KR200491165Y1 - 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 다수의 슬롯이 형성되어 챔버의 내부에 장착되는 플라즈마 에칭장치용 한정 링에 있어서, 상부링(10)과 하부링(20)으로 각각 구성되되, 상기 상부링(10)은 중앙부의 둘레를 따라 관통되는 다수의 슬롯(15)이 형성되며 하부에는 가장자리에 근접되게 둘레를 따라 다수의 홈부(11)가 일정간격 이격되게 형성되고, 상기 하부링(20)의 가장자리에 근접되되 상기 홈부(11)와 대응되는 위치에 관통홀(21)이 형성되어, 결합부재(30)를 이용하여 상기 관통홀(21)과 홈부(11)에 순차적으로 각각 끼워져 결합됨으로써, 한정 링의 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에 종래에 챔버의 내부에서 장착하여 지속적인 사용 시 단일품으로 소모부품의 특성을 고려하여 전체적인 교체를 하지 않고 부분적인 교체를 통한 경제적 효율성을 높일 수 있고, 상호 조립되어 맞닿는 부분으로 플라즈마 가스가 누설되지 않도록 하는 유용한 고안인 것이다.
Description
본 고안은 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마 가스의 확산 방지와 유동 제어량을 조절하는 한정 링의 구조를 결합 및 분리가 가능한 이체형으로 구성하여 지속적인 플라즈마 가스에 노출된 부분만을 선택적으로 교체할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다.
통상적인 반도체 웨이퍼 공정을 보면, 1) 웨이퍼를 제작하는 공정, 2) 웨이퍼 표면에 산화 막을 형성시키는 산화 공정, 3) 준비된 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려 넣는 포토공정, 4) 필요한 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하여 반도체 구조를 형성하는 패턴을 만드는 에칭(식각)공정, 5) 웨이퍼 위에 원하는 분자 또는 단위의 물질을 박막의 두께로 입혀 전기적인 특성을 갖게 하는 증착공정, 6) 소자 동작 신호가 섞이지 않고 잘 전달되도록 선을 연결하는 금속 배선 공정, 7) EDS test(electrical die sorting) 웨이퍼 상태인 각각의 칩들이 원하는 품질 수준에 도달하는지를 체크하는 테스트 공정, 8) 외부 환경으로부터 배선, 전력공급, 직접회로의 보호, 단자 간 연결을 위한 전기적 포장을 하는 패키징 공정으로 이루어진다.
한편, 상기 에칭공정 시 챔버의 내부에 장착되어, 플라즈마 가스의 확산을 방지하면서도 가스의 유동 제어 및 양을 조절토록 하여 안정화된 에칭작업이 가능토록 하는 역할을 수행하는 한정 링이 구성된다.
상기 한정 링의 경우 소모성 부품으로써, 챔버의 내부에서 플라즈마 가스에 지속적으로 노출됨에 따라 일정기간 사용 후에는 상기 한정 링을 교체한 후 에칭 작업을 진행하고 있다.
한편, 종래에는 한정 링이 하나의 단일품으로 형성되어 챔버의 내부에서 장기간 사용 시 단일품으로 형성된 한정 링을 그대로 분리시킨 후, 새로운 한정 링을 교체한 후 사용하고 있다.
특히, 상기 한정 링은 소모품으로써, 지속적인 교체를 할 경우 많은 유지보수 비용이 발생하기 마련인데, 상기 한정 링의 교체 및 경제적 효율성을 가질 수 있도록 개량된 한정 링이 필요한 실정이다.
따라서 본 고안의 목적은, 한정 링을 구성 시, 플라즈마 가스의 확산 방지 및 가스의 유동량을 제어하면서도 플라즈마 가스에 지속적으로 노출되어 교체 시 전체적인 교체가 이루어지지 않고 부분적인 교체가 가능하도록 상부 링과 하부 링을 한정 링을 결합 및 분리되게 구성하고, 상기 상부 링과 하부 링의 결합 시 상호 맞닿는 표면의 틈으로 플라즈마 가스의 누설을 방지토록 함은 물론, 소모품의 특성상 지속적인 사용 시 상부 링만을 교체하여 경제적 효율성을 높일 수 있도록 하는 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링을 제공함에 주안점을 두고 그 기술적 과제로 완성해낸 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 기술적 사상으로서, 상부링(10)과 하부링(20)으로 각각 구성되되, 상기 상부링(10)은 중앙부의 둘레를 따라 관통되는 다수의 슬롯(15)이 형성되며 하부에는 가장자리에 근접되게 둘레를 따라 다수의 홈부(11)가 일정간격 이격되게 형성되고, 상기 하부링(20)의 가장자리에 근접되되 상기 홈부(11)와 대응되는 위치에 관통홀(21)이 형성되어, 결합부재(30)를 이용하여 상기 관통홀(21)과 홈부(11)에 순차적으로 각각 끼워져 결합되어 챔버의 내부에 장착되는 플라즈마 에칭장치용 한정 링에 있어서, 상기 하부링(20)의 상측 가장자리에 근접하는 둘레를 따라 삽입홈(23)이 형성되고, 상기 삽입홈(23)의 형상과 대응하며 전기전도성을 하며 상기 삽입홈(23)의 상측보다 조금 높게 형성되는 패킹(40)이 삽입 구성되어, 상기 상부링(10)과 하부링(20)을 결합 시 플라즈마 가스의 누설을 방지하도록 구성되고, 상기 상부링(10)의 홈부(11)에는 내주가 관통되는 삽입부재(50)가 끼움 또는 열융착에 의해 고정되어, 결합부재(30)와 결합되며, 상기 상부링(10)의 하부 가장자리의 일측에는 돌출 또는 내삽되게 형성되며, 상기 하부링(20)의 상부 가장자리의 일측에는 상기 상부링(10)의 돌출 또는 내삽되는 부분과 대응되는 부분에 상기 돌출 또는 내삽되는 형상과 대응되게 형성되어 상호 맞물려지도록 구성되고, 상기 상부링(10)의 내측에는 전도성시트(60)와 인서트링(70)이 순차적으로 적층되며 상기 상부링(10)의 슬롯(15)과 대응되는 위치에 동일한 형상의 각각의 홀이 형성되어 상기 상부링(10)과 결합되는 것을 기술적 특징으로 한다.
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상기 상부링(10)의 홈부(11)에 삽입되는 삽입부재(50)는 중앙부가 관통되어 내주에 나사산이 형성되고, 상기 하부링(20)의 관통홀(21)은 내주에 전체적으로 나사산이 형성되지 않고 상기 하부링(20)의 관통홀(21)과 근접하는 내부 일부분에만 나사산이 형성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
상기 상부링(10)과 하부링(20)을 결합 시, 상기 상부링(10)의 하측과 하부링(20)의 상측은 가장자리만 인접하게 형성되고 가장자리를 제외한 부분은 인접하지 않게 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
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상기 전도성시트(60)와 인서트링(70)은 단일 또는 분할된 형태로 형성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
상기 인서트링(70)은 Single Crystal Si, Poly Si, Sapphire, Y2O3, SiC, SiC, Quartz, Si3N4, ZrＯ2, 단결정, 다결정 C계열 중 어느 하나의 소재로 구성되는 기술적 특징으로 한다.
상기 결합부재(30)는 Single Crystal Si, Poly Si, Sapphire, Y2O3, SiC, SiC, Quartz, Si3N4, ZrＯ2, 단결정, 다결정 C계열 중 어느 하나의 소재로 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
본 고안에 따른 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링에 의하면, 한정 링의 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에 챔버의 내부에서 장착하여 지속적인 사용 시 소모부품의 특성을 고려하여 전체적인 교체를 하지 않고 부분적인 교체를 통한 경제적 효율성을 높일 수 있고, 상호 조립되어 맞닿는 부분으로 플라즈마 가스가 누설되지 않도록 하는 유용한 고안인 것이다.
도 1은 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 사시도
도 2는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해도
도 3은 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해 단면도
도 4는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 확대도
도 5는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 정면도, 확대도
도 6는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해도
도 7은 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 확대도
도 8은 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 정단면도, 분해도
도 9는 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 정단면도, 분해도
도 10은 본 고안의 다른실시 예를 나타내는 확대도
도 11은 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 분해사시도
도 12는 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 단면도
도 13은 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 분해도
도 14는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 사용상태도
도 2는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해도
도 3은 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해 단면도
도 4는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 확대도
도 5는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 정면도, 확대도
도 6는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해도
도 7은 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 확대도
도 8은 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 정단면도, 분해도
도 9는 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 정단면도, 분해도
도 10은 본 고안의 다른실시 예를 나타내는 확대도
도 11은 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 분해사시도
도 12는 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 단면도
도 13은 본 고안의 다른 실시 예를 나타내는 분해도
도 14는 본 고안의 바람직한 실시 예를 나타내는 사용상태도
본 고안은 플라즈마 가스의 확산 방지와 유동 제어량을 조절하는 한정 링의 구조를 결합 및 분리가 가능한 이체형으로 구성하여 지속적인 플라즈마 가스에 노출된 부분만을 선택적으로 교체할 수 있도록 하는 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링을 제공한다.
이하, 첨부되는 도면과 관련하여 상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 바람직한 구성 및 작용에 대하여 도 1 내지 도 14를 참고로 하여 설명하면 다음과 같다.
우선 본 고안을 설명하기에 앞서 그 구성을 도 1 내지 도 5를 참고하여 살펴보면, 다수의 슬롯(15)이 형성되어 챔버의 내부에 장착되는 플라즈마 에칭장치용 한정 링에 있어서, 상부링(10)과 하부링(20)으로 각각 구성되되, 상기 상부링(10)은 중앙부의 둘레를 따라 관통되는 다수의 슬롯(15)이 형성되며 하부에는 가장자리에 근접되게 둘레를 따라 다수의 홈부(11)가 일정간격 이격되게 형성되고, 상기 하부링(20)의 가장자리에 근접되되 상기 홈부(11)와 대응되는 위치에 관통홀(21)이 형성되어, 결합부재(30)를 이용하여 상기 관통홀(21)과 홈부(11)에 순차적으로 각각 끼워져 결합되어 구성된다.
먼저, 통상적으로 한정 링은 에칭(식각)공정에서 사용되는 챔버의 내부에 장착되어, 플라즈마 가스를 형성할 시, 플라즈마 가스의 확산을 방지하면서도 제어량을 조절토록 하는 역할을 수행하고, 상기 상부링(10)과 하부링(20)을 결합 시, 상기 상부링(10)의 하측과 하부링(20)의 상측은 가장자리만 인접하게 형성되고 가장자리를 제외한 부분은 인접하지 않게 구성된다.
상기 상부링(10)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 둥근형상으로 형성되되, 중앙부를 기준으로 일정간격 이격되어 둘레를 따라서 플라즈마 가스가 유동하는 다수의 슬롯(15)이 형성되어지고, 하부에는 가장자리와 근접되되 둘레를 따라서 일정간격 이격되는 홈부(11)가 형성된다.
상기 홈부(11)의 경우 하기될 삽입부재(50)가 삽입되기 위한 구성이고, 상기 삽입부재(50)는 상기 홈부(11)에 삽입되어 끼움 고정 또는 열융착 및 기타 통상의 고정수단으로 고정되는 구성이다.
상기 하부링(20)은 상기 상부링(20)의 하부에 위치하되, 상측 둘레를 따라서, 삽입홈(23)이 형성되고, 상기 삽입홈(23) 상에 상기 홈부(11)와 대응하는 위치에 각각의 관통홀(21)이 형성된다.
다시 말해, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 삽입홈(23)은 하부링(20)의 상측면보다 낮게 형성되어, 상기 삽입홈(23)과 대응되는 형상을 가지며 또한, 전기전도성이 높은 실리콘 계열의 시트 등의 재질로 구성된 패킹(40)이 삽입 구성되어, 상기 하부링(20)을 상부링(10)과 결합 시 상호 인접 또는 마주 또는 맞닿는 부분으로 플라즈마 가스의 누설을 방지할 수 있고, 상기 패킹(40) 전기전도성이 높은 실리콘 계열의 시트 등의 재질로 구성되어, 상부링(10)을 교체할 주기보다 더 오랜 기간 사용이 가능한 효과를 가질 수가 있다.
또한, 도시하진 않았지만 상기 패킹(40)을 상기 삽입홈(23)의 형상과 대응되되, 높이를 조금 높게 형성하여, 하기될 결합부재(30)로 상부링(10)과 하부링(20)의 결합 시 상기 패킹(40)에 의해 상부링(10)의 하부와 하부링(20)의 상부가 맞닿지 않고 패킹(40)이 상부링(10)의 하부와 맞닿게 되어 더욱 효과적인 플라즈마 가스의 누설을 방지할 수가 있다.
한편, 상기 삽입부재(50)는 도 5에 도시된 바와 같이 상기 상부링(10)의 홈부(11)에 삽입되어 결합부재(30)를 이용하여 하부링(20)의 관통홀(21)과 상기 삽입부재(50)에 결합되며, 이때, 상기 삽입부재(50)의 중앙부는 관통되어 있으며, 내부에 나사산이 형성되어 있다.
여기서, 도 6 내지 도 7에 도시된 바와 같이 상기 상부링(10)의 홈부(11)에 삽입되는 삽입부재(50)는 중앙부가 관통되어 내주에 나사산이 형성되고, 상기 하부링(20)의 관통홀(21)은 내주에 전체적으로 나사산이 형성되지 않고 상기 하부링(20)의 관통홀(21)과 근접하는 내부 일부분에만 나사산이 형성되어, 결합부재(30)를 이용하여 상부링(10)와 하부링(20)을 결합 시, 신속한 결합 및 분리가 가능토록 하는 효과가 있고, 상기 결합부재(30)는 관통홀(21)의 형상과 대응되게 형성되며, 상부링(10)의 홈부(11)에 삽입된 삽입부재(50)의 높이만큼 더 길게 형성된다.
다시 말해, 도 5 내지 도 6에 도시된 바와 같이 결합부재(30)를 이용하여 상부링(10)과 하부링(20)을 결합할 시, 상기 결합부재(30)가 하부링(20)의 관통홀(21)로 삽입되되, 나사산이 형성되지 않은 내주에는 자연스레 삽입되며 나사산이 있는 부분부터 회전 결합을 통해 회전되며 상기 상부링(10)에 끼워 고정된 삽입부재(50)의 나사산과 결합되어 상부링(10)과 하부링(20)을 완전히 결합하게 된다.
즉, 결합부재(30)는 관통홀(21), 패킹(40)의 홀(41)과 상부링(10)에 삽입된 삽입부재(50)에 순차적으로 삽입과 결합이 이루어져 상부링(10)과 하부링(20)이 결합되어 고정된다.
한편, 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이 상부링(10)와 하부링(20)의 구조를 가변시켜 구성할 수도 있는데, 다시 말해, 상기 상부링(10)의 하측과 하부링(20)의 상측은 일측이 상호 맞물려지도록 구성될 수가 있다.
예를 들면, 도 8 또는 도 10에 도시된 바와 같이 정단면을 기준으로, 상부링(10)의 하측면과 맞닿는 하부링(10)의 상부 일측에 형성되되, 중앙부측 방향에 근접한 부분이 돌출되게 형성되고, 상기 상부링(10)의 하부 일측에는 상기 하부링(10)의 돌출된 부분과 대응되게 형성하여 결합부재(30)를 이용하여 상부링(10)과 하부링(20)을 결합 시, 상기 돌출된 부분과 내삽된 부분이 상호 끼워져 맞물리는 구조로 형성될 수가 있다.
또한, 도 9 또는 도 10에 도시된 바와 같이 정단면을 기준으로, 하부링(10)의 상측면과 맞닿는 상부링(10)의 하부 일측에 구성되되, 상부링(10)의 중앙부측 방향이 아닌 외측에 위치한 부분이 돌출되게 형성되고, 상기 하부링(20)의 상부 일측에는 상기 상부링(10)의 돌출된 부분과 대응되게 형성하여 상호 끼워져 맞물리는 구주로 형성될 수가 있다.
또한, 도 10에 도시된 바와 같이 하부링(20)의 오른쪽 상부가 돌출되게 형성되고 상부링(10)의 오른쪽 하부가 내삽되게 형성되는 것으로 도시하였고, 상부링(10)의 왼쪽 하부가 돌출되게 형성되고, 하부링(20)의 왼쪽 하부가 내삽되게 형성되는 것으로 도시하였지만, 필요에 따라서 도시하진 않았지만 상호 반대로 돌출 및 내삽되게 형성하여 맞물리게 형성할 수도 있고, 상호 맞물리는 구조의 형상을 가변시켜 구성할 수도 있으며, 본 고안의 실시 예로써 한정짓지 아니한다.
상기한 바와 같이 상부링(10) 또는 하부링(20)의 상호 마주하는 부분이 맞물리도록 형성하게 되면, 플라즈마 가스의 누설 효율을 극대화시킬 수가 있게 된다.
한편, 도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이 상기 상부링(10)의 내측에는 전도성시트(60)와 인서트링(70)이 순차적으로 적층되어 상기 상부링(10)과 결합되도록 구성된다.
여기서, 상기 전도성시트(60)와 인서트링(70)은 한정 링이 챔버 내부의 척 상부에 결합 될 시, 플라즈마 가스가 한정 링의 외부로 배출될 수 있도록 상부링(10)에 형성된 슬롯(15)과 대응되는 위치에 동일한 형상의 각각의 홀이 형성된다.
또한, 도 11 또는 도 13에 도시된 바와 같이 결합부재(30)의 외주가 삽입될 수 있도록 상기 상부링(10)의 홈부(11)와 대응되는 위치에 각각의 홀들이 더 형성되어 최종적으로 상부링(10)의 하부에 안착 구성되어 상기 결합부재(30)에 의해 고정되게 구성된다.
이때, 상기 상부링(10)은 실질적으로 챔버 내부의 척의 상부에 안착되는 부분으로써, 한정 링은 도 14에 도시된 바와 같은 위치로 배치되어야 한다.
또한, 상기 전도성시트(60)는 열전도율 및 전기저항을 높이기 위하여 전기적 특성을 지닌 재질로 구성된다.
또한, 상기 인서트링(70)은 SiC재질로 형성되어 종래의 Si재질보다 우수한 물리적 특성과 내화학적 특성, 고온 안정성을 가질 수가 있다.
한편, 도시하진 않았지만 상기 전도성시트(60)와 인서트링(70)은 단일 또는 분할된 형태로 형성되도록 하여, 필요에 따라서 하나의 형태로 하여 결합 구성 또는 2개 이상으로 분할된 형태로 형성하여 결합하여 사용할 수가 있다.
이러한 분할된 형태의 전도성시트(60)와 인서트링(70)은 통상적으로 에칭공정에서 플라즈마 가스와 가장 접촉이 많이되는 부분에 위치됨에 따라 부분적인 교체를 통해 경제적 효율성을 높일 수가 있다.
본 고안에서 한정 링은 전체적으로 상부링(10), 하부링(20), 결합부재(30), 패킹(40), 삽입부재(50), 전도성시트(60) 및 인서트링(70)으로 구성되어 하나의 한정 링을 설명하였다.
이러한 한정 링은 도 14에 도시된 바와 같이 반도체 에칭공정에서 챔버의 내부에 구성되는 척의 상부에 구성되는데, 이때, 상기 상부링(10)이 하부에 위치되고 상기 하부링(20)이 상부로 위치되어, 실질적으로 상기 상부링(10)의 슬롯(15)으로 플라즈마 가스가 최종적으로 배출된다.
실질적으로 상부링(10)과 하부링(20)의 장착구조와 반대로 도시되었지만, 이는 본 발명의 한정 링의 보다 명확한 설명을 위하여 도시하였음으로 본 고안의 실시 예로써 한정짓지 아니한다.
본 고안의 한정 링은 전체적으로 이체형의 구조로 구성됨과 아울러, 전도성시트(60) 및 인서트링(70)이 추가적으로 구성되어, 플라즈마 가스에 가장 노출이 심한 부분(인서트링)만을 교체하거나, 필요에 따라서 상부링(10)만을 교체할 수 있도록 하여 비교적 고가의 한정 링을 부분적인 교체를 통해 경제적 효율성을 극대화시킬 수가 있다.
또한, 상기 결합부재(30)와 인서트링(70)은 Single Crystal Si, Poly, Sapphire, Y2O3, SiC, SiC, Quartz, Si3N4, ZrＯ2, 단결정, 다결정 C계열 중 어느 하나의 소재로 될 수가 있는데, 즉, 전기적 특성을 지니거나 전기적 특성을 지니지 않은 소재로 구성될 수가 있고, 언급한 소재들의 특성은 통상적으로 널리 알려진 것으로 별도의 상세한 설명은 생략하며, 본 고안의 실시 예로써 한정짓지 아니한다.
또한, 상기 단결정, 다결정 C계열은 통상적으로 당업계에서 카본소재를 이르는 말로써, 카본소재의 경우 다양한 카본소재들이 있는데 모든 카본소재들을 설명하는 것이다.
본 고안에 따른 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링에 의하면, 한정 링의 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에 종래에 챔버의 내부에서 장착하여 지속적인 사용 시 단일품으로 소모부품의 특성을 고려하여 전체적인 교체를 하지 않고 부분적인 교체를 통한 경제적 효율성을 높일 수 있고, 상호 조립되어 맞닿는 부분으로 플라즈마 가스가 누설되지 않도록 하는 유용한 고안인 것이다.
10 : 상부링 11 : 홈부 15 : 슬롯
20 : 하부링 21 : 관통홀 23 : 삽입홈
30 : 결합부재
40 : 패킹 41 : 홀
50 : 삽입부재 60 : 전도성시트 70 : 인서트링
20 : 하부링 21 : 관통홀 23 : 삽입홈
30 : 결합부재
40 : 패킹 41 : 홀
50 : 삽입부재 60 : 전도성시트 70 : 인서트링
Claims (10)
- 상부링(10)과 하부링(20)으로 각각 구성되되, 상기 상부링(10)은 중앙부의 둘레를 따라 관통되는 다수의 슬롯(15)이 형성되며 하부에는 가장자리에 근접되게 둘레를 따라 다수의 홈부(11)가 일정간격 이격되게 형성되고, 상기 하부링(20)의 가장자리에 근접되되 상기 홈부(11)와 대응되는 위치에 관통홀(21)이 형성되어, 결합부재(30)를 이용하여 상기 관통홀(21)과 홈부(11)에 순차적으로 각각 끼워져 결합되어 챔버의 내부에 장착되는 플라즈마 에칭장치용 한정 링에 있어서,
상기 하부링(20)의 상측 가장자리에 근접하는 둘레를 따라 삽입홈(23)이 형성되고, 상기 삽입홈(23)의 형상과 대응하며 전기전도성을 하며 상기 삽입홈(23)의 상측보다 조금 높게 형성되는 패킹(40)이 삽입 구성되어, 상기 상부링(10)과 하부링(20)을 결합 시 플라즈마 가스의 누설을 방지하도록 구성되고,
상기 상부링(10)의 홈부(11)에는 내주가 관통되는 삽입부재(50)가 끼움 또는 열융착에 의해 고정되어, 결합부재(30)와 결합되며,
상기 상부링(10)의 하부 가장자리의 일측에는 돌출 또는 내삽되게 형성되며, 상기 하부링(20)의 상부 가장자리의 일측에는 상기 상부링(10)의 돌출 또는 내삽되는 부분과 대응되는 부분에 상기 돌출 또는 내삽되는 형상과 대응되게 형성되어 상호 맞물려지도록 구성되고,
상기 상부링(10)의 내측에는 전도성시트(60)와 인서트링(70)이 순차적으로 적층되며 상기 상부링(10)의 슬롯(15)과 대응되는 위치에 동일한 형상의 각각의 홀이 형성되어 상기 상부링(10)과 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 상부링(10)의 홈부(11)에 삽입되는 삽입부재(50)는 중앙부가 관통되어 내주에 나사산이 형성되고,
상기 하부링(20)의 관통홀(21)은 내주에 전체적으로 나사산이 형성되지 않고 상기 하부링(20)의 관통홀(21)과 근접하는 내부 일부분에만 나사산이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링.
- 제 1항에 있어서,
상기 상부링(10)과 하부링(20)을 결합 시, 상기 상부링(10)의 하측과 하부링(20)의 상측은 가장자리만 인접하게 형성되고 가장자리를 제외한 부분은 인접하지 않게 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 전도성시트(60)와 인서트링(70)은 단일 또는 분할된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링.
- 제 1항 또는 제 8항에 있어서,
상기 인서트링(70)은 Single Crystal Si, Poly Si, Sapphire, Y2O3, SiC, Quartz, Si3N4, ZrＯ2, 단결정, 다결정 C계열 중 어느 하나의 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링.
- 제 1항에 있어서,
상기 결합부재(30)는 Single Crystal Si, Poly Si, Sapphire, Y2O3, SiC, Quartz, Si3N4, ZrＯ2, 단결정, 다결정 C계열 중 어느 하나의 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링.
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