JP7427108B2 - プラズマチャンバ内で使用するための低抵抗閉じ込めライナ - Google Patents

Description

［０００１］ 本開示の実施形態は、概して、基板処理装置に関する。

［０００２］ 超小型電子集積回路の製造における半導体ウエハのプラズマ処理は、例えば、誘電体エッチング、金属エッチング、化学気相堆積、及び他の処理において使用される。半導体基板処理において、ますます小さなフィーチャサイズ及び線幅に向かう傾向は、半導体基板上に材料をより精密にマスクし、エッチングし、堆積させる能力を重視してきた。

［０００３］ 典型的には、エッチングは、支持部材によって支持される基板上の低圧処理領域に供給される作動ガスに高周波（ＲＦ）電力を印加することによって達成される。結果として生じる電場は、作動ガスをプラズマに励起する反応ゾーンを処理領域内に作り出す。支持部材は、その上に支持された基板に向かってプラズマ内のイオンを引き付けるようにバイアスされる。イオンは基板に隣接するプラズマの境界層に向かって移動し、境界層を離れると加速する。加速されたイオンは、基板の表面から材料を除去又はエッチングするのに必要なエネルギーを生成する。加速されたイオンは、処理チャンバ内の他の構成要素をエッチングしうるため、プラズマが基板の上の処理領域に閉じ込められることが重要である。

［０００４］ 非閉じ込めプラズマは、チャンバ壁上にエッチング副生成物の堆積を引き起こし、チャンバ壁をエッチングする可能性もある。チャンバ壁へのエッチング副生成物の堆積は、処理をドリフトさせる可能性がある。チャンバ壁からのエッチングされた材料は、再堆積によって基板を汚染する可能性があり、及び／又はチャンバに対して粒子を生成する可能性がある。さらに、非閉じ込めプラズマは、下流域でエッチング副生成物の堆積を引き起こす可能性もある。蓄積されたエッチング副生成物は、剥がれ落ち、粒子となることがある。下流域におけるエッチング副生成物の堆積によって引き起こされる粒子の問題を低減するためには、追加の下流洗浄が必要となり、プロセス処理能力を低下させ、処理コストを増大させる可能性がある。

［０００５］ したがって、本発明者らは、本明細書において改善された閉じ込めライナを提供した。

［０００６］ 処理チャンバで使用するためのライナの実施形態が、本明細書で提供される。いくつかの実施態様では、処理チャンバ内で使用するためのライナは、
中央開口部を有する天板であって、第１の内径の第１ステップと第１の内径よりも大きい第２の内径の第２ステップとを有する起伏のある内面を有する天板と、天板の外周部から下方に延在する管状体であって、基板を通過させて移送するための開口部を有する管状体と、を有する上部ライナと、
管状体の底面に当接する下部ライナであって、下部ライナは管状体から半径方向内向きに延在し、下部ライナの周囲に配置された複数の半径方向スロットを含む下部ライナと、
を含み、上部ライナと下部ライナとがＣ字形断面を形成する。

［０００７］ いくつかの実施形態では、処理チャンバ内で使用するための処理キットは、
中央開口部を有する天板と、天板の外周部から下方に延在する管状体と、管状体から半径方向内向きに延在してライナのＣ字形断面形状を形成する下部ライナとを有するライナであって、下部ライナは内部を通る複数の半径方向スロットを含み、管状体は内部を通る基板の移送を容易にするための開口部を有する、ライナと、
外側壁と、内側壁と、外側壁から内側壁まで延在する下部壁とを有する下部トレイであって、ライナが下部トレイ上に載置される、下部トレイと、
を含む。

［０００８］ いくつかの実施形態では、処理チャンバは、
内部空間を画定するチャンバ本体と、
内部空間内に配置され、チャンバ本体のリッドに連結されているシャワーヘッドと、
シャワーヘッドに対向して内部空間内に配置された基板支持体と、
中央開口部を有する天板、天板の外周部から下方に延在する管状体、及び基板支持体を取り囲み管状体から半径方向内向きに延在する下部ライナを有するライナであって、天板は起伏のある内面を含み、下部ライナは内部を通る複数の半径方向スロットを含み、管状体は内部を通る基板の移送を容易にするための開口部を有する、ライナと、
を含む。

［０００９］ 本開示の他の実施形態及び更なる実施形態について、以下で説明する。

［００１０］ 上記で簡潔に要約され、以下でより詳細に議論される本開示の実施形態は、添付の図面に示される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解されうる。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容しうることから、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを例示しており、従って、範囲を限定していると見なされるべきではない。

本開示のいくつかの実施形態による、ライナを有する処理チャンバの概略側面図である。 本開示のいくつかの実施形態による、ライナの一部分の等角上面図である。 本開示のいくつかの実施形態による、ライナの一部分の部分断面図である。 本開示のいくつかの実施形態による、ライナの一部分の上面図である。 本開示のいくつかの実施形態による、ライナの一部分の部分断面図である。

［００１６］ 理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。図は縮尺どおりには描かれておらず、分かりやすくするために簡略化されていることがある。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記載がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうる。

［００１７］ 処理チャンバで使用するためのライナの実施形態が、本明細書で提供される。本明細書で提供されるライナ又は閉じ込めライナの実施形態は、プラズマを内部に有利に閉じ込める一方で、その中を通る際の流動コンダクタンスを高める。いくつかの実施形態では、ライナは、プラズマがライナに接触しているときに、ＲＦ電源の接地経路を提供するために、導電性の材料から作られてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、ライナは０．０１Ωｃｍ以下の電気抵抗率を有する材料から作られる。いくつかの実施形態では、ライナは処理される基板の汚染を低減又は防止する材料から作られてもよい。いくつかの実施態様では、ライナはシリコン材料、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）又はポリシリコンから作られる。いくつかの実施形態では、ライナはポリシリコン材料で被覆される。ライナのためのシリコン材料の使用は、有利には、処理される基板の汚染を低減する。

［００１８］ 図１は、本開示のいくつかの実施形態による、ライナを有する処理チャンバの一部分の概略側面図である。いくつかの実施形態では、処理チャンバはエッチング処理チャンバである。しかしながら、異なる処理のために構成された他のタイプの処理チャンバもまた、本明細書に記載のライナの実施形態で使用すること、あるいは、使用するように変更することが可能である。

［００１９］ 処理チャンバ１００は、基板処理中に内部空間１２０内の大気圧未満の圧力を維持するように適切に適合された真空チャンバである。処理チャンバ１００は、側壁及び底壁を有するチャンバ本体１０６を含む。チャンバ本体１０６は、リッド１０４によって覆われ、チャンバ本体１０６及びリッド１０４は共に、内部空間１２０を画定する。チャンバ本体１０６及びリッド１０４は、アルミニウムなどの金属から作られてもよい。チャンバ本体１０６は、接地１１５への連結を介して接地されてもよい。

［００２０］ 基板支持体１２４は、内部空間１２０内に配置され、例えば、半導体ウエハなどの基板１２２、又は静電的に保持されうる他のそのような基板を支持し、保持する。基板支持体１２４は一般的に、ペデスタル１２８と、ペデスタル１２８を支持するための中空の支持シャフト１１２とを備えることができる。ペデスタル１２８は、静電チャック１５０を含んでもよい。静電チャック１５０は、内部に配置された１つ又は複数の電極１５４を有する誘電体プレートを備える。中空の支持シャフト１１２は、例えば、背面ガス、処理ガス、流体、冷却剤、電力等をペデスタル１２８に供給するための導管を提供する。

［００２１］ 基板支持体１２４はチャッキング電源１４０に連結され、ＲＦ源（例えば、ＲＦバイアス電源１１７又はＲＦプラズマ電源１７０）は静電チャック１５０に連結される。いくつかの実施形態では、背面ガス供給部１４２がチャンバ本体１０６の外側に配置され、熱伝達ガスを静電チャック１５０に供給する。いくつかの実施形態では、ＲＦバイアス電源１１７は、１つ又は複数のＲＦ整合ネットワーク１１６を介して静電チャック１５０に連結される。いくつかの実施形態では、基板支持体１２４は、代替的に、ＡＣ又はＤＣバイアス電力を含んでもよい。

［００２２］ 処理チャンバ１００はまた、その中に配置された基板１２２を処理するために、１つ又は複数の処理ガスを処理チャンバ１００に供給することができる処理ガス供給源１１８に連結され、流体連通している。いくつかの実施形態では、シャワーヘッド１３２は、基板支持体１２４の反対側の内部空間１２０内に配置される。いくつかの実施形態では、シャワーヘッド１３２は、リッド１０４に連結される。シャワーヘッド１３２及び基板支持体１２４は、それらの間に処理空間１４４を部分的に画定する。シャワーヘッド１３２は、処理ガス供給源１１８からの１つ又は複数の処理ガスを処理空間１４４内に分配するための複数の開口部を含む。シャワーヘッド１３２は、シャワーヘッド１３２の温度を制御するため、温度制御ユニット１３８に連結されてもよい。いくつかの実施形態では、処理空間１４４をさらに画定するため、上部電極１３６が基板支持体１２４に対向して内部空間１２０内に配置される。上部電極１３６は、１つ又は複数のプロセスガスを点火するため、１つ又は複数の電源（例えば、ＲＦプラズマ電源１７０）に連結される。いくつかの実施形態では、上部電極１３６はシリコンを含む。

［００２３］ ライナ１０２は、基板支持体１２４及びシャワーヘッド１３２の少なくとも１つの周りの内部空間１２０内に配置され、その中にプラズマを閉じ込める。いくつかの実施形態では、ライナ１０２は、アルミニウム又はケイ素含有材料などの適切なプロセス材料から作られる。例えば、ライナ１０２は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ポリシリコン、あるいは炭化ケイ素（ＳｉＣ）又はポリシリコンで被覆された材料で作られ、基板１２２上の汚染を有利に減少させることができる。ライナ１０２は、上部ライナ１６０及び下部ライナ１６２を含む。上側ライナ１６０は、上述の材料のいずれかで作ることができる。いくつかの実施形態では、下側ライナ１６２は、上側ライナ１６０と同じ材料で作られる。例えば、上部ライナ１６０及び下部ライナ１６２は、いずれもポリシリコンで作られてもよい。いくつかの実施形態では、上側ライナ１６０は、下側ライナ１６２とは異なる材料で作られる。例えば、いくつかの実施態様では、上部ライナ１６０はアルミニウムで作られ、下部ライナ１６２はポリシリコン又はポリシリコンで被覆された材料で作られる。いくつかの実施態様では、上部ライナ１６０は炭化ケイ素（ＳｉＣ）で作られ、下部ライナ１６２はポリシリコン又はポリシリコンで被覆された材料で作られる。いくつかの実施態様では、上部ライナ１６０は、下部ライナ１６２上に載置される。いくつかの実施態様では、上部ライナ１６０と下部ライナ１６２は、一体成形される。下部ライナ１６２は、上部ライナ１６０から半径方向内側に延びて、ライナ１０２のＣ字形断面形状を画定する。いくつかの実施態様では、上部ライナ１６０の内径は、下部ライナ１６２の内径よりも大きい。

［００２４］ 下部ライナ１６２は、下部ライナ１６２の周囲に配置された複数の半径方向スロット１６４を含み、処理ガスの流路をポンプポート１４８（後述）に提供する。いくつかの実施形態では、ライナ１０２は、シャワーヘッド１３２及びペデスタル１２８と共に、少なくとも部分的に処理空間１４４を画定する。いくつかの実施形態では、シャワーヘッド１３２の外径は、ライナ１０２の外径よりも小さく、ライナ１０２の内径よりも大きい。ライナ１０２は、基板１２２を処理チャンバ１００に出し入れするための、チャンバ本体１０６内のスリット１０３に対応する開口部１０５を含む。

［００２５］ いくつかの実施形態では、ライナ１０２は、ライナ１０２を所定の温度に加熱するために、ヒータリング１８０に連結される。いくつかの実施形態では、ライナ１０２は、１つ又は複数のファスナ１５８を介してヒータリング１８０に連結される。ヒータ電源１５６は、ヒータリング１８０内の１つ又は複数のヒータ素子に連結されて、ヒータリング１８０及びライナ１０２を加熱する。いくつかの実施形態では、セラミックリング１６８が、ヒータリング１８０とシャワーヘッド１３２との間に配置され、シャワーヘッド１３２からヒータリング１８０を熱的に切り離す。

［００２６］ 処理チャンバ１００は、処理チャンバ１００を排気するために使用される、スロットルバルブ及び真空ポンプを含む真空システム１１４に連結され、流体連通している。処理チャンバ１００内部の圧力は、スロットルバルブ及び／又は真空ポンプを調整することによって制御することができる。真空システム１１４は、ポンプポート１４８に連結されてもよい。

［００２７］ いくつかの実施形態では、ライナ１０２は、下側トレイ１１０上に載置される。下部トレイ１１０は、１つ又は複数の処理ガスと、複数の半径方向スロット１６４からの処理副生成物との流れをポンプポート１４８に向けるように構成される。いくつかの実施形態では、下部トレイ１１０は、外側壁１２６と、内側壁１３０と、外側壁１２６から内側壁１３０まで延在する下部壁１３４とを含む。外側壁１２６、内側壁１３０、及び下部壁１３４は、それらの間に排気空間１８４を画定する。いくつかの実施形態では、外側壁１２６及び内側壁１３０は環状である。下部壁１３４は、排気空間１８４を真空システム１１４に流体連結するため、１つ又は複数の開口部１８２（図１に示したもの）を含む。下部トレイ１１０は、ポンプポート１４８上に載置されるか、又は他の方法で連結されうる。いくつかの実施形態では、下部トレイ１１０は、チャンバ構成要素、例えば、基板支持体１２４のペデスタル１２８を収容するため、内側壁１３０から半径方向内向きに延在するレッジ１５２を含む。いくつかの実施形態では、下部トレイ１１０は、接地経路を提供するために、アルミニウム等の導電性材料で作られる。

［００２８］ 動作中、例えば、１つ又は複数の処理を実行するため、処理空間１４４内にプラズマが生成されてもよい。プラズマは、処理ガスを点火してプラズマを生成するための内部空間１２０の近傍又は内部の１つ又は複数の電極（例えば、上部電極１３６）を介して、プラズマ電源（例えば、ＲＦプラズマ電源１７０）からの電力を、処理ガスに連結することによって生成されてもよい。バイアス電源（例えば、ＲＦバイアス電源１１７）から静電チャック１５０内の１つ又は複数の電極１５４にバイアス電力を供給して、プラズマから基板１２２に向かってイオンを引き付けることもできる。

［００２９］ プラズマシースは、基板１２２のエッジで屈曲可能で、プラズマシースに対して垂直にイオンを加速させる。イオンは、プラズマシース内の屈曲によって、基板エッジで集束又は偏向させることができる。いくつかの実施形態では、基板支持体１２４は、静電チャック１５０の周りに配置されたエッジリング１４６を含む。いくつかの実施形態では、エッジリング１４６及び静電チャック１５０は、基板受容面を画定する。エッジリング１４６は、プラズマシースの屈曲を制御及び／又は低減するため、ＲＦバイアス電源１１７又は第２のＲＦバイアス電源（図示せず）などの電源に連結されうる。

［００３０］ 図２は、本開示のいくつかの実施形態による、上部ライナ１６０としての使用に適したライナの一部分の等角上面図である。上部ライナ１６０は、中央開口部２０８を有する天板２０４を含む。上部ライナ１６０は、天板２０４の周縁部分から下方に延び、Ｌ字形の断面形状を画定する管状体２０６を含む。いくつかの実施形態では、天板２０４の上面２０２は、ライナ１０２をヒータリング１８０に連結しやすくするために、複数の開口部２１６を含む。いくつかの実施形態では、複数の開口部２１６は、ファスナ１５８を保持する。

［００３１］ いくつかの実施形態では、天板２０４は、起伏のある内面２１０を有する。いくつかの実施形態では、起伏のある内面２１０は、第１の内径を有する第１ステップ２１２を含む。第１ステップ２１２は、第１のチャンバ構成要素、例えば、上部電極１３６又はシャワーヘッド１３２を収容するように構成される。いくつかの実施形態では、起伏のある内面２１０は、第１の内径よりも大きい第２の内径を有する第２ステップ２１４をさらに含む。第２ステップ２１４は、第２のチャンバ構成要素を収容するように構成される。例えば、セラミックリング１６８は、第２ステップ２１４上に載置されてもよい。いくつかの実施形態では、第１のチャンバ構成要素及び第２のチャンバ構成要素は、同じ構成要素、例えば、シャワーヘッド１３２の上部電極１３６であってもよい。

