JP2006016431A - 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【化1】
(R1〜R3は一価炭化水素基、CH3S−又はC2H5S−)
【効果】 本発明の組成物は、粘度が低く、作業性に優れ、シリコンチップの表面との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフロー温度が上昇しても不良が発生せず、更に高温多湿の条件下でも劣化せず、温度サイクルにおいても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供できる。
【選択図】 なし
Description
なお、この発明に関連する先行技術文献としては、下記のものがある。
また、本発明は、この液状エポキシ樹脂組成物の硬化物をアンダーフィル材として封止したフリップチップ型半導体装置を提供する。
R4COO−[R5−O]n−R6 (2)
(式中、R4、R6は炭素数1〜6の一価炭化水素基、R5は炭素数1〜6のアルキレン基である。nは0〜3の整数である。)
HaR7 bSiO(4-a-b)/2 (3)
(式中、R7は脂肪族不飽和基を除く置換又は非置換の一価炭化水素基、aは0.01〜0.1、bは1.8〜2.2、1.81≦a+b≦2.3を満足する正数である。)
表1に示す成分を3本ロールで均一に混練することにより、16種の樹脂組成物を得た。これらの樹脂組成物を用いて、以下に示す試験を行った。その結果を表1に示す。
BH型回転粘度計を用いて4rpmの回転数で25℃における粘度を測定した。また、40℃にて24時間放置後の粘度(25℃)においても測定した。
PI(ポリイミド)膜コートした10mm×10mmのシリコンチップを30mm×30mmのFR−4基板に約50μmのスペーサを用いて設置し、生じた隙間に、樹脂組成物を110℃で加熱したホットプレート上に設置させて溶融させた樹脂組成物を侵入させ、樹脂組成物が隙間を埋めたときの時間を測定した。
PI膜コートした10mm×10mmのシリコンチップを30mm×30mmのFR−4基板にギャップ約50μmとなるように設置したフリップチップ型パッケージを用い、生じた隙間に樹脂組成物を侵入させて120℃/0.5時間+165℃/3時間の条件で硬化させ、断面をSEMで確認し、チップと樹脂界面からシリカフィラー分布までの距離が5μm以上ある時を沈降あり、5μm未満を沈降なしとした。
PI膜コートした10mm×10mmのシリコンチップを30mm×30mmのFR−4基板にギャップ約50μmとなるように設置したフリップチップ型パッケージを用い、生じた隙間に樹脂組成物を侵入させて120℃/0.5時間+165℃/3時間の条件で硬化させ、ボイドの有無をC−SAM(SONIX社製)で確認した。
樹脂組成物を120℃/0.5時間+165℃/3時間の条件で硬化させた5mm×5mm×15mmの硬化物試験片を用いて、TMA(熱機械分析装置)により毎分5℃の速さで昇温した時のTgを測定した。また、以下の温度範囲の膨張係数を測定した。
CTE1の温度範囲は50〜80℃、CTE2の温度範囲は200〜230℃である。
PI膜コートしたシリコンチップ上に上面の直径2mm、下面の直径5mm、高さ3mmの円錐台形状の試験片を載せ、120℃で0.5時間、次いで165℃で3時間硬化させた。硬化後、得られた試験片の剪断接着力を測定し、初期値とした。更に、硬化させた試験片をPCT(121℃/2.1atm)で336時間吸湿させた後、接着力を測定した。いずれの場合も試験片の個数は5個で行い、その平均値を接着力として表記した。
PI膜コートした10mm×10mmのシリコンチップを30mm×30mmのFR−4基板にギャップ約50μmとなるように設置したフリップチップ型パッケージを用い、生じた隙間に樹脂組成物を侵入させて120℃/0.5時間+165℃/3時間の条件で硬化させ、30℃/65%RH/192時間後に最高温度265℃に設定したIRリフローにて5回処理した後の剥離、更にPCT(121℃/2.1atm)の環境下に置き、336時間後の剥離をC−SAM(SONIX社製)で確認した。
PI膜コートした10mm×10mmのシリコンチップを30mm×30mmのFR−4基板にギャップ約50μmとなるように設置したフリップチップ型パッケージを用い、生じた隙間に樹脂組成物を侵入させて120℃/0.5時間+165℃/3時間の条件で硬化させ、30℃/65%RH/192時間後に最高温度265℃に設定したIRリフローにて5回処理した後、−65℃/30分、150℃/30分を1サイクルとし、250,500,750,1000サイクル後の剥離、クラックを確認した。
硬化剤A:ジエチルトルエンジアミン(分子量:178)
C−300S:テトラエチルジアミノフェニルメタン(日本化薬(株)製)
RE303S−L:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製)
エピコート630H:3官能型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製)
信越化学工業(株)製)
2 バンプ
3 半導体チップ
4 アンダーフィル材
5 フィレット材
Claims (7)
- (A)液状エポキシ樹脂、(B)下記一般式(1)で表される芳香族アミン化合物を5質量%以上含有する芳香族アミン系硬化剤、(C)無機充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物において、無機充填剤として、粒子径10μm以上の粒子の含有率が5,000ppm以下、かつ平均粒子径が1〜5μmであり、0.2μm以下の粒子の割合が0.2〜20質量%である高流動性球状シリカ粉末粒子を使用すると共に、このシリカ粉末粒子のエポキシ樹脂組成物中の含有率が60〜85質量%であることを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
- 更に、沸点が130℃以上250℃以下の有機溶剤を(A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤の合計量100質量部に対して0.5〜10質量部含有する請求項1記載の液状エポキシ樹脂組成物。
- 上記有機溶剤が、エステル系有機溶剤である請求項2記載の液状エポキシ樹脂組成物。
- 上記エステル系有機溶剤が、下記一般式(2)
R4COO−[R5−O]n−R6 (2)
(式中、R4、R6は炭素数1〜6の一価炭化水素基、R5は炭素数1〜6のアルキレン基である。nは0〜3の整数である。)
で表されるエステル系有機溶剤である請求項3記載の液状エポキシ樹脂組成物。 - (A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との当量比[(A)液状エポキシ樹脂のエポキシ当量/(B)芳香族アミン系硬化剤のアミン当量]が、0.7以上1.2以下である請求項1乃至4のいずれか1項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
- 更に、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はアルケニル基含有フェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式(3)
HaR7 bSiO(4-a-b)/2 (3)
(式中、R7は脂肪族不飽和基を除く置換又は非置換の一価炭化水素基、aは0.01〜0.1、bは1.8〜2.2、1.81≦a+b≦2.3を満足する正数である。)
で表される1分子中の珪素原子の数が20〜400であり、かつ珪素原子に直接結合した水素原子(SiH基)の数が1〜5であるオルガノポリシロキサンのSiH基との付加反応により得られる共重合体からなるシリコーン変性樹脂を含有する請求項1乃至5のいずれか1項記載の液状エポキシ樹脂組成物。 - 請求項1乃至6のいずれか1項記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物をアンダーフィル材として封止したフリップチップ型半導体装置。
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