JPS6265996A - 化合物半導体結晶層の製造方法 - Google Patents
化合物半導体結晶層の製造方法Info
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- JPS6265996A JPS6265996A JP20574885A JP20574885A JPS6265996A JP S6265996 A JPS6265996 A JP S6265996A JP 20574885 A JP20574885 A JP 20574885A JP 20574885 A JP20574885 A JP 20574885A JP S6265996 A JPS6265996 A JP S6265996A
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- semiconductor crystal
- plane
- crystal layer
- compound semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野］
本発明は、有機金属化学気相成長法（Ｍ ＯＣＶＤ法）
によりＩ ｒｌ−ｘ−ｖ Ｇａｘ Ａｆｆｉｖ Ｐ層を
成長形成する方法に係わり、特に半導体レーザを形成す
るのに好適する化合物半導体結晶層の製造方法に関する
。
によりＩ ｒｌ−ｘ−ｖ Ｇａｘ Ａｆｆｉｖ Ｐ層を
成長形成する方法に係わり、特に半導体レーザを形成す
るのに好適する化合物半導体結晶層の製造方法に関する
。
単結晶１ ｎＧａＡＲＰは■−Ｖ族化合物半導体の中で
も、短波長半導体発光素子を得るための重要な材料であ
る。この材料は、従来のＬＰＥ法やＶＰＥ法等の準平衡
下での成長方法では、Ａ℃の固相への偏析係数が極端に
大きいため事実上成長不可能である。そこで最近、平衡
状態より大きくずれた状態下での成長と考えられるＭＢ
Ｅ法やＭＯＣＶＤ法等により、上記化合物半導体を成長
する方法が検討されている。
も、短波長半導体発光素子を得るための重要な材料であ
る。この材料は、従来のＬＰＥ法やＶＰＥ法等の準平衡
下での成長方法では、Ａ℃の固相への偏析係数が極端に
大きいため事実上成長不可能である。そこで最近、平衡
状態より大きくずれた状態下での成長と考えられるＭＢ
Ｅ法やＭＯＣＶＤ法等により、上記化合物半導体を成長
する方法が検討されている。
ＭＯＣＶＤ法による単結晶
Ｉ ｎ＋−ｘ−ｙ Ｇａｘ Ａｊ２ｙ Ｐの成長として
は、各種報告されているが、いずれも良質の結晶を得る
程満足するものではない。そして、ＭＯＣＶＤ法により
ＩｎＧａＡＱＰを成長する際に特に問題となっているの
は、次のことである。即ち、良質な結晶を得るには高温
での結晶成長が望まれるが、特にＡＲの組成比が小さい
Ｉｒ１ＧａＡｆｉＰ或いはＩ ｎＧａＰでは成長温度が
高いときには良質な表面モホロジーが得らない。また、
良好な表面モホロジーとＰＬに代表される良好な結晶性
とを同時に得られる成長温度がＡｆｆの組成比により大
幅に異なることである。
は、各種報告されているが、いずれも良質の結晶を得る
程満足するものではない。そして、ＭＯＣＶＤ法により
ＩｎＧａＡＱＰを成長する際に特に問題となっているの
は、次のことである。即ち、良質な結晶を得るには高温
での結晶成長が望まれるが、特にＡＲの組成比が小さい
Ｉｒ１ＧａＡｆｉＰ或いはＩ ｎＧａＰでは成長温度が
高いときには良質な表面モホロジーが得らない。また、
良好な表面モホロジーとＰＬに代表される良好な結晶性
とを同時に得られる成長温度がＡｆｆの組成比により大
幅に異なることである。
ここで、半導体レーザの作成には、八２の組成が異なる
Ｉ ｎＧａＡＱＰでヘテロ接合を形成することが不可欠
である。しかし、Ａｊ２の組成比により成長温度が大き
く異なることから、上記へテロ接合を同一温度で連続し
て成長形成することはできない。従って、ＩｎＧａＡｇ
ＰｎＧａＡｇ−ザの作成にＭＯＣＶＤ法を適用しても実
用にならないのが現状である。
Ｉ ｎＧａＡＱＰでヘテロ接合を形成することが不可欠
である。しかし、Ａｊ２の組成比により成長温度が大き