［００３２］ 図３は、本開示のいくつかの実施形態による上部ライナ１６０の一部の部分断面図である。いくつかの実施形態では、管状体２０６の底面３０４は、Ｏリング溝３０６を含む。Ｏリング溝３０６は、上部ライナ１６０と下部ライナ１６２との間に密閉を提供するため、Ｏリング３０８を収容することができる。いくつかの実施形態では、管状体２０６は、その中に下部ライナ１６２を収容するために、ノッチが付けられた下部内側エッジ３２６を含む。いくつかの実施形態では、管状体２０６は、管状体２０６の内面から外面まで延在する窓３２０を含んでもよい。窓３２０は、窓３２０を密閉するため、プラグ３３２で充填されてもよい。プラグ３３２は、処理チャンバ１００内を見て処理データを収集することを可能にする材料で作られる。いくつかの実施形態では、プラグ３３２は酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）で作られる。

［００３３］ いくつかの実施形態では、第１ステップ２１２は、Ｏリング３４０を収容して、上側ライナ１６０と第１ステップ２１２上に載置されるチャンバ構成要素との間に密閉を提供するためのＯリング溝３２８を含む。いくつかの実施形態では、起伏のある内面２１０は、天板２０４の底面３４２から第１ステップ２１２まで延在する第１の側壁３１４を含む。いくつかの実施形態では、第１の側壁３１４は、上方及び半径方向外向きに延在する。いくつかの実施形態では、起伏のある内面２１０は、第１ステップ２１２から第２ステップ２１４まで延在する第２の側壁３１６を含む。いくつかの実施形態では、第２の側壁３１６は、上方及び半径方向外向きに延在する。いくつかの実施形態では、起伏のある内面２１０は、第２ステップ２１４から上天板２０４の上面２０２まで延在する第３の側壁３１８を含む。いくつかの実施形態では、第３の側壁３１８は、上方及び半径方向外向きに延在する。いくつかの実施形態では、天板２０４の内径は、約９．０インチ～約１０．０インチである。いくつかの実施形態では、ライナ１０２は、約２．０インチ～約３．０インチの高さを有する。

［００３４］ 図４は、本開示のいくつかの実施形態によるライナ１０２の一部の上面図である。下部ライナ１６２の複数の半径方向スロット１６４は、流れを処理領域１４４からポンプポート１４８へ向けるように構成される。複数の半径方向スロット１６４は、プラズマが処理空間１４４から逃げるのを低減又は防止するように、適切な大きさにされる。いくつかの実施形態では、複数の半径方向スロット１６４は、規則的な間隔で配置される。いくつかの実施形態では、複数の半径方向スロット１６４は、約２００個～約３００個のスロットを含む。いくつかの実施形態では、複数の半径方向スロット１６４の各々の幅は、約０．０２インチ～約０．２インチである。いくつかの実施形態では、複数の半径方向スロット１６４の各々の幅は、約０．０２インチ～約０．０８インチである。いくつかの実施形態では、複数の半径方向スロット１６４によって画定される全開口面積は、下部ライナ１６２の全上面積の約３０％～約５０％である。いくつかの実施形態では、下部ライナ１６２は、ペデスタル１２８を支持するために上部内側ノッチ４０２を含む。いくつかの実施形態では、下部ライナ１６２は、上部ライナ１６０を支持するために上部外側ノッチ４０４を含む。

［００３５］ 図５は、本開示のいくつかの実施形態によるライナ１０２の一部分の部分断面図である。いくつかの実施形態では、上部ライナ１６０は、上部外側ノッチ４０４の上面に載置される。いくつかの実施形態では、Ｏリング３０８は、下部ライナ１６２と上部ライナ１６０との間に密閉を形成するために、上部外側ノッチ４０４の上面に載置される。いくつかの実施形態では、下部ライナ１６２は、下部トレイ１１０の外側壁１２６を収容するために、下部外側ノッチ５０２を含む。いくつかの実施形態では、下部ライナ１６２は、下部トレイ１１０の内側壁１３０を収容するために、下部内側ノッチ５０６を含む。いくつかの実施形態では、下側ライナ１６２の外径は、下部トレイ１１０の外径にほぼ等しい。いくつかの実施形態では、複数の半径方向スロットは、約４．５インチ～約５．５インチの長さ５０４を有する。いくつかの実施形態では、下側ライナ１６２は、約０．２５インチ～約０．７５インチの高さ５１６を有する。

