CN101325235B - 一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法 - Google Patents
一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101325235B CN101325235B CN2008100293539A CN200810029353A CN101325235B CN 101325235 B CN101325235 B CN 101325235B CN 2008100293539 A CN2008100293539 A CN 2008100293539A CN 200810029353 A CN200810029353 A CN 200810029353A CN 101325235 B CN101325235 B CN 101325235B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- transfer method
- silicon substrate
- gallium nitride
- foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 20
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 24
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MBBGGMYYARWHDG-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethene;ethenyl acetate Chemical compound C=C.CC(O)=O.CC(=O)OC=C MBBGGMYYARWHDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 2
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229920005546 furfural resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940099259 vaseline Drugs 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法，包括以下步骤：将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层；在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层；在防护性金属镀层表面涂敷耐腐蚀物质；然后浸入硅基的腐蚀溶液，至硅基片完全溶解。本发明提供的方法，采用的原料均不含重金属，对环境友好，而且原料简单易得，生产工艺简单易于操作；采用本发明所述的方法转移后的氮化镓膜层制成的LED发光效率高，能耗低，使用寿命长，且生产成本较低，符合大规模工业应用的条件，产品质量标准符合欧盟标准和美国标准。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化镓外延层的转移方法，具体地说，涉及一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法。
背景技术
硅基氮化镓外延层转移技术，是近几年LED领域研究很热的方向。研究人员将氮化镓生长在蓝宝石、SiC等材料上，用来生产发光二极管(LED)。但是由于蓝宝石的散热性较差，导致生产的LED使用寿命较短，严重影响其实用领域；而SiC基片生产成本较高，也限制其工业应用。在这种情况下，人们将基片转向单晶硅。由于单晶硅生产工艺成熟，原材料易得，现正逐步取代了以前的基片材料。随着研究的深入，人们发现硅对可见光有吸收，而且散热性能也不甚理想。于是考虑将生长在硅基片上的氮化镓膜层转移至导热性能优良的金属上，这样能显著扩大LED的应用领域，提高LED的寿命。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种氮化镓(GaN)外延层的转移方法，即是一种将氮化镓(GaN)外延层从硅基上转移至金属层上的方法。
本发明的发明目的通过以下方案实现。
一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法，包括以下步骤：
(1)将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层；
(2)在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层；
(3)在防护性金属镀层表面涂敷耐腐蚀物质；
(4)浸入硅基的腐蚀溶液，至硅基片完全溶解。
在上述转移方法中，步骤(1)中所述粘合剂是导热和导电性能良好，且对金属和半导体都有良好结合力的粘合剂，选自环氧类树脂、酚醛树脂、糠醛树脂或有机硅树脂，也可以是这些物质经导电化处理的改性树脂(例如在粘合剂中掺杂导电物质)；所述的纳米粒子防护层可以是碳化钨、二硫化钼、碳层。
在上述转移方法中，所述金属箔是导热导电性能优良的金属薄层，可以是金箔、银箔、黄铜箔、铜箔、镍箔、铝箔或不锈钢箔。
在上述转移方法中，所述在金属箔的表面镀上防护性金属镀层的方法是溅射、离子镀、电镀或化学镀。所述防护性金属镀层是金属镀层或金属合金镀层，也可以是掺杂有功能性粒子的复合镀层。金属镀层优选为镍、铜、钴、银或铬中的一种或几种的合金镀层；金属合金镀层优选为镍、铜、钴、银或铬中的一种或几种与磷或硫的合金镀层。功能性粒子优选为聚四氟乙烯(PTFE)、二硫化钼、石墨、金刚石、碳化硅。
