JPH08760B2 - シリコンウェーハの品質検査方法 - Google Patents
シリコンウェーハの品質検査方法Info
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- JPH08760B2 JPH08760B2 JP3074733A JP7473391A JPH08760B2 JP H08760 B2 JPH08760 B2 JP H08760B2 JP 3074733 A JP3074733 A JP 3074733A JP 7473391 A JP7473391 A JP 7473391A JP H08760 B2 JPH08760 B2 JP H08760B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの品
質検査方法に関し、より詳しくはチョクラルスキー（Ｃ
Ｚ）法もしくはフロートゾーン（ＦＺ）法でシリコン融
液から育成されたシリコン半導体単結晶棒中の点欠陥の
一種であるＤ欠陥の評価をする検査方法に関する。
質検査方法に関し、より詳しくはチョクラルスキー（Ｃ
Ｚ）法もしくはフロートゾーン（ＦＺ）法でシリコン融
液から育成されたシリコン半導体単結晶棒中の点欠陥の
一種であるＤ欠陥の評価をする検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チョクラルスキー法もしくはフロ
ートゾーン引き上げ法によりシリコン半導体単結晶棒を
引上げた後、シリコン半導体単結晶棒の品質を評価する
手段としてそれらをポリッシュドウェーハ（ＰＷウェー
ハ）に加工した後、シリコンウェーハ表面を１１００℃
から１２００℃の間でスチーム蒸気中で酸化し、室温に
冷却しフッ酸で酸化膜を除去した後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 と
フッ酸と水の混合液で該ウェーハ表面を選択的に２分間
ほどエッチングする評価が行われてきた。この方法はシ
リコンウェーハ上にデバイスを形成するのとほぼ同等な
熱処理シミュレーションができ、デバイス作成時にウェ
ーハ中に酸化誘起積層欠陥が生成しないかどうかを検査
することができるために重要な検査技術であるとされて
きた。
ートゾーン引き上げ法によりシリコン半導体単結晶棒を
引上げた後、シリコン半導体単結晶棒の品質を評価する
手段としてそれらをポリッシュドウェーハ（ＰＷウェー
ハ）に加工した後、シリコンウェーハ表面を１１００℃
から１２００℃の間でスチーム蒸気中で酸化し、室温に
冷却しフッ酸で酸化膜を除去した後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 と
フッ酸と水の混合液で該ウェーハ表面を選択的に２分間
ほどエッチングする評価が行われてきた。この方法はシ
リコンウェーハ上にデバイスを形成するのとほぼ同等な
熱処理シミュレーションができ、デバイス作成時にウェ
ーハ中に酸化誘起積層欠陥が生成しないかどうかを検査
することができるために重要な検査技術であるとされて
きた。
【０００３】一方では、シリコン単結晶棒を育成するに
あたり点欠陥の集合体が導入されること事が知られてい
る（参考文献（１）阿部孝夫：応用物理５９（１９９
０）ｐ２７２）。なかでもよく知られているものとし
て、格子間シリコンの集合体と考えられているＡ欠陥お
よび空孔型格子欠陥の集合体と考えられているＤ欠陥が
ある。かかる点欠陥の集合体はデバイス作成時に酸化誘
起積層欠陥（ＯＳＦ）の原因となると考えられておりそ
の評価方法が必要とされてきた。先に述べた熱処理を伴
う結晶性評価における問題点として、酸化誘起積層欠陥
でないとその評価ができず、結晶育成過程における点欠
陥の集合体を直接には検査できないこと、さらにその評
価工程に多大な時間が必要とされること、および、評価
に要する施設そのものに高価なものが必要とされること
があった。かかる点欠陥の集合体を評価する手段として
従来銅デコレーション法が採用されてきた。この方法
は、あらかじめ硝酸銅水溶液をシリコンウェーハ表面に
塗布した後１０００℃で数時間シンタリングし点欠陥の
集合体に銅をデコレートさせるものである。
あたり点欠陥の集合体が導入されること事が知られてい
る（参考文献（１）阿部孝夫：応用物理５９（１９９
０）ｐ２７２）。なかでもよく知られているものとし
て、格子間シリコンの集合体と考えられているＡ欠陥お
よび空孔型格子欠陥の集合体と考えられているＤ欠陥が
ある。かかる点欠陥の集合体はデバイス作成時に酸化誘
起積層欠陥（ＯＳＦ）の原因となると考えられておりそ
の評価方法が必要とされてきた。先に述べた熱処理を伴
う結晶性評価における問題点として、酸化誘起積層欠陥
でないとその評価ができず、結晶育成過程における点欠
陥の集合体を直接には検査できないこと、さらにその評
価工程に多大な時間が必要とされること、および、評価
に要する施設そのものに高価なものが必要とされること
があった。かかる点欠陥の集合体を評価する手段として
従来銅デコレーション法が採用されてきた。この方法
は、あらかじめ硝酸銅水溶液をシリコンウェーハ表面に
塗布した後１０００℃で数時間シンタリングし点欠陥の
集合体に銅をデコレートさせるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の銅デ
コレーション法によるかかる点欠陥の集合体の評価の問
題点として、熱処理をする必要があること、さらに
処理過程において格子欠陥そのものが変質する可能性が
あり、破壊検査であり、かつ、処理時間が長いこと、
評価に要する設備に高価なものが必要とされること、が
あった。
コレーション法によるかかる点欠陥の集合体の評価の問
題点として、熱処理をする必要があること、さらに
処理過程において格子欠陥そのものが変質する可能性が
あり、破壊検査であり、かつ、処理時間が長いこと、
評価に要する設備に高価なものが必要とされること、が
あった。
【０００５】本発明は上記の点を解決しようとするもの
で、その目的はシリコン半導体単結晶成長後に切出すウ
ェーハを使用して迅速かつ安価に点欠陥の集合体の評価
を行える手法を提供することにある。
で、その目的はシリコン半導体単結晶成長後に切出すウ
ェーハを使用して迅速かつ安価に点欠陥の集合体の評価
を行える手法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコンウェー
ハの品質評価方法は、チョクラルスキー法もしくはフロ
ートゾーン引き上げ法によりシリコン半導体単結晶棒を
引き上げた後、かかる単結晶棒を所定の厚さをもつウェ
ーハに切出し、該ウェーハの表面をフッ酸と硝酸の混合
液で表面をエッチングして歪を除去した後、Ｋ2 Ｃｒ2
Ｏ7 とフッ酸と水の混合液中でその表面を選択的にエッ
チングし、その表面に現れたさざ波模様の個数をカウン
トし格子欠陥の結晶評価をすることを特徴とする。
ハの品質評価方法は、チョクラルスキー法もしくはフロ
ートゾーン引き上げ法によりシリコン半導体単結晶棒を
引き上げた後、かかる単結晶棒を所定の厚さをもつウェ
ーハに切出し、該ウェーハの表面をフッ酸と硝酸の混合
液で表面をエッチングして歪を除去した後、Ｋ2 Ｃｒ2
Ｏ7 とフッ酸と水の混合液中でその表面を選択的にエッ
チングし、その表面に現れたさざ波模様の個数をカウン
トし格子欠陥の結晶評価をすることを特徴とする。
【０００７】本発明の評価方法において、ウェーハの厚
さは０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下が望ましく、またフッ酸
と硝酸の比率は表面を平滑にエッチングするには１：３
ほどのものが良い。
さは０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下が望ましく、またフッ酸
と硝酸の比率は表面を平滑にエッチングするには１：３
ほどのものが良い。
【０００８】また、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の混合
液中でのウェーハの選択的エッチングは常温において１
０分以上６０分以下の時間前記混合液中に浸漬する事に
より行うのが望ましい。
液中でのウェーハの選択的エッチングは常温において１
０分以上６０分以下の時間前記混合液中に浸漬する事に
より行うのが望ましい。
【０００９】Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の混合液とし
てはＳＥＣＣＯ液（Ｆ．ＳｅｃｃｏＤ’Ａｒａｇｏｎ
ａ；Ｊ，Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１９（１
９７２）９４８）がよく知られており、その組成は０．
