JP2001520169A - 窒化ガリウムのエピタキシャル層の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウムのエピタキシャル層の製造方法Info
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Abstract
Description
方法により得られる窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層に関する。その
様な製法により、優れた品質を有する窒化ガリウム層を得ることができる。
たは高出力高周波数電子装置にも関連する。
。
が公知である。この一般的に使用される方法は、塩化物および水素化物蒸気相エ
ピタキシー(HVPE)である。サファイア基材またはサファイア上の厚さ20
0マイクロメートルのGaN層が使用されるが、これらの層は、オルガノメタリ
ック蒸気相エピタキシー(OMVPE)により製造される。しかし、サファイア
とGaNの間の結晶格子パラメータの不適合が大きいために、それらの層中に応
力が蓄積して亀裂が生じ、サファイア基材を除去できなくなる。あらゆる実験的
な試み(GaClによる成長の開始時におけるサファイアの表面処理、ZnO中
間層の蒸着)も、この問題を解決できていない。現在、比較的厚いGaN層は、
二重X線回折(DXD)線幅がせいぜい300arcsecのオーダーである、つまり
結晶学的品質が、OMVPEにより、または分子線エピタキシー(MBE)によ
り形成される層の品質を超えていない。
窒化物エピタキシーに理想的ではない(過度に高い格子不適合および熱膨脹係数
不適合、熱的不安定性)。
ら公知である。III-V窒化物を基材とするダイオードレーザーが製造されている
が、これらのレーザーの構造を構成する窒化物層の結晶品質は、非常に平均的で
ある。109〜1010cm-2の転位密度が測定されている。
欠陥、すなわち残留nが高いこと、単結晶および適当な基材が存在しないこと、
pドーピングが不可能であること、により、その様な層を備えたダイオードレー
ザーの開発が著しく遅れている。
文献は、マスク中に形成された開口部に局所的な窒化物が成長し、ピラミッド構
造を形成することを記載している。しかし、この文献は、平滑な窒化ガリウム層
の特徴的構造(features)または島(islands) の、合着(coalescence) による形成
は記載も示唆もしていない。
44, 133(1994) の文献は、サファイア基材上のOMVPEによる窒化ガリウムの
選択的な成長を記載しているが、その基材上には、薄い窒化ガリウム層を蒸着さ
せ、SiO2層でマスクしてエッチングし、窒化ガリウムの連続的な帯を形成し
ている。
横方向の成長も、成長の異方性も関与していない。
成長を局在化するためのマスクを使用し、局所的および横方向に成長させる方法
を記載している。平滑な層の実施例は、どの場合にも、窒化ガリウムに関連して
いない。これらの実施例は、GaAs基材上のGaAsホモエピタキシーおよび
InP基材上のInPホモエピタキシーを記載している。
性能特性を有する光電子装置(特にダイオードレーザー)を製造できる結晶層を
得ることである。
により基材を処理し、続いて窒化ガリウム自体を熱的にアニーリングすることに
より、事実上欠陥が無い窒化ガリウムの島が形成されることを見出だした。
層が得られる。
マスクとして機能する誘電体層を蒸着させ、エピタキシャル蒸着条件下で、マス
クされた基材上に窒化ガリウムを再成長させ、窒化ガリウムの特徴的構造の蒸着
および該特徴的構造の異方性および横方向成長を生じさせ、個々の特徴的構造が
合着するまで横方向成長を続行することを特徴とする方法に関する。「特徴的構
造」の代わりに、用語「島」も使用できる。
ル)であり、サファイア、ZnO、6HSiC、LiAlO2、LiGaO2お
よびMgAl2O4からなる群から選択することができる。基材は、窒化により
前処理しておくのが好ましい。
げられるが、他の良く知られている誘電体も使用できる。誘電体の蒸着は、窒化
ガリウム成長室中で、シランおよびアンモニアから行なう。
ダーにある被覆である。
な特徴的構造または島が形成される。従ってヘテロエピタキシャルひずみなしに
成長した規則的な特徴的構造または島の中のGaN転位密度は、高解像度電子顕
微鏡検査により、基材上への窒化ガリウムの直接蒸着により製造したものより、
はるかに少ない。そのため、誘電体表面上で[10 EMBED Equation.20]方向で横
方向に起こり、従ってサファイア基材とエピタキシャル関係にないGaN成長に
より、通常の製法よりもはるかに優れたGaN結晶品質が得られる。該特徴的構
造が得られた後、OMVPEまたはHVPEを使用して成長を続行させることが
できる。成長は、島の合着まで横方向に起こる。島の合着により得られるこれら
の表面は、サファイア上でヘテロエピタキシャル成長した層よりも優れた結晶品
質を示す。
℃で緩衝層を蒸着させ、その層からGaNが発生し、次いで、より高い温度(約
1000〜1100℃)で該特徴的構造からエピ層が成長する。
、基材の外に面した区域を露出させ、マスクおよびエッチングした基材上でエピ
タキシャル蒸着条件下で窒化ガリウムを再成長させ、外に面した区域における窒
化ガリウム特徴的構造の蒸着および該特徴的構造の異方性で横方向の成長を生じ
させ、横方向成長を個々の特徴的構造が合着するまで続行することを特徴とする
方法に関する。
ることを含んでなる、窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法で
あって、 −該薄い窒化ガリウム層上に誘電体層を蒸着させ、 −誘電体層をエッチングして開口部を設け、該薄い窒化ガリウム層の開口部区
域を露出させ、 −エピタキシャル成長し、マスクされ、エッチングされた基材上で、エピタキ
シャル蒸着条件下で、窒化ガリウムを再成長させ、外に面した区域における窒化
ガリウム特徴的構造の蒸着および該特徴的構造の異方性で横方向の成長を生じさ
せ、横方向成長を個々の特徴的構造が合着するまで続行することを特徴とする方
法に関する。
合わせてエピタキシャルひずみを制限する方法を使用することにより、GaNと
基材の間のパラメータ不適合のために発生する欠陥密度を抑制する点で特徴的で
ある。
用する。
。次に、写真平版印刷法により、誘電体層中に開口部を設け、基材表面のマイク
ロメートル区域を露出させる。
基材は、一般的に厚さが数百マイクロメートル(特に、約200マイクロメート
ル)であり、サファイア、ZnO、6HSiC、LiAlO2、LiGaO2お
よびMgAl2O4からなる群から選択することができる。
げられるが、他の良く知られている誘電体も使用できる。誘電体は、上記の様に
窒化ガリウム成長室中で、シランおよびアンモニアから基材上に直接蒸着させる
。
シャル成長させる。次いで、厚さが数ナノメートルの誘電体を成長室中で蒸着さ
せる。次に、写真平版印刷法により、誘電体層中に開口部を限定し、窒化ガリウ
ム表面のマイクロメートル区域を露出させる。
VPEを使用して行なう。
トル)であり、サファイア、ZnO、6HSiC、LiAlO2、LiGaO2
およびMgAl2O4からなる群から選択することができる。
げられるが、他の良く知られている誘電体も使用できる。誘電体は、窒化ガリウ
ム成長室中で、窒化ガリウム蒸着の後にシランおよびアンモニアから直接蒸着さ
せる。
表面を微小特徴的構造で露出する。開口部は、好ましくは規則的な多角形、特に
六角形である。分離した開口部は、半径が10マイクロメートル未満の円の形状
で設けるのに対し、縞状の開口部は幅が10マイクロメートル未満であり、縞の
長さは基材の大きさによってのみ制限されるのが有利である。
異方性で横方向の成長が可能でなければならない。
〜80%、好ましくは5〜50%である。
により、ガリウム原子は開口部に集中することが分かった。
は縞が発達する。従ってヘテロエピタキシャルひずみなしに成長した規則的な特
徴的構造または縞の中のGaN転位密度は、高解像度電子顕微鏡検査により、第
三の態様では、最初のGaN層中に存在する密度よりも、はるかに小さい。その
ため、誘電体表面上で[10 EMBED Equation.20]方向で横方向に起こり、従って
サファイア基材とエピタキシャル関係にないGaN成長により、通常の製法より
もはるかに優れたGaN結晶品質が得られる。規則的な特徴的構造の列が得られ
た後、OMVPEまたはHVPEを使用して成長を続行させることができる。成
長は、島の合着まで横方向に起こる。島の合着により得られるこれらの表面は、
サファイア上でヘテロエピタキシャル成長した層よりも優れた結晶品質を示す。 従って、本製法の斬新さは、成長の異方性を利用して横方向成長を誘発し、合
着するまで進行させ、それによって連続的な、ひずみの無いGaN層を得ること
にある。横方向成長は、局所的なエピタキシーにより得られる、欠陥密度が低い
窒化ガリウム特徴的構造または島から起こる。
よび炭素からなる群から選択されたドーピング剤、特にマグネシウム、でドーピ
ングした窒化ガリウムを使用してエピタキシャル再成長を行なう。これは、ドー
ピング剤、特にマグネシウム、で窒化ガリウムをドーピングすることにより、G
aN成長様式が変化し、<10 EMBED Equation.21>方向における成長速度を、[000
1]方向における成長速度に対して相対的に増加させることが分かったためである
。好ましくは、ドーピング剤/Gaのモル比は、0を超え、1以下であり、0.