在上述转移方法中，腐蚀溶液一般是采用硝酸和氢氟酸混合液(体积比1∶5)，所述耐腐蚀物质是指能耐受硝酸和氢氟酸混合液的物质，优选自石蜡、凡士林、环氧树脂、聚丙烯树脂或乙烯醋酸-乙烯酯。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明提供的转移方法，采用的原料均不含重金属，对环境友好，而且原料简单易得，生产工艺简单易于操作；
(2)本发明提供的方法转移后的GaN膜层制成的LED发光效率高，能耗低，使用寿命长，且生产成本较低，符合大规模工业应用的条件，产品质量标准符合欧盟标准和美国标准。
具体实施方式
实施例1
在溅射有氮化镓的硅基表面，涂覆适量的掺杂有铜粉的有机硅树脂(一份铜粉配三份树脂胶混合均匀即可)，以增强其导电导热性能。其上粘附45μm的铜箔。采用砂纸将铜箔表面清洗干净，采用5％(体积比)的硫酸活化其表面。在其表面化学镀镍磷合金，再在镍磷合金表面镀覆镍磷PTFE复合镀层。随后，在镀层表面涂覆聚丙烯树脂。在硝酸和氢氟酸(体积比1∶5)的硅基侵蚀液。从而实现氮化镓转移至导热导电材料表面。
实施例2
在溅射有氮化镓的硅基表面，溅射一定厚度的碳层。采用胶体钯和硝酸银溶液对其表面进行活化处理，在其表面化学镀镍。再在其表面化学镀镍磷PTFE镀层。随后，在镀层表面涂覆环氧树脂。在硝酸和氢氟酸(体积比1∶5)的硅基侵蚀液。从而实现氮化镓转移至导热导电材料表面。
实施例3
在溅射有氮化镓的硅基表面，溅射一定厚度的二硫化钼层。采用胶体钯和硝酸银溶液对其表面进行活化处理，在其表面化学镀镍。再在其表面化学镀镍磷PTFE镀层。随后，在镀层表面涂覆有机硅树脂。在硝酸和氢氟酸(体积比1∶5)的硅基侵蚀液。从而实现氮化镓转移至导热导电材料表面。
实施例4
在溅射有氮化镓的硅基表面，涂覆适量的掺杂有石墨的环氧类树脂。其上粘附30μm的镍箔。采用砂纸将镍箔表面清洗干净，进行适当的活化前处理。在其表面化学镀镍磷合金，再在镍磷合金表面镀覆镍磷PTFE复合镀层。随后，在镀层表面涂覆乙烯醋酸-乙烯酯。在硝酸和氢氟酸(体积比1∶5)的硅基侵蚀液。从而实现氮化镓转移至导热导电材料表面。
实施例5
在溅射有氮化镓的硅基表面，涂覆适量的掺杂有金粉的有机硅树脂。其上粘附50μm的不锈钢箔。采用砂纸将不锈钢箔表面清洗干净，进行适当的活化前处理。在其表面化学镀镍磷合金，再在镍磷合金表面镀覆镍磷PTFE复合镀层。随后，在镀层表面涂覆石蜡。在硝酸和氢氟酸(体积比1∶5)的硅基侵蚀液。从而实现氮化镓转移至导热导电材料表面。
Claims (10)
1.一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1：将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层；
步骤2：在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层；
步骤3：在防护性金属镀层表面涂敷耐腐蚀物质；
步骤4：浸入硅基的腐蚀溶液，至硅基片完全溶解。
2.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于步骤1中所述粘合剂是环氧类树脂、酚醛树脂、糠醛树脂、有机硅树脂或经导电化处理的改性树脂。
3.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于步骤1中所述纳米粒子防护层是碳化钨、二硫化钼或碳层。
4.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于所述金属箔是金箔、银箔、黄铜箔、铜箔、镍箔、铝箔或不锈钢箔。
5.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于所述防护性金属镀层是金属镀层或金属合金镀层。
6.如权利要求5所述的转移方法，其特征在于所述金属镀层为镍、铜、钴、银或铬中的一种或几种的合金镀层。
7.如权利要求5所述的转移方法，其特征在于所述金属合金镀层为镍、铜、钴、银或铬中的一种或几种与磷或硫的合金镀层。
8.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于所述防护性金属镀层是掺杂有功能性粒子的金属镀层或金属合金镀层。
9.如权利要求8所述的转移方法，其特征在于所述功能性粒子为聚四氟乙烯、二硫化钼、石墨、金刚石或碳化硅。
10.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于步骤3中所述的耐腐蚀物质是石蜡、凡士林、环氧树脂、聚丙烯树脂或乙烯醋酸-乙烯酯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100293539A CN101325235B (zh) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100293539A CN101325235B (zh) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101325235A CN101325235A (zh) | 2008-12-17 |
| CN101325235B true CN101325235B (zh) | 2010-06-09 |
Family
ID=40188660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100293539A Expired - Fee Related CN101325235B (zh) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101325235B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101702401B (zh) * | 2009-11-03 | 2011-07-20 | 中山大学 | 一种GaN基LED薄膜器件的制备与批处理式封装方法 |