１５ｍｏｌのＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 を溶かした水と４９％のフ
ッ酸を１：２の体積比となるようにしたものである。Ｓ
ＥＣＣＯ液は熱処理後の酸化誘起積層欠陥を選択エッチ
ングすることにより線状の欠陥像としてみたり、インゴ
ット育成中に入ったスリップ転位を見るなどに使用され
てきた。しかし、本発明におけるウェーハ上のさざ波模
様を見ることは知られていなかった。
てはＳＥＣＣＯ液（Ｆ．ＳｅｃｃｏＤ’Ａｒａｇｏｎ
ａ；Ｊ，Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１９（１
９７２）９４８）がよく知られており、その組成は０．
１５ｍｏｌのＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 を溶かした水と４９％のフ
ッ酸を１：２の体積比となるようにしたものである。Ｓ
ＥＣＣＯ液は熱処理後の酸化誘起積層欠陥を選択エッチ
ングすることにより線状の欠陥像としてみたり、インゴ
ット育成中に入ったスリップ転位を見るなどに使用され
てきた。しかし、本発明におけるウェーハ上のさざ波模
様を見ることは知られていなかった。
【００１０】成長直後のシリコン半導体単結晶棒からウ
ェーハを切出しフッ酸と硝酸の混合液で表面をミラーエ
ッチングした後、さらにＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の
混合液で表面をエッチングするとさざ波模様１の先端に
小さいピット２が見えるが、このさざ波模様はこのピッ
ト部において水素等のガスが化学反応により生じやす
く、ガスが上方に逃れる時にエッチングむらが生じるこ
とによりできるものである。このことは、ウェーハを溶
液中に立てた時の鉛直方向の上方にさざ波模様が広がる
ことからもいえる。したがって、このさざ波模様は、結
晶が本来もっているある種の結晶欠陥に起因したもので
あると考えられる。
ェーハを切出しフッ酸と硝酸の混合液で表面をミラーエ
ッチングした後、さらにＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の
混合液で表面をエッチングするとさざ波模様１の先端に
小さいピット２が見えるが、このさざ波模様はこのピッ
ト部において水素等のガスが化学反応により生じやす
く、ガスが上方に逃れる時にエッチングむらが生じるこ
とによりできるものである。このことは、ウェーハを溶
液中に立てた時の鉛直方向の上方にさざ波模様が広がる
ことからもいえる。したがって、このさざ波模様は、結
晶が本来もっているある種の結晶欠陥に起因したもので
あると考えられる。
【００１１】上記評価手段によりあらかじめＤ欠陥とＡ
欠陥が現れるようなシリコン半導体単結晶棒を成長させ
た後、かかるインゴットよりシリコンウェーハを切出し
表面の歪層をフッ酸と硝酸の混合溶液でエッチングして
取除いた後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の混合液によ
り、かかるさざ波模様の密度差をウェーハの表面の場所
毎にもつことを調べておいた後、かかるウェーハそのも
のからエッチングにより表面のＫ2 Ｃｒ2Ｏ7 付着層を
取除き、硝酸銅５％溶液中に５分間浸漬し、次いで１０
００℃に保持した均熱炉中で銅をデコレートし室温に冷
却後Ｘ線トポグラフ法で両者について良い相関があるこ
とから実際にＰＷウェーハを作成して銅デコレーション
することなしに点欠陥の集合体の評価をすることができ
る。
欠陥が現れるようなシリコン半導体単結晶棒を成長させ
た後、かかるインゴットよりシリコンウェーハを切出し
表面の歪層をフッ酸と硝酸の混合溶液でエッチングして
取除いた後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の混合液によ
り、かかるさざ波模様の密度差をウェーハの表面の場所
毎にもつことを調べておいた後、かかるウェーハそのも
のからエッチングにより表面のＫ2 Ｃｒ2Ｏ7 付着層を
取除き、硝酸銅５％溶液中に５分間浸漬し、次いで１０
００℃に保持した均熱炉中で銅をデコレートし室温に冷
却後Ｘ線トポグラフ法で両者について良い相関があるこ
とから実際にＰＷウェーハを作成して銅デコレーション
することなしに点欠陥の集合体の評価をすることができ
る。
【００１２】
【作用】成長直後のシリコン半導体結晶棒からウェーハ
を切出し、表面の歪層をフッ酸と硝酸の混合溶液でエッ
チングして取除いた後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の
混合液によりピットおよびさざ波模様を生じさせ、その
ピットとさざ波模様の密度を調べ、かかるピットとさざ
波模様との密度と点欠陥の集合体の相関関係を利用する
ことにより点欠陥の集合体の評価を行う。
を切出し、表面の歪層をフッ酸と硝酸の混合溶液でエッ
チングして取除いた後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の
混合液によりピットおよびさざ波模様を生じさせ、その
ピットとさざ波模様の密度を調べ、かかるピットとさざ
波模様との密度と点欠陥の集合体の相関関係を利用する
ことにより点欠陥の集合体の評価を行う。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。ＣＺ法及びＦＺ法により直径１３０ｍ
ｍのシリコン半導体単結晶棒を複数本引き上げた。
詳細に説明する。ＣＺ法及びＦＺ法により直径１３０ｍ
ｍのシリコン半導体単結晶棒を複数本引き上げた。
【００１４】ＣＺ法には直径４５ｃｍの石英ルツボ中に
ボロンをドープし電気抵抗率が１０オームｃｍとなるよ
うに調整した。引き上げた単結晶棒の引き上げ方位はす
べて＜１００＞であった。ＣＺ法でシリコン半導体単結
晶棒を引き上げる際に、点欠陥の集合体の現れ方を振る
ために、引き上げ速度を１．３ｍｍ／ｍｉｎから急に
０．２ｍｍ／ｍｉｎまで落とし５ｃｍ結晶を引き上げた
後、再び引き上げ速度を１．３ｍｍ／ｍｉｎに戻した。
かかる操作をすることによりシリコン単結晶棒中に点欠
陥の集合体が生じる事は既に報告されている（上記参考
文献（１））。
ボロンをドープし電気抵抗率が１０オームｃｍとなるよ
うに調整した。引き上げた単結晶棒の引き上げ方位はす
べて＜１００＞であった。ＣＺ法でシリコン半導体単結
晶棒を引き上げる際に、点欠陥の集合体の現れ方を振る
ために、引き上げ速度を１．３ｍｍ／ｍｉｎから急に
０．２ｍｍ／ｍｉｎまで落とし５ｃｍ結晶を引き上げた
後、再び引き上げ速度を１．３ｍｍ／ｍｉｎに戻した。
かかる操作をすることによりシリコン単結晶棒中に点欠
陥の集合体が生じる事は既に報告されている（上記参考
文献（１））。
【００１５】また、ＦＺ法には引き上げ速度２．６ｍｍ
／ｍｉｎで引き上げ方位＜１００＞のシリコン単結晶棒
をＢドープで成長させた。かかる引き上げ条件では点欠
陥の集合体が現れる事が既に知られている（上記参考文
献（１））。
／ｍｉｎで引き上げ方位＜１００＞のシリコン単結晶棒
をＢドープで成長させた。かかる引き上げ条件では点欠
陥の集合体が現れる事が既に知られている（上記参考文
献（１））。
【００１６】引き上がったシリコン半導体単結晶棒中よ
り１ｍｍ厚さのシリコンウェーハをダイヤモンドソーに
より輪切りにし試料に供した。かかるシリコンウェーハ
を前述のフッ酸と硝酸の混合液によりミラーエッチング
し、よく純水で水洗した後、ＳＥＣＣＯ液で表面を１分
から６０分の間選択エッチングした。１０分以上エッチ
ングすることによりウェーハを溶液中に立てた鉛直方向
上方に広がる図１に示したようなさざ波模様が観察され
た。６０分以上エッチングするとさざ波模様が重なり合
い、その密度をカウントするのに不都合となることがわ
かった。ちょうどよいと考えられる３０分間かかる液で
エッチングを行ない、ハロゲンランプの集光灯下で写真
撮影を行なうことによりその全体的な分布を調べた。ま
た、この時の密度のカウントを光学顕微鏡により行っ
た。さらに、再度かかるシリコンウェーハ表面を前述の
フッ酸と硝酸の混合液によりミラーエッチし、よく純水
で水洗して表面に付着したＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 を取除いた
後、硝酸銅５％溶液中に５分間浸漬し、１０００℃に保
持した均熱炉中で銅をデコレートし室温に冷却後Ｘ線ト
ポグラフ法で点欠陥の集合体の位置を特定した。
り１ｍｍ厚さのシリコンウェーハをダイヤモンドソーに
より輪切りにし試料に供した。かかるシリコンウェーハ
を前述のフッ酸と硝酸の混合液によりミラーエッチング
し、よく純水で水洗した後、ＳＥＣＣＯ液で表面を１分
から６０分の間選択エッチングした。１０分以上エッチ
ングすることによりウェーハを溶液中に立てた鉛直方向
上方に広がる図１に示したようなさざ波模様が観察され
た。６０分以上エッチングするとさざ波模様が重なり合
い、その密度をカウントするのに不都合となることがわ
かった。ちょうどよいと考えられる３０分間かかる液で
エッチングを行ない、ハロゲンランプの集光灯下で写真
撮影を行なうことによりその全体的な分布を調べた。ま
た、この時の密度のカウントを光学顕微鏡により行っ
た。さらに、再度かかるシリコンウェーハ表面を前述の
フッ酸と硝酸の混合液によりミラーエッチし、よく純水
で水洗して表面に付着したＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 を取除いた
後、硝酸銅５％溶液中に５分間浸漬し、１０００℃に保
持した均熱炉中で銅をデコレートし室温に冷却後Ｘ線ト
ポグラフ法で点欠陥の集合体の位置を特定した。
【００１７】かかるＣＺウェーハに対するＫ2 Ｃｒ2 Ｏ
7 とフッ酸と水の混合液でエッチング後に写真撮影した
ものと銅デコレーション後のＸ線トポグラフ像を図２に
示した。Ｘ線トポグラフ上のＤ欠陥の領域ではさざ波模
様が生じてＤ欠陥として識別できることがわかった。結
晶成長速度と対比したものを図２に示した。図中ではさ
ざ波模様のカウントを密度で表した。結晶成長速度が
０．２ｍｍ／ｍｉｎではさざ波模様の密度は０個／ｃｍ
2 であるが、結晶成長速度が早くなるとさざ波模様の密
度が増大して行き、１．３ｍｍ／ｍｉｎの結晶成長速度
の領域ではさざ波模様の密度は約３０００個／ｃｍ2 に
なり、本発明の評価方法が有効となることがわかった。
7 とフッ酸と水の混合液でエッチング後に写真撮影した
ものと銅デコレーション後のＸ線トポグラフ像を図２に
示した。Ｘ線トポグラフ上のＤ欠陥の領域ではさざ波模
様が生じてＤ欠陥として識別できることがわかった。結
晶成長速度と対比したものを図２に示した。図中ではさ
ざ波模様のカウントを密度で表した。結晶成長速度が
０．２ｍｍ／ｍｉｎではさざ波模様の密度は０個／ｃｍ
2 であるが、結晶成長速度が早くなるとさざ波模様の密
度が増大して行き、１．３ｍｍ／ｍｉｎの結晶成長速度
の領域ではさざ波模様の密度は約３０００個／ｃｍ2 に
なり、本発明の評価方法が有効となることがわかった。
【００１８】ＦＺ法で作成したシリコンウェーハに対し
てもかかる評価法でさざ波模様が観察できた。その表面
密度は３０００個／ｃｍ2 となりＣＺウェーハよりも若
干密度が高いことがわかった。
てもかかる評価法でさざ波模様が観察できた。その表面
密度は３０００個／ｃｍ2 となりＣＺウェーハよりも若
干密度が高いことがわかった。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、チョクラルスキー法もしくはフロートゾーン法
でシリコン融液から育成されたシリコン半導体単結晶棒
よりＰＷウェーハを作成して銅デコレーションすること
なしに、すなわち、単結晶棒を所定の厚さを持つウェー
ハに切出し、その表面をフッ酸と硝酸の混合液でエッチ
ングして歪を除去後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の混
合液中で所定時間エッチングし、その表面に現れたさざ
波模様の個数をカウントするだけで、点欠陥の集合体の
評価をすることができる。
よれば、チョクラルスキー法もしくはフロートゾーン法
でシリコン融液から育成されたシリコン半導体単結晶棒
よりＰＷウェーハを作成して銅デコレーションすること
なしに、すなわち、単結晶棒を所定の厚さを持つウェー
ハに切出し、その表面をフッ酸と硝酸の混合液でエッチ
ングして歪を除去後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の混
合液中で所定時間エッチングし、その表面に現れたさざ
波模様の個数をカウントするだけで、点欠陥の集合体の
評価をすることができる。
【００２０】したがって、本発明によれば、ポリッシュ
ドウェーハを作成する手間や付随する評価工程に要する
時間、評価のための高価な設備等を要することなく、シ
リコン半導体単結晶成長後に切出しするウェーハを使用
して迅速かつ安価に点欠陥の集合体の評価をすることが
できる。
ドウェーハを作成する手間や付随する評価工程に要する
時間、評価のための高価な設備等を要することなく、シ
リコン半導体単結晶成長後に切出しするウェーハを使用
して迅速かつ安価に点欠陥の集合体の評価をすることが
できる。
【図１】シリコンウェーハをミラーエッチングしＳＥＣ
ＣＯ液でエッチングした時のシリコンウェーハ表面のさ
ざ波模様のスケッチである。
ＣＯ液でエッチングした時のシリコンウェーハ表面のさ
ざ波模様のスケッチである。
【図２】（ａ）は引上げ途中で引上げ速度を１．３ｍｍ
／ｍｉｎから０．２ｍｍ／ｍｉｎまで急減させ、さらに
１．３ｍｍ／ｍｉｎに戻した時のＣＺシリコン棒を成長
軸に平行に縦切りし、かかるウェーハをミラーエッチし
ＳＥＣＣＯ液でエッチングした時のシリコンウェーハ表
面のさざ波模様の密度（ＳＥＣＣＯエッチピット密度）
と結晶引き上げ速度との対比であり、（ｂ）は（ａ）で
エッチング後のシリコンウェーハをさらに表面のＫ2 Ｃ
ｒ2 Ｏ7をフッ酸と硝酸の混合液でエッチングし銅をデ
コレーションした時のＸ線トポグラフ像である。
／ｍｉｎから０．２ｍｍ／ｍｉｎまで急減させ、さらに
１．３ｍｍ／ｍｉｎに戻した時のＣＺシリコン棒を成長
軸に平行に縦切りし、かかるウェーハをミラーエッチし
ＳＥＣＣＯ液でエッチングした時のシリコンウェーハ表
面のさざ波模様の密度（ＳＥＣＣＯエッチピット密度）
と結晶引き上げ速度との対比であり、（ｂ）は（ａ）で
エッチング後のシリコンウェーハをさらに表面のＫ2 Ｃ
ｒ2 Ｏ7をフッ酸と硝酸の混合液でエッチングし銅をデ
コレーションした時のＸ線トポグラフ像である。
１ さざ波模様 ２ ピット
Claims (2)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法もしくはフロートゾ
ーン引き上げ法によりシリコン半導体単結晶棒を引き上
げた後、かかる単結晶棒を所定の厚さをもつウェーハに
切出し、該ウェーハの表面をフッ酸と硝酸の混合液で表
面をエッチングして歪を除去した後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 と
フッ酸と水の混合液中でその表面を選択的にエッチング
し、その表面に現れたさざ波模様の個数をカウントし格
子欠陥の結晶評価をすることを特徴とするシリコンウェ
ーハの品質検査方法。 - 【請求項２】 前記Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 とフッ酸と水の混合
液で前記歪を除去した単結晶ウェーハを１０分から６０
分間エッチングすることを特徴とする請求項１に記載の
シリコンウェーハの品質検査方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074733A JPH08760B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | シリコンウェーハの品質検査方法 |
| DE69224004T DE69224004T2 (de) | 1991-03-14 | 1992-03-03 | Verfahren zur Qualitätsprüfung von Silizium-Plättchen |
| EP92301792A EP0503814B1 (en) | 1991-03-14 | 1992-03-03 | Method for testing quality of silicon wafer |
| US07/850,916 US5386796A (en) | 1991-03-14 | 1992-03-13 | Method for testing quality of silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074733A JPH08760B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | シリコンウェーハの品質検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04285100A JPH04285100A (ja) | 1992-10-09 |
| JPH08760B2 true JPH08760B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=13555732
Family Applications (1)
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