JP2003242895A

JP2003242895A - プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイならびにその製造方法

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Publication number: JP2003242895A
Application number: JP2002042875A
Authority: JP
Inventors: Kazuki Shigeta; 和樹重田; Kentaro Okuyama; 健太郎奥山
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 2002-02-20
Filing date: 2002-02-20
Publication date: 2003-08-29
Anticipated expiration: 2022-02-20
Also published as: JP3899954B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低消費電力で、誤放電やちらつきの少ない、放
電特性の優れたプラズマディスプレイパネルを提供す
る。【解決手段】隔壁を有するプラズマディスプレイ部材で
あって、隔壁が空洞を有し、かつ隔壁の比誘電率が２〜
２０であることを特徴とするプラズマディスプレイ部
材、および隔壁中に空洞を有するプラズマディスプレイ
部材の製造方法であって、基板上にペーストを用いて有
機物パターンを形成する工程、隔壁部を形成する工程お
よび有機物パターンを除去させる工程を含むことを特徴
とするプラズマディスプレイ部材の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイ部材およびプラズマディスプレイの隔壁ならびにそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（以下、
「ＰＤＰ」とする）は液晶パネルに比べて高速の表示が
可能であり、かつ大型化が容易であることから、ＯＡ機
器および広報表示装置などの分野に利用されている。ま
た、高品位テレビジョンの分野などでの進展が非常に期
待されている。

【０００３】ＰＤＰは、前面ガラス基板と背面ガラス基
板との間に備えられた放電空間内で対抗するアノードお
よびカソード電極間にプラズマ放電を生じさせ、上記放
電空間内に封入されているガスから発生した紫外線を、
放電空間内に設けた蛍光体にあてることにより表示を行
うものである。この場合、放電の広がりを一定領域に抑
え、表示を規定のセル内で行わせると同時に、かつ均一
な放電空間を確保するために隔壁（障壁、リブともい
う）が設けられている。上記の隔壁の形状は、一般には
およそ幅２０〜１２０μｍ、高さ１００〜２５０μｍの
ストライプ状や格子状のものなどがある。隔壁の作成方
法としては、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、型
転写法、フォトリソグラフィー法等が用いられている。

【０００４】ＰＤＰにおいては、隔壁の比誘電率は、画
素セルの静電容量、または隔壁を介しての誤放電の起こ
りやすさに影響を与える。隔壁の比誘電率が高いと、帯
電量の増加による電力損失を生じ、消費電力の増加を引
き起こす。さらに、電力損失のためにセルが放電せず、
黒点となってしまう。また、比誘電率が低いと、所望の
セルを放電させたときに隣接したセルの放電も起こって
しまうという欠点があった。

【０００５】上記の問題に対して、特開平９−２７８４
８２号公報、特開平１０−２２８８６９号公報、特開平
１０−２９７９３７号公報、特開２０００−１１９０３
８号公報、特開２０００−１６４１３７号公報、特開２
０００−１６９１７８号公報、特開２００１−１５１５
３５号公報等では、低比誘電率の隔壁を形成するために
低比誘電率ガラス材料を用いることを提案している。例
えば、特開平１０−２２８８６９号公報には、ガラスの
組成を以下のようにすることにより比誘電率を低減する
ことが記載されている。

【０００６】酸化物換算表記で、酸化リチウム２〜１５重量％酸化ケイ素１５〜５０重量％酸化ホウ素１５〜４０重量％酸化バリウム２〜１５重量％酸化アルミニウム６〜２５重量％あるいは、同じく酸化物換算表記で、酸化ビスマス１０〜４０重量％酸化ケイ素３〜５０重量％酸化ホウ素１０〜４０重量％酸化バリウム８〜２０重量％酸化アルミニウム１０〜３０重量％などが挙げられている。

【０００７】しかし、この方法では、ガラス軟化点が上
昇して焼成時に基板の歪みを生じやすくなるなど焼成が
難しくなること、ガラス材料のコストが増加すること、
ガラス材料の種類が制限されること、などの問題点があ
った。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
従来技術の問題点に着目し、消費電力が低く、誤放電や
ちらつきが少ないといった放電特性の優れたプラズマデ
ィスプレイを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は以下の構成を有する。すなわち本発明は、隔
壁を有するプラズマディスプレイ部材であって、隔壁が
空洞を有し、かつ隔壁の比誘電率が２〜２０であること
を特徴とするプラズマディスプレイ部材である。

【００１０】さらに本発明は、隔壁中に空洞を有するプ
ラズマディスプレイ部材の製造方法であって、基板上に
ペーストを用いて有機物パターンを形成する工程、隔壁
部を形成する工程および有機物パターンを除去させる工
程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ部材の
製造方法である。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。

【００１２】プラズマディスプレイは、基板上に放電区
間であるセルを仕切る隔壁を有するが、これ（ら）は、
前面板、背面板のどちらか、または両方に形成しても良
い。前述のように、プラズマディスプレイの放電特性や
消費電力は、隔壁の構造や隔壁材料の比誘電率に大きく
影響を受ける。例えば、隔壁の比誘電率が低いと隣接し
たセルの放電、いわゆる誤放電が発生しやすくなり、隔
壁の比誘電率が高いと隔壁の帯電量の増加による電力ロ
ス、いわゆる消費電力の増加を引き起こす。特に、プラ
ズマディスプレイはＣＲＴ等と比較して消費電力が高い
ので、隔壁の低比誘電率化による消費電力の低減が望ま
れる。

【００１３】発明者らは、隔壁の比誘電率制御について
鋭意検討の結果、隔壁中に空洞を形成することが有効で
あることを見出した。ここで、本発明の隔壁中の空洞と
は、図１に例示するような、ガラス、セラミックス、金
属等を含む隔壁材料で囲まれた、該隔壁材料を形成する
無機成分を含まない空間を指し、焼成する際に隔壁材料
中でバインダー樹脂等の有機物の脱媒により形成される
直径５μｍ以下の微少な空間、いわゆる気孔は含まない
ものである。また、本発明における隔壁とは、該空洞も
含めた隔壁ガラスと空洞の全体を指す。また、本発明に
おける隔壁の比誘電率とは、隔壁ガラスと空洞を含めた
隔壁全体の複合比誘電率のことである。

【００１４】本発明は隔壁中に空洞を有し、隔壁の比誘
電率が２〜２０であることが重要である。隔壁中に空洞
を形成し、比誘電率を２〜２０にすることで、低消費電
力となり、さらに書き込み不良や誤放電、放電電圧の低
下などが起こりにくく、放電特性の優れたプラズマディ
スプレイを作製することができるためである。隔壁中に
空洞がないと、隔壁の比誘電率を効果的に下げることが
できず、高消費電力となり、放電特性も良くない。隔壁
の比誘電率として、好ましくは４〜１０、より好ましく
は６〜９である。

【００１５】また、本発明の空洞を有する隔壁では、隔
壁ガラス材料の比誘電率以下にすることもできる。空洞
を有する隔壁の比誘電率とは、隔壁ガラスと空洞との複
合比誘電率であるので、隔壁ガラスの成分に制約があっ
て比誘電率を制御することができない場合でも、隔壁に
占める空洞の体積分率を変えることにより、隔壁の複合
比誘電率を変えることができる。例えば、ガラスの比誘
電率で最も小さいのは石英ガラスの３．８程度である
が、空洞の比誘電率は１に近いため、空洞を有する隔壁
の複合比誘電率を３．８以下にもすることができる。

【００１６】なお、隔壁ガラスの比誘電率の測定は、次
のように行う。まず基板上に、蒸着法やスクリーン印刷
法等により銀、アルミなどの金属ベタ膜を形成する。次
いで、空洞を有する隔壁部を形成する。次いで、ＬＣＲ
メーター（例えば、横河ヒューレットパッカード社製
“ＨＰ４２８４Ａ”）で２３℃、１ＭＨｚで静電容量を
測定する。同様に、金属ベタ膜間に空洞を有する隔壁が
ない、空気のみの静電容量もまた測定する。そして、そ
の差分から空洞を有する隔壁の複合比誘電率（ε）を計
算することができる。 ε＝Ｃｄ／ε₀Ｓただし、Ｃは静電容量、ｄは隔壁材料の焼成後ベタ膜
厚、Ｓは金属ベタ膜の面積、ε₀は真空の誘電率であ
る。

【００１７】また、次のように測定することもできる。
まず基板上に、蒸着法やスクリーン印刷法等により銀、
アルミ等の金属ベタ膜を形成する。次いで、隔壁材料を
含んだガラスペーストを塗布あるいは印刷する。その
後、焼成して隔壁材料のベタ膜を形成する。さらに、そ
の上に蒸着法等によりアルミ等の金属ベタ膜を形成し、
ＬＣＲメーター（例えば、横河ヒューレットパッカード
社製“ＨＰ４２８４Ａ”）で２３℃、１ＭＨｚで静電容
量を測定し、隔壁ガラスの比誘電率（ε_g）を算出す
る。 ε_g＝Ｃｄ／ε₀Ｓ隔壁断面が矩形あるいは矩形で近似できる場合は、図２
のように隔壁を３つの部分に分解すると、各部分は静電
容量がＣ１、Ｃ２、Ｃ３であるコンデンサと考えること
ができる。よって、測定によって得られた隔壁ガラスの
比誘電率と空気の比誘電率を用いて、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３
を計算することができる。Ｌ２を図２の奥行き方向（隔
壁の長手方向）の単位長さとすると、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３
は次のとおりに表される。Ｃ１＝ε_gε₀Ｗ・Ｌ２／（Ｌ−Ｌ１）Ｃ２＝ε_gε₀（Ｗ−Ｗ１）・Ｌ２／Ｌ１Ｃ３＝ε_aε₀Ｗ１・Ｌ２／Ｌ１ただし、ε_aは空気の比誘電率である。最終的に、次式
によって複合比誘電率を計算することができる。 ε＝Ｃ１（Ｃ２＋Ｃ３）Ｌ／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３）（Ｗ
・Ｌ２・ε₀) 隔壁材料としては、特に限定されず各種材料を使用する
ことができる。例えば、ケイ素および／またはホウ素の
酸化物を含有するガラス材料が好ましく用いられる。こ
れらの酸化物以外にも、酸化リチウム、酸化ナトリウ
ム、酸化カリウム、酸化バリウム、酸化アルミニウム、
酸化鉛、酸化ビスマス、酸化亜鉛といった酸化物を含有
し、軟化点、熱膨張係数、屈折率といった特性を隔壁の
製法やパネル特性に応じた値に調節するため、含有成分
やその重量比が調整された無機粉末が使用される。

【００１８】また、隔壁中の空洞は、隔壁の比誘電率の
低減度合いと隔壁の割れ、倒れ、剥がれの防止の点から
隔壁全体の体積の１０〜７０％であることが好ましい。
より好ましくは１５〜５０％である。さらに好ましくは
２０〜４０％である。１０％より小さいと、効果的に比
誘電率を下げられずに消費電力が高くなる傾向があり、
また、７０％より大きいと隔壁強度が低下しやすくな
り、隔壁の割れ、倒れ、剥がれが生じやすくなる傾向が
ある。

【００１９】本発明の空洞を有する隔壁は、気孔率が１
０％以下であることが好ましく、パネルの放電寿命、輝
度安定性などの放電特性を考慮すると、さらに好ましく
は３％以下がよい。なぜならば、気孔率が１０％を超え
ると、隔壁の密着性悪化、隔壁強度の不足、また非常に
表面積が大きくなり、放電時に気孔から排出されるガ
ス、水分による輝度低下などの放電特性の悪化につなが
るため好ましくない。

【００２０】ここで用いる気孔率とは、隔壁ガラス中に
発生する直径がおよそ５μｍ以下の気孔の体積分率のこ
とを指し、空洞の有無によらず、隔壁ガラス材料や焼成
条件等によって決まる。気孔率をＰとすると、Ｐは、隔
壁ガラスの真密度をｄｔｈ、隔壁ガラスの実測密度をｄ
ｅｘとしたとき、Ｐ＝（ｄｔｈ−ｄｅｘ）／ｄｔｈ×１００と定義される。

【００２１】隔壁ガラスの真比重はいわゆるアルキメデ
ス法を用いて算出するのが好ましい。隔壁ガラスを乳鉢
を用いて指頭に感じない程度、３２５メッシュ以下位ま
でに粉砕する。そしてＪＩＳ−Ｒ２２０５に記載のよう
に真比重を求める。次に実測密度の測定は隔壁ガラス部
分を形状を壊さないように削り取り、粉砕を行わないこ
と以外は上記と同様にしてアルキメデス法を用いて計測
を行う。

【００２２】空洞の形状は特に限定しないが、隔壁ガラ
スの割れ、倒れ、剥がれ防止のため、隔壁ガラスの外形
と相似な図形であることが好ましい。具体的には矩形か
台形であることが好ましい。部分的に隔壁ガラスの薄い
層ができることによる、隔壁ガラスの割れ、倒れ、剥が
れを防止しやすくなるためである。

【００２３】また、場所によって形状が変わってもよ
く、さらに全ての隔壁中に空洞を有していなくてもよ
い。特に格子状隔壁のような電極上にも隔壁が形成され
る場合、消費電力の増加へ与える比誘電率の影響が大き
くなるので、電極の上を通る隔壁近辺にだけ、空洞を設
けるのも効果的である。さらに、後述するが有機物分解
ガスの脱ガス性をよくするため、隔壁頂部および／また
は隔壁側面に空洞へ貫通する穴があってもよい。

【００２４】空洞の大きさは、隔壁の長手方向と垂直な
断面における空洞が、隔壁の線幅の２／３以下、および
／または隔壁の高さの２／３以下の大きさであることが
好ましい。より好ましくは、隔壁の線幅の１／２以下、
および／または隔壁の高さの１／２以下である。隔壁の
線幅の２／３を越えると、隔壁ガラス層が薄くなり、割
れ、倒れ、剥がれの原因となって好ましくない。また、
隔壁の高さの２／３を越えても、同様に割れ、倒れ、剥
がれの原因となるので好ましくない。

【００２５】本発明の隔壁中に空洞を有するプラズマデ
ィスプレイ部材は、空洞を有しない隔壁と比較して隔壁
形成に必要な隔壁ガラス材料が少ない。すなわち、隔壁
ガラス材料が少ない分低コストであり、さらにプラズマ
ディスプレイ部材を軽量化することもできる。

【００２６】次に、隔壁中に空洞を有するプラズマディ
スプレイ部材およびプラズマディスプレイについて説明
する。以下に、最も一般的なＡＣ型プラズマディスプレ
イを例に取り、その基本構造を説明するが、必ずしもこ
の構造には限定されない。なお、ＡＣ型とは、電源方式
が交流であり、構造的には直流であるＤＣ型と比較し
て、誘電体層を有する点等が相違する。

【００２７】プラズマディスプレイは、前面板および／
または背面板に形成された蛍光体層が内部空間内に面し
ているように、該前面板と該背面板を封着してなる部材
において、前記内部空間内に放電ガスが封入されてなる
ものである。すなわち、前面板には表示面側の基板であ
り表示用放電のための透明電極（サスティン電極、スキ
ャン電極）が形成されており、放電のため、前記サステ
ィン電極と前記スキャン電極の間隙は比較的狭い方がよ
い。より低抵抗な電極を形成する目的で透明電極の背面
側にバス電極を形成しても良い。ただし、バス電極は材
質がＡｇ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等で構成されていて、不透
明であることが多い。従って、前記透明電極とは異な
り、セルの表示の邪魔となるので、表示面の外縁部に設
けることが好ましい。ＡＣ型プラズマディスプレイの場
合、電極の透明誘電体およびその保護膜としてＭｇＯ薄
膜が形成される場合が多い。背面板には、表示させるセ
ルをアドレス選択するための電極（アドレス電極）が形
成されている。セルを仕切るための隔壁や蛍光体層は前
面板、背面板のどちらかまたは両方に形成してもよい
が、背面板のみに形成される場合が多い。

【００２８】前面板、背面板に用いるガラス基板は、特
に限定しないが、一般的にはソーダライムガラスやソー
ダライムガラスをアニール処理したガラス、または、高
歪み点ガラス（例えば、旭硝子社製“ＰＤ−２００”）
等を用いることができる。ガラス基板のサイズは特に限
定はなく、厚みは１〜５ｍｍのものを用いることができ
る。

【００２９】以下に、背面板における隔壁の製造方法の
例を述べる。ガラス基板上に、スクリーン印刷や感光性
導電ペーストを用いたフォトリソグラフィー法によって
形成された、銀やアルミ、銅、金、ニッケル、酸化錫、
ＩＴＯ等を含むアドレス電極層、および／またはアドレ
ス電極層上に放電安定化のためにスクリーン印刷あるい
はダイコーター、ブレードコーター等により形成された
誘電体層の上に、セルを仕切るための隔壁部を形成す
る。この隔壁の製造方法は、一般的にはスクリーン印刷
法、サンドブラスト法、型転写法、フォトリソグラフィ
ー法による感光性ペースト法等がある。以下に、それぞ
れの製造方法について簡単に述べる。

【００３０】スクリーン印刷法は、ガラスペーストを基
板に１０〜２０回程度スクリーン印刷、乾燥を繰り返し
て所定の高さの隔壁パターンを形成後、焼成して隔壁と
するものである。

【００３１】また、サンドブラスト法は、ガラスペース
トを基板に塗布した上にドライフィルムレジストをラミ
ネートし、これをフォトリソグラフィー法でパターン形
成した後、研磨剤を吹き付けて研削することで隔壁パタ
ーンを形成し、その後焼成して隔壁とする。

【００３２】型転写法は、基板上に塗布されたガラスペ
ーストを、隔壁形状の凹型金型で加圧成形を行う、また
はシリコーンゴムとニッケル鋼からなる複合板の凹部に
ガラスペーストを埋め込み、基板に隔壁成形体を加圧転
写し、その後焼成して隔壁部を形成する。

【００３３】フォトリソグラフィー法による感光性ペー
スト法は、感光性を持つ有機物を含む感光性ガラスペー
ストを基板上に塗布し、フォトマスクのパターンを露光
により焼き付けた後に、未露光部を現像により洗い流し
て隔壁パターンを形成し、その後焼成して隔壁を得る。

【００３４】本発明における隔壁中に空洞を有するプラ
ズマディスプレイ部材を製造するためには、基板上に有
機物パターンを形成する工程、隔壁部を形成する工程、
および焼成により有機物パターンを分解、蒸発させる工
程を含むことが必要である。

【００３５】ここで、本発明における有機物パターンと
は、空洞の形状を規定するパターンであって、焼成によ
り有機物が分解・蒸発するものである。有機物パターン
上にガラス、セラミックス、金属等からなる無機成分と
有機成分からなる隔壁パターンを形成する（図３）。そ
の後、焼成することによって有機物パターンは分解・蒸
発して空洞を形成し、また隔壁パターンでは有機物が分
解・蒸発して無機成分が残り、隔壁ガラスを形成する。

【００３６】本発明の有機物パターン及び隔壁パターン
の製造方法は特に限定せず、有機物パターンと隔壁パタ
ーンの形成方法が異なっても良いが、スクリーン印刷
法、サンドブラスト法、型転写法、フォトリソグラフィ
ー法による感光性ペースト法のいずれかを用いるのが好
ましい。さらに好ましくは、工程が少なく、微細なパタ
ーン形成が可能である感光性ガラスペースト法による作
製である。

【００３７】以下に、感光性ガラスペースト法を例に、
有機物パターンおよび隔壁パターンの製造方法について
具体的に述べるが、本発明はこれに限定されない。

【００３８】感光性ガラスペーストは、感光性モノマ
ー、感光性オリゴマー、感光性ポリマーのうち少なくと
も１種類から選ばれる感光性成分を含有し、さらに必要
に応じて、バインダー、光重合開始剤、紫外線吸光剤、
増感剤、増感助剤、重合禁止剤、可塑剤、増粘剤、酸化
防止剤、分散剤、有機あるいは無機の沈殿防止剤やレベ
リング剤等の添加成分と、低融点ガラスと、フィラーと
して高融点ガラスを少なくとも各１種類ずつ含む。これ
ら各種成分を所定の組成になるよう調合した後、３本ロ
ーラーや混練機で均質に混合分散し、感光性ガラスペー
ストを作製する。

【００３９】ペースト粘度は、ガラス粉末、増粘剤、有
機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤等の添加割合によって
適宜調整されるが、その範囲は２０００〜２０００００
ｃｐｓ（センチポイズ）である。例えば、基板への塗布
をスリットダイコーター法やスクリーン印刷法以外にス
ピンコート法で行う場合は、２００〜５０００ｃｐｓが
好ましい。

【００４０】有機物パターンを形成する感光性有機物ペ
ーストも、低融点ガラスと、フィラーとしての高融点ガ
ラス、無機の沈殿防止剤を含まないことを除いて、感光
性ガラスペーストと類似の組成、粘度であり、３本ロー
ラーや混練機で均質に混合分散して作製される。

【００４１】ガラス、セラミックス、ポリマー製フィル
ム等からなる基板上に、作製した感光性有機物ペースト
を全面塗布、もしくは部分的に塗布する。塗布方法とし
ては、スクリーン印刷、バーコーター、ロールコータ
ー、ダイコーター、ブレードコーター等の方法を用いる
ことができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメ
ッシュ、ペーストの粘度によって調整できる。

【００４２】ここで、ペーストを基板上に塗布する場
合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板の表面
処理を行うことができる。表面処理液としては、シラン
カップリング剤、例えばビニルトリクロロシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ト
リス−(２−メトキシエトキシ)ビニルシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタクリ
ロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ−(２−アミノ
エチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロ
ロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン等、あるいは有機金属、例えば有機チタン、有
機アルミニウム、有機ジルコニウム等である。シランカ
ップリング剤あるいは有機金属を有機溶媒、例えばエチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、メチルアルコール、エチルアル
コール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等で
０．１〜５％の濃度に希釈したものを用いる。次に、こ
の表面処理液をスピナー等で基板上に均一に塗布した後
に８０〜１４０℃で１０〜６０分間乾燥することによっ
て表面処理ができる。また、フィルム上に塗布した場
合、フィルム上で乾燥を行った後、次の露光工程を行う
場合と、ガラスやセラミックスの基板上に貼り付けた
後、露光工程を行う方法がある。

【００４３】塗布した後、露光装置を用いて露光を行
う。露光は、通常のフォトリソグラフィー法で行われる
ように、フォトマスクを用いてマスク露光する方法が一
般的である。用いるマスクは、感光性有機成分の種類に
よって、ネガ型もしくはポジ型のどちらかを選定する。

【００４４】また、フォトマスクを用いずに、赤色や青
色のレーザー光等で直接描画する方法を用いても良い。

【００４５】露光装置としては、ステッパー露光機、プ
ロキシミティ露光機等を用いることができる。また、大
面積の露光を行う場合は、ガラス基板等の基板上に感光
性ペーストを塗布した後に、搬送しながら露光を行うこ
とによって、小さな露光面積の露光機で、大きな面積を
露光することができる。

【００４６】この際使用される活性光源は、例えば可視
光線、近紫外線、紫外線、電子線、Ｘ線、レーザー光等
が挙げられるが、これらの中で紫外線が好ましく、その
光源としては、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧
水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌等等が使用できる。これ
らのなかでも超高圧水銀灯が好適である。露光条件は、
塗布厚みによって異なるが、１〜１００ｍＷ／ｃｍ²の
出力の超高圧水銀灯を用いて２０秒〜３０分間露光を行
う。

【００４７】塗布した感光性有機物ペースト表面に酸素
遮断膜を設けることによって、パターン形状を向上させ
ることができる。酸素遮断膜の一例としては、ポリビニ
ルアルコール（ＰＶＡ）やセルロース等の膜、あるい
は、ポリエステル等のフィルムが挙げられる。

【００４８】ＰＶＡ膜の形成方法は、濃度が０．５〜５
重量％の水溶液をスピナー等の方法で基盤上に均一に塗
布した後に７０〜９０℃で１０〜６０分間乾燥すること
によって水分を蒸発させて行う。また水溶液中にアルコ
ールを少量添加すると、感光性有機物ペーストととの濡
れ性が良くなり蒸発が容易になるので好ましい。さらに
好ましいＰＶＡの溶液濃度は１〜３重量％である。この
範囲にあると感度が一層向上する。ＰＶＡ塗布によって
感度が向上するのは次の理由が推定される。すなわち、
感光性成分が光反応する際に、空気中の酸素があると光
硬化の感度を妨害すると考えられるが、ＰＶＡの膜があ
ると余分な酸素を遮断できるので露光時に感度が向上す
ると考えられる。

【００４９】ポリエステルやポリプロピレン、ポリエチ
レン等の透明なフィルムを用いる場合は、塗布後の感光
性有機物ペーストの上に、これらのフィルムを貼り付け
て用いる方法もある。

【００５０】露光後、感光部分と非感光部分の現像液に
対する溶解度差を利用して現像を行うが、この場合、浸
漬法、シャワー法、スプレー法、ブラシ法で行う。

【００５１】用いる現像液、感光性有機物ペースト中の
有機成分が溶解可能である有機溶媒を使用できる。ま
た、該有機溶媒にその溶解力が失われない範囲で水を添
加しても良い。感光性有機物ペースト中にカルボキシル
基等の酸性基を持つ化合物が存在する場合、アルカリ水
溶液で現像できる。アルカリ水溶液として水酸化ナトリ
ウムや炭酸ナトリウム、水酸化カルシウムのような金属
アルカリ水溶液を使用できるが、有機アルカリ水溶液を
用いた方が焼成時にアルカリ成分を除去しやすいので好
ましい。

【００５２】有機アルカリとしては、アミン化合物を用
いることができる。具体的には、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウム
ヒドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン等が挙げられる。アルカリ水溶液の濃度は通常
０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜５重量
％である。アルカリ濃度が低すぎると、可溶部が除去さ
れず、アルカリ濃度が高すぎると、パターン部を剥離さ
せ、また非可溶部を腐食させるおそれがあり好ましくな
い。また、現像時の現像温度は、２０〜５０℃で行うこ
とが工程管理上好ましい。

【００５３】以上のようにして、有機物パターンを形成
する。次いで、感光性有機物ペーストを感光性ガラスペ
ーストに変え、有機物パターン上に感光性ガラスペース
トを、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、
ブレードコーター等の方法を用いて塗布する。塗布厚み
は、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペーストの粘度
によって調整できる。

【００５４】その後、前述の感光性有機物ペーストで用
いた露光・現像等の方法と同様にして、隔壁ガラスパタ
ーンを形成する。

【００５５】有機物パターンおよび隔壁ガラスパターン
を含む基板の焼成工程は焼成炉により行う。焼成雰囲気
や温度はペーストや基板の種類によって異なるが、空気
中、窒素、水素等の雰囲気下で焼成する。焼成温度は４
００〜６１０℃で行う。焼成炉としては、バッチ式の焼
成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。
また、以上の工程中に乾燥、予備反応の目的で、５０〜
３００℃加熱工程を導入してもよい。

【００５６】ただし、有機物パターンは、この焼成工程
において、分解・蒸発して空洞を形成するので、隔壁パ
ターン中のガラスが軟化した後ではガラスが閉殻構造を
形成してしまうため、閉じ込められた有機物の分解ガス
が隔壁ガラス中に残り、気孔の原因となることがある。

【００５７】そのため、有機物パターンの熱分解温度Ｔ
_dと隔壁パターン中のガラス成分のガラス軟化点Ｔ_gが、
次の関係であることが好ましい。Ｔ_g−Ｔ_d＞２０℃ さらに良好な有機物の分解・蒸発のためには、Ｔ_g−Ｔ_d
＞３０℃であることがより好ましい。

【００５８】Ｔ_gは、示差走査熱量計（例えば、“ＤＳ
Ｃ−６００Ｅ”島津製作所製）を用い、ガラスの軟化に
よる吸熱ピークの生じた温度として求めることができ
る。また、Ｔ_dは、熱重量測定装置（例えば、“ＴＧＡ
−５０”島津製作所製）により、重量減少が観測された
温度として求めることができる。

【００５９】以下に、感光性ガラスペースト法を例に、
有機物パターン及び隔壁パターンに使用される好ましい
有機材料および無機材料について述べるが、本発明はこ
れに限定はされない。

【００６０】感光性ガラスペーストにおいて、有機成分
は感光性ガラスペースト中の１０〜６０重量％を占める
ことが好ましい。有機成分が１０重量％未満であると、
無機微粒子の量が圧倒的多く、ペーストの粘度が高くな
りすぎてペーストを均一に塗布することができない。一
方、有機成分が６０重量％を越えると無機微粒子の割合
が低くなり過ぎて、本発明の目的である無機微粒子のパ
ターンを形成するには不利となるためである。より好ま
しくは２０〜５０重量％である。なお、本発明における
有機成分は、感光性ガラスペーストの内、無機成分を除
いた成分全体を意味するものとする。

【００６１】感光性ガラスペーストあるいは感光性有機
物ペーストを、まとめて感光性ペーストと呼ぶと、本発
明における感光性ペーストの有機成分は、通常、反応性
モノマー、反応性オリゴマー、反応性ポリマーから選ば
れた少なくとも１種、および必要に応じてバインダポリ
マー、光重合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤、増感
剤、増感助剤、紫外線吸収剤、有機染料、分散剤、可塑
剤、増粘剤、有機溶媒、酸、塩基、沈降防止剤、酸化防
止剤等の添加剤成分を加えて構成される。ここで、反応
性モノマー、反応性オリゴマー、反応性ポリマーにおけ
る反応性とは、感光性ペーストが活性光線の照射を受け
た場合に、反応性モノマー、反応性オリゴマー、反応性
ポリマーが光架橋、光重合、光解重合、光変性等の反応
を通して化学構造が変化する性質を意味する。

【００６２】本発明の有機成分として用いるポリマーと
しては、カルボキシル基を有することが好ましい。カル
ボキシル基を有するポリマーは、例えば、アクリル酸、
メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、
フマル酸、ビニル酢酸またはこれらの酸無水物等のカル
ボキシル基含有モノマーおよびメタクリル酸エステル、
アクリル酸エステル、スチレン、アクリロニトリル、酢
酸ビニル、２−ヒドロキシアクリレート等のモノマーを
選択し、アゾビスイソブチロニトリルのような開始剤を
用いて共重合することにより得られる。

【００６３】カルボキシル基を有するポリマーとして
は、焼成時の熱分解温度が低いことから、（メタ）アク
リル酸エステルおよび（メタ）アクリル酸を共重合成分
とするコポリマーが好ましく用いられる。とりわけ、ス
チレン／メタクリル酸メチル／メタクリル酸共重合体が
好ましく用いられる。

【００６４】カルボキシル基を有するコポリマーの樹脂
酸価は５０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好まし
い。酸価が１５０を越えると、現像許容幅が狭くなる。
また、酸価が５０未満では未露光部の現像液に対する溶
解性が低下する。現像液濃度を高くすると露光部まで剥
がれが発生し、高精細なパターンが得られにくくなる。

【００６５】側鎖にエチレン性不飽和結合を導入する方
法として、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸
基やカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシア
ネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸
クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロ
ライド、マレイン酸等のカルボン酸を反応させて作る方
法がある。

【００６６】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエ
ーテル等が挙げられる。とりわけ、ＣＨ₂=Ｃ（ＣＨ₃）
ＣＯＯＣＨ₂ＣＨＯＨＣＨ₂−が好ましく用いられる。

【００６７】イソシアネート基を有するエチレン性不飽
和化合物としては、（メタ）アクリロイルイソシアナー
ト、（メタ）アクリロイルエチルイソシアネート等があ
る。また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエ
チレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタク
リル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマー
中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基
に対して０．０５〜１モル当量反応させることが好まし
い。

【００６８】エチレン性不飽和結合を有するアミン化合
物の調製は、エチレン性不飽和結合を有するグリシジル
（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸クロリド、
（メタ）アクリル酸無水物等をアミノ化合物と反応させ
ればよい。複数のエチレン性不飽和基含有化合物を混合
して用いてもよい。

【００６９】バインダー成分が必要な場合にはポリマー
として、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル
重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共
重合体、ブチルメタクリレート樹脂等を用いることがで
きる。

