JP2002318177A

JP2002318177A - 包埋装置及びその温度制御方法

Info

Publication number: JP2002318177A
Application number: JP2001121919A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Fujimaki; 俊幸藤牧; Masanori Yamabe; 正則山辺; Yuji Kitazawa; 雄司北澤; Shigeo Seki; 茂雄関
Original assignee: Chiyoda Manufacturing Corp
Current assignee: Chiyoda Manufacturing Corp
Priority date: 2001-04-20
Filing date: 2001-04-20
Publication date: 2002-10-31
Anticipated expiration: 2021-04-20
Also published as: JP4695286B2

Abstract

(57)【要約】【課題】所定の融点を有するパラフィン等の包埋材が
溶融されて貯留されている貯留槽の溶融包埋材の液面と
流量調節弁との高低差を利用して溶融包埋材を流量調節
弁から吐出する包埋装置であって、流量調整弁から溶融
包埋材を安定して吐出し得る包埋装置を提供する。【解決手段】組織片等の試料を、所定の融点を有する
パラフィン中に埋め込む包埋装置であって、該パラフィ
ンが溶融されて貯留されている貯留槽１２と、貯留槽１
２に貯留されている溶融パラフィンの液面よりも下方に
設けられ、前記試料を埋め込むに必要な所定量の溶融パ
ラフィンを吐出させるニードル弁１４とが、下方に突出
するＵ字状の配管３０によって連結され、Ｕ字状の配管
３０のうち、ニードル弁１４側の立ち上がり配管部に制
御弁Ｖが設けられていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は包埋装置及びその温
度制御方法に関し、更に詳細には組織片等の試料を、所
定の融点を有するパラフィン等の包埋材中に埋め込む包
埋装置及びその温度制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】人体等から採取した組織片を顕微鏡標本
とするには、採取した組織片を、所定の融点を有するパ
ラフィン等の包埋材中に埋め込んだ後、包埋材と共に組
織片を薄片に切断する。かかる組織片をパラフィン等の
包埋材中に埋め込む包埋作業を、図９に示す包埋装置１
００を用いて行われる。図９に示す包埋装置１００に
は、包埋材としてのパラフィンが溶融されて貯留された
貯留槽１０２と、貯留槽１０２に貯留されている溶融パ
ラフィンの液面よりも下方に位置する、流量調整弁とし
てのニードル弁１０４と、貯留槽１０２とニードル弁１
０４とを連結する配管の途中に設けられた制御弁の開閉
スイッチ１０６とが設けられている。この貯留槽１０２
とニードル弁１０４とを連結する配管は、図１０に示す
様に、下方に突出するＵ字状の配管１０８である。かか
るＵ字状の配管１０８のうち、貯留槽１０２側の立ち上
がり配管部に、開閉スイッチ１０６によって開閉される
制御弁１１０が設けられている。この様な包埋装置１０
０に用いるパラフィンは、通常、融点（凝固点）が５５
〜６０℃であるため、パラフィンを溶融状態に保持すべ
く、貯留槽１０２を加熱する貯留槽加熱ヒータ１１２、
制御弁１１０及びその近傍の配管部を加熱する制御弁加
熱ヒータ１１４、及び制御弁１１０からニードル弁１０
４までの配管部を加熱する配管加熱ヒータ１１６が設け
られている。かかる貯留槽加熱ヒータ１１２、制御弁加
熱ヒータ１１４及び配管加熱ヒータ１１６は、包埋装置
１００の運転の開始時又は停止時に、同時にＯＮ−ＯＦ
Ｆされる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図９及び図１０に示す
包埋装置１００を用い、組織片をパラフィン中に埋め込
む包埋作業を行う際には、組織片を挿入した容器をニー
ドル弁１０４の出口下方に載置し、開閉スイッチ１０６
を押して制御弁１１０を開とした後、ニードル弁１０４
の開度を調整し、所定量の溶融パラフィンを容器に充填
する。図９及び図１０に示す包埋装置１００では、夜間
等の包埋作業を長時間行わない場合には、省エネルギー
等の観点から包埋装置１００のメイン電源をＯＦＦとす
ることが多い。この様に、包埋装置１００のメイン電源
をＯＦＦにすると、制御弁加熱ヒータ１１４及び配管加
熱ヒータ１１６もＯＦＦとなるため、制御弁１１０及び
配管１０８に充填されているパラフィンは凝固する。と
ころで、制御弁１１０は、配管１０８に比較して熱容量
が大であり、加熱され難く冷却され難いため、制御弁１
１０内のパラフィンは配管１０８内のパラフィンよりも
後に凝固する。更に、制御弁１１０内のパラフィンが凝
固すると、パラフィンの凝固に因る収縮に伴なって制御
弁１１０の弁体が移動して弁座との間に隙間が形成さ
れ、制御弁１１０が開放状態となり易い。

