JP2001220496A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置素子用中空パッケージ - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置素子用中空パッケージ

Info

Publication number
JP2001220496A
JP2001220496A JP2000360597A JP2000360597A JP2001220496A JP 2001220496 A JP2001220496 A JP 2001220496A JP 2000360597 A JP2000360597 A JP 2000360597A JP 2000360597 A JP2000360597 A JP 2000360597A JP 2001220496 A JP2001220496 A JP 2001220496A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
porous silica
weight
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000360597A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4614214B2 (ja
Inventor
Kazutoshi Tomiyoshi
和俊 富吉
Kazuhiro Arai
一弘 新井
Toshio Shiobara
利夫 塩原
Koki Oidori
功騎 追鳥
Hironori Sakamoto
広則 坂元
Yuji Kishigami
裕治 岸上
Koji Tsuchiya
光司 土屋
Masato Kanari
真人 金成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2000360597A priority Critical patent/JP4614214B2/ja
Priority to US09/726,575 priority patent/US6399677B2/en
Priority to TW89125643A priority patent/TW561177B/zh
Priority to KR1020000072696A priority patent/KR100678345B1/ko
Publication of JP2001220496A publication Critical patent/JP2001220496A/ja
Priority to US09/988,752 priority patent/US6569532B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4614214B2 publication Critical patent/JP4614214B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01067—Holmium [Ho]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/259—Silicic material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤を
含有するエポキシ樹脂組成物において、無機質充填剤と
して、比表面積が６〜２００ｍ2／ｇ、真比重が２．０
〜２．２であり、平均粒径が２〜５０μｍである多孔質
シリカ（Ａ）を含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成
物。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化物の透
湿性が低く、しかも成形性、信頼性に優れたものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、硬化物の透湿性が
低く、成形性・信頼性に優れ、半導体部品封止用、特に
はプレモールド型中空パッケージ用材料として有用なエ
ポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物の硬化物
で封止されたプレモールド型半導体装置素子用中空パッ
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電気、
電子分野において、エポキシ樹脂は、機械強度、耐湿
性、成形性に優れているので絶縁材料、積層板、接着
剤、半導体封止材料などの広い用途に利用されている。
【０００３】しかしながら、金属やセラミックは本質的
に非透湿であるのに対して、熱硬化性樹脂であるエポキ
シ樹脂は、水分拡散係数を有しており、加湿条件に曝さ
れると、吸湿し透湿していく。それ故、腕時計、電卓な
どの精密機械や半導体パッケージなどの電子部品、特に
は固体映像素子（以下、ＣＣＤと略す）中空パッケー
ジ、水晶発振子中空パッケージなどの気密性や防水性が
要求される用途に熱硬化性樹脂を使用した場合、樹脂の
透湿性が問題になることが多い。例えば、直接水に接触
しなくても高温多湿の環境に長時間曝された場合、樹脂
製のＣＣＤパッケージは、徐々に吸湿し、更に気密性を
保持した空間に飽和水蒸気圧から求められた飽和水蒸気
量を超えた水分が存在すると、水分の凝集により結露が
発生し、その装置は使用不能になってしまう。
【０００４】従って、中空パッケージ用として使用する
エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤を主成分とするエ
ポキシ樹脂組成物においては、従来より透湿性の改善が
課題となっており、このためエポキシ樹脂組成物中に無
機質吸湿剤を添加し、硬化物中に透湿してくる水分を吸
着させることにより、中空内部への透湿を防止する技術
が提案されている。
【０００５】本出願人は、先に特開平８−１５７６９４
号公報において無機質吸湿剤をエポキシ樹脂と硬化剤の
合計量１００重量部に対して１０重量部以上添加してな
るエポキシ樹脂組成物を提案している。該エポキシ樹脂
組成物の実施例として、本出願人は水沢化学製のＡＭＴ
シリカを挙げ、目的とする低透湿性の組成物を得ること
ができた。
【０００６】しかしながら、ＡＭＴシリカは、ゼオライ
トを焼結して得られる多孔質シリカであるため、真比重
が低く、また、含まれるイオン性不純物の量も多いもの
であった。真比重が低いということは、所定量の重量を
添加した場合、組成物中でのボリュームが大きくなるた
めに、添加量を多くした場合に流動性が低下するといっ
た問題点があった。更に、イオン性不純物の含有量が多
いと、硬化触媒の硬化機能を阻害し、硬化性が甘くな
り、熱時強度の低下や接着強度が低下するといった問題
点があった。
【０００７】また、特許第２７５０２５４号公報におい
ては、絶縁基板体中に吸湿剤を０．１〜５０重量％含有
させたことを特徴とする半導体素子収納用パッケージが
提案されている。
【０００８】しかしながら、組成物中に含まれる吸湿剤
の添加量が少ない場合、硬化物中に透湿してくる水分を
十分に吸着できないことが判明し、吸湿剤の添加量を上
げるのが好ましいことがわかった。例えば吸湿剤の添加
量が少ない場合、透湿信頼性試験を行った場合に水分が
中空部まで到達し、ガラス蓋体部に水分が結露してしま
うことがある。これらの欠点を補うためには、吸湿剤量
を増量することにより効果が発現すると考えられるが、
従来の吸湿剤は、エポキシ樹脂、硬化剤との濡れ性が悪
く、極端に流動性が悪化してしまうという欠点があっ
た。流動性が悪いとトランスファー成形機などで成形す
る時に未充填やボイドといった欠陥がでてしまい、半導
体封止用としては不適となってしまうことが判明した。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
高流動性で成形性に優れ、しかも透湿性の良好な硬化物
を与えるエポキシ樹脂組成物及びこの硬化物で封止され
たプレモールド型半導体装置素子用中空パッケージを提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた
結果、エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤を含有する
エポキシ樹脂組成物において、無機質充填剤として、好
ましくはゾルゲル法にて得られる重量平均粒子径が５０
μｍ以下であるシリカゲルを温度７００〜１，２００℃
の範囲で焼成して得られる、比表面積が６〜２００ｍ2
／ｇ、真比重が２．０〜２．２、平均粒径が２〜５０μ
ｍである多孔質シリカ、好ましくは２５℃／７０％ＲＨ
の条件下で、２４時間後の吸水量が０．３重量％以上で
あり、更に好ましくは、含まれるアルカリ金属類、アル
カリ土類金属の含有量が各々１ｐｐｍ以下である多孔質
シリカ（Ａ）を使用することにより、流動性に優れるた
め問題なく成形することができ、また、低透湿性で高品
質の硬化物を与え、特にプレモールド中空パッケージ用
材料として好適なエポキシ樹脂組成物が得られ、この組
成物はこのように高流動性で、硬化性・接着性に優れ、
透湿量の少ない硬化物を与えることができることを知見
し、本発明をなすに至ったものである。
【００１１】従って、本発明は、エポキシ樹脂、硬化
剤、無機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物におい
て、無機質充填剤として、比表面積が６〜２００ｍ2／
ｇ、真比重が２．０〜２．２であり、平均粒径が２〜５
０μｍである多孔質シリカ（Ａ）を含むことを特徴とす
るエポキシ樹脂組成物、及びエポキシ樹脂、硬化剤、無
機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化物で封
止したプレモールド型半導体装置素子用中空パッケージ
において、エポキシ樹脂組成物の硬化物に含有される無
機質充填剤は、比表面積が６〜２００ｍ2／ｇ、真比重
が２．０〜２．２であり、平均粒径が２〜５０μｍであ
る多孔質シリカ（Ａ）を含むことを特徴とする半導体装
置素子用中空パッケージを提供する。
【００１２】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明で使用するエポキシ樹脂としては、１分子中に少
なくとも２個のエポキシ基を有し、後述する各種の硬化
剤によって硬化させることが可能である限り分子構造、
分子量等に制限はなく、従来から知られている種々のエ
ポキシ樹脂の中から適宜選択して使用することができ
る。使用するエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等の
ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
等のノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン
型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹
脂等のトリフェノールアルカン型エポキシ樹脂及びその
重合物、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、ナフタ
レン骨格を有するエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン
−フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化
エポキシ樹脂等が挙げられ、下記のものが例示される
が、これに制限されるものではない。
【００１３】
【化１】 （式中、Ｇはグリシジル基を示し、Ｍｅはメチル基であ
る。ｎは０〜１０の整数、好ましくは０〜５の整数であ
る。）
【００１４】硬化剤としては、フェノール化合物、アミ
ン化合物、酸無水物等、従来からエポキシ樹脂の硬化剤
として使用されるもの全般が適用され、特に制限されな
いが、１分子中にフェノール性水酸基を２個以上有する
フェノール樹脂を好適に使用することができる。特に、
ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等の
ビスフェノール型樹脂、フェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂等のノボラック樹脂、トリフェ
ノールメタン型樹脂、トリフェノールプロパン型樹脂等
のトリフェノールアルカン型樹脂、レゾール型フェノー
ル樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニル型フェ
ノール樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、シクロペン
タジエン型フェノール樹脂が好ましい。これらの硬化剤
は単独又は２種以上混合して用いることができる。下記
に例を示すが、これに限られるものではない。
【００１５】
【化２】 （式中、ｍは０〜１０の整数、好ましくは０〜５の整数
である。）
【００１６】上記硬化剤の配合量は、上記エポキシ樹脂
を硬化させる有効量であるが、フェノール樹脂を用いる
場合、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合割合は、エ
ポキシ基１モルに対し、フェノール性水酸基が０．５〜
１．６モル、望ましくは０．６〜１．４モルであること
が好ましい。０．５モル未満では水酸基が不足し、エポ
キシ基の単独重合の割合が多くなり、ガラス転移温度が
低くなるおそれがある。また、１．６モルを超えるとフ
ェノール性水酸基の比率が高くなり、反応性が低下する
ほか、架橋密度が低く、十分な強度が得られない。
【００１７】本発明で使用される多孔質シリカ（Ａ）は
比表面積（窒素吸着法によるＢＥＴ比表面積）が６〜２
００ｍ2／ｇ、真比重が２．０〜２．２、平均粒径が２
〜５０μｍのものである。なお、平均粒径は、例えばレ
ーザー光回折法による重量平均値（又はメディアン径）
等として求めることができる。
【００１８】更に詳述すると、本発明で使用される多孔
質シリカ（Ａ）は比表面積が６〜２００ｍ2／ｇの範囲
であり、更に好ましくは２０〜１５０ｍ2／ｇが好まし
い。６ｍ2／ｇ未満であると水分を吸湿する能力が低下
し、また２００ｍ2／ｇを超えると十分な流動性が得ら
れない。また、真比重は２．０〜２．２である。真比重
が２．０未満のシリカは焼結度が不十分であり、エポキ
シ樹脂との濡れ性が十分得られない。２．２を超えるも
のは、結晶性シリカが混入したことになり、非晶質であ
る本発明の多孔質シリカではあり得ない。平均粒径は２
〜５０μｍであり、更に好ましくは４〜２０μｍであ
る。この範囲外にあると、流動性低下やバリ発生といっ
た問題が起きるおそれがある。
【００１９】更に、多孔質シリカ（Ａ）は、その中に含
まれる例えばＮａ，Ｋなどのアルカリ金属類、Ｍｇ，Ｃ
ａなどのアルカリ土類金属の含有量は各々各金属元素に
ついて１ｐｐｍ以下であること、特に、アルカリ金属元
素、アルカリ土類金属元素のそれぞれの合計量が１ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。かかるイオン性不純物が
多いと、硬化触媒の活性度を低下させ、組成物の硬化時
に硬化不良を起こすおそれがある。特に多孔質シリカの
添加量が多くなった場合にイオン性不純物が多いとその
傾向が強くなる。
【００２０】更に多孔質シリカ（Ａ）自体の吸湿力は、
２５℃／７０％ＲＨの条件下で、２４時間後の吸水量が
０．３重量％以上、好ましくは０．４重量％以上であ
り、更に好ましくは１．０重量％以上であることがよ
い。０．３重量％未満であると、組成物にした場合の吸
水能力が十分ではない場合が生じる。
【００２１】なお、更に多孔質シリカ（Ａ）は、細孔容
積が０．０５〜１．０ｍｌ／ｇ、特に０．１〜１．０ｍ
ｌ／ｇ、細孔径は３〜１００Åであることが好ましい。
【００２２】本発明で使用される多孔質シリカ（Ａ）
は、ゾルゲル法にて得られる重量平均粒子径が５０μｍ
以下であるシリカゲルを温度７００〜１，２００℃の範
囲で焼成して得ることができる。ゾルゲル法としては、
特公平７−９８６５９号、特開昭６２−２８３８０９
号、特開昭６２−３０１１号公報に記載した方法など、
従来から行われている方法を使用できる。多孔質シリカ
の形状は使用される製造方法により、球状あるいは破砕
状である。例えば球状多孔質シリカは、アルカリ金属珪
酸塩エマルジョン水溶液を界面活性剤の存在下、強制撹
拌して得られたものを、水洗、乾燥、更に焼結して得る
ことができる。また、破砕状多孔質シリカは、アルカリ
金属珪酸塩水溶液を水混和性有機媒体又は酸溶液中に細
孔から押し出して得られた繊維状凝固物を酸含有液で処
理し、水洗して不純物を抽出除去し、その後、粉砕、焼
結して得ることができる。
【００２３】ゾルゲル法で得られた多孔質シリカの焼結
条件は、好ましくは７００〜１，２００℃、より好まし
くは８００〜１，１００℃程度の温度で２〜１６時間、
特に４〜１２時間程度が好ましい。焼結温度が７００℃
未満であるか、焼結時間が短かすぎると、焼結が不十分
であり、エポキシ樹脂、硬化剤との十分な濡れ性が得ら
れず、十分な流動性が得られない場合が生じる。また
１，２００℃を超えるか、焼結時間が長すぎると、焼結
が進みすぎ、シリカ表面の細孔が減少するので、シリカ
の吸水能力が低下してしまうおそれがある。
【００２４】上述したように、本発明で使用される多孔
質シリカ（Ａ）の形状は球状及び破砕状である。組成物
の流動性を考慮すると球状品が好ましいが、組成物の硬
化物の機械的強度を考慮すると破砕状シリカを添加した
方が好ましい。また、多孔質シリカの吸湿能力は、破砕
品に比べ球状品の方が大きく、吸湿力を高める上では、
球状品を多く添加した方が好ましい。この吸湿能力の違
いは細孔径の大きさに依存している。球状品と破砕品の
使用比率は限定されるものではないが、流動性と強度の
バランスをとる上では破砕／球状重量比で０／１０〜３
／７が好ましい。特に多孔質シリカの添加量を多くする
場合は球状品の使用比率を上げた方が好ましい。
【００２５】多孔質シリカ（Ａ）の添加量は、エポキシ
樹脂組成物の全体量の４０〜９０重量％、特に５０〜９
０重量％が好ましく、更に望ましくは５５〜８０重量％
である。本発明の多孔質シリカ（Ａ）の添加量が４０重
量％未満であると、外部から侵入する水分をトラップす
る能力が低くなり、目標とする低透湿性が得られない場
合がある。また、９０重量％を超えると、十分な流動性
が得られず、成形が困難になるおそれがある。
【００２６】本発明においては、上記多孔質シリカ
（Ａ）を無機質充填剤として使用するが、更に、本発明
のエポキシ樹脂組成物には、ボールミルなどで粉砕した
溶融シリカや火炎溶融することで得られる球状のシリ
カ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッ
カアルミ、チッ化珪素、マグネシア、マグネシウムシリ
ケート、ヒュームドシリカ、沈降シリカなどの無機質充
填剤を併用することができる。このような無機質充填剤
を併用した場合、無機質充填剤の合計使用量は、エポキ
シ樹脂と硬化剤の総量１００重量部に対し、１００〜
１，０００重量部が好ましい。１００重量部未満では膨
張係数が大きくなり、一方、１，０００重量部を超える
と粘度が高くなりすぎて成形できなくなってしまうおそ
れがある。望ましくは２００〜９００重量部である。
【００２７】無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との
結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタ
ネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面
処理したものを使用することが好ましい。このようなカ
ップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエ
トキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等
のアミノシラン、γ−メルカプトシラン等のメルカプト
シランなどのシランカップリング剤（エポキシ基、アミ
ノ基、メルカプト基等の官能性基で置換された置換アル
キル基を有するアルコキシシラン）を用いることが好ま
しい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量
及び表面処理方法については特に制限されるものではな
い。
【００２８】更に、本発明の組成物には従来から公知の
シリコーンゴムやゲルなどの粉末、シリコーン変性エポ
キシ樹脂やシリコーン変性フェノール樹脂、メタクリル
酸メチル−ブタジエン−スチレンなどの熱可塑性樹脂な
どを低応力化剤、接着剤として添加してもよい。
【００２９】また、本発明において、エポキシ樹脂と硬
化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用い
ることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進
させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチ
ルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレー
ト、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレー
トなどのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジ
メチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７
などの第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、
２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
イミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用するこ
とができる。硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂とフ
ェノール樹脂等の硬化剤の合計量１００重量部に対し、
０．０１〜１０重量部である。
【００３０】更に、本発明にはシランカップリング剤、
チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング
剤などのカップリング剤やカーボンブラックなどの着色
剤、天然ワックスなどの離型剤、フッ素系界面活性剤、
シリコーンオイルなどの濡れ性向上剤、ハロゲントラッ
プ剤なども場合によっては添加することができる。
【００３１】本発明の組成物の製造方法としては、上記
した諸原料を高速混合機などを用いて均一に混合した
後、二本ロールや連続混練装置などで十分混練すればよ
い。混練温度としては５０〜１２０℃が望ましい。
【００３２】混練後、薄くシート化し、冷却、粉砕する
ことでエポキシ樹脂組成物を製造する。本発明のエポキ
シ樹脂組成物は、一般成形材料として、更に半導体封止
材料として利用される。
【００３３】このようにして得られる本発明のエポキシ
樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止用、特にプレモ
ールド型中空パッケージ用材料として有効に利用でき、
この場合、封止の最も一般的な方法としては、低圧トラ
ンスファー成形法等が挙げられる。なお、本発明のエポ
キシ樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８０℃で３０〜
１８０秒、後硬化は１５０〜１８０℃で２〜１６時間行
うことが望ましい。
【００３４】ここで、本発明の半導体装置素子用中空パ
ッケージは、上述したエポキシ樹脂、硬化剤、無機質充
填剤を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止され
たものであり、この無機質充填剤は、上述した通り、比
表面積が６〜２００ｍ2／ｇ、真比重が２．０〜２．２
であり、平均粒径が２〜５０μｍである多孔質シリカ
（Ａ）を含むものであり、多孔質シリカの含有量は先に
述べた通りの含有量とすることができるが、特にはエポ
キシ樹脂組成物の硬化物全体量の５５重量％とすること
が好ましい。
【００３５】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。なお、以下の例において部はいずれも重量部で
ある。
【００３６】［実施例１〜１０、比較例１〜４］表１に
示す多孔質シリカを使用し、表２及び表３に示す成分を
熱二本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００３７】上記実施例、比較例で得られたエポキシ樹
脂組成物につき、次の（イ）〜（リ）の諸特性を測定し
た。結果を表２及び表３に併記する。 （イ）スパイラルフロー値 ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃、６．
９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件で測定した。 （ロ）ゲル化時間 組成物のゲル化時間を１７５℃熱板上で測定した。 （ハ）溶融粘度 高化式フローテスター（島津製作所製）を用いて試験荷
重１０ｋｇにおいて１７５℃で測定した。 （ニ）成形硬度 １７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件
で１０×４×１００ｍｍの棒を成形した時の熱時硬度を
バーコール硬度計で測定した。 （ホ）曲げ強度 ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ
2、成形時間１２０秒の条件で１０×４×１００ｍｍの
棒を成形し、１８０℃で４時間後硬化したもので測定し
た。 （ヘ）接着性 １７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件
で、４２アロイ製のフレームを剪断接着性評価用試験片
として成形し、１８０℃で４時間後硬化を行い、接着力
を測定した。フレームと樹脂の接着面積は１０ｍｍ2で
ある。 （ト）吸水量 １７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件
で５０φ×３ｍｍの円盤を成形し、１８０℃で４時間後
硬化を行い、８５℃／８５％ＲＨに４８時間放置した時
の吸水量を測定した。 （チ）熱伝導率 １７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件
で５０φ×３ｍｍの円盤を成形し、１８０℃で４時間後
硬化を行い、ＡＮＴＡＲ製２０２１を用いてＡＳＴＭ−
Ｅ１５３０に準じて熱伝導率を測定した。 （リ）気密性テスト 図１に示したように、エポキシ樹脂組成物１を中空箱型
のプレモールドパッケージとしてリードフレーム２（イ
ンナーリード２ａ，アウターリード２ｂ）を介在させ
て、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の
条件で成形した後、１８０℃で４時間後硬化した。更に
上記パッケージにエポキシ樹脂接着剤３で透明なシール
ドガラス４を接着して中空パッケージを得た。なお、図
中、５は半導体素子、６は金属細線である。このパッケ
ージを次のような条件で処理した。 １２１℃／１００％ＲＨ／２気圧の雰囲気下に４時間
放置。 室温（２５℃）に３０分間放置。 １００℃のホットプレートにシールドガラス面を１０
秒間接触。 室温の鉄板に移し、シールドガラス面を７秒間放置。 この時、シールドガラス面にくもり（結露）が見られる
か否かを観察した。〜のサイクルを４回繰り返し、
１回目で結露が見られた場合はＮＧとし、１回目、２回
目、３回目及び４回目をクリヤーした場合はそれぞれ
１、２、３及び４とした。
【００３８】
【表１】 ＊ａ ＩＣＰ法 ＊ｂ 蛍光Ｘ線分析法 なお、上記多孔質シリカ１〜５は、いずれもゾルゲル法
で得られた重量平均粒子径がそれぞれ９．２μｍ、１０
μｍ、１７μｍ、３２μｍ、１３μｍのシリカを上記焼
結温度で８時間焼結したものである。
【００３９】
【表２】
【００４０】
【表３】 ＊１ ノボラック型エポキシ樹脂：日本化薬製、ＥＯＣ