［００３６］ 上記は、本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の及び更なる実施形態が考案されてもよい。

Claims (20)

1. 処理チャンバ内で使用するためのライナであって、前記ライナは、
   中央開口部を有する天板であって、第１の内径の第１ステップと前記第１の内径よりも大きい第２の内径の第２ステップとを有する起伏のある内面を有する天板と、前記天板の外周部から下方に延在する管状体であって、内部を通過させて基板を移送するための開口部を有する管状体と、を有する上部ライナと、
   前記管状体の底面に当接する下部ライナであって、前記下部ライナは前記管状体から半径方向内向きに延在し、前記下部ライナの周囲に配置された複数の半径方向スロットを含む下部ライナと、
   を備え、前記上部ライナと前記下部ライナとがＣ字形断面を形成する、ライナ。
2. 前記上部ライナ及び前記下部ライナは、ポリシリコンで作られるか、又はポリシリコン材料で被覆される、請求項１に記載のライナ。
3. 前記下部ライナの前記複数の半径方向スロットによって画定される全開口面積は、前記下部ライナの全上面積の約３０パーセントから約５０パーセントである、請求項１に記載のライナ。
4. 前記複数の半径方向スロットは、規則的な間隔で配置される、請求項１に記載のライナ。
5. 前記上部ライナの内径は、前記下部ライナの内径よりも大きい、請求項１に記載のライナ。
6. 前記管状体は、前記管状体の内面から外面まで延在する窓を含む、請求項１に記載のライナ。
7. 前記管状体は、前記下部ライナの上部外側ノッチ内へ延在する、請求項１から６のいずれか一項に記載のライナ。
8. 前記管状体の前記底面は、Ｏリング溝を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のライナ。
9. 前記ライナは、約２．０インチから約３．０インチの高さを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のライナ。
10. 前記複数の半径方向スロットは、約４．５インチから約５．５インチの長さを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のライナ。
11. 処理チャンバ内で使用するための処理キットであって、
    請求項１から６のいずれか一項に記載のライナと、
    外側壁、内側壁、前記外側壁から前記内側壁まで延在する下部壁、及び中央開口部を含む環状体を有する下部トレイとを備え、前記ライナは、前記下部トレイ上に載置される、処理キット。
12. 前記下部トレイは、基板支持体を収容するために前記内側壁から半径方向内向きに延在するレッジを含む、請求項１１に記載の処理キット。
13. 前記下部トレイは、アルミニウムで作られている、請求項１１に記載の処理キット。
14. 前記天板の起伏のある内面は、第１の内径を有する第１ステップと、前記第１の内径よりも大きい第２の内径を有する第２ステップとを含む、請求項１１に記載の処理キット。
15. 前記第１ステップは、Ｏリング溝を含む、請求項１４に記載の処理キット。
16. 内部空間をその中に画定するチャンバ本体と、
    前記内部空間内に配置され、前記チャンバ本体のリッドに連結されたシャワーヘッドと、
    前記シャワーヘッドに対向して前記内部空間内に配置された基板支持体と、
    前記内部空間内に配置され、前記基板支持体の周りに配置された、請求項１から６のいずれか一項に記載のライナと、
    を備える、処理チャンバ。
17. 前記基板支持体は、電源に連結されたエッジリングを含む、請求項１６に記載の処理チャンバ。
18. 前記起伏のある内面上に配置されたシリコン製の上部電極を更に備える、請求項１６に記載の処理チャンバ。
19. 前記天板上に配置され、前記ライナを加熱するように構成されたヒータリングを更に備える、請求項１６に記載の処理チャンバ。
20. 前記ヒータリングと前記シャワーヘッドとの間に配置されたセラミックリングを更に備える、請求項１９に記載の処理チャンバ。

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