2未満が有利である。
グストロームのオーダーの厚さに、垂直成長異方性条件下で蒸着させ、次いで、
ドーピング剤の存在下で窒化ガリウムの蒸着を続行し、横方向成長し易くし、特
徴的構造を合着させる。
した窒化ガリウム層にも関連する。これらの層は、有利なことに、欠陥密度が、
先行技術で得られる欠陥密度よりも低く、特に約109cm-2未満である。
り、所望により、基材を分離した後、自己支持性である。
の製造に特に有利である。
ら以下に説明する。
いない窒化ガリウムを使用する局所的なエピタキシーの際に形成される規則的な
ピラミッド形特徴的構造を示す写真である。
on.20]方向に対して直角方向の断面図である。
フラックスに基準を合わせた成長速度の変化と、蒸気相中のMg/Gaモル比の
関係を示す。
ル再成長により得られる、観察されたピラミッドの写真である。図6は、マグネ
シウムドーピング剤により、特徴的構造の合着が非常に迅速になり、ひずみの無
い連続的な、エピタキシャル関係にある窒化ガリウム層が形成される点で、Ga
N成長様式に対するマグネシウムドーピング剤の有利な効果を示している。
ある。
ある。
に使用する。厚さ2(m) の薄い窒化ガリウム層2を、オルガノメタリック蒸気相
エピタキシーにより、1080(C) で、厚さ200(m) の(0001)サファイア基材
1の上に蒸着させる。ガリウムの供給源はトリメチルガリウム(TMGa)であ
り、窒素供給源はアンモニアである。その様な方法は多くの文献に記載されてい
る。
る(4sl/分)。アンモニアは別のラインを経由して導入する(2sl/分)。
として使用し、続いてSiH4およびNH3をそれぞれ50sccmおよび2slm の
速度で使用して窒化ガリウムを選択的に成長させる。
無定形の連続層を形成していることが分かる。この被膜の化学量論的測定は行な
っていないので、本明細書では以下、用語SiNを使用する。それでも、この化
学量論はSi3N4に対応している様である。このSiN層は、極めて薄いが、
完全に選択的なマスクであることが確認されている。次いで、写真平版印刷およ
び反応性イオンエッチングによりエッチングを行ない、10(m) 直径の円により
取り囲まれた六角系開口部4を露出する。マスク中で隣接する2個の開口部の中
心間の距離は15(m) である。エッチングした試料に対して、TMGa流量は別
にして、標準的な窒化ガリウム成長に使用する条件と類似の条件下で、露出した
窒化ガリウム区域5にエピタキシャル再成長を行ない、窒化ガリウムを蒸着させ
る。マスクの表面に当たるガリウム原子が区域5の近くに非常に効率的に集まる
ことから生じる高成長率を避けるために、TMGa流量は低い値[典型的には、
ドーピングしていない窒化ガリウムによる実験に対する16(モル/分)]に固
定する。局所的なエピタキシーは、2個の開口部間の空間に対して事実上直角の
[0001]方向における窒化ガリウム6の成長速度Vcを示す。
から、核形成およびGaNの成長は開口部5で選択的に起こると結論付けること
ができる。その結果、マスクした区域は、原子を開口部に向ける集中させる装置
の様に作用する。
する走査電子顕微鏡(SEM)により、測定する。
.20] 方向に対して直角方向の断面図である。WT、WBおよびHは、時間tと 共に変化する。(Rは、(0001)と、平面を限定する(10 EMBED Equation.21)間の
角度である。WB0はSiNマスク中の開口部の幅である。
験的な点を通る直線状回帰を使用し、下記の結果が得られる。
、式VR/cos((R)により与えられる低い速度で変化する。
対して測定した1(m/hの速度と比較して、極めて高いことが分かる。その結果、
VR/VC比は約0.15に過ぎない。
1を繰り返す。使用条件は、成長時間30分間、成長温度1080℃、TMGa
16(モル/分)、およびN2、H2およびNH3のそれぞれに対して2 sl/分
である。
させ、その結果、(0001)の上側小平面が広がることを示している。成長の選択性
は(MeCp)2Mgの存在により影響されないが成長異方性が有利に変化する
実施例3 Mg/Gaモル比の影響 図5は、[0001]および[10 EMBED Equation.21]方向におけるTMGAのモルフ
ラックスに基準を合わせた成長速度の変化と、蒸気相中のMg/Gaモル比の関
係を示す。
える様に選択した。これによって、成長する島の表面上で使用できるMg濃度を
すべての試料で確実に同等にすることができる。
るために、成長速度を標準化する。Mg/Gaモル比が0から0.17に変化す
る時、VNCは0.8から0.1(m/h/(モルに減少するのに対し、VNRは0.
16から0.4(m/h/(モルに増加する。点線は、外挿により得られるVR/VC
比の曲線である。右側のy軸はVR/VCである。
形構造を容易に調整できることを示している。これは、Mgが界面活性剤の様に
作用し、ガリウムが{1011}面に吸着されるのを促進し、反対に、(0001)面に吸収
されるのを阻止している。
、本発明の製法を実行する。
予め蒸着させたGaN層上にSiNを蒸着させる。次いで、マスク中に、幅5(m
で、5(mの間隔をおいた直線状開口部を形成し、直ぐ下の層を区域を露出させる
。直線状開口部は、GaN中で[10 EMBED Equation.20]方向に]向いているのが
好ましいが、この実施例に記載する方法の変形は、所望により、他の配向の直線
状開口部、特にGaN[11 EMBED Equation.20]方向、で行なうこともできる。エ
ピタキシャル成長は、露出した区域で、意図的にではなくドーピングしたGaN
で、[0001]方向におけるGaN特徴的構造の成長速度が、該特徴的構造の傾斜し
た側面に対して直角の方向における成長速度を十分に超える様な操作条件下で行
なう。その様な条件下では、成長の異方性により、(0001)小平面が消失する。本
製法の第一工程は、(0001)小平面が消失した時に完了する。第一工程の後、Ga
N特徴的構造は縞の形態にあり、その断面は三角形である。しかし、マスクを再
び完全に覆うために、第一工程は、GaN特徴的構造の合着まで続行することが
できる。この場合、合着したGaN特徴的構造の断面はジグザグ線である。
aN、特に実施例2または3によりマグネシウムドーピングしたGaN、でエピ
タキシャル成長を行なう。ドーピング剤を導入する効果のために、成長異方性が
GaN特徴的構造を平面化する。第一工程で得た各GaN特徴的構造の上部に小
平面Cが再び現れる。この第二工程の際、ドーピングされたGaN特徴的構造は
、小平面Cの膨脹と共に、反対に、側面の減少と共に、発達する。本実施例の方
法の第二工程は、側面が消失した時に完了し、合着した、ドーピングされたGa
N特徴的構造により形成される蒸着物の上側表面は、平らになる。
層が形成され、従ってこの層は、それに続くデバイス構造、特にダイオードレー
ザー構造、をエピタキシャル再成長により蒸着させるためのGaN基材として役
立つが、他方、非常に有利な該基材の結晶品質の向上をもたらす。これは、直ぐ
下にあるGaN層中の結晶欠陥の線が、マスク中に形成された開口部を経由し、
第一工程で形成されたドーピングしていないGaN特徴的構造の中に垂直に伝播
するためである。しかし、これらの欠陥線は、ドーピングされたGaN特徴的構
造の蒸着に集中する第二工程の際に湾曲すると考えられる。これによって、欠陥
の線は、マスクされたGaN層の表面と平行の方向に伝播する。
上側表面は、GaNダイオードレーザーの様な電子装置のサイズに合った区域で
現れる欠陥が事実上無くなる。
ーダーの厚さを有する被膜で被覆する処理により、基材上に窒化ガリウムの特徴
的構造または島を自然に形成することができる方法を例示する。この方法により
、有利なことに、写真平版印刷や化学的エッチングの様な経費のかかる技術を使
用してマスクを予めエッチングする必要が無くなる。
キシーを行なう。基材、特に(0001)サファイアを予め脱脂し、H2SO4:H3
PO4の3:1比の酸溶液中で酸洗し、温度約1050〜1080℃に加熱し、
NH3の流れに約10分間露出して化学的に窒化する。この窒化工程の後、非常
に薄い窒化ケイ素の被膜を基材表面上に形成するが、この被膜は、NH3とシラ
ンSiH4を温度1080℃で、被膜の厚さを1原子平面の厚さに制限するのに
十分に短い時間反応させることにより得られる。
は流量2sl/分で導入し、シランは、水素中50 ppmに希釈した形態で流量50
scc/分で導入する。これらの条件下で、典型的なNH3とSiH4の反応時間は
30秒間のオーダーである。
)により監視する。
的な窒化ガリウム層を蒸着させる。GaN層の蒸着は、600℃のオーダーの低
い温度で行なう。
温度上昇、十分な量の水素の気体状媒体の存在、およびGaN層の下に非常に薄
い誘電体被膜が存在することの組み合わせ効果により、該GaN層の形態は、物
質移動による固相再結晶化のために深い変性を受ける。温度が1060℃に近付
いた時、緩衝層の反射率が急激に低下することに注意すべきである。最初は連続
的であった緩衝層が、窒化ガリウムの島から形成される不連続層に転化される。 この自然に起こるその場での再結晶化工程の後、結晶品質が非常にに優れたG
aN特徴的構造または島が得られ、これらの島は、誘電体層の厚さが非常に小さ
いので、基材とのエピタキシャル関係を維持している。GaN特徴的構造または
島は、誘電体が露出している区域により互いに分離されている。島の特徴的な高
さは2400オングストロームのオーダーにある。透過電子顕微鏡による観察か
ら、島は切頭ピラミッド(図7)の形状を取る傾向があることが分かる。
施例1参照)で得られる島または特徴的構造の寸法と同等の微小値に増加するた
めに修正された操作条件下で得られる試料の走査電子顕微鏡画像である。
の、誘電体層が露出している区域は、図1のマスクとして機能し、自然に形成さ
れたGaN特徴的構造または島は、マスク(図1参照)中に予め形成された開口
部(図1参照)中に位置するGaN特徴的構造(図1または図2参照)と類似し
ている。明らかに、GaN特徴的構造または島は、横方向および垂直方向の成長
により発達する。
である、すなわち従来の方法により製造される窒化ガリウム層に存在する欠陥密
度の100分の1未満であるGaN層が得られる。
は、有利なことに、マスク中に開口部を予めエッチングする処理を避け、上記の
、GaNの島または特徴的構造のその場における自然形成で置き換えることがで
き、それらの島の幾何学的構造および分散を調整することは、本製法により形成
されるGaN層の品質を改良するための必要条件ではない。
ガリウムを使用する局所的なエピタキシーの際に形成される規則的なピラミッド
形特徴的構造を示す写真である。
に対して直角方向の断面図である。
に基準を合わせた成長速度の変化と、蒸気相中のMg/Gaモル比の関係を示す
図である。
より得られる、観察されたピラミッドの写真である。
とを特徴とする光電子部品。
Claims (19)
- 【請求項1】 窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法であって、基材(1)
上にマスクとして機能する誘電体層(3)を蒸着させ、エピタキシャル蒸着条件
下で、マスクされた基材上に窒化ガリウムを再成長させ、窒化ガリウムの特徴的
構造の蒸着および前記特徴的構造(6)の異方性および横方向成長を生じさせ、
横方向成長を個々の特徴的構造が合着するまで続行することを特徴とする方法。 - 【請求項2】 基材が、サファイア、ZnO、6H−SiCおよびLiAlO2からなる群か
ら選択される、請求項1に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の
製造方法。 - 【請求項3】 誘電体層がSixNy型の層である、請求項1に記載の窒化ガリウム(GaN
)のエピタキシャル層の製造方法。 - 【請求項4】 誘電体層が原子単層であるか、または1原子面のオーダーにある被覆である、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル
層の製造方法。 - 【請求項5】 誘電体層をエッチングして開口部を設け、基材の外に面した区域を露出させ、
マスクおよびエッチングした基材上でエピタキシャル蒸着条件下で窒化ガリウム
を再成長させ、外に面した区域における窒化ガリウム特徴的構造の蒸着および前
記特徴的構造(6)の異方性で横方向の成長を生じさせ、横方向成長を個々の特
徴的構造が合着するまで続行する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化ガ
リウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。 - 【請求項6】 基材(1)上に薄い窒化ガリウム層(2)を蒸着させることを含んでなる、請
求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層
の製造方法であって、 −前記薄い窒化ガリウム層上に誘電体層(3)を蒸着させ、 −誘電体層をエッチングして開口部(4)を設け、前記薄い窒化ガリウム層の
開口部区域(5)を露出させ、 −エピタキシャル成長し、マスクされ、エッチングされた基材上で、エピタキ
シャル蒸着条件下で、窒化ガリウムを再成長させ、外に面した区域における窒化
ガリウム特徴的構造の蒸着および前記特徴的構造(6)の異方性で横方向の成長
を生じさせ、横方向成長を個々の特徴的構造が合着するまで続行することを特徴
とする方法。 - 【請求項7】 開口部が、分離した開口部であるか、または縞状の開口部である、請求項5ま
たは6に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。 - 【請求項8】 分離した開口部が、規則的な多角形、特に六角形状の開口部である、請求項7
に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。 - 【請求項9】 分離した開口部が、半径が10μm未満の円の形状である、請求項7または8 に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 【請求項10】 縞状の開口部が、10μm未満の幅を有する、請求項7に記載の窒化ガリウム (GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 【請求項11】 基材または窒化ガリウムの露出面積の、基材全域に対する割合が5〜80%、
好ましくは5〜50%である、請求項5〜10のいずれか1項に記載の窒化ガリ
ウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。 - 【請求項12】 マスクされ、所望によりエピタキシャル成長し、エッチングされた基材上に、
ドーピングされていない窒化ガリウムが再成長する、請求項1〜11のいずれか
1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。 - 【請求項13】 マスクされ、所望によりエピタキシャル成長し、エッチングされた基材上に窒
化ガリウムが再成長し、前記窒化ガリウムが、マグネシウム、亜鉛、カドミウム
、ベリリウム、カルシウム、炭素、ケイ素およびゲルマニウムからなる群から選
択されたドーピング剤でドーピングされている、請求項1〜11のいずれか1項
に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。 - 【請求項14】 ドーピング剤/Gaのモル比が0を超え、1以下であり、好ましくは0〜0.
2である、請求項13に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製
造方法。 - 【請求項15】 キャリヤーガスがN2/H2混合物である、請求項1〜14のいずれか1項に
記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。 - 【請求項16】 マスクされ、所望によりエピタキシャル成長し、エッチングされた基材が、 a)ドーピングされていない窒化ガリウムによる、 b)次いで、ドーピングされた窒化ガリウムによる 再成長を受ける、請求項13または14に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピ
タキシャル層の製造方法。 - 【請求項17】 請求項1〜16のいずれか1項に記載の方法により得られることを特徴とする
エピタキシャル窒化ガリウム層。 - 【請求項18】 厚さが1μm〜1000μmであり、所望によりその基材から分離されている、
請求項17記載のエピタキシャル窒化ガリウム層。 - 【請求項19】 請求項17または18に記載のエピタキシャル窒化ガリウム層を備えているこ
とを特徴とする光電子部品。
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