JPS6328869A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPS6328869A JPS6328869A JP17238586A JP17238586A JPS6328869A JP S6328869 A JPS6328869 A JP S6328869A JP 17238586 A JP17238586 A JP 17238586A JP 17238586 A JP17238586 A JP 17238586A JP S6328869 A JPS6328869 A JP S6328869A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＣＶＤ装置の排気系の構造に関するものでおる
。
。
し従来の技術］
従来のＣＶＤ装置では第３図に示す様に装置排気系、特
にＣｖＤ反応１１の排気系にメツシュフィルター１４を
設け、ＣｖＤ反応の際に排出される粒状、粉状、フレー
ク状の反応生成物を機械的構造で捕捉するか、または第
４図に示す様に捕捉箱２内に排気流に対して垂直に平板
１５を数枚設置し、平板１５によって排気流速を低下さ
せて捕捉箱２の内壁及び平板１５の面に反応生成物を付
着させていた。
にＣｖＤ反応１１の排気系にメツシュフィルター１４を
設け、ＣｖＤ反応の際に排出される粒状、粉状、フレー
ク状の反応生成物を機械的構造で捕捉するか、または第
４図に示す様に捕捉箱２内に排気流に対して垂直に平板
１５を数枚設置し、平板１５によって排気流速を低下さ
せて捕捉箱２の内壁及び平板１５の面に反応生成物を付
着させていた。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来のＣＶＤ装置ではメツシュフィルター１４
又は平板１５等の機械的構造−によって反応生成物を捕
捉している為、捕捉した反応生成物でメツシュフィルタ
ーが詰り、ＣＶＤ装置の排気有効面積が減少することに
より、必要排気量の確保が困難となって装置稼動率が減
少するといった欠点や、反応生成物の捕捉量が十分でな
くＣＶＤ装置外排気系に反応生成物が排出され、これが
装置性排気系の詰りの原因になるという欠点があった。
又は平板１５等の機械的構造−によって反応生成物を捕
捉している為、捕捉した反応生成物でメツシュフィルタ
ーが詰り、ＣＶＤ装置の排気有効面積が減少することに
より、必要排気量の確保が困難となって装置稼動率が減
少するといった欠点や、反応生成物の捕捉量が十分でな
くＣＶＤ装置外排気系に反応生成物が排出され、これが
装置性排気系の詰りの原因になるという欠点があった。
さらに、ＣＶＤ装置外排気系での詰りの問題はＣＶＤ装
置と排気系を共にする他装置の排気量に影響を及ぼすと
いう欠点となった。
置と排気系を共にする他装置の排気量に影響を及ぼすと
いう欠点となった。
本発明は上記欠点を解消しＣＶＤ装置必要排気量を減少
させることなく反応生成物を大量に捕捉できるＣＶＤ装
置を提供するものである。
させることなく反応生成物を大量に捕捉できるＣＶＤ装
置を提供するものである。
［発明の従来技術に対する相違点］
上）ホした従来のＣＶＤ装置に対し、本発明はＣＶＤ装
置排気系にて反応生成物にイオンを付着させ電界で引き
寄せることにより、排気有効面積を減少させることなく
積極的に反応生成物を捕捉するという独創的内容を有す
る。
置排気系にて反応生成物にイオンを付着させ電界で引き
寄せることにより、排気有効面積を減少させることなく
積極的に反応生成物を捕捉するという独創的内容を有す
る。
［問題点を解決するための手段］
本発明のＣＶＤ装置は装置排気系に、放電電極と接地電
極を具備した反応生成物の捕捉箱と、放電電極、接地電
極間に高圧を印加する高圧供給源とを有することを特徴
とするものである。
極を具備した反応生成物の捕捉箱と、放電電極、接地電
極間に高圧を印加する高圧供給源とを有することを特徴
とするものである。
［実施例］
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１の断面図である。
ＣＶＤ反応槽１と捕捉箱２を配管３で接続し、捕捉箱２
内には放電針４を有した平板状の放電電極５と、平板状
接地電極６とを排気流に対して平行に設置する。放電電
極５と接地電極６には両電極間に高圧を印加する高圧供
給源７を接続する。放電電極５と接地電極６間に高圧供
給源７を用いて高圧を印加することで放電針４より捕捉
箱２内にコロナ放電を生じさせ、捕捉箱２内にイオンを
発生させる。ＣＶＤ反応槽１より排出され配管３を通じ
