JP2002173597A - ペースト、ディスプレイ部材およびディスプレイ部材の製造方法 - Google Patents
ペースト、ディスプレイ部材およびディスプレイ部材の製造方法Info
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Abstract
材を提供する。 【解決手段】ウレタン化合物および無機微粒子を含有す
るペーストを基板上に塗布し、焼成する工程を含む製造
方法により、ディスプレイ部材、特にプラズマディスプ
レイ部材を製造する。
Description
れを用いたディスプレイ部材の製造方法に関するもので
ある。本発明のペーストおよび製造方法は、プラズマデ
ィスプレイ、プラズマアドレス液晶ディスプレイ、フィ
ールドエミションディスプレイをはじめとする各種のデ
ィスプレイの製造および回路材料などのパターン加工に
用いることができる。
て、小型化および高精細化が進んでおり、これに対応す
ることができるパターン加工技術が求められている。特
に、プラズマディスプレイの隔壁形成においては、ガラ
スなどの無機材料を高精度かつ高アスペクト比でパター
ン加工ができる方法が望まれている。
として、特開平9−310030号公報、米国特許61
97480号では、感光性ペーストを用いてフォトリソ
グラフィ技術によってパターンを形成する方法が提案さ
れている。
方法では、有機成分を焼成により除去する際に、有機成
分の架橋に起因する焼成収縮力が作用して、パターンに
はがれや断線などの欠陥が発生しやすいという問題があ
った。そこで、本発明者らは、焼成時にはがれや断線な
どの欠陥が発生しないペーストを提供すべく鋭意検討を
行い、本発明を完成するに至った。
レタン化合物および無機微粒子を含有するペーストであ
る。
含むペーストであって、500℃および1000℃まで
昇温した際の重量が、次の式で表される請求項1記載の
ペーストである。 (500℃での重量)/(1000℃での重量)≦1.
05 また、本発明は、無機微粒子と有機成分を含むペースト
であって、シリコンウェハ上に該ペーストを塗布して薄
膜を形成し、500℃まで昇温した際、薄膜の収縮によ
るシリコンウェハの反り量から算出した平均膜応力の最
大値が0.1〜20MPaであるペーストである。
微粒子と60〜10重量%の有機成分を含み、該有機成
分のみを活性光線により硬化させて得られる硬化物の引
張弾性率が0.1〜100MPa、あるいは該硬化物の
破断伸度が50%以上である感光性ペーストである。
機微粒子を含有するペーストを基板上に塗布し、焼成す
る工程を含むディスプレイ部材の製造方法である。
レイ、特にプラズマディスプレイの製造方法である。
無機微粒子を含む。本発明において、有機成分とは、ペ
ーストのうち無機微粒子を除いたものである。本発明の
ペーストは、種々の方法でパターンを形成した後に焼成
を行い、有機成分を除去して、実質的に無機物からなる
パターンを形成する目的に使用できる。
的に無機物からなるパターンは、ディスプレイ用途、と
りわけプラズマディスプレイ用途において、プラズマデ
ィスプレイパネル背面板の隔壁として好適に使用でき
る。
化合物と無機微粒子の他に、必要に応じてバインダーポ
リマー、分散剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、沈降防止
剤、酸化防止剤などを添加できる。
は、15000〜50000であることが好ましい。な
お、ここでいう分子量とは、重量平均分子量のことであ
る。15000以上とすることでウレタンの柔軟性を保
ち、焼成時のパターンのはがれ、断線などの欠陥をさら
に減少させることができる。50000以下とすること
でウレタンの粘度を下げ、取り扱いを容易にすることが
できる。
例えば、下記一般式(1)で示される化合物が挙げられ
る。 R1−(R4−R3)n−R4−R2 (1) (R1およびR2はエチレン性不飽和基を含む置換基、水
素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、アラル
キル基およびヒドロキシアラルキル基からなる群から選
ばれたものであり、それぞれ同じであっても異なってい
ても良い。R3はアルキレンオキサイド基またはアルキ
レンオキサイドオリゴマー、R4はウレタン結合を含む
有機基である。nは1〜10の自然数) ウレタン化合物はエチレンオキサイド単位を含むことが
好ましい。より好ましくは、一般式(1)中、R3がエ
チレンオキサイド単位とプロピレンオキサイド単位を含
むオリゴマーであることであり、かつ、該オリゴマー中
のエチレンオキサイド単位含有量が8〜70重量%の範
囲内であることである。エチレンオキサイド単位含有量
が70重量%以下であることにより、柔軟性が向上し、
隔壁を形成する際の応力を小さくできるため、隔壁の断
線などの欠陥を効果的に抑制できる。さらに、熱分解性
が向上し、隔壁形成後の焼成工程において、焼成残渣が
発生しにくくなる。また、エチレンオキサイド単位含有
量が8%以上であることにより、他の有機成分との相溶
性が向上する。有機成分の相溶性は、有機成分を塗布し
て形成した塗布膜のヘーズによって測定することができ
る。ヘーズが小さいことは有機成分が相互によく相溶し
ていることを示すものである。ヘーズは厚さ30μmの
塗布膜において、5.0%以下となることが好ましい。
ここでヘーズ(H:単位%)は、JIS K7105
「プラスチックの光学的特性試験方法」に基づき、積分
球光線透過率測定装置を用いて、拡散透過率(Td)お
よび全光線透過率(Tt)を測定し、その比(H=(T
d/Tt)×100)を求めることによって算出する。
ヘーズは、より好ましくは0.8%以下、さらに好まし
くは0.5%以下である。
シアネート基とヒドロキシル基の縮合によって生成され
ることが好ましい。ここで用いるジイソシアネート基を
有する成分としては、1,4−ジイソシアネートブタ
ン、1,6−ジイソシアネートヘキサンなどの脂肪族ジ
イソシアネート化合物、1,4−フェニレンジイソシア
ネート、トルイレンジイソシアネートなどの芳香族ジイ
ソシアネート化合物または1,4−シクロヘキシレンジ
イソシアネート、イソフォロンジイソシアネートなどの
脂環式ジイソシアネート化合物を用いることができる。
脂環式イソシアネート化合物を用いることがより好まし
く、特にイソフォロンジイソシアネートを用いたものが
好ましいが、これに限定されるものではない。
例としては、UA−2235PE(分子量18000,
EO含有率20%)、UA−3238PE(分子量19
000,EO含有率10%)、UA−3348PE(分
子量22000,EO含有率15%)、UA−2349
PE(分子量27000,EO含有率7%)、UA−5
348PE(分子量39000,EO含有率23%)
(以上、新中村化学(株)製)などが挙げられるが、こ
れに限定されるものではない。また、これらの化合物は
混合して用いてもよい。
0.1〜20重量%であることが好ましい。含有量を
0.1重量%以上とすることで適切なはがれ抑制の効果
が得られる。20重量%を超えると、有機成分と無機微
粒子の分散性が低下し、欠陥のが生じやすくなる。
応性モノマー、反応性オリゴマー、反応性ポリマー、光
重合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤、増感剤、増感
助剤、紫外線吸収剤、有機染料、酸、塩基などを加える
ことにより、感光性ペーストとして用いることができ
る。ここで、反応性モノマー、反応性オリゴマーおよび
反応性ポリマーにおける反応性とは、ペーストが活性光
線の照射を受けた場合に、反応性モノマー、反応性オリ
ゴマーまたは反応性ポリマーが、光架橋、光重合、光解
重合、光変性などの反応を起こして化学構造が変化する
ことを意味する。この場合、ディスプレイ部材の製造を
フォトリソグラフィ技術によって行うことができる。
反応性ポリマーはエチレン性不飽和結合を有することが
好ましい。さらには、ペースト中のエチレン性不飽和結
合濃度が、活性光線照射前のペースト1kg当たり0.
2〜1.0molであることが好ましい。ペースト中の
エチレン性不飽和結合濃度を0.2mol以上とするこ
とでペースト感度を保ち、良好なパターン形成性を有す
ることができる。エチレン性不飽和結合濃度を1.0m
ol以下とすることで、パターン形成時の架橋密度を適
当な範囲に保ち、脱バインダー性が良好になる。また、
光や熱による重合収縮を抑制し、はがれや断線といった
欠陥が起こりにくくなる。
は、さらにエチレン性不飽和基を有するアミン化合物を
含有することが好ましい。特に以下の一般式(3)また
は(4)で示されるアミン化合物の少なくともいずれか
一方を含有することが好ましい。光に対する感度を向上
させることができる場合があるためである。 R5R6R7N (3) R5R6N−M−NR7R8 (4) (ここで、R5はエチレン性不飽和基を含む置換基であ
り、R6,R7,R8はエチレン性不飽和基を含む置換
基、水素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、
アラルキル基およびヒドロキシアルキル基からなる群か
ら選ばれたもので、R 6,R7,R8は同じであっても異
なっていてもよい、Mは2価の連結基を示す) アミン化合物のエチレン性不飽和基を含む置換基R5と
しては、下記一般式(5)、(6)または(7)のいず
れかで示されるものが好ましい。 CH2=CR9−A−(L)a−CH(OH)−CH2− (5) CH2=CR9−(A)b−(L)a−SO2− (6) CH2=CR9−(A)b−(L)a−CO− (7) (ここで、R9は、水素またはメチル基であり、Aは、
COO、CONHまたは置換または無置換のフェニレン
基であり、Lは炭素数1〜20の環式または非環式のア
ルキレン、アリーレンおよびアラルキレン基から選ばれ
たものである。Lは、無置換であってもよく、また炭素
数1〜6のアルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アリー
ル基などで置換されていてもよい。またa、bは、0ま
たは1である。) より好ましくは、CH2=C(CH3)COOCH2CH
(OH)CH2−である。
用いることが好ましく、特に下記一般式(8)で示され
る構造を有する化合物が好ましく用いられる。 (CH2=CR10−CO−Z)3-m−NR’m (8) (ここにおいて、R10は水素原子またはメチル基、R’
はアルキル基、アリール基、アラルキル基またはヒドロ
キシアルキル基、Zは−O−R”−または−NHR”
−、R”はアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン
基またはヒドロキシアルキレン基であり、mは0,1ま
たは2である) 本発明で用いる場合に、最も好ましいアミン化合物は、
ビス(2−ヒドロキシ−3−メタクリロイルオキシプロ
ピル)イソプロピルアミンである。
物の調製は、エチレン性不飽和結合を有するグリシジル
アクリレート、グリシジルメタアクリレート、アクリル
酸クロリド、メタアクリル酸クロリド、アクリル酸無水
物、メタアクリル酸無水物等をアミノ化合物と反応させ
ればよい。複数のエチレン性不飽和基含有化合物を混合
して用いてもよい。エチレン性不飽和結合を有するアミ
ン化合物としては、以上の化合物を挙げることができる
が、これらに限定されない。また、これらの化合物は
混合して用いてもよい。
ミン化合物以外のエチレン性不飽和結合を有する反応性
モノマーを用いてもよい。このような反応性モノマーと
しては、1個以上の光重合可能なアクリレート基、メタ
アクリレート基またはアリル基を有するモノマーなどが
挙げられる。これらの具体例としては、アルコール類
(例えばエタノール、プロパノール、ヘキサノール、オ
クタノール、シクロヘキサノール、グリセリン、トリメ
チロールプロパン、ペンタエリスリトールなど)のアク
リル酸またはメタクリル酸エステル、カルボン酸(例え
ば酢酸、プロピオン酸、安息香酸、アクリル酸、メタク
リル酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、酒石酸、ク
エン酸など)とアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジル、またはテトラグリシジル
メタキシリレンジアミンとの反応生成物、アミド誘導体
(例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メ
チロールアクリルアミド、メチレンビスアクリルアミド
など)、エポキシ化合物とアクリル酸またはメタクリル
酸との反応物などを挙げることができる。また、多官能
モノマーにおいて、不飽和基は、アクリル、メタクリ
ル、ビニルおよびアリル基が混合して存在してもよい。
これらは単独で用いてもよく、また組み合わせて用いて
もよい。
化合物がエチレン性不飽和基を有することも好ましい。
ウレタン化合物のエチレン性不飽和基が反応性モノマ
ー、反応性ポリマーなどのエチレン性不飽和基と反応し
て架橋体の中に含有されることにより、さらに重合収縮
を抑制することができる。
する共重合ポリマーを含有してもよい。
は、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、
クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸または
これらの酸無水物などのカルボキシル基含有モノマおよ
びメタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、スチレ
ン、アクリロニトリル、酢酸ビニル、2−ヒドロキシア
クリレートなどのモノマを選択し、アゾビスイソブチロ
ニトリルのような開始剤を用いて共重合することにより
得られる。
は、焼成時の熱分解温度が低いことから、アクリル酸エ
ステルまたはメタアクリル酸エステルおよびアクリル酸
またはメタアクリル酸を共重合成分とする共重合体が好
ましく用いられる。とりわけ、スチレン/メタクリル酸
メチル/メタクリル酸共重合体が好ましく用いられる。
50〜150mgKOH/gであることが好ましい。酸
価が150mgKOH/g以下とすることで、現像許容
幅を広くとることができる。また、酸価が50mgKO
H/g以上とすることで、未露光部の現像液に対する溶
解性が低下することがない。従って現像液濃度を濃くす
る必要がなく露光部の剥がれを防ぎ、高精細なパターン
が得ることができる。
が側鎖にエチレン性不飽和基を有することも好ましい。
エチレン性不飽和基としては、アクリル基、メタクリル
基、ビニル基、アリル基などが挙げられる。
法は、共重合体中のメルカプト基、アミノ基、水酸基あ
るいはカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシ
アネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル
酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルク
ロライドを付加反応させて作る方法がある。
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエ
ーテルなどが挙げられる。イソシアネート基を有するエ
チレン性不飽和化合物としては、アクリロイルイソシア
ネート、メタアクリロイルイソシアネート、アクリロイ
ルエチルイソシアネート、メタアクリロイルエチルイソ
シアネートなどがある。また、グリシジル基やイソシア
ネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸
クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロ
ライドは、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸
基やカルボキシル基に対して0.05〜1モル等量付加
させることが好ましい。
ル基を有する共重合体の添加量は、溶媒を除いた有機成
分中の10〜90重量%であることが好ましい。
として、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル
重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共
重合体、ブチルメタクリレート樹脂などを用いることが
できる。
剤は、ラジカル種を発生するものから選んで用いられ
る。光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノ
ン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパ
ン−1−オン、ベンジルジメチルケタール、1−(4−
イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル
プロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)
フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、
1−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、1−
フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキ
シカルボニル)オキシム、2−メチル−[4−(メチル
チオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オ
ン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モ
ルフォリノフェニル)−ブタノン−1、ベンゾイン、ベ
ンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、
ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸
メチル、4−フェニルベンゾフェノン、4,4−ジクロ
ロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4−ベ
ンゾイル−4’−メチル−ジフェニルサルファイド、ア
ルキル化ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ
(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、
4−ベンゾイル−N,N−ジメチル−N−[2−(1−
オキソ−2−プロペニルオキシ)エチル]ベンゼンメタ
ナミニウムブロミド、(4−ベンゾイルベンジル)トリ
メチルアンモニウムクロリド、2−ヒドロキシ−3−
(4−ベンゾイルフェノキシ)−N,N,N−トリメチ
ル−1−プロペンアミニウムクロリド一水塩、2−イソ
プロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサン
トン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジク
ロロチオキサントン、2−ヒドロキシ−3−(3,4−
ジメチル−9−オキソ−9H−チオキサンテン−2−イ
ロキシ)−N,N,N−トリメチル−1−プロパナミニ
ウムクロリド、2,4,6−トリメチルベンゾイルフェ
ニルホスフィンオキサイド、2,2’−ビス(o−クロ
ロフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフェニル−
1,2−ビイミダゾール、10−ブチル−2−クロロア
クリドン、2−エチルアンスラキノン、ベンジル、9,
10−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチ
ルフェニルグリオキシエステル、η5−シクロペンタジ
エニル−η6−クメニル−アイアン(1+)−ヘキサフ
ルオロフォスフェイト(1−)、ジフェニルスルフィド
誘導体、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1
−イル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピ
ロール−1−イル)−フェニル)チタニウム、4,4−
ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス
(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、チオキサントン、
2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサント
ン、4−ベンゾイル−4−メチルフェニルケトン、ジベ
ンジルケトン、フルオレノン、2,3−ジエトキシアセ
トフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−
フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル
プロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェ
ノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキ
ノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミノアン
トラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、
ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアント
ロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビ
ス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサン、2,6
−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロ
ヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−
(o−メトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェ
ニルプロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニ
ル)オキシム、ナフタレンスルフォニルクロライド、キ
ノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリ
ドン、4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ベンズチ
アゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭
素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾ
イルおよびエオシン、メチレンブルーなどの光還元性の
色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミンなどの還
元剤の組み合わせなどが挙げられる。
使用することができる。光重合開始剤は、有機成分に対
し、好ましくは0.05〜10重量%の範囲で添加さ
れ、より好ましくは、0.1〜10重量%である。光重
合開始剤の添加量をこの範囲内とすることにより、露光
部の残存率を保ちつつ良好な光感度を得ることができ
る。
を向上させたり、反応に有効な波長範囲を拡大すること
ができる。増感剤の具体例としては、2,4−ジメチル
チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2
−イソプロピルチオキサントン、2,3−ビス(4−ジ
エチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビ
ス(4−ジメチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、
2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メ
チルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4,4−ビス
(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジ
メチルアミノ)カルコン、4,4−ビス(ジエチルアミ
ノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデンイン
ダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、
2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフ
トチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノフェ
ニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス
(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カ
ルボニルビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセト
ン、3,3−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマ
リン)、トリエタノールアミン、メチルジエタノールア
ミン、トリイソプロパノールアミン、N−フェニル−N
−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタノールア
ミン、N−トリルジエタノールアミン、4−ジメチルア
ミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチ
ル、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミ
ノ安息香酸イソアミル、安息香酸(2−ジメチルアミ
ノ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸(n−ブトキ
シ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−エチルヘ
キシル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオテトラゾー
ル、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラ
ゾールなどが挙げられる。
用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始
剤としても使用できるものがある。増感剤を本発明のペ
ーストに添加する場合、その添加量は有機成分に対して
好ましくは0.05〜10重量%、より好ましくは0.
1〜10重量%である。増感剤の添加量をこの範囲内と
することにより、露光部の残存率を保ちつつ良好な光感
度を得ることができる本発明では酸化防止剤が好ましく
添加される。酸化防止剤とは、ラジカル連鎖禁止作用、
三重項の消去作用、ハイドロパーオキサイドの分解作用
をもつものである。
部材の隔壁製造に用いられる場合、多くのガラス微粒子
を含有する。そのため、露光光によるペースト内部の光
散乱は避け難く、それに起因すると考えられる隔壁パタ
ーン形状の太りやパターン間の埋り(すなわち残膜形
成)が発生しやすい。隔壁パターンの壁は垂直に切り立
ち、矩形になることが望ましい。理想的には、露光され
たペースト塗布膜が、ある露光量以下では現像液に溶解
し、該露光量以上では現像液に不溶となることである。
つまり、塗布膜が光散乱による低い露光量で露光されて
も現像液に溶解することにより、露光量を多くしてもパ
ターン形状の太りやパターン間の埋まりが起こりにくく
なり、現像できる範囲が広くなるため好ましい。
防止剤がラジカルを捕獲したり、励起された光重合開始
剤や増感剤のエネルギー状態を基底状態に戻したりする
ことにより散乱光による余分な光反応が抑制され、酸化
防止剤で抑制できなくなる露光量で急激に光反応が起こ
ることにより、現像液への溶解、不溶のコントラストを
高くすることができる。
ンゾキノン、ナフトキノン、p−キシロキノン、p−ト
ルキノン、2,6−ジクロロキノン、2,5−ジアセト
キシ−p−ベンゾキノン、2,5−ジカプロキシ−p−
ベンゾキノン、ヒドロキノン、p−t−ブチルカテコー
ル、2,5−ジブチルヒドロキノン、モノ−t−ブチル
ヒドロキノン、2,5−ジ−t−アミルヒドロキノン、
ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ヒドロキノンモノメ
チルエーテル、α−ナフトール、ヒドラジン塩酸塩、ト
リメチルベンジルアンモニウムクロリド、トリメチルベ
ンジルアンモニウムオキザレート、フェニル−β−ナフ
チルアミン、パラベンジルアミノフェノール、ジ−β−
ナフチルパラフェニレンジアミン、ジニトロベンゼン、
トリニトロベンゼン、ピクリン酸、キノンジオキシム、
シクロヘキサノンオキシム、ピロガロール、タンニン
酸、トリエチルアミン塩酸塩、ジメチルアニリン塩酸
塩、クペロン、(2,2’−チオビス(4−t−オクチ
ルフェノレート)−2−エチルヘキシルアミノニッケル
−(II)、4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t
−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス−(4
−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−チ
オビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、
トリエチレングリコール−ビス[3−(t−ブチル−5
−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト]、1,2,3−トリヒドロキシベンゼン、などが挙
げられるがこれらに限定されない。本発明では、これら
を1種以上使用することができる。
しくは0.1〜30重量%、より好ましくは、0.5〜
20%の範囲である。酸化防止剤の添加量をこの範囲内
とすることにより、ペーストの光感度を維持し、また重
合度を保ちパターン形状を維持しつつ、現像液への溶解
および不溶のコントラストを大きくとることができる。
ことで、露光光によるペースト内部の散乱光を吸収し、
散乱光を弱めることができる。紫外線吸収剤としては、
ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合
物、サリチル酸系化合物、ベンゾトリアゾール系化合
物、インドール系化合物、無機系の微粒子酸化金属など
が挙げられる。これらの中でもベンゾフェノン系化合
物、シアノアクリレート系化合物、ベンゾトリアゾール
系化合物またはインドール系化合物が特に有効である。
これらの具体例としては、2,4−ジヒドロキシベンゾ
フェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノ
ン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェ
ノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシ
ベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−
ジメトキシ−5−スルホベンゾフェノン、2−ヒドロキ
シ−4−メトキシ−2’−カルボキシベンゾフェノン、
2−ヒドロキシ−4−メトキシ−5−スルホベンゾフェ
ノントリヒドレート、2−ヒドロキシ−4−n−オクト
キシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクタデシ
ロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、4−ドデシロキシ−2−ヒド
ロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−(2−ヒ
ドロキシ−3−メタクリロキシ)プロポキシベンゾフェ
ノン、2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニ
ル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−
3’,5’−ジ−t−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾ
ール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−
5’−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾー
ル、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブ
チルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−
(2’−ヒドロキシ−4’−n−オクトキシフェニル)
ベンゾトリアゾール、2−エチルヘキシル−2−シアノ
−3,3−ジフェニルアクリレート、2−エチル−2−
シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート、インドール
系の吸収剤である”BONASORB” UA−390
1(オリエント化学社製)、”BONASORB” U
A−3902(オリエント化学社製)SOM−2−00
08(オリエント化学社製)などが挙げられるがこれら
に限定されない。さらに、これら紫外線吸収剤の骨格に
メタクリル基などを導入し反応型として用いてもよい。
本発明では、これらを1種以上使用することができる。
ましくは0.001〜10重量%、より好ましくは、
0.005〜5%の範囲である。この範囲内とすること
により、透過限界波長および波長傾斜幅を所望範囲内に
とどめ、露光光の透過率およびペーストの感度を保持し
つつ散乱光の吸収効果を得ることができる。
として、ペーストに有機系染料を添加することができ
る。染料を添加して着色することにより視認性が良くな
り、現像時にペーストが残存している部分と除去された
部分との区別が容易になる。有機染料としては、特に限
定はされないが、焼成後の絶縁膜中に残存しないものが
好ましい。具体的には、アントラキノン系染料、インジ
ゴイド系染料、フタロシアニン系染料、カルボニウム系
染料、キノンイミン系染料、メチン系染料、キノリン系
染料、ニトロ系染料、ニトロソ系染料、ベンゾキノン系
染料、ナフトキノン系染料、フタルイミド系染料、ペリ
ノン系染料などが使用できる。特に、h線とi線付近の
波長の光を吸収するもの、例えばベーシックブルー等の
カルボニウム系染料を選択すると、本発明の効果がより
出やすくなり好ましい。有機染料の添加量は0.001
〜1重量%であることが好ましい。
方法に応じて調整するために有機溶媒が使用される。こ
のとき使用される有機溶媒としては、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチ
ルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、
シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォ
キシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロ
ベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロ
モ安息香酸、クロロ安息香酸などや、これらのうちの1
種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。
光性を有する場合、上記の有機成分のみを活性光線によ
り硬化させて得られる硬化物の引張弾性率が0.1〜1
00MPaであることが好ましい。高さ100μm以
上、幅数百μmの広幅隔壁パターンを形成する場合は、
100MPaを越えると、焼成時にパターンの全面剥が
れが発生するという問題がある。一方、引張弾性率が
0.1MPa未満ではパターンの形状保持性が不足し、
良好なパターンが得られない。この点から0.5〜10
0MPaであることがより好ましく、1〜50MPaで
あることがさらに好ましい。なお、ここで言う活性光線
とは、このような化学反応を起こさしめる250〜11
00nmの波長領域の光線を指し、具体的には超高圧水
銀灯、メタロハライドランプ、ハロゲンランプなどの紫
外光線や可視光線、ヘリウム−カドミウムレーザー、ヘ
リウム−ネオンレーザー、アルゴンイオンレーザー、半
導体レーザー、YAGレーザーなどの特定の波長のレー
ザー光線を挙げることができる。
録商標)シャーレなどに入れ、十分に乾燥させて溶媒成
分を含む場合はこれを除去し、300mJ/cm2の光
線を照射し、80℃で15分間乾燥することにより行っ
た。得られた試験片は、幅4〜5mm、厚み0.5〜