く異なることから、上記へテロ接合を同一温度で連続し
て成長形成することはできない。従って、ＩｎＧａＡｇ
ＰｎＧａＡｇ−ザの作成にＭＯＣＶＤ法を適用しても実
用にならないのが現状である。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、良好な表面モホロジーと結晶性とを備
えるＩ ｎ １−Ｘ−Ｙ Ｇ ａｘ ＡρＹＰ結晶をＧ
ａＡａ基板に格子整合する全、Ｍ２組成に亙り同一の成
長温度にて制御性及び再現性良く成長することができ、
半導体レーザの作成等に極めて有効な化合物半導体結晶
層の製造方法を提供することにある。
とするところは、良好な表面モホロジーと結晶性とを備
えるＩ ｎ １−Ｘ−Ｙ Ｇ ａｘ ＡρＹＰ結晶をＧ
ａＡａ基板に格子整合する全、Ｍ２組成に亙り同一の成
長温度にて制御性及び再現性良く成長することができ、
半導体レーザの作成等に極めて有効な化合物半導体結晶
層の製造方法を提供することにある。
本発明の骨子は、ＭＯＣＶＤ法で成長する際に用いる原
料ガスの種類及びＧａＡＳ基板の面方位等を選択するこ
とにより、Ａ２の少ないｒ ｎｌ−ｘ−ｙ Ｇａｘ Ａ
ｆｆｉｙ Ｐ層の成長温度を上げることにある。
料ガスの種類及びＧａＡＳ基板の面方位等を選択するこ
とにより、Ａ２の少ないｒ ｎｌ−ｘ−ｙ Ｇａｘ Ａ
ｆｆｉｙ Ｐ層の成長温度を上げることにある。
本発明者等は、ＭＯＣＶＤ法で成長する際の原料として
メチル系有機金属であるＴＭＡ（１−リメチルアルミニ
ウム）、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、Ｔ〜１１（ト
リメトルインジウム）及びホスフィン（ＰＨ３）を用い
、ＧａＡｓ基板上にヘテロ接合を形成する種々の実験を
繰返した。この場合、前述した如くＡＱの組成により良
質な結晶を成長可能な基板温度が大幅に異なり良好なヘ
テロ接合を形成することは困難であった。しかし、本発
明者等の更なる鋭意研究及び実験によれば、Ａ２組成に
対する最適成長温度の範囲は絶対的なものではないこと
が判明し、以下の■〜■の条件下で、良好な表面モホロ
ジーと結晶性を有するｌ ｎＧａＡ之ＰＡＱテロ接合を
同一成長１度で成長可能であることが見出された。
メチル系有機金属であるＴＭＡ（１−リメチルアルミニ
ウム）、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、Ｔ〜１１（ト
リメトルインジウム）及びホスフィン（ＰＨ３）を用い
、ＧａＡｓ基板上にヘテロ接合を形成する種々の実験を
繰返した。この場合、前述した如くＡＱの組成により良
質な結晶を成長可能な基板温度が大幅に異なり良好なヘ
テロ接合を形成することは困難であった。しかし、本発
明者等の更なる鋭意研究及び実験によれば、Ａ２組成に
対する最適成長温度の範囲は絶対的なものではないこと
が判明し、以下の■〜■の条件下で、良好な表面モホロ
ジーと結晶性を有するｌ ｎＧａＡ之ＰＡＱテロ接合を
同一成長１度で成長可能であることが見出された。
■ ■族原料としてＴＭＡ、Ｔ〜ＩＧ、ＴＭＩを用いる
。
。
■ ｖＩＮ原料としてホスフィンを用いる。
■ ＧａＡＳ基板の表面を、（１００）面から＜０１１
）面及び（０１１）面の両方向に傾斜させる。
）面及び（０１１）面の両方向に傾斜させる。
ここで、ＡＮの組成の異なるＩ ｒｌＧａＡｆｌＰを同
一成長温度で連続的に成長できるのは、特にＡＱの組成
比の小さいＩ ｎＧａＡ、ｇＰの最適成長温度の上限が
上がり、ＡＱの組成比の大きいＩ ｎＧａＡＱＰの最適
成長温度の下限よりも高くなったからである。
一成長温度で連続的に成長できるのは、特にＡＱの組成
比の小さいＩ ｎＧａＡ、ｇＰの最適成長温度の上限が
上がり、ＡＱの組成比の大きいＩ ｎＧａＡＱＰの最適
成長温度の下限よりも高くなったからである。
本発明はこのような点に着目してなされたもので、Ｇａ
ＡＳＷ板上ニＭ ＯＣＶ Ｄ法によりＩ ｎ １−ｘ−
ｙ Ｇ ａｘ Ａ １ＹＰＩを成長形成する化合物半導
体結晶層の製造方法において、前記基板の表面の面方位