て捕捉箱２内に流入してきた反応生成物は捕捉箱２内に
発生したイオンの付着により荷電し、放電電極５及び接
地電極６間に印加された電圧に引かれ加速して両電極に
付着する。
内には放電針４を有した平板状の放電電極５と、平板状
接地電極６とを排気流に対して平行に設置する。放電電
極５と接地電極６には両電極間に高圧を印加する高圧供
給源７を接続する。放電電極５と接地電極６間に高圧供
給源７を用いて高圧を印加することで放電針４より捕捉
箱２内にコロナ放電を生じさせ、捕捉箱２内にイオンを
発生させる。ＣＶＤ反応槽１より排出され配管３を通じ
て捕捉箱２内に流入してきた反応生成物は捕捉箱２内に
発生したイオンの付着により荷電し、放電電極５及び接
地電極６間に印加された電圧に引かれ加速して両電極に
付着する。
第１図に示したＣＶＤ装置を用いてＣＶＤ反応を行った
。両電極間に１２にＶの電圧を印加し、捕捉箱内を一２
０ＭＨｚＯの陽圧状態でＳｉＨ４ガスと０２ガスのＣＶ
Ｄ反応を行ったところ、従来の第４図に示したＣＶＤ装
置に比し、３０倍程度の反応生成物の捕捉率を得た。
。両電極間に１２にＶの電圧を印加し、捕捉箱内を一２
０ＭＨｚＯの陽圧状態でＳｉＨ４ガスと０２ガスのＣＶ
Ｄ反応を行ったところ、従来の第４図に示したＣＶＤ装
置に比し、３０倍程度の反応生成物の捕捉率を得た。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２の縦断面図でおる。
実施例１と同様に捕捉箱２内に接地電極６と、放電針４
を有する放電電極５とを設ける。両電極間に高電圧を印
加し捕捉箱２内にコロナ放電を生じざぜ反応生成物にイ
オンを付着して両電極板に反応生成物を付着させる。実
施例１との相違点は実施例２では、接地電極６と放電電
極５間にスフレイパ−８を設け、このスフレイパ−８を
モーター９で駆動する滑車１０に巻きつけたワイヤー１
１で吊るものとする。スフレイパ−８はモーター９の回
転に伴ない上下運動し、両電極面を摩擦することによっ
て両電極面に付着した反応生成物を払い落とすことがで
きる。実施例２では捕捉箱２の底部に傾斜を設け、傾斜
先端に集塵箱１２を取付けておる。この集塵箱１２内に
スフレイパ−８で払い落とした反応生成物をトラップし
ておく。
を有する放電電極５とを設ける。両電極間に高電圧を印
加し捕捉箱２内にコロナ放電を生じざぜ反応生成物にイ
オンを付着して両電極板に反応生成物を付着させる。実
施例１との相違点は実施例２では、接地電極６と放電電
極５間にスフレイパ−８を設け、このスフレイパ−８を
モーター９で駆動する滑車１０に巻きつけたワイヤー１
１で吊るものとする。スフレイパ−８はモーター９の回
転に伴ない上下運動し、両電極面を摩擦することによっ
て両電極面に付着した反応生成物を払い落とすことがで
きる。実施例２では捕捉箱２の底部に傾斜を設け、傾斜
先端に集塵箱１２を取付けておる。この集塵箱１２内に
スフレイパ−８で払い落とした反応生成物をトラップし
ておく。
この様に実施例２では両電極面の汚染を最少に止めるこ
とで良好なコロナ放電状態を形成し、実施例１に比しざ
らに捕捉率を上昇出来る利点を有する。また捕捉箱内の
クリーニングを集塵箱内の反応生成物の処理に限定する
ことで容易に行うことができ、ＣＶＤ装置稼動率上昇の
有効な手段となり得る。
とで良好なコロナ放電状態を形成し、実施例１に比しざ
らに捕捉率を上昇出来る利点を有する。また捕捉箱内の
クリーニングを集塵箱内の反応生成物の処理に限定する
ことで容易に行うことができ、ＣＶＤ装置稼動率上昇の
有効な手段となり得る。
［発明の効果］
以上説明した如く本発明は反応生成物にイオンを付着さ
せ高電圧を印加して積極的に捕捉する為、従来の機械的
構造による捕捉方法と比較してＣＶＤ装置の必要排気量
を大幅に減少させること・なく大量の反応生成物を捕捉
す、ることができ、ＣＶＤ装置稼働率を大幅に上昇させ
ると共にＣＶＤ装置外への反応生成物の排出を極力減少
させることができ、ＣＶＤ装置外排気系での詰りを激減
できるという効果を有する。
せ高電圧を印加して積極的に捕捉する為、従来の機械的
構造による捕捉方法と比較してＣＶＤ装置の必要排気量
を大幅に減少させること・なく大量の反応生成物を捕捉
す、ることができ、ＣＶＤ装置稼働率を大幅に上昇させ
ると共にＣＶＤ装置外への反応生成物の排出を極力減少
させることができ、ＣＶＤ装置外排気系での詰りを激減
できるという効果を有する。
第１図は本発明の実施例１の断面図、第２図は実施例２
の縦断面図、第３図及び第４図は従来のＣＶＤ装置の概
念図でおる。 １・・・ＣＶＤ反応槽 ２・・・捕捉箱３・・・配
管 ４・・・放電針５・・・放電電極