【０００４】また、包埋装置１００の運転開始時に、制
御弁加熱ヒータ１１４及び配管加熱ヒータ１１６に同時
に通電されて、配管１０８と制御弁１１０が同時に加熱
されると、配管１０８内のパラフィンが溶融状態となっ
ても、制御弁１１０内のパラフィンは依然として凝固状
態にある場合がある。この場合、制御弁１１０が開放状
態となっていると、貯留槽１０２の溶融パラフィンが漏
れ出したり、ニードル弁１０４から空気が配管内に入り
込み、制御弁１１０の直下に空気溜りが形成されるおそ
れがある。制御弁１１０の直下の空気溜りは、溶融パラ
フィンの流動方向と逆方向に貯留槽１０２方向に移動せ
んとするため、溶融パラフィンの流動に伴なってニード
ル弁１０４から排出され難く次第に成長する。この様
に、制御弁１１０の直下に空気溜りが形成されると、貯
留槽１０２の溶融パラフィンの液面とニードル弁１０４
との高さ差を利用して溶融パラフィンをニードル弁１０
４から吐出する包埋装置１００では、ニードル弁１０４
から溶融パラフィンを安定して吐出し難くなる。一方、
制御弁１１０の直下の空気溜りは、送りポンプを設けて
溶融パラフィンを強制的に送り出すことによって容易に
排出できる。しかしながら、送りポンプを装着するに
は、送りポンプを装着するスペースを確保することを要
するため、包埋装置１００が大型化する。しかも、送り
ポンプには脈動が発生し易く、ニードル弁１０４から吐
出される溶融パラフィンの吐出量も脈動する。そこで、
本発明の課題は、所定の融点を有するパラフィン等の包
埋材が溶融されて貯留されている貯留槽の溶融包埋材の
液面と流量調節弁との高低差を利用して溶融包埋材を流
量調節弁から吐出する包埋装置であって、流量調整弁か
ら溶融包埋材を安定して吐出し得る包埋装置及びその温
度制御方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく検討を重ねた結果、Ｕ字状の配管１０８の
うち、流量調整弁であるニードル弁１０４側の立ち上が
り配管部に、開閉スイッチ１０６によって開閉される制
御弁１１０を設けることによって、制御弁１１０の直下
に空気溜りが形成されても、容易にニードル弁１０４か
ら溶融包埋材を吐出できることを知り、本発明に到達し
た。すなわち、本発明は、組織片等の試料を、所定の融
点を有するパラフィン等の包埋材中に埋め込む包埋装置
において、該包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽
と、前記貯留槽に貯留されている溶融包埋材の液面より
も下方に設けられ、前記試料を埋め込むに必要な所定量
の溶融包埋材を吐出する流量調整弁とが、下方に突出す
るＵ字状の配管によって連結され、前記Ｕ字状の配管の
うち、前記流量調整弁側の立ち上がり配管部に制御弁が
設けられていることを特徴とする包埋装置にある。

