JP2000103836A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2000103836A JP2000103836A JP10276837A JP27683798A JP2000103836A JP 2000103836 A JP2000103836 A JP 2000103836A JP 10276837 A JP10276837 A JP 10276837A JP 27683798 A JP27683798 A JP 27683798A JP 2000103836 A JP2000103836 A JP 2000103836A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常温での保管に於ける流動性低下を起こさ
ず、成形時の硬化性に優れ、耐半田クラック性、耐湿
性、耐温度サイクル性が良好な半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供すること。 【解決手段】 式（１）で示されるエポキシ樹脂とオル
ソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂を併用しオルソ
クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂が３０〜６０重量
％含むエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、式（２）
で示される硬化促進剤を５０重量％以上含む硬化促進剤
及び溶融シリカ粉末から成り、エポキシ樹脂とフェノー
ル樹脂硬化剤の配合割合が、フェノール性水酸基１に対
しエポキシ基が１．１〜１．４の割合である半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】
ず、成形時の硬化性に優れ、耐半田クラック性、耐湿
性、耐温度サイクル性が良好な半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供すること。 【解決手段】 式（１）で示されるエポキシ樹脂とオル
ソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂を併用しオルソ
クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂が３０〜６０重量
％含むエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、式（２）
で示される硬化促進剤を５０重量％以上含む硬化促進剤
及び溶融シリカ粉末から成り、エポキシ樹脂とフェノー
ル樹脂硬化剤の配合割合が、フェノール性水酸基１に対
しエポキシ基が１．１〜１．４の割合である半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂組成物の常温
保存特性、成形性、信頼性に優れた表面実装対応の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれによって封止され
た半導体装置に関するものである。
保存特性、成形性、信頼性に優れた表面実装対応の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれによって封止され
た半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ本体を機械的、化学的作用から保護
するためにエポキシ樹脂系封止樹脂組成物が開発、生産
されてきた。この樹脂組成物に要求される項目は、ＩＣ
チップの種類、封止されるパッケージの構造、使用され
る環境等によって変化しつつあるが、現在最も大きな要
求項目は、パッケージを実装する際に発生するクラック
である。この要求に対し種々検討した結果、結晶性エポ
キシ樹脂であるビフェニル型エポキシ樹脂を使用し、エ
ポキシ樹脂を理論当量より多く含む樹脂組成物で耐半田
クラック性はかなり改善された。この結晶性エポキシ樹
脂は単体では常温で結晶性であるが、樹脂組成物とした
ときには結晶性が一部損なわれるため、樹脂混練時や常
温保管時に架橋反応により粘度が上昇し、成形性に不具
合を生じたり、エポキシ樹脂を理論当量より過剰に加え
るため、硬化性が低くなり、作業性に支障をきたしてい
た。また、結晶性エポキシ樹脂を理論当量より過剰に加
える為耐熱性が低下する傾向にあり、耐湿性や耐温度サ
イクル性等の封止樹脂のガラス転位温度付近の特性が重
要視される信頼性が劣る問題があった。
するためにエポキシ樹脂系封止樹脂組成物が開発、生産
されてきた。この樹脂組成物に要求される項目は、ＩＣ
チップの種類、封止されるパッケージの構造、使用され
る環境等によって変化しつつあるが、現在最も大きな要
求項目は、パッケージを実装する際に発生するクラック
である。この要求に対し種々検討した結果、結晶性エポ
キシ樹脂であるビフェニル型エポキシ樹脂を使用し、エ
ポキシ樹脂を理論当量より多く含む樹脂組成物で耐半田
クラック性はかなり改善された。この結晶性エポキシ樹
脂は単体では常温で結晶性であるが、樹脂組成物とした
ときには結晶性が一部損なわれるため、樹脂混練時や常
温保管時に架橋反応により粘度が上昇し、成形性に不具
合を生じたり、エポキシ樹脂を理論当量より過剰に加え
るため、硬化性が低くなり、作業性に支障をきたしてい
た。また、結晶性エポキシ樹脂を理論当量より過剰に加
える為耐熱性が低下する傾向にあり、耐湿性や耐温度サ
イクル性等の封止樹脂のガラス転位温度付近の特性が重
要視される信頼性が劣る問題があった。
【０００３】上記の問題を解決するにために、例えば、
硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン（以下ＴＰＰ
という）を使用し添加量を抑える方法やテトラホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート（以下ＴＰＰ−Ｋとい
う）（特公昭５１−２４３９９号公報）を用い常温保存
特性と硬化性を改善する方法があるが、常温保管特性と
硬化性を両立することはできず、効果的であるとは言い
難かった。特に、常温保存特性に関して言えば、ＴＰＰ
は言うに及ばずＴＰＰ−Ｋでさえも良好な特性を有して
いない。
硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン（以下ＴＰＰ
という）を使用し添加量を抑える方法やテトラホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート（以下ＴＰＰ−Ｋとい
う）（特公昭５１−２４３９９号公報）を用い常温保存
特性と硬化性を改善する方法があるが、常温保管特性と
硬化性を両立することはできず、効果的であるとは言い
難かった。特に、常温保存特性に関して言えば、ＴＰＰ
は言うに及ばずＴＰＰ−Ｋでさえも良好な特性を有して
いない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、耐半田クラ
ック性、耐湿性、温度サイクル性に優れ、成形時の硬化
性を維持しながら常温保管特性を改善できる半導体封止
用エポキシ樹脂組成物及びそれによって封止された半導
体装置を提供するものである。
ック性、耐湿性、温度サイクル性に優れ、成形時の硬化
性を維持しながら常温保管特性を改善できる半導体封止
用エポキシ樹脂組成物及びそれによって封止された半導
体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤及び溶融シリカ
粉末を必須成分とし、式（１）に示されるエポキシ樹脂
とオルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂を併用し
且つオルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂を全エ
ポキシ樹脂中に３０〜６０重量％含むエポキシ樹脂であ
り、式（２）で示される硬化促進剤を全硬化促進剤中に
５０重量％以上含み、エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬
化剤の配合割合が、フェノール性水酸基１に対しエポキ
シ基が１．１〜１．４であり、好ましくは全硬化促進剤
中に、式（２）で示される硬化促進剤が５０〜９０重量
％、且つトリフェニルホスフィンが１０〜５０重量％含
み、全樹脂組成物中のＵ及びＴｈの合計量が２ｐｐｂ以
下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物である。また、これらのエポキシ樹脂組成物によっ
て封止されていることを特徴とする半導体装置である。
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤及び溶融シリカ
粉末を必須成分とし、式（１）に示されるエポキシ樹脂
とオルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂を併用し
且つオルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂を全エ
ポキシ樹脂中に３０〜６０重量％含むエポキシ樹脂であ
り、式（２）で示される硬化促進剤を全硬化促進剤中に
５０重量％以上含み、エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬
化剤の配合割合が、フェノール性水酸基１に対しエポキ
シ基が１．１〜１．４であり、好ましくは全硬化促進剤
中に、式（２）で示される硬化促進剤が５０〜９０重量
％、且つトリフェニルホスフィンが１０〜５０重量％含
み、全樹脂組成物中のＵ及びＴｈの合計量が２ｐｐｂ以
下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物である。また、これらのエポキシ樹脂組成物によっ
て封止されていることを特徴とする半導体装置である。
【０００６】
【化３】 （Ｒ1 は、水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基又
はハロゲン原子であって、Ｒ1 同士は同じであっても異
なっていてもよい。）
はハロゲン原子であって、Ｒ1 同士は同じであっても異
なっていてもよい。）
【０００７】
【化４】
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明に用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂は、式
（１）で示されるエポキシ樹脂とオルソクレゾ−ルノボ
ラック型エポキシ樹脂を併用し、且つオルソクレゾ−ル
ノボラック型エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中の３０〜
６０重量％含むエポキシ樹脂である。式（１）で示され
るエポキシ樹脂は、メソゲン骨格を主鎖に持ち比較的低
分子であるため結晶性を有している。このエポキシ樹脂
は結晶性を示し、１分子中にエポキシ基を２個有するジ
エポキシ化合物であるため、融点未満の温度では固体で
あるが、融点以上の温度で低粘度の液状物質となる。こ
のためこれらを用いたエポキシ樹脂組成物は溶融状態で
低粘度を示すため成形時に樹脂組成物の流動性が高く、
薄型パッケージへの充填性に優れ、成形性が良好であ
る。また、２官能エポキシ樹脂であるため、架橋密度が
抑えられ、高温での弾性率が抑えられリフロー時などの
応力緩和に適しており、成形性と耐半田クラック性とを
一挙に解決するものである。
本発明に用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂は、式
（１）で示されるエポキシ樹脂とオルソクレゾ−ルノボ
ラック型エポキシ樹脂を併用し、且つオルソクレゾ−ル
ノボラック型エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂中の３０〜
６０重量％含むエポキシ樹脂である。式（１）で示され
るエポキシ樹脂は、メソゲン骨格を主鎖に持ち比較的低
分子であるため結晶性を有している。このエポキシ樹脂
は結晶性を示し、１分子中にエポキシ基を２個有するジ
エポキシ化合物であるため、融点未満の温度では固体で
あるが、融点以上の温度で低粘度の液状物質となる。こ
のためこれらを用いたエポキシ樹脂組成物は溶融状態で
低粘度を示すため成形時に樹脂組成物の流動性が高く、
薄型パッケージへの充填性に優れ、成形性が良好であ
る。また、２官能エポキシ樹脂であるため、架橋密度が
抑えられ、高温での弾性率が抑えられリフロー時などの
応力緩和に適しており、成形性と耐半田クラック性とを
一挙に解決するものである。
【０００９】
【化５】 （Ｒ1 は、水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基又
はハロゲン原子であって、Ｒ1 同士は同じであっても異
なっていてもよい。）
はハロゲン原子であって、Ｒ1 同士は同じであっても異
なっていてもよい。）
【００１０】しかしながら、式（１）で示されるエポキ
シ樹脂は架橋密度すなわち耐熱性が低下する為に、耐湿
性や耐温度サイクル性等の封止樹脂のガラス転位温度付
近の特性が重要視される信頼性が劣る欠点があった。一
方、耐熱性に優れたオルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂やトリフェノ−ルメタン型３官能エポキシ樹脂
等を使用することで、耐湿性や耐温度サイクル性は改善
されるものの、リフロ−時の応力緩和効果や吸湿性が低
下する為、耐半田クラック性が劣る欠点があった。そこ
で、耐湿性や温度サイクル性と半田クラック性を両立さ
せる為に鋭意検討を進めた結果、式（１）で示されるエ
ポキシ樹脂とオルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹
脂を特定の比率で併用することにより、両立が可能とな
ることを見いだした。全エポキシ樹脂中のオルソクレゾ
−ルノボラック型エポキシ樹脂が３０重量％未満では、
耐熱性が低下し、耐湿性や温度サイクル性が劣り、６０
重量％を超えると、リフロ−時の応力緩和効果が低下
し、半田クラック性が劣る。
シ樹脂は架橋密度すなわち耐熱性が低下する為に、耐湿
性や耐温度サイクル性等の封止樹脂のガラス転位温度付
近の特性が重要視される信頼性が劣る欠点があった。一
方、耐熱性に優れたオルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂やトリフェノ−ルメタン型３官能エポキシ樹脂
等を使用することで、耐湿性や耐温度サイクル性は改善
されるものの、リフロ−時の応力緩和効果や吸湿性が低
下する為、耐半田クラック性が劣る欠点があった。そこ
で、耐湿性や温度サイクル性と半田クラック性を両立さ
せる為に鋭意検討を進めた結果、式（１）で示されるエ
ポキシ樹脂とオルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹
脂を特定の比率で併用することにより、両立が可能とな
ることを見いだした。全エポキシ樹脂中のオルソクレゾ
−ルノボラック型エポキシ樹脂が３０重量％未満では、
耐熱性が低下し、耐湿性や温度サイクル性が劣り、６０
重量％を超えると、リフロ−時の応力緩和効果が低下
し、半田クラック性が劣る。
【００１１】本発明で用いられる（Ｂ）成分のフェノー
ル樹脂硬化剤は、上記のエポキシ樹脂と硬化反応を行い
架橋構造を形成することができる少なくとも２個以上の
フェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポ
リマー全般を指し、例えばフェノールノボラック樹脂、
パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン・
パラキシリレン変性フェノール樹脂等のフェノールアラ
ルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペ
ンタジエン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは
単独でも併用で混合して用いても差し支えない。軟化
点、水酸基当量等も特に規定するものではないが、樹脂
中の塩素含有量は極力低い方が長期信頼性の点から好ま
しい。
ル樹脂硬化剤は、上記のエポキシ樹脂と硬化反応を行い
架橋構造を形成することができる少なくとも２個以上の
フェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポ
リマー全般を指し、例えばフェノールノボラック樹脂、
パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン・
パラキシリレン変性フェノール樹脂等のフェノールアラ
ルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペ
ンタジエン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは
単独でも併用で混合して用いても差し支えない。軟化
点、水酸基当量等も特に規定するものではないが、樹脂
中の塩素含有量は極力低い方が長期信頼性の点から好ま
しい。
【００１２】エポキシ樹脂とフェノール硬化剤の配合割
合は、成形性と耐半田クラック性の兼ね合いから、フェ
ノール性水酸基１に対しエポキシ基が１．１〜１．４の
割合とする必要がある。従来の配合ではフェノール性水
酸基１に対しエポキシ基１の割合が最もバランスが良い
が、本発明の組成物配合では、フェノール性水酸基１に
対しエポキシ基が１．１未満であると、半田クラック性
が劣り、１．４を越えると、硬化性の低下を生じ、１．
１〜１．４の範囲が最もバランスが良い。
合は、成形性と耐半田クラック性の兼ね合いから、フェ
ノール性水酸基１に対しエポキシ基が１．１〜１．４の
割合とする必要がある。従来の配合ではフェノール性水
酸基１に対しエポキシ基１の割合が最もバランスが良い
が、本発明の組成物配合では、フェノール性水酸基１に
対しエポキシ基が１．１未満であると、半田クラック性
が劣り、１．４を越えると、硬化性の低下を生じ、１．
１〜１．４の範囲が最もバランスが良い。
【００１３】本発明に用いられる（Ｃ）成分の硬化促進
剤は、式（２）で示される硬化促進剤を全硬化促進剤中
５０重量％以上用いることが必須である。硬化促進剤は
常温において活性が低く、高温において活性が高く、融
点が２００℃〜２５０℃のものが常温保管性、反応性、
分散性の点で好ましく、これらの点で、式（２）の構造
の硬化促進剤は優れている。しかし、式（２）の硬化促
進剤のみでは、混練温度域での反応性の極端な低さにつ
ながり、混練時の低分子量の反応まで抑制され、成形時
のウスバリが発生しやすくなる。式（２）の硬化促進剤
と比べて常温保存性や流動性は劣るが、低温での反応促
進作用があるトリフェニルホスフィンを併用することに
よって、バランスをとることができる。
剤は、式（２）で示される硬化促進剤を全硬化促進剤中
５０重量％以上用いることが必須である。硬化促進剤は
常温において活性が低く、高温において活性が高く、融
点が２００℃〜２５０℃のものが常温保管性、反応性、
分散性の点で好ましく、これらの点で、式（２）の構造
の硬化促進剤は優れている。しかし、式（２）の硬化促
進剤のみでは、混練温度域での反応性の極端な低さにつ
ながり、混練時の低分子量の反応まで抑制され、成形時
のウスバリが発生しやすくなる。式（２）の硬化促進剤
と比べて常温保存性や流動性は劣るが、低温での反応促
進作用があるトリフェニルホスフィンを併用することに
よって、バランスをとることができる。
【００１４】
【化６】
【００１５】本発明に用いる硬化促進剤は、式（２）の
硬化促進剤を５０〜１００重量％含むものものであり、
他の硬化促進剤と併用しても構わない。全硬化促進剤中
に占める式（２）の硬化促進剤量は５０〜９０重量％
で、かつトリフェニルホスフィン量は１０〜５０重量％
が好ましい。式（２）の硬化促進剤が５０重量％未満だ
と、上記の効果が充分に発現されず、従来の硬化促進剤
系と同様の結果となる。トリフェニルホスフィンが、１
０重量％未満だと成形時のウスバリ特性が低下する。そ
の他の併用できる硬化促進剤としては、例えばテトラフ
ェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、２−メ
チルイミダゾール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，
０）ウンデセン−７等が挙げられる。
硬化促進剤を５０〜１００重量％含むものものであり、
他の硬化促進剤と併用しても構わない。全硬化促進剤中
に占める式（２）の硬化促進剤量は５０〜９０重量％
で、かつトリフェニルホスフィン量は１０〜５０重量％
が好ましい。式（２）の硬化促進剤が５０重量％未満だ
と、上記の効果が充分に発現されず、従来の硬化促進剤
系と同様の結果となる。トリフェニルホスフィンが、１
０重量％未満だと成形時のウスバリ特性が低下する。そ
の他の併用できる硬化促進剤としては、例えばテトラフ
ェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、２−メ
チルイミダゾール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，
０）ウンデセン−７等が挙げられる。
【００１６】本発明で用いられる（Ｄ）成分の溶融シリ
カ粉末は、破砕状、球状のいずれでも使用可能である
が、溶融シリカ粉末の配合量を高め、かつ樹脂組成物の
溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状シリカを主に用
いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるた
めには、球状シリカの粒度分布をより広くとるよう調整
することが望ましい。また、メモリー系のチップでは放
射性物質による誤動作が問題となる。そのため、本発明
に用いられるシリカはＵ及びＴｈの合計量が２ｐｐｂ以
下であることが望ましい。
カ粉末は、破砕状、球状のいずれでも使用可能である
が、溶融シリカ粉末の配合量を高め、かつ樹脂組成物の
溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状シリカを主に用
いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるた
めには、球状シリカの粒度分布をより広くとるよう調整
することが望ましい。また、メモリー系のチップでは放
射性物質による誤動作が問題となる。そのため、本発明
に用いられるシリカはＵ及びＴｈの合計量が２ｐｐｂ以
下であることが望ましい。
【００１７】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）ま
での必須成分以外にも必要に応じて臭素化エポキシ樹
脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、カップリング剤、カ
ーボンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び
合成ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、ゴム等の
低応力成分が適宜配合可能である。樹脂組成物とするに
は各成分を混合後、加熱ニーダや熱ロールにより加熱混
練し、続いて冷却、粉砕することで目的とする樹脂組成
物が得られる。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、
半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するに
は、トランスファーモールド、コンプレッションモール
ド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法
で硬化成形すればよい。
での必須成分以外にも必要に応じて臭素化エポキシ樹
脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、カップリング剤、カ
ーボンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び
合成ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、ゴム等の
低応力成分が適宜配合可能である。樹脂組成物とするに
は各成分を混合後、加熱ニーダや熱ロールにより加熱混
練し、続いて冷却、粉砕することで目的とする樹脂組成
物が得られる。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、
半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するに
は、トランスファーモールド、コンプレッションモール
ド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法
で硬化成形すればよい。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 《実施例１》 ・式（３）の構造を主成分とするビフェニル型エポキシ樹脂 ８．８重量部 ［油化シェルエポキシ(株)製、商品名ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポ キシ当量１９５］ ・式（４）オルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂 ［軟化点６０℃、エポキシ当量２００］ ４．４重量部 ・式（５）フェノールノボラック樹脂 ５．６重量部 ［軟化点８０℃、水酸基当量１０５］ ・式（６）の硬化促進剤Ａ ０．３重量部 ・トリフェニルホスフィン ０．１重量部 ・球状溶融シリカI ８０．０重量部 ［Ｕ量０.１ｐｐｂ、Ｔｈ量０.１ｐｐｂ、平均粒径１５μｍ］ ・カルナバワックス ０．５重量部 ・カーボンブラック ０．３重量部 上記の全成分をミキサーにより混合した後、表面温度が
９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、得
られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をし
た。評価結果を表１に示す。
９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、得
られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をし
た。評価結果を表１に示す。
【００１９】
【化７】
【００２０】
【化８】
【００２１】
【化９】
【００２２】
【化１０】
【００２３】《実施例２〜１１及び比較例１〜８》表
１、表２に従って配合し、実施例１と同様にして樹脂組
成物を得、同様に評価した。これらの評価結果を表１、
表２に示す。実施例及び比較例で使用した式（７）の硬
化促進剤Ｂ、溶融シリカIIの構造及び性状を以下に示
す。
１、表２に従って配合し、実施例１と同様にして樹脂組
成物を得、同様に評価した。これらの評価結果を表１、
表２に示す。実施例及び比較例で使用した式（７）の硬
化促進剤Ｂ、溶融シリカIIの構造及び性状を以下に示
す。
【００２４】
【化１１】
【００２５】溶融シリカII ［Ｕ量１．２ｐｐｂ、Ｔｈ量１．０ｐｐｂ］
【００２６】《評価方法》 ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパ
イラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５
℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2 、硬化時間２分で測定し
た。 ・ウスバリ：１６ｐＤＩＰ成形時のベントバリ長さを測
定。 ・常温保存性：樹脂組成物を２５℃にて１週間保存した
後、スパイラルフローを測定。初期のスパイラルフロー
長さを１００％としたときの割合を％で示す。 ・硬化性：ショアＤ硬度計を用い、金型温度１７５℃、
硬化時間２分で測定。 ・耐半田性：８０ｐＱＦＰ（厚さ１．５ｍｍ）を、８５
℃、相対湿度６０％の環境下に１６８時間放置し、その
後ＩＲリフロー（２４０℃）にて１０秒間処理後のパッ
ケージを目視及び超音波探傷機にて観察。 ・耐半田耐湿性：８０ｐＱＦＰ（厚さ１．５ｍｍ）を、
８５℃、相対湿度６０％の環境下に１６８時間放置し、
その後ＩＲリフロー（２４０℃）にて１０秒間処理後、
プレッシャ−クッカ−試験（１２５℃、１００％ＲＨ）
を行い、回路のオ−プン不良を測定した。 ・耐温度サイクル性：８０ｐＱＦＰ（厚さ１．５ｍｍ）
を、−６５℃３０分、１５０℃３０分を１サイクルと
し、顕微鏡で外部クラックの有無を観察した。 ・Ｕ、Ｔｈ量：組成物を灰化後、弗酸にてシリカを揮散
させ、さらに塩酸にてアンチモンを揮散させた残査水溶
液をＩＣＰ−ＭＳ（高周波誘導結合プラズマ質量分析）
で測定した。
イラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５
℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2 、硬化時間２分で測定し
た。 ・ウスバリ：１６ｐＤＩＰ成形時のベントバリ長さを測
定。 ・常温保存性：樹脂組成物を２５℃にて１週間保存した
後、スパイラルフローを測定。初期のスパイラルフロー
長さを１００％としたときの割合を％で示す。 ・硬化性：ショアＤ硬度計を用い、金型温度１７５℃、
硬化時間２分で測定。 ・耐半田性：８０ｐＱＦＰ（厚さ１．５ｍｍ）を、８５
℃、相対湿度６０％の環境下に１６８時間放置し、その
後ＩＲリフロー（２４０℃）にて１０秒間処理後のパッ
ケージを目視及び超音波探傷機にて観察。 ・耐半田耐湿性：８０ｐＱＦＰ（厚さ１．５ｍｍ）を、
８５℃、相対湿度６０％の環境下に１６８時間放置し、
その後ＩＲリフロー（２４０℃）にて１０秒間処理後、
プレッシャ−クッカ−試験（１２５℃、１００％ＲＨ）
を行い、回路のオ−プン不良を測定した。 ・耐温度サイクル性：８０ｐＱＦＰ（厚さ１．５ｍｍ）
を、−６５℃３０分、１５０℃３０分を１サイクルと
し、顕微鏡で外部クラックの有無を観察した。 ・Ｕ、Ｔｈ量：組成物を灰化後、弗酸にてシリカを揮散
させ、さらに塩酸にてアンチモンを揮散させた残査水溶
液をＩＣＰ−ＭＳ（高周波誘導結合プラズマ質量分析）
で測定した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、常温保管特性に優れ、同時に成形時の硬化性を改
善し、これを用いた半導体装置の耐半田クラック性、耐
湿性、耐温度サイクル性に優れたものである。
物は、常温保管特性に優れ、同時に成形時の硬化性を改
善し、これを用いた半導体装置の耐半田クラック性、耐
湿性、耐温度サイクル性に優れたものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31
Claims (4)
- 【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤及び（Ｄ）溶融シリカ粉末
を必須成分とし、前記エポキシ樹脂が式（１）で示され
るエポキシ樹脂とオルソクレゾ−ルノボラック型エポキ
シ樹脂を併用し且つオルソクレゾ−ルノボラック型エポ
キシ樹脂が全エポキシ樹脂中に３０〜６０重量％含むエ
ポキシ樹脂であり、前記硬化促進剤が式（２）で示され
る硬化促進剤を全硬化促進剤中に５０重量％以上含む硬
化促進剤であるとともに、エポキシ樹脂とフェノール樹
脂硬化剤の配合割合が、フェノール性水酸基１に対しエ
ポキシ基が１．１〜１．４であることを特徴とする半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （Ｒ1 は、水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基又
はハロゲン原子であって、Ｒ1 同士は同じであっても異
なっていてもよい。） 【化２】 - 【請求項２】 全硬化促進剤中に、式（２）で示される
硬化促進剤が５０〜９０重量％、且つトリフェニルホス
フィンが１０〜５０重量％有する請求項１記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 全樹脂組成物中のＵ及びＴｈの合計量
が、２ｐｐｂ以下である請求項１又は２記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物によって封止されていることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276837A JP2000103836A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276837A JP2000103836A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000103836A true JP2000103836A (ja) | 2000-04-11 |
Family
ID=17575102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276837A Pending JP2000103836A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000103836A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002065542A3 (en) * | 2001-02-12 | 2003-07-31 | Ibm | Underfill compositions |
| KR100414202B1 (ko) * | 2000-12-08 | 2004-01-07 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP10276837A patent/JP2000103836A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100414202B1 (ko) * | 2000-12-08 | 2004-01-07 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
| WO2002065542A3 (en) * | 2001-02-12 | 2003-07-31 | Ibm | Underfill compositions |
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