JP2008156383A - 液状樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】充填材を必須成分とし、電子部品や半導体装置を構成する部材の表面に塗布し、加熱することにより封止材として使用される室温で液状の樹脂組成物に関する。上記充填材として、多孔質と中空の少なくともいずれか一方の粒子からなるものを用いる。
【選択図】なし
Description
下記[表1]に示す原材料の配合量(単位は質量部)及び製造法で、実施例1〜5及び比較例1〜3の液状樹脂組成物を調製した。
非晶質シリカ(MRCユニテック株式会社製、品番「QS9」、平均粒径9μm、最大粒径35μm)
非晶質シリカ(株式会社アドマテック製、品番「SO25H」、平均粒径0.6μm、最大粒径3.5μm)
中空シリカ(球状非晶質シリカ、平均粒径3μm、最大粒径25μm、空隙体積率50%)
多孔質シリカ(球状非晶質シリカ、焼成処理により表面密閉、平均粒径10μm、最大粒径30μm、空隙体積率20%)
多孔質シリカ(球状非晶質シリカ、焼成処理により表面密閉、平均粒径2μm、最大粒径25μm、空隙体積率17%)
多孔質シリカ(球状非晶質シリカ、平均粒径6μm、最大粒径30μm、空隙体積率33%)
(エポキシ樹脂)
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成工業株式会社製、品番「YDF8170」、エポキシ当量160)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(東都化成工業株式会社製、品番「YD8125」、エポキシ当量175)
脂環式エポキシ樹脂(ダイセル化学工業株式会社製、品番「CEL2021」、エポキシ当量135)
ナフタレン環含有エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、品番「HP4032D」、エポキシ当量141)
ポリプロピレン骨格含有エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、品番「PG207GS」、エポキシ当量319)
(硬化剤)
アリル化フェノール(明和化成株式会社製、品番「MEH8000H」、水酸基当量141)
酸無水物(大日本インキ化学工業株式会社製、品番「B650」、酸無水物当量168)
(低弾性化剤)
シリコーンゴム
(溶剤)
ジエチレングリコールジエチルエーテル(沸点180℃)
ジメチルプロピレンジグリコール(沸点170℃)
ジブチルジグリコール(沸点250℃)
(硬化促進剤)
マイクロカプセル型潜在性硬化促進剤(旭化成工業株式会社製、品番「HXA3792」)
(着色剤)
カーボンブラック(三菱化学株式会社製、品番「MA100」)
その他にカップリング剤と分散剤を用いた。
液状樹脂組成物の構成成分である充填材、エポキシ樹脂、硬化剤、その他の成分を下記[表1]に示す配合量で配合し、これをホモディスパー(特殊機化工業製)にて300〜500rpmの条件で分散・混合することによって、液状樹脂組成物を調製した。
液状樹脂組成物の構成成分である充填材、エポキシ樹脂、硬化剤、その他の成分を下記[表1]に示す配合量で配合し、これをプラネタリーミキサーで混合し、さらに3本ロールにて分散することによって、液状樹脂組成物を調製した。
液状樹脂組成物の構成成分であるエポキシ樹脂、硬化剤、その他の成分(多孔質・中空の充填材を除く)を下記[表1]に示す配合量で配合し、これをプラネタリーミキサーで混合し、さらに3本ロールにて分散した後に多孔質・中空の充填材を添加してプラネタリーミキサーによって再度攪拌することによって、液状樹脂組成物を調製した。
図1に示すように、部材1(200μm厚ウェハー)の表面に液状樹脂組成物を塗布・加熱して200μm厚の樹脂層2を形成し、ダイシングソー3を用いて個片化する際のブレードの磨耗量及びスピンドル電流値を測定した。使用装置、使用ブレード、加工条件は次の通りである。
ディスコ社製「DFD6340 FULLY AUTOMATIC DICING SAW」
使用ブレード
「NBC−ZH2050」
加工条件
スピンドル回転数:35000rpm、送り速度:50mm/s、切削水:純粋、加工距離:9.8m
(2)液状樹脂組成物の粘度
室温(25℃)にてB型粘度計を用いて測定した。
粘弾性スペクトロメータ(DMA)の曲げモード10Hzにて評価した。試験片は、液状樹脂組成物を130℃で1時間加熱した後、180℃で3時間加熱して形成したものであって、5mm幅×50mm長×0.2mm厚に切り出したものを用いた。昇温は2℃/分により−60℃〜260℃まで測定した。
液状樹脂組成物を硬化させて、70mm以上長×10mm幅×3mm厚の試験片を形成し、引張圧縮試験機による3点曲げ試験により室温で評価した。試験速度2mm/分とし、試験片が折れるまで荷重を加えた。液状樹脂組成物の硬化は130℃で1時間加熱した後、180℃で3時間加熱して行った。
熱分析計TMAにより評価した。液状樹脂組成物を硬化させて、70mm以上長×10mm幅×1〜3mm厚の試験片を形成し、この試験片を用いて昇温速度5℃/分により−60℃〜260℃まで測定した。液状樹脂組成物の硬化は130℃で1時間加熱した後、180℃で3時間加熱して行った。
5インチで200μm厚のウェハーの表面に液状樹脂組成物を直径110mmで0.2μm厚に塗布し、130℃で1時間加熱した後、180℃で3時間加熱することによって、硬化させた。液状樹脂組成物の硬化後、円周端部の一点を押さえ垂直方向(Z軸方向)に反り上がった最大値を測定することにより反り量を評価した。
JISK5600に基づいて引掻き硬度試験機による鉛筆法にて評価した。試験片は(4)と同じものを用い、引掻き硬度試験機により鉛筆を押し付けて塗膜硬度を測定した。
図1に示すように、部材1(ウェハー)の表面に液状樹脂組成物を塗布・加熱して樹脂層2を形成し、ダイシングソー3を用いて個片化することによって、樹脂付きウェハーチップ(大きさ:5mm×5mm、樹脂層2の厚み:200μm厚、部材1(ウェハー)の厚み:200μm厚)を作製した。なお、使用装置、使用ブレード、加工条件は(1)と同じである。
温度サイクル性を評価するためのサンプルとして、(8)で用いたのと同じ樹脂付きウェハーチップを10個ずつ用いた。これらのサンプルに−65℃で5分間、150℃で5分間を1サイクルとする液相の温度サイクルを与え、1000サイクルまで100サイクルごとに樹脂層の剥離確認を行い、良否を判定した。10個のサンプルのうち不良の数が5個に達したときのサイクル数を求めた。
(8)で用いたのと同じ樹脂付きウェハーチップ10個について、85℃、85%RHにて吸湿処理後、ピーク温度263℃のリフロー炉により2回処理し、樹脂層の剥離状態を超音波検査装置にて確認した。
4 半導体チップ
5 半導体回路側の面
6 電極
Claims (12)
- 充填材を必須成分として含有し、電子部品や半導体装置を構成する部材の表面に塗布し、加熱することにより封止材として使用される室温で液状の樹脂組成物において、上記充填材として、多孔質と中空の少なくともいずれか一方の粒子からなるものを用いて成ることを特徴とする液状樹脂組成物。
- 充填材として、焼成処理することにより粒子表面が密封されたものを用いて成ることを特徴とする請求項1に記載の液状樹脂組成物。
- 充填材の空隙体積率が10〜70%であることを特徴とする請求項1又は2に記載の液状樹脂組成物。
- 充填材の最大粒径が1〜40μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- 充填材として、球状非晶質シリカを用いて成ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- 充填材の含有量が液状樹脂組成物全量に対して60〜90質量%であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- 多孔質と中空の粒子からなる充填材の含有量が充填材全量に対して40質量%以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- エポキシ樹脂を含有して成ることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂及びこれらの水素添加型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ポリアルキレングリコール骨格含有エポキシ樹脂のうち少なくとも1種のものを用いて成ることを特徴とする請求項8に記載の液状樹脂組成物。
- 硬化剤として、フェノール性水酸基を1分子中に複数個有する化合物を含有して成ることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物を減圧印刷機を用いて、樹脂基板、セラミック基板又はウェハーの表面に塗布し、これを加熱した後、個片化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体チップの半導体回路側の面に樹脂層が配置され、かつ半導体チップに接続された多数の電極がその樹脂層を貫通して配置される半導体装置において、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物の硬化物により上記樹脂層を形成して成ることを特徴とする半導体装置。
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