JP2009185188A - 流動性制御した半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
流動性制御した半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009185188A JP2009185188A JP2008027253A JP2008027253A JP2009185188A JP 2009185188 A JP2009185188 A JP 2009185188A JP 2008027253 A JP2008027253 A JP 2008027253A JP 2008027253 A JP2008027253 A JP 2008027253A JP 2009185188 A JP2009185188 A JP 2009185188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- liquid epoxy
- resin composition
- curing agent
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 *C(*1C=C*CC1)=C Chemical compound *C(*1C=C*CC1)=C 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】(A)液状エポキシ樹脂及び(B)芳香族アミン系硬化剤を、配合モル比[(A)液状エポキシ樹脂/(B)芳香族アミン系硬化剤]を0.7以上1.2以下、(C)平均粒子径が1〜5μmである球状シリカ粉末を(A)〜(C)成分の合計量に対して50〜75質量%含有する液状エポキシ樹脂組成物において、20〜40℃の温度雰囲気にて放置することにより、前記(A)と(B)が反応した生成物の分子量で400〜600である範囲のものを有機成分中4〜8%に制御することを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【選択図】なし
Description
(A)液状エポキシ樹脂
エポキシ樹脂としては、一分子あたり2個以上のエポキシ基を持ち、常温で液状のものであればよく、従来から公知のものを全て使用することができる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等がエポキシ樹脂として挙げられる。 特に、耐熱性や耐湿性に優れるビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂として用いるのが好ましい。
以上述べたエポキシ樹脂は、1種単独あるいは2種以上組み合わせて使用することができる。
本発明に使用する硬化剤としては、例えば芳香族アミン系化合物が使用されるが、その硬化剤としては、芳香族ジアミノジフェニルメタン化合物、例えば、3,3'-ジエチル-4,4'-ジアミノフェニルメタン、3,3',5,5'-テトラメチル-4,4'-ジアミノフェニルメタン、 3,3',5,5'-テトラエチル-4,4'-ジアミノフェニルメタン、2,4−ジアミノトルエン、1,4−ジアミノベンゼン、1,3−ジアミノベンゼン等の芳香族アミンであることが好ましい。
本発明に用いられる無機充填材は、球状シリカで構成されるが、平均粒子径は、遠心沈降法や、レーザー回折法等で測定可能であり、平均粒子径を1〜5μmに好ましくは1.5〜3μmにコントロールすることが必要である。ここで、平均粒子径が1μm以下であると充填材の表面積が増大するため流動性が低下するため、組成物が高粘性になり過ぎ好ましくはない。更に、5μmを超えると侵入及び硬化時にフィラーが沈降し、チップ側と基板側で熱膨張係数における傾斜が発生し、熱衝撃に対する信頼性が低下する。
本エポキシ樹脂組成物には、応力を低下させる目的シリコーンゴム、シリコーンオイル
や液状のポリブタジエンゴムなどを配合してもよい。アルケニル基含有エポキシ樹脂また
はフェノール樹脂のアルケニル基と下記式(1)で示される1分子中の珪素原子の数が
20〜400であり、SiH基の数が1〜5であるオルガノポリシロキサンのSiH基と
の付加反応により得られる共重合体、
(式中、R1は非置換又は置換の一価の炭化水素基、aは0.01〜0.1、bは1.8〜2.2、1.81≦a+b≦2.3である。)
上記共重合体としては、中でも下記構造式(2)のものが望ましい。
(A)液状エポキシ樹脂
エポキシ樹脂a:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成(株)製、YDF−8170)
エポキシ樹脂b:下記式(4)で示される3官能型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、エピコート630LSD)
硬化剤a:ジエチルジアミノジフェニルメタン(日本化薬(株)製、カヤハードA−A、アミン当量:63.5)
硬化剤b:ジエチルトルエンジアミン(アルベール・コーポレーション(株)製)
球状シリカa:平均粒径2.2μmの球状シリカ(株式会社アドマテックス製)
球状シリカb:平均粒径15μmの球状シリカ(株式会社アドマテックス製)
球状シリカc:平均粒径0.8μmの球状シリカ(株式会社アドマテックス製)
低応力化剤:シリコーン変性エポキシ樹脂として下記式(5)の化合物と下記式(6)の化合物との付加重合体(重量平均分子量3800、エポキシ当量291)
液状エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂aを13.4質量及びエポキシ樹脂bを36.7質量部、硬化剤として硬化剤aを27.9質量部、低応力化剤22質量部を均一に混練することによりエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、熟成温度30℃にて放置し、これの初期及び1日後、2日後のGPC測定を行った。その結果を図2に示す。また、各原料のGPC測定結果を図1に示す。これにより、組成物は熟成が1〜2日と進むに従い、各原料成分の減少とエポキシ樹脂と硬化剤が反応した生成物成分の増加が見られた。
[実施例1〜4、比較例1〜4]
液状エポキシ樹脂及び硬化剤、シランカップリング剤と無機充填材として各種球状シリカを表1に基づき配合し、均一に混練することによりエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物は、粘度をブルックフィールド製コーンプレート測定器にて、No51のコーンを用い測定し、侵入性は、50μmギャップを形成した二枚重ねのガラス板をホットプレートの上に載せ、110℃に加熱し、ガラスの隙間から侵入させた。侵入時間は、20mmに到達するまでの時間とし、比較した。また、フィレットの評価は、SUS製キャップ(外寸:10mm×10mm×3mmで、肉厚0.5mm)とガラス板との間に直径50μのワイヤー2本にて隙間を形成し、その隙間に得られた組成物を塗布した後、165℃、1時間加熱硬化し、フィレットの有無とフィレットのボイドの有無を観察した。
Claims (3)
- (A)液状エポキシ樹脂及び(B)芳香族アミン系硬化剤を、配合モル比[(A)液状エポキシ樹脂/(B)芳香族アミン系硬化剤]を0.7以上1.2以下、(C)平均粒子径が1〜5μmである球状シリカ粉末を(A)〜(C)成分の合計量に対して50〜75質量%含有する液状エポキシ樹脂組成物において、20〜40℃の温度雰囲気にて放置することにより、前記(A)と(B)が反応した生成物の分子量で400〜600である範囲のものを有機成分中4〜8%に制御することを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
- 20〜40℃の温度雰囲気にて放置後の粘度を60〜200Pa.sに、50μの隙間侵入性を、110℃の雰囲気下20mmに到達する時間で150〜230秒に制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1および2のエポキシ樹脂組成物の硬化物をアンダーフィル材として封止したフリップチップ型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008027253A JP5024547B2 (ja) | 2008-02-07 | 2008-02-07 | 流動性制御した半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止したフリップチップ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008027253A JP5024547B2 (ja) | 2008-02-07 | 2008-02-07 | 流動性制御した半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止したフリップチップ型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009185188A true JP2009185188A (ja) | 2009-08-20 |