を（１００）面から（０１１）面及び（０１１）面の両
方向にそれぞれ傾斜させ、前記ＭＯＣＶＤ法により結晶
成長する際に■族原才斗としてメチル系有機金属を用い
、且つＶ族原料としてホスフィンを用いるようにした方
法である。
ＡＳＷ板上ニＭ ＯＣＶ Ｄ法によりＩ ｎ １−ｘ−
ｙ Ｇ ａｘ Ａ １ＹＰＩを成長形成する化合物半導
体結晶層の製造方法において、前記基板の表面の面方位
を（１００）面から（０１１）面及び（０１１）面の両
方向にそれぞれ傾斜させ、前記ＭＯＣＶＤ法により結晶
成長する際に■族原才斗としてメチル系有機金属を用い
、且つＶ族原料としてホスフィンを用いるようにした方
法である。
（発明の効果〕
本発明によれば、八２の全組成域に亙り、特にＡｆｆｉ
ｆｆ化の小さいＩ ｎ＋−ｘ−ｙ Ｇａｘ ＡＱ、ｙ
Ｐ層の最適成長温度の上限を上げることができる。この
ため、ＡＲ組成比の異なる Ｉｎ＋−ｘ−ｙＧａｘＡｇｖＰの各層を同一基板温度に
て連続的に成長することが可能となる。従って、ＧａＡ
Ｓ基板上にＡｆｆｉの組成比の異なる良質のＩ ｎＧａ
ＡｆｆＰ層を、制御性及び再現性良く成長することがで
き、その有用性は絶大である。この効果は、特にヘテロ
接合を有する半導体レーザの作成に極めて有効である。
ｆｆ化の小さいＩ ｎ＋−ｘ−ｙ Ｇａｘ ＡＱ、ｙ
Ｐ層の最適成長温度の上限を上げることができる。この
ため、ＡＲ組成比の異なる Ｉｎ＋−ｘ−ｙＧａｘＡｇｖＰの各層を同一基板温度に
て連続的に成長することが可能となる。従って、ＧａＡ
Ｓ基板上にＡｆｆｉの組成比の異なる良質のＩ ｎＧａ
ＡｆｆＰ層を、制御性及び再現性良く成長することがで
き、その有用性は絶大である。この効果は、特にヘテロ
接合を有する半導体レーザの作成に極めて有効である。
即ち、活性層の両側界面における良好な結晶性と平坦性
を同時に達成でき、光とキャリアの損失が橿めて小さい
レーザを作成することが可能となる。 ・〔
発明の実施例〕 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
を同時に達成でき、光とキャリアの損失が橿めて小さい
レーザを作成することが可能となる。 ・〔
発明の実施例〕 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した成長装置を示
す概略構成図である。図中１１は石英製の反応管であり
、この反応管１１内にはガス導入口１２から原料ガスが
導入される。そして、反応管１１内のガスはガス排気口
１３から排気されるものとなっている。反応管１１内に
はカーボン製のサセプタ１４が配置されており、試料基
板１５はこのサセプタ１４上に載置される。また、サセ
プタ１４は、高周波コイル１６により誘導加熱されるも
のとなっている。
す概略構成図である。図中１１は石英製の反応管であり
、この反応管１１内にはガス導入口１２から原料ガスが
導入される。そして、反応管１１内のガスはガス排気口
１３から排気されるものとなっている。反応管１１内に
はカーボン製のサセプタ１４が配置されており、試料基
板１５はこのサセプタ１４上に載置される。また、サセ
プタ１４は、高周波コイル１６により誘導加熱されるも
のとなっている。
次に、上記装置を用いた結晶成長方法について説明する
。
。
まず、化学エツチングによって表面清浄化したＧａＡＳ
基板１５を前記サセプタ１４上に載置する。ガス導入口
１２から高純度水素を毎分２．５［βコ導入し、反応管
１１内の大気を置換する。
基板１５を前記サセプタ１４上に載置する。ガス導入口
１２から高純度水素を毎分２．５［βコ導入し、反応管
１１内の大気を置換する。
次いで、ガス排気口１３をロータリーポンプに接続し、
反応管１１内を減圧し、内部の圧力を２０〜３００ ［
ｔｏｒｒ］の範囲に設定する。その後、ガス導入口１２
から１０［％１アルシンガスを毎分５０［ｃｊＩ３］導
入し、高周波コイル１６によりサセプタ１４及び基板１
５を加熱し、基板温度７００ ［’Ｃ］で１時間保持し
て基板の清浄化を行う。
反応管１１内を減圧し、内部の圧力を２０〜３００ ［
ｔｏｒｒ］の範囲に設定する。その後、ガス導入口１２