【００７０】本発明に用いる光重合開始剤は、ラジカル
種を発生するものから選んで用いられる。光重合開始剤
としては、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ
−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベン
ジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニ
ル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オ
ン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−
ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシ
クロヘキシル−フェニルケトン、１−フェニル−１，２
−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オ
キシム、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］
−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル
−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニ
ル）−ブタノン−１、ベンゾイン、ベンゾインメチルエ
ーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベン
ゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェ
ニルベンゾフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノ
ン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’
−メチル−ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾ
フェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパ
ーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、４−ベンゾイル
−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−［２−（１−オキソ−２−プ
ロペニルオキシ）エチル］ベンゼンメタナミニウムブロ
ミド、（４−ベンゾイルベンジル）トリメチルアンモニ
ウムクロリド、２−ヒドロキシ−３−（４−ベンゾイル
フェノキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロペン
アミニウムクロリド一水塩、２−イソプロピルチオキサ
ントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジ
エチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサント
ン、２ーヒドロキシ−３−（３，４−ジメチル−９−オ
キソ−９Ｈ−チオキサンテン−２−イロキシ）−Ｎ，
Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロパナミニウムクロリド、
２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィン
オサイド、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−
４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２−ビイミ
ダゾール、１０−ブチル−２−クロロアクリドン、２−
エチルアンスラキノン、ベンジル、９，１０−フェナン
スレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリ
オキシエステル、η5−シクロペンタジエニル−η6−ク
メニル−アイアン（１＋）−ヘキサフルオロフォスフェ
イト（１−）、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス（η
5−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス
（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イ
ル）−フェニル）チタニウム、４，４−ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、チオキサントン、２−メチルチオ
キサントン、２−クロロチオキサントン、４−ベンゾイ
ル−４−メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フ
ルオレノン、２，３−ジエトキシアセトフェノン、２，
２−ジメトキシ−２−フェニル−２−フェニルアセトフ
ェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノ
ン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジル
メトキシエチルアセタール、アントラキノン、２−ｔ−
ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、β
−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロ
ン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、４−アジ
ドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジド
ベンジリデン）シクロヘキサン、２，６−ビス（ｐ−ア
ジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２
−フェニル−１，２−ブタジオン−２−（ｏ−メトキシ
カルボニル）オキシム、１，３−ジフェニルプロパント
リオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、Ｎ
−フェニルグリシン、テトラブチルアンモニウム（＋
１）ｎ−ブチルトリフェニルボレート（１−）、ナフタ
レンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロ
ライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４−アゾビ
スイソブチロニトリル、ベンズチアゾールジスルフィ
ド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロ
モフェニルスルホン、過酸化ベンゾイルおよびエオシ
ン、メチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン
酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等が
挙げられる。

【００７１】本発明では、これらを１種または２種以上
使用することができる。光重合開始剤は、感光性有機成
分に対し、０．０５〜１０重量％の範囲で添加され、よ
り好ましくは、０．１〜１０重量％である。重合開始剤
の量が少なすぎると光感度が不良となり、光重合開始剤
の量が多すぎる場合には露光部の残存率が小さくなるお
それがある。

【００７２】光重合開始剤と共に増感剤を使用し、感度
を向上させたり、反応に有効な波長範囲を拡大すること
ができる。

【００７３】増感剤の具体例としては、２，４−ジメチ
ルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、
２−イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−
ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−
ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノ
ン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４
−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス
（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチル
アミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデン
インダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソ
ナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノ
フェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビ
ス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−
カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセト
ン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマ
リン）、トリエタノールアミン、メチルジエタノールア
ミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ
−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールア
ミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、４−ジメチルア
ミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチ
ル、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミ
ノ安息香酸イソアミル、安息香酸（２−ジメチルアミ
ノ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎ−ブトキ
シ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘ
キシル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾー
ル、１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラ
ゾール等が挙げられる。

【００７４】本発明ではこれらを１種または２種以上使
用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始
剤としても使用できるものがある。増感剤を本発明の感
光性ペーストに添加する場合、その添加量は感光性有機
成分に対して通常０．０５〜１０重量％、より好ましく
は０．１〜１０重量％である。増感剤の量が少なすぎれ
ば光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が
多すぎれば露光部の残存率が小さくなる恐れがある。

【００７５】本発明では酸化防止剤を添加することもで
きる。酸化防止剤とは、ラジカル連鎖禁止作用、三重項
の消去作用、ハイドロパーオキサイドの分解作用をもつ
ものである。

【００７６】感光性ガラスペーストは多くの無機微粒子
成分を分散状態で含有するので、露光光によるペースト
内部の光散乱は避け難く、それに起因すると考えられる
パターン形状の太りやパターン間の埋り（残膜形成）が
発生しやすい。パターンの壁は垂直に切り立ち、矩形に
なることが望ましい。理想的には、ある露光量以下では
現像液に溶解し、それ以上では現像液に不溶となること
である。つまり、光散乱によって低い露光量で硬化して
も現像液に溶解し、パターン形状の太りやパターン間の
埋まりが解消され、露光量を多くしても解像できる範囲
が広いことが好ましい。

【００７７】感光性ペーストに酸化防止剤を添加する
と、酸化防止剤がラジカルを捕獲したり、励起された光
重合開始剤や増感剤のエネルギー状態を基底状態に戻し
たりすることにより散乱光による余分な光反応が抑制さ
れ、酸化防止剤で抑制できなくなる露光量で急激に光反
応が起こることにより、現像液への溶解、不溶のコント
ラストを高くすることができる。

【００７８】具体的には、ｐ−ベンゾキノン、ナフトキ
ノン、ｐ−キシロキノン、ｐ−トルキノン、２，６−ジ
クロロキノン、２，５−ジアセトキシ−ｐ−ベンゾキノ
ン、２，５−ジカプロキシ−ｐ−ベンゾキノン、ヒドロ
キノン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２，５−ジブチル
ヒドロキノン、モノ−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，５
−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、ジ−ｔ−ブチル−ｐ−
クレゾール、ヒドロキノンモノメチルエーテル、α−ナ
フトール、ヒドラジン塩酸塩、トリメチルベンジルアン
モニウムクロリド、トリメチルベンジルアンモニウムオ
キザレート、フェニル−β−ナフチルアミン、パラベン
ジルアミノフェノール、ジ−β−ナフチルパラフェニレ
ンジアミン、ジニトロベンゼン、トリニトロベンゼン、
ピクリン酸、キノンジオキシム、シクロヘキサノンオキ
シム、ピロガロール、タンニン酸、トリエチルアミン塩
酸塩、ジメチルアニリン塩酸塩、クペロン、（２，２’
−チオビス（４−ｔ−オクチルフェノレート）−２−エ
チルヘキシルアミノニッケル−（II）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
２，２’−メチレンビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチ
ルフェノール）、２，２’−チオビス−（４−メチル−
６−ｔ−ブチルフェノール）、トリエチレングリコール
−ビス［３−（ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキサンジオ
ール−ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、１，２，３−トリヒド
ロキシベンゼン、等が挙げられるがこれらに限定されな
い。本発明では、これらを１種以上使用することができ
る。

【００７９】酸化防止剤の添加量は、感光性ペースト中
に０．１〜３０重量％、より好ましくは、０．５〜２０
％の範囲である。これらの範囲より少ない場合、現像液
への溶解、不溶のコントラストが小さく、またこの範囲
を越えると感光性ペーストの感度が低下し、多くの露光
量を必要としたり、重合度が上がらずパターン形状が維
持できなくなる。

【００８０】また、紫外線吸収剤を添加することで、露
光光によるペースト内部の散乱光を吸収し、散乱光を弱
めることができる。紫外線吸収剤としては、ベンゾフェ
ノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、サリチル
酸系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、インドール
系化合物、無機系の微粒子酸化金属等が挙げられる。こ
れらの中でもベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレ
ート系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、インドー
ル系化合物が特に有効である。これらの具体例として
は、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロ
キシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒド
ロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒ
ドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２，
２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ−５−スル
ホベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−
２’−カルボキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４
−メトキシ−５−スルホベンゾフェノントリヒドレー
ト、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノ
ン、２−ヒドロキシ−４−オクタデシロキシベンゾフェ
ノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、４−ドデシロキシ−２−ヒドロキシベンゾフェ
ノン、２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−メ
タクリロキシ）プロポキシベンゾフェノン、２−（２’
−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾ
ール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−
ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒ
ドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）
−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロ
キシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−ク
ロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−
４’−ｎ−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾール、
２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３−ジフェニル
アクリレート、２−エチル−２−シアノ−３，３−ジフ
ェニルアクリレート、インドール系の吸収剤であるＢＯ
ＮＡＳＯＲＢＵＡ−３９０１（オリエント化学社
製）、ＢＯＮＡＳＯＲＢＵＡ−３９０２（オリエント
化学社製）ＳＯＭ−２−０００８（オリエント化学社
製）等が挙げられるがこれらに限定されない。さらに、
これら紫外線吸収剤の骨格にメタクリル基等を導入し反
応型として用いてもよい。本発明では、これらを１種以
上使用することができる。