JP5024547B2 JP5024547B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=41068747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008027253A Active JP5024547B2 (ja) | 2008-02-07 | 2008-02-07 | 流動性制御した半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止したフリップチップ型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5024547B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111699227A (zh) * | 2018-02-06 | 2020-09-22 | 3M创新有限公司 | 树脂组合物、填缝粘合剂、填缝粘合剂制备方法及填缝方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004292725A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004331908A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
JP2006016431A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
JP2006016429A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2007291407A (ja) * | 2007-06-25 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
JP2008088378A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置 |
-
2008
- 2008-02-07 JP JP2008027253A patent/JP5024547B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004292725A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004331908A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
JP2006016431A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
JP2006016429A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2008088378A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置 |
JP2007291407A (ja) * | 2007-06-25 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111699227A (zh) * | 2018-02-06 | 2020-09-22 | 3M创新有限公司 | 树脂组合物、填缝粘合剂、填缝粘合剂制备方法及填缝方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5024547B2 (ja) | 2012-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5598343B2 (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5354753B2 (ja) | アンダーフィル材及び半導体装置 | |
KR20170008210A (ko) | 액상 봉지재, 그것을 사용한 전자부품 | |
JP5116152B2 (ja) | 半導体装置製造用の樹脂組成物 | |
JP4905668B2 (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4066174B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物、フリップチップ型半導体装置及びその封止方法 | |
JP3912515B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3707531B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 | |
JP3773022B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置 | |
US6372839B1 (en) | Flip-chip type semiconductor device underfill | |
JP4176619B2 (ja) | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 | |
JP2004292725A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2009173744A (ja) | アンダーフィル剤組成物 | |
JP3925803B2 (ja) | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 | |
JP2010111747A (ja) | アンダーフィル剤組成物 | |
JP4557148B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2010077234A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3674675B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材 | |
JP4221585B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2012082281A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5354721B2 (ja) | アンダーフィル剤組成物 | |
JP5024547B2 (ja) | 流動性制御した半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止したフリップチップ型半導体装置 | |
JP5099850B2 (ja) | 半導体素子封止用組成物 | |
JP4009853B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 | |
JP2007176978A (ja) | フリップチップ型半導体装置用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20111117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120523 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120605 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5024547 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |