WO2007097022A1 - 接着フィルム - Google Patents

接着フィルム Download PDF

Info

Publication number
WO2007097022A1
WO2007097022A1 PCT/JP2006/303600 JP2006303600W WO2007097022A1 WO 2007097022 A1 WO2007097022 A1 WO 2007097022A1 JP 2006303600 W JP2006303600 W JP 2006303600W WO 2007097022 A1 WO2007097022 A1 WO 2007097022A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
adhesive film
resin
filler
film according
curable resin
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/303600
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toyosei Takahashi
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co., Ltd. filed Critical Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
Priority to PCT/JP2006/303600 priority Critical patent/WO2007097022A1/ja
Priority to US12/224,097 priority patent/US7947343B2/en
Priority to EP06714737A priority patent/EP1990389A4/en
Priority to KR1020087023597A priority patent/KR101090562B1/ko
Priority to CN2006800534534A priority patent/CN101389725B/zh
Publication of WO2007097022A1 publication Critical patent/WO2007097022A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/05—Bonding or intermediate layer characterised by chemical composition, e.g. sealant or spacer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/05—Bonding or intermediate layer characterised by chemical composition, e.g. sealant or spacer
    • C09K2323/055—Epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive film.
  • the adhesive when bonding the component and the substrate, the adhesive is selectively applied only to the outer peripheral portion without applying the adhesive and bonding the entire surface.
  • a space there is a structure in which the above-mentioned component and the substrate are bonded together to form a space (so-called hollow package).
  • the transparent member in the internal space may cause condensation.
  • the semiconductor component is a solid-state image sensor, due to condensation, the solid-state image sensor may not cause accurate photoelectric conversion, which may cause problems in image recognition and display.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 10-313070
  • An object of the present invention is to provide an adhesive film excellent in reliability capable of preventing condensation generated between a semiconductor component or a liquid crystal display component and a substrate.
  • An adhesive film used for joining a semiconductor component or a liquid crystal display component and a substrate wherein the adhesive film comprises a curable resin and a filler.
  • the adhesive film is characterized in that the adhesive film has a moisture permeability of 30 [g / m 2 '24h] or more measured by JIS Z0208 B method.
  • the photocurable resin includes an ultraviolet curable resin mainly composed of an acrylic compound.
  • thermosetting resin includes an epoxy resin.
  • the curable resin that is curable by both light and heat includes (meth) acryl-modified phenol resin or (meth) acryloyl group-containing (meth) acrylic acid polymer.
  • the adhesive film as described.
  • Moisture permeability at 25 ° C of the adhesive film is 4 [g / m 2 '24h] or more Adhesive film as described in (1)
  • condensation formed between a semiconductor component or a liquid crystal display component and the substrate It is possible to obtain an adhesive film excellent in reliability that can prevent the above. In addition, reliability can be maintained for a long time with almost no corrosion of internal electrodes.
  • the adhesive film of the present invention is an adhesive film used for bonding a semiconductor component or a liquid crystal display component and a substrate, and the adhesive film includes a curable resin and a filler. It is composed of a fat composition, and the moisture permeability of the adhesive film is 30 [g / m 2 '24h] or more.
  • the adhesive film of the present invention is used for bonding a semiconductor component or a liquid crystal display component and a substrate. In joining the semiconductor component or the liquid crystal display component and the substrate, it is necessary that the adhesive component be accurately formed in a predetermined portion of the semiconductor component or the like (or the substrate).
  • the adhesive film of the present invention is suitable for such a demand.
  • the adhesive film is composed of a resin composition containing a curable resin and a filler, and the moisture permeability of the adhesive film is 30 [g / m 2 '24h] or more.
  • the moisture permeability of the adhesive film is increased rather than being lowered as is conventionally done, so that the resin film has excellent moisture permeability. This prevents the occurrence of condensation.
  • the moisture permeability of the adhesive film 40 [g / m 2 '24h] or higher preferably tool particularly 50 to 200 [8/111 2' 2411] is preferred Shi I. If it is less than the lower limit, condensation on the substrate may not be sufficiently prevented. If the upper limit is exceeded, the film-forming ability S may decrease.
  • the moisture permeability of the adhesive film shall be evaluated at 40 ° CZ90% according to the moisture permeability cup method (JIS Z0208 B method) using an adhesive film with a thickness of 100 ⁇ m. Can do.
  • the moisture permeability of the adhesive film at 25 ° C is preferably 4 [g / m 2 '24h] or more. Thereby, it is possible to effectively prevent the substrate and the like from condensing.
  • the moisture permeability of the adhesive film at 25 ° C shall be evaluated using a 100 ⁇ m thick adhesive film according to the moisture permeation cup method (JIS Z0208) and the moisture permeation treatment condition as 25 ° CZ50%. You can.
  • the adhesive film of the present invention can prevent the occurrence of condensation.
  • the dew condensation that occurs between the semiconductor component and the substrate (inside) is the moisture trapped in the internal space when the substrate is attached and the moisture that has entered the interior through the adhesive layer after attachment. Is considered to be the cause.
  • the moisture permeability cannot be completely reduced to zero, so moisture can slowly enter inside over time and be released to the outside instantly. Therefore, it was difficult to resolve the condensation.
  • the adhesive film of the present invention has a relatively high moisture permeability, moisture generated inside can be released to the outside instantly, thereby preventing the occurrence of condensation. Is possible.
  • Examples of the curable resin constituting the resin composition include a photocurable resin (resin that is cured by irradiation with light such as ultraviolet rays) and a thermosetting resin (mainly cured by heat). And the like.
  • the curable resin is not particularly limited, but preferably includes a photocurable resin.
  • the alignment accuracy of the adhesive component is excellent. That is, by including the photocurable resin, it is possible to easily arrange the adhesive component at a predetermined position by exposing, developing and patterning the adhesive film.
  • Examples of the photocurable resin include, for example, an ultraviolet curable resin mainly composed of an acrylic compound, a urethane acrylate oligomer, or a polyester urethane acrylate polymer.
  • UV curable resin containing at least one selected from the group strength of UV curable resin, epoxy resin, and buluenol resin.
  • ultraviolet curable resin mainly composed of an acrylic compound is preferable.
  • Arc The ril-based compound has a high curing rate when irradiated with light, so that the resin can be patterned with a relatively small amount of exposure.
  • the acrylic compounds include monomers of acrylic acid esters or methacrylic acid esters. Specifically, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diacrylate 1,6-hexanediol, dimethacrylate 1 , 6-hexanediol, glyceryl diacrylate, glyceryl dimethacrylate, diacrylate 1,10-decanediol, dimethacrylate 1,10-decandiol, etc.
  • examples thereof include polyfunctional acrylates such as trimethylolpropane acid, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol hexahexaacrylate, and dipentaerythritol hexamethacrylate.
  • acrylic acid esters are preferable, and particularly preferable are acrylic acid esters having 1 to 15 carbon atoms in the ester moiety or methacrylic acid alkyl esters.
  • the content of the photocurable resin is not particularly limited!
  • the cocoon is preferably 5 to 60% by weight, particularly preferably 8 to 30% by weight of the total resin composition. If the content is less than the lower limit value, the resin may not be patterned by ultraviolet irradiation. If the content exceeds the upper limit value, the resin is too soft and the film properties before UV irradiation may be deteriorated.
  • the photocurable resin (particularly, ultraviolet curable resin) is not particularly limited, but is preferably liquid at room temperature. Thereby, the curing reactivity by ultraviolet rays can be improved. Furthermore, the mixing operation with the thermosetting resin can be facilitated.
  • the ultraviolet curable resin that is liquid at normal temperature include the ultraviolet curable resin mainly composed of the acrylic compound described above.
  • Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin isobutyl ether, methyl benzoin benzoate, benzoin benzoic acid, benzoin methyl ether, benzyl fielsulfide, benzyl, dibenzyl, diacetyl and the like. Is mentioned.
  • the content of the photopolymerization initiator is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 5% by weight of the entire resin composition, particularly preferably 0.8 to 2.5% by weight. If the content is less than the lower limit, the effect of initiating photopolymerization may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the reactivity may be too high and storage stability and resolution may be reduced.
  • the curable resin further contains a thermosetting resin.
  • a thermosetting resin it can have adhesiveness even after exposing, developing and patterning the adhesive film.
  • the adhesive component is placed at a predetermined position, and then the semiconductor component and the substrate are bonded by thermocompression bonding. Can do.
  • thermosetting resin examples include phenol novolac resin such as phenol novolac resin, cresol novolac resin, bisphenol A novolac resin, phenol resin such as resol phenol resin, and bisphenol.
  • phenol novolac resin such as phenol novolac resin, cresol novolac resin, bisphenol A novolac resin, phenol resin such as resol phenol resin, and bisphenol.
  • ABisphenol type epoxy resin such as epoxy resin, bisphenol epoxy resin, novolak epoxy resin, novolak type epoxy resin such as novolac epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, stilbene type Epoxy resins, triphenol methane type epoxy resins, alkyl-modified triphenol methane type epoxy resins, triazine core-containing epoxy resins, dicyclopentagene-modified phenol type epoxy resins, urea resins (urea) Fat, melamine resin, etc.
  • Examples include saturated polyester resin, bismaleimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, benzoxazine ring resin, and cyanate ester resin. It can be used. Among these, epoxy resin is particularly preferable. Thereby, heat resistance and adhesiveness can be further improved.
  • an epoxy resin that is solid at room temperature particularly bisphenol type epoxy resin
  • an epoxy resin that is liquid at room temperature particularly a silicone-modified epoxy resin that is liquid at room temperature
  • the content of the thermosetting resin is not particularly limited, but is preferably 10 to 40% by weight of the entire resin composition, particularly preferably 15 to 35% by weight.
  • the content is less than the lower limit value If it exists, the effect of improving the heat resistance may be reduced, and if the upper limit is exceeded, the effect of improving the toughness of the adhesive film may be reduced.
  • the total amount of the liquid photocurable resin and the liquid thermosetting resin is 60% of the entire resin composition.
  • the weight is preferably less than the weight, and more preferably 50% by weight or less.
  • the lower limit is not particularly limited, but is preferably 5% by weight or more. Within such a range, the balance between heat resistance, flexibility and resolution is particularly excellent.
  • the curable resin preferably further includes a curable resin that can be cured by both light and heat.
  • a curable resin that can be cured by both light and heat.
  • Examples of the curable resin that can be cured by both light and heat include, for example, a thermosetting resin having a photoreactive group such as an allyloyl group, a methacryloyl group, and a vinyl group, an epoxy group, and a phenolic group.
  • a thermosetting resin having a photoreactive group such as an allyloyl group, a methacryloyl group, and a vinyl group, an epoxy group, and a phenolic group.
  • examples thereof include a photocurable resin having a thermally reactive group such as a hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, a carboxyl group, an acid anhydride group, an amino group, and a cyanate group.
  • Specific examples include (meth) acryl-modified phenolic resin and acrylic copolymerized resin having a carboxyl group and an acrylic group in the side chain. Of these, (meth) acrylic modified phenolic resin is preferred.
  • thermosetting resin and a photocurable resin can be used as said curable resin.
  • the modification rate (substitution rate) of the photoreactive group is not particularly limited, but the curable resin that can be cured by both light and heat. 20 to 80% of the total reactive groups of fat (total of photoreactive groups and thermal reactive groups) is preferable, and 30 to 70% is particularly preferable. When the modification amount is within the above range, the resolution is particularly excellent.
  • the modification rate (substitution rate) of the thermally reactive group is not particularly limited, but the curable resin that can be cured by both light and heat. 20 to 80% of the total reactive groups of fat (total of photoreactive groups and thermal reactive groups) is preferred
  • the content of the curable resin that can be cured by both light and heat is not particularly limited! However, 15 to 50% by weight of the entire rosin composition is preferred, and 20 to 40% by weight is particularly preferred. If the content is less than the lower limit, the effect of improving the compatibility may be reduced, and if it exceeds the upper limit, developability or resolution may be reduced.
  • the rosin composition includes a filler.
  • the filler is an important component capable of controlling the moisture permeability of the adhesive film.
  • the filler include fibrous fillers such as alumina fiber and glass fiber, potassium titanate, wollastonite, aluminum borate, acicular magnesium hydroxide, whisker and other acicular fillers, talc, My strength, sericite, glass flake, flake graphite, plate-like fillers such as plate-like calcium carbonate, spherical (granular) fillers such as calcium carbonate, silica, fused silica, fired clay, unfired clay, zeolite, Examples thereof include porous fillers such as silica gel. These can be used alone or in combination. Among these, a porous filler is preferable. Thereby, the moisture permeability of the adhesive film can be increased.
  • the average particle size of the filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 90 m, particularly preferably 0.1 to 40 / ⁇ .
  • the average particle diameter exceeds the upper limit, film appearance abnormality or resolution may be deteriorated.
  • the average particle diameter is less than the lower limit, adhesion failure at the time of heat bonding may occur.
  • the average particle diameter can be evaluated using, for example, a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus SALD-7000 (manufactured by Shimadzu Corporation).
  • the content of the filler is not particularly limited, but is preferably 5 to 70% by weight, particularly preferably 20 to 50% by weight, based on the whole of the resin composition. If the content exceeds the above upper limit value, adhesion failure may occur at the time of heating and sticking, and if it is less than the lower limit value, moisture permeability may be low and the dew condensation of the substrate may not be improved.
  • a porous filler is preferably used as the filler.
  • the average pore diameter of the porous filler is preferably 0.1 to 5 nm, particularly 0.3 to Lnm. If the average pore diameter exceeds the upper limit, a part of the resin component may enter the pores and the reaction may be hindered. If the average pore diameter is less than the lower limit, the water absorption capacity decreases, so The rate may decrease and the board condensation may not be improved.
  • Specific examples of porous fillers include molecular zeolites made of crystalline zeolite. A sheave is exemplified. The crystalline zeolite is represented by the following general formula.
  • those of 3A type and 4A type are preferably used from the viewpoint of effectively preventing force condensation including 3A, 4A, 5A and 13X.
  • the adsorbing force [Q1] at room temperature of the filler is not particularly limited, but is preferably 7 [gZl00g filler] or more, particularly preferably 15 [gZl00g filler] or more. If the adsorptive power at room temperature is less than the lower limit value, the moisture permeability of the film with a low water absorption capacity of the filler is lowered, and the dew condensation of the substrate may not be improved.
  • the adsorptive power [Q1] at room temperature can be determined, for example, by measuring the weight gain after weighing a filler completely dried by heating into an aluminum cup and leaving it in a 25 ° CZ50% environment for 168 hours.
  • the adsorption force [Q2] at 60 ° C of the filler is not particularly limited, but is preferably 3 [gZl00g filler] or more, more preferably 10 [gZl00g filler] or more. If the adsorption force is maintained at the above value even at 60 ° C, it is particularly effective for improving dew condensation on the substrate.
  • the adsorptive power [Q2] at 60 ° C can be obtained, for example, by weighing the filler completely dried by heating into an aluminum cup and leaving it in a 60 ° C 90% environment for 168 hours, and then obtaining the weight. I can do it.
  • the relationship between the adsorption force [Q1] at room temperature and the adsorption force [Q2] at 60 ° C is not particularly limited, but preferably satisfies the following relationship. 0.4 * [Q1] [Q2]
  • [Q1] and [Q2] satisfy the above relational expression, it is particularly effective in improving substrate dew condensation.
  • the reason for this is that since the adsorbent maintains its adsorption power even at high temperatures, the film filled with it maintains moisture permeability even at relatively high temperatures, and gas moisture easily passes through the film. Even if the temperature is lowered, the moisture inside the semiconductor device and the liquid crystal device will be reduced instantly, and no dew condensation or soot will occur.
  • the resin composition includes addition of a plastic resin, a leveling agent, an antifoaming agent, a coupling agent and the like as long as the object of the present invention is not impaired.
  • An agent can be contained.
  • the semiconductor component to be bonded using such an adhesive film in particular, solid-state image sensors, such as CCD and CMOS, and semiconductor elements, such as a MEMS element, are mentioned.
  • the liquid crystal display component is not particularly limited, and examples thereof include a liquid crystal panel.
  • a flexible substrate called an interposer or a mother board, an insulating substrate composed of organic or inorganic materials, acrylic resin, polyethylene terephthalate resin (PET), glass substrate, etc. Transparent substrate.
  • the performance of the adhesive film is exhibited particularly when a substrate made of an inorganic material is used as the substrate.
  • the reason for this is that when a substrate made of organic material is used, the moisture permeability of the substrate is higher than that of a substrate made of inorganic material, so that the influence of the adhesive film is considered to be small.
  • the adhesive film portion can permeate moisture, and the influence is increased.
  • the moisture permeability of the substrate is preferably less than 30 [g / m 2 '24h].
  • molecular sieve 3A indicates that the crystal type is the 3A type.
  • Phenol novolak (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., Phenolite TD-2090-60M) in a non-volatile 70% MEK solution 600g (OH approx. 4 equivalents) was put into a 2L flask and tributylamine lg And 0.2 g of hydroquinone were added and heated to 110 ° C. 284 g (2 mol) of glycidyl methacrylate was added dropwise over 30 minutes, followed by stirring and reaction at 110 ° C for 5 hours to give a phenol novolak containing 80% non-volatile content and a methacryloyl group modification rate of 50%.
  • Acrylic rosin compound that is liquid at room temperature (triethylene glycol dimethyl ether) Methacrylate; Sanyo Kasei Co., Ltd., Neoma PM201) 5. 1 wt 0/0, epoxy thermosetting ⁇ (Dainippon Ink and Chemicals, Epikuron N-865 2. 9 wt%, Silicone epoxy resin (Toray 'Dowcoung' manufactured by Silicone Co., Ltd., BY16-115) 5.4% by weight, synthesized (meth) acrylic modified phenol as curable resin curable with both light and heat 28.2% by weight of resin, photopolymerization initiator (Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure 651) 1.
  • porous filler as a filler (Made by Union Showa Co., Ltd., Molecular) sieves 3A) 31. 8 weight 0/0, methyl E chill ketone 14.7 by weight 0/0 was weighed as a solvent, using Deisupaza, stirred for 1 hour at a rotation number 5, OOOrpm, ⁇ Wa - a scan Prepared.
  • Example 2 The procedure was the same as Example 1 except that the composition of the rosin varnish was as follows. Acrylic resin compound that is liquid at room temperature as a photo-curable resin (Sanyo Kasei Co., Ltd., Neomer PM201) 4.4% by weight, epoxy resin as a thermosetting resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) Epicron N-865) 11. 1 weight 0 /.
  • Acrylic resin compound that is liquid at room temperature as a photo-curable resin (Sanyo Kasei Co., Ltd., Neomer PM201) 4.4% by weight, epoxy resin as a thermosetting resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) Epicron N-865) 11. 1 weight 0 /.
  • Silicone epoxy resin manufactured by Toray 'Dowcoung' Silicone Co., Ltd., BY16-115) 4.7% by weight, the above synthesized (meth) acrylic modified as a curable resin curable with both light and heat Phenolic resin 24.3% by weight, photopolymerization initiator (Ciba 'Specialty' Chemicals Co., Ltd., Irgacure 651) 1. 6% by weight, porous filler (Union Showa Co., Ltd.) Molecular sieve 3A) 41.2% by weight and 12.7% by weight methyl ethyl ketone as solvent.
  • Siba 'Specialty' Chemicals Co., Ltd., Irgacure 651 1. 6% by weight
  • porous filler Union Showa Co., Ltd.
  • Molecular sieve 3A 41.2% by weight and 12.7% by weight methyl ethyl ketone as solvent.
  • Example 2 The procedure was the same as Example 1 except that the composition of the rosin varnish was as follows. Acrylic resin compound that is liquid at room temperature as photocurable resin (Sanyo Kasei Co., Ltd., Neomer PM201) 5.5 wt%, epoxy resin as thermosetting resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) Epicron N-865) 14. 1 weight 0 /. , Silicone epoxy resin (Toray 'Dow Coung' silicone ( BY16-115) manufactured by Co., Ltd. 5.
  • Example 1 was repeated except that the following were used as the filler.
  • a porous filler manufactured by Union Showa Co., Ltd., molecular sieve 4A, pore diameter 4A was used.
  • Example 1 was repeated except that the following were used as the filler.
  • a porous filler manufactured by Union Showa Co., Ltd., molecular sieve 5A, pore diameter 5A was used.
  • Example 1 was repeated except that the following were used as the filler.
  • a porous filler (Union Showa Co., Ltd., molecular sieve 13X, pore diameter 10A) was used as the filler.
  • Example 1 was repeated except that the following resin was used as a resin curable with both light and heat.
  • a resin that can be cured by both light and heat an acrylic copolymer resin having a carboxyl group and an acrylic group in its side chain (Daicel Chemical Industries, Ltd., Cyclomer P) was used.
  • Example 2 The procedure was the same as Example 1 except that the composition of the rosin varnish was as follows.
  • Acrylic resin compound that is liquid at room temperature as photo-curable resin (Sanyo Kasei Co., Ltd., Neomer PM201) 5.1% by weight, epoxy resin as thermosetting resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) , Epikuro down N-865) 12. 9 weight 0/0, a silicone epoxy ⁇ (Toray 'Daukoyungu' silicone Co., Ltd., BY16-115) 5.
  • Example 2 The procedure was the same as Example 1 except that the composition of the rosin varnish was as follows.
  • Acrylic resin compound that is liquid at room temperature as photo-curable resin (Sanyo Kasei Co., Ltd., Neomer PM201) 5.1% by weight, epoxy resin as thermosetting resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) , Epikuro down N-865) 12. 9 weight 0/0, a silicone epoxy ⁇ (Toray 'Daukoyungu' silicone Co., Ltd., BY16-115) 5.
  • Example 2 The procedure was the same as Example 1 except that the composition of the rosin varnish was as follows.
  • Acrylic resin compound that is liquid at room temperature as photo-curable resin (Sanyo Kasei Co., Ltd., Neomer PM201) 5.1% by weight, epoxy resin as thermosetting resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) , Epikuro down N-865) 12. 9 weight 0/0, a silicone epoxy ⁇ (Toray 'Daukoyungu' silicone Co., Ltd., BY16-115) 5.
  • Example 2 The procedure was the same as Example 1 except that the composition of the rosin varnish was as follows.
  • Acrylic resin compound that is liquid at room temperature as photocurable resin (Sanyo Kasei Co., Ltd., Neomer PM201) 8.1 wt%, epoxy resin as thermosetting resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) , Epiclo Down N-865) 20. 5 wt 0/0, a silicone epoxy ⁇ (Toray 'Daukoyungu' Silicone Co., Ltd., BY16-115) 8.
  • the curable curable ⁇ in both light and heat as the fat was synthesized above (meth) acrylic-modified phenol ⁇ 44.8 wt%, photoinitiator (Ciba. scan Bae Shariti 'Chemicals Co., Irugakyua 651) 3.0 wt 0/0, the solvent Methyl ethyl ketone as 15.0% by weight.
  • the obtained adhesive film was exposed so that light with a wavelength of 365 nm was irradiated at 750 mjZcm 2 and cured at 120 ° C. for 1 hour and at 180 ° C. for 2 hours to obtain a cured film.
  • a dumbbell-shaped test piece was produced from the cured film according to JIS K7127 and subjected to a tensile test. And the tensile fracture strength of each adhesive film was calculated
  • the developability of the resulting adhesive film was soaked in 25 ° C, 3% TMAH (tetramethylammonium-oxide, id-oxide), and the resin was dissolved within 3 minutes. If it was not left above, it was judged as “developable”, and if the resin remained, it was judged as “developable”.
  • TMAH tetramethylammonium-oxide
  • the resolution was evaluated by the aperture ratio as follows.
  • the resulting adhesive film is laminated to a polyimide film at 55 ° C, and a negative type film mask that can open a via with a diameter of 200 ⁇ m is used to irradiate 200 mjZcm 2 of light with a wavelength of 365 nm. Pattern exposure. Thereafter, development was performed with 3% TMAH at a spray pressure of 0. IMPa for 90 seconds, the diameter of the via patterned with a measuring microscope was measured, and the aperture ratio was calculated using the following formula.
  • Opening ratio (%) Measured opening diameter ( ⁇ m) Z mask diameter 200 ( ⁇ m) XIOO [0061] 4) Moisture permeability
  • the resulting adhesive film is bonded to produce a film with a film thickness of 100 m.
  • the exposure dose is 750 mjZcm 2 (wavelength 365 nm).
  • heat cure for 120 ° CZl hours and 180 ° CZl hours.
  • the obtained cured film was evaluated in accordance with a moisture permeable cup method (JIS Z0208) in an environment of 40 ° CZ90% and 25 ° CZ50% to determine the moisture permeability.
  • Examples 1 to 9 are excellent in film properties with high tensile strength of the adhesive film, and also in developability and resolution! /
  • a 6-inch wafer with a solid-state image sensor as a semiconductor component Prepare a 6-inch wafer with a solid-state image sensor as a semiconductor component, and use the laminator set at 60 ° C to attach the adhesive film onto the 6-inch wafer.
  • a pattern sample is produced by exposing and developing using a negative mask and an exposure machine.
  • the patterning shape and arrangement are such that the light receiving part on each individual image sensor is surrounded by a frame with a width of 100 / zm.
  • the exposure is such that light with a wavelength of 365 nm is irradiated at 750 miZcm 2 , and the development is performed using 3% TMAH (tetraammohydrate mouth oxide) at a spray pressure of 0.1 MPa and a time of 90 seconds. went.
  • TMAH tetraammohydrate mouth oxide
  • the obtained pattern sample is separated into pieces and a glass substrate (5 mm x 4 mm x 0.5 mm) is attached. Bonding was performed by thermocompression bonding (temperature 110 ° C, time 10 seconds, pressure IMPa). This sample was cured at 120 ° C. for 1 hour and then at 180 ° C. for 2 hours, placed on an evaluation substrate, and connected to produce an evaluation sample. A general accelerated reliability test of the semiconductor device was performed on the sample for evaluation. After 500 hours of treatment at 60 ° C and 90% humidity, put it in an environment with a temperature of 25 ° C and 50% humidity, and observe with a microscope whether the inside of the glass substrate of the sample for evaluation is condensed did. The results are shown in Table 2.
  • Examples 1A to 9A showed no condensation, no electrode corrosion, excellent electrical conductivity, good images, and good reliability as a semiconductor device. It was. On the other hand, in Comparative Examples 1A to 2A, condensation was observed and the reliability as a semiconductor device was inferior. From the above results, according to the present invention, it is possible to provide an adhesive film having high performance, particularly excellent reliability as a semiconductor liquid crystal material.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

　  半導体用部品または液晶表示用部品と、基板とを接合するために用いられる接着フィルムであって、前記接着フィルムは、硬化性樹脂と、充填材とを含む樹脂組成物で構成され、かつ前記接着フィルムの透湿率が３０［ｇ／ｍ2・２４ｈ］以上である接着フィルムであり、前記硬化性樹脂は、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、並びに光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂を含むものであることが好ましい。前記充填材は、多孔質充填材を含むものであり、前記充填材の平均空孔径は、０．１～５ｎｍ、前記接着フィルムの２５°Cでの透湿率は、４［ｇ／ｍ2・２４ｈ］以上であることが好ましい。

Description

明 細 書
接着フィルム 技術分野
[0001] 本発明は、接着フィルムに関する。
背景技術
[0002] 半導体素子等の半導体用部品または液晶表示用部品と、インターポーザー等のリジ ッド基板、有機物もしくは無機物で構成される絶縁基板等の基板とを接合する場合、 接着剤となる液状榭脂等をディスペンサー、ポッティング法により選択的に半導体素 子や基板の一方に塗布したり、スキージ等で液状榭脂を部分的に塗布したりして使 用されている (例えば特許文献 1参照)。
[0003] 半導体部品又は液晶表示部品の種類によっては、前記部品と基板とを接合する際 に、全面に接着材を塗布して接着せずに、外周部のみ接着材を選択的に塗布し、前 記部品と基板とを接着させ、内部に空間を設けた構造 (いわゆる中空パッケージ）に するものがある。特に、基板としてガラス等の透明部材を用いた前記構造のものに汎 用の接着材を用いると、内部の空間の透明部材が結露を生じる場合がある。特に、 半導体部品が固体撮像素子の場合は、結露のために、固体撮像素子が正確な光電 変換を起こさせず、画像認識や、表示に問題を生じる場合があった。
[0004] 特許文献 1 :特開平 10- 313070号公報
発明の開示
[0005] 本発明の目的は、半導体用部品または液晶表示用部品と、基板との間に生じる結露 を防止することができる信頼性に優れた接着フィルムを提供することにある。
[0006] このような目的は、下記（1)〜（8)に記載の本発明により達成することができる。
(1) 半導体用部品または液晶表示用部品と、基板とを接合するために用いられる接 着フィルムであって、 前記接着フィルムは、硬化性榭脂と、充填材とを含む榭脂組 成物で構成され、かつ前記接着フィルムの、 JIS Z0208 B法により測定された透湿 率力 30[g/m2' 24h]以上であることを特徴とする接着フィルム。
(2)前記硬化性榭脂は、光硬化性榭脂を含むものである（1)に記載の接着フィルム。 (3) 前記光硬化性榭脂は、アクリル系化合物を主成分とする紫外線硬化性榭脂を 含む（2)に記載の接着フィルム。
(4) 前記硬化性榭脂は、熱硬化性榭脂を含むものである（1)に記載の接着フィルム
(5) 前記熱硬化性榭脂は、エポキシ榭脂を含む (4)に記載の接着フィルム。
(6) 前記硬化性榭脂は、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂を含むもので ある（1)に記載の接着フィルム。
(7) 光および熱の両方で硬化可能な前記硬化性榭脂は、（メタ）アクリル変性フエノ 一ル榭脂または (メタ)アタリロイル基含有 (メタ)アクリル酸重合体を含むものである（6 )に記載の接着フィルム。
(8) 前記充填材は、多孔質充填材を含むものである（1)に記載の接着フィルム。
(9)前記充填材の平均空孔径は、 0. l〜5nmである（8)に記載の接着フィルム。
(10)前記充填材の室温における吸着力 [Q1] (加熱により完全に乾燥させた充填材 をアルミカップに計量し、 25°CZ50%環境下で 168時間放置したあとの重量増加） 力 7[gZl00g充填材]以上である（8)に記載の接着フィルム。
(11)前記充填材の 60°Cにおける吸着力 [Q2] (加熱により完全に乾燥させた充填材 をアルミカップに計量し、 60°CZ90%環境下で 168時間放置したあとの重量増加） 力 3[gZlOOg充填材]以上である（10)に記載の接着フィルム。
(12) 0. 4 X [Q1]く [Q2]を満たす（11)に記載の接着フィルム。
(13)前記充填材は、ゼォライトである（8)に記載の接着フィルム。
(14)前記接着フィルムの、 JIS Z0208 B法により測定された透湿率力 200 [gZ m2' 24h]以下である（1)に記載の接着フィルム。
(15)前記接着フィルムの 25°Cでの透湿率 (JIS Z0208に準じ、透湿処理条件は 25 °C/50%として測定した）は、 4[g/m2' 24h]以上である（1)に記載の接着フィルム
(16) JIS Z0208 B法により測定された前記基板の透湿率は、 30[g/m2' 24h] 未満である（1)に記載の接着フィルム。
本発明によれば、半導体用部品または液晶表示用部品と、基板との間に生じる結露 を防止することができる信頼性に優れた接着フィルムを得ることができる。また、内部 電極等の腐食も殆ど無ぐ長期間、信頼性を維持できる。
発明を実施するための最良の形態
[0008] 以下、本発明の接着フィルムについて詳細に説明する。 本発明の接着フィルムは、 半導体用部品または液晶表示用部品と、基板とを接合するために用いられる接着フ イルムであって、前記接着フィルムは、硬化性榭脂と、充填材とを含む榭脂組成物で 構成され、かつ前記接着フィルムの透湿率が 30 [g/m2' 24h]以上であることを特徴 とする。
[0009] 本発明の接着フィルムは、半導体用部品または液晶表示用部品と、基板とを接合す るために用いられるものである。前記半導体用部品または液晶表示用部品と、基板と の接合では、接着剤成分が半導体用部品等 (または基板)の所定の部分に精度良く 形成されることが必要である。本発明の接着フィルムは、このような要求に適したもの である。
[0010] 前記接着フィルムは、硬化性榭脂と、充填材とを含む榭脂組成物で構成され、かつ 前記接着フィルムの透湿率が 30[g/m2' 24h]以上である。これにより、半導体用部 品または液晶表示用部品と基板との接着に前記フィルムが使われた場合、内部の湿 気により基板 (特に透明基板)等が結露してしまうような状態を防止できる。
[0011] 従来から、このような湿気による基板等に生じる結露を防止するために接着剤等の透 湿率を制御することが行なわれていた。そして、結露を防止するために接着剤等の 透湿率を低下して (例えば 10[gZm2' 24h]以下）、外部からの湿気の浸入を防止す る方法が検討されているが、困難である。
[0012] これに対して、本発明では前記接着フィルムの透湿率を、従来力 行なわれていたよ うに低くするのではなぐ逆に高くし、湿気の通気性に優れた榭脂にすることにより、 結露の発生を防止するものである。前記接着フィルムの透湿率は、 40[g/m2' 24h] 以上が好ましぐ特に50〜200[8/1112' 2411]が好ましぃ。下限値未満であると、基 板等の結露を充分に防止できない場合がある。上限値を超えると、フィルムの成膜性 力 S低下することがある。 前記接着フィルムの透湿率は厚さ 100 μ mの接着フィルム を用いて、透湿カップ法 (JIS Z0208 B法）に準じて、 40°CZ90%で評価すること ができる。
[0013] また、前記接着フィルムの 25°Cでの透湿率は、 4[g/m2'24h]以上であることが好 ましい。これにより、特に基板等が結露するのを効果的に防止することができる。前記 接着フィルムの 25°Cでの透湿率は厚さ 100 μ mの接着フィルムを用いて、透湿カツ プ法 (JIS Z0208)に準じ、透湿処理条件は 25°CZ50%として評価することができ る。
[0014] 本発明の接着フィルムが結露の発生を防止することができるのは、次のように考えら れる。 例えば半導体用部品と、基板との間（内部)で生じた結露は、基板貼り付け時 に内部の空間に閉じ込められた湿気と、貼り付け後に接着材層を通って内部に入つ てきた湿気が原因であると考えられる。そのため、接着フィルムの透湿率を低くする方 法では、透湿率を完全にゼロにすることはできないため、時間をかけてゆっくり内部 に湿気が入り、それを瞬時に外部に逃がすことができず、結露を解決するのは困難 であった。これに対して、本発明の接着フィルムは、比較的高い透湿率を有している ため内部に発生した湿気を外部に瞬時に逃がすことができ、それによつて結露の発 生を防止することが可能となる。
[0015] 前記榭脂組成物を構成する硬化性榭脂としては、例えば光硬化性榭脂 (主として紫 外線等の光の照射により硬化する榭脂）、熱硬化性榭脂 (主として熱で硬化する榭脂 )等が挙げられる。
[0016] 前記硬化性榭脂は、特に限定されな 、が、光硬化性榭脂を含むことが好ま 、。こ れにより、接着剤成分の位置合わせ精度に優れる。すなわち光硬化性榭脂を含むこ とで、接着フィルムを露光、現像、パターンユングすることにより接着剤成分を所定の 位置に配置することが容易に可能となるからである。
[0017] 前記光硬化性榭脂 (特に、紫外線硬化性榭脂）としては、例えばアクリル系化合物を 主成分とする紫外線硬化性榭脂、ウレタンアタリレートオリゴマーまたはポリエステル ウレタンアタリレートオリゴマーを主成分とする紫外線硬化性榭脂、エポキシ系榭脂、 ビュルフエノール系榭脂の群力 選ばれる少なくとも 1種を主成分とする紫外線硬化 性榭脂等が挙げられる。
[0018] これらの中でもアクリル系化合物を主成分とする紫外線硬化性榭脂が好ましい。ァク リル系化合物は光を照射した際の硬化速度が速ぐこれにより、比較的少量の露光 量で榭脂をパターユングすることができる。 前記アクリル系化合物としては、アクリル 酸エステルもしくはメタクリル酸エステルのモノマー等が挙げられ、具体的にはジァク リル酸エチレングリコール、ジメタタリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸 1, 6-へキサ ンジオール、ジメタクリル酸 1, 6-へキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタク リル酸グリセリン、ジアクリル酸 1, 10-デカンジオール、ジメタクリル酸 1, 10-デカンジ オール等の 2官能アタリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸ト リメチロールプロパン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、トリメタクリル酸ペンタエリス リトール、へキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、へキサメタクリル酸ジペンタエリスリ トール等の多官能アタリレートなどが挙げられる。これらの中でもアクリル酸エステル が好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が 1〜 15のアクリル酸エステルま たはメタクリル酸アルキルエステルが好まし 、。
[0019] 前記光硬化性榭脂 (紫外線硬化性榭脂)の含有量は、特に限定されな！ヽが、前記榭 脂組成物全体の 5〜60重量％が好ましぐ特に 8〜30重量％が好ましい。含有量が 前記下限値未満であると紫外線照射による樹脂のパターユングができない場合があ り、前記上限値を超えると榭脂が軟らかくなりすぎ、紫外線照射前のフィルム特性が 低下する場合がある。
[0020] また、前記光硬化性榭脂 (特に、紫外線硬化性榭脂）は、特に限定されな 、が、常温 で液状であることが好ましい。これにより、紫外線による硬化反応性を向上することが できる。さらに、前記熱硬化性榭脂との混合作業を容易にすることができる。前記常 温で液状の紫外線硬化性榭脂としては、前述したアクリル化合物を主成分とする紫 外線硬化性榭脂等が挙げられる。
[0021] また、前記榭脂組成物には、さらに、光重合開始剤を併用することが好ましい。これ により、光重合により榭脂を効率良くパターユングすることができる。
[0022] 前記光重合開始剤としては、例えばべンゾフエノン、ァセトフエノン、ベンゾイン、ベン ゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾ インメチルエーテル、ベンジルフィエルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジァセ チルなどが挙げられる。 [0023] 前記光重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、前記榭脂組成物全体の 0. 5 〜5重量％が好ましぐ特に 0. 8〜2. 5重量％が好ましい。含有量が前記下限値未 満であると光重合開始する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応 性が高くなりすぎ保存性や解像性が低下する場合がある。
[0024] 前記硬化性榭脂は、さらに熱硬化性榭脂を含むことが好ましい。これにより、前記接 着フィルムを露光、現像、パターンユングした後でも接着性を有することができる。す なわち、前記接着フィルムを接合して露光、現像、パターンユングすることにより、所 定の位置に接着剤成分を配置した後、熱圧着することで半導体用部品等と基板とを 接合することができる。
[0025] 前記熱硬化性榭脂としては、例えばフエノールノボラック榭脂、クレゾ一ルノボラック 榭脂、ビスフエノール Aノボラック榭脂等のノボラック型フエノール榭脂、レゾールフエ ノール榭脂等のフエノール榭脂、ビスフエノール Aエポキシ榭脂、ビスフエノール エ ポキシ榭脂等のビスフエノール型エポキシ榭脂、ノボラックエポキシ榭脂、クレゾ一ノレ ノボラックエポキシ榭脂等のノボラック型エポキシ榭脂、ビフエ-ル型エポキシ榭脂、 スチルベン型エポキシ榭脂、トリフエノールメタン型エポキシ榭脂、アルキル変性トリフ ェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ榭脂、ジシクロペンタジェ ン変性フエノール型エポキシ榭脂等のエポキシ榭脂、ユリア (尿素)榭脂、メラミン榭 脂等のトリアジン環を有する榭脂、不飽和ポリエステル榭脂、ビスマレイミド榭脂、ポリ ウレタン榭脂、ジァリルフタレート榭脂、シリコーン榭脂、ベンゾォキサジン環を有する 榭脂、シァネートエステル榭脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良 い。これらの中でもエポキシ榭脂が特に好ましい。これにより、耐熱性および密着性を より向上することができる。
[0026] また、さらに前記エポキシ榭脂として室温で固形のエポキシ榭脂（特にビスフエノール 型エポキシ榭脂）と、室温で液状のエポキシ榭脂（特に室温で液状のシリコーン変性 エポキシ榭脂）とを併用することが好ましい。これにより、耐熱性を維持しつつ、可とう 性と解像性との両方に優れる。
[0027] 前記熱硬化性榭脂の含有量は、特に限定されないが、前記榭脂組成物全体の 10〜 40重量％が好ましぐ特に 15〜35重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満で あると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると接着フィ ルムの靭性を向上する効果が低下する場合がある。
[0028] また、室温で液状の前記熱硬化性榭脂を併用する場合、前記の液状光硬化性榭脂 と液状熱硬化性榭脂との合計量が、前記榭脂組成物全体の 60%重量以下であるこ と力 子ましく、 50重量％以下であることがより好ましい。また、下限については特に制 限がないが、 5重量％以上とすることが好ましい。このような範囲内であると、特に耐 熱性と、可とう性と、解像性とのバランスに優れる。
[0029] 前記硬化性榭脂は、さらに光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂を含むことが 好ましい。これにより、前記光硬化性榭脂と前記熱硬化性榭脂との相溶性を向上す ることができ、それによつて硬化 (光硬化および熱硬化）した後の前記接着フィルムの 強度を高めることができ、最終製品の信頼性を向上することができる。
[0030] 前記光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂としては、例えば、アタリロイル基、 メタクリロイル基、ビニル基等の光反応基を有する熱硬化性榭脂や、エポキシ基、フ ノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、酸無水物基、アミノ基、 シァネート基等の熱反応基を有する光硬化性榭脂等が挙げられる。具体的には、（メ タ）アクリル変性フエノール榭脂、側鎖にカルボキシル基とアクリル基を有するアクリル 共重合榭脂等が挙げられる。これらの中でも (メタ)アクリル変性フエノール榭脂が好 ましい。これにより、現像液に有機溶剤ではなぐ環境に対する負荷の少ないアル力 リ水溶液を適用できると共に、耐熱性を維持することができる。 なお、前記硬化性榭 脂としては、熱硬化性榭脂、光硬化性榭脂で前述したものを用いることができる。
[0031] 前記光反応基を有する熱硬化性榭脂の場合、前記光反応基の変性率 (置換率)は、 特に限定されな 、が、前記光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂の反応基全 体 (光反応基と熱反応基の合計)の 20〜80%が好ましぐ特に 30〜70%が好ましい 。変性量が前記範囲内であると、特に解像性に優れる。
[0032] 前記熱反応基を有する光硬化性榭脂の場合、前記熱反応基の変性率 (置換率)は、 特に限定されな 、が、前記光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂の反応基全 体 (光反応基と熱反応基の合計)の 20〜80%が好ましぐ特
に 30〜70%が好ましい。変性量が前記範囲内であると、特に解像性に優れる。 [0033] 前記光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂の含有量は、特に限定されな！、が 、前記榭脂組成物全体の 15〜50重量％が好ましぐ特に 20〜40重量％が好ましい 。含有量が前記下限値未満であると相溶性を向上する効果が低下する場合があり、 前記上限値を超えると現像性または解像性が低下する場合がある。
[0034] 前記榭脂組成物は、充填材を含む。充填材は、前記接着フィルムの透湿率を制御す ることが可能な重要な成分である。 前記充填材としては、例えばアルミナ繊維、ガラ ス繊維等の繊維状充填材、チタン酸カリウム、ウォラストナイト、アルミニウムボレート、 針状水酸ィ匕マグネシウム、ウイスカ一等の針状充填材、タルク、マイ力、セリサイト、ガ ラスフレーク、鱗片状黒鉛、板状炭酸カルシウム等の板状充填材、炭酸カルシウム、 シリカ、溶融シリカ、焼成クレー、未焼成クレー等の球状 (粒状)充填材、ゼォライト、 シリカゲル等の多孔質充填材等が挙げられる。これらを 1種又は 2種以上混合して用 いることもできる。これらの中でも、多孔質充填材が好ましい。これにより、前記接着フ イルムの透湿率を高くすることができる。
[0035] 前記充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、 0. 01〜90 mが好ましぐ特 に 0. 1〜40 /ζ πιが好ましい。平均粒子径が前記上限値を超えるとフィルムの外観異 常や解像性不良となる場合があり、前記下限値未満であると加熱貼り付け時の接着 不良となる場合がある。 前記平均粒子径は、例えばレーザ回折式粒度分布測定装 置 SALD-7000 ((株)島津製作所製)を用いて評価することができる。
[0036] 前記充填材の含有量は、特に限定されないが、前記榭脂組成物全体の 5〜70重量 %が好ましぐ特に 20〜50重量％が好ましい。含有量が前記上限値を超えると加熱 貼り付け時に接着不良となる場合があり、前記下限値未満であると透湿率が低く基板 の結露を改善出来な 、場合がある。
[0037] 前記充填材として、多孔質充填材を用いることが好ましい。前記充填材として、多孔 質充填材を用いた場合、前記多孔質充填材の平均空孔径は、 0. l〜5nmが好まし ぐ特に 0. 3〜： Lnmが好ましい。平均空孔径が前記上限値を超えると一部榭脂成分 が空孔内部に入り込み、反応が阻害される可能性があり、前記下限値未満であると 吸水能力が低下するため、フィルムの透湿率が低下し、基板の結露を改善出来ない 場合がある。多孔質充填材の具体例としては、結晶性ゼオライトからなるモレキュラー シーブが例示される。結晶性ゼオライトは、以下の一般式で表される。
M 0-A1 O -xSiO -yH O
2/n 2 3 2 2
M :金属カチオン n:原子価
結晶性ゼオライトの結晶型として、 3A、 4A、 5A、 13Xが挙げられる力 結露を効果 的に防止する観点から、 3A型および 4A型のものが好ましく用いられる。
[0038] 前記充填材の室温での吸着力 [Q1]は、特に限定されないが、 7[gZl00g充填材] 以上が好ましぐ特に 15[gZl00g充填材]以上が好ましい。前記室温での吸着力 が前記下限値未満であると充填材の吸水能力が低ぐフィルムの透湿率が低下し、 基板の結露を改善出来ない場合がある。 前記室温での吸着力 [Q1]は、例えば、 加熱により完全に乾燥させた充填材をアルミカップに計量し、 25°CZ50%環境下で 168時間放置したあとの重量増加により求めることができる。
[0039] さらに前記充填材の 60°Cでの吸着力 [Q2]は、特に限定されないが、 3[gZl00g充 填材]以上が好ましぐ特に 10[gZl00g充填材]以上が好ましい。前記 60°Cでも吸 着力が前記値を維持していると、特に基板の結露改善に効果がある。 前記 60°Cで の吸着力 [Q2]は、例えば、加熱により完全に乾燥させた充填材をアルミカップに計 量し、 60°CZ90%環境下で 168時間放置したあとの重量増加により求めることがで きる。
[0040] 前記室温での吸着力 [Q1]と、前記 60°Cでの吸着力 [Q2]との関係は、特に限定さ れないが、以下の関係を満たすことが好ましい。 0. 4 * [Q1]く [Q2] [Q1]と [Q2 ]とが前記関係式を充足する場合、特に基板結露改善に効果がある。その理由として は、充填材が高温でも吸着力を維持することから、それを充填したフィルムは比較的 高温でも透湿率を維持し、フィルム中を気体の水分が通り易いために、高温から室温 に温度を下げても、瞬時に半導体装置内部や液晶装置内部の水分が少なくなり、結 露と ヽぅ現象が起こらな ヽものと考えられる。
[0041] 前記榭脂組成物は、上述した硬化性榭脂、充填材に加え、本発明の目的を損なわ ない範囲で可塑性榭脂、レべリング剤、消泡剤、カップリング剤などの添加剤を含有 することができる。
[0042] さて、このような接着フィルムを用いて接合する前記半導体用部品としては、特には 限定されないが、例えば CCD、 CMOSなどの固体撮像素子や、 MEMS素子等の 半導体素子が挙げられる。 また、前記液晶表示用部品としては、特には限定されな V、が、例えば液晶パネル等が挙げられる。
[0043] 基板としてはインターポーザーもしくはマザ一ボードと呼ばれるようなフレキシブル基 板ゃリジッド基板、有機物または無機物等で構成される絶縁基板、アクリル榭脂、ポリ エチレンテレフタレート榭脂 (PET)、ガラス基板等の透明基板が挙げられる。これら の中でも基板として、無機物で構成される基板を用いる場合に特に前記接着フィル ムの性能が発揮されることになる。その理由としては、有機物で構成される基板を用 いた場合、無機物で構成される基板に比べて基板の透湿率が高いため、接着フィル ムの影響は小さくなると考えられる。これに対して、無機物で構成される基板を用いる 場合は、接着フィルム部分のみが水分を透過可能なものとなり、その影響が大きくな る力もである。前記基板の透湿率は、 30[g/m2' 24h]未満であることが好ましい。 (実施例）
[0044] 以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれ に限定されるものではない。まず、接着フィルムの実施例について説明する。なお、 実施例で用いたモレキュラーシーブにおいて、たとえば「モレキュラーシーブ 3A」とあ るのは、結晶型が 3Aタイプであることを示している。
[0045] (実施例 1)
1.光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂（アクリル変性フエノール榭脂の合成 )
フエノールノボラック（大日本インキ化学工業 (株)製、フエノライト TD-2090-60M) の不揮発分 70%MEK溶液 600g (OH約 4当量）を、 2Lのフラスコ中に投入し、これ にトリブチルァミン lg、およびハイドロキノン 0. 2gを添加し、 110°Cに加温した。その 中へ、グリシジルメタタリレート 284g (2モル）を 30分間で滴下した後、 110°Cで 5時間 攪拌反応させることにより、不揮発分 80%メタクリロイル基含有フエノールノボラック（ メタクリロイル基変性率 50%)を得た。
[0046] 2.榭脂ワニスの調製
光硬化性榭脂として室温で液状のアクリル榭脂化合物（トリエチレングリコールジメ タクリレート；三洋化成 (株)製、ネオマー PM201) 5. 1重量0 /0、熱硬化性榭脂として エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業 (株)製、ェピクロン N-865 2. 9重量％、シリ コーンエポキシ榭脂（東レ 'ダウコーユング 'シリコーン (株)製、 BY16- 115) 5. 4重量 %、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂として上記の合成した (メタ)アクリル 変性フエノール榭脂 28. 2重量％、光重合開始剤（チバ 'スぺシャリティ ·ケミカルズ（ 株)製、ィルガキュア 651) 1. 9重量％、充填材として多孔質充填材 (ユニオン昭和（ 株)製、モレキュラーシーブ 3A) 31. 8重量0 /0、溶剤としてメチルェチルケトン 14. 7重 量0 /0を秤量し、デイスパーザーを用い、回転数 5, OOOrpmで 1時間攪拌し、榭脂ヮ- スを調製した。
[0047] 3.接着フィルムの製造
上述の榭脂ワニスをコンマコーターで支持基材ポリエステルフィルム（三菱ポリエステ ルフィルム (株)製、 T100G、厚さ 25 μ m)に塗布し、 80°C、 10分乾燥して膜厚 50 μ mの接着フィルムを得た。
[0048] (実施例 2)
榭脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例 1と同様にした。 光硬化性榭 脂として室温で液状のアクリル榭脂化合物（三洋化成 (株)製、ネオマー PM201) 4. 4重量％、熱硬化性榭脂としてエポキシ榭脂 (大日本インキ化学工業 (株)製、ェピクロ ン N- 865) 11. 1重量0 /。、シリコーンエポキシ榭脂（東レ'ダウコーユング 'シリコーン（ 株)製、 BY16-115) 4. 7重量％、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂とし て上記の合成した (メタ)アクリル変性フエノール榭脂 24. 3重量％、光重合開始剤（ チバ 'スぺシャリティ'ケミカルズ (株)製、ィルガキュア 651) 1. 6重量％、充填材として 多孔質充填材 (ユニオン昭和 (株)製、モレキュラーシーブ 3A) 41. 2重量％、溶剤と してメチルェチルケトン 12. 7重量％とした。
[0049] (実施例 3)
榭脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例 1と同様にした。 光硬化性榭 脂として室温で液状のアクリル榭脂化合物（三洋化成 (株)製、ネオマー PM201) 5. 5重量％、熱硬化性榭脂としてエポキシ榭脂 (大日本インキ化学工業 (株)製、ェピクロ ン N- 865) 14. 1重量0 /。、シリコーンエポキシ榭脂（東レ'ダウコーユング 'シリコーン（ 株)製、 BY16-115) 5. 9重量％、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂とし て上記の合成した (メタ)アクリル変性フエノール榭脂 30. 7重量％、光重合開始剤（ チバ 'スぺシャリティ'ケミカルズ (株)製、ィルガキュア 651) 2. 1重量％、充填材として 多孔質充填材 (ユニオン昭和 (株)製、モレキュラーシーブ 3A、空孔径 3A) 25. 7重 量％、溶剤としてメチルェチルケトン 16. 0重量％とした。
[0050] (実施例 4)
充填材として以下のものを用いた以外は、実施例 1と同様にした。 充填材として多 孔質充填材 (ユニオン昭和 (株)製、モレキュラーシーブ 4A、空孔径 4 A)を用いた。
[0051] (実施例 5)
充填材として以下のものを用いた以外は、実施例 1と同様にした。 充填材として多 孔質充填材 (ユニオン昭和 (株)製、モレキュラーシーブ 5A、空孔径 5 A)を用いた。
[0052] (実施例 6)
充填材として以下のものを用いた以外は、実施例 1と同様にした。 充填材として多 孔質充填材 (ユニオン昭和 (株)製、モレキュラーシーブ 13X、空孔径 10A)を用いた
[0053] (実施例 7)
光および熱の両方で硬化可能な榭脂として以下のものを用いた以外は、実施例 1と 同様にした。 光および熱の両方で硬化可能な榭脂として、側鎖にカルボキシル基と アクリル基を有するアクリル共重合榭脂 (ダイセル化学工業 (株)製、サイクロマー P)を 用いた。
[0054] (実施例 8)
榭脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例 1と同様にした。 光硬化性榭 脂として室温で液状のアクリル榭脂化合物（三洋化成 (株)製、ネオマー PM201) 5. 1重量％、熱硬化性榭脂としてエポキシ榭脂 (大日本インキ化学工業 (株)製、ェピクロ ン N- 865) 12. 9重量0 /0、シリコーンエポキシ榭脂（東レ'ダウコーユング 'シリコーン（ 株)製、 BY16-115) 5. 4重量％、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂とし て上記の合成した (メタ)アクリル変性フエノール榭脂 28. 2重量％、光重合開始剤（ チバ 'スぺシャリティ'ケミカルズ (株)製、ィルガキュア 651) 1. 9重量％、充填材として 多孔質充填材 (ユニオン昭和 (株)製、モレキュラーシーブ 3A) 15. 9重量0 /0、シリカ（( 株)アドマテックス製、アドマファイン SE5101) 15. 9重量0 /0、溶剤としてメチルェチル ケトン 14. 7重量％とした。
[0055] (実施例 9)
榭脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例 1と同様にした。 光硬化性榭 脂として室温で液状のアクリル榭脂化合物（三洋化成 (株)製、ネオマー PM201) 5. 1重量％、熱硬化性榭脂としてエポキシ榭脂 (大日本インキ化学工業 (株)製、ェピクロ ン N- 865) 12. 9重量0 /0、シリコーンエポキシ榭脂（東レ'ダウコーユング 'シリコーン（ 株)製、 BY16-115) 5. 4重量％、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂とし て上記の合成した (メタ)アクリル変性フエノール榭脂 28. 2重量％、光重合開始剤（ チバ 'スぺシャリティ'ケミカルズ (株)製、ィルガキュア 651) 1. 9重量％、充填材として 多孔質充填材 (ユニオン昭和 (株)製、モレキュラーシーブ 3A) 15. 9重量0 /0、シリカゲ ル (水澤化学工業 (株)製） 15. 9重量0 /0、溶剤としてメチルェチルケトン 14. 7重量％ とした。
[0056] (比較例 1)
榭脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例 1と同様にした。 光硬化性榭 脂として室温で液状のアクリル榭脂化合物（三洋化成 (株)製、ネオマー PM201) 5. 1重量％、熱硬化性榭脂としてエポキシ榭脂 (大日本インキ化学工業 (株)製、ェピクロ ン N- 865) 12. 9重量0 /0、シリコーンエポキシ榭脂（東レ'ダウコーユング 'シリコーン（ 株)製、 BY16-115) 5. 4重量％、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂とし て上記の合成した (メタ)アクリル変性フエノール榭脂 28. 2重量％、光重合開始剤（ チバ 'スぺシャリティ'ケミカルズ (株)製、ィルガキュア 651) 1. 9重量％、充填材として シリカ（(株)アドマテックス製、アドマファイン SE5101) 31. 8重量0 /0、溶剤としてメチ ルェチルケトン 14. 7重量％とした。
[0057] (比較例 2)
榭脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例 1と同様にした。 光硬化性榭 脂として室温で液状のアクリル榭脂化合物（三洋化成 (株)製、ネオマー PM201) 8. 1重量％、熱硬化性榭脂としてエポキシ榭脂 (大日本インキ化学工業 (株)製、ェピクロ ン N- 865) 20. 5重量0 /0、シリコーンエポキシ榭脂（東レ'ダウコーユング 'シリコーン（ 株)製、 BY16-115) 8. 6重量％、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂とし て上記の合成した (メタ)アクリル変性フエノール榭脂 44. 8重量％、光重合開始剤（ チバ.スぺシャリティ'ケミカルズ (株)製、ィルガキュア 651) 3. 0重量0 /0、溶剤としてメ チルェチルケトン 15. 0重量％とした。
[0058] 各実施例および比較例で得られた接着フィルムについて、以下の評価を行った。評 価項目を、内容と共に示す。得られた結果を表 1に示す。
1)フィルム特性 (引張破壊強さ）
得られた接着フィルムを波長 365nmの光が 750mjZcm2照射されるように露光し、 120°Cで 1時間、 180°Cで 2時間硬化して、フィルム硬化物を得た。そのフィルム硬化 物を JIS K7127に準じてダンベル型試験片を作製し、引張試験を行なった。そして それぞれの接着フィルムの引張破壊強さを求めた。
[0059] 2)現像性
得られた接着フィルムの現像性を、 25°C、 3%の TMAH (テトラメチルアンモ -ゥム ノ、イド口オキサイド）に浸け、 3分以内に榭脂が溶解し、支持基材ポリエステルフィル ム上に残っていなければ、「現像性有り」と判断し、榭脂が残っていれば「現像性無し 」と判断した。
[0060] 3)解像性（開口率）
解像性は、以下のように開口率で評価した。 得られた接着性フィルムをポリイミドフ イルムに 55°Cでラミネートし、直径 200 μ mのビアが開口できるようなネガティブタイ プのフィルムマスクを用いて、波長 365nmの光が 200mjZcm2照射されるようにパタ ーン露光した。 その後、 3%TMAHを用いて、スプレー圧 0. IMPaで 90秒現像し 、測長顕微鏡でパターニングされたビアの直径を測定し、下記の式を用いて開口率 を算出した。
開口率（％) =実測された開口部の直径 ( μ m) Zマスクの直径 200 ( μ m) XIOO [0061] 4)透湿率
60°Cに設定されたラミネータを用いて、得られた接着フィルムを貼り合せ、膜厚 100 mのフィルムを作製し、露光機を用いて、露光量 750mjZcm2 (波長 365nm)照 射したあとに、 120°CZl時間、 180°CZl時間熱硬化する。得られた硬化後のフィ ルムを透湿カップ法 (JIS Z0208)に準じて、 40°CZ90%と 25°CZ50%の環境下 で評価し、透湿率を求めた。
(表 1) 表 1
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
[0063] 表 1から明らかなように、実施例 1〜9は接着フィルムの引張強度が高ぐフィルム特 性に優れており、現像性及び解像性にも優れて！/ヽた。
[0064] 次に、上述の接着フィルムを用いて半導体用部品と、基板とを接合して得られた接着 体の実施例について説明する。
(実施例 1 A〜9Aおよび比較例 1 A〜2A)
半導体用部品として固体撮像素子を搭載した 6インチウェハーを用意し、 60°Cに設 定されたラミネータを使用して、この 6インチウェハー上に上記接着フィルムを貼り付 ける。そして、ネガ型のマスクと露光機を用いて、露光し、現像することによりパター- ングサンプルを作製する。パターニング形状ならびに配置は各個体撮像素子上の受 光部を幅 100 /z mでフレーム状に囲う配置となっている。なお、露光は、波長 365nm の光が 750miZcm2照射されるように露光し、現像は、 3%TMAH (テトラアンモ-ゥ ムハイド口オキサイド）を用いて、スプレー圧 0. lMPa、時間 90秒の条件で行った。 得られたパター-ングサンプルを個片化し、ガラス基板（5mmx4mmx0. 5mm)を 加熱圧着 (温度 110°C、時間 10秒、圧力 IMPa)により貼り合せた。このサンプルを 1 20°Cで 1時間、その後 180°Cで 2時間硬化し、評価用基板にのせ、接続することによ り評価用サンプルを作製した。評価用サンプルで、半導体装置の一般的な加速信頼 性試験を行った。温度 60°C、湿度 90%の条件下で、 500時間処理したあと、温度 2 5°C、湿度 50%の環境に出し、評価用サンプルのガラス基板の内側が結露するか顕 微鏡で観察した。その結果を表 2に示す。
[0065] (表 2)
表 2
Figure imgf000017_0001
[0066] 表 2から明らかなように実施例 1A〜9Aは、結露も観察されず、また、電極腐食も無く 、導通性も優れ、良好な画像を示し、半導体装置として良好な信頼性を示した。これ に対して比較例 1A〜2Aは結露が観察され、半導体装置としての信頼性に劣ってい た。 以上の結果から、本発明により、高性能、特に半導体'液晶用材料としての信 頼性に優れた接着フィルムを提供できる。

Claims

請求の範囲
[I] 半導体用部品または液晶表示用部品と、基板とを接合するために用いられる接着フ イルムであって、 前記接着フィルムは、硬化性榭脂と、充填材とを含む榭脂組成物 で構成され、かつ前記接着フィルムの、 JIS Z0208 B法により測定された透湿率が 、 30 [g/m2 · 24h]以上であることを特徴とする接着フィルム。
[2] 前記硬化性榭脂は、光硬化性榭脂を含むものである請求項 1に記載の接着フィルム
[3] 前記光硬化性榭脂は、アクリル系化合物を主成分とする紫外線硬化性榭脂を含む 請求項 2に記載の接着フィルム。
[4] 前記硬化性榭脂は、熱硬化性榭脂を含むものである請求項 1に記載の接着フィルム
[5] 前記熱硬化性榭脂は、エポキシ榭脂を含む請求項 4に記載の接着フィルム。
[6] 前記硬化性榭脂は、光および熱の両方で硬化可能な硬化性榭脂を含むものである 請求項 1に記載の接着フィルム。
[7] 光および熱の両方で硬化可能な前記硬化性榭脂は、（メタ)アクリル変性フ ノール 榭脂または (メタ)アタリロイル基含有 (メタ)アクリル酸重合体を含むものである請求項
6に記載の接着フィルム。
[8] 前記充填材は、多孔質充填材を含むものである請求項 1に記載の接着フィルム。
[9] 前記充填材の平均空孔径は、 0. l〜5nmである請求項 8に記載の接着フィルム。
[10] 前記充填材の室温における吸着力 [Q1] (加熱により完全に乾燥させた充填材をァ ルミカップに計量し、 25°CZ50%環境下で 168時間放置したあとの重量増加）が、 7
[gZlOOg充填材]以上である請求項 8に記載の接着フィルム。
[II] 前記充填材の 60°Cにおける吸着力 [Q2] (加熱により完全に乾燥させた充填材をァ ルミカップに計量し、 60°CZ90%環境下で 168時間放置したあとの重量増加）が、 3 [gZlOOg充填材]以上である請求項 10に記載の接着フィルム。
[12] 0. 4 X [Ql] < [Q2]を満たす請求項 11に記載の接着フィルム。
[13] 前記充填材は、ゼォライトである請求項 8に記載の接着フィルム。
[14] 前記接着フィルムの、 JIS Z0208 B法により測定された透湿率力 200 [gZm2' 24 h]以下である請求項 1に記載の接着フィルム。
[15] 前記接着フィルムの 25°Cでの透湿率 (JIS Z0208に準じ、透湿処理条件は 25°CZ
50%として測定した）は、 4[gZm2' 24h]以上である請求項 1に記載の接着フィルム
[16] JIS Z0208 B法により測定された前記基板の透湿率は、 30[g/m2' 24h]未満で ある請求項 1に記載の接着フィルム。
PCT/JP2006/303600 2006-02-27 2006-02-27 接着フィルム WO2007097022A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2006/303600 WO2007097022A1 (ja) 2006-02-27 2006-02-27 接着フィルム
US12/224,097 US7947343B2 (en) 2006-02-27 2006-02-27 Adhesive film
EP06714737A EP1990389A4 (en) 2006-02-27 2006-02-27 ADHESIVE FILM
KR1020087023597A KR101090562B1 (ko) 2006-02-27 2006-02-27 접착 필름
CN2006800534534A CN101389725B (zh) 2006-02-27 2006-02-27 粘合膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2006/303600 WO2007097022A1 (ja) 2006-02-27 2006-02-27 接着フィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007097022A1 true WO2007097022A1 (ja) 2007-08-30

Family

ID=38437081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/303600 WO2007097022A1 (ja) 2006-02-27 2006-02-27 接着フィルム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7947343B2 (ja)
EP (1) EP1990389A4 (ja)
KR (1) KR101090562B1 (ja)
CN (1) CN101389725B (ja)
WO (1) WO2007097022A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014126147A1 (ja) * 2013-02-14 2014-08-21 日東電工株式会社 電子部品封止用樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び、樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2016149539A (ja) * 2015-02-11 2016-08-18 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド パターン化されたインターポーザを備えるパッケージ化マイクロチップ

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101717314B1 (ko) * 2011-08-19 2017-03-16 주식회사 엘지화학 편광판
US9704809B2 (en) * 2013-03-05 2017-07-11 Maxim Integrated Products, Inc. Fan-out and heterogeneous packaging of electronic components
GB201311647D0 (en) * 2013-06-28 2013-08-14 Brennan Entpr Ltd Coated fabrics
CN114316811A (zh) * 2021-12-29 2022-04-12 深圳市优宝新材料科技有限公司 胶黏剂及其制备方法和应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036278A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Nitto Denko Corp 電子部品接着用接着剤
JPH11145337A (ja) * 1997-11-12 1999-05-28 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品封止パッケージ
JP2000191745A (ja) * 1998-12-25 2000-07-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 紫外線硬化型樹脂組成物
JP2002338932A (ja) * 2001-05-14 2002-11-27 Sony Chem Corp 接着剤
JP2006016610A (ja) * 2004-05-31 2006-01-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、接着フィルムおよび樹脂ワニス
JP2006070053A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 接着フィルム
JP2006070054A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物および接着フィルム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10313070A (ja) 1997-05-12 1998-11-24 Sony Corp 固体撮像素子用中空パッケージ
JP4614214B2 (ja) * 1999-12-02 2011-01-19 信越化学工業株式会社 半導体装置素子用中空パッケージ
TWI257525B (en) * 2000-12-15 2006-07-01 Ind Tech Res Inst Photosensitive phosphorylated phenol-formaldehyde resin
KR20030085031A (ko) * 2001-03-23 2003-11-01 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 활성 에너지선 경화성 수지, 이것을 함유하는광경화성ㆍ열경화성 수지 조성물 및 그의 경화물
JP2004327712A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Shinko Electric Ind Co Ltd 中空型半導体パッケージ
JP2005089710A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4148932B2 (ja) 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法
US7371335B2 (en) * 2004-10-21 2008-05-13 E.I. Dupont De Nemours And Company Curable thick film compositions for use in moisture control
US7687119B2 (en) * 2005-04-04 2010-03-30 Henkel Ag & Co. Kgaa Radiation-curable desiccant-filled adhesive/sealant

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036278A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Nitto Denko Corp 電子部品接着用接着剤
JPH11145337A (ja) * 1997-11-12 1999-05-28 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品封止パッケージ
JP2000191745A (ja) * 1998-12-25 2000-07-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 紫外線硬化型樹脂組成物
JP2002338932A (ja) * 2001-05-14 2002-11-27 Sony Chem Corp 接着剤
JP2006016610A (ja) * 2004-05-31 2006-01-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、接着フィルムおよび樹脂ワニス
JP2006070053A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 接着フィルム
JP2006070054A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物および接着フィルム

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1990389A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014126147A1 (ja) * 2013-02-14 2014-08-21 日東電工株式会社 電子部品封止用樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び、樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2014156516A (ja) * 2013-02-14 2014-08-28 Nitto Denko Corp 電子部品封止用樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び、樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2016149539A (ja) * 2015-02-11 2016-08-18 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド パターン化されたインターポーザを備えるパッケージ化マイクロチップ

Also Published As

Publication number Publication date
US20090202752A1 (en) 2009-08-13
KR101090562B1 (ko) 2011-12-08
US7947343B2 (en) 2011-05-24
CN101389725B (zh) 2012-08-22
CN101389725A (zh) 2009-03-18
EP1990389A1 (en) 2008-11-12
KR20080106945A (ko) 2008-12-09
EP1990389A4 (en) 2010-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4959627B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂スペーサ用フィルムおよび半導体装置
JP4091969B1 (ja) 受光装置および受光装置の製造方法
JP4015668B2 (ja) 樹脂組成物、半導体パッケージ、接着フィルムおよび樹脂ワニス
WO2007097022A1 (ja) 接着フィルム
WO2010119647A1 (ja) 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置
WO2010113759A1 (ja) 樹脂スペーサー用フィルム、受光装置及びその製造方法、並びにｍｅｍｓデバイス及びその製造方法
EP2273314B1 (en) Photosensitive resin composition, film for photosensitive resin spacer, and semiconductor device
WO2010053207A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性接着フィルムおよび受光装置
JP4694804B2 (ja) 接着フィルムおよび中空パッケージ
JP3958310B2 (ja) 樹脂組成物および接着フィルム
JP2008042186A (ja) 受光装置および受光装置の製造方法
WO2009144951A1 (ja) 受光装置、受光装置の製造方法
JP5136239B2 (ja) 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置
JP4811320B2 (ja) 樹脂組成物および接着フィルム
JP2008045136A (ja) 接着フィルム
WO2010095592A1 (ja) 半導体ウエハー接合体の製造方法、半導体ウエハー接合体および半導体装置
JP2009021542A (ja) 受光装置および受光装置の製造方法
JP2007291394A (ja) 樹脂組成物、接着フィルムおよび樹脂ワニス

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006714737

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12224097

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680053453.4

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP