JP2002025874A - 単結晶ウエーハおよび太陽電池セル - Google Patents
単結晶ウエーハおよび太陽電池セルInfo
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Abstract
耐え得る単結晶ウエーハを提供することにより単結晶原
料ロスを低減する。また、このようなウエーハを利用す
ることによりMIS型半導体装置あるいは太陽電池セル
を低コストで提供する。 【解決手段】 単結晶ウエーハの主表面が、単結晶の
[100]軸に対し、[011]方向にα(0°<α<
90°)、[01−1]方向にβ(0°<β<90
°)、[10−1]方向または[101]方向にγ(0
°≦γ<45°)の傾斜角度を有する面または該面と等
価な面である単結晶ウエーハ。
Description
に用いられる単結晶ウエーハの厚さを従来に比べて薄く
することのできるウエーハに関し、さらに、そのウエー
ハを用いたMIS型半導体装置、および太陽電池セルに
関する。
As)に代表される単結晶ウエーハは、チョクラルスキ
ー法(CZ法)やフローティングゾーン法(FZ法)に
より作製された単結晶棒(インゴット)をウエーハ状に
スライスすることによって得られる。従って、スライス
されるウエーハの厚さをできる限り薄くしたり、スライ
スによる加工しろを少なくすることによって、1本のイ
ンゴットから製品ウエーハをより多く得ることが望まれ
る。すなわち、ウエーハの厚さやウエーハ製造プロセス
の加工ロスを低減することにより原料の無駄をなくし、
製造コストを下げるという課題は従来から広く認識され
ていた。
するとウエーハ製造プロセスやデバイス製造プロセス中
にワレやカケが発生しやすくなるため、ある程度の厚さ
(例えば、直径200mmのシリコンウエーハの場合7
00〜800μm程度)は必要とされている。また、ス
ライスによる加工しろを少なくすることはスライス装置
上の制限があるため限界があった。
のみで生ずるだけでなく、デバイス製造プロセスにおい
ても生じる。最終的にチップとして実装されるウエーハ
の厚さは100〜200μm程度であるため、ウエーハ
の裏面から減厚加工する工程(バックラップ)があり、
ここでも原料が無駄に消費されていた。
用いて作製されるMIS(金属/絶縁膜/シリコン)型
トランジスタのゲート絶縁膜には、低リーク電流特性、
低界面準位密度、高キャリア注入耐性などの高性能電気
特性、高信頼性が要求される。これらの要求を満たすゲ
ート絶縁膜形成技術として、従来は、酸素分子や水分子
を使用した800℃以上の熱酸化技術が用いられてき
た。この熱酸化技術を使用して、良好な酸化膜/シリコ
ン界面特性、酸化膜の耐圧特性、リーク電流特性が得ら
れるのは、従来、表面が{100}面からなるシリコンウ
エーハまたは単結晶の{100}面から4°程度傾けた面
方位を有するシリコンウエーハを用いたときであった。
エーハに熱酸化技術を使用したゲート酸化膜を形成する
と、酸化膜/シリコン界面の界面準位密度が高く、また
酸化膜の耐圧特性、リーク電流特性が悪いなど電気的特
性が劣ってしまっていた。従って、MIS型トランジス
タ等の半導体装置が形成されるシリコンウエーハは従来
その表面が{100}面であるウエーハか、単結晶の{1
00}面から4°程度傾けた面方位を有するウエーハが
使用されていた。
コンウエーハは、劈開面である{110}面が表面に対し
て垂直方向に現れるために、プロセス中に割れ、カケ、
スリップ転位等が発生しやすい。そのため、{100}面
からなるシリコンウエーハのウエーハ厚さは、直径20
0mmでは700〜800μm、直径150mmでは6
00〜700μm程度のものが用いられるのが通常であ
り、単結晶の{100}面から4°程度傾けた面方位を有
するウエーハについても同様であった。
依存することなく、良質な絶縁膜を形成する手法が開発
された(2000 Symposium on VLSI Technology, Honolul
u, Hawaii, June 13th-15th, 2000 "Advantage of Radi
cal Oxidation for Improving Reliability of Ultra-T
hin Gate Oxide"参照)。従って、このような手法によ
れば、MIS型半導体デバイスを作製するウエーハの面
方位を{100}面に限定する必要がなくなったと言え
る。
面方位に依存することなく良質な絶縁膜を形成する手法
を有効に活用するため、面方位とウエーハの割れやすさ
との関係から、従来に比べてウエーハ厚さが薄くても、
従来と同等にデバイスプロセスに耐え得る単結晶ウエー
ハを提供することにより、単結晶のロスを低減すること
を目的とする。また、このような割れにくい面方位をも
つシリコンウエーハを利用することにより、MIS型半
導体装置、あるいは、製造コストを低減することが大き
な課題とされている太陽電池セルを、低コストで提供す
ることを目的とする。
明は、単結晶ウエーハの主表面が、単結晶の[100]
軸に対し、[011]方向にα(0°<α<90°)、
[01−1]方向にβ(0°<β<90°)、[10−
1]方向または[101]方向にγ(0°≦γ<45
°)の傾斜角度を有する面または該面と等価な面である
ことを特徴とする単結晶ウエーハである(請求項1)。
しやすい全ての{110}面から傾いた面方位となるの
で、従来の{100}面の単結晶ウエーハに比べて外部か
らの応力に対して割れにくくなる。従って、従来よりも
厚さが薄いウエーハを作製することができるため、1本
の単結晶インゴットから作製可能なウエーハ枚数が増加
し、製造コスト低減が可能となる。
ンからなるものとすることができる(請求項2)。この
ように、単結晶ウエーハが半導体シリコンであれば、現
在最も汎用されている半導体であるので、製造コストの
低減による効果は非常に大きいものとなる。
ーハの直径(mm)≦3であるものとすることができる
(請求項3)。このように、本発明の単結晶ウエーハは
機械的強度に優れたものとなるため、従来は実現できな
かった、ウエーハの厚さ(μm)/ウエーハの直径(m
m)≦3といったウエーハの直径に対するウエーハ厚が
極めて薄いウエーハとすることができる。したがって、
製造コストの低減による効果はより大きなものとなる。
を形成したものとすることが好ましい(請求項4)。こ
のように、本発明のシリコン単結晶ウエーハを用いて少
なくとも一方の表面に絶縁膜を形成すれば、ウエーハの
劈開を抑制することができる。絶縁膜がウエーハ全面に
形成されている方が劈開抑制効果は高い。また、このよ
うなウエーハを用いて、例えばMIS半導体装置を作製
することができ、薄くて割れにくいウエーハ上に、低コ
ストでデバイスを作製することができる。
リコン酸化膜(請求項5)、あるいは前記絶縁膜がAr
またはKr、および水素を含有するシリコン窒化膜であ
るものとすることが好ましい(請求項6)。このよう
に、絶縁膜がKrを含有するシリコン酸化膜あるいは、
ArまたはKr、および水素を含有するシリコン窒化膜
であれば、面方位に依存することなく、良好な絶縁膜が
得られる。
ハを用いて太陽電池セルを作製することができる(請求
項7)。太陽電池はその製造コストの高さのためにあま
り普及していないので、従来より強度が高く、薄いシリ
コン単結晶ウエーハの加工が可能になる本発明のウエー
ハを用いれば、太陽電池の製造コストの低下を図ること
ができ、その効果は大きい。
発明者は、前述のように、シリコンウエーハの表面の面
方位に依存することなく良質な絶縁膜を形成する手法が
開発されたことを受け、これを利用するため、ウエーハ
の面方位と割れやすさとの関係に着目した。すなわち、
デバイス特性上ウエーハの面方位を限定する理由がなく
なったので、できるだけ強度の高い面方位を選択するこ
とにより、従来より厚さが薄いウエーハを作製したとし
ても、ウエーハの割れ、カケの発生が従来と同等レベル
のものが得られ、結果として、1本のインゴットから得
られるウエーハ枚数を増加させることができることを発
想した。
ウエーハの面方位としては、古くから{100}面や{1
11}面のような低指数が用いられる一方で、この面方
位から傾斜した面方位のウエーハも用いられていた。例
えば、特開昭56−109896号、特公平3−616
34号、特開平8−26891号公報に記載された発明
は、{100}面または{111}面から一つの{110}面
について数度傾斜した面を使用することが記載されてい
る。しかしながら、これは一つの{110}面についての
み傾斜したものであり、割れにくいウエーハとは言い難
い。また上記の技術は、プロセス誘起結晶欠陥の発生防
止やエピタキシャル成長時の欠陥の発生防止に関するも
のであった。
関係に関し、特開平9−262825号では、ワイヤー
ソーで単結晶を切断する際、ソーマークと劈開方向が合
致すると割れやすいことが記載されている。しかし、こ
こで考慮されている劈開面は、{100}面に直交する
{110}面のみであり、{100}面と45°の角度
を有する{110}面については全く配慮されておら
ず、切り出されるウエーハも{100}面等の低指数面
からなるウエーハのみであった。
るためには{100}面に直交する{110}面のみを
考慮するだけでは足りず、{100}面と45°の角度
を有する{110}面についても考慮する必要があるこ
とを発想し、本発明を完成させた。
て図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限
定されるものではない。図1は、本発明における単結晶
ウエーハの面方位を説明する図面である。図1中の太線
で示された矢印(ベクトル)が、本発明の単結晶ウエー
ハの面方位(ウエーハ表面の法線方向)を示しており、
[100]軸(X軸)に対し、[011]方向にα(0
°<α<90°)、[01−1]方向にβ(0°<β<
90°)、[10−1]方向にγ(0°≦γ<45°)
の傾斜角度を有している。
ーハは、劈開面である(011)面、(01−1)面、
(10−1)面からそれぞれ角度α、β、γだけ傾斜し
た面を有することになり、従来の低指数の面方位のウエ
ーハに比べ、外部からの応力に対する機械的強度が高く
なる。
ため、このような傾斜面のウエーハの断面を[010]方
向から見ると、劈開面である(10−1)面と(10
1)面は、(100)面に対してそれぞれ45°を有す
る左右対称の面となる。従って、結晶の有効ボンド数が
どの面方位でも差がないのであれば、γ=0°が強度と
しては最も高くなると考えられる。しかしながら、実際
の強度は面方位と有効ボンド数の両方で決まると考えら
れ、有効ボンド数は面方位により差があるため一概にγ
=0°が最適であるとは言えず、0°<γ<45°の範
囲であっても、高い強度が得られる。ちなみに、シリコ
ン単結晶の場合の有効ボンド数は、(111)面、(1
10面)、(100)面においてそれぞれ、11.8×
1014個/cm2、9.6×1014個/cm2、
6.8×1014個/cm2であることが知られてい
る。
た[10−1]方向の傾斜角ではなく、[101]方向の
傾斜角を意味する。尚、図1の単結晶ウエーハと等価な
面方位としては、結晶の対称性を考慮すると図1のベク
トルをyz平面に90°ずつ回転した方向に3面存在す
る。このような特定の傾斜面からなるウエーハを作製す
るには、通常の条件で作製された単結晶インゴットを所
定の角度に傾けてスライスすればよい。シリコン単結晶
の場合、通常作製されるインゴットの結晶方位として
は、<100>、<111>があり、その他、結晶の過剰な
変形を引き起こさずに作製可能な結晶方位としては、<
110>や<511>が知られている。また、単結晶を引
き上げる際の種結晶として、予め数度程度のオフアング
ルの付いた種結晶を用いることにより、オフアングル付
きの結晶を引き上げることもできるので、このような結
晶を用いて、スライス時の方位調整を簡略化することも
できる。
は、劈開しやすい全ての{110}面から傾いた面方位と
なるので、従来の{100}面の単結晶ウエーハに比べて
外部からの応力に対して割れにくく、厚さが薄いウエー
ハを作製することができる。
から作製した場合には、従来の{100}面のシリコン単
結晶ウエーハでは、直径200mmのウエーハで厚さが
700〜800μm程度のものを作製する必要があった
のが、本発明の単結晶ウエーハではこれより薄くするこ
とができ、例えば直径200mmのウエーハで厚さが6
00μm以下のものとすることも可能である。そのた
め、一本の単結晶インゴットから作製可能なウエーハ枚
数が増加し、製造コスト低減が可能となる。
c)面と記載する。)をもつシリコンウエーハを用い、
MIS型半導体装置に必要なゲート絶縁膜を形成する方
法について説明する。以下のような方法で絶縁膜を形成
すれば、確実にゲート絶縁膜の特性が従来に比べて劣ら
ない面方位依存性のない絶縁膜を形成することができ
る。
を形成するためのラジアルラインスロットアンテナを用
いた装置の一例を示す図である。本実施形態において
は、酸化膜形成時のためにKrをプラズマ励起ガスとし
て使用していることに新規な特徴がある。真空容器(処
理室)1内を真空にし、シャワープレート2からKrガ
ス、O2ガスを導入し、処理室内の圧力を1Torr
(約133Pa)程度に設定する。
加熱機構を持つ試料台4上に置き、試料の温度が400
℃になるように設定する。この温度設定は200−55
0℃程度の範囲内とすることができる。同軸導波管5か
ら、ラジアルラインスロットアンテナ6、誘電体板7を
通して、処理室内に、2.45GHzのマイクロ波を供
給し、処理室内に高密度のプラズマを生成する。また、
供給するマイクロ波の周波数は、900MHz以上10
GHz以下程度の範囲にあれば、いずれの周波数も選択
できる。
実施形態では6cmにしてある。この間隔は狭いほうが
より高速な成膜が可能となる。本実施形態では、ラジア
ルラインスロットアンテナを用いたプラズマ装置を用い
て成膜した例を示したが、他の方法を用いてマイクロ波
を処理室内に導入してもよい。
起プラズマ中では、中間励起状態にあるKr*とO2分
子が衝突し、原子状酸素O*が効率よく発生する。この
原子状酸素により、基板表面は酸化される。従来のシリ
コン表面の酸化は、H2O分子、O2分子により行わ
れ、処理温度は、800℃以上と極めて高いものであっ
たが、本発明の原子状酸素による酸化は、550℃以下
と十分に低い温度で可能となる。
は、処理室圧力は高い方が望ましいが、あまり高くする
と、発生したO*同士が衝突し、O2分子に戻ってしま
う。本発明者らが処理室内の圧力比をKr97%酸素3
%に保って、処理室のガス圧を変えたときの、シリコン
基板温度400℃、10分間の酸化処理により成長する
酸化膜厚を測定したところ、処理室のガス圧が1Tor
rの時に最も酸化膜は厚くなり、この圧力ないしはその
近傍の酸化条件が好ましいことがわかった。この圧力条
件は基板シリコンの面方位が(100)面でも(11
1)面でも変わらず、(abc)面においても同様であ
ることがわかった。
いたシリコンウエーハ表面酸化時の、Krを含有する酸
化膜厚と酸化時間の関係を示す。シリコン基板は面方位
(100)面と(111)面及び(abc)面のものを
示している。図3には同時に従来の900℃のドライ熱
酸化による酸化時間依存性を示している。基板温度40
0℃、処理室内圧力1TorrにおけるKr/O2高密
度プラズマ酸化の酸化速度は、基板温度900℃の大気
圧ドライO2酸化の酸化速度より、速いことが明らかで
ある。
ン基板表面酸化を導入する事により、表面の酸化技術の
生産性も大幅に向上させることができる。従来の高温熱
酸化技術では、表面に形成された酸化膜をO2分子やH
2O分子が拡散によって通り抜け、シリコン/シリコン
酸化膜の界面に到達して酸化に寄与するため、酸化速度
は、O2や、H2O分子の酸化膜の拡散速度により律速
され、酸化時間tに対して、t1/2で増加するのが常
識であったが、本発明のKr/O2高密度プラズマ酸化
では、酸化膜厚が、35nmまで、酸化速度は直線的で
ある。これは原子状酸素の拡散速度がシリコン酸化膜中
で極めて大きく、シリコン酸化膜を自在に通り抜けられ
ることを意味する。
のKr密度の深さ方向分布を、全反射蛍光X線分光装置
を用いて調べた。Kr密度は、酸化膜厚が薄い領域にな
るほど減少し、シリコン酸化膜表面では2×1011c
m−2程度の密度でKrが存在する。すなわち、このシ
リコン膜は膜厚が4nm以上の膜中のKr濃度は一定
で、シリコン/シリコン酸化膜の界面に向かって、Kr
濃度は減少している膜である。
V測定から求めた結果である。シリコン酸化膜の形成は
図2に示した装置を用いて、基板温度400℃で成膜し
た。希ガス中の酸素の分圧は3%、処理室内の圧力は1
Torrに固定した。比較のために、900℃酸素10
0%の雰囲気で成膜した熱酸化膜の界面準位密度も同時
に示す。Krガスを用いて成膜した酸化膜の界面準位密
度は、(100)面、(111)面及び(abc)面と
も低く、900℃のドライ酸化雰囲気で成膜した(10
0)面に形成した熱酸化膜の界面準位密度と同等であ
る。従って、(abc)面においても同様に界面順位密
度の低い良質な酸化膜が得られることがわかる。尚、
(111)面に形成した熱酸化膜の界面準位密度はこれ
らに比べ1桁以上大きい。
トキャリア耐性、ストレス電流を流したときのシリコン
酸化膜が破壊に至るまでの電荷量QBD(Charge
−to−Breakdown)などの電気的特性、信頼
性特性に関して、Kr/O2高密度プラズマを用いたシ
リコン基板表面酸化による酸化膜は、900℃の熱酸化
と同様の良好な特性が得られた。
マにより成長した酸化膜は、400℃という低温で酸化
しているにもかかわらず、面方位に影響されることな
く、(abc)面においても、従来の(100)面の高
温熱酸化膜と同等ないしはより優れた特性を示してい
る。こうした効果が得られるのは、酸化膜中にKrが含
有されることにも起因している。酸化膜中にKrが含有
されることにより、膜中やSi/SiO2界面でのスト
レスが緩和され、膜中電荷や界面準位密度が低減され、
シリコン酸化膜の電気的特性が大幅に改善されるためと
考えられる。特に、表面密度において5×1011cm
−2以下のKrを含むことがシリコン酸化膜の電気的特
性、信頼性特性の改善に寄与していると考えられる。こ
のゲート酸化膜を使用したMISトランジスタはどの面
方位においても良好な特性を示し、(abc)面におい
ても(100)面と同等の特性を得られる。
は、図2の装置の他に、プラズマを用いた低温の酸化膜
形成を可能とする別のプラズマプロセス用装置を使用し
てもかまわない。たとえば、マイクロ波によりプラズマ
を励起するためのKrガスを放出する第1のガス放出手
段と、酸素ガスを放出する前記第1のガス放出手段とは
異なる第2のガス放出手段をもつ2段シャワープレート
型プラズマプロセス装置で形成することも可能である。
について述べる。窒化膜形成装置は図2に示したものと
ほとんど同じである。本実施形態においては、窒化膜形
成時のためにArまたはKrをプラズマ励起ガスとして
使用する。真空容器(処理室)1内を真空にし、シャワ
ープレート2からArガス、NH3ガスを導入し、処理
室内の圧力を100mTorr程度に設定する。シリコ
ンウエーハ等の円形状の基板3を、加熱機構を持つ試料
台4上に置き、試料の温度が500℃になるように設定
する。この温度設定は200−550℃程度の範囲内と
すればよい。
トアンテナ6、誘電体板7を通して、処理室内に、2.
45GHzのマイクロ波を供給し、処理室内に高密度の
プラズマを生成する。また、供給するマイクロ波の周波
数は、900MHz以上10GHz以下程度の範囲にあ
ればよい。シャワープレート2と基板3の間隔は、本実
施例では6cmにしてある。この間隔は狭いほうがより
高速な成膜が可能となる。
アンテナを用いたプラズマ装置を用いて成膜した例を示
したが、他の方法を用いてマイクロ波を処理室内に導入
してもよい。また、プラズマ励起ガスにArを使用して
いるが、Krを用いても同様の結果を得ることができ
る。また、プラズマプロセスガスにNH3を用いている
が、N2とH2などの混合ガスを用いても良い。
2)の混合ガスの高密度励起プラズマ中では、中間励起
状態にあるAr*またはKr*により、NH*ラジカル
が効率よく発生する。このNH*ラジカルにより、基板
表面は窒化される。このようなシリコン窒化によれば、
シリコンの面方位を選ばず、低温で高品質な窒化膜を形
成することが可能となる。
水素が存在することがひとつの重要な要件である。プラ
ズマ中に水素が存在することにより、シリコン窒化膜中
および界面のダングリングボンドがSi−H、N−H結
合を形成して終端され、その結果シリコン窒化膜および
界面の電子トラップが無くなる。Si−H結合、N−H
結合が本発明の窒化膜に存在することはそれぞれ赤外吸
収スペクトル、X線光電子分光スペクトルを測定するこ
とで確認されている。水素が存在することで、CV特性
のヒステリシスも無くなり、シリコン/シリコン窒化膜
界面密度も3×1010cm−2と低く抑えられる。希
ガス(ArまたはKr)とN2/H2の混合ガスを使用
してシリコン窒化膜を形成する場合には水素ガスの分圧
を0.5%以上とすることで、膜中の電子や正孔のトラ
ップが急激に減少する。本実施形態のシリコン窒化膜の
比誘電率は7.9であり、シリコン酸化膜の約2倍のも
のが得られた。
の装置の他に、プラズマを用いた低温の窒化膜形成を可
能とする別のプラズマプロセス用装置を使用してもかま
わない。たとえば、マイクロ波によりプラズマを励起す
るためのArまたはKrガスを放出する第1のガス放出
手段と、NH3(またはN2/H2ガス)ガスを放出す
る前記第1のガス放出手段とは異なる第2のガス放出手
段をもつ2段シャワープレート型プラズマプロセス装置
で形成することも可能である。
シリコンウエーハにより、太陽電池セルを製造する方法
について説明する。すでに述べたように、主表面が(a
bc)面からなるシリコンウエーハはその機械的強度が
高い。従って、従来太陽電池用のシリコン単結晶インゴ
ットをスライスしていた厚さ(直径100〜150mm
で400〜600μm程度)よりも薄くスライスするこ
とが可能となり、例えば直径100〜150mmで30
0〜450μm、あるいはそれ以下とすることができ
る。従って、その分ウエーハ収率が向上するため、コス
トダウンが可能となる。
われるが、スライス時の機械的衝撃により結晶に歪みが
生じている。この歪みはウエーハの電気的特性を劣化さ
せ、セルの特性にも影響を与える。従って、この歪み層
を除去するため、10〜20μm程度の化学エッチング
が行われる。このようなエッチングはHFとHNO3の
混酸によって行われるのが一般的であり、その際、数1
0枚のウエーハをエッチング用のキャリアに入れ、面内
均一にエッチングを行うためにキャリアを回転させなが
らエッチングが行われる。従って、このようなエッチン
グ工程においてもウエーハ強度が高いことは有利に作用
し、たとえ薄いウエーハであっても割れにくい。また、
変換効率を上げるためのテクスチャ処理と呼ばれるアル
カリによるエッチングも行われる。
ンウエーハであるため、これにn型の不純物を拡散する
ことによりpn接合を形成し、電極形成、反射防止膜の
形成を経て、太陽電池セルを作製する。
層、n型層をエピタキシャル成長により順次形成し、p
npn型のタンデム構造により、20%以上の変換効率
と出力電圧1.5Vが達成できる。
面からなるウエーハは、たとえ厚さを薄くしても十分に
デバイスや太陽電池を作製する工程に耐えることがで
き、これらの著しい製造コストダウンを図ることができ
る。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ハが半導体シリコンからなる場合を例に挙げて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、シリコン
以外の単結晶や化合物半導体についても適用が可能であ
り、本発明の範囲に含まれるものである。
は従来に比べてウエーハ厚さが薄くても、従来と同等に
デバイスプロセスに耐え得る単結晶ウエーハとなる。し
たがって、単結晶原料のロスを従来より著しく低減する
ことができ、またこのようなシリコンウエーハを利用す
ることにより、MIS型半導体装置、あるいは、製造コ
ストを低減することが大きな課題とされている太陽電池
セルを、低コストで提供することができる。
明図である。
めのラジアルラインスロットアンテナを用いた装置の一
例を示す図である。
エーハ表面酸化時の、Krを含有する酸化膜厚と酸化時
間の関係を示した図である。
求めた結果を示す図である。
3…基板、4…試料台、 5…同軸導波管、 6…ラジ
アルラインスロットアンテナ、7…誘電体板。
Claims (7)
- 【請求項1】 単結晶ウエーハの主表面が、単結晶の
[100]軸に対し、[011]方向にα(0°<α<
90°)、[01−1]方向にβ(0°<β<90
°)、[10−1]方向または[101]方向にγ(0
°≦γ<45°)の傾斜角度を有する面または該面と等
価な面であることを特徴とする単結晶ウエーハ。 - 【請求項2】 前記単結晶ウエーハが半導体シリコンか
らなることを特徴とする請求項1に記載された単結晶ウ
エーハ。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載された単
結晶ウエーハであって、ウエーハの厚さ(μm)/ウエ
ーハの直径(mm)≦3であることを特徴とする単結晶
ウエーハ。 - 【請求項4】 請求項2または請求項3に記載された単
結晶ウエーハの表面に絶縁膜を形成したものであること
を特徴とする単結晶ウエーハ。 - 【請求項5】 前記絶縁膜がKrを含有するシリコン酸
化膜であることを特徴とする請求項4に記載された単結
晶ウエーハ。 - 【請求項6】 前記絶縁膜がArまたはKr、および水
素を含有するシリコン窒化膜であることを特徴とする請
求項4に記載された単結晶ウエーハ。 - 【請求項7】 請求項1ないし請求項6のいずれか1項
に記載された単結晶ウエーハを用いて作製された太陽電
池セル。
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