JP5057700B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
図1(A)に示すように、基板100を用意し、その上に剥離層101を設ける。具体的に基板100は、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレスなどの金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。基板100を、機械的研磨、CMP(Chemical Mechanical Polishing)、などの研磨法により薄くし、又は平坦化しておいても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記ガラス基板、石英基板、セラミック基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば、基板100として用いることが可能である。
以下に説明する本実施の形態は、前述の実施の形態1と組み合わせて実施することができる。
101 剥離層
102 絶縁層
103 トランジスタを有する層
104a 薄膜トランジスタ
104b 薄膜トランジスタ
104c 薄膜トランジスタ
104d 薄膜トランジスタ
104e 薄膜トランジスタ
105 樹脂層
201 開口部
202 開口部
301 ビット線
302 ワード線
303 トランジスタ
304 容量素子
311a ビット線
311b ビット線
312 ワード線
313 トランジスタ
314 トランジスタ
315 トランジスタ
316 トランジスタ
317 トランジスタ
318 トランジスタ
400 RFIDタグ
401 電源回路
402 クロック発生回路
403 データ復調/変調回路
404 制御回路
405 インタフェイス回路
406 記憶回路
407 バス
408 アンテナ
409 リーダライタ
501 アンテナ
502 絶縁層
503 パッシベーション膜
504 第1の層間絶縁膜
505 配線
506 第2の層間絶縁膜
600 取り付け位置
601 記録媒体
602 書籍
603 パッケージ
604 衣類
Claims (15)
- 基板上に金属膜を有する層を形成し、
前記金属膜を有する層上にトランジスタを有する層を形成し、
前記トランジスタを有する層上に樹脂層を形成し、
前記第1の温度の加熱処理をおこなうことによって前記基板から前記トランジスタを有する層を剥離し、
前記第1の温度よりも高い第2の温度の加熱処理をおこなうことによって前記トランジスタを有する層から前記樹脂層を剥離させる
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に金属膜を有する層を形成し、
前記金属膜を有する層上にトランジスタを有する層を形成し、
前記トランジスタを有する層上に樹脂層を形成し、
第1の温度の加熱処理をおこなうことによって前記基板から前記トランジスタを有する層を剥離し、
前記第1の温度よりも高い第2の温度の加熱処理をおこなうことによって前記トランジスタを有する層から前記樹脂層を剥離させ、
前記トランジスタを有する層上に前記樹脂層を形成した後、又は前記トランジスタを有する層上に前記樹脂層を形成する前に、前記金属膜を有する層の一部を露出させる
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2において、
前記トランジスタを有する層の前記トランジスタが設けられていない領域において、前記金属膜を有する層の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2又は請求項3において、
前記トランジスタを有する層上に前記樹脂層を形成した後に、前記樹脂層及び前記トランジスタを有する層に開口部を形成することによって、前記金属膜を有する層の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2又は請求項3において、
前記トランジスタを有する層上に前記樹脂層を形成する前に、前記トランジスタを有する層に開口部を形成することによって、前記金属膜を有する層の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4又は請求項5において、
レーザビームを照射することによって前記開口部を形成する
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記トランジスタを有する層上に樹脂材料を塗布し、
前記第1の温度よりも低い第3の温度で加熱処理をおこなうことによって、前記樹脂材料を硬化させて前記樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
加熱装置から取り出さずに前記第1の温度の加熱処理及び前記第2の温度の加熱処理を連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第1の温度は90℃以上120℃以下、
前記第2の温度は150℃以上250℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項7において、
加熱装置から取り出さずに前記第3の温度の加熱処理、前記第1の温度の加熱処理及び前記第2の温度の加熱処理を連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項7又は請求項10において、
前記第3の温度は50℃以上90℃未満、
前記第1の温度は90℃以上120℃以下、
前記第2の温度は150℃以上250℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、
前記金属膜を有する層を形成する前に、前記基板上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記金属膜を有する層を形成した後に、前記金属膜を有する層上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一項において、
熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、酢酸ビニル樹脂、ビニル共重合樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又はアクリル樹脂を用いて前記樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、
前記トランジスタとして薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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