Ｎ４４００、エポキシ当量１９０ ＊２ ビフェニル型エポキシ樹脂：油化シェル製、ＹＸ
−４０００ＨＫ、エポキシ当量１９０ ＊３ 硬化剤：明和化成製、フェノールノボラック樹脂
ＤＬ−９２Ｌ、フェノール当量１１０ ＊４ 硬化剤：三井東圧製、ザイロック樹脂（フェノー
ルアラルキル樹脂）ＸＬ−２２５−３Ｌ、フェノール当
量１６８ ＊５ ブロム化エポキシ樹脂：日本化薬製、ＢＲＥＮ−
１０５、エポキシ当量２８０ ＊６ シランカップリング剤：信越化学工業製、ＫＢＭ
−４０３ ＊７ 球状シリカ：平均粒径１２μｍ、粗粒５０μｍ以
上のものは０．５重量％以下（シーラスレーザー法） ＊８ 微細球状シリカ：平均粒径２μｍ、アドマテック
製ＳＯ−３２Ｒ ＊９ 微細球状シリカ：平均粒径０．５μｍ、アドマテ
ック製ＳＯ−２５Ｒ ＊１０ 球状アルミナ：平均粒径２０μｍ、龍森製
【００４１】本発明のエポキシ樹脂組成物及び該エポキ
シ樹脂組成物で封止した半導体装置素子用パッケージ
は、実施例に示したように優れた特性を示している。表
２の結果から、比表面積が小さく、吸水量の小さいシリ
カを使用した場合は、中空パッケージにおける気密試験
において十分な気密性を得ることができない。また、従
来から得られる多孔質シリカ（ゼオライト）を使った場
合は、不純物の影響により、十分な流動性、硬化性、接
着性、気密性が得られない。表３の結果から、本発明の
多孔質シリカを使用した場合でも、その添加量が少ない
と、気密性テストで良い結果が得られないことがわか
る。添加量が増えるに従い、気密性レベルは上がってく
ることがわかった。
【００４２】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化物
の透湿性が低く、しかも成形性、信頼性に優れたもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例、比較例で成形した中空パッケージの断
面図である。
【符号の説明】
１ エポキシ樹脂組成物 ２ リードフレーム ３ 接着剤 ４ シールドガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 追鳥 功騎 大分県東国東郡国東町大字小原3319番地の ２ ソニー大分株式会社内 (72)発明者 坂元 広則 鹿児島県国分市野口北５番１号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 岸上 裕治 鹿児島県国分市野口北５番１号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 土屋 光司 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 金成 真人 東京都千代田区大手町二丁目６番１号 信 越化学工業株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤を
    含有するエポキシ樹脂組成物において、無機質充填剤と
    して、比表面積が６〜２００ｍ2／ｇ、真比重が２．０
    〜２．２であり、平均粒径が２〜５０μｍである多孔質
    シリカ（Ａ）を含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成
    物。
  2. 【請求項２】 多孔質シリカ（Ａ）の含有量がエポキシ
    樹脂組成物の全体量の４０〜９０重量％であることを特
    徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
  3. 【請求項３】 多孔質シリカ（Ａ）が、ゾルゲル法にて
    得られた重量平均粒子径が５０μｍ以下であるシリカゲ
    ルを温度７００〜１，２００℃の範囲で焼成して得られ
    る多孔質シリカであることを特徴とする請求項１又は２
    記載のエポキシ樹脂組成物。
  4. 【請求項４】 多孔質シリカ（Ａ）が、２５℃／７０％
    ＲＨの条件下で、２４時間後の吸水量が０．３重量％以
    上であることを特徴とする請求項１，２又は３記載のエ
    ポキシ樹脂組成物。
  5. 【請求項５】 多孔質シリカ（Ａ）に含まれるアルカリ
    金属類及びアルカリ土類金属の含有量が各々１ｐｐｍ以
    下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１
    項記載のエポキシ樹脂組成物。
  6. 【請求項６】 プレモールド型中空パッケージ用である
    請求項１乃至５のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成
    物。
  7. 【請求項７】 エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤を
    含有するエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止したプレモ
    ールド型半導体装置素子用中空パッケージにおいて、エ
    ポキシ樹脂組成物の硬化物に含有される無機質充填剤
    は、比表面積が６〜２００ｍ2／ｇ、真比重が２．０〜
    ２．２であり、平均粒径が２〜５０μｍである多孔質シ
    リカ（Ａ）を含むことを特徴とする半導体装置素子用中
    空パッケージ。
  8. 【請求項８】 請求項７記載のプレモールド型半導体装
    置素子用中空パッケージにおいて、エポキシ樹脂組成物
    の硬化物に含まれる多孔質シリカ（Ａ）の含有量が、エ
    ポキシ樹脂組成物の全体量の５５重量％以上であること
    を特徴とする半導体装置素子用中空パッケージ。
JP2000360597A 1999-12-02 2000-11-28 半導体装置素子用中空パッケージ Expired - Lifetime JP4614214B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000360597A JP4614214B2 (ja) 1999-12-02 2000-11-28 半導体装置素子用中空パッケージ
US09/726,575 US6399677B2 (en) 1999-12-02 2000-12-01 Epoxy resin compositions and premolded semiconductor packages
TW89125643A TW561177B (en) 1999-12-02 2000-12-01 Epoxy resin compositions and premolded semiconductor packages
KR1020000072696A KR100678345B1 (ko) 1999-12-02 2000-12-02 에폭시 수지 조성물 및 예비성형 반도체 패키지
US09/988,752 US6569532B2 (en) 1999-12-02 2001-11-20 Epoxy resin compositions and premolded semiconductor packages

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-342946 1999-12-02
JP34294699 1999-12-02
JP2000360597A JP4614214B2 (ja) 1999-12-02 2000-11-28 半導体装置素子用中空パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001220496A true JP2001220496A (ja) 2001-08-14
JP4614214B2 JP4614214B2 (ja) 2011-01-19

Family

ID=26577387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000360597A Expired - Lifetime JP4614214B2 (ja) 1999-12-02 2000-11-28 半導体装置素子用中空パッケージ

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6399677B2 (ja)
JP (1) JP4614214B2 (ja)
KR (1) KR100678345B1 (ja)
TW (1) TW561177B (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002322345A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Matsushita Electric Works Ltd 光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置
JP2005146157A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Mitsui Chemicals Inc エポキシ樹脂組成物および半導体素子収納用中空パッケージ
JP2005290191A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Tdk Corp 樹脂組成物、電子部品、コイル体及びインダクタ
JP2006057015A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2007119547A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Yoshikawa Kogyo Co Ltd エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置用中空パッケージ、並びに半導体部品装置
JP2008515622A (ja) * 2004-10-12 2008-05-15 マルチソーブ テクノロジーズ インコーポレイティド 熱硬化性乾燥剤及びその製造方法
JP2008156383A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 液状樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法
JP2011046888A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Toyota Tsusho Corp 樹脂組成物及び金属樹脂積層体の製造方法
JP2013237865A (ja) * 2006-11-15 2013-11-28 Hitachi Chemical Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP2014225675A (ja) * 2007-03-13 2014-12-04 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
WO2019050008A1 (ja) * 2017-09-07 2019-03-14 日産化学株式会社 シリカ含有絶縁性組成物
TWI727769B (zh) * 2020-04-24 2021-05-11 長春人造樹脂廠股份有限公司 樹脂組合物及其應用

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6670430B1 (en) * 1999-12-17 2003-12-30 Henkel Loctite Corporation Thermosetting resin compositions comprising epoxy resins, adhesion promoters, and curatives based on the combination of nitrogen compounds and transition metal complexes
JP3489025B2 (ja) * 2000-01-14 2004-01-19 大塚化学ホールディングス株式会社 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた電子部品
US6951907B1 (en) 2001-11-19 2005-10-04 Henkel Corporation Composition of epoxy resin, secondary amine-functional adhesion promotor and curative of nitrogen-compound and transition metal complex
US20030168731A1 (en) * 2002-03-11 2003-09-11 Matayabas James Christopher Thermal interface material and method of fabricating the same
EP1668078A1 (de) * 2003-09-30 2006-06-14 Siemens Aktiengesellschaft Vergussmasse, verwendung dazu und mit der vergussmasse umhüllte bauelemente
JP4148932B2 (ja) * 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法
US7501011B2 (en) 2004-11-09 2009-03-10 Multisorb Technologies, Inc. Humidity control device
US8097221B2 (en) * 2005-01-21 2012-01-17 Multisorb Technologies, Inc. Lamp assembly
US20060166818A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Thomas Powers Resin bonded sorbent
US8853124B2 (en) 2005-01-21 2014-10-07 Multisorb Technologies, Inc. Resin bonded sorbent
US7595278B2 (en) * 2005-01-21 2009-09-29 Multisorb Technologies, Inc. Resin bonded sorbent
US7989388B2 (en) 2005-01-21 2011-08-02 Multisorb Technologies, Inc. Resin bonded sorbent
WO2006101274A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Fujifilm Corporation Method of manufacturing solid state imaging device
US7687119B2 (en) * 2005-04-04 2010-03-30 Henkel Ag & Co. Kgaa Radiation-curable desiccant-filled adhesive/sealant
US20060223978A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Shengqian Kong Radiation- or thermally-curable oxetane barrier sealants
US20060223937A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Herr Donald E Radiation curable cycloaliphatic barrier sealants
TWI261350B (en) * 2005-09-02 2006-09-01 Wintek Corp Electronic member with conductive connection structure
US20070131348A1 (en) * 2005-10-19 2007-06-14 Katsuhiko Nakajima Process for laser welding
DE102005051289B3 (de) * 2005-10-26 2007-05-16 Siemens Ag Piezoaktor und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2007097022A1 (ja) * 2006-02-27 2007-08-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 接着フィルム
JP5133598B2 (ja) * 2007-05-17 2013-01-30 日東電工株式会社 封止用熱硬化型接着シート
JP2009001754A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Kagawa Univ 接着構造、封止構造及びそれを用いた電子部品、接着方法並びに封止方法
JP2009088115A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 車載用電気電子部品
US8057586B2 (en) 2008-07-28 2011-11-15 Multisorb Technologies, Inc. Humidity control for product in a refrigerator
CN102237319A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 三星半导体(中国)研究开发有限公司 封装件
JP2013525593A (ja) * 2010-05-05 2013-06-20 タイコ エレクトロニクス サービシズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツンク 電子部品用ポッティング
US8754516B2 (en) * 2010-08-26 2014-06-17 Intel Corporation Bumpless build-up layer package with pre-stacked microelectronic devices
CN105579542B (zh) * 2013-09-20 2018-05-18 东亚合成株式会社 阻燃性粘接剂组合物及使用其的覆盖膜和挠性覆铜板
GB2524235A (en) * 2014-03-07 2015-09-23 Melexis Technologies Nv Semiconductor device having a transparent window for passing radiation
WO2017110373A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、および半導体装置
US11092632B2 (en) 2016-10-05 2021-08-17 Hydro-Quebec Resistance-measuring device and method
CN106475556B (zh) * 2016-11-06 2018-07-17 合肥圣达电子科技实业有限公司 一种使用石墨模具烧结微波金属封装外壳的方法
CN111629998B (zh) * 2018-03-01 2023-06-30 株式会社德山 熔融球状二氧化硅粉末及其制造方法
US11699647B2 (en) 2021-04-15 2023-07-11 Infineon Technologies Ag Pre-molded lead frames for semiconductor packages

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0232115A (ja) * 1988-07-22 1990-02-01 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH04253760A (ja) * 1991-02-04 1992-09-09 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料
JPH09208809A (ja) * 1996-02-01 1997-08-12 Mizusawa Ind Chem Ltd 半導体封止用樹脂組成物及びそれに用いる吸湿性充填剤
JPH10130467A (ja) * 1996-10-28 1998-05-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止樹脂組成物及びこの液状封止樹脂組成物を用いた半導体製品

