JP2003174153A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003174153A5
JP2003174153A5 JP2002207536A JP2002207536A JP2003174153A5 JP 2003174153 A5 JP2003174153 A5 JP 2003174153A5 JP 2002207536 A JP2002207536 A JP 2002207536A JP 2002207536 A JP2002207536 A JP 2002207536A JP 2003174153 A5 JP2003174153 A5 JP 2003174153A5
Authority
JP
Japan
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002207536A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003174153A (ja
JP4027740B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002207536A priority Critical patent/JP4027740B2/ja
Priority claimed from JP2002207536A external-priority patent/JP4027740B2/ja
Publication of JP2003174153A publication Critical patent/JP2003174153A/ja
Publication of JP2003174153A5 publication Critical patent/JP2003174153A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4027740B2 publication Critical patent/JP4027740B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2002207536A 2001-07-16 2002-07-16 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4027740B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002207536A JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2002-07-16 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001216018 2001-07-16
JP2001-216018 2001-07-16
JP2001-299620 2001-09-28
JP2001299620 2001-09-28
JP2002207536A JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2002-07-16 半導体装置の作製方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002279547A Division JP4567282B2 (ja) 2001-07-16 2002-09-25 発光装置の作製方法
JP2006037358A Division JP4527068B2 (ja) 2001-07-16 2006-02-15 剥離方法、半導体装置の作製方法、及び電子書籍の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003174153A JP2003174153A (ja) 2003-06-20
JP2003174153A5 true JP2003174153A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2006-03-30
JP4027740B2 JP4027740B2 (ja) 2007-12-26

Family

ID=27347165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002207536A Expired - Fee Related JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2002-07-16 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4027740B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (185)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7973313B2 (en) * 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
JP4163567B2 (ja) * 2003-07-09 2008-10-08 株式会社 日立ディスプレイズ 発光型表示装置
US7253391B2 (en) 2003-09-19 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical sensor device and electronic apparatus
CN100477240C (zh) 2003-10-06 2009-04-08 株式会社半导体能源研究所 半导体器件以及制造该器件的方法
TWI372462B (en) 2003-10-28 2012-09-11 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US7229900B2 (en) 2003-10-28 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material
JP4809600B2 (ja) * 2003-10-28 2011-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4939742B2 (ja) * 2003-10-28 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 光学フィルムの作製方法
US8048251B2 (en) 2003-10-28 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
US6967149B2 (en) * 2003-11-20 2005-11-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage structure with cleaved layer
CN100583193C (zh) 2003-11-28 2010-01-20 株式会社半导体能源研究所 制造显示设备的方法
JP4689249B2 (ja) * 2003-11-28 2011-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP4836445B2 (ja) * 2003-12-12 2011-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2005183615A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Ricoh Co Ltd 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置
TWI406690B (zh) * 2004-02-26 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 運動器具,娛樂工具,和訓練工具
JP4583797B2 (ja) * 2004-04-14 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7288480B2 (en) 2004-04-23 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit and method for manufacturing the same, CPU, memory, electronic card and electronic device
KR101223197B1 (ko) * 2004-09-24 2013-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제조방법
JP4817636B2 (ja) 2004-10-04 2011-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP5072210B2 (ja) * 2004-10-05 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI413152B (zh) 2005-03-01 2013-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置製造方法
JP4846265B2 (ja) * 2005-05-13 2011-12-28 共同印刷株式会社 表示装置用素子基板及びその製造方法
JP5057700B2 (ja) * 2005-05-31 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP1760776B1 (en) * 2005-08-31 2019-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate
EP1760798B1 (en) * 2005-08-31 2012-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8900970B2 (en) 2006-04-28 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate
US8137417B2 (en) 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
US8048777B2 (en) 2006-09-29 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2008066091A1 (en) 2006-11-29 2008-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device, and method for manufacturing the same
US7968382B2 (en) 2007-02-02 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
EP1970951A3 (en) 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1970952A3 (en) 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5268395B2 (ja) 2007-03-26 2013-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7897482B2 (en) 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2001047A1 (en) 2007-06-07 2008-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
JP5388500B2 (ja) 2007-08-30 2014-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2009087928A (ja) 2007-09-13 2009-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP5367330B2 (ja) * 2007-09-14 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
JP5366517B2 (ja) * 2007-12-03 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2009205669A (ja) 2008-01-31 2009-09-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN102067281B (zh) * 2008-04-25 2013-06-12 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101582503B1 (ko) 2008-05-12 2016-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
EP2297778A1 (en) 2008-05-23 2011-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
WO2009142310A1 (en) 2008-05-23 2009-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8053253B2 (en) 2008-06-06 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5248412B2 (ja) 2008-06-06 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI475282B (zh) 2008-07-10 2015-03-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置和其製造方法
KR102026604B1 (ko) 2008-07-10 2019-10-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR101910451B1 (ko) * 2008-07-10 2018-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
WO2010032611A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101611643B1 (ko) 2008-10-01 2016-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP5586920B2 (ja) 2008-11-20 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 フレキシブル半導体装置の作製方法
RU2011133042A (ru) 2009-01-07 2013-02-20 Шарп Кабусики Кайся Органическое электролюминесцентное дисплейное устройство и способ для его формирования
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
JP2010245031A (ja) * 2009-03-20 2010-10-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蓄電デバイス及びその作製方法
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
JP5616671B2 (ja) * 2010-04-07 2014-10-29 協立化学産業株式会社 接着剤層を有する多層板状部材の分離方法及び分離装置
US8507322B2 (en) 2010-06-24 2013-08-13 Akihiro Chida Semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
JP5902406B2 (ja) 2010-06-25 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 分離方法および半導体装置の作製方法
KR101845480B1 (ko) 2010-06-25 2018-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5416724B2 (ja) * 2011-01-26 2014-02-12 積水化学工業株式会社 複合体、複合体の製造方法及び多層ビルドアップ配線基板の製造方法
JP2012186158A (ja) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置及び発光装置の作製方法及び製造装置
WO2012115016A1 (en) 2011-02-25 2012-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using light-emitting device
KR102040242B1 (ko) 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
CN103518262B (zh) * 2011-07-06 2016-07-06 松下电器产业株式会社 挠性器件的制造方法及挠性器件
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
JP6114063B2 (ja) * 2012-02-29 2017-04-12 京セラ株式会社 複合基板
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR101989940B1 (ko) 2012-05-11 2019-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
JP6580808B2 (ja) * 2012-06-19 2019-09-25 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 表示装置及びその製造方法
WO2013191180A1 (ja) * 2012-06-19 2013-12-27 新日鉄住金化学株式会社 表示装置及びその製造方法、並びに、表示装置支持基材用ポリイミドフィルム及びその製造方法
TWI645578B (zh) 2012-07-05 2018-12-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及發光裝置的製造方法
JP5685567B2 (ja) * 2012-09-28 2015-03-18 株式会社東芝 表示装置の製造方法
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI611582B (zh) 2013-04-10 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR20180133562A (ko) 2013-04-15 2018-12-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR102249715B1 (ko) 2013-04-24 2021-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5454727B1 (ja) 2013-07-10 2014-03-26 日新電機株式会社 薄膜トランジスタの作製方法
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
WO2015005230A1 (en) 2013-07-12 2015-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
CN111142363B (zh) 2013-07-16 2022-01-25 株式会社半导体能源研究所 电子设备
KR20160032099A (ko) 2013-07-19 2016-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 정보 처리 장치
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
TWI667644B (zh) 2013-07-19 2019-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 資料處理裝置
US9356049B2 (en) 2013-07-26 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor on an outer side of a bent portion
US9269914B2 (en) 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
WO2015019971A1 (en) 2013-08-06 2015-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method
KR102285804B1 (ko) 2013-08-30 2021-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 적층의 가공 장치 및 가공 방법
KR102288238B1 (ko) 2013-09-03 2021-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9925749B2 (en) 2013-09-06 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Bonding apparatus and stack body manufacturing apparatus
TW201943069A (zh) 2013-09-06 2019-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及發光裝置的製造方法
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9981457B2 (en) 2013-09-18 2018-05-29 Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus of stack
JP6513929B2 (ja) 2013-11-06 2019-05-15 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法
KR20210109668A (ko) 2013-11-15 2021-09-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 데이터 처리 장치
US9430180B2 (en) 2013-11-15 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Display panel and electronic device
KR102239367B1 (ko) 2013-11-27 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
CN105874525B (zh) 2013-11-28 2021-04-16 株式会社半导体能源研究所 电子设备以及其驱动方法
KR102411905B1 (ko) 2013-12-02 2022-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
WO2015083030A1 (en) 2013-12-02 2015-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing touch panel
US20150154730A1 (en) 2013-12-02 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device
TWI732735B (zh) 2013-12-03 2021-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離裝置以及疊層體製造裝置
US9905589B2 (en) 2013-12-03 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20240093961A (ko) 2014-02-11 2024-06-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR102358935B1 (ko) 2014-02-12 2022-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
TWI654736B (zh) 2014-02-14 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
WO2015125046A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and peeling method
US9588549B2 (en) 2014-02-28 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
TWI696023B (zh) 2014-02-28 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法及電子裝置的製造方法
CN108963105B (zh) 2014-03-06 2020-11-24 株式会社半导体能源研究所 发光装置
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
US10228729B2 (en) 2014-03-12 2019-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2015187852A (ja) 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
KR102292148B1 (ko) 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
TWI764064B (zh) 2014-03-13 2022-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 撓性裝置
JP6548425B2 (ja) 2014-03-31 2019-07-24 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 フレキシブルデバイスの製造方法及びフレキシブルデバイス並びにフレキシブルデバイス製造装置
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
TWI831924B (zh) 2014-04-25 2024-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6526947B2 (ja) 2014-04-30 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 拭き取り装置および積層体の作製装置
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
US10073571B2 (en) 2014-05-02 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor and touch panel including capacitor
JP2015228367A (ja) 2014-05-02 2015-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、入出力装置、及び電子機器
JP6596224B2 (ja) 2014-05-02 2019-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び入出力装置
JP6548871B2 (ja) 2014-05-03 2019-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 積層体の基板剥離装置
JP6722980B2 (ja) 2014-05-09 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および発光装置、並びに電子機器
US10586954B2 (en) 2014-05-23 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device including secondary battery
US10372163B2 (en) 2014-05-30 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input device comprising sensor panel, information processing device comprising input device
TWI790965B (zh) 2014-05-30 2023-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
JP6727762B2 (ja) 2014-05-30 2020-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP2016006640A (ja) 2014-05-30 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 検知器、入力装置、入出力装置
US9455281B2 (en) 2014-06-19 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, touch panel module, and display device
US9676175B2 (en) 2014-06-20 2017-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus
TWI755773B (zh) 2014-06-30 2022-02-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,模組,及電子裝置
JP6751385B2 (ja) * 2014-07-08 2020-09-02 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 基板の製造方法
JP2016029464A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6636736B2 (ja) 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
CN110176482B (zh) 2014-07-25 2023-08-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
US9799829B2 (en) 2014-07-25 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, light-emitting device, module, and electronic device
WO2016016765A1 (en) 2014-07-31 2016-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6506648B2 (ja) 2014-07-31 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10434847B2 (en) 2014-08-07 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving support system
JP6602585B2 (ja) * 2014-08-08 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
TWI682534B (zh) 2014-08-22 2020-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示裝置的製造方法以及電子裝置
JP2016057617A (ja) 2014-09-05 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP2016110075A (ja) 2014-10-03 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、モジュール、及び電子機器
WO2016055897A1 (en) 2014-10-08 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN106797684B (zh) 2014-10-17 2020-06-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置、模块、电子设备以及发光装置的制造方法
KR102500994B1 (ko) 2014-10-17 2023-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR20240108555A (ko) 2014-10-28 2024-07-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP2016095502A (ja) 2014-11-11 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム、表示装置
US10185363B2 (en) 2014-11-28 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
WO2016083928A1 (en) 2014-11-28 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image processing device, display system, and electronic device
US9933872B2 (en) 2014-12-01 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US9368750B1 (en) 2014-12-04 2016-06-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for fabricating intermediate member of electronic element and method for fabricating electronic element
JP2016208020A (ja) 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
JP6815096B2 (ja) 2015-05-27 2021-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離装置
JP6761276B2 (ja) 2015-05-28 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法
KR102076054B1 (ko) * 2015-06-09 2020-02-11 로욜 코포레이션 플렉서블 전자 장치 제조 장치
JP6764704B2 (ja) 2015-07-29 2020-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US9941475B2 (en) 2015-07-29 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device and method for manufacturing electronic device
KR102632066B1 (ko) 2015-07-30 2024-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치의 제작 방법, 발광 장치, 모듈, 및 전자 기기
DE112016004055B4 (de) 2015-09-08 2024-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtungen und elektronisches gerät
US10424632B2 (en) 2015-11-30 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US10259207B2 (en) 2016-01-26 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming separation starting point and separation method
US10522574B2 (en) 2016-05-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device
TWI722048B (zh) 2016-06-10 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI724063B (zh) 2016-06-24 2021-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、輸入輸出裝置、半導體裝置
US10141544B2 (en) 2016-08-10 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
JP6801297B2 (ja) * 2016-08-26 2020-12-16 大日本印刷株式会社 配線基板及び表示装置
JP7143210B2 (ja) * 2016-10-07 2022-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102539347B1 (ko) 2016-12-22 2023-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
WO2019053820A1 (ja) * 2017-09-13 2019-03-21 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルディスプレイの製造装置
CN107799640B (zh) * 2017-11-02 2023-12-29 江苏穿越光电科技有限公司 一种高光效P型非极性AlN薄膜及其制备方法
WO2019106846A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム
WO2021005796A1 (ja) * 2019-07-11 2021-01-14 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブル発光デバイス、その製造方法及び支持基板
WO2021005798A1 (ja) * 2019-07-11 2021-01-14 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブル発光デバイスの製造方法及び支持基板
WO2024142947A1 (ja) * 2022-12-26 2024-07-04 東京エレクトロン株式会社 重合基板、基板処理方法及び基板処理システム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142570A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Ube Ind Ltd 複合半導体基板及びその製造方法
JP3809681B2 (ja) * 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
JP4619462B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
JP4619461B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法
JP3420590B2 (ja) * 1996-11-11 2003-06-23 触媒化成工業株式会社 基材の平坦化方法、被膜付基材および半導体装置の製造方法
JPH1187799A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗素子とその製造方法
JPH11135882A (ja) * 1997-10-28 1999-05-21 Sharp Corp 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
JP2001166301A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Seiko Epson Corp バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法
JP4478268B2 (ja) * 1999-12-28 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE2019C547I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2019C510I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2017C049I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2015C017I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2014C053I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2014C051I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2014C041I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2014C030I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2014C016I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2014C015I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2013C063I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2013C039I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2011C038I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2015C067I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2002341682A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BE2013C046I2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2002323731A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2003145689A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2003237981A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2003217361A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BRPI0316996A2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
BR0315835A2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2003233243A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
IN192030B (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2003037815A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)