上の大きさの凝集物を形成するため堆積時間とともに増大することを示した。
【0093】
プロトタイプのDPAは、シランベースの窒化珪素堆積操作からのもののような粒子物の蓄積を低減することにおkる本発明の有効性を証明するために使用された。プロトタイプのDPAは、図4(a)(b)、5(a)(b)、6(a)(b)に示した具体例に従って構成され、フォアラインの直前のP5000CVDチャンバの排出口に連結された。その実験において、チャンバは窒化珪素用の共通の堆積・清浄シーケンスに従って操作され、これには3つの連続した1.0ミクロン堆積工程これに続くCF4/N2O清浄工程を含むものであった。堆積/清浄サイクルは5000ウェハ実行テストのために連続的に繰り返された。
【0094】
窒化珪素堆積工程に関して、チャンバ温度が400℃に設定されサセプタがガス分配マニホールドから600ミリ(mils)に配置され、チャンバ圧力は4.5torrに設定され維持された。SiH4を含む堆積ガスは、190sccmの速度で導入され、N2は1500sccmの速度で導入され、NH3は60sccmの速度で導入された。13.56MHzの周波数で単一周波数RF電力は、プラズマを形成しおよそ7500Å/mmの速度で窒化珪素層を堆積するために455ワットの電力レベルで供給された。各1.0ミクロンそうの全堆積時間は、約80秒であった。
【0095】
チャンバ清浄工程に関して、チャンバ圧力4.6torrに設定され維持され、チャンバ温度は400℃に設定され、サセプタ(ウェハなし)はガス分配マニホールドから600ミリに配置された。CH4を含む清浄ガスは、1500sccmの速度で導入され、N2Oは500sccmの速度で導入された。RF電力はチャンバ内でエッチングプラズマを形成し、堆積下物質をエッチングするために供給された。周波数電力供給は、13.56MHzで操作され、100ワットで運転された。3つの1.0ミクロン窒化珪素層堆積工程後チャンバを清浄するために使用された全清浄時間は、最初の3000ウェハに関して110秒であった。その後、終点検知器が最終の2000ウェハに関する清浄時間を最大限にするために使用された。
【0096】
プロトタイプのDPA長さがおよそ35cm、直径14cmであった。電極56と58は、242.1in2の全表面積を与え、アルミニウムから機械加工された。陰極は、幅3.00inで、39.5966インチの周囲であった。
【0097】
500ボルトのDC電圧が、上述したように窒化珪素堆積工程及びCF4清浄工程の両方の間に帯電した粒子物を細くするために電極56と電極58の間に創られた。電圧場は、電極56に500ボルトを供給し電極58を接地することによって創られた。プラズマ形成に関するかぎりでは、DPA装置は能動的装置として操作された(すなわち、RF電力は堆積工程の間供給されなかった)。プラズマ形成は、1000ワットで運転される325KMHzRF波形によって発生された。DPA内の圧力は、0.8torrで測定された。
【0098】
さらなるテストにおいて、プロトタイプのDPAは、プロセスに透過性であるが、上述の窒化珪素堆積/CF4清浄シーケンスを使用する20,000ウェハテストランの間フォアライン内の粒子物の蓄積を防止することに100%効果的であることを示した。プロトタイプのDPAの使用は、実験中チャンバから排出される全ての粒子物質を捕捉し除去するためにいかなる追加的清浄ガス又はいかなる追加的清浄時間も要求しなかった。実験中堆積した窒化珪素フィルムの厚さ、均一性、応力及び屈折率のようなフィルム特性に用いられる測定は、1回目と5000回目の間(又は任意のウェハの間で)でこれらの特性のいかなるものにおいても顕著な又は重大な変化はなかったことを示した。さらに、実験中チャンバ内の粒子数を測定するのに行われた測定はまた、ウェハ操作の間直径0.16ミクロン以上の大きさの粒子物における増加はなかったことを示した。
【0099】
3.螺旋コイル、単一チューブ例
他のプラズマ形成構成に組み込むDPA40の他の具体例はまた可能である。たとえば、いくつかの具体例において、プラズマは螺旋共振子コイルのような誘導コイルにRF信号の適用によって発生する。螺旋コイルは、サイズがコンパクトで、比較的高いプラズマ密度のプラズマを発生する能力を有する。かかるコイルは、この分野の当業者に周知であり、ここに参考資料として組み込まれる、Michael A.LiebermanとAllan J.Lichtenbergの「Principles of Plasma Discharges and Materials Processing」(John Wiley & Sons,1994)の404−410頁のような多数の周知の教科書中に述べられている基準に従って設計することができる。螺旋共振子コイルは、銅、ニッケル、あるいは金又は同様な伝導材料のような高い誘電率タイプの金属から造ることができる。コイルを適切に共振するため、コイルの長さが、適用されるRF信号の波長の約1/4か又は1/4より少し長いことが重要である。
【0100】
図13は、かかるコイルを含むDPA40の1つの具体例の断面図である。図13において、DPA40は、処理チャンバ15からの排出ガスがそれがDPAを通過するときに通って流れるチューブ150を含む。チューブ150は、セラミック、ガラス又は水晶のような絶縁物質から造られた円筒形チューブである。好適な具体例において、チューブ150は、フッ素のようなエッチングガスと反応しないセラミック材料から造られ、清浄工程中で使用される。また、チューブ150は、真空ライン31の内部直径とほぼ同一の内部直径を有する。他の具体例において、チューブ150は、必ずしも円筒形である必要はなく、その代わり角張った、平面的なあるいは楕円形の、又は同様にカーブした内部表面を有するものでも良い。これら及び他の具体例において、チューブ150の内部直径はまた、真空ライン31の内部直径より大きくても小さくてもよい。
【0101】
コイル152は、チューブ150の外側に巻かれポイント156において一方の端部でRF電力供給に連結され、ポイント155において他方の端部で地電位に連結されている。チューブ150を通って通過する排出ガスは、RF電力供給からの電圧をコイル152に適用することによってプラズマ状態に励起される。プラズマ状態において、プラズマからの成分は、上述のようにポンプシステム32によってDPA40及び真空ライン31から外に圧送されるガス状生成物を形成するためチューブ内で堆積した物質と反応する。コイル152は、前述の標準的螺旋共振子コイルであり、チューブの外側よりも内側に巻いてもよい。
【0102】
外側の容器154は、チューブ150を取り巻く。容器154は、少なくとも2つの目的において作用する。第1は、コイル152によって発生したファラデー箱遮蔽電離放射線放射として作用する。第2に、セラミックチューブ150が破壊又は亀裂が入った場合、又はチューブ150中の真空シールが他の方法で破壊される場合、容器154は、アルミニウムあるいはスチールあるいはその他の化合物のような種々の材料から造ることができ、遮蔽効果のために接地される。上方及び下方のフランジ157及び158は、それぞれ真空シールを維持する間DPA40を真空マニホールド24と真空ライン31に連結する。
【0103】
標準的RF電力供給は、負荷として50オームのインピーダンスで機能するよう設計される。したがって、RF電力供給をコイル152への接触のポイント(ポイント156)は、コイル152が50オームのインピーダンスを持つように選択されるべきである。電力供給が他のインピーダンスレベルを要求した場合、ポイント156はそれに応じて選択され得る。
【0104】
コイル152は、50ワット以上の電力レベルでRF電力供給によって運転され、好ましくは500ワット以上のレベルで運転される。かかる条件の下で、プラズマ発生は最大限であり、均一性は重要ではない。コイル152によって発生する現実の電圧は、RF電力供給によって用いられる電力、コイル152の長さ及び巻線間隔、及びコイルの抵抗のような多数の要因に依存する。電圧はコイルに沿って均一に広がっているために、全コイル用の電圧レベルの決定はコイルが接地及びRF電力供給に連結されるポイント間のレベルを決定することによってなし得る。たとえば、ある特定のコイルがポイント155と156の間のコイルの部分の長さの4倍であるとき、コイルの全電圧はポイント155と156の間の電圧レベルの4倍となる。
【0105】
コイル、電力レベル及び適用されるRF電力は、強力な、強度のプラズマがチューブ150内で形成されるが、コイル152によって発生する電圧が電流がコイルから容器154にアークをなすレベルを超えないことを確実にするように選択されるべきである。アークが特定のDPAにとり問題である場合、容器154とコイル152の間に絶縁材料をおくことが可能である。しかし、設計の簡単化のため、容器154とコイル152の間に空気で満たされた空間をもつことが好ましい。
【0106】
DPA40の長さとサイズは変え得る。他の適用においてはDPA40がラインに代替するような真空ライン31の全長(4−5フィート以上)であり得るのであるが、いくつかの適用において、DPA40は4−6インチほど長くても短くてもよい。長いDPA40は、より短い、同等に設計されたDPAより多くの粒子物を捕集し、したがって除去することができる。DPA設計は、空間問題を残留物捕集効率とバランスさせなければならない。しかし、より進んだ捕捉機構を含むより短いDPAは、処理チャンバから排出される全粒子物質の99.9%捕集しかつ捕捉することができ、長さを重要性の低い要因とする。コイルの長さがRF波長の1/4より少し長くすべきであるので、コイルと使用されるRF周波数の間に直接的関係がある。
【0107】
DPA40が処理操作の特定の時間の間、好適にON及びOFFに変わることは既に述べたことであるが、DPAはまた受動的装置として構成することもできる。受動的装置として、DPA40は、何らの特別な制御信号又はプロセッサ時間がDPAをON及びOFFに変えることに専用とする必要がないように十分なRF電力信号を連続的に供給される。
【0108】
4.第1螺旋コイル、機械的及び静電的トラップ具体例
図14は、DPA40の他の具体例の断面図である。図14に示すDPA40の具体例は、第1内部セラミックチューブ160及び第2外部セラミックチューブ162を含む。チューブ160の端部は、DPA40を通じるガス流れが矢印164で示されるようにチューブ162の円筒形空間内である。
【0109】
螺旋共振子コイル166は、図13の具体例に関連して記載したように、チューブ162の外側に巻かれ、RF電力供給168に連結されている。コイル166はまた、チューブ162の内部内に、又はチューブ160の外部あるいは内部に巻かれる。
【0110】
上記容器150と同様のシェル168は、内部及び外部チューブ160及び162を収納する。外部チューブ162は内部チューブ160又はシェル168のいずれへの連結によって支持されていてもよい。いずれの場合においても、外部チューブ162用の支持構造が流出ガスをDPA40を通って通過させ得ることが重要である。このために、支持構造はチューブ160及び162の間で複数の穿たれた孔を有するセラミック材料の平面であってもよく、チューブ160と162の間で拡張する4つの細い連結の内の3つからなってもよく、又は多くの他の同等の方法で設計されてもよい。穿孔を含む構造は、以下に記述するように捕集領域170内で粒子物を捕集しかつ捕捉することを助長することができる。しかし、この構造は、孔がDPA40と通って圧送されるガスの流速を低下することがないように十分大きい。
【0111】
DPA40のこの具体例は、捕捉とこのために粒子物質の分解を高める。この設計は、図4(a)のトラップ62と同様な方法でDPAの残りを通って真空ライン31中に通過することができないように、排出ガス流れ中で粒子物を捕集し保持する機械的トラップとして働くチューブ162の捕集領域170を含む。粒子物は、トラップ中で保持され、形成したプラズマの下で分離又は分解されるまでプラズマに晒される。
【0112】
DPA40のこの具体例のトラップ部分の操作は、粒子物をDPA装置を通って真空ライン中に一掃しようとする流出ガス流路にもかかわらず、粒子物をトラップ内に保持するために働く重力に一部依存する。このように、DPA40の有効性は一部、ガス状の生成物中に反応されるまで粒子がチューブ162を離れることを防ぐため、外部チューブ162の能力に依存する。このためにDPA40は捕集領域170がDPAへの入口から下流側であり、外部チューブ162の長さが重力との組み合わせでこのトラップを創るのに十分であるように配置されることが重要である。
【0113】
さらに、DPA40内の平面176に沿ったガス通路の断面領域の増大は、粒子物の捕捉を助長する。任意の所定の堆積プロセスにおいて流出ガス流れに関する流速は、一般に一定である。このように、1以上の通路の断面領域の増大は、ガス流れ中の粒子物の速度を低下させ、これに対応して粒子上の中性牽引力を低下させる。所定の粒子は、DPA40の重力トラップ内で重力によって、捕捉される。
【0114】
機械的トラップの有効性をさらに高めるために、静電捕集器172は捕集領域170近くに配置することができる。静電トラップ172はDC又はAC電力供給の連結された小電極であってもよい。静電捕集器172に適用される極性及び電荷の量は、特定のものであり個々の適用において排出された粒子物質の極性と典型的電荷レベルに依存する適用である。
【0115】
種々の異なった静電捕捉装置は、本発明において使用することができる。かかる静電捕集器の他の具体例の詳細は、図15(a)、15(b)及び15(c)に関して以下に詳細に議論する。
【0116】
5.第2螺旋コイル機械的及び静電的トラップ具体例
図15(a)は、DPA40の他の具体例の断面図である。図15(a)の具体例は、図14の他の具体例と同様な機械的トラップ設計を使用する。また、流出ガスは、反対側の上方フランジよりも上方フランジ181に隣接して配置されたサイドフランジ180を通って排出される。フランジ180は、外部チューブ186よりも外側のケーシング184と真空シールを創り出すために配置される。ケーシング184は、チューブ186がセラミックのような絶縁材料から造られるのに対して、金属又は同様な材料から造られる。
【0117】
RF電力は、RF供給への連結188のポイントとポイント189(接地)との間に50オームのインピーダンスをもつように設計されている外側コイル187を通じて、この具体例のDPAに適用される。上記のように、コイル187は、コイルが標準的RF電力供給によって運転できるように、50オームのインピーダンスをもつように設計されるべきである。内側コイル190は、内部チューブ185内で巻かれる。内側コイル190は、誘導によって外側コイル187上に供給されたRF信号を受領し、プラズマ反応を操作するのに必要な電圧場をつくる。
【0118】
中心ワイヤ192は、内部チューブ185の中心を通り、電圧ポテンシャルはDPAを通って通過する粒子物質を静電的に捕捉するため中心ワイヤ192と内側コイル190の間で発生する。電圧ポテンシャルは、多数の異なるアプローチを使用してつくることができる。各アプローチにおいて、中心ワイヤ192とコイル190は電極として働く。1つの具体例において、中心ワイヤ192は接地され、正のDC又はAC電圧がコイル190に適用される。図13(b)に示すように排出された粒子物194が負に帯電している場合、粒子はワイヤ192とコイル190により創り出された電圧場(Felec)によって引きつけられ、正に帯電したコイル上の一95で捕集される。コイル190が接地され負の電圧が中心ワイヤ192に適用されるば場合、同様な結果を達成することができる。しかし、この場合、ワイヤ192が負に帯電した粒子物をコイル190に向け跳ね返す。
【0119】
他の具体例において、正のDC又はAC電圧は、中心ワイヤ192に適用され、コイル190は接地ポテンシャルに接続される。このアプローチにおいて、負に帯電した粒子物は、図15(c)に示すように正に帯電したワイヤ192上の一96で捕集される。負の電圧がコイル190に適用され中心ワイヤ192が接地される場合、同様な結果を達成することができる。この場合、コイル190は負に帯電した粒子物をコイル192に向け跳ね返す。
【0120】
さらに他の具体例において、ワイヤ192又はコイル190のいずれも接地されておらず、代わりに両方がコイル190に関してワイヤ192の間に正又は負の電圧ポテンシャルを発生する電圧発生源に接続される。勿論、正に帯電した粒子物質が存在する場合、この物質はその上で負に帯電した粒子物質が捕集される電極の反対側の電極上で捕集され得る。
【0121】
また、粒子物質が正及び負の両に帯電した粒子物を含む場合、粒子物は、静電力によって捕集することができる。かかる場合、正に帯電した粒子物は、低方のポテンシャル電極に引き寄せられ、負に帯電した粒子物は上方のポテンシャル電極に引き寄せられる。また、かかる場合に、中心ワイヤ192にAC電圧を適用することも可能である。AC電圧が中心ワイヤ192に接続されコイル190が接地される場合、正の半サイクルの間、正の粒子物質はワイヤからコイル190に向かって跳ね返される。しかし、負の半サイクルの間、負の粒子物質はワイヤから跳ね返され、コイル190上で捕集される。かかる場合、AC電圧期間は粒子物の応答時間より長くすべきである。
【0122】
上記の任意の場合において、2つの電極間の電界は50と5000volts/cmの間でもよい。好ましくは、電界は、500volts/cm(DC)から1000volts/cm(AC)である。粒子物がコイル190上に捕集するために中心ワイヤ192から引き寄せられるか、又はその逆となるかについては、粒子物の極性及びコイル190及びワイヤ192に適用される電荷に依存する。
【0123】
この設計がコイル190及び中心ワイヤ192の間に発生する電圧ポテンシャル差に依存するため、チューブの絶縁材料によりワイヤ192から分離されないようにコイル190は最大限の粒子物捕集を得るために内部チューブ185の内側に配置するべきである。内部チューブ185が配置されているので、コイル190及び中心ワイヤ192は、フッ素のような種々の高度に反応性の種と接触する。したがって、コイル190とワイヤ192が、かかる種と反応しないニッケルのような適切な伝導性の材料から造られることが重要である。この具体例において、コイル190は粒子物を引き寄せたり跳ね返したりするための電圧ポテンシャル及びRF電力信号の両方をもたらすことを認識することは重要である。
【0124】
6.並行電極を含む第3機械的及び静電的トラップ具体例
図16(a)は、機械的及び静電的トラップを含む他のDPA40の断面図である。図16の具体例は、一対の静電的に結合した電極に適用されるRF電力からプラズマを形成することにおいて、図4(a)(b)、5(a)に示した具体例と同様である。しかし、図16(a)の電極は、図4(a)(b)、5(a)(b)、6(a)(b)の具体例における実質的に等しい表面積の平行板電極であるよりも、周辺的(perimetric)、円筒形電極402と404である。図16(b)に示すように、それらの円筒形の特性のため、電極402の電極404に対する表面領域の比は、DPAの異なる部分において異なる。たとえば、1つの具体例において、電極402と404の表面領域の比は、内部通路405aにおいて約3:1である。この同じ具体例において、電極402の404に対する表面領域の比は、外部通路405bにおいて約1.3:1である。
【0125】
電極402と404は、処理チャンバ15から排出されたガスが通過するガス通路405を画成する。電極402は、RF及びDC電力が電極404に適用される間、接地される。RF及びDC電力は、PFD406を通じて電極404に供給される。PFD406は、テフロン絶縁器408により、接地された電極402から絶縁される。
【0126】
通路405は、電極の同心特性(concentric nature)のため、円形のドーナッツの底半分のように形づけられている、U形重力トラップ領域410を含む。流出ガスは入口401からガス通路405に入り、出口403を通って出る。
【0127】
適切であれば、DCフィルタ412は、流出ガス流れの中の停電した物質を捕捉することを助長するためDPAに適用される電圧が、チャンバ内で起こる基板処理操作を妨害しないように、DPA40と処理チャンバ15の間に配置することができる。
【0128】
電極402と404を含む電気回路を示す線図は、図17に示す。図17に示すように、電極404は、電極402が接地されている間、DC発生器420及びRF発生器422の両方に接続されている。DC発生器420は、静電トラップにより要求されるDC電圧を供給し、RF発生器422は、プラズマを形成するためのRF電力を提供する。RFマッチ回路424は、反射電力を最小限にするために発生器出力インピーダンスを50Ωにマッチさせ、DC/RFフィルタ(好適な具体例において1mΩ抵抗)426はRF電力供給からDC電力供給を隔離する。
【0129】
7.平行電極を含む第4機械的及び静電的トラップ具体例
図18(c)は、機械的及び静電的トラップを含むDPA40の他の具体例の断面図である。図18(a)の具体例はまた、DPA中に排出される流出ガス静電的に結合したプラズマを形成する均一に間隔をあけられた平行電極430と432を含む。電極430は、図16(a)の具体例と同様な方法でRF及びDC電力供給に接続され、電極432は、接地される。
【0130】
各電極は、薄板金属から形成され、ガス通路435を創るために曲がっている。チャンバ15からの流出ガスは入口434を通ってガス通路に入り、出口436から出る。ガス通路435は、並んで配置され、電極430に一部によって最初に分離されている、通路435aと435bの2つのガス通路を含む。かかる方法でガス流通を2つの分離した通路に分割することは、固定された領域内で電極430と432の表面領域を増大する。電極430と432は、DPA内のRFプラズマ形成により発生する熱条件下で溶融したり及び/又は曲がったりしないように十分厚いものとすべきである。他の具体例において、電極430と432は、アルミニウムから機械加工され得る。
【0131】
図18(b)は、図18(a)に示したDPAの透視図である。図18(b)において、DPA40は、他の既述のDPAの具体例と同様に、アルミニウムケーシング440によって包まれている。ケーシング440は、ネジ442によってDPAに取り付けられている扉441を含む。また、RF及びDC電力は、PFD連結438を通じて電極430に供給される。
【0132】
8.第1マイクロ波具体例
図19(a)は、DPA40の他の具体例の側方断面図であり、図19(b)は、図19(a)に示した具体例の正面図である。図19(a)及び(b)の具体例は、プラズマを発生しDPA内で捕集された粒子物質及び残留物を除去するためにマイクロ波発生源を使用する。多くの異なったマイクロ波発生源が利用可能であるが、購入及び運転コストの理由から、一対の交互パルス化マグネトロン(alternatively pulsed magnetrons)450(たとえば、いくつかの電子レンジで使用されているタイプのマグネトロン)が好適に使用される。かかるマグネトロンは、CWマイクロ波発生器あるいはRF発生器の価格より2桁以上も低い。
【0133】
図20(a)に示したように、各マグネトロン450は、交互にパルス化した(60Hz)電場(2.45GHz)を発生する。図20(b)に示したように、他のマグネトロンに関して180度の位相差により1つのマグネトロンのパルスを遅らせることによって、2つのマグネトロン発生源は、図20(c)に示すように120Hzで一定にパルス化され得る。図20(c)において、波形(M1)の最初のサイクルは、マグネトロンの1つによって発生され、第2のサイクル(M2)は他のものによって発生される。マグネトロンによって発生したエネルギは、高いプラズマ密度で90%近いイオン化効率を生み出すことができる。このようにかかる電力発生源は、誘電的に結合した電極より高い清浄効率をもたらし、典型的には10−20%の間のイオン化効率を生み出す。
【0134】
マイクロ波発生源のさらに有利な点は、ジュール効果熱の低減である。熱があまり発生しないために、ガス流れ通路456を画成する電極452と454(図19(a))は、比較的薄い薄板金属からたやすく造ることができる。ガス流れ通路456は、入口458で始まり、出口460で終わる。通路は、図18(a)の具体例におけるガス通路435と同様な方法で2つの通路に分割され流れる。また、入口458は、図19(b)中のプロフィール464で示されるようにガス通路456の始めにおいてDPA40中に引き起こされる。
【0135】
マグネトロン450は、DPA40の反対側上に配置される。マイクロ波電力は、適当な導波管462(図19(b))によって反応器に結合されている。マグネトロンと導波間は、プラズマ形成が全ガス通路にわたって起こすことができるようにガス通路456の幅を通してマイクロ波を放出するために結合する。薄板金属電極間の距離は、電場の各ノード(node)(ゼロ強度のポイント)が電極の表面に配置されるようにマイクロ波の波長に従って調節することができる(すなわち、電極板の距離は、マイクロ波の波長の半周期の倍数でなければならない。)。マグネトロン450と導波管462配置のために、プラズマはガス通路456の全ての部分において形成される。セラミック扉466(図19(b))は、マグネトロンと導波管を電極452と454から隔離し、外側ケーシング468はDPAを収容し第2レベルのシールを提供する。
【0136】
DC電力供給源(図示せず)は、堆積あるいは他の基板処理操作の間に既述したように静電捕集器を提供するため電極452に結合される。電極452へのDC電力は、OFFに切り替えられ(図示されていないスイッチにより)、しかし、マグネトロン450が清浄操作の間に活性化されるとき、電極は接地される。この時間内に接地する切り替え電極452は、起きる可能性のあるアーク形成を避ける必要がある。
【0137】
9.第2マイクロ波具体例
図21(a)は、DPA40の他の具体例の側方断面図であり、図21(b)は、図21(a)で示した具体例の正面図である。図21(a)と(b)の具体例は、DPAプラズマを発生するためにマグネトロン450を使用することにおいて、図19(a)と(b)と同様である。
【0138】
しかし、図19(a)のDPA40のこの具体例に示すように、DPAは、入口474のすぐ下流に配置された初期モジュール472を含む。モジュール472は、エッチングラジカル(たとえば、CFx、及びCF4がエッチングガスとして使用されるときは遊離フッ素)が増大したイオン化効率で発生することができるように、清浄サイクルの間プラズマ発生に専念する。このように発生したラジカルは、堆積し捕集された物質と反応するためDPAの第2モジュール475中に圧送されるとき、比較的長い寿命を有し活性を維持する。
【0139】
第2モジュール475は、好適な具体例において薄板金属から構成される対向する電極476と480によって画成されるガス通路470を含む。ガス通路470は、図19(a)と(b)の具体例におけるガス通路456と同様である。これは、2つの通路470aと470b及び出口478で端部を含む。
【0140】
導波管482は、マグネトロン450に結合されている。導波管とマグネトロンは、マイクロ波発生がモジュール472中でプラズマを形成するように配置されている。陽極476の内部壁476は、マイクロ波がモジュール472の外側のガス通路470の他の部分に到達することを防止する。電極480は、既述のものと同様の静電捕集器を提供するためにDC電力供給(図示せず)に結合される。この具体例において、電極480へのDC電力は、清浄サイクルの間OFFに切り替えられる必要はない。第2モジュールの中でプラズマは発生しないため、アーク問題もない。
【0141】
10.プロトタイプDPAを用いる追加の粒子物低減実験
本発明の有効性を証明するための他の実験において、第2プロトタイプDPA40は、8インチウェハ用に装備されたプレシジョン5000チャンバに取り付けられた。第2プロトタイプDPAは、DPAをフォアラインに連結するために使用された低方フランジの設計を除いて、図13で示すDPA40と同様であった。第2プロトタイプDPAと低方フランジの断面図は、図22において示す。図22で示すように、低方フランジ200は、DPAを通って流れる排出ガスをフォアライン中におよそ90度の角度で向け直した。フランジはまた、フランジの底部部分204上に蓄積した堆積物質を観察できるように、フォアライン連結とは反対に石英の窓を装備していた。上述のように、プロトタイプDPAにおける低方フランジのこの設計は、図4(a)(b)、5(a)(b)、6(a)(b)、14及び15(a)の具体例におけるU形通路あるいは機械的バケットトラップ設計と同様であるが効率は同様ではない方法で、領域204中の粒子物質を捕捉する追加的利点を有した。
【0142】
第2プロトタイプ装置は、石英チューブの外部の周りを覆った3/8インチ銅管材料から造られたコイル208を有する石英チューブ206を含んだ。コイル208の全長は、およそ25フィートであり、13.56MHz電力供給は、いかの実験の既述で説明したように種々の電力レベルで運転された。石英チューブ206は、アルミニウム容器210内でシールされた。アセンブリの全長は、およそ14インチであり、アセンブリの幅は、およそ4.5インチであった。
【0143】
第2プロトタイプDPAの有効性は、3つの分離された実験でテストされた。各実験において、100のウェハが、真空排出マニホールドとフォアラインとの間で連結された第2プロトタイプDPAを有するプレシジョン5000中で実施される窒化珪素堆積/CF4フッ素清浄操作シーケンスにおいて、処理された。第2プロトタイプDPAは、各実験の堆積シーケンスの間OFFに保たれ、ONに切り替えられて、フッ素清浄シーケンスの間13.56RF電力供給によって電力を与えられた。堆積の間のOFFのとき、粒子物は、領域212として図20で示したようにチューブ206の内部に沿って捕集した。その後、これら粒子物は、DPAが清浄シーケンスの間活性化されたとき、チューブ206から除去された。3つの実験の各条件は、以下の表2中に要約する。
【0144】
【表2】
【0145】
第1の実験において、フッ素清浄シーケンスは、135秒であり、DPAは200ワットで運転された。CF4は、1500sccmの速度で処理チャンバ中に導入され、500sccmの速度でチャンバ中に導入されたN2Oを混合された(比3:1)。100の堆積/清浄シーケンス後、DPAが試験され、全ての残留物及び堆積物がないことが判明した。DPAの底部における角が付けられたフランジにおいて、少量の残留物の蓄積が測定された。このことを表3に要約する。残留物中の珪素の大多数は、酸化珪素の形で含まれており、窒素のおよそ半分は、窒化珪素フィルム中に、他の半分はアンモニアの形で含まれていた。
【0146】
第2の実験において、フッ素清浄シーケンスは、120秒に短縮され、DPAが運転される電圧は、500ワットに増大された。CF4は、2000sccmの速度で処理チャンバに導入され、500sccmの速度でチャンバ中に導入されたN2Oと混合された(比4:1)。100の堆積/清浄シーケンス後、DPAが試験され、全ての残留物及び堆積物がないことが判明した。角が付けられたフランジにおいて、少量の残留物の蓄積が測定された。しかし、目視検査から、残留物の蓄積量は、第1の実験における蓄積量よりおよそ80%少ないものであった。
【0147】
この残留物の蓄積の原子凝集が測定された。これを表3において要約する。表から明らかなように、この実験からの残留物は、第1の実験からの残留物より非常に高いフッ素の凝集を含んでいた。フッ素凝集残留物は、より多くのフッ素種をプラズマに提供し、このためDPA活性化の間残留物の清浄をより容易とする。この実験からの残留物における圧倒的大部分の珪素は、酸化珪素の形で含まれており、圧倒的大部分の窒素は、アンモニアの形で存在していたこともまた記さなければならない。
【0148】
第3の実験は、第1と第2の実験の間残留物が収集する傾向があったDPAと角が付けられたフランジの両方から、残留物が完全に除去され得ることが判明した。この第3の実験において、フッ素清浄シーケンスは、120秒の長さであり、DPAが運転される電圧は、500ワットまで増大された。CF4が処理チャンバ中に導入される速度は、2500sccmまで増大され、500sccmの速度でチャンバ中に導入されたN2Oと混合された(比5:1)。100の堆積/清浄シーケンス後、DPAと角が付けられたフランジが試験され、両方とも全ての残留物及び堆積物がないことが判明した。
【0149】
残留物の存在と組成によるこれらの実験結果は、以下の表3中に要約する。
【0150】
【表3】
【0151】
B.PFC低減のために最適化されたDPA40の特定の具体例
本発明のいくつかの具体例は、それを排出するいかなるプロセスから排出されたPFCガスを低減するために構成され、最適化される。そのように構成されたDPAは、PFC反応器と呼んでもよい(以下、「PR2」)。便宜さと参考のために、PR2として構成され最適化されたDPA40は、この適用の残余部分びおいてPR2240と分類される。PR2240は、DPA40として図3中に示すようにチャンバと連結することができる。
【0152】
酸化珪素フィルム堆積/清浄シーケンスは、本発明がPFC排出物を低減するために使用するプロセスの例として使用される。しかし、本発明は、以下の例示のプロセスセーケンスにおけるPFC排出物の低減に限定されず、代わりに、チャンバ15中にPFCガスを導入する任意のプロセス、及びPFCガスがチャンバ15中で実施される処理操作の副生成物である任意のプロセスへの適用性を有する。さらに、本発明は、ハイドロフルオロカーボン(HFCs)あるいは同様のガスのような他の物質の排出物を低減するために使用することもできる。
【0153】
例示的堆積/清浄プロセスシーケンスにおいて、酸化珪素フィルムは、シラン(SiH4)と亜酸化窒素(N2O)前駆物質ガスを含むプロセスガスからの物質上に堆積する。堆積が完了した後、基板は、チャンバから除去され、チャンバ清浄操作は、チャンバ壁から所望されない酸化珪素の蓄積をエッチングし除去するため実施される。清浄操作は、CF4とN2Oのプラズマストライク(striking)することからなる。
【0154】
上述のように、清浄操作の間にチャンバ中に導入された少量のCF4のみが、チャンバ壁上で堆積した物質と現実に反応する。残留する未反応のCF4は、反応の生成物及び副生成物の他のガス状の成分とともにフォアラインを通ってチャンバから排出される。
【0155】
この例において、本発明のPR2は、排出されたCF4からプラズマを形成する。プラズマからの成分は、CF4ガスをPFCsの潜在的有害効果をもたない、より害の少ないガス状の生成物及び副生成物に転換するために、PR2内の固体酸化珪素のような珪素源と反応する。PR2内部で起こる反応のいくつかを以下に挙げる。
【0156】
CFX+SiO2→SiFx+CO2
CF4+O2→CO2+2F2
2CF4+O2→2COF2+2F2
C+SiO2→CO+SiO
SiO+F2→SiOF2
勿論、正確な反応及び反応シーケンスは、種の電子衝突分解及びガス相ラジカル再結合の発生のような元素反応を伴い、より複雑である。上に挙げた生成物及び副生成物のいずれもが、PR2からの排出されるものとして知られているが、PFCsではない。このように、本発明のPR2から排出される全流出ガスは、PFC転換反応が100パーセント効率的であれば、PFCのないガスである。
【0157】
上の記述は、例示的目的のためだけであり、CF4以外のPFCガスが本発明のPR2中に導入されプラズマが形成される場合、PFCガスのプラズマはまた、PFCsではなくPFCsより有害性の低いガス状の生成物を形成するために酸化珪素源と反応する。
【0158】
操作において、PFCガスが真空チャンバ15から真空ライン31中に排出される場合、それらはPR240を通って通過する。PR240内で、排出されたガスは、プラズマを発生し及び/又は維持する電場に晒される。プラズマからの成分は、流出PFCsをPFCsではなくフォアラインと通って圧送され得る有害性の低いガス状の生成物と副生成物に転換するためにPR240内で珪素及び/又は酸素化合物のようなPFC酸化剤と反応する。流出PFCガスが排出流れ中に存在するこの期間の内であることから、一般に、プラズマ形成は、堆積/清浄シーケンスの清浄操作の間にのみ実施される(活性化されたPR240)。このように、堆積シーケンスの間、プラズマは、PR240内では一般的に形成されない。しかし、PFCガスが堆積あるいは他の工程の間特定のプロセスから排出される場合(たとえば、フッ素ガスがCF4副生成物を生成するためにフォトレジストを含む炭素と反応するエッチング工程)、PR2240は、その期間内にPFC排出物を低減するために活性化され得る。
【0159】
PFCプラズマが反応するPR2240内の珪素と酸素は、種々の異なる源からのものであり得る。本発明のいくつかの具体例において、特別に設計されたフィルタはプラズマ反応用に砂あるいは石英のような酸化珪素化合物の固体の形を含む。珪素フィルタは、プラズマが形成されるPR2240の領域内に配置される。本発明の他の具体例において、酸化珪素、窒化珪素、オキシ窒化珪素、炭化珪素、又は堆積/清浄プロセスシーケンスの同様な相から排出される残留物は、DPA40に関して述べたことと同様の方法でPR2240内で捕捉され捕集される。かかる堆積プロセスの間に捕捉される典型的残留生成物は、SiO2、SiN、SiON、SiC及び同様な化合物を含む。勿論、現実に捕集される残留物は、堆積あるいは他のプロセス工程の間に導入されるガスに依存する。捕集された残留物は、プラズマ反応のためには珪素源として働く。捕捉は、図9との関係で上述したように、また本発明の種々の具体例に関連して以下により詳述するように、サーモフォレチック力とともに機械的及び/又は静電的捕捉機構を使用して行われる。一旦捕捉されれば、珪素残留物又は種々の粒子物質は、その後真空ライン31を通って圧送されるガス状の副生成物を形成するためPFCプラズマ中の活性のある種と反応するまでPR2240中に滞在する。さらに本発明の他の具体例において、珪素含有及び/又は酸素含有ガスは、特別に流出PFCガスの分解を助長するためにPR2240中に導入される。これらの珪素及び/又は酸素含有ガスの導入は、珪素フィルタ及び/又は機械的捕捉機構の使用に加えたもの、又は代わりのものとすることができる。
【0160】
プラズマを形成するためPR2240内に発生した電場は、RF電力の誘電的に結合した電極への適用(いくつかの好適な具体例においてHF電力(<350KHz)が装備と操作コストを最小限とするためにRF電力の代わりに使用され得る)、中空陰極反応器のような種々の周知の方法を使用して発生することができ、又誘電的に結合されたコイルにマイクロ波装置あるいはECR技術もまた使用することができる。しかし、PFC転換は、形成されたプラズマの密度に直接比例するが、誘電コイル又は中空陰極反応器のような高密度プラズマを形成するような装置はいくつかの具体例において好ましい。PFC転換はまた、プラズマが形成される電力に直接比例し、PR2装置内のPFCガスの滞留時間に反比例する。このように、現実の供給電力出力は、他の要因の中で、PR2が使用される適用、プラズマの密度、PR2240中で処理されるPFCガスの量及びPFCガスの滞留時間に依存する。理想的には、PR2240は、PR2を通って他のガス中に通過する実質的に全てのPFCガスを転換するのに十分なプラズマを発生する。
【0161】
また、PR2240は、その使用が操作中のプロセスに透過性であるように設計される。すなわち、PR2240が清浄シーケンスの間操作される場合、PR2240は、清浄シーケンスの間清浄シーケンスの継続時間の延長なしに、排出流れからの実質的に全てのPFCガスを非PFCガスに転換するために設計される。このような場合、PR2240は、ウェハ処理用に関して何の逆効果もない。
【0162】
RF電力は、RF電力供給25から導くことができ、又はPR2240のみを運転する隔離したRF電力供給によって供給することができる。大部分の具体例、マイクロ波ECR具体例は顕著な例外であるが、PR2240を操作するため低周波数RF電力を使用することが望ましい。およそ50KHzから2MHzの間でRF電力を供給する低周波数RF電力供給の使用は、13.56MHZのようなより高いRF周波数より操作するために非常に少ない費用ですむものである。複数の処理チャンバがクリーンルーム中に存在することを想定すると、チャンバに連結された複数のPR2はすべて、適当な数のRF電力スプリッタに連結される分離した、専用のPR2RF電力供給により運転されてもよい。
【0163】
PR2240の長さとサイズは変えることができる。いくつかの適用において、PR2240は、他の適用においてPR2240がそのラインに取って代わるような真空ライン31の全長(4−5フィート以上の長さ)であり得るのに対して、4−6インチの長さあるいはそれより短い長さであり得る。一般に、個別分子の滞留時間は、PR2の長さと体積の増加に伴って増加する。PR2設計は、空間の問題を残留物捕集効率とバランスさせなければならない。しかし、概略設計された粒子物捕捉機構又はフィルタを含むより短い又は少ない量のPR2は、処理チャンバから排出されたPFCガスの実質的に全て有害性の低いガスに変えることができ、長さと体積を重要性の低い要素にする。
【0164】
本発明の装置の多数の異なった具体例は、組み立てることができる。いくつかの具体例は、例示の目的で以下に示す。本発明は、決してこれらの特定の具体例の限定されるものではない。
【0165】
1.珪素充填フィルタ具体例
a)単一チューブ、螺旋共振子具体例
図21は、PR2240の第1具体例の断面図である。図23において、PR2240は、処理チャンバ15からの排出ガスがPR2240を通って通過するとき流れるチューブ250を含む。チューブ250は、セラミック、ガラス又は石英のような絶縁材料から造られた円筒形チューブである。好適な具体例において、チューブ250は、清浄工程で使用される、フッ素のようなエッチングガスと反応しないセラミック材料から造られる。また、チューブ250は、真空ライン31の内部直径とほぼ同一の内部直径を有する。他の具体例において、チューブ250は、必ずしも円筒形の形である必要はなく、代わりに角の付けられた、平面のあるいは楕円形の又はどうようなにカーブした内部表面を持つこともできる。これらの及び他の具体例において、チューブ250の内部直径はまた真空ライン231の内部直径より大きいものでも小さくものでもよい。
【0166】
フィルタ251は、チューブ250内である。フィルタ251は、ガスを非PFCガスに変えるプラズマ条件下でPFCガスと反応するために入手できる個体珪素の源を含む多孔性フィルタである。フィルタ251は、その珪素化合物が消費されるに従い、取って代わるチューブ250中に挿入可能な消耗部品であってもよい。フィルタ251内の珪素の源は、多くの珪素含有材料の任意のものであり得る。好適には、珪素の源は、砂、ガラス、石英、フリント(flint)、オニクス(onyx)のような酸化珪素材料である。また、好ましくはフィルタは、フォアラインの圧送速度及びコンダクタンスに大きく影響しないほど十分に多孔性である。
【0167】
酸化珪素材料の使用は、PFCプラズマが反応する珪素と酸素の両方を提供する。好適な具体例において、珪素源として、破砕されたせい気鋭が使用される。石英の破砕は、より多くの珪素を反応に利用できるようにする総表面領域を増大する。さらに、破砕された石英は、堆積プロセスの間発生する固体残留物用の機械的フィルタとして働き、このため珪素残留物を生成する材料がプロセス中でチャンバ15から排出されるとき反応用の追加的な珪素材料を補足することができる。
【0168】
コイル252は、チューブ250の外部の周りに巻かれポイント256でRF電力供給に連結され、ポイント257で接地ポテンシャルに連結される。チューブ250を通って通過するPFC排出ガスは、RF電力供給からコイル252への電圧の適用によりプラズマ状態に励起される。プラズマ状態において、排出された材料からの成分は、PFCsではないガス状生成物を形成するためフィルタ251中で固体酸化珪素反応物と反応し、その後上述のようにポンプシステム32によってPR2240及び真空ライン31から圧送される。
【0169】
ガス供給ライン253は、PFC転換反応を高めるため酸素及び/又は珪素の源である追加的ガスを供給することができる。使用される例示的ガスは、O2、O3、N2O、SiH4又はそれに類似するものを含む。勿論、テトラエチルオルソシリケート(TEOS)のような液体源もまた、蒸発され、ライン53と通じて導入されてもよい。追加的な反応を高めるガスがPR2240中に導入される速度は、バルブ255を制御するプロセッサ34によって設定される。
【0170】
コイル252は、螺旋共振子コイルのような誘電コイルである。かかるコイルは、この技術の当業者に周知であり、本明細書に参考として組み込まれるMichael A.LiebermanとAllan J.Lichtenbergの「Principles of Plasma Discharges and Materials Processing」John Wiley & Sons(1994)の404−410頁のような多くの周知の教科書中に記述される基準に従って設計することができる。螺旋共振子コイルは、銅、ニッケル、あるいは金又は同様な伝導性材料にような高い伝導率タイプの金属から造ることができる。コイルを適切に共鳴するため、適用されるRF信号の波長の1/4とほぼ同じか少し長いものとすることが重要である。この長さのコイルは、PFCガスの分解をさらに高めるより強くより高度の電圧場を創り出す。コイル252は、チューブの外部よりチューブ250の内部の内側に巻かれ得る。
【0171】
外側容器254は、チューブ250を取り巻く。容器254は、少なくとも2つの目的で役立つ。第1は、ファラデー箱として働き、コイル252によって発生する放射線からCVD処理装置10及び他の装備を保護する。第2に、セラミックチューブ250が破壊あるいは破裂した場合、又はチューブ250中の真空シールが他の方法で破壊した場合、容器254は排出ガスが漏れ出すのを防ぐ第シールを提供する。容器254は、アルミニウム、スチール又は他の化合物のような種々の金属から造ることができ、好ましくは保護効果のために接地される。上方及び下方フランジ259及び258は、それぞれ真空シールを維持する一方、PR2240を真空マニホールド24及び真空ライン31に連結する。
【0172】
標準RF電力供給は、50ワット以上の大きさのレベルで運転される。コイル252によって発生する現実の電圧は、RF電力供給により使用される電力、コイル252の長さと巻き間隔及びコイルの抵抗その他の要因のような多くの要因に依存する。電圧がコイルに沿って均一にかけられているために、全コイルのための電圧レベルを決定することは、コイルが接地及びRF電力供給に連結されているポイント間(ポイント255と256)のレベルを決定することによりなし得る。たとえば、特定のコイルがポイント255と256の間でコイルの部分の4倍の長さである場合、コイルの総電圧は、ポイント255と256の間の電圧レベルを4倍する。
【0173】
コイル、電力レベル及び適用されるRF周波数は、チューブ250内で強い、強度のプラズマが形成されるように、しかしまたコイル252により発生する電圧が、電流がコイルから容器254にアークを形成するレベルを超えないように、選択されなければならない。アーク形成が問題である場合、容器245とコイル252の間に絶縁材料をおくことは可能である。しかし、設計の簡素化のため、容器254とコイル252の間に空気で満たした空間を持つことが可能である。
【0174】
b)単一チューブ、マイクロ波具体例
図24は、PR2240の第2具体例の断面図である。図24中に示すPR2240の具体例は、図23中に示す具体例の同一の要素を多く含む。従って、便宜のため、図24中及び本出願の残余の図中において、類似の参照番号が類似の要素に使用される。また便宜のために、図24及び他の図の新しい要素のみ適当なときにいかに詳細に議論する。
【0175】
図24において、マイクロ波発生器260及び導波管262は、PR2240に入る流出PFCガスから高密度プラズマを発生するため使用される。マグネット264は、チューブ250内でガス状分子をさらにエネルギを与えプラズマ形成を高めるため電子サイクロン共鳴(ECR)装置中におけるようにチューブ250の外部の周りに配置される。プラズマからの成分は、PFCガスを非PFCガスに転換するためフィルタ251中で酸化硅素材料と反応する。上述の具体例におけるように、追加的なガスは、転換プロセスを高めるためガスライン253からPR2240に追加することができる。
【0176】
図示しないが、図24中に示すPR2240の具体例は、好ましくは容器254のような外側ケーシング中に収納される。外側ケーシングは、チューブ250を通って通過するPFCあるいは他のガスがチューブ250中で漏洩あるいは他の欠陥の場合にPR2240から漏出できないように、第2シールを維持すべきである。
【0177】
c)螺旋コイル中空陰極反応器
図25は、PR2240の第3具体例の断面図である。図25において、螺旋共振子コイル266は、PR2240の螺旋コイル中空陰極反応器具体例を形成するため円筒形金属チューブ268内に配置される。コイル266は、チューブ268が接地されている間、HF又はRF電力発生源269に結合される。PR2240にこの具体例の残余の構造は、図25中には示していない。かかる構造は、たとえば、ガスライン253、バルブ255、フランジ258及び259、容器254などを含み、図19に示すPR2240のそれと同様である。
【0178】
HFあるいはRF電力がコイル266に適用されるとき、誘電的に結合されたプラズマがコイルへ適用されたRFからコイル内で形成され、誘電的に結合されたプラズマがコイルとチューブ268の間で形成される。コイル266とチューブ268がプラズマからの高度に反応性のフッ素種に従うため、かかる種と反応しないニッケルのような適切な伝導性の金属から造られるべきである。図示しない珪素フィルタは、PFCプラズマと反応するための珪素及び酸素材料を提供するためコイル266内及び/又は周りに配置することができる。従って、珪素及び/又は酸素含有ガスは、ガスライン253からプラズマに提供してもよい。
【0179】
d)マルチステージ中空陰極反応器
図26は、PR2240のより好適な具体例の断面図である。図26において、円筒形ガス通路は、円筒形に造られた陽極272、陰極274及び絶縁バリヤ275によって作り出される。陰極274は、陽極272が接地される間、HFあるいはRF電力供給269に連結される。絶縁バリヤ275は、陰極274から陽極272を絶縁する。この交互的電極/陰極構成は、高密度プラズマ(1012ions/cm3のオーダーで)形成することができるマルチステージ中空陰極反応器を創り出す。反応器の各ステージ(陽極/陰極ペア)は、領域276により示される陰極に最も近い領域中でガス通路270内に高密度プラズマを発生する。
【0180】
中空陰極体制と高密度プラズマを維持するため、またPR2240のこの具体例内で分子対流時間を増大するために、通路270内の圧力は、PR2240のすぐ後のフォアライン中に配置された分離されたスリットルバルブ(図示せず)によって制御することができる。制御された圧力は、PFC転換を最大限にするため設定された現実の圧力で、100−500millitorr(基本フォアライン圧力)から処理チャンバ内の圧力(PECVDの場合4−20torr及びSACVDあるいはAPCVDプロセスに関して700torr以上まで)まで変動することができる。
【0181】
HFあるいはRF電力よりDC電力が、このマルチステージ中空陰極反応器設計において、陰極274に供給され得る。しかし、HFあるいはRF電力は、DC電力発生源からの指向性DC電流が電極をエッチングするため、好適な具体例において供給される。HFあるいはRF電力が使用される場合、このスパッタエッチング効果は、非常に減らされるか又は不存在となる。HF電力は、装備及び操作コストを低減するために大部分の好適な具体例において使用される。
【0182】
図25の中空陰極反応器設計におけるように、珪素フィルタ(図示せず)又はガスライン253から供給される珪素及び/又は酸素含有ガスは、PFC胆管プロセスを適切に高めるため使用することができる。また、図19中に示すPR2240のそれと同様に、ガスライン253、バルブ255、フランジ258と259、容器254などのような構造は、図20中には示していない。
【0183】
2.珪素粒子物トラップ具体例
PFC清浄シーケンス前にチャンバ15中で起きる堆積、エッチング又は他のプロセスが、珪素含有残留物を生成する場合、本発明の装置のある具体例は、珪素源として使用するためその残留物を補足し捕集することができる。このように、特別に設計された珪素フィルタを必要としないが、まだ使用することもできる。
【0184】
珪素残留物を生成する堆積プロセスの例は、TEOS及びシラン酸化珪素堆積プロセス及び窒化珪素堆積プロセスを含むが、これらに限定されない。かかるプロセスにおいて、PFC転換反応のために捕捉される排出された珪素残留物は、SiO2、SiN、SiON、SiC、非晶質珪素及び同様な化合物を含む。勿論、捕集される現実の残留物は、堆積中に納入されるガス、使用されるエッチングあるいは他のプロセスに依存する。
【0185】
これら堆積又は他のプロセス操作から排出された残留物は、一般にチャンバ壁上において捕集されこのためチャンバ壁から最終的に清浄除去される同様な残留物である。従って、これらの具体例においてPFCガスを非PFCガスへの転換は、清浄操作の間チャンバ中で起きる反応と同一である反応から結果として生ずる。
【0186】
a)単一チューブ、螺旋共振子反応器具体例
図27は、PR2240の第5具体例の断面図である。図27中に示すPR2240の具体例は、PFCプラズマからの成分が反応する珪素源が、フィルタインサート内の固体珪素化合物よりも対向する電極280と282を含む静電捕集器によって捕捉される珪素含有残留物であることを除いて、図23中に示す具体例と同様である。珪素含有残留物は、DC電力発生源284から電極280と282の間に適用される電圧ポテンシャルにより堆積あるいは他のプロセス工程の間捕捉され捕集される。適用される電圧ポテンシャルは、電極282を電極280と比較して正に帯電させる(又はこの逆)。残留粒子物がPR2240を通って通過するにしたがい、正に停電した粒子物は、より負に帯電した電極280に向かって引き寄せられその上で捕集され、負に帯電した粒子物は、正に帯電した電極282に向かって引き寄せられその上で捕集される。使用される堆積プロセスのタイプ及びプロセスの長さによって、数ミリメータあるいはそれ以上の珪素含有残留物が電極280と282上に蓄積することができる。
【0187】
堆積シーケンスが完了し清浄シーケンスが始まった後、図23の関連で上述した同様の方法でプラズマがPR2240中に排出されるPFCガスから形成される。プラズマからの成分は、非PFC生成物及び副生成物を生成するため電極280と282上で捕集された珪素残留物と反応する。電極280と282の間の電圧ポテンシャルは、PFCプラズマと反応するまで電極に沿って捕集された粒子物がそこにとどまることを確実にするため清浄シーケンスの間維持することもできる。しかし、電圧ポテンシャルは、好ましくは特定のプロセスのために使用される清浄なあるいは他のガスが電極をエッチングする場合、清浄シーケンスの間スイッチをオフにされる。チューブ250内部に配置されているため、電極280と282は、フッ素のような種々の高い反応性の種と接触する。従って、電極280と282は、かかる種と反応しないニッケルのような適切な伝導性の材料から造られることが重要である。
【0188】
種々の異なった静電捕捉装置は、本発明のこの及び他の具体例において使用することができる。たとえば、負に帯電したDC電圧又はAC電圧は、正に帯電したDC電圧よりも電極282に適用してもよい。また他の具体例においても、電極280と282の両方とも電極282との関係で電極280から正の又は負の電極を創る電圧発生源に連結される。本発明は、いかなる特定の静電捕集そうちに限定されるものではない。
【0189】
b)単一チューブ、マイクロ波具体例
図28は、PR2240の第6具体例の断面図である。図28において、対向する極の電極(電極286と288)は、上述のような静電捕集装置を形成するためチューブ250の円筒形体積内に交互に配列される。珪素含有及び酸素含有残留物又は同様な物は、堆積シーケンスの間電極286と288の表面上に捕集される。
【0190】
図24中に示すPR2240の具体例におけるように、図28の具体例は、マイクロ波発生器260と導波管262からのマイクロ波電力の適用により装置を通って通過するPFCガスから高密度プラズマを形成する。マグネット264は、チューブ250内でガス状の分子にさらにエネルギを与えプラズマ形成を高めるため電子サイクロン共鳴(ECR)装置内におけるようにチューブ250の外部の周りに配置される。プラズマからの成分は、PFCガスを非PFCガスに転換するため電極286と288上に捕集される珪素及び/又は酸素残留物と反応する。追加のガスは、転換プロセスを高めるためにガスライン253(図示せず)からPR2240に添加することができる。
【0191】
また、チューブ250を通って通過するPFC又は他のガスはチューブ中の漏洩又は他の欠陥の場合においてPR2240から漏出できないように第2シールを形成する容器254又は同様のケーシング機構は、図28中に示すPR2240の具体例中に示されない。
【0192】
c)内部及び外部円筒形チューブ具体例
図29は、PR2240の第7具体例の断面図である。図29中に示すPR2240の具体例は、第1内部セラミックチューブ290と第2外部セラミックチューブ292を含む。チューブ290の端部は、PR2240を通るガス流れが矢印293で示すようであるようにチューブ292の円筒形空間内にある。
【0193】
螺旋共鳴子コイル294は、図23の具体例との関係で述べたように、チューブ292の外部の周りに巻き付けられRF電力供給269の連結される。コイル294はまた、チューブ92の内部内又はチューブ90の外部あるいは内部の周りに巻くことができた。
【0194】
上記容器254と同様に、シェル297は、内部及び外部チューブ290及び292の両方を収納する。外部チューブ292は、内部チューブ290又はシェル297のいずれかとの接合によって支持されてもよい。いずれの場合においても、外部チューブ292のための支持構造が流出ガス流れをPR2240を通って通過することができる物であることが重要である。このために、支持構造は、複数の穿たれた孔を有するチューブ290及び292の間のセラミック材料の平面でもよく、チューブ290及び292の間に拡張する4つの接合あるいはフィンガから、又はそのうちの3つのみからなってもよく、又は多数の他の同等な方法で設計されてもよい。穿たれた孔を含む構造は、以下に述べるように捕集領域295内で珪素残留物あるいは他の粒子物質を捕集し捕捉することを助長することができる。この技術の当業者であれば理解できるように、この構造は、PR2240を通って圧送されたガスの流速を低下することのないよう孔が十分大きいものであるように設計されるべきである。
【0195】
PR2240のこの具体例の設計は、堆積工程の間排出される珪素残留物又は他の粒子物質の捕捉及び捕集を高める。この設計は、排出ガス流れ中の残留物及び粒子物を捕集し保持する機械的トラップとして働くチューブ292の捕集領域295を含む。残留物及び粒子物は、トラップ中に保持され、このため清浄シーケンスの間に形成されるPFCプラズマの成分と反応することができる。
【0196】
PR2240のこの具体例の機械的トラップ部分の操作は、粒子物をPR2装置を通って真空ライン中へ一掃しようとする流出ガス流れ通路にもかかわらずトラップ内に粒子物質を保持するために働く重力に一部に依拠する。このように一部、PR2240の有効性は、それらがガス状生成物に反応するまで粒子物をチューブ292を離れることを防止することに依存する。このため、PR2240が捕集領域295がPR2への入口から下流にあるように配置されること及び外部チューブ292の長さが重力との組み合わせでこのトラップを創るのに十分であることが重要である。
【0197】
PR2240の平面AAに沿ってガス通路の断面領域の増大は、さらに粒子物の捕捉を助長する。任意の所定の堆積プロセスにおける流出ガス流れの流速は、一般に一定である。このように、1以上の通路の断面領域の増大は、ガス流れ中の粒子物の速度を減少し、これに対応して粒子物上の中性牽引力を減少する。粒子上の重力が中性牽引力を超える場合、PR2240の重力トラップ内の重力によって捕捉される。
【0198】
機械的トラップの有効性をさらに高めるため、DC電力供給284に連結された電極296と298を含む静電捕集器272は、図27に関して議論したように使用することができる。
【0199】
d)機械的及び静電捕捉機構を含む迷路状具体例
図30(a)は、本発明のPFC低減装置のたの好適な具体例において使用されるガス通路モジュール310の側方透視断面図である。図30(a)において、一対の対向する電極320と322は、処理チャンバ15から排出されるガスが通過するガス通路(流体導管)を画成する。モジュール310は、チャンバ15から排出される全粒子物がモジュール内で捕捉され捕集されることを確実にするため静電及び機械的捕捉機構の両方を含む。
【0200】
静電トラップは、図27のに関連して上述したように電極の1つへのDC電圧の適用によって形成される。この方法で、正に帯電した粒子物は、1つの電極上に捕集され、負に帯電した粒子物は、他の上で捕集される。
【0201】
機械的トラップはさらに捕集領域324中で粒子物を捕集するために一部重力に依拠することにより珪素粒子物及び残留物を捕集する。各捕集領域324は、粒子物をPR2装置を通って真空ライン中に一掃しようとする流出ガス流れ通路にもかかわらずセグメントの底部領域内に粒子物が捕集され保持されるように配置されているガス通路のU形セグメントを含む。勿論、モジュール310は、捕集領域324がモジュールの反対側上であるように上下反対することができた。
【0202】
清浄シーケンスの間、RF電力は、モジュールを通って通過するPFCガスの誘電的に結合されるプラズマを発生するために電極の1つに適用される。好ましくは、電極320と322は、実質的に等価の表面領域をもつように設計される。かかる設計は、均一なプラズマが電極によって画成される全領域/通路にわたって引き起こされることを可能にする。上記の具体例におけるように、プラズマからの成分は、PFCガスを非PFCガスに転換するために珪素粒子物及び残留物と反応する。
【0203】
静電捕集器と機械的トラップの組み合わせは、チャンバから排出される珪素残留物を捕集するため特に効果的な機構を提供する。事実、かかる組み合わせは、これにより真空ライン331中の堆積の蓄積を除去あるいは防止の追加的利点である100%近い捕集効率を提供することができる。図8とDPA40の関係で上述したように、機械的トラップセクションは、これら粒子物が重力により捕集チャンバ324内で保持されやすいために、流出ガス流れ中に存在する比較的大きい粒子物を捕捉することに特に効果的である。一方、静電トラップは、単に機械的トラップにより捕捉されない流出ガス流れ中のより小さい粒子物を捕集し捕捉することにおいて特に効果的である。また、前述のように、電極間の温度勾配のためのサーモフォレンチック力はまた粒子物を捕捉するために使用することもできる。
【0204】
図30(a)中で示すモジュールは、PR2240の種々の他の具体例の一部として使用してもよい。かかる具体例の1つは、モジュールの他の同様な部分の頂部上に積み重ねられる図30(a)のガス通過モジュール設計の一部を使用する本発明のPFC低減装置の具体例の側方透視断面図である図30(b)中に示す。勿論、図30(a)中に示すモジュール又は同様なモジュールは可能である。たとえば、3、4又はそれ以上のモジュールは、粒子物捕集のために増大された電極表面を有する比較的長いガス通路を創るためシーケンス中に配置してもよい。また、3、4又はそれ以上のモジュールは、互いの頂部上で積み重ねられ、図30(b)中に示す具体例と同様な方法で連結される。モジュール310はまた、PFCプラズマからの成分が反応する珪素の追加的発生源を含むフィルタエレメントを装備してもよい。モジュール310上の他の設計変化の可能性は、殆ど無限である。
【0205】
図30(b)において、チャンバ15からの流出ガスは、入口330を通ってPR2340に入り、出口332を通って出る。分離器334は、ガスが矢印323に従って電極320と322によって画成される迷路状通路を通って流れることを確実にする。PR2340が垂直に向けられるとき、入口330が軸AAに沿って上側にあるとき、通路を通って排出されるより大きい粒子物は、重力の下で捕集領域324中で捕集される傾向にある。PR2340が垂直に目蹴られるとき、入口324が軸BBに沿って上部側にあるとき、通路から排出されるより大きい粒子は、捕集領域325中で捕集される傾向にある。
【0206】
DC発生器338は、電極320が接地される一方、堆積及び清浄シーケンスの両方の間電極322に正のDC電圧を提供する。このため、負に帯電した粒子物は、電極322の表面上で捕集する傾向があり、正に帯電した粒子物は、電極320の表面上で捕集する傾向がある。
【0207】
他の具体例におけるように、RF発生器336は、電極320と322の間の通路において流出PFCガスからプラズマを形成するために清浄シーケンスの間電極322にRF電力を提供する。プラズマは、PFCガスを非PFCガス状生成物及び副生成物に転換するために捕集領域324あるいは325において及び電極320と322に沿って捕集された珪素と反応する。DC/RFフィルタ340は、RF電力供給がDC発生器338と干渉することを防ぐ。しかし、DC及びRF電力は、322より電極320の適用されるとき、安全と放射線の問題に関して電極320が接地されることが好ましい。
【0208】
3.PFC低減DPAsに関する実験的使用及びテスト結果
本発明の有効性を証明するために、実験は、プロトタイプPR2340が8インチウェハ用に装備されたプレシジョン5000チャンバに取り付けられた中で実施された。プレシジョン5000チャンバは、本発明の譲受人であるアプライドマテリアルズによって製造される。
【0209】
実験において、プロトタイプPR2は、フィルタ351がセラミックチューブ350内に含まれておらず追加のガス供給ライン353が存在しないことを除いて、図21のPR2340と同様であった。PR2の全長は、約25インチであり、チューブ350の直径は、約1.5インチであった。PR2は、チャンバの下流で、スロットルバルブの直後のプレシジョン5000チャンバに取り付けられた。
【0210】
実験は、3つの異なった工程においてCF4及びN2O清浄シーケンスから排出される流出ガスを分析した。流出ガスは、MKSコーポレーションにより製造されたMKS300シリーズ残留ガス分析器(RGA)を使用する各工程の間監視された。測定は、チャンバからおよそ20フィート下流で、真空ポンプの直前で実施された。このため、安定な種のみがRGAによって検出されるものと考えられた。質量スペクトル分析が非常に複雑であるため、堆積工程は、清浄工程前に実施されなかった。
【0211】
実験のための条件は、以下の通りであった。チャンバ内の圧力は、2torrに設定され維持され、PR2中の0.5torrの対応する圧力に結果としてなった。CF4とN2Oは、それぞれ500sccmの速度でチャンバ中に導入された。PR2中で形成されたプラズマが900ワット(RF2)において13.56MHz電力供給により運転されたが、チャンバ中で形成されたプラズマは1000ワット(RF1)において13.56MHz電力供給により運転された。
【0212】
実験の第1工程に関し、清浄ガスは、プラズマを形成することなく、チャンバ中に導入されチャンバとPR2を通って流れることを許された。第2工程において、PR2内ではなくプレシジョン5000チャンバ内で形成された。第3工程において、プラズマは、チャンバとPR2の両方において形成された。これらの実験の結果は、図30(b)中に示す。第1工程は、プロセスから排出されるスペクトラを決定することを助け、CF4排出物の比較分析のための基礎を設定した。
【0213】
図31プラズマがチャンバ及びPR2の両方の中で清浄ガスから形成されたときに得られた質量スペクトルを示す。RGA装置がそれらをイオン化することによってガスを検出することを留意することは重要である。このため、CF3 +、CF2 +及びCF+イオンの検出は、流出CF4を意味する。図31において、ピーク(括弧で示す)は、C+(12)、N+(14)、F+(19)、CF+(31)、O2 +(32)、F2 +(38)、N2O+(44)、CF2 +(50)及びCF3 +(69)の対応して検出された。各ピークは、最初のガス状反応物、CF4及びN2Oの分解の生成物に対応する。CO+(28)、CO2 +(44)、COF+(47)、COF2 +(66)及びCOF3 +(85)に対応するピークは、チャンバとPR2中で起きる反応の副生成物に対応する。可能性のある誤解は、CO2 +及びN2O+(ライン44)のオーバーラップのために起こる。しかし、CF4とN2Oのスペクトルを単独で記録しプラズマなしで応答を記録することにより、及びRF1とRF2がオンである場合、ライン44におけるピークが90%CO2 +と10%N2O+を意味するということを決定することができる。
【0214】
定性的には、CF4の減少は、CF3 +(69)、CF2 +(50)、CF+(31)のピークの応答が減少するとき観察される。さらに、分解の証拠は、N2Oに対応するピークの応答が減少するとき観察される。反応のガス状副生成物、CO+(28)、CO2 +(44)、COF+(47)、COF2 +(66)及びCOF3 +(85)の応答は、CF4減少に比例して増加する。
【0215】
図32は、実験の3工程の各間にRGAにより測定された特定のガスの展開ピークを示す。特に、図32は、ピーク44(N2O+)、69(CF3 +)及び28(CO+)の応答を示す。図32中に示す最初の80秒は、プラズマがチャンバ内あるいはPR2内で形成されないとき、これらのガスのピークの応答を示す。次の80秒間、プラズマはチャンバ内においてのみ形成され、最後にプラズマは160から240秒の間チャンバとPR2中において形成される。
【0216】
図32から明らかなように、プラズマがチャンバ内で引き起こされるとき、排出されるCF4とN2Oの量は減少し排出されるCO(CF4転換プロセスの主な副生成物)は増加する。さらにPR240を活性化すること(及びこのためPR240内でプラズマを形成すること)は、CF4排出物を減少し、約30%の全CF4減少を結果として生ずる。
【0217】
他の具体例において、結果は示していないが、約50%の全減少は、PR2内の圧力を約2torrまで増大することによって達成された。このため、これら予備的実験は本発明のそうちがPFC減少において好結果であることを示す。さらなる減少は、本願内で議論した1又はそれ以上の追加的PR2特徴を組み込むことによって達成することができる。また、CF4が転換することが最も困難なPFCガスの1つとして一般的に認識されているため、さらなる実験の結果は、大部分の他のPFCガスの転換のさらによりよい結果を生み出す。
【0218】
本発明の数具体例を十分に記述したように、本発明にしたがって真空ラインから粒子物を除去する、多くの他の同等なあるいは代替の装置及び方法は、この技術の当業者に明らかであろう。また、本発明にしたがって、処理チャンバからPFC排出物を低減する、多くの同等なあるいは代替の装置及び方法は、この技術の当業者に明らかであろう。さらに、本発明が明確化及び理解の目的のための図や例によって詳細に記述したが、ある変化及び変形がなし得ることは自明のことである。たとえば、1つの具体例において本発明の機械的粒子物トラップが外部通路によって取り巻かれた内部通路に関して記述されたが、かかるトラップは、第2通路内に周辺的に含まれないが代わりに第1通路から離れてあるいは上方に拡張する、第1通路で創ることができる。他の例において、開示された具体例の任意におけるガス通路は、図30(a)及び30(b)に関して示し議論した通路と同様の方法で又は他の方法で迷路状形(及びこのため重力トラップを含む)に設計することができる。珪素粒子物捕捉具体例は、電極上に捕集された珪素残留物の量が不十分である場合、PFC分解を高めるために石英あるいは他の珪素含有化合物で満たされた分離したフィルタエレメントを含むことができる。また、珪素フィルタなしの及び粒子物捕捉システムなしの具体例も可能である。これらの具体例において、PFC転換反応のためのSiH4又はO2のようなガスは、ライン253のようなガス供給ラインを通ってPR2340中に導入される。さらに、図19(a)と(b)及び21(a)と(b)中に示すDPA40の具体例において使用したようなマグネトロンは、PR240の種々の具体例においてプラズマ形成のために使用することができる。理解された自明の変化及び変形に沿ったこれらの同等物及び代替物は、本発明の範囲内に含まれることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の装置が取り付けられる単純化した化学気相堆積装置の1つの具体例を示す。
【図2】本発明を化学気相堆積装置に関連させる1方法を示す。
【図3】本発明を図1の化学気相堆積装置に関連させる第2の方法を示す。
【図4】(a)は、扉なしで粒子物低減(真空ライン清浄)のために最適化された本発明の好適な装置の透視図である。
(b)は、扉なしで図4(a)中に示す真空ライン清浄装置の正面図である。
【図5】(a)は、装置の中心の平面から見た図4(a)中に示す真空ライン清浄装置の正面透視断面図である。
(b)は、装置の中心の平面から見た図4(a)中に示す真空ライン清浄装置の側方透視断面図である。
【図6】(a)は、図4(a)中に示す真空ライン清浄装置への連結を通じた電力フィードの断面図である。
(b)は、扉を含む図4(a)中に示す真空ライン清浄装置の透視図である。
【図7】図4(a)中に示す電極に連結されそれを含む回路の電気的ダイヤグラムである。
【図8】例示的窒化珪素堆積工程により発生した粒子物に関し本発明の真空ライン清浄装置の1具体例における静電捕集器の効果を示すグラフである。
【図9】本発明の真空ライン清浄装置の1具体例内の粒子物上の中性牽引力と比較して静電的、重力的及びサーモフォレンチック力の効果を示す。
【図10】15秒の窒化珪素堆積プロセス後の真空フォアライン内部の珪素片上の残留物の蓄積の量を示す顕微鏡写真である。
【図11】図8中に示す残留物の1つの粒子の原子的粒子サイズを示す顕微鏡写真である。
【図12】本発明のテストに先だって実施された実験の間真空フォアライン内部の珪素片上に堆積した粒子物質のサイズを示す顕微鏡写真である。
【図13】本発明の真空ライン清浄装置の第2具体例の側方断面図である。
【図14】本発明の真空ライン清浄装置の第3具体例の側方断面図である。
【図15】(a)は、本発明の真空ライン清浄装置の第4具体例の側方断面図である。
(b)は、図15(a)の装置中に排出された粒子物に関し図15(a)の装置中で使用された静電トラップの効果を示すダイヤグラムである。
(c)は、図15(a)の装置中に排出された粒子物に関し図15(a)の装置中で使用された静電トラップの効果を示すダイヤグラムである。
【図16】(a)は、本発明の真空ライン清浄装置のさらに他の具体例の側方断面図である。
(b)は、図16(a)中に示す真空ライン清浄装置の具体例における1の電極の他への表面領域比を示すダイヤグラムである。
【図17】図16(a)中で示す真空ライン清浄装置の具体例の電気的ダイヤグラムである。
【図18】(a)は、本発明の真空ライン清浄装置の他の具体例の側方断面図である。
(b)は、図18(a)中に示す真空ライン清浄装置の透視図である。
【図19】(a)は、プラズマを形成するためにマイクロ波電力を使用する本発明の真空ライン清浄装置の具体例の側方断面図である。
(b)は、図19(a)の真空ライン清浄装置の正面図である。
【図20】(a)は、図19(a)の装置中のマイクロ波電力供給により発生する電圧波形を示すダイヤグラムである。
(b)は、図19(a)の装置中のマイクロ波電力供給により発生する電圧波形を示すダイヤグラムである。
(c)は、図19(a)の装置中のマイクロ波電力供給により発生する電圧波形を示すダイヤグラムである。
【図21】(a)は、プラズマを形成するためにマイクロ波電力を使用する本発明の真空ライン清浄装置の第2具体例の側方断面図である。
(b)は、図19(a)の真空ライン清浄装置の正面図である。
【図22】発明の有効性を評価するテストを実施する際に使用される本発明の真空ライン清浄装置の1具体例のプロトタイプの側方断面図である。
【図23】PFC低減のために最適化された本発明の装置の1具体例の側方断面図である。
【図24】本発明のPFC低減装置の第2具体例の側方断面図である。
【図25】本発明のPFC低減装置の第3具体例の側方断面図である。
【図26】本発明のPFC低減装置の第4具体例の側方断面図である。
【図27】本発明のPFC低減装置の第5具体例の側方断面図である。
【図28】本発明のPFC低減装置の第6具体例の側方断面図である。
【図29】本発明のPFC低減装置の第7具体例の側方断面図である。
【図30】(a)は、本発明のPFC低減装置の他の具体例において使用されるガス通路モジュールの側方断面図である。
(b)は、図30(a)のガス通路モジュール設計を使用する本発明のPFC低減装置の具体例の側方断面図である。
【図31】CF4及びN2O清浄ガスからのプラズマの形成後得られる質量スペクトルデータを示すグラフである。
【図32】本発明の1具体例をテストするために設計された実験の間に測定された特定のガスの展開ピークを示すグラフである。
Claims (5)
- 処理チャンバからのパーフルオロ化合物(PFC)の排出を低減するための装置であって、
内部チャンバを囲む電極壁を含む第1の電極であって、前記電極壁は、前記内部チャンバと連通する入口及び出口を画成している、第1の電極と、
前記内部チャンバの中に設けられた第2の電極であって、前記第1及び第2の電極は、互いに対向する表面を有し、該対向する表面の間に流体導管が画成されており、該流体導管は、前記入口を前記出口に連通させると共に、該入口と該出口との間に1以上の捕集チャンバを画成しており、該捕集チャンバは、前記流体導管を流通する粒状物質を捕集すると共に、該捕集チャンバから粒状物質が出て行くことを抑制するように構成され且つ配置されている、第2の電極と、
前記流体導管の前記入口に連結された流出PFCガスの発生源と、
前記流体導管内のPFC酸化剤と、
前記第1及び第2の電極に有効に接続され、前記第1及び第2の電極間に電圧を印加して、前記第1及び第2の電極の前記対向する表面に、帯電した粒状物質を捕集する手段と、
を含む装置。 - 前記PFC酸化剤が前記流体導管内に配置されたフィルタを含むものであり、前記フィルタがシリコン含有化合物を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記シリコン含有化合物が固体多孔性酸化珪素含有材料を含むものである、請求項2に記載の装置。
- 前記導管チャンバに連通し、前記PFC酸化剤を前記流体導管に供給するガス供給ラインを更に備える請求項1に記載の装置。
- 処理チャンバからのパーフルオロ化合物(PFC)の排出を低減するための装置であって、
入口と出口を有する流体導管を画成する導管チャンバと、
前記流体導管内に存在するPFCガスをプラズマ状態に励起し得るプラズマ発生システムであって、互いに対向する表面を有する第1の電極及び第2の電極を含み、該対向する表面は、前記導管チャンバの一部を成し、且つ、前記流体導管及び前記流体導管内において前記入口と前記出口との間に位置する捕集チャンバの双方を画成し、該捕集チャンバは、前記流体導管を流通するシリコン含有残留物及び粒状物質を含むPFC酸化剤を重力を用いて捕集すると共に、前記捕集チャンバから前記シリコン残留物及び前記粒状物質が出て行くことを抑制するように構成され且つ配置されている、プラズマ発生システムと、
前記第1の電極及び前記第2の電極に有効に接続され、前記第1及び第2の電極間に電圧を印加して、前記第1及び第2の電極の前記対向する表面に、帯電したシリコン含有残留物及び粒状物質を捕集する手段と、
を備える装置。
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Families Citing this family (109)
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US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
US6193802B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
US6888040B1 (en) * | 1996-06-28 | 2005-05-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for abatement of reaction products from a vacuum processing chamber |
FR2757082B1 (fr) * | 1996-12-13 | 1999-01-15 | Air Liquide | Procede d'epuration d'un gaz plasmagene et installation pour la mise en oeuvre d'un tel procede |
US7569790B2 (en) | 1997-06-26 | 2009-08-04 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
US8779322B2 (en) | 1997-06-26 | 2014-07-15 | Mks Instruments Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
US6497801B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
DE19847848C1 (de) * | 1998-10-16 | 2000-05-11 | R3 T Gmbh Rapid Reactive Radic | Vorrichtung und Erzeugung angeregter/ionisierter Teilchen in einem Plasma |
US7438788B2 (en) * | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7189318B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
EP1192298A4 (en) * | 1999-04-13 | 2006-08-23 | Semitool Inc | APPENDIX FOR THE ELECTROCHEMICAL TREATMENT OF A WORKPIECE |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US20030038035A1 (en) * | 2001-05-30 | 2003-02-27 | Wilson Gregory J. | Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
US6689252B1 (en) | 1999-07-28 | 2004-02-10 | Applied Materials, Inc. | Abatement of hazardous gases in effluent |
US6468490B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Abatement of fluorine gas from effluent |
US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
JP2001132638A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-05-18 | Ebara Corp | トラップ装置 |
US6367412B1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Porous ceramic liner for a plasma source |
US6673323B1 (en) | 2000-03-24 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Treatment of hazardous gases in effluent |
US6391146B1 (en) | 2000-04-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant gas energizer |
JP2001284267A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Canon Inc | 排気処理方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US20050183959A1 (en) * | 2000-04-13 | 2005-08-25 | Wilson Gregory J. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece |
US6576202B1 (en) | 2000-04-21 | 2003-06-10 | Kin-Chung Ray Chiu | Highly efficient compact capacitance coupled plasma reactor/generator and method |
US6863019B2 (en) | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
AU2001282879A1 (en) * | 2000-07-08 | 2002-01-21 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology |
US6747734B1 (en) | 2000-07-08 | 2004-06-08 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for processing a microelectronic workpiece using metrology |
US6428673B1 (en) * | 2000-07-08 | 2002-08-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for electrochemical processing of a microelectronic workpiece, capable of modifying processing based on metrology |
US20050061676A1 (en) * | 2001-03-12 | 2005-03-24 | Wilson Gregory J. | System for electrochemically processing a workpiece |
US6602323B2 (en) | 2001-03-21 | 2003-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for reducing PFC emission during semiconductor manufacture |
US6733827B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-05-11 | The Procter & Gamble Co. | Processes for manufacturing particles coated with activated lignosulfonate |
FR2825295B1 (fr) * | 2001-05-31 | 2004-05-28 | Air Liquide | Application des plasmas denses crees a pression atmospherique au traitement d'effluents gazeux |
US6824748B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Heated catalytic treatment of an effluent gas from a substrate fabrication process |
US20020185067A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for in-situ cleaning of a throttle valve in a CVD system |
US7037862B2 (en) * | 2001-06-13 | 2006-05-02 | Micron Technology, Inc. | Dielectric layer forming method and devices formed therewith |
US7220396B2 (en) * | 2001-07-11 | 2007-05-22 | Battelle Memorial Institute | Processes for treating halogen-containing gases |
US6962679B2 (en) | 2001-07-11 | 2005-11-08 | Battelle Memorial Institute | Processes and apparatuses for treating halogen-containing gases |
US7060234B2 (en) | 2001-07-18 | 2006-06-13 | Applied Materials | Process and apparatus for abatement of by products generated from deposition processes and cleaning of deposition chambers |
US6730354B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-05-04 | Agilent Technologies, Inc. | Forming ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 films |
AU2002343330A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-10 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6837250B2 (en) * | 2002-02-27 | 2005-01-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | CVD chamber cleaning using mixed PFCs from capture/recycle |
US7390755B1 (en) | 2002-03-26 | 2008-06-24 | Novellus Systems, Inc. | Methods for post etch cleans |
US6719641B2 (en) * | 2002-04-26 | 2004-04-13 | Nicklaus Golf Equipment Company | Golf iron having a customizable weighting feature |
US20040108212A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Lyndon Graham | Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces |
ITPD20020316A1 (it) * | 2002-12-11 | 2004-06-12 | Mauro Schiavon | Dispositivo e metodo per la creazione di fullereni e/o nanotubi |
US20040129385A1 (en) * | 2003-01-02 | 2004-07-08 | International Business Machines Corporation | Pre-loaded plasma reactor apparatus and application thereof |
TWI230094B (en) * | 2003-01-14 | 2005-04-01 | Desiccant Technology Corp | Method for exhaust treatment of perfluoro compounds |
KR100505670B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 부산물 제거용 고온 유체 공급 장치를 구비한 반도체 소자제조 장치 |
FR2863103B1 (fr) | 2003-12-01 | 2006-07-14 | Cit Alcatel | Systeme de traitement des gaz par plasma integre dans une pompe a vide |
US7569193B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants |
US20050148199A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-07 | Frank Jansen | Apparatus for atomic layer deposition |
US20050250347A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-11-10 | Bailey Christopher M | Method and apparatus for maintaining by-product volatility in deposition process |
JP4895612B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2012-03-14 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス処理方法および排ガス処理装置 |
US20050238816A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Li Hou | Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates |
GB0415560D0 (en) * | 2004-07-12 | 2004-08-11 | Boc Group Plc | Pump cleaning |
US7288484B1 (en) | 2004-07-13 | 2007-10-30 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist strip method for low-k dielectrics |
WO2006078340A2 (en) * | 2004-11-08 | 2006-07-27 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
US7736599B2 (en) * | 2004-11-12 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Reactor design to reduce particle deposition during process abatement |
US8193096B2 (en) | 2004-12-13 | 2012-06-05 | Novellus Systems, Inc. | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry |
US7202176B1 (en) * | 2004-12-13 | 2007-04-10 | Novellus Systems, Inc. | Enhanced stripping of low-k films using downstream gas mixing |
US8129281B1 (en) | 2005-05-12 | 2012-03-06 | Novellus Systems, Inc. | Plasma based photoresist removal system for cleaning post ash residue |
US20060276049A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Bailey Christopher M | High efficiency trap for deposition process |
GB0522088D0 (en) * | 2005-10-28 | 2005-12-07 | Boc Group Plc | Plasma abatement device |
JP5102217B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2012-12-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プロセス削減反応器 |
GB0523947D0 (en) * | 2005-11-24 | 2006-01-04 | Boc Group Plc | Microwave plasma system |
EP1816668A2 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-08 | FEI Company | Particle-optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure |
US20070267143A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Applied Materials, Inc. | In situ cleaning of CVD system exhaust |
US20080081130A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Applied Materials, Inc. | Treatment of effluent in the deposition of carbon-doped silicon |
US7740768B1 (en) | 2006-10-12 | 2010-06-22 | Novellus Systems, Inc. | Simultaneous front side ash and backside clean |
DE102006052586B4 (de) * | 2006-11-08 | 2008-07-03 | Schott Solar Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung der Abgase einer Siliziumdünnschicht-Produktionsanlage |
US7655930B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-02-02 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source arc chamber seal |
US8435895B2 (en) * | 2007-04-04 | 2013-05-07 | Novellus Systems, Inc. | Methods for stripping photoresist and/or cleaning metal regions |
JP4950763B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2012-06-13 | 大陽日酸株式会社 | プラズマ生成装置 |
CN102112650A (zh) * | 2008-02-12 | 2011-06-29 | 株式会社iMott | 类金刚石碳膜成膜装置及形成类金刚石碳膜的方法 |
KR100876983B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2009-01-07 | (주)여진 | Pcb 제조 공정에서 발생하는 산화 및 악취가스처리시스템 |
US9997325B2 (en) * | 2008-07-17 | 2018-06-12 | Verity Instruments, Inc. | Electron beam exciter for use in chemical analysis in processing systems |
JP5460982B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 弁体、粒子進入阻止機構、排気制御装置及び基板処理装置 |
US20100051612A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Hans Magnus Fagrell | Microwave heater and method of heating |
US8591661B2 (en) | 2009-12-11 | 2013-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Low damage photoresist strip method for low-K dielectrics |
US8707899B2 (en) * | 2009-02-26 | 2014-04-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
US7993937B2 (en) * | 2009-09-23 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | DC and RF hybrid processing system |
US20110143548A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | David Cheung | Ultra low silicon loss high dose implant strip |
CN102652351B (zh) * | 2009-12-11 | 2016-10-05 | 诺发系统有限公司 | 在高剂量植入剥除前保护硅的增强式钝化工艺 |
US20110195202A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | Applied Materials, Inc. | Oxygen pump purge to prevent reactive powder explosion |
US9613825B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist strip processes for improved device integrity |
KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
EP2807902B1 (en) * | 2012-01-23 | 2020-08-19 | CONNORS, Robert W. | Compact microwave oven |
WO2015134197A1 (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma abatement of compounds containing heavy atoms |
JP6018665B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2016-11-02 | コリア・インスティテュート・オブ・マシナリー・アンド・マテリアルズKorea Institute Of Machinery & Materials | 汚染物質除去用プラズマ反応器 |
US9514954B2 (en) | 2014-06-10 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films |
KR101638325B1 (ko) | 2014-09-03 | 2016-07-12 | 노영석 | 분리막시스템과 스크러버가 일체로 이루어지는 과불화화합물 분리시스템 |
WO2016051465A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 株式会社日立国際電気 | 大気圧誘導結合プラズマ装置 |
JP2017537435A (ja) * | 2014-10-15 | 2017-12-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 耐腐食性軽減システム |
US10187966B2 (en) * | 2015-07-24 | 2019-01-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gas abatement |
GB2541214A (en) * | 2015-08-12 | 2017-02-15 | Edwards Ltd | Plasma generator |
US10337105B2 (en) * | 2016-01-13 | 2019-07-02 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for valve deposition cleaning and prevention by plasma discharge |
US10535506B2 (en) | 2016-01-13 | 2020-01-14 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for deposition cleaning in a pumping line |
US11332824B2 (en) * | 2016-09-13 | 2022-05-17 | Lam Research Corporation | Systems and methods for reducing effluent build-up in a pumping exhaust system |
US11031252B2 (en) * | 2016-11-30 | 2021-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Compant, Ltd. | Heat shield for chamber door and devices manufactured using same |
KR102686242B1 (ko) | 2017-01-23 | 2024-07-17 | 에드워드 코리아 주식회사 | 질소 산화물 감소 장치 및 가스 처리 장치 |
KR102646623B1 (ko) * | 2017-01-23 | 2024-03-11 | 에드워드 코리아 주식회사 | 플라즈마 발생 장치 및 가스 처리 장치 |
US10861681B2 (en) * | 2017-05-19 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for collection and subsequent reaction of liquid and solid effluent into gaseous effluent |
KR20210010943A (ko) * | 2018-06-15 | 2021-01-28 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱 시스템의 배기부의 펌프로부터 증착물들을 제거하기 위한 세정 시스템 |
US11745229B2 (en) | 2020-08-11 | 2023-09-05 | Mks Instruments, Inc. | Endpoint detection of deposition cleaning in a pumping line and a processing chamber |
US11664197B2 (en) | 2021-08-02 | 2023-05-30 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for plasma generation |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA128732A (en) | 1910-07-25 | 1910-10-18 | Lars O. Lundgren | Suction pump for cleaning drain pipes |
US3795557A (en) * | 1972-05-12 | 1974-03-05 | Lfe Corp | Process and material for manufacturing semiconductor devices |
JPS51129868A (en) | 1975-05-07 | 1976-11-11 | Fujitsu Ltd | A process for treatment of waste gas |
GB1550853A (en) * | 1975-10-06 | 1979-08-22 | Hitachi Ltd | Apparatus and process for plasma treatment |
JPS5278176A (en) | 1975-12-25 | 1977-07-01 | Chiyoda R & D | Discharge reactor for gases |
JPS56500067A (ja) | 1978-12-29 | 1981-01-22 | ||
JPS58101722A (ja) | 1981-12-10 | 1983-06-17 | Fujitsu Ltd | 排気ガス処理装置 |
JPS5970763A (ja) | 1982-10-12 | 1984-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS59181619A (ja) | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
JPS60114570A (ja) | 1983-11-25 | 1985-06-21 | Canon Inc | プラズマcvd装置の排気系 |
DE3414121A1 (de) | 1984-04-14 | 1985-10-24 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren und vorrichtung zur reinigung von abgasen |
US4657738A (en) | 1984-04-30 | 1987-04-14 | Westinghouse Electric Corp. | Stack gas emissions control system |
JPS60234313A (ja) | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
US5137701A (en) | 1984-09-17 | 1992-08-11 | Mundt Randall S | Apparatus and method for eliminating unwanted materials from a gas flow line |
JPS6328869A (ja) | 1986-07-22 | 1988-02-06 | Nec Corp | Cvd装置 |
US5000113A (en) | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
JPH0757297B2 (ja) | 1987-04-22 | 1995-06-21 | 日本真空技術株式会社 | 真空排気系用微粒子トラツプ |
JPH0757298B2 (ja) | 1987-05-19 | 1995-06-21 | 日本真空技術株式会社 | 真空排気系用微粒子捕集装置 |
US4735633A (en) | 1987-06-23 | 1988-04-05 | Chiu Kin Chung R | Method and system for vapor extraction from gases |
US4830702A (en) | 1987-07-02 | 1989-05-16 | General Electric Company | Hollow cathode plasma assisted apparatus and method of diamond synthesis |
JPH01171227A (ja) | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Cvd方法 |
JP2671009B2 (ja) | 1988-05-13 | 1997-10-29 | 増田 佳子 | 超微粒子の回収方法及びその回収装置 |
JPH02125876A (ja) | 1988-11-01 | 1990-05-14 | Fujitsu Ltd | Cvd装置の排気機構 |
JPH02159018A (ja) | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nec Corp | 減圧式気相成長装置 |
US5141714A (en) | 1989-08-01 | 1992-08-25 | Kabushiki Kaisha Riken | Exhaust gas cleaner |
JPH03253571A (ja) | 1990-03-02 | 1991-11-12 | Hitachi Ltd | 排気装置および化学気相成長装置 |
EP0454346A1 (en) | 1990-04-21 | 1991-10-30 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Exhaust particulate filter |
JPH04136175A (ja) | 1990-09-26 | 1992-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
US5451378A (en) | 1991-02-21 | 1995-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Photon controlled decomposition of nonhydrolyzable ambients |
US5211729A (en) | 1991-08-30 | 1993-05-18 | Sematech, Inc. | Baffle/settling chamber for a chemical vapor deposition equipment |
US5279669A (en) | 1991-12-13 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions |
JPH05202474A (ja) | 1992-01-24 | 1993-08-10 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Cvd装置の排気ガスの異物捕獲方法 |
US5323013A (en) | 1992-03-31 | 1994-06-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of rapid sample handling for laser processing |
US5417826A (en) | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
JP3111663B2 (ja) | 1992-07-28 | 2000-11-27 | ソニー株式会社 | プラズマ装置 |
DE4319118A1 (de) | 1993-06-09 | 1994-12-15 | Breitbarth Friedrich Wilhelm D | Verfahren und Vorrichtung zur Entsorgung von Fluorkohlenstoffen und anderen fluorhaltigen Verbindungen |
JP3178947B2 (ja) | 1993-08-31 | 2001-06-25 | 株式会社東芝 | 薄膜形成方法 |
JP3368018B2 (ja) | 1993-10-29 | 2003-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理方法および装置 |
US5453125A (en) | 1994-02-17 | 1995-09-26 | Krogh; Ole D. | ECR plasma source for gas abatement |
US5569810A (en) * | 1994-03-18 | 1996-10-29 | Samco International, Inc. | Method of and system for processing halogenated hydrocarbons |
JPH0910544A (ja) | 1995-06-27 | 1997-01-14 | Alpha Tec:Kk | 除害装置及び成膜装置及びエッチング装置 |
US5750823A (en) * | 1995-07-10 | 1998-05-12 | R.F. Environmental Systems, Inc. | Process and device for destruction of halohydrocarbons |
US6045618A (en) | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
US5827370A (en) | 1997-01-13 | 1998-10-27 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for reducing build-up of material on inner surface of tube downstream from a reaction furnace |
-
1996
- 1996-10-30 US US08/741,272 patent/US6187072B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-24 EP EP01106259A patent/EP1145759B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-24 DE DE69623583T patent/DE69623583T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-24 EP EP96309542A patent/EP0781599B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-24 DE DE69632275T patent/DE69632275T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-26 JP JP35988396A patent/JP3992315B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-27 KR KR1019960073539A patent/KR100271694B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-08-03 US US09/632,502 patent/US6517913B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6187072B1 (en) | 2001-02-13 |
US6517913B1 (en) | 2003-02-11 |
EP0781599B1 (en) | 2002-09-11 |
EP1145759A1 (en) | 2001-10-17 |
EP1145759B1 (en) | 2004-04-21 |
DE69623583D1 (de) | 2002-10-17 |
JPH09321037A (ja) | 1997-12-12 |
DE69632275D1 (de) | 2004-05-27 |
DE69632275T2 (de) | 2005-04-21 |
EP0781599A3 (en) | 1997-10-29 |
KR100271694B1 (ko) | 2000-12-01 |
EP0781599A2 (en) | 1997-07-02 |
DE69623583T2 (de) | 2003-01-09 |
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---|---|---|
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