TW522435B - Slurry, display component and process for producing the display component - Google Patents

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TW522435B
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Hiroko Uegaki
Norikazu Tabata
Takaki Masaki
Hiromitsu Takahashi
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Toray Industries
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Description

522435
五、發明說明(1 ) 【技術領域】 本發明係有關一種膠漿及用它之顯示器構件的製法。本 發明之膠漿及製法,可使用於電漿顯示器、電漿位址液晶 顯示器、場致發射顯示器爲始的各種顯示器之製造及電路 材料等圖像加工。 【先前技術】
近年來’有關電路材料及顯示器進行小型化及高精細化 ’企求可對應於此之圖像加工技術。特別是於形成電漿顯 示器之隔壁時,企求使玻璃等無機材料以高精度且高長短 徑比圖像加工的方法。 以往,進行無機材料之圖像加工的方法係如日本特開平 9-310030號公報、美國專利6197480號中提案使用感光性 膠漿、藉由微影術形成圖像的方法。 【發明之揭示】
然而’上述方法於藉由燒成以除去有機成分時,因有機 成分之父聯引起燒成收縮力作用,於圖像中容易產生剝離 或斷線等缺陷問題。 換言之,本發明係爲含有胺甲酸酯化合物及無機微粒子 之膠漿。 而且,本發明係如申請專利範圍第1項之膠獎,其中升 溫至500°C及1000°C時之重量以下式表示。 (500°C 之重量)/(1000°C 之重量)$ 1.05 另外,本發明提供一種膠漿,其係於含有無機微粒子與 522435 五、發明說明(2) 有機成分之膠漿中,其特徵爲將該膠漿塗覆於矽晶圓上形 成薄膜、且升溫至500°C時藉由薄膜收縮自矽晶圓之差量 算出平均膜應力之最大値爲0.1〜20MPa。 此外,本發明提供一種顯示器構件之製法,其特徵爲包 括有使含胺曱酸酯化合物及無機微粒子之膠漿塗覆於基板 上,予以燒成的步驟。 而且,本發明係提供使用它之顯示器,特別是電漿顯示 器之製法。 本發明之較佳實施形態 本發明之膠漿含有有機成分與無機微粒子。於本發明中 ,有機成分爲膠漿中除去無機微粒子者。本發明之膠漿可 以各種方法形成圖像後,進行燒成、除去有機成分、形成 實質上由無機物所成的圖像爲目的。 本發明使用膠漿所製造實質上由無機物所成的圖像,於 顯示器用途、即電漿顯示器用途中,適合使用作爲電漿顯 示板背面板之隔壁。 本發明使用的膠漿中除含有胺甲酸酯化合物與無機微粒 子外,視其所需可添加黏合劑聚合物、分散劑、可塑劑、 增黏劑、有機溶劑、沉澱防止劑、氧化防止劑等。 本發明使用的胺甲酸酯化合物的分子量以1 5000〜50000 較佳。而且’此處所指之分子量爲重量平均分子量。爲 1 5 000以上時’可以保持胺甲酸酯之柔軟性、以及可減少 燒成時之剝離、斷線等缺陷。爲50000以下時,可降低胺 -4- 522435 五、發明說明(3 ) 甲酸醋之黏度、容易予以處理, 本發明使用的胺甲酸酯化合物例如以下述通式(1 )所示 之化合物。
Rl- (R4-R3) n-R4-R2 ( 1 ) (其中’ R1及R2係表示選自於含有乙烯性不飽和基之取 代基、氫、碳數丨〜20之烷基、芳基、芳烷基及羥基芳烷 基者’可爲相同或各不同;R3係表示環氧烷基或環氧烷基 寡聚物;R4係表示含有胺甲酸酯鍵之有機基;n係表示1 〜1〇之自然數) 胺甲酸酯化合物以含有環氧乙烷單元較佳。更佳者爲通 式(1)中R3爲含有環氧乙烷單元與環氧丙烷單元之寡聚物 ’且該寡聚物中環氧乙烷單元含有量爲8〜70重量%。藉 由使環氧乙烷單元含有量爲70重量%以下,可提高柔軟性 、且於形成隔壁時應力減小,故可有效地抑制隔壁斷線等 缺陷。另外,於提高熱分解性、形成隔壁後之燒成步驟中 ,不易產生燒成殘渣的問題。此外,藉由使環氧乙烷單元 含有量爲8重量%以上,可提高與其他有機成分之相溶性 。有機成分之相溶性可藉由塗覆有機成分所形成的塗覆膜 之霧濁値予以測定。霧濁値小係表示有機成分相溶性佳者 。霧濁値於厚度30// m之塗覆膜中以5.0%以下較佳。此處 ,霧濁値(Η :單位% )係以:Π S K7 1 05「塑膠之光學特性試 驗方法」爲基準、使用積分球光線透過率測定裝置、測定 擴散透過率(Td)極權光線透過率(Tt),且藉由求取其比値 522435 五、發明說明(4) (H=(Td/Tt)XlOO)算出◦霧濁値以0.8%以下更佳、最佳者 爲0 . 5 %以下。 R4之含胺甲酸酯鍵的有機基以藉由二異氰酸酯基與羥基 之縮合生成較佳。此處所使用的具有二異氰酸酯基之成分 可使用1 , 4 -二異氰酸丁烷酯、1,6 -二異氰酸己烷酯等之脂 肪族二異氰酸酯化合物、1,4 -二異氰酸伸苯酯、二異氰酸 伸甲苯酯等芳香族二異氰酸酯化合物或1,4 -環伸己基二異 氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環式二異氰酸酯化合物 。以使用脂環式二異氰酸酯化合物較佳,更佳者爲使用異 佛爾酮二異氰酸酯,惟不受此等所限制。 本發明所使用的胺甲酸酯化合物之具體例如UA - 2 2 3 5PE ( 分子量 18000、EO 含有率 20%)、UA-3238PE(分子量 19000 、EO含有率10%)、UA- 3 348PE(分子量22000、EO含有率 15%)、UA-2349PE(分子量 27000、EO 含有率 7%)、UA-5 348PE(分子量39000、EO含有率23%)(以上爲新中村化學 (股)製)等,惟不受此等所限制。而且,可使用此等化合 物之混合物。 胺甲酸酯化合物之含有量在膠漿中以0.1〜20重量%較 佳。若含有量爲0.1重量%以上時可得適當的抑制效果。 而若大於20重量%時有機成分與無機微粒子之分散性降低 、且容易產生缺陷。 本發明所使用的膠漿可藉由加入反應性單體、反應性寡 聚物、反應性聚合物、光聚合起始劑、光酸發生劑、光鹼 522435 五、發明說明(5) 發生劑、增感劑、增感助劑、紫外線吸收劑、有機染料、 酸、鹼等,使用作爲感光性膠漿。此處,反應性單體、反 應性寡聚物及反應性聚合物之反應性係指膠漿受到活性光 線照射時,反應性單體、反應性寡聚物或反應性聚合物引 起光交聯、光聚合、光解聚合、光改性等之反應,使化學 構造產生變化。此時,可藉由微影術進行製造顯示器構件 〇 反應性單體、反應性寡聚物及反應性聚合物以具有乙烯 性不飽和鍵較佳。另外,膠漿中乙烯性不飽和鍵濃度對 1 kg活性光線照射前之膠漿而言以0 . 2〜1 . 0莫耳較佳。膠 漿中乙烯性不飽和鍵濃度爲0 . 2莫耳以上時可保持膠漿感 度、具有良好的圖像形成性。乙烯性不飽和鍵濃度爲1 . 0 莫耳以下時,可使圖像形成時之交聯密度保持於適當的範 圍,且脫黏合性佳。而且,藉由光或熱抑制聚合縮合、且 不易引起剝離或斷線之缺陷。 作爲反應性單體,本發明之膠漿以另含有具乙烯性不飽 和基之胺化合物較佳。特別是以至少含有下述通式(3 )或 (4 )所示胺化合物任一方較佳。由於可提高對光而言之感 度。 R5R6R7N (3) R5R6N — M — NR7R8 (4) (其中,R5係表示含乙烯性不飽和基之取代基;R6、R7、 R8係表示選自於含乙烯性不飽和基之取代基、氫、碳數1 522435 五、發明說明(6) 〜20之烷基、芳基、芳烷基及羥基烷基者,r6、r7、
^ ~SJ 爲相同或各不相同;Μ爲2價鍵結基) 月女化合物之含乙嫌性不幽和基的取代基R5以下述通# < 、(6 )及(7 )中任一式所不者較佳。 ΟΗ2=ΟΚ9 — A— (L) a—CH (OH) —CH2— ( 5 ) CH2=CR9— (A)b— (L)a—S〇2— (6) CH2=CR9— (A) b— (L) a—C〇— ⑺ (其中,R9係爲氫或甲基,A係表示COO、CONH或經耳又π 或未經取代的伸苯基,L係表示選自於碳數1〜2〇之_@ 或非環式伸烷基、伸芳基及伸方烷基,L可以爲未經_ π 、或以碳數1〜6之烷基、鹵素原子、羥基、芳基等取代 ,而且,a、b係爲0或1) 更佳者爲 CH2 = C(CH3)COOCH2CH(OH)CH2-。 而且,胺化合物係以使用3級胺化合物較佳,更佳者爲 具下述通式(8 )所示構造之化合物。 (CH2 二 CR10—C〇一 Z) 3-m—NR’ m (8), (其中,R1Q係爲氫原子或甲基,R’係爲烷基、芳基、芳 烷基或羥基烷基,Z係爲-0-R’’-或-NHR’’-,R”係爲伸烷基、 伸芳基、伸烷芳基或羥基伸烷基,m係爲〇、1或2 ) 本發明所使用的最佳化合物爲雙(2 -羥基-3 -甲基丙烯醯 氧基丙基)異丙胺。 調製具有乙烯性不飽和鍵之胺化合物時,可使具有乙烯 性不飽和鍵之丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、丙 522435 五、發明說明(7) 烯酸氯化物、甲基丙烯酸氯化物、丙烯酸酐、甲基丙烯酸 酐等與胺化合物反應。亦可使數個含乙烯性不飽和基之化 合物混合。具有乙嫌性不飽和鍵之胺化合物例如有下述之 化合物,惟不受此等所限制。而且,此等之化合物亦可混 合使用。 於本發明中視其所需亦可使用除上述胺化合物外之具有 乙烯性不飽和鍵之反應性單體。該反應性單體例如有具1 個以上可光聚合之丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或丙烯基 之單體等。此等之具體例如醇類(例如乙醇、丙醇、己醇 、辛醇、環己醇、丙三醇、三羥甲基丙烷、季戊四醇等) 之丙烯酸或甲基丙烯酸酯、羧酸(例如醋酸、丙酸、苯甲 酸、丙烯酸、曱基丙烯酸、琥珀酸、馬來酸、酞酸、酒石 酸、檸檬酸等)與丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯 、烯丙基環氧丙基、或四環氧丙基二間苯二甲酚二胺之反 應生成物、醯胺衍生物(例如丙烯醯胺、‘甲基丙烯醯胺、 N-羥甲基丙烯醯胺、伸甲基雙丙烯醯胺等)、環氧化合物 與丙烯酸或甲基丙烯酸之反應物等。而且,多官能單體中 不飽和基亦可以丙烯基、甲基丙烯基、乙烯基及烯丙基混 合存在。此等可單獨使用、或組合使用。 而且,作爲反應性寡聚物之胺甲酸酯化合物以具有乙烯 性不飽和基較佳。藉由胺甲酸酯化合物之乙烯性不飽和基 與反應性單體、反應性聚合物等之乙烯性不飽和基反應含 於交聯物中,另可抑制聚合收縮。 522435 五、發明說明(8 ) 本發明之膠漿亦可含有具羧基之共聚合聚合物。 具有羧基之共聚物例如有選擇丙烯酸、甲基丙烯酸、衣 康酸、檸康酸、馬來酸、富馬酸、醋酸乙烯酯或此等之酸 酐等含羧基之單體及甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯、苯乙烯、 丙烯腈、醋酸乙烯酯、2 -羥基丙烯酸酯等單體,使用如偶 氮雙異丁腈之起始劑予以共聚合而得。 具羧基之共聚物由於燒成時熱分解溫度低,以丙烯酸酯 或甲基丙烯酸酯及丙烯酸或甲基丙烯酸共聚合成分較佳。 換言之,以使用苯乙烯/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚 物較佳。 具羧基之共聚物的酸價以50〜150KOH/g較佳。藉由酸 價爲50mgKOH/g以下,可擴大顯像容許寬度。而且,藉由 酸價爲50mgKOH/g以上時不會降低對曝光部之顯像液而言 的解性。因此,不需使顯像液濃度變濃、可防止曝光部剝 離,可得局精細圖像。 另外,具羧基之共聚物以在側鏈上具有乙烯性不飽和基 較佳。乙烯性不飽和基例如有丙烯基、甲基丙烯基、乙烯 基、烯丙基等。 使該側鏈加成於共聚物的方法,對共聚物中之硫醇基、 胺基、羥基或羧基而言使具環氧丙基或異氰酸基之乙烯性 不飽和化合物或丙烯酸氯化物、甲基丙烯酸氯化物或氯化 烯丙基加成反應予以製作的方法。 具有環氧丙基之乙烯性不飽和化合物例如有丙烯酸環氧 -10- 522435 五、發明說明(9) 丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、烯丙基環氧丙醚、乙基丙烯 酸環氧丙酯、巴豆基環氧丙醚、檸檬酸環氧丙醚、異檸康 酸環氧丙醚等。具有異氰酸酯基之乙烯性不飽和化合物有 異氰酸丙烯醯酯、異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸丙烯醯基 乙酯、異氰酸甲基丙烯醯氧乙酯。而且,具有環氧丙基或 異氰酸酯基之乙烯性不飽和化合物或丙烯酸氯化物、甲基 丙烯酸氯化物或丙烯酸氯化物對聚合物中之硫醇基、胺基 、羥基或羧基而言以0.05〜1莫耳等量加成較佳。 爲得適當的曝光量時,具有羧基之共聚物的添加量以除 去溶劑之有機成分中之10〜90重量%較佳。 黏合劑成分視其所需作爲聚合物時,可使用聚乙烯醇、 聚乙烯丁醇、甲基丙烯酸酯聚合物、丙烯酸酯聚合物、丙 烯酸酯-甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸丁酯樹脂等。 本發明所使用的光聚合起始劑可使用選自產生游離基種 者。光聚合起始劑例如有二乙氧基乙醯苯酮、2 -羥基-2 -甲基-1-苯基丙烷-1-酮、苯甲基二甲縮醛、1-(4 -異丙基 苯基)-2 -羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2 -羥基乙氧基)苯基 -(2 -羥基-2-丙基)酮、1-羥基環己基-苯酮、1-苯基-1,2-丙二酮- 2- (鄰-乙氧基羰基)肟、2 -甲基-[4-(甲基硫)苯基 卜2 -嗎啉基丙烷-1 -酮、2 -苯甲基-2 -二甲基胺基-1 - ( 4 -嗎 啉基苯基)-丁酮-1、苯因、苯因甲醚、苯因乙醚、苯因異 丙醚、苯因異丁醚、二苯甲酮、鄰-苯因苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4,4 -二氯二苯甲酮、羥基二苯甲酮、4 -苯
-11- 522435 五、發明說明(1〇) 因- 4’-甲基-二苯基硫醚、烷基化二苯甲酮、3,3’,4, 4’-四 (第3 -丁基過氧化羰基)二苯甲酮、4 -苯甲醯基- N,N -二甲 基- -羰基-2-丙醯氧基)乙基]苯甲胺、(4 -苯因苯 甲基)三甲銨氯化物、2-羥基- 3-(4-苯因苯氧基)-N,N,N-三甲基-l-丙烷鋁氯化物一水鹽、2-異丙基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2-經基- 3- (3,4 - 一^甲基-9-鑛基- 9H-瞳囉-2-釀氧基)-N,N,N-二甲基-1-苯異丙胺氯化物、2,4,6 -三甲基苯因苯基膦氧 化物、2,2’-雙(鄰-氯化苯基)_4,5,4’,5’ -四苯基-1,2-雙 咪D坐啉、10 -丁基-2-氯化吖D定酮、2 -乙基蒽醒、苯甲基、 9, 10 -菲醌、樟腦醌、甲基苯基乙醛酯、π5 -環戊烯基-7/ 6 -枯烯基-鐵(1 + )-六氟磷化物(1 -)、二苯基硫醚衍生物、 雙(7? 5-2,4-環戊二烯-l_基)_雙(2,6-二氟-3-(lH-吡咯-l-基)-苯基)鈦、4,4-雙(二甲基胺基)二苯甲酮、4,4-雙( 二乙基胺基)二苯甲酮、噻噸酮、2 -甲基噻噸酮、2-氯化 噻噸酮4 -苯醯基-4-甲基苯酮、二苯甲酮、莽、2,3 -二乙 氧基乙醯苯酮、2 ,2-二甲氧基-2-苯基-2-苯基乙醯苯酮、 2 -羥基-2-甲基丙基苯酮、對-第3 -丁基二氯化乙醯苯酮' 苯甲基甲氧基乙縮醛、蒽醌、2 -第3 -丁基蒽醌、2 -胺基蒽 醌、卢-氯蒽醌、蒽酮、苯并蒽酮、二苯并環庚酮、伸甲 基蒽酮、4-疊氮苯基乙醯苯酮、2,6-雙(對-疊氮次苯基) 環己烷、2,6 -雙(對-疊氮次苯基)_4_甲基環己酮、2 -苯基 -1,2 -丁二酮- 2- (鄰-甲氧基羰基)肟、ι,3 -二苯基丙烷三 -12- 522435 五、發明說明(11) 酮- 2- (鄰-乙氧基羰基)肟、萘磺醯基氯化物、喹啉基磺醯 基氯化物、N -苯基硫化吖啶酮、4,4 -偶氮雙異丁腈、苯并 噻唑二硫化物、三苯基膦、四溴化碳、三溴化苯基碾、過 氧化苯醯及曙紅、甲基藍等之光還原性色素與抗壞血酸、 三乙醇胺等之還原劑組合等。 本發明可使用此等之1種或2種以上。光聚合起始劑對 有機成分而言以添加0.05〜10重量%較佳、更佳者爲〇.1 〜10重量%。藉由光聚合起始劑之添加量在該範圍內,可 保持曝光部之殘存率及良好的光感度。 光聚合起始劑與增感劑同時使用時,可提高感度、擴大 對反應之有效波長範圍。增感劑之具體例如2,4 -二甲基硫 化咕噸酮、2,4 -二乙基硫化噻噸酮、2 -異丙基硫化噻噸酮 、2,3 -雙(4-二乙基胺基苯并)環己酮、2, 6 -雙(4 -二甲基 胺基苯并)-4 -甲基環己酮、米希勒酮、4,4-雙(二乙基胺 基)二苯甲酮、4,4 -雙(二甲基胺基)苯丙烯醯苯、4,4 -雙( 二乙基胺基)苯丙烯醯苯、對-二甲基胺基肉桂叉茚滿酮、 對-二甲基胺基苄叉茚滿酮、2-(對-二甲基胺基苯基亞乙 烯基)異萘噻唑、1,3 -雙(4 -二甲基胺基苯基亞乙烯基)異 萘噻唑、1,3 -雙(4 -二甲基胺基苯亞甲基)丙酮、1,3 -羰基 雙(4 -二乙基胺基苯亞甲基)丙酮、3,3 -羰基雙(7-二乙基 胺基香豆素)、三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三異丙醇胺、 N -苯基-N-乙基乙醇胺、N -苯基乙醇胺、N -甲苯基二乙醇 胺、4 -二甲基胺基苯甲酸甲酯、4 -二甲基胺基苯甲酸乙酯 -13- 五、發明說明(12) 、二甲基胺基苯甲酸異戊酯、二乙基胺基苯甲酸異戊酯、 苯甲酸(2 -二甲基胺基)乙酯、4 -二甲基胺基苯甲酸(正-丁 氧基)乙基、4 -二甲基胺基苯甲酸-2-乙基己酯、3 -苯基_ 5 -苯醯基硫化四唑、1-苯基-5-乙氧基碳基硫化四唑等。 本發明中可使用此等之1種或2種以上。而且,於增感 劑中亦可使用作爲光聚合起始劑。於本發明之膠漿中添加 增感劑時,其添加量對有機成分而言以0.05〜1 0重量%較 佳、更佳者爲0 . 1〜1 0重量%。藉由使增感劑之添加量在 該範圍內,可保持曝光部之殘存率且可得良好的光感度。 本發明以添加抗氧化劑。抗氧化劑爲具有游離基連鏈禁 止作用、三重消去作用、過氧化氫之分解作用者。 膠漿例如於使用於製造電漿顯示器構件的隔壁時,含有 很多的玻璃微粒子。因此,不易避免因曝光光源而產生膠 漿內部之光散射情形、容易產生隔壁圖像形狀變粗或圖像 間之凹陷(及殘膜情形)。隔壁圖像之壁以垂直切入、矩形 較佳。理想者經曝光的膠漿塗覆膜在一定的曝光量以下中 可溶解於顯像液、在該曝光量以上時則不溶於顯像液中。 總之,塗覆膜以藉由光散射即使以低曝光量曝光時可溶解 於顯像液中,即使曝光量愈多時仍不會引起圖像形狀變粗 或圖像間產生凹陷情形’由於可顯像之範圍變大故較佳。 在膠漿中添加抗氧化劑時’抗氧化劑可藉由捕捉游離基 、經激勵的光聚合起始劑或增感劑之能量狀態回復至基底 狀態,可藉由散射光抑制多餘的光反應、無法因抗氧化劑 -14- 522435 五、發明說明(13) 抑制而引起因曝光量之激烈光反應,可提高對顯像液之溶 解、不溶解的對比情形。 抗氧化劑之具體例如對苯醌、萘醌、二甲對苯醌、對甲 苯醌、2,6 -二氯醌、2,5 -二乙醯氧-對-苯醌、2,5 -二己氧 基-對-苯醌、氫醌、對-第3-丁基兒茶酚、2,5 -二丁基氫 醌、單-第3-丁基氫醌、2 ,5 -二-第3 -丁基戊基氫醌、二-第3 -丁基-對-甲酚、氫醌單甲醚、α-萘酚、肼鹽酸鹽、 三甲基苯甲基銨氯化物、三甲基苯甲銨草酸酯、苯基-冷― 萘胺、對苯甲基苯酚、二萘基對伸苯基二胺、二硝基 苯、三硝基苯、苦味酸、醌二肟、環己酮肟、焦培酚、單 寧酸、三乙胺鹽酸鹽、二甲基苯胺鹽酸鹽、苯偶姻肟、 (2,2’-硫化雙(4-第3-辛基苯酸酯)-2-乙基己胺鎳-(I I )、 4.4’-硫化雙(3_甲基-6-第3-丁基苯酚)、2,2’-伸甲基雙 (4 -甲基-6-第3-丁基苯酚)、2,2、硫化雙(4 -甲基-6-第 3 -丁基苯酚)、三乙二醇雙[3-(第3 -丁基-5-甲基-4-羥基 苯基)丙酸酯]、1,6 -己二醇-雙[(3,5 -二-第3 -丁基-4-羥 基苯基)丙酸酯])、1,2, 3 -三羥基苯等,惟不受此等所限 制。本發明可使用此等之一種以上者。 抗氧化劑之添加量在膠漿中以0 · 1〜3 0重量%較佳、更 佳者爲0.5〜20重量%。藉由使抗氧化劑之添加量在該範 圍內,可維持膠漿之光感度、且保持聚合度維持圖像形狀 ’提高對顯像液之溶解與不溶解對比情形。 而且,在膠漿中添加紫外線吸收劑時,可藉由吸收曝光 522435 五、發明說明(14) 光源吸收膠漿內部之散射光且使散射光變弱。紫外線吸收 劑例如有二苯甲酮系化合物、丙烯酸氰酯系化合物、水楊 酸系化合物、苯并三唑系化合物、吲哚系化合物、無機系 微粒子氧化金屬等。於此等之中以二苯甲酮系化合物、丙 烯酸氰酯系化合物、苯并三唑系化合物或吲哚系化合物尤 爲有效。此等之具體例如2,4 -二羥基二苯甲酮、2 -羥基-4 -甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、 2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2,2、二羥基-4,4’-二甲氧基-5-磺基二苯甲酮、2-羥基-4 -甲氧基- 2’-羧 基二苯甲酮、2 -羥基-4-甲氧基-5-磺基二苯甲酮三水合物 、2 -羥基-4-正-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十八烷氧基 二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、4-十二烷氧基- 2-羥基二苯甲酮、2 -羥基- 4- (2 -羥基-3-甲基丙醯氧基)丙氧 基二苯甲酮、2-(2’-羥基- 5’-甲基苯基)苯并三唑、2-(2’-羥基-3、第3 -丁基- 5’-甲基苯基)-5 -氯化苯并三唑、2-(2,-羥基- 3’,5、二-第3-丁基苯基)-5-氯化苯并三唑、2-(2,-羥基-4,-正-辛氧基苯基)苯并三唑、2-乙基己基-2-氰 基-3 ,3 -二苯基丙烯酸酯、2 -乙基-2-氰基-3,3 -二苯基丙 烯酸酯、吲哚系吸收劑之”BONASORB” UA- 390 1 (歐里恩頓( 譯音)化學公司製)、”B0NAS0RB” UA- 3902(歐里恩頓(譯音) 化學公司製)、SOM-2-0008(歐里恩頓化學公司製)等,惟 不受此等所限制。另外,亦可使用在此等紫外線吸收劑之 架構中導入甲基丙烯酸基等之反應型。本發明可使用此等 -16- 522435 五、發明說明(15) 之一種以上者。 紫外線吸收劑之添加量在膠漿中以0 . 00 1〜1 〇重量%較 佳、更佳者爲0 . 005〜5重量%。藉由在該範圍內,可使透 明臨界波長及波爲傾斜寬度在所企求的範圍內、可保持曝 光光源之透過率及膠漿之感度,並可得散射光之吸收效果 Ο 0 此外,本發明以曝光及顯像爲目的時可在膠漿中添加有 機系染料。藉由添加染料予以著色時,適認性佳、顯像時 殘存以膠漿之部分與經除去之部分可容易區別。有機染料 沒有特別的限制,以燒成後在絕緣膜中不殘留者較佳。具 體例如蒽醌系染料、靛系染料、酞菁系染料、碳鐵系染料 、醌亞胺系染料、次甲基系染料、喹啉系染料、硝基系染 料、亞硝基系染料、苯醌系染料、萘醌系染料、酞醯亞胺 染料等。特別是選擇吸收h線與i線附近之波長光者(如 基礎藍等之碳鏺系染料)時,較容易得到本發明之效果故 較佳。有機染料之添加量以〇 . 〇 〇 1〜1重量%較佳。 將膠漿塗覆於基板時之黏度視塗覆方法予以調整時,可 使用有機溶劑。此時所使用的有機溶劑可使用甲基溶纖劑 、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、甲基乙酮、二噁烷、丙酮、 環己酮、環戊酮、異丁醇、異丙醇、四氫呋喃、二甲基亞 楓、r - 丁內酯、溴化苯、氯化苯、二溴化苯、二氯化苯 、溴化苯甲酸、氯化苯甲酸等、或含有丨種以上此等之有 機溶劑混合物。 -17- 522435 五、發明說明(16 ) 本發明之膠漿以在膠漿中無機微粒子之含量爲4〇〜8〇 重量%較佳。若有機成分過多時,必須以燒成步驟除去的 物質量多,故燒成時間變長、不易予以完全無機化。而且 ’爲形成以燒成收縮率變大爲目的尺寸之隔壁時,必須使 塗覆膜變厚等就圖像形成性而言不佳。就保持隔壁形狀而 言亦不佳。若有機成分過少時,不僅膠漿中無機粒子之混 合•分散不充分,且由於膠漿中黏度上升、膠獎之塗覆性 降低等問題產生,且膠漿之安定性容易受到不良的影響故 不爲企求。而且,爲較低有機成分與無機微粒子之分散性 時,於燒成時容易產生缺陷。 無機微粒子以由60〜97重量%低熔點玻璃粉末與3〜40 重量%平均粒徑1〜4 // m之塡充物所成較佳。塡充物爲控 制燒成收縮率或保持所形成的隔壁之強度時,與低熔點玻 璃同時使用。若小於3重量%時無法發揮其添加效果,而 若大於40重量%時會產生隔壁之強度減小問題,故不爲企 求。 無機微粒子可另含有30重量%以下平均粒徑爲0.003〜 0.02// m之氧化物微粒子。 而且,低熔點玻璃粉末及塡充物之折射率以1.45〜1.65 較佳。膠漿爲在溶解有有機成分之有機溶劑系中分散有無 機微粒子者,在其塗覆膜之有機成分層中存在有相當高濃 度的無機微粒子。在該塗覆膜中以微影術進行圖像形成時 ,以類似膠漿中各成分之折射率較佳。由於所使用的有機 -18- 522435 五、發明說明(17) 成分之平均折射率通常爲1.4〜1.7,無機微粒子之折射率 以選擇折射率在該範圍附近者較佳。由各種氧化物所成的 剝離成分就考慮其配合性而言可控制特性,於本發明中可 使用熱特性、折射率等經控制的低熔點玻璃粉末。低熔點 玻璃粉末之折射率爲1 . 45〜1 . 65,玻璃轉移點爲400〜 550°C,荷重軟化點爲450〜600°C較佳。藉由使荷重軟化 點爲450°C以上,在構件形成及顯示器形成之後步驟中不 會使隔壁變形,藉由使荷重軟化點爲600°C以下,於燒成 時可得熔融且強度高的隔壁。 膠漿所使用的低熔點玻璃粉末爲使於膠漿形成時之塡充 性及分散性佳,膠漿可以均一厚度塗覆以保持圖像形成性 良好時,以平均粒徑爲1〜4 // m、最大粒徑爲3 5 // m以下 較佳。具有該粒度分布之玻璃粉末就對膠漿之塡充性及分 散性而言優異,爲低熔點玻璃粉末時在燒成步驟中幾乎完 全熔融、一體化,故可容許相當大粒徑的粉末。若在該範 圍內時,可滿足塡充性及分散性、可構成塗覆性及圖像形 成性優異的膠漿。 本發明之塡充物以使用至少一種選自於折射率經調整的 高熔點玻璃及塗覆反油酸較佳。高熔點玻璃粉末以具有玻 璃轉移點500〜1200 °C、荷重軟化點爲550〜1200 °C者較 佳。 本發明之膠漿藉由使用金屬微粒子作爲無機微粒子,可 使用作爲導電性膠漿。藉由使用該導電性膠漿,可得高精 -19- 522435 五、發明說明(18) 細且缺陷少的電路圖像。該導電性膠漿例如可使用於形成 電漿顯示器之電極。 金屬微粒子以Au、Ni、Ag、Pd、Pt等貴金屬導電性微 粒子較佳。可各種單獨或混合粉末使用。此等中添加有C r 或Rh者就提高高溫特性而言較佳。 使用感光性膠漿時,此等金屬微粒子之平均粒徑以0 . 5 〜5 // ιώ較佳。若平均粒徑小於0 . 5 /z m時,於紫外線曝光 時光線無法順利透過塗設後之膜中、且不易形成良導體之 線寬爲60 μ m以下之微細圖像。另外,若平均粒徑大於5 // m時,塗設後電路圖像之表面凹凸變粗、圖像經度降低 、且噴嘴會產生問題。金屬微粒子以使用比表面積爲0 . 1 〜3 m2 / g者較佳。若比表面積小於0 . 1 m2 / g時,電路圖像 之精度會降低。而且,若大於3m2/g時,粉末之表面積過 大、紫外線散射、圖像精度降低。 金屬微粒子之形狀可使用片狀(板、圓錐、棒)或球狀者 。爲抑制凝聚、曝光時紫外線散射情形少時,以球狀較佳 〇 使本發明之膠漿在l〇°C/分之升溫條件下昇至500°C及 1 000 °C,藉由熱重量測定裝置測定的重量以下式表示較佳 〇 (500°C 之重量)/(1000°C 之重量1.05 500°C及1000°C之重量比小時係表示有機成分之脫黏合 性佳者。若上述比爲K05以下時,隔壁中殘留有機成分 -20- 522435 五、發明說明(19 ) 減少、且可提高顯示器之信賴性。藉由在膠漿中添加胺甲 酸酯化合物,可使該重量比減小。特別是使胺甲酸酯化合 物中環氧乙烷單元之含量在上述範圍內時,可使重量比較 小故爲所企求。而且,膠漿含有含乙烯性不飽和基之化合 物時,可藉由控制乙烯性不飽和鍵濃度,以控制上述重量 比° 將本發明之膠漿塗覆於矽晶圓上形成3〜1 0 // m之薄膜 ,且在1小時內自30°C升溫至5 00°C時,藉由該薄膜之收 縮可使使用下式自矽晶圓差量算出的平均膜應力之最大値 爲0 · 1〜20MPa較佳,更佳者爲〇 . 1〜1 OMPa。 平均膜應力 σ (Pa)=Eh2/(l-u )6Rt (E / ( 1- u )係爲基板之二軸彈性係數,爲上述矽晶圓時 爲l.SOSxiCTHpa,!!係爲基板之厚度(m),R係爲基板之 曲率半徑(111),t係爲薄膜之厚度(111)) 使上述平均膜應力之最大値爲0.1〜20MPa時,可抑制 燒成時之收縮、可減少剝離或斷線等之燒成缺陷,且藉由 0.1〜lOMPa可減少燒成缺陷。藉由在膠漿中添加胺甲酸酯 化合物,可抑制平均膜應力。而且,膠漿含有含乙烯性不 飽和基之化合物時,藉由控制乙烯性不飽和劑濃度以控制 平均膜應力。 膠漿通常使黏合劑聚合物、分散劑、可塑劑、增黏劑、 有機溶劑、抗沉澱劑、抗氧化劑、反應性單體、反應性寡 聚物、反應性聚合物、光聚合起始劑、光酸發生劑、光鹼 -21 - 522435 五、發明說明(2〇) 發生劑、增感劑、增感助劑、紫外線吸收劑、有機染料、 酸、鹼及有機溶劑等調整於所定組成後,以3條滾筒或混 練機均質混合、分散製作。 膠漿之黏度可藉由無機微粒子、增感劑、有機溶劑、可 塑劑及抗沉澱劑等之添加比例適當地調整,其範圍以2000 〜2 0萬c p s ( c m ·泊)較佳。例如使對基板之塗覆進行篩網 印刷法時,以2000〜5000cps之黏度較佳。對基板之塗覆 進行篩網印刷法製得1次塗覆之膜厚1 0〜20 // m時,以5 萬〜20萬cps之黏度較佳。使用刮刀塗覆法或塑膜塗覆法 等時,以1萬〜5萬c p s之黏度較佳。 藉由使如此所得的本發明膠漿塗覆於基板上、且使用各 種方法形成圖像、及燒成,可製得顯示器構件。本發明之 膠漿特別可適用於製造在基板上具有隔壁之電漿顯示器構 件。形成圖像之方法時,例如可使用篩網印刷法、砂鼓風 法、微影術等。微影術由於可高精細加工較佳。 藉由微影術說明使用上述膠漿進行製造顯示器構件例, 惟本發明不受此等所限制。 在基板上全面或部分塗覆膠漿以形成塗覆膜。塗覆方法 可使用篩網印刷法、棒塗覆法、輥塗覆法、塑膜塗覆法、 刮刀塗覆法等之方法。塗覆厚度可藉由選擇塗覆次數、篩 網之篩目及膠漿之黏度予以調整。 此處將膠漿塗覆於基板上,爲提高基板與塗覆膜之密接 性,進行基板之表面處理。表面處理液可使用矽烷偶合劑 -22- 522435 五、發明說明(21) 、例如乙烯基三氯矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三 乙氧基矽烷、參(2-甲氧基乙氧基)乙烯基矽烷、r -環氧 丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基丙醯氧基丙基)三甲 氧基矽烷、r - ( 2 -胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、r -氯化丙基三甲氧基矽烷、r -硫醇基丙基三甲氧基矽烷、 r -胺基丙基三乙氧基矽烷等、或有機金屬例如可使用有 機鈦、有機鋁、有機锆等。使矽烷偶合劑或有機金屬使用 有機溶劑、例如乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、甲醇、乙 醇、丙醇、丁醇等稀釋成〇 . 1〜5%之濃度者。然後,使該 表面處理以旋轉器等均勻地塗覆於基板後,藉由在8 0〜 140 °C下乾燥10〜60分鐘予以表面處理。 於塗覆後使用曝光裝置進行曝光。曝光裝置可使用布羅 奇西米提(譯苜)曝光機等。而且,進行大面積曝光時,於 基板上塗覆膠漿後藉由搬送且進行曝光,可以小曝光面積 之曝光機使大面積曝光。 於曝光後,利用塗覆膜之曝光部與未曝光部分對顯像液 之溶解度差進行顯像。顯像係以浸漬法或噴霧法、刷式法 進行。顯像液可使用可溶解膠漿中之有機成分的有機溶劑 。而且,可在不會使該有機溶劑失去溶解力的範圍內添加 水分。顯像液係以水爲主成分較佳。膠漿中存在有具羧基 等之酸性機的化合物時,可以鹼顯像液顯像。鹼水溶液可 使用氫氧化鈉或碳酸鈉、氫氧化鉀水溶液等,惟使用有機 鹼水溶液者以於燒成時溶液除去鹼成分較佳。 -23- 522435 五、發明說明(22 ) 有機鹼可使用一般的胺化合物。具體例如四甲銨氫氧化 物、三甲基苯甲銨氫氧化物、單乙醇胺、二乙醇胺等。 鹼水溶液之濃度通常爲0.05〜5重量%、更佳者爲ο ι〜 1重量%。鹼濃度過低時無法除去可溶部分,而鹼濃度過高 時圖像部分會產生剝離、且非可溶部分會產生腐蝕情形, 故不爲企求。此外,顯像時之顯像溫度就步驟管理而言以 在20〜50°C下進行較佳。 然後’在燒成爐中進行燒成。燒成氣氛或溫度視膠漿或 基板之種類而不同’在空氣中、氮氣、氫氣等之氣氛中燒 成。燒成爐可使用浴槽式燒成爐或帶狀式燒成爐。 燒成通常在400〜1 000°C下進行。在玻璃基板上進行圖 像加工時,以在480〜6 10°C之溫度下保持1〇〜60分鐘進 行燒成較佳。 藉由上述步驟’可得在基板上形成實質上由無機物所成 圖像之顯示器構件。 於下述中藉由實施例具體地說明本發明。惟本發明不受 此等所限制。而且,濃度(% )特別限定爲重量%。 (實施例1〜1 0、比較例1〜2 ) 在50°C下加熱溶解表1所示之胺甲酸酯、3重量%聚合 物溶液與分散劑、3重量%水平劑、4重量%二丙二醇單甲 醚,以調製有機溶液。將其塗覆於玻璃基板上,在1 00 °C 下乾燥9 0分鐘所得的厚度3 0 // πι塗覆膜之膠漿使用史卡( 譯音)試驗機(股)直接讀取霧濁電腦HGM - 2DP予以測定。 -24- 522435 五、發明說明(23) 測定値如表2所示。 在上述之有機溶液中添加表1之無機微粒子,使用混練 機混練且作成膠漿。 使上述膠漿使用島津製作所(股)製之熱重量測定裝置 ”TGA-5 0”、在空氣中測定以i〇°c /分之升溫速度昇至5〇〇 它及1 000°C時之重量。( 500°C之重量)/(l〇〇〇°c之重量)之 値如表2所示。 然後,將上述膠漿塗覆於信越半導體(股)製之直徑1〇〇 土 0.5mm、G度525 土 25//Π1之石夕晶圓上’以形成厚度3〜 l〇/im之塗覆膜。使用FLEXUS公司製薄膜伸縮測定裝置 ”F2300S”,測定在1小時內自300°C升溫至500°C時之伸 縮。所測定的伸縮最大値如表2所示。 另外,將上述膠漿塗覆於玻璃基板上,形成厚度50// m 之塗覆膜,在560°C下燒成15分鐘。於燒成後,使用(股) 曰立製作所製之自計分光光度計”U-32 10”測定實質上僅由 無機物所成膜之反射率。測定値如表2所示。 在對角42吋大小之玻璃基板上形成條帶狀位址銀電極( 線寬100// m、厚度3// m、間距5 00 // m),於其上形成厚度 1 5 // m之誘電體層後,使用上述膠漿以進行下層之篩網印 刷。使以形成電漿顯示器用格子狀隔壁圖像爲目的之篩網 印刷版(橫隔壁:線寬500 // m、圖像間距1 000 // m、縱隔 壁:線寬60// m、圖像間距500 // m)、在橫隔壁與位址電 極直交下予以配置、固定,直至下層之乾燥厚度爲90//m -25- 522435 五、發明說明(24 ) 時進行位址組合且重複印刷5〜6次印刷及乾燥。 另外,使用上述膠漿、在下層之格子狀隔壁圖像上進行 上層之條帶狀圖像之篩網印刷。篩網印刷版(縱隔壁:線 寬60 // m、圖像間距500 // m)、與位址電極平行下固定、 直至上層之乾燥厚度爲90//m後,進行位址組合及重複5 〜6次印刷及乾燥。 使所作成的格子狀隔壁圖像另藉由在56(TC下燒成15分 鐘,可得間距500//m、線寬60//m、局度130/zm之條帶 狀隔壁,及與其直交的間距1 000 // m、線寬500 // m、高度 6 0 // m之補助隔壁所成的具格子狀隔壁之顯示器構件。於 燒成後,觀察剝離或斷線等之缺陷情形,結果如表2所示 〇 其次,在鄰接上述顯示器構件之隔壁間塗覆螢光物。螢 光物之塗覆藉由使形成口徑30 // m之孔穴、自噴嘴前端吐 出螢光物膠漿之顯示感應法進行。使螢光物塗覆在隔壁側 面燒成後爲25//m、在誘電物層上燒成後厚度爲25//m, 在500°C下進行燒成10分鐘,作成電漿顯示器(以下稱爲 PDP)用背面基板。將另外製作的前面基板使用密接玻璃密 接於該背面基板上,以含50%氙氣之霓虹氣體使內部氣壓 爲66500Pa予以密封。此外,實裝驅動電路,以製作PDP 〇 有關所作成的PDP之信賴性,在沒有點燈下放置2個月 後,在70 °C下進行加速試驗48小時,測定運作電壓之電 -26- 522435 五、發明說明(25 ) 壓上升。結果如表2所示。該加速試驗後電壓上升爲1 V 以下時爲安定、2〜3 V時爲少許增加、4V以上時爲增加。 -27- 522435 五、發明說明(26) 表1 胺甲酸酯 聚合物溶 液 低熔點 玻璃 塡充物 氧化物 微粒子 種類 添加量 重量平均 EO含量 種類 添加量 添加量 添加量 添加量 (%) 分子量 (%) (%) (%) (%) 實施例1 I 10 18000 30% I 20 60 一 一 實施例2 Π 10 19000 10% Π 20 40 20 一 實施例3 m 10 42000 0% I 20 60 一 一 實施例4 IV 10 27000 7% Π 20 40 17 3 實施例5 V 10 24000 80% I 20 60 一 一 實施例6 VI 10 1200 50% Π 20 60 一 一 實施例7 I 0.05 18000 30% I 20 60 — 一 實施例8 Π 25 19000 10% Π 20 50 5 5 實施例9 瓜 10 18000 30% I 50 30 一 一 實施例10 _ _ _ — I 45 40 5 一 比較例1 — _ _ _ I 30 60 一 一 比較例2 — 一 — 一 Π 30 30 10 ——— -28- 522435 五、發明說明(27) 表2 有機成分 塗覆膜之 霧濁値(%) 重量比 (500°C/ 1000°〇 最大應力 (MPa) 反射率(%) 缺陷(個) 運作電壓 實施例1 0.2 1.01 6 20 〇 安定 實施例2 0.3 1.00 5 43 0 安定 實施例3 70.0 1.00 4 20 4 安定 實施例4 15.0 1.01 3 61 0 安定 實施例5 0.1 1.03 13 20 4 增加少許 實施例6 0.0 1.01 15 20 5 安定 實施例7 0.1 1.03 17 20 5 增加少許 實施例8 0.1 1.00 4 79 3 安定 實施例9 0.2 1.04 11 20 4 增加少許 實施例10 0.0 1.04 16 38 5 增加少許 比較例1 0.0 1.08 24 20 >50 增加 比較例2 0.0 1.10 25 48 >50 增加 (實施例1 1〜2 1、比較例3〜4 ) 在50°C下加熱溶解表3所示之胺甲酸酯、胺化合物、單 體及聚合物溶液與5重量%光聚合起始劑、0 · 0 1重量%有機 染料、5重量% r - 丁內酯,以調製有機溶液。在該有機溶 液中添加表3所示之無機微粒子,使用混練機以作成膠漿 -29- 522435 五、發明說明(28) 使有機成分塗覆膜之膠漿、50(TC及1 000°C時之膠漿重 量、膠漿塗覆膜之位址、膠漿塗覆膜於燒成後反射率之測 定與實施例1相同地進行。測定値如表4表示。 在對角42吋大小之玻璃基板上形成條帶狀位址銀電極( 線寬5 0 // m、厚度3 // m、間距2 5 0 // m ),於其上形成厚度 15// m之誘電體層後,使上述膠漿之乾燥厚度爲90 □〇!予 以塗覆•乾燥。 其次,使以形成電漿顯示器用格子狀隔壁圖像爲目的之 光罩(條帶狀圖像、線寬6 0 0 // m、圖像間距1 0 0 0 // m )、在 與位址電極直交下予以配置、固定、曝光。此時,爲防止 該光罩不受污染時,在光罩與塗膜面間設置100//m之蓋 子。顯像時在隔壁圖像不會產生剝離的曝光量中以最小値 爲最低曝光量。 於曝光後,另塗覆上述膠漿、乾燥,形成乾燥厚度爲90 // m之塗覆膜。在該塗覆膜上使光罩(條帶狀圖像、線寬 30// m、圖像間距250 // m)與位址電極平行下予以配置固定 且曝光。於曝光後,在0 . 5%乙醇胺水溶液中顯像、再於 5 60°C下燒成15分鐘。可得間距250 μ m、線寬30// m、高 度1 30 # m之補助隔壁所成的具格子狀隔壁之顯示器構件 。於燒成後,觀察剝離或斷線等之缺陷情形,結果如表4 所示。 其次,在鄰接上述顯示器構件之隔壁間塗覆螢光物。螢 光物之塗覆藉由使形成口徑130//m之孔穴、自噴嘴前端 -30- 522435 五、發明說明(29) 吐出螢光物膠漿之顯示感應法進行。使螢光物塗覆在隔壁 側面燒成後爲2 5 # m、在誘電體層上燒成後厚度爲2 5 V m ,在500°C下進行燒成1〇分鐘’作成電漿顯示器(以下稱 爲PDP )用背面基板。將另外製作的前面塞板使用密接玻璃 密接於該背面基板上,以含50%氙氣之霓虹氣體使內部氣 壓爲66500Pa予以密封。此外,實裝驅動電路,以製作 PDP 〇 有關所作成的PDP之信賴性,在沒有點燈下放置2個月 後,在70°C下進行加速試驗48小時,測定運作電壓之電 壓上升。結果如表4所示。該加速試驗後電壓上升爲1 V 以下時爲安定、2〜3 V時爲少許增加、4 V以上時爲增加。 -31 - 522435 五、發明說明(30) 比較例4 比較例3 實施例21 實施例20 實施例19 實施例18 實施例17 實施例16 實S®例15 實施例14 實施例13 實施例12 實施例11 1 1 1 1 < a _ jgjj Ρφ 纈 胺甲酸酯 〇 ο ο ο -Ρ^ -P^ CO O o L/i -1^ 添加量 (%) 1 1 1 1 1-* t>〇 g 24000 27000 42000 i- 18000 19000 18000 19000 18000 重重平均 分子量 1 1 1 1 s 〇〇 s S OJ S § ο »~·k S 〇〇 DJ> if ο J~! « I~( W w HH w I—ί 1 ㈡ 1 >—* 種類 胺類化合物 〇 \—1 OJ OJ UJ o L>h 〇 〇\ LO 添加量 (%) 1~I 1 1~ί Η w 11 1~1 1 ㈡ 1—i 1 1—i 1S ίΤΠΙϋ 猶 im〇 1ffln Πίφΐ m ο -j oo OJ o i 4.95 On ο UJ 添加量 (%) < θ 曰 < a < 曰 Β 曰 種類 聚合物溶液 OJ OJ OJ i; on U〇 OJ 添加量 (%) g L>rt LA g ^r\ 添加量 (%) ' 低熔點 玻璃 - ο 〇 ◦ 〇 ο ο 添加量 (%) 塡充物 ο ο ο 〇 o 〇 o o 〇〇 ο ο ο 添加量 (%) 氧化物 微粒子 ο ο α\ ο ΟΝ \〇 O 〇〇 v〇 〇 On o ON On o -0 o 〇 〇〇 OJ ο OJ σ\ ο 〇〇 OJ ο 乙烯性不 和鍵濃度 (莫耳/kg) -32- 522435 五、發明說明(31) 表4 有機成分 塗覆膜之 霧濁値(%) 重量比 (500°C/1000°C) 最大應力 (MPa) 反射率 (%) 最低曝 光量 (mJ/cm2) 缺陷 (個) 運作電壓 實施例11 0.2 1.02 6 20 500 0 安定 實施例12 0.3 1.02 5 43 300 0 安定 實施例13 0.2 1.02 4 20 1100 〇 安定 實施例14 0.3 1.03 13 61 300 0 增加少許 實施例15 0.1 1.01 5 20 500 4 安定 實施例16 72.0 1.00 3 20 500 4 安定 實施例17 15.0 1.02 6 38 400 5 安定 實施例18 0.0 1.04 14 40 400 5 增加少許 實施例19 0.0 1.014 13 79 500 4 安定 實施例20 0.0 1.05 17 20 300 7 增加少許 實施例21 0.0 1.04 16 45 400 8 增加少許 比較例3 0.0 1.08 24 20 150 >50 增加 比較例4 0.0 1.10 25 53 1500 >50 增加 (實施例22〜24、比較例5) 在50°C下加熱溶解表5所示之胺甲酸酯、胺化合物、單 體及聚合物溶液與2重量%光聚合起始劑、〇 · 〇 1重量%有機 染料’以調製有機溶液。另外,添加70重量%銀微粒子( 平均k徑1 · 5 // m、比表面積1 . i〇m2/g)、3重量%硼矽酸鉍 玻璃微粒子、以作成膠漿。 -33- 五、發明說明(32) 使有機成分塗覆膜之膠漿、50(TC及1000°C時之膠漿重 量、膠漿塗覆膜之位址、膠漿塗覆膜於燒成後反射率之測 定與實施例1相同地進行。測定値如表4表示。 在對角42吋大小之玻璃基板上藉由篩網印刷塗覆所得 的銀微粒子,製得乾燥膜厚6 // m之塗覆膜。然後,經由 光罩(條帶狀圖像、圖像間距25〇em、線寬100// m)進行 曝光。然後,於曝光後,在0.5%乙醇胺水溶液中顯像、製 得條帶狀電極圖像。使電極圖像加工完成的玻璃基板在80 °C下燒成15分鐘後,再於580°C下燒成15分鐘以形成電 極。於燒成後之電極圖像中,觀察剝離或斷線等之缺陷情 形,結果如表6所示。 在製造電極之玻璃基板上另形成誘電體層,在誘電體層 上藉由實施例1 1之方法形成隔壁圖像。 其次,在鄰接上述顯示器構件之隔壁間塗覆螢光物。螢 光物之塗覆藉由使形成口徑1 3 0 // m之孔穴、自噴嘴前端 吐出螢光物膠漿之顯示感應法進行。使螢光物塗覆在隔壁 側面燒成後爲25vm、在誘電體層上燒成後厚度爲25//m ,在50(TC下進行燒成10分鐘,作成電漿顯示器(以下稱 爲PDP )用背面基板。將另外製作的前面基板使用密接玻璃 密接於該背面基板上,以含50%氙氣之霓虹氣體使內部氣 壓爲66 5OOPa予以密封。此外,實裝驅動電路,以製作 PDP ° -34- 522435 五、發明說明(33) 表5 胺甲酸酯 胺類化合物 單體 聚合物溶液 乙烯性 不飽和 鍵濃度 (莫耳 /kg) 種類 添加量 (%) 重量平 均分子 量 ΕΟ含 有率 種类貧 添加量 (%) 種類 添加量 (%) 種類 添加量 (%) 實施例22 νπ 4 18000 30% I 3 m 3 ΙΠ 15 0.36 實施例23 VII 5 19000 10% Π 2 — 3 IV 15 0.41 實施例24 νπ 7 18000 30% 0 π 3 瓜 15 0.18 比較例5 — 〇 一 一 Π 9 — 1 IV 15 1.05 表6 有機成分塗覆膜 重量达 最大應力 最低曝光量 缺陷 之霧濁値(%) (500°C/1000°C )」 (MPa) (MPa) (個) 實施例22 0.2 1.02 6 400 0 實施例23 0.3 1.02 7 450 0 實施例24 0.3 1.02 4 1100 0 比較例5 0.3 1.11 23 300 >10 聚合物溶液I :乙基纖維素(20重量%萜品醇溶液) 聚合物溶液I I :聚丙烯酸甲酯(50重量%甲苯溶液) 聚合物溶液I I I :苯乙烯/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸 共聚物(重量組成比30 / 30 / 40 )中對1〇〇重量份共聚物而言 -35- 522435 五、發明說明(34 ) 加成40重量份丙烯酸環氧丙酯之聚合物 聚合物溶液I V :甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物(重 量組成比60 / 40 )中對100重量份該共聚物而言加成40重 量份丙烯酸環氧丙酯之聚合物(樹脂酸價1 15mgKOH/g) 聚合物溶液V :甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物(重 量組成比82/18、樹脂酸價90mgKOH/g) 單體I :二季戊四醇六丙酸酯 單體 II : CH2 = C(CH3)CO-(〇CH(CH3)CH2)9-OC〇C(CH3)二 CH2 單體I I I :丙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 胺-I : N,N -二乙胺乙基甲基丙烯酸酯 胺-II :雙(2 -羥基-3-甲基丙烯醯氧基丙基)正丙胺 胺甲酸酯-I:於通式(I)中R]、R2係爲氫、R3係爲還氧 乙烷-環氧丙烷共聚物、R4係爲異佛爾酮二異氰酸酯殘基 ,環氧乙烷單元之含有率爲30%、全體之分子量爲18,000 〇 胺甲酸酯-II :於通式(I)中R1、R2係爲氫、R3係爲還氧 乙烷-環氧丙烷共聚物、R4係爲異佛爾酮二異氰酸酯,環 氧乙烷單元之含有率爲1〇%、全體之分子量爲19,000。 胺甲酸酯- III :於通式(I)中R1、R2係爲氫、R3係爲還 氧乙烷-環氧丙烷共聚物、R4係爲異佛爾酮二異氰酸酯, 環氧乙烷單元之含有率爲〇%、全體之分子量爲42,000。 胺甲酸酯-IV :於通式(I)中R1、R2係爲氫、R3係爲還氧 乙烷-環氧丙烷共聚物、R4係爲異佛爾酮二異氰酸酯殘基 -36- 522435 五、發明說明(35) ,環氧乙烷單元之含有率爲7%、全體之分子量爲27,〇〇〇 〇 胺甲酸酯-V :於通式(I )中Rl、R2係爲氫、R3係爲還氧 乙烷-環氧丙烷共聚物、R4係爲異佛爾酮二異氰酸酯殘基 ’環氧乙院單元之含有率爲8〇%、全體之分子量爲24,〇〇〇 〇 胺甲酸酯-VI :於通式(I)中R!、R2係爲氫、R3係爲還氧 乙院-環氧丙烷共聚物、R4係爲丨,4 _環伸己烷基二異氰酸 醋殘基,環氧乙烷單元之含有率爲5〇%、全體之分子量爲 1,200 ° 胺甲酸酯-V I I ··於通式(I )中R1、R2係爲甲基丙烯酸基 、R3係爲還氧乙烷-環氧丙烷共聚物、R4係爲異佛爾酮二 異氰酸酯殘基,環氧乙烷單元之含有率爲30%、全體之分 子量爲1 8,0 0 0。 胺甲酸酯-VIII :於通式(I)中R1、R2係爲丙烯酸基、R3 係爲還氧乙院-環氧丙烷共聚物、R4係爲1,4 -環伸己院基 二異氰酸酯殘基,環氧乙烷單元之含有率爲10%'全體之 分子量爲19, 00 0。 低溶點玻璃粉末:以氧化物換算組成,L 120 : 9%、S 1〇2 • 22%、Al2〇3 : 23%、BA : 33%、BaO : 4%、Zn〇:2%、Mg〇 :7%(玻璃轉移點4721、荷重軟化點51 5°C、折射率1.59 、平均粒徑2 . 5 5 // m ) 塡充物:以氧化物換算組成’ Si 02 : 3 8%、B2〇3 : 10%、 -37- 522435 五、發明說明(36 ) 、Mg〇:5%、 Ca〇2 : 4%( ϊ皮
Ba〇:5%、A 1 203 : 3 6%、ZnO : 2% 璃轉移點6 5 2 °C、荷重軟化點7 4 6 C、折射+丨· 5 9平均 粒徑2 · 4 μ m ) 氧化物微粒子:氧化物微粒子(平均粒徑0 . 0 0 5 # m ) 產業上之利用價値 藉由本發明之膠槳,可提供一種於燒成後圖像不會也缺 陷情形之顯示器構件。 -38-

Claims (1)

  1. 522435 ?ι年1 A修正 ^ 90 1 1 2079號「膠漿、顯示器構件及顯示器構件之製法」 ί利案 (91年12月16日修正) 又申請專利範圍: 1 . 一種膠漿,其包含胺甲酸酯化合物及無機微粒子,其 在膠獎中,胺甲酸酯化合物之含量爲〇 · 1〜2 0重量%, 而無機微粒子之含量爲40〜80重量%。
    2 .如申請專利範圍第1項之膠漿,其中胺甲酸酯化合物 含有具乙烯性不飽和基之胺甲酸酯化合物。 3 .如申請專利範圍第1項之膠漿,其中胺甲酸酯化合物 之分子量爲1 5000〜50000。 4 ·如申請專利範圍第1項之膠漿,其中胺甲酸酯化合物 含有環氧乙烷單元。 5 ·如申請專利範圍第1項之膠漿,其中胺甲酸酯化合物 以下述通式(1 )所示, R1 - ( R4 - R3 )n - R4 - r2 ( 1 )
    其中R1及R2係表示選自於含有乙烯性不飽和基之 取代基、氫、碳數1〜20之烷基、芳基、芳烷基及羥 基芳院基者’各可相同或不同;R3係表示環氧烷基或 環氧院基寡聚物;R4係表示含有胺甲酸酯鍵之有機基 ,η係表不1〜1〇之自然數。 6 ·如申請專利範圍第1項之膠漿,其中R3係爲含有環氧 乙院單兀與環氧丙烷單元之寡聚物,且該寡聚物中環 執乙丨兀早兀之含星爲8〜70重量%。 522435 六、申請專利範圍 7 .如申請專利範圍第1項之膠漿,其中另含有具乙_性 不飽和基之胺化合物。 8 .如申請專利範圍第7項之膠漿,其中胺化合物係以下 述通式(3 )或(4 )所示之化合物, R5R6R7N * (3) R5R6N - Μ - NR7R8 ( 4) 其中R5係表示含乙烯性不飽和基之取代基;R6、R7 、R8係表示選自於含乙烯性不飽和基之取代基、氫、 碳數1〜20之烷基、芳基、芳烷基及羥基烷基者,r6 、R7、R8可爲相同或不相同;Μ爲2價鍵結基。 9 ·如申請專利範圍第丨項之膠漿,其更含有具羧基之聚 合物。 1 0 .如申請專利範圍第9項之膠漿,其中具羧基之聚合 物係具有乙烯性不飽和基。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之膠漿,其中無機微粒子含 有荷重軟化點450〜60(TC之低熔點玻璃粉末。 1 2 ·如申請專利範圍第丨項之膠漿,其中無機微粒子含 有60〜97重量%低熔點玻璃粉末與3〜40重量%平均 粒徑1〜4μπι之塡充物。