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1271307A (en) 1985-06-27 1990-07-10 Iwao Ohshima Process for manufacturing high purity silica
JPH07107091B2 (ja) * 1988-03-23 1995-11-15 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH062799B2 (ja) * 1988-04-20 1994-01-12 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH062801B2 (ja) * 1988-04-28 1994-01-12 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
MY104894A (en) * 1988-12-08 1994-06-30 Sumitomo Bakelite Co Epoxy resin composition for semiconductor sealing.
JPH02219814A (ja) * 1989-02-21 1990-09-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH02173033A (ja) * 1988-12-27 1990-07-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2750254B2 (ja) 1993-02-08 1998-05-13 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
JP3296520B2 (ja) 1993-09-29 2002-07-02 東芝テック株式会社 ダウンロード・ブートストラップ方法
US5827908A (en) * 1994-01-26 1998-10-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Naphthalene and or biphenyl skeleton containing epoxy resin composition
JP3119104B2 (ja) * 1994-12-09 2000-12-18 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
KR100240121B1 (ko) * 1997-08-30 2000-01-15 성재갑 전하 결합 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
JP2000191890A (ja) * 1998-10-20 2000-07-11 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0232115A (ja) * 1988-07-22 1990-02-01 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH04253760A (ja) * 1991-02-04 1992-09-09 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料
JPH09208809A (ja) * 1996-02-01 1997-08-12 Mizusawa Ind Chem Ltd 半導体封止用樹脂組成物及びそれに用いる吸湿性充填剤
JPH10130467A (ja) * 1996-10-28 1998-05-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止樹脂組成物及びこの液状封止樹脂組成物を用いた半導体製品

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002322345A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Matsushita Electric Works Ltd 光半導体装置用樹脂組成物及び光半導体装置
JP2005146157A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Mitsui Chemicals Inc エポキシ樹脂組成物および半導体素子収納用中空パッケージ
JP4720095B2 (ja) * 2004-03-31 2011-07-13 Ｔｄｋ株式会社 樹脂組成物、電子部品、コイル体及びインダクタ
JP2005290191A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Tdk Corp 樹脂組成物、電子部品、コイル体及びインダクタ
JP2006057015A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2008515622A (ja) * 2004-10-12 2008-05-15 マルチソーブ テクノロジーズ インコーポレイティド 熱硬化性乾燥剤及びその製造方法
US9339789B2 (en) 2004-10-12 2016-05-17 Multisorb Technologies, Inc. Thermoset desiccant product and method for making same
JP2007119547A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Yoshikawa Kogyo Co Ltd エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置用中空パッケージ、並びに半導体部品装置
JP2013237865A (ja) * 2006-11-15 2013-11-28 Hitachi Chemical Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP2017020026A (ja) * 2006-11-15 2017-01-26 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
US10381533B2 (en) 2006-11-15 2019-08-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection
US9387608B2 (en) 2006-11-15 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition
JP2008156383A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 液状樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法
JP2014225675A (ja) * 2007-03-13 2014-12-04 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP2017022424A (ja) * 2007-03-13 2017-01-26 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP2011046888A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Toyota Tsusho Corp 樹脂組成物及び金属樹脂積層体の製造方法
WO2019050008A1 (ja) * 2017-09-07 2019-03-14 日産化学株式会社 シリカ含有絶縁性組成物
JPWO2019050008A1 (ja) * 2017-09-07 2020-11-05 日産化学株式会社 シリカ含有絶縁性組成物
JP7231886B2 (ja) 2017-09-07 2023-03-02 日産化学株式会社 シリカ含有絶縁性組成物
US11961636B2 (en) 2017-09-07 2024-04-16 Nissan Chemical Corporation Silica-containing insulating composition
TWI727769B (zh) * 2020-04-24 2021-05-11 長春人造樹脂廠股份有限公司 樹脂組合物及其應用

Also Published As

Publication number Publication date
US6569532B2 (en) 2003-05-27
US20010004651A1 (en) 2001-06-21
TW561177B (en) 2003-11-11
US20020076558A1 (en) 2002-06-20
US6399677B2 (en) 2002-06-04
KR20010062093A (ko) 2001-07-07
KR100678345B1 (ko) 2007-02-05
JP4614214B2 (ja) 2011-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4614214B2 (ja) 半導体装置素子用中空パッケージ
JPH10212395A (ja) 樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置
JP2874089B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
WO2008044579A1 (en) Epoxy resin composition for sealing of semiconductor and semiconductor device
JP5070972B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2701695B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006282958A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3022135B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP6677360B2 (ja) エポキシ樹脂組成物および電子装置
WO2019017053A1 (ja) 封止シート用樹脂組成物、封止シート及び半導体装置
JP4748592B2 (ja) 難燃剤及びそれを含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3434029B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP7263765B2 (ja) 封止組成物及び半導体装置
JP2005089710A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH03115455A (ja) 封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JP2006206748A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH03140322A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置
JPH10182944A (ja) 電子部品封止用樹脂組成物
JP2000212399A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2007145929A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006143784A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH09165498A (ja) 電子部品封止用樹脂組成物
JP2000103836A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH08157694A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2004155841A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071120

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080118

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080118

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100721

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100914

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101013

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101013

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4614214

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term