JP2022074000A - エッチング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- (a)シリコン酸化膜を含むシリコン含有膜を有する基板を準備する工程であり、該基板はチャンバ内に設けられた基板支持器上に載置される、該工程と、
(b)六フッ化タングステンガス、炭素及びフッ素を含有するガス、並びに酸素含有ガスを含む処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
(c)前記処理ガスからプラズマを生成して、前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、
を含み、
前記(c)は、前記基板支持器に負の直流電圧を周期的に印加することを含む、
エッチング方法。 - 前記(c)は、
前記エッチングにより前記シリコン含有膜に形成される凹部の底面において前記シリコン含有膜中の一部のシリコン原子をタングステン原子に置換することと、
前記一部のシリコン原子が前記タングステン原子によって置換された前記シリコン含有膜をエッチングすることと、
を含む、請求項1に記載のエッチング方法。 - 前記(c)は、前記基板支持器に前記負の直流電圧が印加されていないときに、前記基板支持器の上方に設けられた上部電極に負の直流電圧を印加することを含む、請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- 前記(c)において前記基板支持器に前記負の直流電圧が印加されているときに、前記上部電極には前記負の直流電圧が印加されないか、或いは、前記基板支持器に前記負の直流電圧が印加されていないときに前記上部電極に印加される前記負の直流電圧の絶対値よりも小さい絶対値を有する負の直流電圧が前記上部電極に印加される、請求項3に記載のエッチング方法。
- 前記(c)における前記チャンバ内の圧力は、1.333Pa未満に設定される、請求項1~4の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記処理ガスの流量に対する前記処理ガス中の前記六フッ化タングステンガスの流量の割合は、5体積%以下である、請求項1~5の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記処理ガスは、三フッ化窒素ガスを更に含む、請求項1~6の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記処理ガスの流量に対する前記処理ガス中の前記三フッ化窒素ガスの流量の割合は、前記処理ガス中の前記六フッ化タングステンガスの流量よりも多い、請求項7に記載のエッチング方法。
- 前記処理ガスは、炭素及びフッ素を含有する前記ガスとして、フルオロカーボンガスを含む、請求項1~8の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜は、シリコン窒化膜を更に含む、請求項9に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜は、多結晶シリコン膜を更に含む、請求項9に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜は、シリコン窒化膜を更に含み、
前記処理ガスは、炭素及びフッ素を含有する前記ガスとして、ハイドロフルオロカーボンガスを含む、
請求項1~8の何れか一項に記載のエッチング方法。 - 前記(c)において、前記エッチングにより前記シリコン窒化膜に形成される側壁にタングステン含有膜が形成される、請求項10に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜は、前記シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を有する積層膜を含み、
前記(c)は、
前記負の直流電圧が前記基板支持器に印加される時間間隔の逆数であるバイアス周波数が第1の周波数に設定された状態で、前記シリコン窒化膜をエッチングすることと、
前記バイアス周波数が前記第1の周波数よりも大きい第2の周波数に設定された状態で、前記シリコン酸化膜をエッチングすることと、
を含む、請求項1~8のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記(c)において、前記基板支持器の温度が0℃以上、120℃以下の温度に設定される、請求項1~14の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記(c)において前記基板支持器に印加される前記負の直流電圧の絶対値は、1kV以上、20kV以下である、請求項1~15の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記(c)において前記基板支持器に周期的に印加される前記負の直流電圧は、5%以上、40%以下のデューティ比を有し、
前記(c)において前記負の直流電圧が前記基板支持器に印加される時間間隔の逆数であるバイアス周波数は、100kHz以上、1MHz以下である、請求項1~16の何れか一項に記載のエッチング方法。 - 前記基板は、下地領域又はエッチング停止層を更に有し、該エッチング方法は、
(d)前記下地領域又は前記エッチング停止層が露出するときを含む期間において、前記処理ガスのうち六フッ化タングステンガスの供給を停止する工程と、
(e)前記処理ガスに含まれる前記六フッ化タングステンガス以外の他のガスから生成したプラズマにより、前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、
を更に含む、請求項1~17のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - (a)シリコン酸化膜を含むシリコン含有膜を有する基板を準備する工程であり、該基板はチャンバ内に設けられた基板支持器上に載置される、該工程と、
(b)六フッ化タングステンガス、炭素及びフッ素を含有するガス、並びに酸素含有ガスを含む処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
(c)前記処理ガスからプラズマを生成して、前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、
を含み、
前記(c)は、
前記エッチングにより前記シリコン含有膜に形成される凹部の底面において前記シリコン含有膜中の一部のシリコン原子をタングステン原子に置換することと、
前記一部のシリコン原子がタングステン原子によって置換された前記シリコン含有膜を除去するように前記基板を電気的にバイアスすることと、
を含む、
エッチング方法。 - チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
六フッ化タングステンガス、炭素及びフッ素を含有するガス、並びに酸素含有ガスを含む処理ガスを前記チャンバ内に供給するように構成されたガス供給部と、
前記チャンバ内で前記処理ガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
負の直流電圧を前記基板支持器に周期的に印加するように構成されたバイアス電源と、
を備えるプラズマ処理装置。
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