0.6mmの短冊形とし、テンシロンRTM−100
(オリエンテック(株)製)を用いて、引張速度100
mm/分、チャック間距離20mmで、JIS K63
01にしたがって、引張弾性率および後述する破断伸度
を測定した。なお、測定は23℃、50%RHの下でn
=10個の試験片の平均値を採った。
トが感光性を有する場合、有機成分のみを活性光線によ
り硬化させて得られる硬化物の破断伸度が50%以上で
あることが好ましい。破断伸度が50%未満の有機成分
を使用した感光性ペーストを用いるとパターン形成時に
欠けや剥がれなどの欠陥が発生し易くなる傾向があるた
めである。
無機微粒子の含有量が40重量%〜90重量%であるこ
とが好ましく、40重量%〜80重量%であることがよ
り好ましい。有機成分が多すぎると、焼成工程で除去し
なければならない物質の量が多くなるため、焼成時間が
長くかかり、完全に無機化することが難しくなる。ま
た、焼成収縮率が大となるため目的とするサイズの隔壁
を形成するため塗布膜をより厚くする必要が生じるなど
パターン形成性の点からも不都合がある。隔壁形状の保
持の点からも好ましくない。有機成分が過少になるとペ
ースト中での無機微粒子の混合・分散が不十分となるば
かりでなく、ペーストの粘度の上昇のためペーストの塗
布性が低下するなどの問題が生じ、ペーストの安定性に
も悪影響があり好ましくないことがある。また、有機成
分と無機微粒子の分散性が低下するため、焼成時に欠陥
が生じやすくなる。
7重量%と平均粒子径1〜4μmのフィラー3〜40重
量%とからなることが好ましい。フィラーは焼成収縮率
の制御や形成される隔壁の強度を保持するために低融点
ガラスと共に用いられる。3重量%未満ではその添加効
果が発揮できず、40重量%を越えると、隔壁の強度の
減少などの問題点を生じるので好ましくない。
3〜0.02μmの酸化物微粒子を30重量%以下含有
してもよい。
屈折率は1.45〜1.65であることが好ましく、
1.5〜1.65であることがより好ましい。ペースト
は有機成分を溶解した有機溶媒系の中に無機微粒子を分
散させたものであり、その塗布膜では有機成分層の中に
かなり高い濃度で無機微粒子が存在している。このよう
な塗布膜にフォトリソグラフィ法でパターン形成を行う
ためには、ペースト中の各成分の屈折率を近似させるこ
とが好ましい。用いる有機成分の平均屈折率が1.4〜
1.7の範囲にあるのが通常であるので無機微粒子の屈
折率もこの範囲に出来るだけ近似するものを選ぶことが
好ましい。種々の酸化物からなるガラス成分はその配合
を考慮することで特性の制御が可能であり、本発明にお
いても熱特性、屈折率などをコントロールした低融点ガ
ラス粉末が使用できる。低融点ガラス粉末としては、屈
折率が1.45〜1.65であり、ガラス転移点が40
0〜550℃、荷重軟化点が450〜600℃を有する
ものが好ましい。荷重軟化点を450℃以上とすること
で、部材形成およびディスプレイ形成の後工程において
隔壁が変形することがなく、荷重軟化点を600℃以下
とすることで、焼成時に溶融し強度の高い隔壁を得るこ
とができる。ガラス転移点が430〜500℃、荷重軟
化点が470〜580℃であることがより好ましい。
ースト形成時の充填性および分散性が良好で、ペースト
の均一な厚さでの塗布が可能であると共にパターン形成
性を良好に保つためには、平均粒子径が1〜4μmであ
り、最大粒子径が35μm以下であることが好ましい。
このような粒度分布を有するガラス粉末がペーストへの
充填性および分散性の点で優れているが、低融点ガラス
粉末の場合は焼成工程でその殆どが溶融し一体化される
ので、かなり大きな粒子径の粉末も許容される。この範
囲であれば、充填性および分散性を満足させて、塗布性
およびパターン形成性の優れたペーストを構成すること
ができる。
れた高融点ガラスやコーディエライトから選ばれた少な
くとも一種が好ましく用いられる。高融点ガラス粉末と
しては、ガラス転移点500〜1200℃、荷重軟化点
550〜1200℃を有するものが好ましい。
属微粒子を用いることにより、導電性ペーストとして用
いることもできる。この導電性ペーストを用いることに
より、高精細かつ欠陥の少ない回路パターンを得ること
ができる。この導電性ペーストは、例えばプラズマディ
スプレイの電極の形成に用いることができる。
Pd、Ptなどの貴金属導電性微粒子が好ましい。それ
ぞれ単独にまたは混合粉末として用いることができる。
これらにCrやRhを添加したものは高温特性を向上で
きる点で好ましい。
の金属微粒子の平均粒子径は0.5〜5μmが好まし
い。平均粒子径が0.5μm未満の場合、紫外線露光時
に光線が塗設後の膜の中をスムースに透過せず、良導体
の線幅60μm以下の微細パターンの形成が困難にな
る。一方、平均粒子径が5μmを越えると塗設後の回路
パターンの表面の凹凸が粗くなり、パターン精度が低下
し、ノイズ発生の原因となる。金属微粒子は比表面積
が、0.1〜3m2/gであるものが好ましく用いられ
る。比表面積が0.1m2/g未満の場合、回路パター
ンの精度が低下する。また、3m2/gを越えると粉末
の表面積が大きくなりすぎて紫外線が散乱され、パター
ン精度が低下する。
(板、円錐、棒)状や球状の物が使用できる。凝集が抑
制され、露光時の紫外線の散乱が少ないので、球状であ
ることが好ましい。
で500℃および1000℃まで昇温し、熱重量測定装
置により測定した重量が次の式で表されることが好まし
い。
重量)≦1.05 500℃および1000℃での重量の比が小さいこと
は、有機成分の脱バインダー性が良好であることを示す
ものである。上記の比が1.05以下であると、隔壁中
の残留有機成分が減少し、ディスプレイの信頼性を向上
することができる。ペースト中にウレタン化合物を添加
することにより、該重量比を小さくすることができる。
特に、ウレタン化合物中のエチレンオキサイド単位含有
量が前記の範囲にあると、重量比をより小さくすること
ができ、好ましい。また、ペーストがエチレン性不飽和
基を含む化合物を含有する場合は、エチレン性不飽和結
合濃度を制御することによって、前記重量比を制御する
ことができる。
布して3〜10μmの薄膜を形成し、1時間で30℃か
ら500℃まで昇温した際、該薄膜の収縮によるシリコ
ンウェハの反り量から次の式を用いて算出した平均膜応
力の最大値が0.1〜20MPaであることが好まし
く、0.1〜10MPaであることがさらに好ましい。 平均膜応力σ(Pa)=Eh2/(1−ν)6Rt (E/(1−ν)は基板の二軸弾性係数であり、上記シ
リコンウェハの場合1.805×10-11Pa、hは基
板の厚さ(m)、Rは基板の曲率半径(m)、tは薄膜
の厚さ(m)である) 前記平均膜応力の最大値を0.1〜20MPaとするこ
とで、焼成時の収縮を抑制し、はがれや断線などの焼成
欠陥を減らすことができ、0.1〜10MPaとするこ
とでさらに焼成欠陥を減らすことができる。ペースト中
にウレタン化合物を添加することにより、平均膜応力を
制御することができる。また、ペーストがエチレン性不
飽和基を含む化合物を含有する場合は、エチレン性不飽
和結合濃度を制御することによって、平均膜応力を制御
することができる。
分散剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、沈降防止剤、酸化
防止剤、反応性モノマー、反応性オリゴマー、反応性ポ
リマー、光重合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤、増
感剤、増感助剤、紫外線吸収剤、有機染料、酸、塩基お
よび有機溶媒などの各種成分を所定の組成となるように
調合した後、3本ローラーや混練機で均質に混合分散し
作製する。
機溶媒、可塑剤および沈降防止剤など添加割合によって
適宜調整されるが、その範囲は2000〜20万cps
(センチ・ポイズ)が好ましい。例えば、基板への塗布
をスピンコート法で行う場合は、2000〜5000c
psの粘度が好ましい。基板への塗布をスクリーン印刷
法で行い、1回の塗布で膜厚10〜20μmを得るに
は、5万〜20万cpsの粘度が好ましい。ブレードコ
ーター法やダイコーター法などを用いる場合は、1万〜
5万cpsの粘度が好ましい。
上に塗布し、種々の方法を用いてパターンを形成し、さ
らに焼成することによってディスプレイ部材を得ること
ができる。本発明のペーストは、特に基板上に隔壁を有
するプラズマディスプレイ部材の製造に好適に使用でき
る。パターンを形成する方法としては、例えば、スクリ
ーン印刷法、サンドブラスト法、フォトリソグラフィ法
などを用いることができる。フォトリソグラフィ法は、
高精細な加工が可能であるため好ましい。
ストを用いてディスプレイ部材の製造を行う一例につい
て説明するが、本発明はこれに限定されない。
分的に塗布して塗布膜を形成する。塗布方法としては、
スクリーン印刷法、バーコーター、ロールコーター、ダ
イコーター、ブレードコーターなどの方法を用いること
ができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシ
ュおよびペーストの粘度を選ぶことによって調整でき
る。
基板と塗布膜との密着性を高めるために基板の表面処理
を行うことができる。表面処理液としては、シランカッ
プリング剤、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニル
トリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリ
ス(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタクリロ
キシプロピル)トリメトキシシラン、γ−(2−アミノ
エチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロ
ロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキ
シシランなど、あるいは有機金属例えば、有機チタン、
有機アルミニウム、有機ジルコニウムなどを用いること
ができる。シランカップリング剤あるいは有機金属を有
機溶媒、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブ
チルアルコールなどで0.1〜5%の濃度に希釈したも
のを用いる。次にこの表面処理液をスピナーなどで基板
上に均一に塗布した後に80〜140℃で10〜60分
間乾燥することによって表面処理ができる。
う。露光装置としては、プロキシミティ露光機などを用
いることができる。また、大面積の露光を行う場合は、
基板上にペーストを塗布した後に、搬送しながら露光を
行うことによって、小さな露光面積の露光機で、大きな
面積を露光することができる。
現像液に対する溶解度差を利用して現像を行う。現像
は、浸漬法やスプレー法、ブラシ法で行う。現像液に
は、ペースト中の有機成分が溶解可能である有機溶媒を
用いることができる。また、該有機溶媒にその溶解力が
失われない範囲で水を添加してもよい。現像液は、水を
主成分とすることが好ましい。ペースト中にカルボキシ
ル基などの酸性基をもつ化合物が存在する場合、アルカ
リ水溶液で現像できる。アルカリ水溶液としては水酸化
ナトリウムや炭酸ナトリウム、水酸化カルシウム水溶液
などが使用できるが、有機アルカリ水溶液を用いた方が
焼成時にアルカリ成分を除去しやすいので好ましい。
合物を用いることができる。具体的には、テトラメチル
アンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアン
モニウムヒドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミンなどが挙げられる。
重量%、より好ましくは0.1〜1重量%である。アル
カリ濃度が低すぎれば可溶部が除去されず、アルカリ濃
度が高すぎれば、パターン部を剥離させ、また非可溶部
を腐食させるおそれがあり良くない。また、現像時の現
像温度は、20〜50℃で行うことが工程管理上好まし
い。
温度は、ペーストや基板の種類によって異なるが、空気
中、窒素、水素などの雰囲気中で焼成する。焼成炉とし
ては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用
いることができる。
ラス基板上にパターン加工する場合は、480〜610
℃の温度で10〜60分間保持して焼成を行うことが好
ましい。
物からなるパターンが形成されたディスプレイ部材が得
られる。
する。ただし、本発明はこれに限定されるものではな
い。なお、濃度(%)は特に断らない限り重量%であ
る。 (実施例1〜10、比較例1〜2)表1に示すウレタ
ン、ポリマー溶液と分散剤3重量%、レベリング剤3重
量%、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル4重
量%、を50℃に加熱しながら溶解し、有機溶液を調製
した。これをガラス基板上に塗布し、100℃で90分
間乾燥して得られた厚さ30μmの塗布膜のヘーズを、
スガ試験機(株)の直読ヘーズコンピューターHGM−
2DPを用いて測定した。測定値を表2に示す。
し、混練機を用いて混練し、ペーストを作成した。
00℃および1000℃にしたときの重量を、島津製作
所(株)製の熱重量測定装置“TGA−50”を用いて
空気中で測定した。表2に(500℃での重量)/(1
000℃での重量)の値を示す。
製の直径100±0.5mm、厚さ525±25μmの
シリコンウェハ上に塗布し、厚み3〜10μmの塗布膜
を形成した。FLEXUS社製薄膜ストレス測定装置
“F2300S”を用い、30℃から1時間かけて50
0℃まで昇温した際のストレスを測定する。測定したス
トレスの最大値を表2に示す。
布し、厚み50μmの塗布膜を形成し、560℃で15
分間焼成した。焼成後、実質上無機物のみからなる膜の
反射率を(株)日立製作所製の自記分光光度計“U−3
210”を用いて測定した。測定値を表2に示した。
トライプ状のアドレス銀電極(線幅100μm、厚さ3
μm、ピッチ500μm)を形成し、この上に厚さ15
μmの誘電体層を形成した後、上記のペーストを用い
て、下層のスクリーン印刷を行った。プラズマディスプ
レイ用の格子状隔壁パターン形成を目的としたスクリー
ン印刷版(横隔壁:線幅500μm、パターンピッチ1
000μm、縦隔壁:線幅60μm、パターンピッチ5
00μm)を、横隔壁がアドレス電極と直交するような
配置でセットして、下層の乾燥厚さ90μmになるま
で、位置合わせを行いながら5〜6回印刷および乾燥を
繰り返した。
格子状隔壁パターンの上に、上層のストライプパターン
のスクリーン印刷を行った。スクリーン印刷版(縦隔
壁:線幅60μm、パターンピッチ500μm)を、アド
レス電極と平行にセットして、上層の乾燥厚さ90μm
になるまで、位置合わせを行いながら5〜6回印刷及び
乾燥を繰り返した。
0℃で15分間焼成することにより、ピッチ500μ
m、線幅60μm、高さ130μmのストライプ状隔壁
とそれと直交するピッチ1000μm、線幅500μ
m、高さ60μmの補助隔壁からなる格子状隔壁を有す
るディスプレイ部材を得ることができた。焼成後、剥が
れや断線などの欠陥を観察した結果を表2に示す。
壁間に蛍光体を塗布した。蛍光体の塗布は、口径130
μmの穴が形成されたノズル先端から蛍光体ペーストを
吐出するディスペンサー法により行った。蛍光体は隔壁
側面に焼成後厚み25μm、誘電体層上に焼成後厚み2
5μmになるように塗布した後に、500度で10分間
の焼成を行い、プラズマディスプレイ(以下PDP)用
の背面基板を作成した。別途作製した前面基板を該背面
基板と封着ガラスを用いて封着して、キセノン5%含有
のネオンガスを内部ガス圧66500Paになるように
封着する。さらに、駆動回路を実装して、PDPを作製
する。
月間点灯させずに放置した後、70℃、48時間で加速
試験を行い、動作電圧の電圧上昇を測定する。結果を表
2に示す。該加速試験の後、電圧上昇が1V以下の場合
を安定、2〜3Vの場合を少し増加、4Vの場合以上を
増加とした。
に示すウレタン、アミン化合物、モノマーおよびポリマ
ー溶液と光重合開始剤5重量%、有機染料0.01重量
%、γ−ブチロラクトン5重量%、を50℃に加熱しな
がら溶解し、有機溶液を調製した。該有機溶液をテフロ
ン(登録商標)シャーレに入れ、80℃で90分乾燥さ
せて溶媒を除去し、300mJ/cm2の光線を照射
し、80℃で15分間乾燥することにより行った。得ら
れた試験片は、幅4〜5mm、厚み0.5〜0.6mm
の短冊形とし、テンシロンRTM−100(オリエンテ
ック(株)製)を用いて、引張速度100mm/分、チ
ャック間距離20mmで、JIS K6301にしたが
って、引張弾性率および破断伸度を測定した。測定した
値を表4に示した。なお、測定は23℃、50%RHの
下でn=10個の試験片の平均値を採った。
混練機を用いて混練し、ペーストを作成した。
1000℃でのペーストの重量、ペースト塗布膜のスト
レス、ペースト塗布膜の焼成後反射率の測定は実施例1
と同様に行った。測定値を表4に示す。
トライプ状のアドレス銀電極(線幅50μm、厚さ3μ
m、ピッチ250μm)を形成し、この上に厚さ15μ
mの誘電体層を形成した後、上記のペーストを乾燥厚さ
90μmになるように塗布・乾燥した。
ーン形成を目的としたフォトマスク(ストライプ状パタ
ーン、線幅600μm、パターンピッチ1000μm)
をアドレス電極と直交するような配置でセットして露光
した。この時、該マスクが汚染されるのを防ぐため、マ
スクと塗膜面に100μmのギャップを設けた。現像時
に隔壁パターンに剥がれが生じない露光量の中で最も小
さい値を最低露光量とした。
し乾燥して乾燥厚さ90μmの塗布膜を形成した。この
塗布膜上に、フォトマスク(ストライプ状パターン、線
幅30μm、パターンピッチ250μm)をアドレス電
極と平行になるような配置でセットして露光した。露光
後、0.5%のエタノールアミン水溶液中で現像し、さ
らに560℃で15分間焼成した。ピッチ250μm、
線幅30μm、高さ130μmのストライプ状隔壁とピ
ッチ1000μm、線幅600μm、高さ60μmの補
助隔壁からなる格子状隔壁を有するディスプレイ部材を
得ることができた。焼成後、剥がれや断線などの欠陥を
観察した。結果を表4に示す。
壁間に蛍光体を塗布した。蛍光体の塗布は、口径130
μmの穴が形成されたノズル先端から蛍光体ペーストを
吐出するディスペンサー法により行った。蛍光体は隔壁
側面に焼成後厚み25μm、誘電体層上に焼成後厚み2
5μmになるように塗布した後に、500度で10分間
の焼成を行い、PDPの背面基板を作成した。別途作製
した前面基板を該背面基板と封着ガラスを用いて封着し
て、キセノン5%含有のネオンガスを内部ガス圧665
00Paになるように封着する。さらに、駆動回路を実
装して、PDPを作製する。
月間点灯させずに放置した後、70℃、48時間で加速
試験を行い、動作電圧の電圧上昇を測定する。結果を表
4に示す。電圧上昇が1V以下の場合を安定、2〜3V
の場合を少し増加、4V以上の場合を増加とした。
すウレタン、アミン化合物、モノマー、ポリマー溶液に
光重合開始剤2重量%、有機染料0.01重量%、を5
0℃に加熱しながら溶解し、有機溶液を調製し、さらに
銀微粒子(平均粒子径1.5μm、比表面積1.10m
2/g)70重量%、硼珪酸ビスマスガラス微粒子3重
量%、を添加し、混練機を用いて混練し、ペーストを作
成した。有機成分塗布膜のヘーズ、有機成分硬化物の引
っ張り弾性率および破断強度、500℃および1000
℃でのペーストの重量、ペースト塗布膜のストレスの測
定は実施例11と同様に行った。測定値を表6に示す。
られた銀微粒子ペーストをスクリーン印刷により塗布し
て、乾燥厚み6μmを得た。その後、フォトマスク(ス
トライプ状パターン、パターンピッチ250μm、線幅
100μm)を介して露光を行った。さらに、0.5%
のエタノールアミン水溶液中で現像を行い、ストライプ
状の電極パターンを得た。電極パターン加工の終了した
ガラス基板を80℃で15分間乾燥した後、580℃で
15分間焼成し、電極を形成した。焼成後の電極パター
ンにおいて、剥がれや断線などの欠陥を観察した。結果
を表6に示す。
電体層を形成し、誘電体層上に、実施例11の方法によ
り隔壁パターンを形成した。
壁間に蛍光体を塗布した。蛍光体の塗布は、口径130
μmの穴が形成されたノズル先端から蛍光体ペーストを
吐出するディスペンサー法により行った。蛍光体は隔壁
側面に焼成後厚み25μm、誘電体層上に焼成後厚み2
5μmになるように塗布した後に、500度で10分間
の焼成を行い、PDPの背面基板を作成した。別途作製
した前面基板を該背面基板と封着ガラスを用いて封着し
て、キセノン5%含有のネオンガスを内部ガス圧665
00Paになるように封着する。さらに、駆動回路を実
装して、PDPを作製する。
量%テルピネオール溶液) ポリマ溶液II:ポリメチルメタクリレート(50重量%
トルエン溶液) ポリマ溶液III:スチレン/メチルメタクリレート/メ
タクリル酸コポリマ(重量組成比30/30/40)に
コポリマ100重量部に対してグリシジルアクリレート
を40重量部付加させたポリマ ポリマ−溶液IV:メチルメタクリレート/メタクリル
酸コポリマ(重量組成比60/40)に該コポリマ10
0重量部に対してグリシジルアクリレートを40重量部
付加させたポリマ(樹脂酸価115mgKOH/g) ポリマー溶液V:メチルメタクリレート/メタクリル酸
コポリマ(重量組成比82/18、樹脂酸価90mgK
OH/g) モノマ−I:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト モノマ−II:CH2=C(CH3)CO−(OCH(CH
3)CH2)9−OCOC(CH3)=CH2 モノマーIII:プロポキシ化トリメチロールプロパント
リアクリレート アミン−I:N,N−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート アミン−II:ビス(2−ヒドロキシ−3−メタクリロイ
ルオキシプロピル)n−プロピルアミン ウレタン−I:一般式(1)において、R1、R2は水
素、R3はエチレンオキサイド−プロピレンオキサイド
コオリゴマー、R4はイソフォロンジイソシアネート残
基で、エチレンオキサイド単位の含有率は30%、全体
の分子量は18,000 ウレタン−II:一般式(1)において、R1、R2は水
素、R3はエチレンオキサイド−プロピレンオキサイド
コオリゴマー、R4はイソフォロンジイソシアネート残
基で、エチレンオキサイド単位の含有率は10%、全体
の分子量は19,000 ウレタン−III:一般式(1)において、R1、R2は水
素、R3はブチレンオキサイドオリゴマー、R4はイソフ
ォロンジイソシアネート残基で、エチレンオキサイド単
位の含有率は0%、全体の分子量は42,000 ウレタン−IV:一般式(1)において、R1、R2は水
素、R3はエチレンオキサイド−ブチレンオキサイドコ
オリゴマー、R4はイソフォロンジイソシアネート残基
で、エチレンオキサイド単位の含有率は7%、全体の分
子量は27,000 ウレタン−V:一般式(1)において、R1、R2は水
素、R3はエチレンオキサイド−プロピレンオキサイド
コオリゴマー、R4はイソフォロンジイソシアネート残
基で、エチレンオキサイド単位の含有率は80%、全体
の分子量は24,000 ウレタン−VI:一般式(1)において、R1、R2は水
素、R3はエチレンオキサイド−プロピレンオキサイド
コオリゴマー、R4は1,4−シクロヘキシレンジイソ
シアネート残基で、エチレンオキサイド単位の含有率は
50%、全体の分子量は1,200 ウレタン−VII:一般式(1)において、R1、R2はメ
タクリル基、R3はエチレンオキサイド−プロピレンオ
キサイドコオリゴマー、R4はイソフォロンジイソシア
ネート残基で、エチレンオキサイド単位の含有率は30
%、全体の分子量は18,000 ウレタン−VIII:一般式(1)において、R1、R2はア
クリル基、R3はエチレンオキサイド−プロピレンオキ
サイドコオリゴマー、R4は1,4−シクロヘキシレン
ジイソシアネート残基で、エチレンオキサイド単位の含
有率は10%、全体の分子量は19,000 低融点ガラス粉末:酸化物換算組成で、Li2O:9
%、SiO2:22%、Al 2O3:23%、B2O3:3
3%、BaO:4%、ZnO:2%、MgO:7%(ガ
ラス転移点472℃、荷重軟化点515℃、屈折率1.
59、平均粒子径2.55μm) フィラー:酸化物換算組成で、SiO2:38%、B2O
3:10%、BaO:5%、Al2O3:36%、Zn
O:2%、MgO:5%、CaO2:4%(ガラス転移
点652℃、荷重軟化点746℃、屈折率1.59、平
均粒子径2.4μm) 酸化物微粒子:酸化物微粒子(平均粒子径0.005μ
m)
ターンに欠陥のないディスプレイ部材を提供することが
できる。
Claims (60)
- 【請求項1】ウレタン化合物および無機微粒子を含有す
るペースト。 - 【請求項2】ペースト中の無機微粒子の含有量が40重
量%〜90重量%である請求項1記載のペースト。 - 【請求項3】ウレタン化合物がエチレン性不飽和基を有
するウレタン化合物を含む請求項1記載のペースト。 - 【請求項4】ウレタン化合物の分子量が15000〜5
0000である請求項1記載のペースト。 - 【請求項5】ペースト中のウレタン化合物の含有量が
0.1重量%〜20重量%である請求項1記載のペース
ト。 - 【請求項6】ウレタン化合物が、エチレンオキサイド単
位を含有する請求項1記載のペースト。 - 【請求項7】ウレタン化合物が、下記一般式(1)で示
される請求項1記載のペースト。 R1−(R4−R3)n−R4−R2 (1) (R1およびR2はエチレン性不飽和基を含む置換基、水
素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、アラル
キル基およびヒドロキシアラルキル基からなる群から選
ばれたものであり、それぞれ同じであっても異なってい
ても良い。R3はアルキレンオキサイド基またはアルキ
レンオキサイドオリゴマー、R4はウレタン結合を含む
有機基である。nは1〜10の自然数) - 【請求項8】R3がエチレンオキサイド単位とプロピレ
ンオキサイド単位とを含むオリゴマーであり、かつ、該
オリゴマー中のエチレンオキサイド単位含有量が8〜7
0重量%の範囲内である請求項7記載のペースト。 - 【請求項9】さらにエチレン性不飽和基を有するアミン
化合物を含有する請求項1記載のペースト。 - 【請求項10】アミン化合物が、下記一般式(3)また
は(4)で示される化合物である請求項9記載のペース
ト。 R5R6R7N (3) R5R6N−M−NR7R8 (4) (ここで、R5はエチレン性不飽和基を含む置換基であ
り、R6,R7,R8はエチレン性不飽和基を含む置換
基、水素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、
アラルキル基およびヒドロキシアルキル基からなる群か
ら選ばれたもので、R 6,R7,R8は同じであっても異
なっていてもよい、Mは2価の連結基を示す) - 【請求項11】さらにカルボキシル基を有する重合体を
含有する請求項1記載のペースト。 - 【請求項12】カルボキシル基を有する重合体が、エチ
レン性不飽和基を有する請求項11記載のペースト。 - 【請求項13】無機微粒子が、荷重軟化点450〜60
0℃の低融点ガラス粉末を含む請求項1記載のペース
ト。 - 【請求項14】無機微粒子が、低融点ガラス粉末60重
量%〜97重量%と平均粒子径1μm〜4μmのフィラ
ー3重量%〜40重量%とを含有する請求項1記載のペ
ースト。 - 【請求項15】無機微粒子が、さらに平均粒子径0.0
03〜0.02μmの酸化物微粒子を30重量%以下含
有する請求項14記載のペースト。 - 【請求項16】無機微粒子の屈折率が1.45〜1.6
5である請求項1記載のペースト。 - 【請求項17】無機微粒子が金属粉末である請求項1記
載のペースト。 - 【請求項18】金属粉末の平均粒子径が0.5〜5μm
の範囲である請求項17記載のペースト。 - 【請求項19】500℃および1000℃まで昇温した
際の重量が、次の式で表される請求項1記載のペース
ト。 (500℃での重量)/(1000℃での重量)≦1.
05 - 【請求項20】シリコンウェハ上に請求項1記載のペー
ストを塗布して薄膜を形成し、500℃まで昇温した
際、該薄膜の収縮によるシリコンウェハの反り量から算
出した平均膜応力の最大値が0.1〜20MPaである
ペースト。 - 【請求項21】ペーストが感光性である請求項1記載の
ペースト。 - 【請求項22】ペースト中のエチレン性不飽和結合濃度
が、活性光線照射前のペースト1kg当たり0.2〜
1.0molである請求項21記載のペースト。 - 【請求項23】有機成分のみを活性光線により硬化させ
て得られる硬化物の引張弾性率が0.1〜100MPa
である請求項21記載のペースト。 - 【請求項24】前記硬化物の破断伸度が50%以上であ
る請求項23記載のペースト。 - 【請求項25】ディスプレイ用に用いる請求項1記載の
ペースト。 - 【請求項26】ディスプレイがプラズマディスプレイで
ある請求項25記載のディスプレイ用ペースト。 - 【請求項27】 無機微粒子と有機成分を含むペースト
であって、500℃および1000℃まで昇温した際の
重量が、次の式で表されるペースト。 (500℃での重量)/(1000℃での重量)≦1.
05 - 【請求項28】 無機微粒子と有機成分を含むペースト
であって、シリコンウェハ上に該ペーストを塗布して薄
膜を形成し、500℃まで昇温した際、薄膜の収縮によ
るシリコンウェハの反り量から算出した平均膜応力の最
大値が0.1〜20MPaであるペースト。 - 【請求項29】40〜90重量%の無機微粒子と60〜
10重量%の有機成分を含み、該有機成分のみを活性光
線により硬化させて得られる硬化物の引張弾性率が0.
1〜100MPaである感光性ペースト。 - 【請求項30】前記硬化物の破断伸度が50%以上であ
る請求項29記載の感光性ペースト。 - 【請求項31】ウレタン化合物および無機微粒子を含有
するペーストを基板上に塗布し、焼成する工程を含むデ
ィスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項32】ペースト中の無機微粒子の含有量が40
重量%〜90重量%である請求項31記載のディスプレ
イ部材の製造方法。 - 【請求項33】ウレタン化合物がエチレン性不飽和基を
有する請求項31記載のディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項34】ウレタン化合物の分子量が15000〜
50000である請求項31記載のディスプレイ部材の
製造方法。 - 【請求項35】ペースト中のウレタン化合物の含有量が
0.1重量%〜20重量%である請求項31記載のディ
スプレイ部材の製造方法。 - 【請求項36】ウレタン化合物が、エチレンオキサイド
単位を含有する請求項31記載のディスプレイ部材の製
造方法。 - 【請求項37】ウレタン化合物が、下記一般式(1)で
示される請求項31記載のディスプレイ部材の製造方
法。 R1−(R4−R3)n−R4−R2 (1) (R1およびR2はエチレン性不飽和基を含む置換基、水
素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、アラル
キル基およびヒドロキシアラルキル基からなる群から選
ばれたものであり、それぞれ同じであっても異なってい
ても良い。R3はアルキレンオキサイド基またはアルキ
レンオキサイドオリゴマー、R4はウレタン結合を含む
有機基である。nは1〜10の自然数) - 【請求項38】R3がエチレンオキサイド単位とプロピ
レンオキサイド単位とを含むオリゴマーであり、かつ、
該オリゴマー中のエチレンオキサイド単位含有量が8〜
70重量%の範囲内である請求項37に記載のディスプ
レイ部材の製造方法。 - 【請求項39】ペーストがさらにエチレン性不飽和基を
有するアミン化合物を含有する請求項31記載のディス
プレイ部材の製造方法。 - 【請求項40】アミン化合物が、下記一般式(3)また
は(4)で示される化合物である請求項39記載のディ
スプレイ部材の製造方法。 R5R6R7N (3) R5R6N−M−NR7R8 (4) (ここで、R5はエチレン性不飽和基を含む置換基であ
り、R6,R7,R8はエチレン性不飽和基を含む置換
基、水素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、
アラルキル基およびヒドロキシアルキル基からなる群か
ら選ばれたもので、R 6,R7,R8は同じであっても異
なっていてもよい、Mは2価の連結基を示す) - 【請求項41】ペーストがさらにカルボキシル基を有す
る重合体を含有する請求項31記載のディスプレイ部材
の製造方法。 - 【請求項42】カルボキシル基を有する重合体が、エチ
レン性不飽和基を有する請求項41記載のディスプレイ
部材の製造方法。 - 【請求項43】無機微粒子が、荷重軟化点450〜60
0℃の低融点ガラス粉末を含む請求項31記載のディス
プレイ部材の製造方法。 - 【請求項44】無機微粒子が、低融点ガラス粉末60重
量%〜97重量%と平均粒子径1μm〜4μmのフィラ
ー3重量%〜40重量%とを含有する請求項31記載の
ディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項45】無機微粒子が、さらに平均粒子径0.0
03〜0.02μmの酸化物微粒子を30重量%以下含
有する請求項44記載のディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項46】無機微粒子の屈折率が1.45〜1.6
5である請求項31記載のディスプレイ部材の製造方
法。 - 【請求項47】無機微粒子が金属粉末である請求項31
記載のディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項48】金属粉末の平均粒子径が0.5〜5μm
の範囲である請求項47記載のディスプレイ部材の製造
方法。 - 【請求項49】請求項31記載のペーストが、500℃
および1000℃まで昇温した際の重量が、次の式で表
されるペーストであるディスプレイ部材の製造方法。 (500℃での重量)/(1000℃での重量)≦1.
05 - 【請求項50】シリコンウェハ上に請求項31記載のペ
ーストを塗布して薄膜を形成し、500℃まで昇温した
際、該薄膜の収縮によるシリコンウェハの反り量から算
出した平均膜応力の最大値が0.1〜20MPaである
ペーストを用いるディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項51】ペーストが感光性である請求項31記載
のディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項52】ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ
法によりパターン加工した後、焼成する請求項51記載
のディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項53】ペースト中のエチレン性不飽和結合濃度
が、活性光線照射前のペースト1kg当たり0.2〜
1.0molである請求項51記載のディスプレイ部材
の製造方法。 - 【請求項54】有機成分のみを活性光線により硬化させ
て得られる硬化物の引張弾性率が0.1〜100MPa
である請求項51記載のディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項55】前記硬化物の破断伸度が50%以上であ
る請求項54記載のディスプレイ部材の製造方法。 - 【請求項56】請求項27、28または29に記載のペ
ーストを基板上に塗布し、焼成する工程を含むディスプ
レイ部材の製造方法。 - 【請求項57】ディスプレイがプラズマディスプレイで
ある請求項31〜56のいずれかに記載のディスプレイ
部材の製造方法。 - 【請求項58】請求項31〜56のいずれかに記載の方
法により製造されたディスプレイ部材。 - 【請求項59】請求項58記載のディスプレイ部材を用
いてなるディスプレイ。 - 【請求項60】ディスプレイがプラズマディスプレイで
ある請求項59記載のディスプレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001153903A JP4710169B2 (ja) | 2000-05-23 | 2001-05-23 | 無機材料パターン形成用ペーストおよびディスプレイ部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000151327 | 2000-05-23 | ||
JP2000151327 | 2000-05-23 | ||
JP2000182707 | 2000-06-09 | ||
JP2000182707 | 2000-06-19 | ||
JP2000-182707 | 2000-09-29 | ||
JP2000-151327 | 2000-09-29 | ||
JP2000-298990 | 2000-09-29 | ||
JP2000298990 | 2000-09-29 | ||
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JP2001153903A JP4710169B2 (ja) | 2000-05-23 | 2001-05-23 | 無機材料パターン形成用ペーストおよびディスプレイ部材の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002173597A true JP2002173597A (ja) | 2002-06-21 |
JP2002173597A5 JP2002173597A5 (ja) | 2008-07-10 |
JP4710169B2 JP4710169B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=27343469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001153903A Expired - Lifetime JP4710169B2 (ja) | 2000-05-23 | 2001-05-23 | 無機材料パターン形成用ペーストおよびディスプレイ部材の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7004812B2 (ja) |
EP (1) | EP1158019B1 (ja) |
JP (1) | JP4710169B2 (ja) |
KR (1) | KR100832654B1 (ja) |
CN (2) | CN1311295C (ja) |
DE (1) | DE60132046T2 (ja) |
MY (1) | MY130468A (ja) |
TW (1) | TW522435B (ja) |
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