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之膠漿,其中無機微粒子更 含有30重量%以下平均粒徑0.00 3〜0.02 μπι之氧化物 微粒子。 1 4 .如申請專利範圍第1項之膠漿,其中升溫到500°C 522435 六、申請專利範圍 及1 00 0°c時之重量以下式表示, (500°C 之重量)/(100(TC 之重量)$ 1.05。 1 5 .如申請專利範圍第1項之膠漿,其中膠漿具感光性。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之膠漿,其中膠漿中乙烯性 不飽和鍵濃度對1 kg活性光照射前之膠漿而言爲〇 · 2 〜1 . 0莫耳。 1 7 .如申請專利範圍第1項之膠漿,其係用於顯示器。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之膠漿,其中顯示器爲電漿 顯示器。 1 9 . 一種膠漿,其特徵爲在矽晶圓上塗覆如申請專利範圍 第1項之膠漿形成薄膜,且藉由該薄膜之收縮自矽晶 圓之差量算出平均膜應力的最大値爲0.1〜20MPa。 20. —種膠漿,其包含無機微粒子與有機成分,其特徵 爲升溫至500°C及100(TC時之重量以下式表示, ( 5 00°C 之重量)/( 1 000°C 之重量1 ·〇5。 21. —種膠漿,其包含無機微粒子與有機成分,其特徵 爲將該膠漿塗覆於矽晶圓上形成薄膜,且升溫至500 °C時藉由薄膜收縮自矽晶圓之差量算出平均膜應力之 最大値爲0.1〜20MPa。 22 . —種顯示器構件之製法,其特徵爲包括使含胺甲酸 酯化合物及無機微粒子之膠漿塗覆於基板上,予以燒 成的步驟,在膠漿中,胺甲酸酯化合物之含量爲〇 . 1 〜20重量%,而無機微粒子之含量爲40〜80重量%。 522435 六、 申請專利範圍 23 .如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 月安甲酸酯化合物具有乙儲性不飽和基。 24 .如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 胺甲酸酯化合物之分子量爲1 5000〜50000。 25 .如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 胺甲酸酯化合物含有環氧乙烷單元。 26 .如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 胺甲酸酯化合物以下述通式(1 )表示, R1 - (R4 - R3)n - R4 - R2 ( 1 ) 其中R1及R2係表示選自於含有乙烯性不飽和基之 取代基、氫、碳數1〜20之烷基、芳基、芳烷基及羥 基芳烷基者,可爲相同或各不同;R3係表示環氧烷基 或環氧烷基寡聚物;R4係表示含有胺甲酸酯鍵之有機 基;η係表示1〜10之自然數。 27 ·如申請專利範圍第26項之顯示器構件之製法,其中 R3係爲含有環氧乙烷單元與環氧丙烷單元之寡聚物, 且該寡聚物中環氧乙烷單元之含量爲8〜70重量%。 28 .如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 膠漿更含有具乙烯性不飽和基之胺化合物。 29 .如申請專利範圍第28項之顯示器構件之製法,其中 胺化合物係以下述通式(3 )或(4 )所示之化合物, r5r6r7n
    /、、申請專利範圍 R5R6N - μ - NR7R8 ( 4 ) 其中’ R5係表示含乙烯性不飽和基之取代基;R6、 R7 ' R8係表示選自於含乙烯性不飽和基之取代基、氫 '碳數1〜20之烷基、芳基、芳烷基及羥基烷基者, R6 ' R7、R8可爲相同或各不相同;Μ爲2價鍵結基。 3 Q ·如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 發更含有具羧基之聚合物。 31 ·如申請專利範圍第30項之顯示器構件之製法,其中 具殘基之聚合物係具有乙烯性不飽和基。 3 2 ·如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 無機微粒子含有荷重軟化點450〜600°C之低熔點玻璃 粉末。 3 3 .如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 無機微粒子含有60〜97重量%低熔點玻璃粉末與3〜 40重量%平均粒徑1〜4μΐΏ之塡充物。 34·如申請專利範圍第33項之顯示器構件之製法’其中 無機微粒子更含有30重量%平均粒徑爲0.003〜 0.02μιη之氧化物微粒子。 3 5 ·如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法’其中 膠漿升溫至500°C及1 000°C時之重量爲下式所示的膠 漿, (500°C 之重量)/(1000°C 之重量)$ 1·〇5 ° 3 6.如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法’其中 522435 六、申請專利範圍 將該膠漿塗覆於矽晶圓上形成薄膜,且升溫至500°C 時藉由薄膜收縮自矽晶圓之差量算出平均膜應力之最 大値爲0 . 1〜20MPa。 37·如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 膠漿具感光性。 38. 如申請專利範圍第37項之顯示器構件之製法,其中 塗覆膠漿、藉由微影術圖像加工後予以燒成。 39. 如申請專利範圍第37項之顯示器構件之製法,其中 膠漿中乙烯性不飽和鍵濃度對每1公斤活性光照射前 之膠漿而言爲0.2〜1.0莫耳。 40. 如申請專利範圍第22項之顯示器構件之製法,其中 顯示器爲電漿顯示器。 4 1 . 一種電漿顯示器構件,其係由包括使含胺甲酸酯化 合物及無機微粒子之膠漿塗覆於基板上,予以燒成的 步驟的製法所製成,在膠漿中,胺甲酸酯化合物之含 量爲0.1〜20重量%,而無機微粒子之含量爲40〜80 重量%。 42 . —種電漿顯示器,其使用一包含使含胺甲酸酯化合 物及無機微粒子之膠漿塗覆於基板上,予以燒成的步 驟的製法所製成的電漿顯示器構件,在膠漿中,胺甲 酸酯化合物之含量爲0.1〜20重量%,而無機微粒子 之含量爲40〜80重量%。 43 . —種顯示器構件之製法,其特徵爲包括將如申請專 利範圍第20或2 1項之膠漿塗覆於基板上,予以燒成 522435 六、申請專利範圍 之步驟。 44. 如申請專利範圍第43項之顯示器構件之製法,其中 顯示器爲電漿顯示器。 45. —種電漿顯示器構件,其係由一含無機微粒子與有 機成分的膠漿,此膠漿在升溫到500°C及1 000°C時之 重量以下式表示, (500°C 之重量)/(1000°C 之重量)$ 1.05, 將該膠漿塗覆於矽晶圓上形成薄膜,且升溫至500°C 時藉由薄膜收縮自矽晶圓之差量算出平均膜應力之最 大値爲0.1〜20Mp a,將此種膠漿塗覆於基板上,予以 燒成之步驟的製法所製成。 46 . —種電漿顯示器,其使用一種電漿顯示器構件,此 電漿顯示器構件係由一含無機微粒子與有機成分的膠 漿,此膠漿在升溫到500°C及1 000°C時之重量以下式 表示, (500°C 之重量)/(1000°C 之重量1.05, 將該膠漿塗覆於矽晶圓上形成薄膜,且升溫至500°C 時藉由薄膜收縮自矽晶圓之差量算出平均膜應力之最 大値爲0 . 1〜20Mpa,將此種膠漿塗覆於基板上,予以 燒成之步驟的製法所製成。
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