【０００６】また、本発明は、所定の融点を有するパラ
フィン等の包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽
と、前記貯留槽に貯留されている溶融包埋材の液面より
も下方に設けられ、組織片等の試料を埋め込むに必要な
所定量の溶融包埋材を吐出する流量調整弁とが、下方に
突出するＵ字状の配管によって連結され、且つ前記Ｕ字
状の配管のうち、前記流量調整弁側の立ち上がり配管部
に制御弁が設けられている包埋装置を用い、前記Ｕ字状
の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、
前記制御弁内に凝固された包埋材が、前記貯留槽から制
御弁に至る配管部内の包埋材よりも先に溶融されるよう
に、前記制御弁及び配管に配設された加熱ヒータを制御
することを特徴とする包埋装置の温度制御方法にある。

【０００７】本発明の包埋装置では、包埋材が溶融され
て貯留されている貯留槽と、貯留槽に貯留されている溶
融包埋材の液面よりも下方に設けられた流量調整弁と
が、下方に突出するＵ字状の配管によって連結され、こ
のＵ字状の配管のうち、流量調整弁側の立ち上がり配管
部に制御弁が設けられている。このため、制御弁の直下
に空気溜りが形成されても、空気溜りの移動方向は、溶
融包埋材の流動方向と同様に、流量調整弁の方向である
ため、流量調整弁から空気溜りを容易に抜き出すことが
できる。その結果、貯留槽の溶融包埋材の液面と流量調
節弁との高低差を利用して溶融包埋材を流量調節弁から
吐出する包埋装置でも、流量調整弁から溶融包埋材を安
定して吐出できる。更に、かかる包埋装置に、Ｕ字状の
配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、制
御弁内に凝固された包埋材が、貯留槽から制御弁に至る
配管部に充填された包埋材の溶融よりも先に溶融される
ように、制御弁及び配管に配設された加熱ヒータを制御
する制御部を設けた場合、制御弁内の包埋材の凝固に伴
なう収縮によって弁座から引離された弁体を、弁座に密
着させて制御弁を閉状態とした後、貯留槽から制御弁に
至る配管部内に充填されて凝固された包埋材を溶融する
ため、溶融された包埋材の漏出も防止でき、更に安定し
て溶融包埋材を流量調整弁から吐出できる。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明に係る包埋装置の一例を図
１に示す。図１（ａ）は包埋装置１０の平面図であり、
図１（ｂ）は包埋装置１０の側面図である。図１に示す
包埋装置１０には、包埋材としてのパラフィンが溶融さ
れて貯留された貯留槽１２と、貯留槽１２に貯留されて
いる溶融パラフィンの液面よりも下方に位置する、流量
調整弁としてのニードル弁１４と、貯留槽１２とニード
ル弁１４とを連結する配管の途中に設けられた制御弁の
開閉スイッチ１６とが設けられている。この包埋装置１
０のニードル弁１４の左右前方には、組織片が挿入され
る容器等を温めるホットプレート１８，１８が設けら
れ、ニードル弁１４の左右後方には、容器等に挿入され
た組織片等を扱うピンセット等の器具を温める器具ホル
ダ２２，２２が設けられている。更に、ニードル弁１４
の前方には、ペルチェ素子によって冷却されているコー
ルドスポット２０が形成されている。このコールドスポ
ット２０は、組織片が挿入された容器に充填された溶融
パラフィンを凝固させる際に使用される。尚、包埋装置
１０に装着された貯留槽１２の上方の蓋２４は、開閉自
在に装着されており、貯留槽１２にパラフィンの補給等
を自在に行うことができる。