から１０［％１アルシンガスを毎分５０［ｃｊＩ３］導
入し、高周波コイル１６によりサセプタ１４及び基板１
５を加熱し、基板温度７００ ［’Ｃ］で１時間保持し
て基板の清浄化を行う。
次いで、アルシンの導入を停止し、続いてホスフィンの
導入を開始した後、反応管１１内のアルシンを十分置換
するために１秒程度の間をおき、予め所定の混合比に調
整したＴ Ｍ△、ＴＭＧ。
導入を開始した後、反応管１１内のアルシンを十分置換
するために１秒程度の間をおき、予め所定の混合比に調
整したＴ Ｍ△、ＴＭＧ。
ＴＭＩを導入して成長を行う。なお、このとき、ドーピ
ング原料としてジメチル亜鉛（ＤＭＺ）或いはぜレン化
水素（Ｈ２Ｓｅ）を同時に導入する。
ング原料としてジメチル亜鉛（ＤＭＺ）或いはぜレン化
水素（Ｈ２Ｓｅ）を同時に導入する。
なお、この際に用いたＧａＡＳ基板表面の面方位トシテ
ハ、（１００）面から（０１１）面及び（０１１）面の
両方向にそれぞれ１度傾けたものと、比較例として（１
００）面のものとを用いた。
ハ、（１００）面から（０１１）面及び（０１１）面の
両方向にそれぞれ１度傾けたものと、比較例として（１
００）面のものとを用いた。
第２図及び第３図は、このような手順にて成長したＩ
ｎＧａＡλＰについて良好な表面モホロジ°−が１ａら
れる成長温度範囲を斜線にて示したものである。第２図
は基板面方位が（１００）面から（０１１）面及び（０
１１）面の両方向に傾けたＧａＡＳ基板を用いた場合で
あり、第３図は基板面方位が（１００）面であるＧａＡ
ｓ基板上に成長した場合である。
ｎＧａＡλＰについて良好な表面モホロジ°−が１ａら
れる成長温度範囲を斜線にて示したものである。第２図
は基板面方位が（１００）面から（０１１）面及び（０
１１）面の両方向に傾けたＧａＡＳ基板を用いた場合で
あり、第３図は基板面方位が（１００）面であるＧａＡ
ｓ基板上に成長した場合である。
基板面方位が（１００）の場合に良好な表面モホロジー
が得られる成長温度範囲は、第３図に示す如＜ＡＲ組成
［Ａｆｆｉ］／ （［Ａｆｆ］ ＋［Ｉ ｎ］ ）が０
．１以下のときは５５０［℃］から６５０［°Ｃ］の間
であり、０．２５以上の、Ｍ２組成に対しては６６０
［℃］以上である。従って、例えば半導体レーザ用とし
て要求されるそれぞれのＡＱ。
が得られる成長温度範囲は、第３図に示す如＜ＡＲ組成
［Ａｆｆｉ］／ （［Ａｆｆ］ ＋［Ｉ ｎ］ ）が０
．１以下のときは５５０［℃］から６５０［°Ｃ］の間
であり、０．２５以上の、Ｍ２組成に対しては６６０
［℃］以上である。従って、例えば半導体レーザ用とし
て要求されるそれぞれのＡＱ。
組成が０．０５と０．５であるヘテロ接合を同一温度に
て連続的に成長することは不可能である。
て連続的に成長することは不可能である。
これに対し本実施例のように、基板面方位を前記した如
く傾けたものでは、第２図に示す如く６７５ ［℃］か
ら７００ ［℃］の成長温度範囲にて、ＩｎＧａＰから
ＩｎＡｆｆｉＰまでのＧａＡｓＷ板に格子整合する全Ａ
２組成に亙り良好な表面モホロジーを有する結晶を成長
可能であった。つまり、上記したへ２組成が０．０５と
０．５であるヘテロ接合を、同一温度にて連続的に成長
することが可能となる。
く傾けたものでは、第２図に示す如く６７５ ［℃］か
ら７００ ［℃］の成長温度範囲にて、ＩｎＧａＰから
ＩｎＡｆｆｉＰまでのＧａＡｓＷ板に格子整合する全Ａ
２組成に亙り良好な表面モホロジーを有する結晶を成長
可能であった。つまり、上記したへ２組成が０．０５と
０．５であるヘテロ接合を、同一温度にて連続的に成長
することが可能となる。
このように本実施例方法によれば、■族原料としてＩＭ
Ａ、ＴＭＧ、ＴＭＩを用いると共にＶ族原料としてボス
フィンを用い、ＧａＡＳ基板表面の面方位を（１００）
面から（０１１）而及び（０１１）面の両方向にそれぞ
れ１度傾けたちのを用いることにより、ＡＮの組成の小
さいＩ ｎＧａＡＱＰの最適成長温度（良好な表面モホ
ロジーが得られる成長温度）の上限を、ＡＲの組成比が
大きなＩ ｎＧａＡｆｉＰの最適成長温度の下限よりも
高くすることができる。このため、ＡＲの組成比の異な
るＩｎＧａＡｎＰＩｉをＧａＡＳ基板上に同一の成長温
度で連続して成長形成することができる。従って、Ｉ
ｎＧａＡＱＰの良好なヘテロ接合を形成することが可能
となり、半導体レーザの製造等に極めて有効である。ま
た、Ａ之の組成比の小さいＩ ｎＧａＡＲＰ層について
は、従来よりも高い温度での成長が可能となるので、該
層の結晶性の向上をはかり得る等の利点がある。
Ａ、ＴＭＧ、ＴＭＩを用いると共にＶ族原料としてボス
フィンを用い、ＧａＡＳ基板表面の面方位を（１００）
面から（０１１）而及び（０１１）面の両方向にそれぞ
れ１度傾けたちのを用いることにより、ＡＮの組成の小
さいＩ ｎＧａＡＱＰの最適成長温度（良好な表面モホ
ロジーが得られる成長温度）の上限を、ＡＲの組成比が
大きなＩ ｎＧａＡｆｉＰの最適成長温度の下限よりも
高くすることができる。このため、ＡＲの組成比の異な
るＩｎＧａＡｎＰＩｉをＧａＡＳ基板上に同一の成長温
度で連続して成長形成することができる。従って、Ｉ
ｎＧａＡＱＰの良好なヘテロ接合を形成することが可能
となり、半導体レーザの製造等に極めて有効である。ま
た、Ａ之の組成比の小さいＩ ｎＧａＡＲＰ層について
は、従来よりも高い温度での成長が可能となるので、該
層の結晶性の向上をはかり得る等の利点がある。
また、本発明者等は上記の実施例方法により、以下のよ
うにして半導体レーデを作成したところ、極めて良好な
結果が得られた。即ち、（１００）面から（０１１）面
及び（０１１）面の両方向にそれぞれ１度傾斜した面を
持つキャリア濃度３ｘ１０１８ ［ｎ’コのＳ１ドープ
ＧａＡＳ基板上に、基板温度７００ Ｃ’Ｃ］ 、反応
管内圧カフ６［ｔｏｒｒ］にて、前記手法により膜厚０
．５［μｍ］、キャリア１度１Ｘ１０１８［α“３］の
ＳｅドープＧａＡＳバッファ層、膜厚１．０［μｍ］、
キャリア濃度ｌｘ １０” ［ｃｍ’ ］のＳｅドー
プＡ Ｑｎ、ｔｓＧ ａｏ、２ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐク
ラッド層、膜厚０．１ ［μｍ］のアンドープＧ ａｏ
、ｓ Ｉ ｎｎ、＊ Ｐ活性層、膜厚１．０［μｍ］、
キャリア濃度８Ｘ１０１Ｔ ［ｃｚ−コ］のＺｎドープ
Ａ ｆ２ｏ、２５Ｇ ａｏ、ｚｒｌ ｎｏ、ｓ Ｐクラ
ッド層、膜厚０．５［μｍ］、キャリア濃度３ｘ １０
” ［ｃｍ’ ］のコンタクト層を順次形成し、レー
ザ用ダブルへテロウェハを作成した。その襖、Ｓ ｉ
０２による電流狭窄レーザを試作したところ、キャビテ
ィ長２００［μｍ］、ストライブ幅２０［μＴｒＬ１の
とき室温での発振８＠電流及び電流密度として、それぞ
れ２４０［ｍＡコ、６ ［ＫＡ／（Ｊ２コが得られた。
うにして半導体レーデを作成したところ、極めて良好な
結果が得られた。即ち、（１００）面から（０１１）面
及び（０１１）面の両方向にそれぞれ１度傾斜した面を
持つキャリア濃度３ｘ１０１８ ［ｎ’コのＳ１ドープ
ＧａＡＳ基板上に、基板温度７００ Ｃ’Ｃ］ 、反応
管内圧カフ６［ｔｏｒｒ］にて、前記手法により膜厚０
．５［μｍ］、キャリア１度１Ｘ１０１８［α“３］の
ＳｅドープＧａＡＳバッファ層、膜厚１．０［μｍ］、
キャリア濃度ｌｘ １０” ［ｃｍ’ ］のＳｅドー
プＡ Ｑｎ、ｔｓＧ ａｏ、２ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐク
ラッド層、膜厚０．１ ［μｍ］のアンドープＧ ａｏ
、ｓ Ｉ ｎｎ、＊ Ｐ活性層、膜厚１．０［μｍ］、
キャリア濃度８Ｘ１０１Ｔ ［ｃｚ−コ］のＺｎドープ
Ａ ｆ２ｏ、２５Ｇ ａｏ、ｚｒｌ ｎｏ、ｓ Ｐクラ
ッド層、膜厚０．５［μｍ］、キャリア濃度３ｘ １０
” ［ｃｍ’ ］のコンタクト層を順次形成し、レー
ザ用ダブルへテロウェハを作成した。その襖、Ｓ ｉ
０２による電流狭窄レーザを試作したところ、キャビテ
ィ長２００［μｍ］、ストライブ幅２０［μＴｒＬ１の
とき室温での発振８＠電流及び電流密度として、それぞ
れ２４０［ｍＡコ、６ ［ＫＡ／（Ｊ２コが得られた。
この結果は、ＡｆｆｉＧａ ［ｎＰを使用した半導体レ
ーザとしては、最も浸れたものであり、このことからも
本発明の有用性は証明された。
ーザとしては、最も浸れたものであり、このことからも
本発明の有用性は証明された。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。例えば、前記基板の面方位の傾き角は、（０１
１）面及び（０１１）面の両方向にそれぞれ０．５〜４
度の範囲であればよい。ここで、傾ぎ角が０．５度より
小さいと、前述した効果は期待できないし、ざらに０．
５度以下の精度で面方位を傾けることは実質的に困難で
ある。
はない。例えば、前記基板の面方位の傾き角は、（０１
１）面及び（０１１）面の両方向にそれぞれ０．５〜４
度の範囲であればよい。ここで、傾ぎ角が０．５度より
小さいと、前述した効果は期待できないし、ざらに０．
５度以下の精度で面方位を傾けることは実質的に困難で
ある。
また、上記傾き角を４度以上とすると、成長結晶表面が
波打ったものとなり、良質の成長層を得ることはできな
い。さらに、上記傾斜角は（０１１）面及び（０１１）
面に対し同じ角度であるのが最も有効であった。また、
反応管内の圧力は２０〜３００ ［ｔｏｒｒ］の範囲で
有効であった。また、前記成長装置は第１図に何等限定
されるものではなく、基数１ＪＬＩ熱手段、ガス導入手
段及びガス排気手回等を備えて、ＭＯＣＶＤ法を実施で
きるものであればよい。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができる。
波打ったものとなり、良質の成長層を得ることはできな
い。さらに、上記傾斜角は（０１１）面及び（０１１）
面に対し同じ角度であるのが最も有効であった。また、
反応管内の圧力は２０〜３００ ［ｔｏｒｒ］の範囲で
有効であった。また、前記成長装置は第１図に何等限定
されるものではなく、基数１ＪＬＩ熱手段、ガス導入手
段及びガス排気手回等を備えて、ＭＯＣＶＤ法を実施で
きるものであればよい。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した成長装置を示
す概略構成図、第２図及び第３図はそれぞれＡｆｆｉ組
成に対する成長温度の範囲を示す特性図であり、第２図
は実施例の場合を、第３図は比較例の場合を示している
。 １１・・・反応管、１２・・・ガス導入口、１３・・・
ガス排気口、１４・・・サセプタ、１５・・・試料基板
、１６・・・高周波コイル。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ 口 Ｔ９［’Ｃ］ 第２図 Ｔ９［’Ｃ］ 第３図
す概略構成図、第２図及び第３図はそれぞれＡｆｆｉ組
成に対する成長温度の範囲を示す特性図であり、第２図
は実施例の場合を、第３図は比較例の場合を示している
。 １１・・・反応管、１２・・・ガス導入口、１３・・・
ガス排気口、１４・・・サセプタ、１５・・・試料基板
、１６・・・高周波コイル。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ 口 Ｔ９［’Ｃ］ 第２図 Ｔ９［’Ｃ］ 第３図
Claims (4)
- （１）ＧａＡｓ基板上に有機金属化学気相成長法により
Ｉｎ＿１＿−＿Ｘ＿−＿ＹＧａ＿ＸＡｌ＿ＹＰ層（０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を成長形成する化合物半導体結晶
層の製造方法において、前記基板の表面の面方位を（１
００）面から（０１１）面及び（０１１）面の両方向に
それぞれ傾斜させ、前記有機金属化学気相成長法により
結晶成長する際にIII族原料としてメチル系有機金属を
用い、且つＶ族原料としてホスフィンを用いたことを特
徴とする化合物半導体結晶層の製造方法。 - （２）前記III族原料として、トリメチルアルミニウム
、トリメチルガリウム及びトリメチルインジウムを用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物
半導体結晶層の製造方法。 - （３）前記基板表面の傾斜角を、それぞれ０．５〜４度
の角度に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の化合物半導体結晶層の製造方法。 - （４）前記基板表面の傾斜角は、（０１１）面に対する
傾斜角と及び（０１１）面に対する傾斜角とが略等しい
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第３項記載の化合物半導体結晶層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20574885A JPS6265996A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 化合物半導体結晶層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20574885A JPS6265996A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 化合物半導体結晶層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265996A true JPS6265996A (ja) | 1987-03-25 |
Family
ID=16512001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20574885A Pending JPS6265996A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 化合物半導体結晶層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265996A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02239188A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-21 | Nippon Mining Co Ltd | エピタキシャル成長方法 |
| WO2002005335A1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Single crystal wafer and solar battery cell |
| JP2009018983A (ja) * | 2007-06-14 | 2009-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置、およびＧａＮ基板の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP20574885A patent/JPS6265996A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02239188A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-21 | Nippon Mining Co Ltd | エピタキシャル成長方法 |
| WO2002005335A1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Single crystal wafer and solar battery cell |
| US7459720B2 (en) | 2000-07-10 | 2008-12-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal wafer and solar battery cell |
| JP2009018983A (ja) * | 2007-06-14 | 2009-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置、およびＧａＮ基板の製造方法 |
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