６・・・接地電極７・・・高圧供給源 ８
・・・スフレイパー９・・・モーター １０・
・・滑車１１・・・ワイヤー １２・・・集塵
箱１３・・・捕捉箱足 １４・・・メツシュフィルター １５・・・平板第２図
の縦断面図、第３図及び第４図は従来のＣＶＤ装置の概
念図でおる。 １・・・ＣＶＤ反応槽 ２・・・捕捉箱３・・・配
管 ４・・・放電針５・・・放電電極
６・・・接地電極７・・・高圧供給源 ８
・・・スフレイパー９・・・モーター １０・
・・滑車１１・・・ワイヤー １２・・・集塵
箱１３・・・捕捉箱足 １４・・・メツシュフィルター １５・・・平板第２図
Claims (1)
- （１）ＣＶＤ装置の排気系に、放電電極及び接地電極を
具備した反応生成物の捕捉箱と、該放電電極と該接地電
極間に高圧を印加する電圧供給源とを有することを特徴
とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17238586A JPS6328869A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17238586A JPS6328869A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328869A true JPS6328869A (ja) | 1988-02-06 |
Family
ID=15940936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17238586A Pending JPS6328869A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6328869A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271527A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置及び化学気相成長方法 |
| US5819683A (en) * | 1995-05-02 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Trap apparatus |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6193802B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
-
1986
- 1986-07-22 JP JP17238586A patent/JPS6328869A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271527A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置及び化学気相成長方法 |
| US5819683A (en) * | 1995-05-02 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Trap apparatus |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6193802B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6517913B1 (en) | 1995-09-25 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6680420B2 (en) | 1995-09-25 | 2004-01-20 | Applied Materials Inc. | Apparatus for cleaning an exhaust line in a semiconductor processing system |
| US6689930B1 (en) | 1995-09-25 | 2004-02-10 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for cleaning an exhaust line in a semiconductor processing system |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
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