【０００９】図１に示す包埋装置１０では、貯留槽１２
とニードル弁１４とを連結する配管は、図２に示す様
に、下方に突出するＵ字状の配管３０である。かかる配
管３０のうち、ニードル弁１４側の立ち上がり配管部
に、開閉スイッチ１６によって開閉される制御弁Ｖが設
けられている。この様な包埋装置１０に用いるパラフィ
ンは、通常、融点（凝固点）が５５〜６０℃であるた
め、パラフィンを溶融状態に保持すべく、貯留槽１２を
加熱する貯留槽加熱ヒータ４０、貯留槽１２から制御弁
Ｖに至る第１配管部３２を加熱する第１加熱ヒータ４
２、制御弁Ｖ及びその近傍の配管部を加熱する制御弁加
熱ヒータ４４、及び制御弁Ｖからニードル弁１０４まで
の第２配管部３６を加熱する第２加熱ヒータ４６が設け
られている。かかる貯留槽加熱ヒータ４０、第１加熱ヒ
ータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４
６は、包埋装置１０の運転の開始時又は停止時に、同時
にＯＮ−ＯＦＦされる。かかる加熱ヒータのうち、第１
加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒ
ータ４６の各加熱程度は、第１配管部３２、制御弁Ｖ及
び第２配管部３６の各々に設けられた温度センサから送
信される温度信号に基づいて制御部４８によって制御さ
れる。

【００１０】この制御部４８には、マイクロコンピュー
タが設けられており、図３に示す様に、ＣＰＵ５０、メ
モリ５２、液晶等の表示部５４及びテンキー等の入力部
５６から成り、配管部３２，３６及び制御弁Ｖに設けら
れた各温度センサからの現在温度の信号に基づいて加熱
ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び加熱ヒータ４６
の各々を制御する。ここで、メモリ５２には、予め第１
配管部３２，第２配管部３６及び制御弁Ｖの設定温度Ｔ
₁、第２配管部３６の下限設定温度Ｔ₂、制御弁Ｖの下限
設定温度Ｔ _V、及び使用パラフィンの凝固状態を維持し
得る凝固点近傍温度（Ｔ_F）の各々を入力部５６から入
力して記憶させておく。かかる制御部４８による各加熱
ヒータの制御手順は、図４に示す手順に従ってなされ
る。先ず、図１に示す包埋装置１０のメインスッチがＯ
Ｎされたとき、貯留槽加熱ヒータ４０、第１加熱ヒータ
４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４６が
ＯＮ状態となる（ステップＳ１）。

【００１１】更に、制御弁Ｖの現在温度がメモリ５２に
記憶されている下限設定温度（Ｔ_V）よりも低温で且つ
第１配管部３２の現在温度がメモリ５２に記憶されてい
る凝固点近傍温度（Ｔ_F）以上である場合（ステップＳ
２，Ｓ３）、第１配管部３２の温度を現在温度に維持す
るように、第１加熱ヒータ４２を制御し（ステップＳ
４）、制御弁Ｖ及び第２配管部３６を昇温するように第
２加熱ヒータ４６及び制御弁加熱ヒータ４４を制御す
る。この際に、第２配管部３６の現在温度がメモリ５２
に記憶されている下限設定温度（Ｔ₂）よりも低温であ
る場合（ステップＳ５）又は制御弁Ｖの現在温度が下限
設定温度（Ｔ_V）よりも低温である場合（ステップＳ
６）は、ステップＳ４に戻り、制御弁Ｖ及び第２配管部
３６の昇温を続行するように第２加熱ヒータ４６及び制
御弁加熱ヒータ４４を制御する。一方、第２配管部３６
の現在温度が下限設定温度（Ｔ₂）以上で且つ制御弁Ｖ
の現在温度が下限設定温度（Ｔ_V）以上となったとき
（ステップＳ５，Ｓ６）、第１配管部３２、制御弁Ｖ及
び第２配管部３６の温度をメモリ５２に記憶されている
設定温度（Ｔ₁）に昇温するように第２加熱ヒータ４６
及び制御弁加熱ヒータ４４を制御する（ステップＳ
７）。次いで、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管
部３６の温度が設定温度（Ｔ ₁）に昇温されたとき（ス
テップＳ８）、分注可能ランプを点灯する（ステップＳ
９）。

【００１２】かかる図４のステップＳ３において、第１
配管部３２の現在温度が凝固点近傍温度（Ｔ_F）よりも
低温の場合は、第1配管部３２内のパラフィンは凝固状
態にある。このため、第１配管部３２の温度を、パラフ
ィンの凝固状態を維持し得る凝固点近傍温度（Ｔ_F）ま
で昇温して維持するように第１加熱ヒータ４２を制御す
る（ステップＳ１０）。ここで、第１配管部３２の温度
を、パラフィンの融点以上に昇温すると、制御弁Ｖ及び
第２配管部３６内のパラフィンが凝固状態である場合、
制御弁Ｖ内のパラフィンの凝固に伴なう収縮に因る弁体
の移動によって形成された、弁体と弁座との間の隙間か
ら貯留槽１２の溶融パラフィンが漏れ易くなる。このた
め、第２配管部３６の温度が下限設定温度（Ｔ₂）以上
で且つ制御弁Ｖの温度が下限設定温度（Ｔ_V）以上に加
熱され、第２配管部３６及び制御弁Ｖ内のパラフィンが
完全に溶融されるまで、第１配管部３２の温度を凝固点
近傍温度（Ｔ_F）に維持するように第１加熱ヒータ４２
を制御する（ステップＳ１０，Ｓ１１，Ｓ１２）。一
方、ステップＳ１０，Ｓ１１において、第２配管部３６
の温度が下限設定温度（Ｔ₂）以上で且つ制御弁Ｖの温
度が下限設定温度（Ｔ_V）以上に加熱されときには、ス
テップ７に移行し、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２
配管部３６の温度を設定温度（Ｔ₁）に昇温するように
第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加
熱ヒータ４６を制御する。尚、ステップ２において、最
も熱容量が大きい制御弁Ｖの現在温度が下限設定温度
（Ｔ_V）よりも高温である場合は、制御弁Ｖよりも熱容
量の小さい第１配管部３２及び第２配管部３６の温度
は、いずれもパラフィンの融点以上であるため、直ちに
ステップ７に移行する。

【００１３】図１に示す包埋装置１０を長時間運転停止
した後、運転再会する場合の様に、Ｕ字状の配管３０及
び制御弁Ｖ内のパラフィンが凝固状態であるとき、図４
に示す手順に従って各加熱ヒータを制御しつつ、凝固状
態のパラフィンを溶融した。この場合の第１配管部３
２、制御弁Ｖ及び第２配管部の温度パターンを図５に示
す。ここで、メモリ５２の設定温度（Ｔ₁）を６２℃と
し、第２配管部３６の下限設定温度（Ｔ₂）及び制御弁
Ｖの下限設定温度（Ｔ_V）を各々６１℃とした。更に、
第１配管部３２内のパラフィンの凝固状態を維持し得る
凝固点近傍温度（Ｔ_F）を４０℃とした。この場合、図
４に示す手順のステップ３において、第１配管部３２の
現在温度が４０℃よりも低温であるため、ステップＳ１
０に移行し、第１配管部３２を４０℃に昇温して維持す
るように第１加熱ヒータ４２を制御する。この様に、第
１配管部３２を４０℃に維持している間に、第２配管部
３６及び制御弁Ｖを昇温するように第２加熱ヒータ４６
及び制御弁加熱ヒータ４４を制御する。第２配管部３６
及び制御弁Ｖの温度が共に６１℃以上となったとき（ス
テップＳ１１，Ｓ１２）、ステップＳ７に移行し、第１
配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６を６２℃に昇
温するように第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４
４及び第２加熱ヒータ４６を制御する。

【００１４】次に、短時間の停電等の影響によって、例
えば図６に示す様に、制御弁Ｖの温度が６１℃よりも低
温となったものの、第１配管部３２は４０℃以上であり
且つ第２配管部３６の温度も６１℃以上の場合は、図４
に示すステップＳ４に移行し、第１配管部３２の温度を
現在温度に維持するように、第１加熱ヒータ４２を制御
する。この様に、第１配管部３２の温度を現在温度に維
持している間に、制御弁Ｖを昇温するように制御弁加熱
ヒータ４４を制御する。第２配管部３６及び制御弁Ｖの
温度が共に６１℃以上となったとき（ステップＳ５，Ｓ
６）、ステップＳ７に移行し、第１配管部３２、制御弁
Ｖ及び第２配管部３６を６２℃に昇温するように第１加
熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒー
タ４６を制御する。また、比較的長い停電等の影響によ
って、例えば図７に示す様に、第１配管部３２の温度が
４０℃よりも低温となって、第１配管部３２内のパラフ
ィンが凝固し、制御弁Ｖの温度も６１℃よりも低温とな
ったものの、第２配管部３６の温度は６１℃以上の場合
は、図４に示すステップＳ１０に移行し、第１配管部３
６の温度を４０℃に昇温して維持するように、第１加熱
ヒータ４２を制御する。この様に、第１配管部３２を４
０℃に維持している間に、制御弁Ｖを昇温するように制
御弁加熱ヒータ４４を制御する。第２配管部３６及び制
御弁Ｖの温度が共に６１℃以上となったとき（ステップ
Ｓ１１，Ｓ１２）、ステップＳ７に移行し、第１配管部
３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６を６２℃に昇温する
ように第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び
第２加熱ヒータ４６を制御する。

【００１５】図５〜図７に示す様に、第１配管部３２の
６２℃の昇温を、制御弁Ｖ及び第２配管部３６の温度が
６１℃に到達した後とすることは、制御弁Ｖ及び第２配
管部３６内のパラフィンが完全に溶解されたことを確認
してから所定温度に昇温することを意味している。この
ため、制御弁Ｖ及び第２配管部３６内のパラフィンの溶
解が不完全な状態で第１配管部３２を昇温することを確
実に防止できる。

【００１６】ところで、図１に示す包埋装置１０には、
前述した様に、ニードル弁１４の左右前方に、組織片が
挿入される容器等を温めるホットプレート１８，１８が
設けられ、ニードル弁１４の左右後方には、容器等に挿
入された組織片等を扱うピンセット等の器具を温める器
具ホルダ２２，２２が設けられている。かかるホットプ
レート１８，１８及び器具ホルダ２２，２２は、図８に
示す金属板６０上に設けられている。この金属板６０
は、器具ホルダ２２，２２が設けられるアルミブロック
から成る第２金属板としての器具ホルダ部６２と、ホッ
トプレート１８，１８が設けられるアルミ板から成る第
１金属板としてのホットプレート部６４とから構成され
る。ホットプレート部６４は、その略中央部がペルチェ
素子によって冷却されるコールドスポット２０が設けら
れる切欠部６６によって幅狭部６８に形成されている。
このため、ホットプレート部６４の幅狭部６８を挟む両
端部６４ａ，６４ａに、第１ヒータとしてのラバーヒー
タ７０，７０が装着されている。

【００１７】かかるホットプレート部６４と所定の接合
面積で接合されている器具ホルダ部６２には、第２ヒー
タとしてのカートリッジヒータ７２が装着されており、
ラバーヒータ７０，７０及びカートリッジヒータ７２
は、制御部７４によって制御されている。この制御部７
４には、ホットプレート部６４の１箇所に設けられた温
度センサ７６からの温度信号が送信されている。かかる
制御部７４では、ホットプレート１８，１８の設定温度
に対して器具ホルダ２２，２２の温度が５℃程高温とな
るように、ホットプレート部６４のラバーヒータ７０，
７０の通電率よりも器具ホルダ部６２のカートリッジヒ
ータ７２の通電率を高くし、温度センサ７６の温度信号
に対しては主としてラバーヒータ７０，７０を制御す
る。尚、制御部７４は、ホットプレート部６４の１箇所
に設けられた温度センサ７６からの温度信号に基づいて
ラバーヒータ７０，７０を制御するため、温度センサ７
６を設ける位置については、予め所望の温度制御が可能
であることを確認しておくことが必要である。

【００１８】以上、述べてきた図１〜図８に示す包埋装
置１０によれば、例え制御弁Ｖの直下に空気溜りが形成
されても成長し難く、ニードル弁１４から安定して溶融
パラフィンを吐出することができるため、組織片等の包
埋処理を容易に行うことができる。また、長期間の運転
停止した包埋装置１０の運転を再開等する際に、制御弁
から溶融パラフィンが漏出する事態や空気の漏れ込みを
防止でき、安全に且つ確実に包埋処理を施すことができ
る。

【００１９】

【発明の効果】本発明の包埋装置では、貯留槽に貯留さ
れている溶融包埋材の液面と流量調節弁との高低差を利
用し、貯留槽に貯留されている溶融包埋材を流量調節弁
から安定して吐出できるため、組織片等の包埋処理を安
全に且つ確実に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る包埋装置の一例を説明するための
平面図及び側面図である。

【図２】図１に示す包埋装置の配管等の概略を説明する
ための概略図である。

【図３】図２に示す包埋装置を制御する制御部の概略を
説明するための概略図である。

【図４】図３に示す制御部の制御の手順を説明するフロ
ーチャートである。

【図５】図４に示す制御手順によって図２に示す配管等
の温度を制御した一例を示す温度グラフである。

【図６】図４に示す制御手順によって図２に示す配管等
の温度を制御した他の例を示す温度グラフである。

【図７】図４に示す制御手順によって図２に示す配管等
の温度を制御した他の例を示す温度グラフである。

【図８】図１に示す包埋装置のホットプレート１８，１
８及び器具ホルダ２２，２２が設けられる金属板の概略
を説明するための概略図である。

【図９】従来の包埋装置を説明するための側面図であ
る。

【図１０】図９に示す包埋装置の配管等の概略を説明す
るための概略図である。

【符号の説明】

１０包埋装置１２貯留槽１４ニードル弁（流量調整弁）１８ホットプレート２０器具ホルダ３０Ｕ字状の配管３２第１配管部３６第２配管部４２第１加熱ヒータ４４制御弁加熱ヒータ４６第２加熱ヒータ４８，７４制御部６０金属板６２器具ホルダ部（第２金属板）６４ホットプレート部（第１金属板）７０ラバーヒータ（第１ヒータ）７２カートリッジヒータ（第２ヒータ）７６温度センサＶ制御弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者北澤雄司長野県更埴市大字鋳物師屋75番地５株式会社千代田製作所内 (72)発明者関茂雄長野県更埴市大字鋳物師屋75番地５株式会社千代田製作所内Ｆターム(参考） 2G052 AA28 AD32 EB11 FA02 GA31 HC22 HC28 JA09 2H052 AE07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】組織片等の試料を、所定の融点を有する
パラフィン等の包埋材中に埋め込む包埋装置において、該包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽と、前記貯
留槽に貯留されている溶融包埋材の液面よりも下方に設
けられ、前記試料を埋め込むに必要な所定量の溶融包埋
材を吐出する流量調整弁とが、下方に突出するＵ字状の
配管によって連結され、前記Ｕ字状の配管のうち、前記流量調整弁側の立ち上が
り配管部に制御弁が設けられていることを特徴とする包
埋装置。
【請求項２】Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包
埋材を溶融する際に、制御弁内に凝固された包埋材が、
貯留槽から制御弁に至る配管部内の包埋材よりも先に溶
融されるように、前記制御弁及び配管に配設された加熱
ヒータを制御する制御部が設けられている請求項１記載
の包埋装置。
【請求項３】Ｕ字状の配管には、貯留槽から制御弁に
至る第１配管部を加熱する第１加熱ヒータと、前記制御
弁を加熱する制御弁加熱ヒータと、前記制御弁から流量
調整弁に至る第２配管部を加熱する第２加熱ヒータとが
設けられ、前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融
する際に、前記制御弁及び第２配管部の包埋材が溶融さ
れるまでは、前記第１配管部の包埋材が凝固状態を維持
し得る凝固点近傍の温度で保持されるように、前記第１
加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制
御する制御部が設けられている請求項１又は請求項２記
載の包埋装置。
【請求項４】流量調整弁の近傍に、溶融包埋材が充填
される容器等が載置されて保温されるホットプレートが
一面側に形成されるように他面側に第１ヒータが設けら
れた第１金属板と、ピンセット等の器具が挿入されて保
温される器具ホルダが一面側に形成されるように他面側
に第２ヒータが設けられた第２金属板とが、所定の接合
面積で接合され、前記器具ホルダが形成される第２金属板の部分が、前記
ホットプレートが形成される第１金属板の部分よりも高
温となるように、前記第１ヒータと第２ヒータとを制御
する温度制御手段が設けられている請求項１〜３のいず
れか一項記載の包埋装置。
【請求項５】二箇所にホットプレートが一面側に形成
されるように他面側に第１ヒータが設けられた第１金属
板と、器具ホルダが一面側に形成されるように他面側に
第２ヒータが設けられた第２金属板とが、所定の接合面
積で接合され、前記第１金属板のホットプレート間の所定個所に設けら
れた温度センサによって検出された温度に基づいて、前
記器具ホルダがホットプレートよりも所定温度高温とな
るように、前記第１ヒータと第２ヒータとを制御する温
度制御手段が設けられている請求項４記載の包埋装置。
【請求項６】所定の融点を有するパラフィン等の包埋
材が溶融されて貯留されている貯留槽と、前記貯留槽に
貯留されている溶融包埋材の液面よりも下方に設けら
れ、組織片等の試料を埋め込むに必要な所定量の溶融包
埋材を吐出する流量調整弁とが、下方に突出するＵ字状
の配管によって連結され、且つ前記Ｕ字状の配管のうち、前記流量調整弁側の立ち
上がり配管部に制御弁が設けられている包埋装置を用
い、前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融
する際に、前記制御弁内に凝固された包埋材が、前記貯
留槽から制御弁に至る配管部内の包埋材よりも先に溶融
されるように、前記制御弁及び配管に配設された加熱ヒ
ータを制御することを特徴とする包埋装置の温度制御方
法。
【請求項７】Ｕ字状の配管には、貯留槽から制御弁に
至る第１配管部を加熱する第１加熱ヒータと、前記制御
弁を加熱する制御弁加熱ヒータと、前記制御弁から流量
調整弁に至る第２配管部を加熱する第２加熱ヒータとが
設けられ、前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融
する際に、前記制御弁及び第２配管部を包埋材の溶融温
度以上に昇温するまでは、前記第１配管部を前記包埋材
が凝固状態を維持し得る凝固点近傍の温度に保持するよ
うに、前記第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２
加熱ヒータを制御し、前記制御弁及び第２配管部を包埋材の溶融温度以上に昇
温した後、前記第１配管部を包埋材の溶融温度以上に昇
温するように、前記第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ
及び第２加熱ヒータを制御する請求項１記載の包埋装置
の温度制御方法。
【請求項８】外乱等によって第２配管部及び／又は制
御弁の温度が設定温度よりも低下した際に、第１配管部
の現在温度が包埋材の凝固温度以上であれば、前記第１
配管部を現在温度に保持し、前記制御弁及び第２配管部
を設定温度に昇温した後、前記第１配管部を包埋材の溶
融温度以上に昇温するように、第１加熱ヒータ、制御弁
加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御する請求項７記載
の包埋装置の温度制御方法。
【請求項９】外乱等によって第２配管部及び／又は制
御弁の温度が設定温度よりも低下した際に、第１配管部
の現在温度が包埋材の凝固温度よりも低温であれば、前
記第１配管部を前記包埋材が凝固状態を維持し得る凝固
点近傍の温度に保持し、前記制御弁及び第２配管部を包
埋材の溶融温度以上に昇温した後、前記第１配管部を包
埋材の溶融温度以上に昇温するように、第１加熱ヒー
タ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御する請
求項７記載の包埋装置の温度制御方法。