【００８１】紫外線吸収剤の添加量は、ペースト中に
０．００１〜１０重量％、より好ましくは、０．００５
〜５％の範囲である。これらの範囲を外れると、透過限
界波長および波長傾斜幅が変化し、散乱光の吸収能力が
不足したり、露光光の透過率が下がり、感光性ペースト
の感度が低下するので注意を要する。

【００８２】また、本発明では、露光、現像の目印とし
て有機系染料を添加することができる。染料を添加して
着色することにより視認性が良くなり、現像時にペース
トが残存している部分と除去された部分との区別が容易
になる。有機染料としては、特に限定はされないが、焼
成後の絶縁膜中に残存しないものが好ましい。具体的に
は、アントラキノン系染料、インジゴイド系染料、フタ
ロシアニン系染料、カルボニウム系染料、キノンイミン
系染料、メチン系染料、キノリン系染料、ニトロ系染
料、ニトロソ系染料、ベンゾキノン系染料、ナフトキノ
ン系染料、フタルイミド系染料、ペリノン系染料等が使
用できる。特に、ｈ線とｉ線付近の波長の光を吸収する
もの、例えばベーシックブルー等のカルボニウム系染料
を選択すると、本発明の効果がより出やすくなり好まし
い。有機染料の添加量は０．００１〜１重量％であるこ
とが好ましい。

【００８３】感光性ペーストを基板に塗布する時の粘度
を塗布方法に応じて調整するために有機溶媒が使用され
る。このとき使用される有機溶媒としては、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
エチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノ
ン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスル
フォキシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、ク
ロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、
ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸等やこれらのうちの１
種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。

【００８４】本発明における無機微粒子とは、ガラス、
セラミックス、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ等の導電
性粉末の微粒子であり、特に有用であるのは、ガラス粉
末、Ａｇ粉末である。本発明の感光性ガラスペースト
は、４０〜９０重量％の無機微粒子からなることが必要
である。また、５０〜８０重量％が好ましい。

【００８５】ガラス粉末としては、ガラス転移点４３０
〜５００℃、軟化点が４７０〜５８０℃のガラス粉末を
ペースト中に５０重量％以上含有することが好ましい。
通常のディスプレイに用いられる基板上にパターン加工
が容易にできる傾向があるためである。

【００８６】また、無機微粒子の平均屈折率が１．５〜
１．６５の範囲内にあることが好ましい。ガラス微粒子
の屈折率が１．５〜１．６５になるように金属酸化物を
配合してなるガラス微粒子を用いることにより、ガラス
粉末と感光性有機成分の屈折率と整合させ、光散乱を抑
制することにより高精度のパターン加工が可能になる傾
向にある。例えば、酸化ケイ素：２２、酸化アルミニウ
ム：２３、酸化硼素：３３、酸化リチウム：９、酸化マ
グネシウム：７、酸化バリウム：４および酸化亜鉛２
（重量％）からなるガラス粉末は、ガラス転移点：４９
０℃、軟化点：５２８℃そしてｇ線波長（４３６ｎｍ）
においての屈折率：１．５９であり、本発明の無機微粒
子として好ましく使用することができる。より好ましく
は、１．５３〜１．６２の範囲内にあることである。

【００８７】本発明の感光性ガラスペーストに用いる無
機微粒子として好ましく使用できるガラス粉末は例えば
下記の組成を有するものである。

【００８８】上記のように、酸化リチウム、酸化ナトリ
ウムまたは酸化カリウムのアルカリ金属酸化物のうち少
なくとも１種を用い、その合計量が３〜１５重量％、さ
らには３〜１０重量％であることが好ましい。

【００８９】アルカリ金属酸化物は、ガラスの荷重軟化
点、熱膨張係数のコントロールを容易にするのみなら
ず、ガラスの屈折率を低くすることができるため、感光
性有機成分との屈折率差を小さくすることが容易にな
る。アルカリ金属酸化物の合計量が３重量％以上とする
ことでガラスの低融点化の効果を得ることができ、１５
重量％以下とすることでガラスの化学的安定性を維持す
ると共に熱膨張係数を小さく抑えることができる。アル
カリ金属としては、ガラスの屈折率を下げることやイオ
ンのマイグレーションを防止することを考慮するならリ
チウムを選択するのが好ましい。

【００９０】酸化ケイ素の配合量は５〜３０重量％が好
ましく、より好ましくは１０〜３０重量％である。酸化
ケイ素は、ガラスの緻密性、強度や安定性の向上に有効
であり、また、ガラスの低屈折率化にも効果がある。熱
膨張係数をコントロールしてガラス基板とのミスマッチ
による剥離等を防ぐこともできる。５重量％以上とする
ことで、熱膨張係数を小さく抑えガラス基板に焼き付け
た時にクラックを生じない。また、屈折率を低く抑える
ことができる。３０重量％以下とすることで、ガラス転
移点、荷重軟化点を低く抑え、ガラス基板への焼き付け
温度を低くすることができる。

【００９１】酸化ホウ素は、低屈折率化にも有効であ
り、２０〜４５重量％、さらには２０〜４０重量％の範
囲で配合することが好ましい。２０重量％以上とするこ
とで、ガラス転移点、荷重軟化点を低く抑えガラス基板
への焼き付けを容易にする。また、４５重量％以上とす
ることでガラスの化学的安定性を維持することができ
る。

【００９２】酸化バリウムおよび酸化ストロンチウムの
うち少なくとも１種を用い、その合計量が２〜１５重量
％、さらには２〜１０重量％であることが好ましい。こ
れらの成分は、熱膨張係数の調整に有効であり、焼き付
け温度の基板の耐熱性への適用、電気絶縁性、形成され
る隔壁の安定性や緻密性の点でも好ましい。２重量％以
上とすることで結晶化による失透を防ぐこともできる。
また、１５重量％以下とすることにより、熱膨張係数を
小さく抑え、屈折率も小さく抑えることができる。また
ガラスの化学的安定性も維持できる。

【００９３】酸化アルミニウムはガラス化範囲を広げて
ガラスを安定化する効果があり、ペーストのポットライ
フ延長にも有効である。１０〜２５重量％の範囲で配合
することが好ましく、この範囲内とすることでガラス転
移点、荷重軟化点を低く保ち、ガラス基板上への焼き付
けを容易とすることができる。

【００９４】さらに、酸化カルシウムおよび酸化マグネ
シウムは、ガラスを溶融しやすくすると共に熱膨張係数
を制御するために配合されることが好ましい。酸化カル
シウムおよび酸化マグネシウムは合計で２〜１５重量％
配合するのが好ましい。合計量が２重量％以上とするこ
とで結晶化によるガラスの失透を防ぎ、１５重量％以下
とすることでガラスの化学的安定性を維持することがで
きる。

【００９５】また、上記の組成には表記されていない
が、酸化亜鉛や酸化チタン、酸化ジルコニウム等を含有
させることも好ましい。

【００９６】例えば原料である酸化リチウム、酸化ケイ
素、酸化硼素、酸化バリウムおよび酸化アルミニウム等
を所定の配合組成となるように混合し、９００〜１２０
０℃で溶融後、急冷し、ガラスフリットにしてから粉砕
して１〜５μｍの微細な粉末にする。原料は高純度の炭
酸塩、酸化物、水酸化物等を使用できる。また、ガラス
粉末の種類や組成によっては９９．９９％以上の超高純
度なアルコキシドや有機金属の原料を使用し、ゾル・ゲ
ル法で均質化に作製した粉末を使用すると高電気抵抗で
緻密な気孔の少ない、高強度な絶縁層が得られるので好
ましい。

【００９７】上記において使用されるガラス粉末粒子径
は、作製しようとするパターンの形状を考慮して選ばれ
るが、粉末は、５０重量％粒子径（平均粒子径）が２〜
３．５μｍ、トップサイズ１５μｍ以下であることが好
ましい。さらに、１０重量％粒子径が０．６〜１．５μ
ｍ、９０重量％粒子径が４〜８μｍ、比表面積１．５〜
２．５ｍ²／ｇを有していることが好ましい。より好ま
しくは平均粒子径２．５〜３．５μｍ、比表面積１．７
〜２．４ｍ²／ｇである。この範囲にあると紫外線露光
時に光が十分透過し、上下で線幅差の少ない隔壁パター
ンが得られる。平均粒子径２．０μｍ以下、比表面積
２．５ｍ²／ｇを越えると粉末が細かくなり過ぎて露光
時において光が散乱されて未露光部分を硬化させるので
好ましくない。