| CN103943459B (zh) * | 2014-04-03 | 2017-01-04 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于外延层转移实现N面GaN的方法 |
| CN105576093B (zh) * | 2016-02-23 | 2018-02-02 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种芯片外延衬底的剥离方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1279733A (zh) * | 1997-10-20 | 2001-01-10 | 国家科研中心 | 氮化镓外延层的制造方法 |
| CN1379484A (zh) * | 2002-05-17 | 2002-11-13 | 清华大学 | 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法 |
| CN1617298A (zh) * | 2004-11-17 | 2005-05-18 | 金芃 | 准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法 |
-
2008
- 2008-07-10 CN CN2008100293539A patent/CN101325235B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1279733A (zh) * | 1997-10-20 | 2001-01-10 | 国家科研中心 | 氮化镓外延层的制造方法 |
| CN1379484A (zh) * | 2002-05-17 | 2002-11-13 | 清华大学 | 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法 |
| CN1617298A (zh) * | 2004-11-17 | 2005-05-18 | 金芃 | 准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101325235A (zh) | 2008-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gong et al. | Recent progress in bionic condensate microdrop self‐propelling surfaces | |
| CN104129783B (zh) | 一种低成本、洁净无损转移大面积石墨烯的方法 | |
| CN100588308C (zh) | 高热导率陶瓷基印刷电路板及其制作方法 | |
| CN102339758B (zh) | 低温键合制备铜-陶瓷基板方法 | |
| Xu et al. | Flexible transparent conductive films on PET substrates with an AZO/AgNW/AZO sandwich structure | |
| CN108573763A (zh) | 电线电缆导体、石墨烯包覆金属粉体和导体的制备方法 | |
| CN103187131B (zh) | 一种高导热绝缘复合材料及其制备方法 | |
| CN110289428B (zh) | 一种燃料电池不锈钢双极板制备及表面改性方法 | |
| CN107903550B (zh) | 一种用于海水淡化的光热转换塑料薄膜及制备方法 | |
| CN102503579A (zh) | 低温烧结制备金属化陶瓷基板方法 | |
| CN101315913A (zh) | 一种轻质高导热效率的功率器的封装件 | |
| CN107686109B (zh) | 一种高性能石墨-石墨烯双层碳基导热薄膜的制备方法 | |
| CN103249248B (zh) | 复合基板、制造方法及基于该复合基板的led垂直芯片结构 | |
| CN110468441B (zh) | 高导热性能的铜基改性氧化石墨烯复合材料及制备方法 | |
| CN101325235B (zh) | 一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法 | |
| CN106519740A (zh) | 白色涂料组合物、绝缘基材表面选择性金属化的方法及复合制品 | |
| CN108571913A (zh) | 一种超疏水冷凝表面及其制备方法 | |
| CN102071332A (zh) | 一种制备高体积分数金刚石增强铜基复合材料的方法 | |
| CN104195518A (zh) | 一种黑色吸光薄膜及其制备方法 | |
| CN102555321A (zh) | 层叠型金刚石镀膜的高散热膜片及其制造方法 | |
| CN109097615A (zh) | 石墨烯增强复合材料及其制备方法 | |
| CN104538085A (zh) | 一种环保导电银浆 | |
| JP2018111814A (ja) | 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性シート及び積層体 | |
| CN207678068U (zh) | 一种超高导热型陶瓷基板 | |
| CN1836303A (zh) | 无晶钻石材料及其使用和制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100609 Termination date: 20140710 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |