JPS60234313A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS60234313A JPS60234313A JP8943084A JP8943084A JPS60234313A JP S60234313 A JPS60234313 A JP S60234313A JP 8943084 A JP8943084 A JP 8943084A JP 8943084 A JP8943084 A JP 8943084A JP S60234313 A JPS60234313 A JP S60234313A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
- C23C16/20—Deposition of aluminium only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はプラズマを利用して成膜やエツチングを行なう
処理技術に関し、特に半導体装置の製造におけるプラズ
マ処理に利用して有効な技術に関するものである。
処理技術に関し、特に半導体装置の製造におけるプラズ
マ処理に利用して有効な技術に関するものである。
半導体装置の製造に必要不可欠の工程としてエツチング
工程や成膜工程が挙けられるが、近年のこの種の処理工
程にはプラズマを利用した処理が多用されてきている◇
即ち、プラズマＣＶＤ 、プラズマスパッタ、プラズマ
イオンエツチング法等であシ、チャンバ内を所要の真空
圧に保った上でチャンバ内の対電極間に高周波エネルギ
を印加することにより両電極間にプラズマを発生させ、
このプラズマによるイオンエネルギによって成膜やエツ
チングを行なうものである。
工程や成膜工程が挙けられるが、近年のこの種の処理工
程にはプラズマを利用した処理が多用されてきている◇
即ち、プラズマＣＶＤ 、プラズマスパッタ、プラズマ
イオンエツチング法等であシ、チャンバ内を所要の真空
圧に保った上でチャンバ内の対電極間に高周波エネルギ
を印加することにより両電極間にプラズマを発生させ、
このプラズマによるイオンエネルギによって成膜やエツ
チングを行なうものである。
しかしながら、この種の処理装置は、いずれも対電極間
に被加工物であるウェーハを配置してプラズマ処理する
構造となっているため、プラズマをウェーハ表面の真近
で発生させかつ処理を行なうことができ効率的には優れ
ている反面、ウェーハはプラズマ中の高電界にさらされ
ることになり、ウェーハ表面にダメージを受け易く、半
導体装置の製造歩留を低下させ更に信頼性が低下される
ことになる。この対策としてはウェーハをプラズマの高
電界から離すことが考えられるが、単に離すのみでは処
理効率が低下されかつ十分な処理が行なわれなくなるお
それがあるというととが本発明者によって明らかにされ
た。
に被加工物であるウェーハを配置してプラズマ処理する
構造となっているため、プラズマをウェーハ表面の真近
で発生させかつ処理を行なうことができ効率的には優れ
ている反面、ウェーハはプラズマ中の高電界にさらされ
ることになり、ウェーハ表面にダメージを受け易く、半
導体装置の製造歩留を低下させ更に信頼性が低下される
ことになる。この対策としてはウェーハをプラズマの高
電界から離すことが考えられるが、単に離すのみでは処
理効率が低下されかつ十分な処理が行なわれなくなるお
それがあるというととが本発明者によって明らかにされ
た。
プラズマエツチング装置について述べである文献として
、電子材料１９８２年別冊（工業調査会発行、昭和５７
年１１月１５日発行、Ｐ１４６〜Ｐ１５１）がある。
、電子材料１９８２年別冊（工業調査会発行、昭和５７
年１１月１５日発行、Ｐ１４６〜Ｐ１５１）がある。
本発明の目的はウェーハにプラズマの高電界によるダメ
ージを与えることがなく、しかも一方では高効率のプラ
ズマ処理を行なうことができるプラズマ処理装置を提供
することにある。
ージを与えることがなく、しかも一方では高効率のプラ
ズマ処理を行なうことができるプラズマ処理装置を提供
することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりであるＯ すなわち、チャンバ内に対向配置した一対の電極の対向
面にガス供給孔を形成する一方、他方の電極には透孔を
形成し、かつウェーハは前記他方の電極の背後に支持す
る構成とすることにより、ウェーハを両電極間の高電界
領域から退避させて高電界によるダメージを防止する一
方、一方の電極から供給されるガス流と他方電極の透孔
を利用してプラズマを他方電極背後のウェーハにまで延
在させ、これにより良好なプラズマ処理を可能とするも
のである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりであるＯ すなわち、チャンバ内に対向配置した一対の電極の対向
面にガス供給孔を形成する一方、他方の電極には透孔を
形成し、かつウェーハは前記他方の電極の背後に支持す
る構成とすることにより、ウェーハを両電極間の高電界
領域から退避させて高電界によるダメージを防止する一
方、一方の電極から供給されるガス流と他方電極の透孔
を利用してプラズマを他方電極背後のウェーハにまで延
在させ、これにより良好なプラズマ処理を可能とするも
のである。
図は本発明をプラズマＣＶＤ装置に適用した場合を示し
、特にウェーハ主表面にＡ、ｌ （アルミニウム）膜を
形成する装置として構成した実施例を示している。図に
おいて、内部に気密室を形成し得るベルジャ１はその内
部に上部、下部の互いに対向配置した一対の平行平板型
電極２，３を有し、両者に高周波電力源４を接続してい
る。上部電極２はその内部にガス通路５を形成し、図外
のガス源から中央支持軸２＆内に供給されるガスを上部
電極２の下面（下部電極３との対向面）に開口した多数
のガス供給口６からシャワー状に吹出すようになってい
る。一方、下部電極３は多数の透孔７を下部電極３厚さ
方向に形成し、これらの透孔７を通して下部電極３の上
下空間を連通させている。そして、下部電極３の下側位
置には上下垂直方向に立設された複数個の板状サセプタ
８を列設し、これらサセプタ８の立面上にウェーハ９を
支持している。なお、サセプタ８はグラウンド接続して
いる。また、前記チャンバ１の外周囲には、前記両電極
２．３開位置に磁場発生装置１０を配設して両電極２，
３間に磁場を発生し、壕だサセプタ８の周囲位置にはヒ
ータ１１を配設してウェーハ９を加熱するようにしてい
る。
、特にウェーハ主表面にＡ、ｌ （アルミニウム）膜を
形成する装置として構成した実施例を示している。図に
おいて、内部に気密室を形成し得るベルジャ１はその内
部に上部、下部の互いに対向配置した一対の平行平板型
電極２，３を有し、両者に高周波電力源４を接続してい
る。上部電極２はその内部にガス通路５を形成し、図外
のガス源から中央支持軸２＆内に供給されるガスを上部
電極２の下面（下部電極３との対向面）に開口した多数
のガス供給口６からシャワー状に吹出すようになってい
る。一方、下部電極３は多数の透孔７を下部電極３厚さ
方向に形成し、これらの透孔７を通して下部電極３の上
下空間を連通させている。そして、下部電極３の下側位
置には上下垂直方向に立設された複数個の板状サセプタ
８を列設し、これらサセプタ８の立面上にウェーハ９を
支持している。なお、サセプタ８はグラウンド接続して
いる。また、前記チャンバ１の外周囲には、前記両電極
２．３開位置に磁場発生装置１０を配設して両電極２，
３間に磁場を発生し、壕だサセプタ８の周囲位置にはヒ
ータ１１を配設してウェーハ９を加熱するようにしてい
る。
更に前記ベルジャ１の下部には排気口１２ｆｃ開設して
これには排気管１３を接続し、かつこの排気管１３には
排気浄化装置１４と排気ポンプ１５を介装している◇排
気ポンプ１５は排気口１２を通してベルジャ１内を真空
引きし、ベルジャ１内を所望の真空圧に設定できる。排
気浄化装置１４は内部に多数枚のフィン１６をトラップ
として設はり１体構造に形成し、排気管１３内を通流す
るガスをこのフィン１６に沿って通流させてその通流長
をかせぐようにしている。但し、排気抵抗が大きくなる
ことを防止するために本例では３個の装置を並列接続し
ている。そして、これら浄化装置１４にはヒータ１７を
沿設し、内部を通流される排気を加熱するようにしてい
る。
これには排気管１３を接続し、かつこの排気管１３には
排気浄化装置１４と排気ポンプ１５を介装している◇排
気ポンプ１５は排気口１２を通してベルジャ１内を真空
引きし、ベルジャ１内を所望の真空圧に設定できる。排
気浄化装置１４は内部に多数枚のフィン１６をトラップ
として設はり１体構造に形成し、排気管１３内を通流す
るガスをこのフィン１６に沿って通流させてその通流長
をかせぐようにしている。但し、排気抵抗が大きくなる
ことを防止するために本例では３個の装置を並列接続し
ている。そして、これら浄化装置１４にはヒータ１７を
沿設し、内部を通流される排気を加熱するようにしてい
る。
以上の構成において、図外のガス源からＴＩＢＡ（トリ
イソブチルアルミニウム：・（１−Ｃ４Ｈｏ ）ａＡｆ
ｆｌ ）ガスを上部電極２内のガス供給口６に供給し、
ここからベルジャ１内に吹出させる。一方、排気ポンプ
１５を動作させ、排気口１２からベルジャ１内を真空引
きし、これによりベルジャ１内を所要のＴＩＢＡガス圧
力に設定する。一方、磁場発生装置１０とヒータ１１を
作動してベルジャ１内に磁場を発生させると共にウェー
ハ９を加熱する。
イソブチルアルミニウム：・（１−Ｃ４Ｈｏ ）ａＡｆ
ｆｌ ）ガスを上部電極２内のガス供給口６に供給し、
ここからベルジャ１内に吹出させる。一方、排気ポンプ
１５を動作させ、排気口１２からベルジャ１内を真空引
きし、これによりベルジャ１内を所要のＴＩＢＡガス圧
力に設定する。一方、磁場発生装置１０とヒータ１１を
作動してベルジャ１内に磁場を発生させると共にウェー
ハ９を加熱する。
そして、両電極２，３間に高周波電力ｔｌ−印加すれば
、両電極間にプラズマが発生され、これによシ次の反応
が進められる。
、両電極間にプラズマが発生され、これによシ次の反応
が進められる。
（１−Ｃ，Ｈ９）、Ａノ→ｕ↓＋３ （ｉ Ｃ４Ｈａ
）十ΣＨ２そして、この反応によｐウェーハ９主表面へ
のＭの堆積が開始されることになるが、このときプラズ
マは磁場やガス吹出力等によって下部電栢３の透孔７を
通して下部電極３の下側、つまシウェーハ９を設置して
いる背後位置にまで到達される。このため、Ｍは加熱さ
れているウェーハ９の主表面に堆積され緻密なＡｌ膜が
形成されることになる。この間、ウェーハ９は両電極２
．３間での高電界域から離れた位置に保たれかつ自身は
サセプタ８を介してグランド電位に保たれているので、
高電界によるダメージを受けることはない。
）十ΣＨ２そして、この反応によｐウェーハ９主表面へ
のＭの堆積が開始されることになるが、このときプラズ
マは磁場やガス吹出力等によって下部電栢３の透孔７を
通して下部電極３の下側、つまシウェーハ９を設置して
いる背後位置にまで到達される。このため、Ｍは加熱さ
れているウェーハ９の主表面に堆積され緻密なＡｌ膜が
形成されることになる。この間、ウェーハ９は両電極２
．３間での高電界域から離れた位置に保たれかつ自身は
サセプタ８を介してグランド電位に保たれているので、
高電界によるダメージを受けることはない。
一方、ウェーハ９主表面には下部電極３の透孔７を通し
てプラズマＰが到達されるので、効率の良いＭ膜の形成
が可能とされる。
てプラズマＰが到達されるので、効率の良いＭ膜の形成
が可能とされる。
ここで、ベルジャ１内の反応ガスは排気口１２゜排気管
１３を通して外部に排出されることになるが、この排気
中に未反応ガスが混入していると発熱ないし過熱による
不具合が発生するおそれがある。このため、ヒータ１７
を動作して浄化装置１６内を通流する排気を加熱すれば
、ＴＩＢＡは加熱（）２６５℃）によって容易に前述の
反応が行なわれ、Ｍをフィン１６上に堆積させながら既
反応ガスとなって排出されることになる。これにより、
前述の不具合を未然に防止できる。なお、排気管１３の
下流には更に別の浄化装置を付設することが好ましい。
１３を通して外部に排出されることになるが、この排気
中に未反応ガスが混入していると発熱ないし過熱による
不具合が発生するおそれがある。このため、ヒータ１７
を動作して浄化装置１６内を通流する排気を加熱すれば
、ＴＩＢＡは加熱（）２６５℃）によって容易に前述の
反応が行なわれ、Ｍをフィン１６上に堆積させながら既
反応ガスとなって排出されることになる。これにより、
前述の不具合を未然に防止できる。なお、排気管１３の
下流には更に別の浄化装置を付設することが好ましい。
（１） プラズマを発生させる対電極の一方にガス供給
口を設け、他方電極に透孔を形成し、この他方電極の背
後にウェーハを設置してプラズマ処理を行なうように構
成しているので、高周波電力が印加されて両電極間に生
じる高電界に対してウェーハを離れた位置に保持でき、
これによりウェーハを高電界ダメージから保護すること
ができる。
口を設け、他方電極に透孔を形成し、この他方電極の背
後にウェーハを設置してプラズマ処理を行なうように構
成しているので、高周波電力が印加されて両電極間に生
じる高電界に対してウェーハを離れた位置に保持でき、
これによりウェーハを高電界ダメージから保護すること
ができる。
（２）一方電極からのガス吹出しや磁場等によって、両
電極間に発生されたプラズマを他方電極の透孔を通して
他方電極背後位置にまで到達させることができるので、
ウェーハ主表面への膜形成を高効率に行なうことができ
る。
電極間に発生されたプラズマを他方電極の透孔を通して
他方電極背後位置にまで到達させることができるので、
ウェーハ主表面への膜形成を高効率に行なうことができ
る。
（３） ウェーハをグランド電位に保つこと如よシ、前
記（１）における高電界からの保護を更に改善できる。
記（１）における高電界からの保護を更に改善できる。
（４）排気管中Ｋ、加熱にょシ未反応ガスを熱分解させ
る浄化装置を付設することにより、未反応ガスの外部へ
の排出を防止でき、公害やその他の問題を未然に防止す
ることができる。また、Ａ７等の回収も可能となる。
る浄化装置を付設することにより、未反応ガスの外部へ
の排出を防止でき、公害やその他の問題を未然に防止す
ることができる。また、Ａ７等の回収も可能となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはｂうｌでもな５゜たとえば、ベルジャ周
囲に設けた磁場発生装置に代えてヒータを用いてもよい
。また、電極やウェーハ等は横方向に配列してもよく丈
には現状に配列した構成であってもよい。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはｂうｌでもな５゜たとえば、ベルジャ周
囲に設けた磁場発生装置に代えてヒータを用いてもよい
。また、電極やウェーハ等は横方向に配列してもよく丈
には現状に配列した構成であってもよい。
以上の説明では主、Ｊ＝ Ｉ−’７木亮ａＳ央ｌＦＦ−
プも纒れた発明をその背尤となった利用分野であるＭ膜
の形成用プラズマＣＶＤ装置に適用した場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、プラズマを
利用する装置であれば、スパッタ装置１．エツチング装
置等、種々の処理装置に適用できる。
プも纒れた発明をその背尤となった利用分野であるＭ膜
の形成用プラズマＣＶＤ装置に適用した場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、プラズマを
利用する装置であれば、スパッタ装置１．エツチング装
置等、種々の処理装置に適用できる。
図は本発明のプラズマ処理装置の全体構成を示す縦断面
図である。 １・・・ベルジャ、２・・・上部電極、３・・・下部電
極、４・・・高周波電力源、６・・・ガス供給口、７・
・・透孔、８・・・サセプタ、９・・・ウェーハ、１ｏ
・・・磁場発生装置、１１・・・ヒータ、１２・・・排
気口、１３・・・排気口、１４・・・浄化装置、１５・
・・排気ポンプ、１６・・・フィン、１７・・・ヒータ
、Ｐ・・・プラズマ。
図である。 １・・・ベルジャ、２・・・上部電極、３・・・下部電
極、４・・・高周波電力源、６・・・ガス供給口、７・
・・透孔、８・・・サセプタ、９・・・ウェーハ、１ｏ
・・・磁場発生装置、１１・・・ヒータ、１２・・・排
気口、１３・・・排気口、１４・・・浄化装置、１５・
・・排気ポンプ、１６・・・フィン、１７・・・ヒータ
、Ｐ・・・プラズマ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所要のガス圧力に設定できる室内に対をなす電極を
対向配置しかつこれら両電極間に高周波電力を印加でき
るように構成してなり、前記一方の電極には他方の電極
に向けて反応ガスを吹出し可能なガス供給口を形成し、
他方の電極には対向する方向に透孔を形成し、半導体ウ
ェーハ等の被処理物は前記透孔を臨む他方電極の背後位
置に設置することを特徴とするプラズマ処理装置。 ２、被処理物をグランド電位に保ってなる特許請求の範
囲第１項記載のプラズマ処理装置。 ３、被処理物の主表面を透孔の形成方向と略平行に向け
てなる特許請求の範囲第１項又は第２項記載のプラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8943084A JPS60234313A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8943084A JPS60234313A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234313A true JPS60234313A (ja) | 1985-11-21 |
Family
ID=13970441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8943084A Pending JPS60234313A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234313A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6322729U (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-15 | ||
| JPH01156543U (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | ||
| JPH02155230A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| US5819683A (en) * | 1995-05-02 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Trap apparatus |
| US5928426A (en) * | 1996-08-08 | 1999-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6193802B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP8943084A patent/JPS60234313A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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