【００９８】本発明の無機微粒子として、Ａｕ、Ｎｉ、
Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔの貴金属導電性微粒子を用いることも
できる。Ａｕ、Ａｇ，Ｐｄ、Ｐｔはそれぞれ単独にまた
は混合粉末として用いることができる。例えば、Ａｇ
（３０〜８０）−Ｐｄ（７０〜２０）、Ａｇ（４０〜７
０）−Ｐｄ（６０〜１０）−Ｐｔ（５〜２０）、Ａｇ
（３０〜８０）−Ｐｄ（６０〜１０）−Ｃｒ（５〜１
５）、Ｐｔ（２０〜４０）−Ａｕ（６０〜４０）−Ｐｄ
（２０）、Ａｕ（７５〜８０）−Ｐｔ（２５〜２０）、
Ａｕ（６０〜８０）−Ｐｄ（４０〜２０）、Ａｇ（４０
〜９５）−Ｐｔ（６０〜５）、Ｐｔ（６０〜９０）−Ｒ
ｈ（４０〜１０）（以上（）内は重量％を表す）等の
２元系、３元系の混合貴金属粉末が用いられる。上記の
中でＣｒやＲｈを添加したものは高温特性を向上できる
点で好ましい。

【００９９】これらの導電性無機微粒子の平均粒子径は
０．５〜５μｍが好ましい。平均粒子径が０．５μｍ未
満の場合、紫外線露光時に光線が塗設後の膜の中をスム
ースに透過せず、良導体の線幅６０μｍ以下の微細パタ
ーンの形成が困難になる。一方、平均粒子径が５μｍを
越えると塗設後の回路パターンの表面の凹凸が粗くな
り、パターン精度が低下し、ノイズ発生の原因となる。

【０１００】貴金属導電性微粒子は比表面積が、０．１
〜３ｍ²／ｇであるものが好ましく用いられる。比表面
積が０．１ｍ²／ｇ未満の場合、回路パターンの精度が
低下する。また、３ｍ²／ｇを越えると粉末の表面積が
大きくなりすぎて紫外線が散乱され、パターン精度が低
下する。

【０１０１】貴金属導電性微粒子の形状としては、フレ
ーク（板、円錐、棒）状や球状の物が使用できるが、凝
集が抑制されることから球状であることが好ましい。球
状の場合、露光時の紫外線の散乱が少ないので、この精
度のパターンが得られ、照射エネルギーが少なくて済
む。

【０１０２】微細パターンの形成や低抵抗化を満足する
より好ましい導電性粉末の範囲がある。すなわち、導体
パターンを塗設後、露光時に紫外線が散乱せず十分に透
過し、有効に作用して現像後１０〜４０μｍの微細回路
パターンを得るためには、導電性粉末の平均粒子径が１
〜４μｍであり、かつ比表面積が０．１〜５ｍ²／ｇで
あることが好ましい。さらに好ましくは、平均粒子径が
０．８〜４μｍ、比表面積が０．５〜１．５ｍ²／ｇで
ある。この範囲内にある場合、現像時に未露光部におけ
る導体膜の残膜の発生が全くなく、高精度な回路パター
ンが得られる傾向がある。

【０１０３】以上の工程によって得られた隔壁層を有す
るガラス基板はプラズマディスプレイの前面側もしくは
背面側に用いることができる。また、プラズマアドレス
液晶ディスプレイのアドレス部分の放電を行うための基
板として用いることができる。

【０１０４】形成した隔壁層の間に蛍光体を塗布した後
に、前面板のガラス基板を合わせて封着し、ヘリウム、
ネオン、キセノン等の希ガスを封入することによって、
プラズマディスプレイのパネル部分を製造できる。

【０１０５】さらに、駆動用のドライバーＩＣを実装す
ることによって、プラズマディスプレイを製造すること
ができる。

【０１０６】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて、具体的に説
明する。ただし、本発明はこれに限定はされない。な
お、実施例中の濃度（％）は特に断らない限り、重量％
である。

【０１０７】まず、隔壁の比誘電率、消費電力、誤放電
の起こりやすさの測定法について、具体的に説明する。
ただし、本発明はこれに限定されない。（比誘電率の測定）隔壁の比誘電率は以下のように測定
した。まず基板上に、蒸着法によりアルミの金属ベタ膜
を形成する。次いで、空洞を有する隔壁を形成した。次
に、ＬＣＲメーター（横河ヒューレットパッカード社製
ＨＰ４２８４Ａ）で２３℃、１ＭＨｚで静電容量を測定
した。同様に、金属ベタ膜間に空洞を有する隔壁がな
い、空気（ε）のみの静電容量もまた測定した。そし
て、その差分から空洞を有する隔壁の複合比誘電率を計
算した。 ε＝Ｃｄ／ε₀Ｓただし、Ｃは測定した静電容量である。また、本実施例
における各パラメータは、ｄが隔壁材料の焼成後ベタ膜
厚で１０^-4ｍ、Ｓが金属ベタ膜の面積で５．０×１０^-3
ｍ²、ε₀が真空の誘電率で８．８５４×１０^-12Ｃ²Ｎ^-1
ｍ^-2である。

【０１０８】（消費電力の測定）サスティン電圧を１８
０Ｖとし、パネルを白、黒の市松模様に点灯させた状態
にして、横河電機社製デジタルパワーメーター２５３２
を用いて消費電力を測定した。

【０１０９】（誤放電の測定）隔壁を介しての誤放電の
発生頻度を測定するために、パネルを隔壁形成方向に沿
って、１列おきに点灯させ、誤放電による点灯、不灯、
またはちらつきがないか目視で評価した。基準は、誤放
電による点灯セルや不灯セルの数が３個以内ならば放電
特性は良好、４〜６個でやや劣る、７個以上でディスプ
レイパネルとしては不適とした。

【０１１０】（空洞の大きさの測定）パネルを切断して
小片にし、隔壁の長手方向と垂直な断面を走査型電子顕
微鏡（日立製作所Ｓ２４００）で観察し、隔壁および空
洞の幅、高さを計測した。

【０１１１】（ガラス軟化点の測定）ガラスを試料ホル
ダーに封入し、示差走査熱量計（“ＤＳＣ−６００Ｅ”
島津製作所製）を用い、１０℃／分で３０℃から７００
℃まで昇温した。得られた吸熱ピークのピークトップの
温度をガラス軟化点Ｔ_gとした。

【０１１２】（有機物分解温度の測定）熱重量測定装置
（“ＴＧＡ−５０”島津製作所製）を用い、空気雰囲気
下（流量２０ｍｌ／分）で、１０℃／分で３０℃から６
５０℃まで昇温した。重量が急激に減少した温度を有機
物の分解温度Ｔ_dとした。

【０１１３】（実施例１）プラズマディスプレイを以下
の手順にて作製した。まず、旭硝子社製“ＰＤ−２０
０”ガラス基板（４２インチ）上に、感光性銀ペースト
を用いたフォトリソグラフィー法によりアドレス電極パ
ターンを形成した。次いで、アドレス電極が形成された
ガラス基板上に誘電体層をスクリーン印刷法により２０
μｍの厚みで形成した。しかる後、感光性有機物ペース
トを作製し、それをスクリーン印刷によりアドレス電極
パターンおよび誘電体層が形成された背面板用ガラス基
板上に均一に塗布した。塗布膜にピンホールなどの発生
を回避するために塗布・乾燥を数回以上繰り返し行い、
膜厚みの調整を行った。途中の乾燥は８０℃で１０分間
行った。その後、８０℃で１時間保持して乾燥した。感
光性有機物ペーストは、感光性ガラスペーストの無機成
分を除いたものを粘度調整して用いた。

【０１１４】続いて、ネガ型クロムマスクを用いて、上
面から３０ｍＪ／ｃｍ²出力の超高圧水銀灯で紫外線露
光した。露光量は１．５ｍＪ／ｃｍ²であった。

【０１１５】次に、３５℃に保持したモノエタノールア
ミンの０．３重量％水溶液をシャワーで１５０秒間かけ
ることにより現像し、その後シャワースプレーを用いて
水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去して背
面板用ガラス基板上にストライプ状の有機物パターンを
形成した。

【０１１６】有機物パターンの完成後、感光性ガラスペ
ーストを作製し、アドレス電極パターン、誘電体層、有
機物パターンの形成されたガラス基板上に、有機物パタ
ーンを形成する際と同様にスクリーン印刷法により均一
に塗布および乾燥した。

【０１１７】続いて、３６０μｍピッチのネガ型クロム
マスクを用いて、上面から５０ｍＪ／ｃｍ²出力の超高
圧水銀灯で紫外線露光した。露光量は３．５ｍＪ／ｃｍ
²であった。なお、隔壁ガラスパターンが、有機物パタ
ーンの真上にくるようクロムマスクの位置合わせをし
た。

【０１１８】次に、３５℃に保持したモノエタノールア
ミンの０．５重量％水溶液をシャワーで１８０秒間かけ
ることにより現像し、その後シャワースプレーを用いて
水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去して背
面板用ガラス基板上にストライプ状の隔壁ガラスパター
ンを形成した。

【０１１９】その後、焼成することにより、空洞を有す
る隔壁を形成した。有機物パターンの分解温度Ｔ_dは４
７０℃、ガラス軟化点は５１０℃のものを用いた。次
に、蛍光体層をディスペンサー法にて厚さ２０μｍに形
成し、焼成して背面板を作製した。

【０１２０】次に、“ＰＤ−２００”ガラス基板上に、
フォトエッチング方によりＩＴＯ電極を形成した後、感
光性銀ペーストを用いたフォトリソグラフィー法により
バス電極パターンを形成した。しかる後、透明誘電体層
をスクリーン印刷法により３０μｍの厚みで形成した。
さらに、５００ｎｍ厚のＭｇＯ膜を電子ビーム蒸着法に
より形成して、放電のための複数の電極を形成した前面
板を得た。

【０１２１】次に、前面板及び背面板用ガラス基板にシ
ール剤となる低融点ガラスペーストを設け、所定の配置
になるよう位置合わせして対抗配置し、４５０℃、３０
分間処理しガラス基板を封止した。その後、表示領域内
部の排気及びＮｅ９５％、Ｘｅ５％の混合ガスの封入を
行ってプラズマディスプレイパネルを完成させた。

【０１２２】空洞は隔壁の中央に位置し、空洞が隔壁全
体に対して２５体積％を占め、空洞の大きさは、隔壁の
線幅の１／２、隔壁の高さの１／２であった。隔壁の比
誘電率は５．５であり、消費電力は２７０Ｗとなった。
結果を表１に示す。後に示す比較例１と比べて、約１０
％消費電力が低減した。また、誤放電による点灯、不灯
は観察されず、ちらつきもない、放電特性の良好なもの
であった。

【０１２３】

【表１】

【０１２４】（実施例２）空洞が隔壁全体に対して２５
体積％を占め、空洞の大きさが、隔壁の線幅の４／５、
隔壁の高さの１／４であること以外は、実施例１と同様
の方法でプラズマディスプレイパネルを作製した。

【０１２５】隔壁の比誘電率は６であり、消費電力は２
７５Ｗとなった。後に示す比較例１と比べて、約８％消
費電力が低減した。また、誤放電による点灯、不灯は観
察されず、ちらつきもなかった。隔壁の倒れによる不灯
セルが１つあったが、放電特性は良好であった。

【０１２６】（実施例３）空洞が隔壁全体に対して５体
積％を占め、空洞の大きさが、隔壁の線幅の１／５、隔
壁の高さの１／４であること以外、実施例１と同様の方
法でプラズマディスプレイパネルを作製した。

【０１２７】隔壁の比誘電率は７であり、消費電力は２
９８Ｗとなった。後に示す比較例１と比べて消費電力が
低減した。また、誤放電による点灯、不灯は観察され
ず、ちらつきもない、放電特性の良好なものであった。

【０１２８】（実施例４）空洞が隔壁全体に対して６４
体積％を占め、空洞の大きさが、隔壁の線幅の４／５、
隔壁の高さの４／５であること以外、実施例１と同様の
方法でプラズマディスプレイパネルを作製した。

【０１２９】隔壁の比誘電率は３．２であり、消費電力
は２５０Ｗとなった。後に示す比較例１と比べて、約１
６％消費電力が低減した。また、誤放電による点灯、不
灯は観察されず、ちらつきもなかった。隔壁の倒れによ
る不灯セルが３つあったが、放電特性は良好であった。

【０１３０】（実施例５）隔壁のパターンがストライプ
状でなく、格子状であること以外は実施例１と同様の方
法でプラズマディスプレイパネルを作製した。

【０１３１】隔壁の比誘電率は５．５であり、消費電力
は２６０Ｗとなった。後に示す比較例１と比べて、約１
３％消費電力が低減した。また、誤放電による点灯、不
灯は観察されず、ちらつきもない、放電特性の良好なも
のであった。

【０１３２】（実施例６）隔壁のパターンがストライプ
状でなく、格子状であること以外は実施例３と同様の方
法でプラズマディスプレイパネルを作製した。

【０１３３】隔壁の比誘電率は７であり、消費電力は２
９５Ｗとなった。後に示す比較例１と比べて、約１％消
費電力が低減した。また、誤放電による点灯、不灯は観
察されず、ちらつきもない、放電特性の良好なものであ
った。

【０１３４】（比較例１）実施例１におけるガラス組成
と、有機物パターンを形成する工程を含まず、隔壁に空
洞がないこと以外は実施例１と同様の方法でプラズマデ
ィスプレイパネルを作製した。

【０１３５】隔壁の比誘電率は２１であり、消費電力は
３００Ｗとなった。誤放電による不灯セルが６つあり、
ちらつきも若干見られ、放電特性は実施例の結果と比較
してやや劣っていた。

【０１３６】表１にまとめたように、放電特性について
は、隔壁中に空洞を有するプラズマディスプレイパネル
は、比較例１の空洞のない隔壁より優れていた。また、
消費電力の大きさは、実施例４＜実施例５＜実施例１＜
実施例２＜実施例６＜実施例３＜比較例１であった。放
電特性と消費電力の兼ね合いから、実施例１または実施
例５が放電特性もよく、低消費電力で、高品位なプラズ
マディスプレイであった。

【０１３７】

【発明の効果】本発明によれば、プラズマディスプレイ
の低消費電力で、誤放電およびちらつきの少ない、放電
特性の優れたプラズマディスプレイとその製造方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマディスプレイ部材の一実施例
を示す部分断面図。

【図２】比誘電率を測定するための試料を示す断面図。

【図３】焼成前の本発明のプラズマディスプレイ部材の
一実施例を示す部分断面図。

【符号の説明】

１１蛍光体１２隔壁ガラス１３誘電体１４電極１５空洞１６基板２１隔壁頂部の幅（Ｗ）２２空洞の幅（Ｗ１）２３隔壁の高さ（Ｌ）２４空洞の高さ（Ｌ１）２５Ｌ−Ｌ１２６Ｗ−Ｗ１２７頂部部分の隔壁の静電容量（Ｃ１）２８空洞側面の隔壁の静電容量（Ｃ２）２９空洞の静電容量（Ｃ３）３１隔壁ガラスパターン３２有機物パターン３３誘電体３４電極３５基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】隔壁を有するプラズマディスプレイ部材で
あって、隔壁が空洞を有し、かつ隔壁の比誘電率が２〜
２０であることを特徴とするプラズマディスプレイ部
材。
【請求項２】空洞の体積が隔壁全体の体積の１０〜７０
％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマディスプレイ部材。
【請求項３】隔壁の長手方向と垂直な断面において、空
洞が隔壁の線幅の２／３以下、および／または隔壁の高
さの２／３以下の大きさであることを特徴とする請求項
１記載のプラズマディスプレイ部材。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ
ディスプレイ部材を用いたことを特徴とするプラズマデ
ィスプレイ。
【請求項５】隔壁中に空洞を有するプラズマディスプレ
イ部材の製造方法であって、基板上にペーストを用いて
有機物パターンを形成する工程、隔壁部を形成する工程
および有機物パターンを除去させる工程を含むことを特
徴とするプラズマディスプレイ部材の製造方法。
【請求項６】有機物パターンを形成する工程において、
有機物パターンの熱分解温度Ｔ_dと隔壁材料のガラス軟
化点Ｔ_gがＴ_g−Ｔ_d＞２０℃であるペーストを用いるこ
とを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイ部
材の製造方法。